JP2002042712A - 電子線を用いたパターン検査方法及びその装置 - Google Patents
電子線を用いたパターン検査方法及びその装置Info
- Publication number
- JP2002042712A JP2002042712A JP2000226181A JP2000226181A JP2002042712A JP 2002042712 A JP2002042712 A JP 2002042712A JP 2000226181 A JP2000226181 A JP 2000226181A JP 2000226181 A JP2000226181 A JP 2000226181A JP 2002042712 A JP2002042712 A JP 2002042712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrons
- digital image
- sensors
- secondary electrons
- charged particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title abstract description 65
- 101100458289 Drosophila melanogaster msps gene Proteins 0.000 claims abstract description 56
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 74
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 57
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 32
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 39
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 31
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 27
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VUTGNDXEFRHDDC-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-dimethylphenyl)-n-(2-oxooxolan-3-yl)acetamide;2-(trichloromethylsulfanyl)isoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)Cl)C(=O)C2=C1.CC1=CC=CC(C)=C1N(C(=O)CCl)C1C(=O)OCC1 VUTGNDXEFRHDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001094026 Synechocystis sp. (strain PCC 6803 / Kazusa) Phasin PhaP Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2446—Position sensitive detectors
- H01J2237/24465—Sectored detectors, e.g. quadrants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
検出系では高速で検出するには検出器の面積が重要なフ
ァクタである。現在の電子光学系、検出器の技術では一
定以上の面積の検出器が必要で、面積に逆比例する周波
数で制約を受け、200Msps以上の検出は実質的に困難
である。 【解決手段】例えば必要面積4mm角、4mm角時の速度を
150Mspsとして400Mspsで検出するには、単体の高
速な2mm角の検出器を4個並べ、それらを増幅後、加算
してA/D変換する。又は、二次電子偏向器で順次8mm角
の検出器に二次電子を入射させ、100Mspsで検出、A/
D変換後並べる。いずれも、4mm角の面積と400Msps
の速度を達成可能である。
Description
などの回路パターンを有する基板製造装置にかかわり、
特に製造途中の基板のパターンをSEMを用いて検査する
技術に関する。
例えば、特開平5−258703号公報に記載されてい
るものがある。この特開平5−258703号公報に記
載されている電子線式パターン検査装置の例を、図1に
示す。電子線1からの電子線2を偏向器3でX方向に偏
向し、対物レンズ4を介して対象物基板5に照射し、同
時にステージ6をY方向に連続で移動させながら、対象
物基板5からの二次電子7(一次電子ビームを照射する
ことにより試料から発生する二次電子と反射電子とを含
めて、二次電子と記す)をE×B偏向器(以下、単にE
×Bと記す)13で曲げ、検出器8で検出、プリアンプ
14で増幅した後、検出信号をA/D変換器9でA/D変換
し、デジタル画像とし、画像処理回路10で本来同一で
ある事が期待できる場所のデジタル画像と比較し、差が
ある場所をパターン欠陥11として検出し、欠陥位置を
確定するものである。尚、対象物基板5はリターディン
グ電圧12により負の電位に保ち、リターディング電圧
12を変更する事で対象物基板5上での加速電圧可変を
容易としている。
来の装置では、二次電子7を1個の検出器8に収束させ
て検出していた。しかし、二次電子の収束の程度は、各
種の条件により制約を受ける。制約条件としては、(1)
電子光学系の自由度(試料に入射する一次電子の加速電
圧を制御するリターデイング電圧、一次ビームの電流、
試料近傍の電界など)、(2)試料上を走査する偏向器3
による電子線2の偏向、(3)設定余裕、(4)二次電子が当
たることによって生ずる検出器7の表面の汚染、(5)電
子光学系の各種収差、等である。
が、電子光学系の条件、即ち、上記した試料に入射する
一次電子の加速電圧を制御するリターデイング電圧、一
次ビームの電流、試料近傍の電界などが1種類の固定し
た条件の下では、上記二次電子の収束の程度には(4)と
(5)とが寄与し、最も小さく見積もっても1mm程度であ
る。また、(2)の偏向器3で電子線2を走査することに
よる二次電子の集束の程度への影響は、走査幅や二次電
子に対する倍率などもに依存するが0.5mm程度の収束
位置の移動として現われる。さらに、(1)の光学系の自
由度は例えばリターディング電圧12を変更した場合、
他の条件にもよるが、デフォーカスにより1mm程度集束
の程度が変化する。
ずれがあるために、0.5mm程度の収束位置のシフトが
生じることが見込まれる。これらを全て加算すると、二
次電子を検出する検出器の有効受光面の径は3mm程度必
要となり、(3)設定余裕を考慮すると、受光器の有効受
光面の系は、4mmは必要となる。
に逆比例している。例えば、径が4mmの検出器では設計
条件、動作条件を工夫しても、遮断周波数は75MHz程
度までにしかならない。一方、検出器の径を2mmにする
と、遮断周波数は150MHz程度になる。しかし、上記
したように、従来の装置では検出器の径が4mm必要で
あるため、遮断周波数75MHzに対応するサンプリング
周波数の150Msps(sps: sample per second : サン
プル毎秒)程度までしか対応することができず、それ以
上の周波数には充分に対応することができなかった。
応することが難しい、150Mspsよりも高いサンプリン
グ周波数でも十分に二次電子の検出が可能な、SEMを
用いた検査装置を提供することにある。
の第1の手段を、図2に示す。
解が容易なように、検出器の大きさは、上記した4mm角
(前記例では、径が4mmの場合について説明したが、
ここでは、説明を簡単にするために、4mm角の場合に
ついて説明する。)で遮断周波数が75MHz、しかも単
純に遮断周波数は面積のみに逆比例すると言う仮定で、
400Mspsの速度で検出する場合について説明する。勿
論、センサの内部構造や材質により数値は変化するが詳
細はここでは述べない。これら議論は400Msps以上の
速度を目標とする場合に対しても必須の要件となる。ま
た、検出器の個数は数量を限定して例えば4個で説明す
るが、複数個の代表数値として説明しているのであって
4という数値には限定されない。
線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象物基板
5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板5を保
持し、走査又は位置決めをするリターディング電圧12
を印加したステージ6、及び対象物基板5からの二次電
子7を曲げるE×B13、及びE×B13で曲げた二次
電子7を検出する1個が2mm角の4分割検出器20、及
び各検出器毎に接続した200MHz以上の帯域を持った
プリアンプ21a〜21d、及びプリアンプ21a〜2
1dの出力を加算、A/D変換しデジタル画像にする40
0MspsのA/D変換器22、及びデジタル画像より本来同
一である事が期待できる場所のデジタル画像と比較し、
差がある場所を欠陥11として検出する画像処理回路1
0よりなる。
2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レンズ4を介して
対象物基板5に照射し、同時にステージ6をY方向に連
続で移動させながら、対象物基板5からの二次電子7を
E×B13で曲げて4分割検出器20で検出し、信号を
プリアンプ21a〜dで各分割検出器の信号を電圧に変
換し、A/D変換器22で信号を加算した後A/D変換し、デ
ジタル画像とし、画像処理回路10で本来同一であるこ
とが期待出来る場所のディジタル画像と比較し、差が有
る場所を欠陥11として検出する。この時、リターディ
ング電圧12の変更、及び偏向器3による偏向等を考慮
しても、二次電子7は最大4mm角の領域にしか広がらな
い。
4mm角であるので二次電子7は何れかのセンサに入射す
る。何れの検出器の信号もプリアンプ21a〜dで受
け、それらをA/D変換器22で加算する事で全ての二次
電子7の信号をA/D変換することが出来る。検出器は2m
m角であり、遮断周波数は300MHz、プリアンプの帯域
は200MHz、A/D変換器は400Mspsであるので、検出
器、プリアンプ、A/D変換器が400Msps対応であり、
400Mspsに対する配慮は十分である。
分割又は8分割、更には12分割の検出器を用いて、二
次電子を検出する構成にすれば、各検出器の面積は更に
小さくなるので、上記に説明した400Mspsよりも更
に高速な検出を行うことが可能になる。
段を、図3に示す。電子線2を発生させる電子源1、及
び電子線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象
物基板5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板
5を保持し、走査又は位置決めをするリターディング電
圧12を印加したステージ6、及び対象物基板5からの
二次電子7を曲げるE×B13、及びE×B13で曲げ
た二次電子7を偏向する二次電子偏向器30、及び二次
電子偏向器30で偏向した二次電子等を検出する1個が
4mm角の4分割検出器31a〜31d、及び各検出器毎
に接続した50MHz帯域のプリアンプ32a〜32d、
及びプリアンプ32a〜dの出力をデジタル画像にする
100MspsのA/D変換器33a〜d、及びデジタル画像
より本来同一である事が期待できる場所のデジタル画像
と比較し、差がある場所を欠陥11として検出する画像
処理回路10よりなる。
源1からの電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物
レンズ4を介して対象物基板5に照射し、同時にステー
ジ6をY方向に連続で移動させながら、対象物基板5か
らの二次電子7をE×B13で曲げた後、二次電子偏向
器30を100MHzで4分割された検出器20の各検出
器を順に走査し、4分割検出器31で検出し、信号をプ
リアンプ32a〜dで各分割検出器の信号を電圧に変換
し、A/D変換器33a〜dで信号をA/D変換してデジタル
画像とし、画像処理回路10で本来同一であることが期
待出来る場所のディジタル画像と比較し、差が有る場所
を欠陥11として検出する。この時、リターディング電
圧12の変更、及び偏向器3による偏向等を考慮して
も、二次電子7は最大4mm角の領域にしか広がらない。
二次電子偏向器30で選択された検出器に全ての二次電
子7が入射する。何れの検出器の信号もプリアンプ32
a〜dで受け、それらをA/D変換器33a〜dでA/D変換
する。検出器は4mm角であり、遮断周波数は75MHz、
プリアンプの帯域は50MHz、A/D変換器は100Mspsで
あるので、検出器、プリアンプ、A/D変換器が100Msp
s対応であり、100Mspsで4画素に1回サンプリング
することになるので4式の検出器、プリアンプ、A/D変
換器のペアの総合で400Mspsに対する配慮は十分であ
る。
いて詳細に説明する。二次電子偏向器30を2.5ns単
位で順次a、b、c、dの順で切り替え周期としては1
00MHzである。A/D変換器33は10ns周期、10
0Mspsでおのおのをサンプリングし、4個のA/D変換
器の出力を順次並べることで、総合として400Mspsを
得ている。
説明する。X/Yの偏向信号をそれぞれsin/cos
の信号とすることで、二次電子7を4分割検出器31a
〜31dの検出面上で連続的に移動させるサークルスキ
ャン92を行うことができる。また、X/Yの偏向信号
を90度位相のずれた10ns周期の方形波とすること
で、二次電子7を4分割検出器31a〜31dの検出面
上で離散的にスキャンさせるスイッチングスキャン93
を得ることができる。また、図示はしないが、X/Yの
偏向信号を10ns、5ns周期の方形波とすることでも同
様な信号を得ることができる。
図4に示す。電子線2を発生させる電子源1、及び電子
線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象物基板
5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板5を保
持し、走査又は位置決めをするリターディング電圧12
を印加したステージ6、及び対象物基板5からの二次電
子7を曲げるE×B13、及びE×B13で曲げた二次
電子7検出するプリアンプ加算器一体型の1個のセンサ
が2mm角の4分割スマート検出器40、4分割スマート
検出器40の出力をデジタル画像にする400MspsのA/
D変換器41、及びデジタル画像より本来同一である事
が期待できる場所のデジタル画像と比較し、差がある場
所を欠陥11として検出する画像処理回路10よりな
る。
1からの電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レ
ンズ4を介して対象物基板5に照射し、同時にステージ
6をY方向に連続で移動させながら、対象物基板5から
の二次電子7をE×B13で曲げた後、スマート検出器
40で検出し、A/D変換器41で信号をA/D変換し、デジ
タル画像とし、画像処理回路10で本来同一であること
が期待出来る場所のディジタル画像と比較し、差が有る
場所を欠陥11として検出する。
及び偏向器3による偏向等を考慮しても、二次電子7は
最大4mm角の領域にしか広がらない。4分割センサは1
個が2mm角、4個で2mm角であるので何れかのセンサに
入射する。何れの検出器の信号もスマート検出器40に
内蔵されたセンサ個別に付いたプリアンプで受け、それ
らを加算する事で全ての二次電子7の信号をスマート検
出器40の出力とすることが出来る。スマート検出器4
0の内蔵プリアンプの帯域を200MHzとすれば、検出
器は2mm角であり、遮断周波数は300MHz、 A/D変換
器は400Mspsであるので、検出器、プリアンプ、A/D
変換器が400Msps対応であり、400Mspsに対する配
慮は十分である。
図5に示す。電子線2を発生させる電子源1、及び電子
線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象物基板
5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板5を保
持し、走査又は位置決めをするリターディング電圧12
を印加したステージ6、及び対象物基板5からの二次電
子7を曲げるE×B13、及びE×B13で曲げた二次
電子7を収束させる収束光学系51、及び収束光学系5
1で収束させた二次電子7を検出する2mm角の検出器
8、及び検出器に接続した200MHz以上の帯域を持っ
たプリアンプ52、及びプリアンプ52の出力をA/D変
換しデジタル画像にする400MspsのA/D変換器9、及
びデジタル画像より本来同一である事が期待できる場所
のデジタル画像と比較し、差がある場所を欠陥11とし
て検出する画像処理回路10よりなる。
電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レンズ4を
介して対象物基板5に照射し、同時にステージ6をY方
向に連続で移動させながら、対象物基板5からの二次電
子7をリターディング電圧毎に曲げ角を最適化したE×
B13で曲げた後、収束光学系51でリターディング電
圧に見合う位置に収束させた二次電子7を2mm角の検出
器8で検出し、プリアンプ52で増幅後、A/D変換器9
で信号をA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回路
10で本来同一であることが期待出来る場所のディジタ
ル画像と比較し、差が有る場所を欠陥11として検出す
る。
た場合のデフォーカスによる広がり、収束位置の移動に
は、それぞれ収束光学系51、及びE×B13で調整し
ているため、偏向器3による偏向等を考慮しても、二次
電子7は最大1.5mm角+設計余裕分の領域にしか広が
らない。検出器8は1個が2mm角であるのでやや余裕は
小さいが検出器に入射する為、ほぼ全ての二次電子7の
信号を検出器8の出力とすることが出来る。プリアンプ
の帯域を200MHzとすれば、検出器は2mm角であり、
遮断周波数は300MHz、 A/D変換器は400Mspsであ
るので、検出器、プリアンプ、A/D変換器が400Msps
対応であり、400Mspsに対する配慮は十分である。
図6に示す。電子線2を発生させる電子源1、及び電子
線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象物基板
5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板5を保
持し、走査又は位置決めをするリターディング電圧12
を印加したステージ6、及び対象物基板5からの二次電
子7を曲げるE×B13、及びE×B13で曲げた二次
電子7を検出する複数箇所に設置した2mm角の検出器6
1a〜61b、及び各検出器に接続した200MHz以上
の帯域を持ったプリアンプ62a〜62b、及びプリア
ンプ62a〜62bの出力を加算、又は切り替える信号
合成回路63、信号合成回路63で合成した信号をA/D
変換しデジタル画像にする400MspsのA/D変換器9、
及びデジタル画像より本来同一である事が期待できる場
所のデジタル画像と比較し、差がある場所を欠陥11と
して検出する画像処理回路10よりなる。
リターディング電圧12の受け持ち範囲Vamin〜Va
max、検出器61bのリターディング電圧12の受け
持ち範囲Vbmin〜Vbmaxとし、受持ち範囲のリタ
ーディング電圧12に対応する二次電子7の収束距離に
検出器61a〜bを設置し、それらを合せると全てのリ
ターディング電圧12の範囲をカバーするようにに設定
しておく。リターディング電圧12がVamin〜Va
maxの場合には信号合成回路63で検出器61aを選
択、E×B13は検出器61aに入射するように設定し
ておく。
向に偏向し、対物レンズ4を介して対象物基板5に照射
し、同時にステージ6をY方向に連続で移動させなが
ら、対象物基板5からの二次電子7を、曲げ角を最適化
したE×B13で曲げた後、二次電子7を2mm角の検出
器61aで検出し、プリアンプ62aで増幅後、信号合
成回路では検出器61aが選択されているのでA/D変換
器9で信号をA/D変換し、デジタル画像とし、画像処理
回路10で本来同一であることが期待出来る場所のディ
ジタル画像と比較し、差が有る場所を欠陥11として検
出する。
た場合のデフォーカスによる広がり、収束位置の移動に
は、それぞれ検出器61a〜61bの選択、及びE×B
13で調整しているため、偏向器3による偏向等を考慮
しても、二次電子7は最大1.5mm角+設計余裕分の領
域にしか広がらない。検出器61a〜61bは1個が2
mm角であるのでやや余裕は小さいが検出器に入射する
為、ほぼ全ての二次電子7の信号を検出器61a〜61
bの出力とすることが出来る。プリアンプの帯域を20
0MHzとすれば、センサは2mm角であり、遮断周波数は
300MHz、 A/D変換器は400Mspsであるので、検出
器、プリアンプ、A/D変換器が400Msps対応であり、
400Mspsに対する配慮は十分である。
図7に示す。電子線2を発生させる電子源1、及び電子
線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象物基板
5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板5を保
持し、走査又は位置決めをするリターディング電圧12
を印加したステージ6、及び対象物基板5からの二次電
子7を曲げるE×B13、及びE×B13で曲げた二次
電子7を偏向させる二次電子振り戻し偏向器71、及び
振り戻し偏向器71で振り戻した二次電子7を検出する
2mm角の検出器72、及び検出器72に接続した200
MHz以上の帯域を持ったプリアンプ73、及びプリアン
プ73の出力をA/D変換しデジタル画像にする400Msp
sのA/D変換器9、及びデジタル画像より本来同一である
事が期待できる場所のデジタル画像と比較し、差がある
場所を欠陥11として検出する画像処理回路10よりな
る。
電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レンズ4を
介して対象物基板5に照射し、同時にステージ6をY方
向に連続で移動させながら、対象物基板5からの二次電
子7をリターディング電圧毎に曲げ角を最適化したE×
B13で曲げた後、二次電子7を二次電子振り戻し偏向
器71で偏向器3での検出器72上の移動量分を振り戻
し二次電子7の移動を無くし、2mm角の検出器72で検
出し、プリアンプ73で増幅後、A/D変換器9で信号をA
/D変換し、デジタル画像とし、画像処理回路10で本来
同一であることが期待出来る場所のディジタル画像と比
較し、差が有る場所を欠陥11として検出する。
た場合の収束位置の移動には、E×B13で調整してい
る。また、偏向器3の走査に伴う二次電子7の移動には
二次電子振り戻し偏向器71で対応するため、二次電子
7は最大2mm角+設計余裕分の領域にしか広がらない。
検出器72は2mm角であるので余裕は無いが検出器に入
射する為、二次電子7の信号を検出器72の出力とする
ことが出来る。プリアンプの帯域を200MHzとすれ
ば、検出器は2mm角であり、遮断周波数は300MHz、
A/D変換器は400Mspsであるので、検出器、プリアン
プ、A/D変換器が400Msps対応であり、400Mspsに
対する配慮は十分である。本構成は単独では目標を達成
することはできないが、例えば第5の構成と組み合わせ
て設計余裕を稼ぐ為に用いることができる。
図8に示す。電子線2を発生させる電子源1、及び電子
線2を偏向させる偏向器3、及び電子線2を対象物基板
5上に収束させる対物レンズ4、及び対象物基板5を保
持し、走査又は位置決めをするリターディング電圧12
を印加したステージ6、及び対象物基板5からの二次電
子7を曲げるE×B13、及びE×B13で曲げた二次
電子7を衝突させる反射板81、及び反射版81に衝突
させた二次電子7により発生する二次電子82を収束さ
せる収束光学系83、及び収束光学系83で収束させた
二次電子82を検出する2mm角の検出器84、及び検出
器84に接続した200MHz以上の帯域を持ったプリア
ンプ85、及びプリアンプ85の出力をA/D変換しデジ
タル画像にする400MspsのA/D変換器9、及びデジタ
ル画像より本来同一である事が期待できる場所のデジタ
ル画像と比較し、差がある場所を欠陥11として検出す
る画像処理回路10よりなる。
構成は検出器の周辺の無効領域を極力小さくしたものを
隣接して設置する。無効領域は極力小さくしても0.2
mmは必要で、間隔を0にして配置した場合には0.4mm
の無効領域を挟んで配置することが可能である。検出器
の製作時に複数個を同時に集積する方法である。プロセ
スにも依存するが、0.02mm程度以下にはすることが
可能である。図9に、5個の検出器91a〜91eで構
成した例を示している。
電子線2を偏向器3でX方向に偏向し、対物レンズ4を
介して対象物基板5に照射し、同時にステージ6をY方
向に連続で移動させながら、対象物基板5からの二次電
子7をリターディング電圧毎に曲げ角を最適化したE×
B13で曲げた後、二次電子7を反射版81にぶつけ、
反射版81で生じた二次電子82を収束光学系83を介
して2mm角の検出器84で検出し、プリアンプ85で増
幅後、A/D変換器9で信号をA/D変換し、デジタル画像と
し、画像処理回路10で本来同一であることが期待出来
る場所のディジタル画像と比較し、差が有る場所を欠陥
11として検出する。
ため、リターディング電圧12、偏向器3による走査に
依存せず、エネルギのほとんど無い二次電子82が発生
し、それを収束光学系83で検出器84に入射させるた
め、二次電子82は最大2mm角の領域にしか広がらな
い。検出器84は2mm角であるので、全ての二次電子7
の信号を検出器84の出力とすることが出来る。プリア
ンプの帯域を200MHzとすれば、検出器は2mm角であ
り、遮断周波数は300MHz、 A/D変換器は400Msps
であるので、検出器、プリアンプ、A/D変換器が400M
sps対応であり、400Mspsに対する配慮は十分であ
る。
段と作用では、E×Bで検出器への収束位置を調整して
いるが、ExB以外に電子線と二次電子両方を通過させ
るのではなく、二次電子等のみの光路中に二次電子偏向
器を挿入して検出器への二次電子等の位置を調整する機
能をしても良い。また、E×Bで大きな角度を偏向させ
ると大きな収差を生じてしまうので、逆方向に動作をさ
せるダミーのE×Bを追加し、収差をキャンセルするこ
とも考えられる。
例を説明する。図12に第1の実施例の構成を示す。
源1からの電子線2を一定場所に収束させるコンデンサ
レンズ103とコンデンサレンズ103で収束した位置
の近傍に設置し電子線2のON/OFFを制御をするブランキ
ングプレート104と電子線2をXY方向に偏向する偏
向器105と電子線2を対象物基板5上に収束させる対
物レンズ4よりなる電子光学系106、及び対象物基板
であるウェーハ100を真空に保持する試料室107、
及びウェーハ100を搭載し任意の位置の画像検出を可
能とするリターディング電圧108を印可したステージ
6、及び対象物基板5からの二次電子7を検出器20の
方向に偏向させるE×B13、及び偏向させた二次電子
7を検出する200MHzの帯域を持った2mm角の検出素
子を4つ用いた4分割検出器20、及び200MHzの帯
域を持ち、真空中に保持した試料室内に配置したプリア
ンプ21a〜21d、及びプリアンプ21a〜21dの
出力を加算、400MspsでA/D変換しデジタル画像を
得るA/D変換器22、及びデジタル画像を記憶してお
くメモリ109、及びメモリ109に記憶した記憶画像
とA/D変換したデジタル画像を比較して、差がある場
所をパターン欠陥11として検出する画像処理回路1
0、及び全体制御部110(全体制御部110からの制
御線は図上では省略)、及びウェーハ100の高さを測
定し対物レンズ4の電流値をオフセット112を加算し
て制御することで対象基板5上に集束させる電子線2の
焦点位置を調整して検出されるディジタル画像の焦点位
置を一定に保つZセンサ113、及びカセット114内
のウェーハ100を試料室107に出し入れするローダ
116(非表示)、及びウェーハ100の外形形状を基準
にウェーハ100を位置決めするオリフラ検出器117
(非表示)、及びウェーハ100上のパターンを観察する
為の光学式顕微鏡118、及びステージ6上に設けた標
準試料片119よりなる。
図2で説明したものと同じ構成である。
部110は各部に動作を以下の手順で指示する。ローダ
116(非表示)に指示を出し、ローダ116はウェーハ
100をカセット114から取出し、オリフラ検出器1
17(非表示)で外形形状を基準にウェーハを位置決め
し、ステージ6にウェーハ100を搭載し、試料室10
7内を真空にする。搭載と共に、電子光学系106とリ
ターディング電圧108の条件を設定し、ブランキング
プレート104に電圧を印可して電子線2をOFFする。
動し、Zセンサ113を有効として焦点をZセンサ11
3の検出値+オフセット112の一定に保ち、偏向器1
05をラスタスキャンし、スキャンに同期してブランキ
ングプレート104の電圧を切り、電子線2を必要なと
きのみウェーハ100に照射し、その時ウェーハ100
より発生する二次電子7を4分割検出器20で検出、プ
リアンプ21a〜dで増幅後、加算してA/D変換器2
2でA/D変換することでデジタル画像とする。オフセ
ット112を変更してデジタル画像を複数枚検出し、検
出毎に全体制御部110で最も画像の微分値の画像内総
和が最高となる最適オフセット111を現在のオフセッ
ト値として設定する。
ーハ100の検査すべき領域の走査開始位置に移動す
る。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固
有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有
効にし、図13に示した走査線153に沿ってステージ
6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器10
5をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレー
ト104の電圧を切り電子線2をウェーハ100に照
射、走査する。
に切り離されて製品になる単位で同一の配線パターンを
持っている。ウェーハ100より発生する二次電子7を
4分割検出器20で検出、プリアンプ21a〜dで増幅
後、A/D変換器22で加算してA/D変換してストラ
イプ領域154のデジタル画像を得、メモリ109に記
憶する。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効
とする。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面
の検査をする。ウェーハ100の全面を検査する場合に
は図14に示した順で検査する。
たものと同じ構成及び作用を有するものである。
出している場合にはメモリ109に記憶した検出位置B
156の画像と比較し差がある場所をパターン欠陥11
として抽出し、パターン欠陥11のリストを作成し、全
体制御部110に送信する。
ェーハ全面を検査してパターン欠陥11のみを検出し、
それらをユーザに提示できる特徴がある。
割検出器20を用いているため、総合で十分な面積と高
速性を持ち、プリアンプ21a〜21dでそれぞれ帯域
を保ったまま増幅しているため高速性があり、しかもそ
れらを加算し、A/D変換することで、検出器1個に比較
して2倍のS/Nもを得ることができる。
る。この第1の変形例においては、図4に示したような
4分割センサ20、及びプリアンプ21a〜21d、及
びプリアンプの出力を加算する回路を一体型としたスマ
ート検出器を用いる。本変形例によると、400Msps以
上の高速化をする場合にセンサとプリアンプが一体型に
なっている、及び出力が1個である為、分割数を容易に
増加させることが可能である特徴がある。
る。本変形例においては、4分割センサ20、及びプリ
アンプ21a〜21dを一体型としたスマート検出器を
用いる(図示せず)。即ち、本変形例では、図4に示し
たような第1の変形例のスマート検出器のうち、加算す
る回路を切り離したもので、図2及び図12に示した構
成のうち、4分割検出器20とプリアンプ21a〜21
bとを一体化した構成を持つ。本変形例によると400
Msps以上の高速化をする場合にセンサとプリアンプが一
体型になっている為、分割数を容易に増加させることが
可能である。また、プリアンプの出力を個別に出力して
いる為、加算以外に演算機能を持たせることが容易にで
きる特徴がある。
る。本変形例は、図12に示した構成において、4分割
センサ20、及びプリアンプ21a〜21d、1個又は
複数の出力を持つ演算回路、1個又は複数個の演算回路
の出力をそれぞれA/D変換するA/D変換器を一体型
としたスマート検出器を用いる。本変形例によると40
0Msps以上の高速化をする場合にセンサとプリアンプが
一体型になっている為、分割数を容易に増加させること
が可能である。
本変形例では、第1の実施例で説明したものに対して、
加算とA/D変換の順序を入れ替えたもので、プリアン
プ21a〜21dの出力を一旦A/D変換し、A/D変
換後に加算、又は演算する。本変形例によると4分割検
出器20やプリアンプ21a〜21dの特性を演算によ
り補正が可能であるという特徴がある。
したが、本実施例及びその変形例においては、4分割検
出器20の出力を単純に加算するだけでなく、それぞれ
の検出素子の出力にたいして、線形又は非線型の演算処
理を施してもよい。
ような4分割検出器20を用いることにより、各素子の
受光面は、対象物を見込む角度が夫々異なるために、そ
れらの出力を演算処理することにより、対象物の凹凸情
報を含む形状の情報を、高速に得ることが可能になる。
は、4分割検出器20の例を示したが、検出器の構造を
図9に示したような、中心領域に別の受光面を設けたも
のを用いてもよい。
ば、従来の装置に比べて大幅な改造を必要とせずに比較
的シンプルな光学系の構造で、従来の装置に比べて倍以
上のサンプリング周波数でSEM画像を検出することが
可能になる。
次電子のビーム径を従来の装置と同じ径にして検出する
ことが可能なので、検出器表面を汚染する程度が従来の
場合と同じであり、特に高速検出により検出器の寿命を
短くしてしまうというような弊害が生じることがない。
分割したそれぞれの検出器からの出力を同時に受けて信
号を処理する構成になっているため、たとえ分割したそ
れぞれの検出器の感度にばらつきがあっても、そのばら
つきに応じた出力を安定して得ることができので、出力
信号の処理を比較的容易に行うことができる。
する。図15に第2の実施例の構成を示す。
源1からの電子線2一定場所に収束させるコンデンサレ
ンズ103とコンデンサレンズ103で収束した位置の
近傍に設置し電子線2のON/OFFを制御をするブランキン
グプレート104と電子線2をXY方向に偏向する偏向
器105と電子線2を対象物基板5上に収束させる対物
レンズ4よりなる電子光学系106、及び対象物基板で
あるウェーハ100を真空に保持する試料室107、及
びウェーハ100を搭載し任意の位置の画像検出を可能
とするリターディング電圧108を印可したステージ
6、及び対象物基板5からの二次電子7を偏向させる二
次電子偏向器30、及び対象物基板5からの二次電子偏
向器30で偏向された二次電子7を検出する50MHzの
帯域を持った4mm角の検出素子を4個用いた4分割検出
器31a〜31d、及び50MHzの帯域を持ったプリア
ンプ32a〜32d、及びプリアンプ32a〜32dの
出力を100MspsでA/D変換しデジタル画像を得るA
/D変換器33a〜33d、及びA/D変換器33a〜
33d毎に設けた検出器やプリアンプなどの特性を補正
するビット補正テーブル130、及び補正したデジタル
画像を記憶しておくメモリ109、及びメモリ109に
記憶した記憶画像とA/D変換したデジタル画像を比較
して、差がある場所をパターン欠陥11として検出する
画像処理回路10、及び全体制御部110(全体制御部
110からの制御線は図上では省略)、及びウェーハ1
00の高さを測定し対物レンズ4の電流値をオフセット
112を加算して制御することで検出されるディジタル
画像の焦点位置を一定に保つZセンサ113、及びカセ
ット114内のウェーハ100を試料室107に出し入
れするローダ116(非表示)、及びウェーハ100の外
形形状を基準にウェーハ100を位置決めするオリフラ
検出器117(非表示)、及びウェーハ100上のパター
ンを観察する為の光学式顕微鏡118、及びステージ6
上に設けた標準試料片119よりなる。
で説明する方式でビット補正テーブルを設定しておく。
全体制御部110は各部に動作を以下の手順で指示す
る。ローダ116(非表示)に指示を出し、ローダ116
はウェーハ100をカセット114から取出し、オリフ
ラ検出器117(非表示)で外形形状を基準にウェーハ1
00を位置決めし、ステージ6にウェーハ100を搭載
し、試料室107内を真空にする。搭載と共に、電子光
学系106とリターディング電圧108の条件を設定
し、ブランキングプレート104に電圧を印可して電子
線2をOFFする。
し、Zセンサ113を有効として焦点をZセンサ113
の検出値+オフセット112の一定に保ち、偏向器10
5をラスタスキャンし、スキャンに同期してブランキン
グプレート104の電圧を切り、電子線2を必要なとき
のみウェーハ100に照射し、二次電子偏向器30でウ
ェーハ100より発生する二次電子7を4分割検出器3
1a〜31dに対してリング状に次々切り替えて入射さ
せる。検出信号をそれぞれのプリアンプ32a〜32
d、及びA/D変換器33a〜33dでデジタル画像と
する。オフセット112を変更してデジタル画像を複数
枚検出し、検出毎に全体制御部110で最も画像の微分
値の画像内総和が最高となる最適オフセット111を現
在のオフセット値として設定する。
ーハ100の検査すべき領域の走査開始位置に移動す
る。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固
有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有
効にし、図13に示した走査線153に沿ってステージ
6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器10
5をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレー
ト104の電圧を切り電子線2をウェーハ100に照
射、走査する。ウェーハ100より発生する二次電子7
を二次電子偏向器30でウェーハ100より発生する反
射電子又は二次電子を4分割検出器31a〜31dに対
して図11に示したサークルスキャン92で次々切り替
えて入射させる。
32d、及びA/D変換器33a〜33dでストライプ
領域154のデジタル画像とし、メモリ109に記憶す
る。ステージ6の走査終了後Zセンサ113を無効とす
る。ステージ走査を繰り返すことで必要な領域全面の検
査をする。ウェーハ100の全面を検査する場合には図
14に示した順で検査する。画像処理回路10で検出位
置A 155を検出している場合にはメモリ109に記憶
した検出位置B 156の画像と比較し差がある場所をパ
ターン欠陥11として抽出し、パターン欠陥11のリス
トを作成し、全体制御部110に送信する。
〜31d、プリアンプ32a〜32d、A/D変換器3
3a〜33dの動作を詳細に説明する。図10にタイミ
ングチャートを示す。二次電子偏向器は400MHzで4分割
検出器31a〜31dに二次電子7を偏向し、4分割検
出器31a〜d、プリアンプ32a〜d、A/D変換器3
3a〜dでは、100Mspsでサンプリングし、デジタル
画像とする。それらを順次並べて400Msps相当のデジ
タル画像データとしている。
〜31dは、図3で説明したものと同じ構成のものであ
る。
33a〜d毎に、A/D変換の出力値xに対して補正後の
値fa(x)〜fd(x)を出力する。基準のA/D変換
器を33aとし、fa(x)=xとする。次に、各種材
料でできたブランクウェーハの信号を検出、補正後の値
が同一となるようにfb(x)〜fd(x)の関数形状を
調整する。
ェーハ全面を検査してパターン欠陥11のみを検出し、
それらをユーザに提示できる特徴がある。
査方法を、図11に示した走査方法のうち、サークルス
キャン92でなく、スイッチングスキャン93等を用い
るものである。本変形例によれば、4分割検出器31a
〜31d上での二次電子の走査がアナログ的な走査でな
いので、二次電子7の4分割検出器31a〜31d上で
の位置ドリフトなどの変動要因に対して強いという特徴
がある。
0の代わりに線形演算をする回路を設けて検出器やプリ
アンプの特性を補正するものである。本変形例によれ
ば、より簡単な回路で、高速な処理を実現できるという
特徴がある。
よれば、個々の検出器のもつ動作速度のN倍の検出速度
を得ることが可能になるので、より高速な検出を行うこ
とが可能になる。
する。図16に第3の実施例の構成を示す。電子線2を
発生させる電子源1、及び電子源1からの電子線2を一
定場所に収束させるコンデンサレンズ103とコンデン
サレンズ103で収束した位置の近傍に設置し電子線2
のON/OFFを制御をするブランキングプレート104と電
子線2をXY方向に偏向する偏向器105と電子線2を
対象物基板5上に収束させる対物レンズ4よりなる電子
光学系106、及び対象物基板であるウェーハ100を
真空に保持する試料室107、及びウェーハ100を搭
載し任意の位置の画像検出を可能とするリターディング
電圧108を印可したステージ6、及び対象物基板5か
らの二次電子7検出器8の方向に偏向させるExB1
3、及び偏向させた二次電子7を収束させる収束光学系
51、及び収束光学系で収束させた二次電子7を検出す
る200MHzの帯域を持った検出器8、及び200MHzの
帯域を持ち、真空中に保持した試料室内に配置したプリ
アンプ52、及びプリアンプ52の出力を400Mspsで
A/D変換しデジタル画像を得るA/D変換器22、及
びデジタル画像を記憶しておくメモリ109、及びメモ
リ109に記憶した記憶画像とA/D変換したデジタル
画像を比較して、差がある場所をパターン欠陥11とし
て検出する画像処理回路10、及び全体制御部110
(全体制御部110からの制御線は図上では省略)、及び
ウェーハ100の高さを測定し対物レンズ4の電流値を
オフセット112を加算して制御することで検出される
ディジタル画像の焦点位置を一定に保つZセンサ11
3、及びカセット114内のウェーハ100を試料室1
07に出し入れするローダ116(非表示)、及びウェー
ハ100の外形形状を基準にウェーハ100を位置決め
するオリフラ検出器117(非表示)、及びウェーハ10
0上のパターンを観察する為の光学式顕微鏡118、及
びステージ6上に設けた標準試料片119よりなる。
同じ構成である。
部110は各部に動作を以下の手順で指示する。ローダ
116(非表示)に指示を出し、ローダ116はウェーハ
100をカセット114から取出し、オリフラ検出器1
17(非表示)で外形形状を基準にウェーハを位置決め
し、ステージ6にウェーハ100を搭載し、試料室10
7内を真空にする。搭載と共に、電子光学系106とリ
ターディング電圧108、及びリターディング電圧10
8に応じた条件を収束光学系51に設定し、ブランキン
グプレート104に電圧を印可して電子線2をOFFす
る。
動し、Zセンサ113を有効として焦点をZセンサ11
3の検出値+オフセット112の一定に保ち、偏向器1
05をラスタスキャンし、スキャンに同期してブランキ
ングプレート104の電圧を切り、電子線2を必要なと
きのみウェーハ100に照射し、その時ウェーハ100
より発生する二次電子7収束光学系51を介して検出器
8で検出、A/D変換器22でデジタル画像とする。オ
フセット112を変更してデジタル画像を複数枚検出
し、検出毎に全体制御部110で最も画像の微分値の画
像内総和が最高となる最適オフセット111を現在のオ
フセット値として設定する。
ーハ100の検査すべき領域の走査開始位置に移動す
る。オフセット112に予め測定しておいたウェーハ固
有のオフセットを加算して設定し、Zセンサ113を有
効にし、図13に示した走査線153に沿ってステージ
6をY方向走査し、ステージ走査に同期して偏向器10
5をX方向に走査し、有効走査時にブランキングプレー
ト104の電圧を切り電子線2をウェーハ100に照
射、走査する。ウェーハ100上のダイ152は最終的
に切り離されて製品になる単位で同一の配線パターンを
持っている。ウェーハ100より発生する二次電子7を
検出器8で検出、プリアンプ52で増幅後、A/D変換
器22でストライプ領域154のデジタル画像を得、メ
モリ109に記憶する。ステージ6の走査終了後Zセン
サ113を無効とする。ステージ走査を繰り返すことで
必要な領域全面の検査をする。ウェーハ100の全面を
検査する場合には図14に示した順で検査する。
出している場合にはメモリ109に記憶した検出位置B
156の画像と比較し差がある場所をパターン欠陥11
として抽出し、パターン欠陥11のリストを作成し、全
体制御部110に送信する。
ェーハ全面を検査してパターン欠陥11のみを検出し、
それらをユーザに提示することが可能になる。
リターディング電圧108に応じた二次電子7の収束位
置を調整し、200Msps帯域の検出器8を用いているた
め、高速性を持ち、しかも全ての二次電子等を検出器8
に収束できる。
検出するので、検出信号のばらつきが少なく、安定して
検出することが可能になる。また、それに伴って、信号
処理回路を、比較的シンプルな構成で組むことが可能に
なる。
8に応じた二次電子7の収束位置の変化を、図5または
図16の収束光学系51を用いて調整して検出器8に入
射させる代わりに、図6に示したように、リターディン
グ電圧108に応じた位置に複数個の検出器61a、6
1bを配置し、それらを切り替えて使用する例である。
本変形例によれば、空間的な制約により検出器61a、
61bを離れた位置に配置せざるをえない場合でも、対
応が可能であるという特徴がある。
の集束光学系51を、図7に示したような、振り戻し偏
向器71に置き換えたものである。本変形例によると、
偏向器105の影響による二次電子7の変位を補正する
ことができるので、より安定に二次電子7を検出器8に
収束させることができるという特徴がある。
に、反射板81を追加して、この反射板81に二次電子
7を衝突させ、そのとき発生する二次電子82を収束光
学系51で検出器8に収束させるようにするものであ
る。本変形例によると、より安定に二次電子7を検出器
8に収束させて、効率良く検出することができる。
200Msps以上のサンプリング周波数で画像を検出し
て、高速にSEM画像を処理することが可能になる。
μmの画素単位で100Mspsの速度で直径が200mm
のウェハを全面に亘って検査する場合に、約15時間を
要していたのに対して、本発明に示した方式で同じウェ
ハを400Mspsの速度で検出すれば、ステージの移動j
時間や電子ビームの走査時間などを含めても、1/3の
約5時間で検査を行うことが可能になる。また、本発明
に示した方式で同じウェハを200Mspsの速度で検出
すれ場合には、約8時間で検査が可能になる。
プロセスへ反映させることが可能になる。
の装置に比べて、同じ所用時間で3倍のウェハを検査す
ることができる。
略構成を示す正面図である。
正面図である。
正面図である。
正面図である。
正面図である。
正面図である。
正面図である。
正面図である。
である。
法を示す図である。
検出器上での動作を示す検出器の平面図である。
成を示す正面図である。
面図である。
ウェハの平面図である。
の概略構成を示す正面図である。
の概略構成を示す正面図である。
… 対物レンズ 5…対象物基板 6…ステージ
7…二次電子 8…検出器 9…A/D変
換器 10…画像処理回路 11…パターン欠陥
12…リターディング電圧 13…ExB
20…4分割検出器 30…二次電子偏向器 31
…4分割検出器 33…A/D変換器 40…ス
マート検出器51 …収束光学系 61…検出器
62…プリアンプ 63…信号合成回路、71…偏
向器72…検出器 81…反射板 82…二次電
子 283…収束光学系 104…ブランキングプレート
106…電子光学系 107…試料室 10
8…リターディング電圧 113…Zセンサ
118…光学式顕微鏡
Claims (33)
- 【請求項1】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
又は分割センサを用いて検出、A/D変換し、各センサで
得られたデジタル信号を交互に並べることでセンサ単体
の速度より高速なディジタル画像を取得、取得したディ
ジタル画像を元に欠陥を検査する事を特徴とするパター
ン検査方法。 - 【請求項2】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
又は分割センサに時分割で切替えて入射、センサで検
出、それぞれA/D変換し、時系列で並べることでセンサ
単体より高速なディジタル画像を取得、取得したディジ
タル画像を元に欠陥を検査する事を特徴とするパターン
検査方法。 - 【請求項3】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
又は分割センサを用いて検出、アナログスイッチで時系
列に統合する事でセンサ単体で得られるより高速なアナ
ログ信号を得てから A/D変換することでディジタル画像
を取得、取得したディジタル画像を元に欠陥を検査する
事を特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項4】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
又は分割センサに時分割で順次切替えて入射、センサで
検出、アナログスイッチで時系列を統合する事でセンサ
単体より高速なアナログ信号を得、アナログ信号をA/D
変換してディジタル画像を取得、取得したディジタル画
像を元に欠陥を検査する事を特徴とするパターン検査方
法。 - 【請求項5】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
又は分割センサを用いて並列で検出、検出信号をアナロ
グ回路で加算、又は演算する事でアナログ信号を取得し
てからA/D変換して200Msps以上の速度のディジタル
画像を取得、取得したディジタル画像を元に欠陥を検査
する事を特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項6】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
又は分割センサを用い並列で検出する事で複数のアナロ
グ信号を取得し、それぞれをA/D変換し、それらを加
算、又は演算して200Msps以上の速度のディジタル画
像を取得、取得したディジタル画像を元に欠陥を検査す
る事を特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項7】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
を用いて検出、センサの信号をセンサと同一の半導体素
子上に集積したプリアンプで増幅し、同一素子上又は外
部に設けた機能で、それら信号をアナログで演算して1
個又は複数個のアナログ信号とし、1個、又は複数個の
アナログ信号をA/D変換することで200Msps以上の速
度のディジタル画像を取得、取得したディジタル画像を
元に欠陥を検査する事を特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項8】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセンサ
を用いて検出、センサの信号をセンサと同一の半導体素
子上に集積したプリアンプで増幅し、同一素子上又は外
部に設けた機能で、A/D変換して、デジタル信号で演算
して1個、又は複数個の200Msps以上の速度のディジ
タル画像を取得、取得したディジタル画像を元に欠陥を
検査する事を特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項9】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数個所に設
置したいずれかのセンサを用いて検出、複数のセンサの
信号を加算、又は複数のセンサの信号を演算、又選択し
たセンサのみの信号をA/D変換して200Msps以上の速
度のディジタル画像を取得、取得したディジタル画像を
元に欠陥を検査する事を特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項10】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生す
る二次電子、反射電子、透過電子の何れかを反射板に衝
突させ、発生する二次電子を収束光学系を介してセンサ
を用いて検出、センサの信号をA/D変換して200Msps
以上の速度のディジタル画像を取得、取得したディジタ
ル画像を元に欠陥を検査する事を特徴とするパターン検
査方法。 - 【請求項11】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生す
る二次電子、反射電子、透過電子の何れかを収束光学系
を介して1個、又は複数個のセンサを用いて検出、セン
サの信号を加算、又は演算してA/D変換して200Msps
以上の速度のディジタル画像を取得、取得したディジタ
ル画像を元に欠陥を検査する事を特徴とするパターン検
査方法。 - 【請求項12】対象物基板に荷電粒子を偏向器で位置を
制御して照射し、発生する二次電子、反射電子、透過電
子の何れかについて偏向器により生じた収束位置の変動
を振り戻し光学系で補正してセンサを用いて検出、セン
サの信号をA/D変換して200Msps以上の速度のディジ
タル画像を取得、取得したディジタル画像を元に欠陥を
検査する事を特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項13】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生す
る二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセン
サで分割して検出、アナログ信号で加算、又は演算、又
は切替えて高速のアナログ信号を得、その信号をA/D変
換するすることで200Msps以上ディジタル画像を取
得、取得したディジタル画像を元に欠陥を検査する事を
特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項14】対象物基板に荷電粒子を照射し、発生す
る二次電子、反射電子、透過電子の何れかを複数のセン
サで分割して検出、それぞれをA/D変換して、デジタル
画像上で加算、又は演算、又は順次時系列に統合するこ
とで200Msps以上ディジタル画像を取得、取得したデ
ィジタル画像を元に欠陥を検査する事を特徴とするパタ
ーン検査方法。 - 【請求項15】連続移動させるステージ上に搭載した対
象物基板に荷電粒子を静電偏向器で位置を制御して照射
し、発生する二次電子、反射電子、透過電子の何れかを
1個又は複数のセンサで検出それらの信号をA/D変換す
る事で200Msps以上の速度でディジタル画像を取得、
取得したディジタル画像を記憶し、記憶画像と検出した
デジタル画像を比較することにより欠陥を検査する事を
特徴とするパターン検査方法。 - 【請求項16】連続移動させるステージ上に搭載した対
象物基板に荷電粒子を静電偏向器で位置を制御して照射
し、発生する二次電子、反射電子、透過電子の何れかを
真空中に配置した1個又は複数のセンサとそのプリアン
プで検出それらの信号をA/D変換する事で200Msps以
上の速度でディジタル画像を取得、取得したディジタル
画像を記憶し、記憶画像と検出したデジタル画像を比較
することにより欠陥を検査する事を特徴とするパターン
検査方法。 - 【請求項17】請求項1〜4項記載のデジタル画像に対
して各センサ毎にセンサ等のばらつきを補正する事を特
徴とするパターン検査方法。 - 【請求項18】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを検出する複数のセンサ又は分割
センサ、及び複数のセンサの信号をA/D変換するA/D変換
器、及び各センサで得られたデジタル信号を交互に並べ
ることでセンサ単体の速度より高速なディジタル画像と
する画像整列手段、及びディジタル画像を元に欠陥を検
査する欠陥検査手段より構成されるパターン検査装置。 - 【請求項19】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを時分割で切替える二次電子偏向
手段、及び切替えた二次電子、反射電子、透過電子の何
れかを検出する複数のセンサ又は分割センサ、及び複数
のセンサの信号をA/D変換するA/D変換器、及び各センサ
で得られたデジタル信号を交互に並べることでセンサ単
体の速度より高速なディジタル画像とする画像整列手
段、及びディジタル画像を元に欠陥を検査する欠陥検査
手段より構成されるパターン検査装置。 - 【請求項20】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを検出する複数のセンサ又は分割
センサ、及び複数のセンサの信号を切替えることでセン
サ単体の速度より高速なアナログ信号とするアナログス
イッチ、及び切替えたアナログ信号をA/D変換してデジ
タル画像とするA/D変換器、及びディジタル画像を元に
欠陥を検査する欠陥検査手段より構成されるパターン検
査装置。 - 【請求項21】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを時分割で切替える二次電子偏向
手段、及び切替えた二次電子、反射電子、透過電子の何
れかを検出する複数のセンサ又は分割センサ、及び複数
のセンサの信号を切替えることでセンサ単体の速度より
高速なアナログ信号とするアナログスイッチ、及び切替
えたアナログ信号をA/D変換してデジタル画像とするA/D
変換器、及びディジタル画像を元に欠陥を検査する欠陥
検査手段より構成されるパターン検査装置。 - 【請求項22】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを検出する複数のセンサ又は分割
センサ、及び複数のセンサのアナログ信号を加算又は演
算する演算回路、及びアナログ信号を200Msps以上の
速度でA/D変換してデジタル画像とするA/D変換器、及び
ディジタル画像を元に欠陥を検査する欠陥検査手段より
構成されるパターン検査装置。 - 【請求項23】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを検出する複数のセンサ又は分割
センサ、及びアナログ信号を200Msps以上の速度でA/
D変換してデジタル画像とするA/D変換器、及び複数のデ
ジタル信号を加算又は演算する演算回路、及び加算又は
演算したディジタル画像を元に欠陥を検査する欠陥検査
手段より構成されるパターン検査装置。 - 【請求項24】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを検出する分割センサ、及び同素
子、又は同一パッケージ上に設けたプリアンプ、及び複
数のセンサのアナログ信号を加算又は演算して1個又は
複数個のアナログ信号を得る演算回路、及び1個又は複
数個のアナログ信号を200Msps以上の速度でA/D変
換、演算してデジタル画像とするA/D変換器、及びディ
ジタル画像を元に欠陥を検査する欠陥検査手段より構成
されるパターン検査装置。 - 【請求項25】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを検出する分割センサ、及び同素
子、又は同一パッケージ上に設けたプリアンプ、及び2
00Msps以上の速度でA/D変換、演算してデジタル画像
とするA/D変換器、デジタル画像を加算又は演算して1
個又は複数個のデジタル画像を得る演算回路、及び1個
又は複数個のディジタル画像を元に欠陥を検査する欠陥
検査手段より構成されるパターン検査装置。 - 【請求項26】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを検出する複数個所に設置セン
サ、及び複数のセンサの信号を加算、又は複数のセンサ
の信号を演算、又選択する信号合成回路、及びアナログ
信号を200Msps以上の速度でA/D変換してデジタル画
像を得るA/D変換器、及びディジタル画像を元に欠陥を
検査する欠陥検査手段より構成されるパターン検査装
置。 - 【請求項27】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板から発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを衝突させる反射板、及び反射板
で発生する二次電子を収束させる収束光学系、及び二次
電子を検出するセンサ、及びセンサの信号を200Msps
以上の速度でA/D変換してディジタル画像を得るA/D変換
器、及びディジタル画像を元に欠陥を検査する欠陥検査
手段より構成されるパターン検査装置。 - 【請求項28】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び対象物基板より発生する二次電子、反射電
子、透過電子の何れかを収束させる収束光学系及び、収
束した二次電子、反射電子、透過電子の何れか検出する
1個、又は複数個のセンサ、及び1個又は複数個の信号
を加算、又は演算する演算回路、及びアナログ信号をA/
D変換して200Msps以上の速度のディジタル画像を得
るA/D変換器、及びディジタル画像を元に欠陥を検査す
る欠陥検査手段より構成されるパターン検査装置。 - 【請求項29】対象物基板に荷電粒子を静電偏向器で位
置を制御して照射する電子光学系、及び対象物基板より
発生する二次電子、反射電子、透過電子の何れかを該静
電偏向器と同期して偏向させる二次電子偏向器、及び二
次電子偏向器で偏向した二次電子、反射電子、透過電子
の何れか検出する1個、又は複数個のセンサ、及び1個
又は複数個の信号を加算、又は演算する演算回路、及び
アナログ信号をA/D変換して200Msps以上の速度のデ
ィジタル画像を得るA/D変換器、及びディジタル画像を
元に欠陥を検査する欠陥検査手段より構成されるパター
ン検査装置。 - 【請求項30】対象物基板に荷電粒子を照射する電子光
学系、及び発生する二次電子、反射電子、透過電子の何
れかを検出する複数のセンサ、及びセンサの信号を加
算、又は演算、又は切替える演算回路、及びアナログ信
号をA/D変換するすることで200Msps以上ディジタル
画像を取得するA/D変換器、及びディジタル画像を元に
欠陥を検査する欠陥検査手段より構成されるパターン検
査装置。 - 【請求項31】連続移動ステージ及び、ステージ上に搭
載した対象物基板に荷電粒子を静電偏向器で位置を制御
して照射する電子光学系、及び対象物基板より発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを検出する1個
又は複数のセンサ、及びセンサの信号をA/D変換する事
で200Msps以上の速度のディジタル画像を取得するA/
D変換器、及びディジタル画像を記憶する記憶手段、及
び記憶手段よりの画像と検出したデジタル画像を比較す
ることにより欠陥を検査する欠陥検査手段より構成され
るパターン検査装置。 - 【請求項32】連続移動ステージ、及びステージ上に搭
載した対象物基板に荷電粒子を静電偏向器で位置を制御
して照射する電子光学系、及び対象物基板より発生する
二次電子、反射電子、透過電子の何れかを真空中に配置
して検出する1個又は複数のセンサ、及びセンサに近接
して真空中に配置しセンサの信号を増幅するプリアン
プ、及びセンサの信号をA/D変換する事で200Msps以
上の速度でディジタル画像を得るA/D変換器、及びディ
ジタル画像を記憶する記憶手段、及び記憶手段に記憶し
た記憶画像と検出したデジタル画像を比較することによ
り欠陥を検査する欠陥検査手段より構成されるパターン
検査装置。 - 【請求項33】請求項18〜21項記載のデジタル画像
に対して各センサ毎にセンサ等のばらつきを補正する信
号量補正テーブルを持つ事を特徴とするパターン検査装
置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000226181A JP3767341B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 電子線を用いたパターン検査方法及びその装置 |
US09/908,713 US6614022B2 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-20 | Pattern inspection method and apparatus using electron beam |
US10/637,496 US6940069B2 (en) | 2000-07-21 | 2003-08-11 | Pattern inspection method and apparatus using electron beam |
US11/176,344 US7439504B2 (en) | 2000-07-21 | 2005-07-08 | Pattern inspection method and apparatus using electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000226181A JP3767341B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 電子線を用いたパターン検査方法及びその装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005333561A Division JP4111218B2 (ja) | 2005-11-18 | 2005-11-18 | 電子線画像処理方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002042712A true JP2002042712A (ja) | 2002-02-08 |
JP3767341B2 JP3767341B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=18719840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000226181A Expired - Fee Related JP3767341B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 電子線を用いたパターン検査方法及びその装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6614022B2 (ja) |
JP (1) | JP3767341B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004094245A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-25 | Photon Dynamics Inc | 視覚画像形成および電子感知による総合検査システム |
JP2006134619A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置用試料台 |
JP2008027737A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査・計測装置 |
JP2008282761A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡およびそれを用いた三次元形状測定装置 |
JP2009032445A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 |
JP2009514141A (ja) * | 2003-07-09 | 2009-04-02 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 走査型電子顕微鏡用の検出器システムおよび対応する検出器システムを備える走査型電子顕微鏡 |
JP2010165697A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 |
JP2012242392A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Fei Co | 閉塞検出を行う荷電粒子顕微鏡 |
JP2013012497A (ja) * | 2005-08-12 | 2013-01-17 | Ebara Corp | 検出装置及び検査装置 |
JP2015023032A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 切り換え型マルチパースペクティブ検出器、切り換え型マルチパースペクティブ検出器用光学系、及び切り換え型マルチパースペクティブ検出器の動作方法 |
WO2016084157A1 (ja) * | 2014-11-26 | 2016-06-02 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡およびその電子軌道調整方法 |
JP2018142559A (ja) * | 2018-06-25 | 2018-09-13 | 株式会社ホロン | 超高速電子検出器および該検出器を組み込んだ走査型電子ビーム検査装置 |
JP2018189588A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 放射線分析装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3904419B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 検査装置および検査システム |
WO2003036829A1 (fr) * | 2001-10-23 | 2003-05-01 | Sony Corporation | Systeme de communication de donnees, emetteur et recepteur de donnees |
JP3953309B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-08-08 | 株式会社トプコン | 走査電子顕微鏡装置 |
DE10317894B9 (de) * | 2003-04-17 | 2007-03-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren |
JP2005083948A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法並びにプロセス管理方法 |
US20050205781A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-09-22 | Toshifumi Kimba | Defect inspection apparatus |
US7105817B2 (en) * | 2005-01-18 | 2006-09-12 | International Business Machines Inc. | Method of forming images in a scanning electron microscope |
TWI479570B (zh) * | 2007-12-26 | 2015-04-01 | Nawotec Gmbh | 從樣本移除材料之方法及系統 |
EP2159817B1 (en) * | 2008-09-02 | 2012-01-25 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Fast wafer inspection system |
US7932495B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-04-26 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Fast wafer inspection system |
US8606017B1 (en) * | 2009-12-22 | 2013-12-10 | Hermes Microvision, Inc. | Method for inspecting localized image and system thereof |
TWI399926B (zh) | 2010-05-17 | 2013-06-21 | Richtek Technology Corp | 適應性同步時脈移相產生電路及同步時脈移相產生方法 |
JP2013540997A (ja) * | 2010-09-01 | 2013-11-07 | アナロジック コーポレイション | 光学的キャリブレーション検証システム |
JP5530959B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2014-06-25 | 株式会社アドバンテスト | パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法 |
JP5901549B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2016-04-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 計測検査装置 |
WO2017011455A1 (en) * | 2015-07-12 | 2017-01-19 | Cohere Technologies | Orthogonal time frequency space modulation over a plurality of narrow band subcarriers |
JP7106299B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-07-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム検査装置及び電子ビーム走査のスキャン順序取得方法 |
JP7437262B2 (ja) * | 2020-07-31 | 2024-02-22 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置および電気ノイズの計測方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63168951A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Jeol Ltd | 電子線装置における反射電子等の検出装置 |
JPH01115043A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡を用いた欠陥検査装置 |
JPH04105010A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-07 | Hitachi Ltd | 形状寸法測定装置および測定方法 |
JPH04315756A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-11-06 | Jeol Ltd | ビデオバスを用いた走査型電子顕微鏡の信号処理システム |
JPH07249393A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Toshiba Corp | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
JPH07264068A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Tera Tec:Kk | サンプリング装置 |
JPH11260306A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | 電子ビーム検査装置およびその方法ならびに荷電粒子線応用装置およびその方法 |
JPH11297263A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Jeol Ltd | 電子ビーム装置 |
JP2000149853A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Nikon Corp | 観察装置およびその調整方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3148353B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
US5892224A (en) * | 1996-05-13 | 1999-04-06 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams |
JP3728956B2 (ja) | 1998-12-22 | 2005-12-21 | 株式会社日立製作所 | 回路パターン検査装置 |
JP2000252330A (ja) | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Jeol Ltd | 電子ビーム検査装置 |
US7135676B2 (en) * | 2000-06-27 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
-
2000
- 2000-07-21 JP JP2000226181A patent/JP3767341B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-20 US US09/908,713 patent/US6614022B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-11 US US10/637,496 patent/US6940069B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-08 US US11/176,344 patent/US7439504B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63168951A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | Jeol Ltd | 電子線装置における反射電子等の検出装置 |
JPH01115043A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡を用いた欠陥検査装置 |
JPH04105010A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-07 | Hitachi Ltd | 形状寸法測定装置および測定方法 |
JPH04315756A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-11-06 | Jeol Ltd | ビデオバスを用いた走査型電子顕微鏡の信号処理システム |
JPH07249393A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Toshiba Corp | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
JPH07264068A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Tera Tec:Kk | サンプリング装置 |
JPH11260306A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | 電子ビーム検査装置およびその方法ならびに荷電粒子線応用装置およびその方法 |
JPH11297263A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Jeol Ltd | 電子ビーム装置 |
JP2000149853A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Nikon Corp | 観察装置およびその調整方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004094245A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-25 | Photon Dynamics Inc | 視覚画像形成および電子感知による総合検査システム |
JP4800211B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2011-10-26 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 走査型電子顕微鏡用の検出器システムおよび対応する検出器システムを備える走査型電子顕微鏡 |
JP2009514141A (ja) * | 2003-07-09 | 2009-04-02 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 走査型電子顕微鏡用の検出器システムおよび対応する検出器システムを備える走査型電子顕微鏡 |
JP2006134619A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置用試料台 |
JP4521247B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置用試料台 |
JP2014225476A (ja) * | 2005-08-12 | 2014-12-04 | 株式会社荏原製作所 | 検出装置及び検査装置 |
JP2013012497A (ja) * | 2005-08-12 | 2013-01-17 | Ebara Corp | 検出装置及び検査装置 |
JP2008027737A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査・計測装置 |
JP2008282761A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡およびそれを用いた三次元形状測定装置 |
US8086022B2 (en) | 2007-07-25 | 2011-12-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron beam inspection system and an image generation method for an electron beam inspection system |
JP4528317B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2010-08-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 |
JP2009032445A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 |
JP2010165697A (ja) * | 2010-04-30 | 2010-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 |
JP2012242392A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Fei Co | 閉塞検出を行う荷電粒子顕微鏡 |
JP2015023032A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 切り換え型マルチパースペクティブ検出器、切り換え型マルチパースペクティブ検出器用光学系、及び切り換え型マルチパースペクティブ検出器の動作方法 |
WO2016084157A1 (ja) * | 2014-11-26 | 2016-06-02 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡およびその電子軌道調整方法 |
JPWO2016084157A1 (ja) * | 2014-11-26 | 2017-07-13 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡およびその電子軌道調整方法 |
US10262830B2 (en) | 2014-11-26 | 2019-04-16 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and electron trajectory adjustment method therefor |
JP2018189588A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 放射線分析装置 |
JP2018142559A (ja) * | 2018-06-25 | 2018-09-13 | 株式会社ホロン | 超高速電子検出器および該検出器を組み込んだ走査型電子ビーム検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3767341B2 (ja) | 2006-04-19 |
US6614022B2 (en) | 2003-09-02 |
US6940069B2 (en) | 2005-09-06 |
US20040028272A1 (en) | 2004-02-12 |
US20050263703A1 (en) | 2005-12-01 |
US7439504B2 (en) | 2008-10-21 |
US20020030166A1 (en) | 2002-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002042712A (ja) | 電子線を用いたパターン検査方法及びその装置 | |
US8362425B2 (en) | Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection | |
US20060171593A1 (en) | Inspection apparatus for inspecting patterns of a substrate | |
TWI778512B (zh) | 多光束數位掃描及影像擷取 | |
JP5174844B2 (ja) | 回路パターン検査装置およびその検査方法 | |
JP2014238962A (ja) | 電子線装置 | |
US7282711B2 (en) | Multiple electron beam device | |
JP2009032445A (ja) | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像生成方法 | |
JP4767270B2 (ja) | 走査電子顕微鏡を備えた外観検査装置及び走査電子顕微鏡を用いた画像データの処理方法 | |
JP4111218B2 (ja) | 電子線画像処理方法及びその装置 | |
JP2021048114A (ja) | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 | |
JP2000252330A (ja) | 電子ビーム検査装置 | |
JP2008262882A (ja) | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 | |
EP3924994B1 (en) | Device and method for operating a charged particle device with multiple beamlets | |
TWI846019B (zh) | 多光束數位掃描及影像擷取 | |
US11810749B2 (en) | Charged particle beam system, method of operating a charged particle beam system, method of recording a plurality of images and computer programs for executing the methods | |
JP3430788B2 (ja) | 試料像測定装置 | |
JP2005063983A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
EP4310885A1 (en) | Electron-optical apparatus and method of obtaining topographical information about a sample surface | |
EP4199031A1 (en) | Charged-particle optical apparatus and projection method | |
JP2003197141A (ja) | 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法 | |
JP2002208369A (ja) | 表面状態観察装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060123 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |