JPS63168951A - 電子線装置における反射電子等の検出装置 - Google Patents

電子線装置における反射電子等の検出装置

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JPS63168951A
JPS63168951A JP31180386A JP31180386A JPS63168951A JP S63168951 A JPS63168951 A JP S63168951A JP 31180386 A JP31180386 A JP 31180386A JP 31180386 A JP31180386 A JP 31180386A JP S63168951 A JPS63168951 A JP S63168951A
Authority
JP
Japan
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detectors
signal
sample
output signal
electron beam
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Pending
Application number
JP31180386A
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Inventor
Seiichi Nakagawa
中川 清一
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Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
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Publication of JPS63168951A publication Critical patent/JPS63168951A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は走査電子顕微鏡等の電子線装置に用いられ、試
料の磁区構造像や組成像等を観察するための電子線装置
における反射電子等の検出装置に関する。
[従来の技術] 走査電子顕微鏡等の電子線装置において、反射電子検出
信号等に基づいて試料像を観察することが行なわれてい
る。試料が結晶の場合、この反射電子像には試料表面の
凹凸による信号と試料の組成や結晶方位並びに磁区に基
づく信号が混在しており、夫々はトポグラフィ−コント
ラスト、原子番号コントラスト、チャンネリングコント
ラスト。
磁区コントラストと呼ばれている。加速電圧15〜50
kVの電子線を用いた場合、試料が理想的に平らである
とすると、トポグラフィ−コントラストは零で、原子番
号コントラストは10〜30%、チャンネリングコント
ラストは8%前後、磁区コントラストは0.3%程度で
ある。
さて、前記磁区コントラスト像を観察する場合、試料は
電子線に対して45°〜60°傾斜すると共に、表面を
パフ研磨して観察する。ところが、パフ研磨した試料の
場合には研磨像等により表面に1μm前後の凹凸が生ず
るため、そのままではトポグラフィ−コントラストも混
入してくる。そこで、トポグラフィ−コントラストを抑
圧して観察するため、従来、第5図に示すようにしてい
る。
第5図において、EBは図示外の電子線集束手段及び電
子線偏向手段によって集束及び偏向された電子線であり
、この電子線EBは二次元的な走査過程のあるタイミン
グにおいて試料1の一点に照射される。2a、 2bは
試料面法線nに対称に配置された一対の反射電子検出器
である。これら検出器2a、2bとしては、例えばPN
接合した半導体検出器が用いられており、これら検出器
2a、2bよりの出力信号は各々前置増幅器3a。
3bに送られている。両地幅器3a、3bよりの出力信
号は加算回路4及び減算回路5に送られている。加算回
路4及び減算回路5よりの出力信号は信号選択器6によ
り選択できるようになっており、信号選択器6によって
選択された信号のうちいずれか一方の回路の出力信号が
主増幅器7を介して陰極線管8に送られるようになって
いる。
このような構成において、信号選択器6により検出器2
a、2bの出力信号を加算した信号を選択すれば、この
信号は試料の原子番号や磁区に基づくコントラストを強
調し、トポグラフィ−コントラストを抑圧するものであ
るため、磁区構造像の観察が容易となる。尚、減算した
場合には、磁壁コントラストを得るのに適している。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、表面研磨が悪く表面が傷等で覆われてし
まう場合には、このような傷に基づくトポグラフィ−コ
ントラストを充分に除くことはできず、そのため、磁区
構造像に第6図に示すような傷の像Uが残り、磁区構造
像を観察しにくいものにしている。
本発明は、このような従来の欠点を解決し、試料の凹凸
が激しい場合にも、トポグラフィ−コントラストを充分
抑圧して、観察し易い組成像、磁区構造像あるいは電子
線チャンネリングパターン像等を観察することのできる
電子線装置における反射電子等の検出装置を提供するこ
とを目的としている。
[問題点を解決するための手段] そのため本発明は、細く絞られた電子線を試料面上にお
いて二次元的に走査するための手段と、該走査に伴って
得られる反射電子又はX線を検出するための試料面法線
に近い側に備えられた第1の検出器と、前記試料面法線
に対して遠い側に備えられた第2の検出器と、該第1の
検出器の出力信号から第2の検出器の出力信号を減算す
るための手段を備えたことを特徴としている。
[実施例] 以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述する。
第1図は磁区構造像を観察する場合の本発明の一実施例
を示すための図、第2図は試料と検出器部分の拡大断面
図、第3図は第1図に示す装置の動作を説明するための
信号波形図である。第1図。
第2図においては、第5図と同一の構成要素に対しては
同一番号を付している。
図中9a、9bは一対の検出器であり、検出器9a、9
bは検出器2a、2bよりも試料面法線nからより離れ
る側に配置されている。反射電子検出器9a、9bの出
力信号は前置増幅器10a。
10bにより増幅された後、加算回路11に送られてい
る。加算回路11の出力信号はりミツター回路12に送
られている。リミッタ−回路12にはリミットレベルを
調整する可変直流信号rA13より直流信号が送られて
いる。14は増幅器、15は減算回路である。
このような構成において、前記第6図に示した像のA−
A′における断面に対応した第2図に示す試料1を観察
するものとする。尚、第2図において、Lは対物レンズ
、EBは電子線、Rは反射電子、Uは引掻き傷、2b、
9bは反射電子検出器である。
このような試料を電子線EBにより走査すると、増幅器
3a、3bより各々第3図(a)、(b)に示すような
検出信号が得られる。これら信号は加算回路4において
加算されるため、加算回路4より第3図(C)に示す信
号が得られる。尚、第3図(a)、(b)、(C)にお
いて、pは前記傷Uによる信号成分、mは磁区による信
号成分を表わしている。同様に検出器9a、9bの出力
信号に基づく増幅器ioa、10bの出力信号を加算し
た加算回路11の出力信号は第3図(d)に示すように
なる。第3図(d)において、磁区による信号成分の大
きさをm−9傷による信号成分の大きさをp′とする、
検出器9a、9bは検出器2a、2bに比較して試料面
法線nから離れる(低角度)側に配置されているため、
p=/m−の値が検出器2a、 2bにおける値り/m
よりも大きくなる。換言すれば、磁区による信号成分が
相対的に抑圧されたものとなっている。加算回路11の
出力信号はリミッタ−回路12に送られ、リミッタ−回
路12において第3図(d)において点線■で示すリミ
ットレベル以下の信号がカットされる。このリミッタ−
回路12の出力信号は増幅器14において僅かに振幅を
調整されて第3図(e)に示すようになった後、減算回
路15に送られる。減算回路15において、第3図(C
)に示した信号から第3図(e)に示した信号が引かれ
るため、減算回路15の出力信号は第3図(f)に示す
ものとなる。この第3図(f)より明らかなように、こ
の信号中から傷による信号成分は除かれているため、陰
極線管8に表示される試料の磁区構造像は第4図に示す
ようになり、傷の部分が消失した像を表示することがで
きる。
上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎず、幾多の変
形が考えられる。
例えば、一対の半円形検出器9a、9bの代わりに、ド
ーナツ型の1個の検出器を使用するようにしても良く、
その場合加算回路11は不要となる。又、検出器2a、
2bに代えてドーナツ型の1個の検出器を使用するよう
にしても良い。
又、上述した実施例においては、加算回路11の出力信
号の一部をリミッタ−回路13でカットするようにした
が、磁区に基づく信号成分は抑圧されているため、必ず
しもカットする必要は無い。
又、増幅器14を反転増幅器とすると共に、減算回路1
5を加算回路として、両者により実質的に減算を行なう
ようにしても良い。
又、上述した実施例においては、反射電子検出器を使用
する場合に本発明を適用したが、X線検出器を使用する
場合にも本発明は同様に適用できる。
更に又、上述した実施例においては、磁区コントラスト
像を表示する場合に本発明を適用したが、試料を水平に
配置すると共に電子線を照射点を固定してロッキングす
ることによりエレクトロン・チャンネリングコントラス
ト像を表示する場合にも本発明は同様に適用できる。
[発明の効果] 上述した説明から明らかなように、本発明によれば、凹
凸の激しい表面を有する試料を観察する場合にも、試料
表面の凹凸に基づくコントラストを充分抑圧して、試料
の組成又は磁区又はエレクトロンチャンネリングコント
ラスト像等を観察することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するための図、第2図
は観察すべき試料表面を励磁するための図、第3図は第
1図に示した一実施例装置の動作を説明するための信号
波形図、第4図は本発明の詳細な説明するための図、第
5図は従来装置を説明するための図、第6図は従来装置
の欠点を説明するための図である。 1:試料 2a、2b、9a、9b:反射電子検出器3a、3b、
10a、10b:前置増幅器4.11:加算回路 8:
陰極線管 12:リミッタ−回路 13:可変直流信号発生源 15:減算回路   EB;電子線 n:試料面法線   U:像中の傷部分U:試料中の傷
部分

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 細く絞られた電子線を試料面上において二次元的に走査
    するための手段と、該走査に伴って得られる反射電子又
    はX線を検出するための試料面法線に近い側に備えられ
    た第1の検出器と、前記試料面法線に対して遠い側に備
    えられた第2の検出器と、該第1の検出器の出力信号か
    ら第2の検出器の出力信号を減算するための手段を備え
    たことを特徴とする電子線装置における反射電子等の検
    出装置。
JP31180386A 1986-12-27 1986-12-27 電子線装置における反射電子等の検出装置 Pending JPS63168951A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002042712A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Hitachi Ltd 電子線を用いたパターン検査方法及びその装置
JP2010197269A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Kyocera Corp 試料観察方法

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