JP2002016264A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
相当する主表面側に、可動電極及び固定電極を有する梁
構造体が形成されてなる半導体加速度センサにおいて、
ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止
し、センサ特性の劣化を防止する。 【解決手段】 半導体ウェハ150の一面151側にチ
ップ単位毎に、梁構造体20〜40を形成するととも
に、スクライブ領域に対応する部位に幅広の外周溝部7
0を形成した後、半導体ウェハ150の一面151側に
保護シート110を貼り付けると共に、保護シート11
0を外周溝部70の底面におけるスクライブラインDL
に位置する部位に貼り付ける。それにより、半導体ウェ
ハ150の他面152側からダイシングカットを行う工
程では、ブレード120が半導体ウェハ150を貫通し
てきたときに切り屑が飛散しない。
Description
が貼り付けられた半導体ウェハを、この半導体ウェハの
他面側からダイシングカットすることにより形成された
半導体チップを有し、この半導体チップにおける半導体
ウェハの一面に相当する主表面側に、半導体素子が形成
されてなる半導体装置およびそのような半導体装置の製
造方法に関する。
えば、図7に示す様な平面構成を有する半導体加速度セ
ンサJがある。このものは、半導体チップ10における
主表面10a側に、溝(図7中のハッチング部分)を形
成することにより、可動電極24とこの可動電極24と
対向して配置された固定電極32、42とを備える櫛歯
状の梁構造体としての半導体素子を形成してなる。
部20を構成しており、この可動部20はアンカー部2
3a、23bに梁部22を介して支持されている。一
方、固定電極32、42は配線部31、41にて半導体
チップ10に固定支持されており、これら固定電極と配
線部とにより固定部30が構成されている。
が梁部22のバネ機能によって図中のX方向に変位した
とき、可動電極24と固定電極32、42との間の静電
容量の変化に基づいて印加加速度を検出するようになっ
ている。
おいて、半導体チップ10における主表面10aと反対
の面側には、上記梁構造体(半導体素子)に対応した部
位に、可動電極24を可動とするための開口部13aが
形成されている。また、可動及び固定の両電極24、3
2、42を含む梁構造体20、30、40の外周には、
梁構造体20〜40と溝を介して電気的に絶縁されたフ
ィールド部60が設けられている。
度センサJは、一般に図8に示す様にして製造される。
図8は、上記図7のA−A断面に対応した断面にて示さ
れたものである。即ち、まず、周知の半導体製造技術を
用いて、SOI(シリコン−オン−インシュレータ)ウ
ェハ等よりなる半導体ウェハ150の一面151側にチ
ップ単位に、半導体素子としての梁構造体20〜40や
フィールド部60を形成する(図8(a))。
に保護シート(ダイシングテープ)110を貼り付け、
半導体ウェハ150の他面152側から、スクライブラ
インDLに沿ってダイシングカットする(図8
(b))。こうして、半導体ウェハ150において、上
記センサJがチップ単位に分断される。
に、半導体ウェハ150の一面151側にはダイシング
における切り代として溝Mが形成されるのが一般的であ
るため、スクライブ領域では保護シート110と半導体
ウェハ150との間は空隙Kを介して離れている。
50を貫通した際に、この空隙Kにて切り屑Nが飛散
し、保護シート110に付着する。そのため、半導体ウ
ェハ150から保護シート110を剥がす際に、切り屑
Nが半導体チップ150上に付着残留し、半導体チップ
150に形成された可動電極24等に異物として載って
しまい、センサの動作不良を起こすという問題が生じ
る。
サJに限らず、一面に保護シートが貼り付けられた半導
体ウェハをこの半導体ウェハの他面側からダイシングカ
ットすることにより形成された半導体チップにおいて、
半導体ウェハの一面に相当する主表面側に集積回路やダ
イヤフラム等の半導体素子を形成した半導体装置につい
て、共通の問題として考えられ、上記切り屑の付着によ
り半導体素子の特性劣化が懸念される。
保護シートが貼り付けられた半導体ウェハを、この半導
体ウェハの他面側からダイシングカットすることにより
形成された半導体チップを有し、この半導体チップにお
ける半導体ウェハの一面に相当する主表面側に、半導体
素子が形成されてなる半導体装置において、ダイシング
カットの際に発生する切り屑の飛散を防止し、半導体素
子の特性劣化を防止できるようにすることを目的とす
る。
め、請求項1の発明に記載の半導体装置おいては、半導
体ウェハ(150)の一面(151)に相当する半導体
チップ(10)の主表面(10a)のうち半導体チップ
の外周端部近傍から当該外周端部に渡る領域に、当該主
表面から凹んだ溝部(70)を形成し、この溝部を、保
護シート(110)が半導体チップの主表面から溝部の
段差を越えて、半導体チップの外周端部における溝部の
底面に貼付可能な幅を有するものとしたことを特徴とし
ている。
は、この溝部がスクライブ領域に対応し、半導体ウェハ
を貫通してきたブレードは、溝部の底面のうち半導体チ
ップの外周端部となる部位即ちスクライブラインに位置
する部位に現れてくる。ここで、この溝部の底面にも保
護シートが貼り付けられ密着しているため、切り屑が飛
散する空隙が存在せず、ダイシングカットの際に発生す
る切り屑の飛散を防止し、半導体素子の特性劣化を防止
することができる。
1)上に設けられた半導体膜(12)に、力学量に応じ
て可動する可動部(20)が形成された半導体装置にお
いて、半導体膜の周辺部は除去されて半導体基板が露出
した溝部(70)となっており、この溝部の幅は、半導
体膜の膜厚に比して充分大きく設定されていることを特
徴としている。
膜厚に対してその周辺部の溝部の幅を、充分大きく設定
しているので、例えば今回のように、ダイシング時の保
護シートが溝部へ貼り付けできて好ましい。また、本発
明のように、半導体膜に可動部を形成し、かつ半導体膜
を支持基板上に形成する装置にとっては、周辺の溝部の
幅が半導体膜よりも充分大きいため、構造的に好ましい
ものとなる。
(70)の幅を、半導体膜(12)の膜厚の5倍以上と
しているので、例えば保護シートを貼り付ける際には、
保護シートを貼ることが出来る。さらに、10倍以上で
あれば好ましく、13倍以上であれば十分と言える。
造方法に係るものであり、半導体ウェハ(150)の一
面(151)側にチップ単位毎に、半導体素子(20〜
40)を形成するとともに、スクライブ領域に対応する
部位に、半導体ウェハの一面から凹んだ溝部(70)を
形成する工程と、半導体ウェハの一面側に保護シート
(110)を貼り付けると共に、保護シートを溝部の底
面におけるスクライブラインに位置する部位に貼り付け
る工程と、しかる後、半導体ウェハの他面(152)側
からダイシングカットを行い、半導体ウェハをチップ単
位毎に分断する工程とを実行することを特徴としてい
る。
には、この溝部がスクライブ領域となり、半導体ウェハ
を貫通してきたブレードは、溝部の底面のうち半導体ウ
ェハの一面側のスクライブラインに位置する部位に現れ
てくる。ここで、この溝部の底面にも保護シートが貼り
付けられ密着しているため、切り屑が飛散する空隙が存
在せず、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散
を防止することができ、出来上がった半導体装置におい
て半導体素子の特性劣化を防止することができる。
ト(110)が貼り付けられた半導体ウェハ(150)
を、この半導体ウェハの他面側からダイシングカットす
ることにより形成された半導体チップ(10)を有する
半導体装置として、半導体チップにおける半導体ウェハ
の一面に相当する主表面(10a)側に、力学量の印加
に応じて所定方向に変位可能な可動電極(24)と、可
動電極と対向して配置された固定電極(32、42)と
を形成し、力学量の印加に応じて可動電極が変位したと
き、可動電極と固定電極との間の静電容量の変化に基づ
いて印加力学量を検出するようにした半導体力学量セン
サを採用したものである。
て、可動電極及び固定電極と半導体チップの外周端部と
の間に、可動電極及び固定電極の外周囲を取り囲むよう
に、半導体チップの主表面から凹んだ堀部(210)を
形成し、半導体チップの主表面における堀部の内周側の
部位と外周側の部位とを電気的に接続したことを特徴と
したものである。
1)がダイシングにおける切り代となる。そして、ダイ
シングカット時には、この残し部に保護シートが貼り付
けられ密着することにより、切り屑が飛散する空隙が存
在しないようにすることができるため、ダイシングカッ
トの際に発生する切り屑の飛散を防止することができ
る。
主表面における堀部の内周側と外周側の両側の部位が電
気的に接続されているため、堀部を形成した半導体チッ
プにおいて、堀部の内周側と外周側との間で寄生容量が
発生するのを防止することができる。
定電極への切り屑の付着を防止するとともに、上記した
寄生容量の発生による可動電極及び固定電極への電気的
な悪影響を防止することができるため、可動電極及び固
定電極の特性劣化を防止することが可能な半導体力学量
センサを提供することができる。
力学量センサの製造方法に係るものであり、半導体ウェ
ハ(150)の一面(151)側にチップ単位毎に、可
動電極(24)及び固定電極(32、42)を形成する
とともに、エッチングにより可動電極及び固定電極の外
周部とスクライブ領域との間の部位に、可動電極及び固
定電極を取り囲むように、半導体ウェハの一面から凹ん
だ堀部(210)を形成する工程と、半導体ウェハの一
面における堀部の内周側の部位と外周側の部位とを電気
的に接続する工程と、半導体ウェハの一面側に保護シー
ト(110)を貼り付ける工程と、しかる後、半導体ウ
ェハの他面(152)側からダイシングカットを行い、
半導体ウェハをチップ単位毎に分断する工程とを実行す
ることを特徴としている。
力学量センサを適切に製造することのできる半導体力学
量センサの製造方法を提供することができる。
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
図に示す実施形態について説明する。本実施形態は、半
導体装置として、差動容量式の半導体加速度センサにつ
いて本発明を適用したものである。図1に半導体加速度
センサ100の平面構成を示し、図2に図1中のB−B
線に沿った模式的な断面構造を示す。この半導体加速度
センサ100は、例えば、エアバッグ、ABS、VSC
等の作動制御を行うための自動車用加速度センサやジャ
イロセンサ等に適用できる。
いう)100は、半導体ウェハに周知の半導体製造技術
を用いてチップ単位毎にセンサ構成部を形成した後、該
半導体ウェハをダイシングカットすることにより分断さ
れた半導体チップとして構成されている。
図2に示す様に、第1の半導体層としての第1シリコン
基板(半導体基板)11と第2の半導体層としての第2
シリコン基板(半導体膜)12との間に、絶縁層として
の酸化膜13を有する矩形状のSOI基板10である。
ここで、SOI基板(半導体チップ)10では、第2シ
リコン基板12側がSOI基板10の主表面10aであ
る。また、図1中、酸化膜13の露出する部分には、識
別のため便宜上ハッチングを施してある。
ことにより、可動部20及び固定部30、40よりなる
櫛歯形状を有する梁構造体が形成されており、この梁構
造体20〜40は本発明でいう半導体素子に相当するも
のである。また、第1シリコン基板11及び酸化膜13
のうち上記梁構造体20〜40の形成領域に対応した部
位は、エッチング等により矩形状に除去されて開口部1
3aを形成している。
た可動部20は、矩形状の錘部21の両端を、梁部22
を介してアンカー部23a及び23bに一体に連結した
構成となっている。これらアンカー部23a及び23b
は、酸化膜13における開口部13aの開口縁部に固定
されており、第1シリコン基板11上に支持されてい
る。これにより、錘部21及び梁部22は、開口部13
aに臨んだ状態となっている。
連結された矩形枠状をなしており、梁の長手方向と直交
する方向に変位するバネ機能を有する。具体的には、梁
部22は、図1中の矢印X方向の成分を含む加速度を受
けたときに錘部21を矢印X方向へ変位させるととも
に、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるように
なっている。よって、可動部20は、加速度の印加に応
じて、開口部13a上にて梁部22の変位方向(矢印X
方向)へ変位可能となっている。
(矢印X方向)と直交した方向にて、錘部21の両側面
から互いに反対方向へ一体的に突出形成された複数個の
可動電極24を備えている。
側及び右側に各々3個ずつ突出して形成され、各可動電
極24は断面矩形の梁状に形成されて、開口部13aに
臨んだ状態となっている。このように、各可動電極24
は、梁部22及び錘部21と一体的に形成され、錘部2
1とともに梁部21の変位方向へ変位可能となってい
る。
開口部13aの開口縁部における対向辺部のうち、アン
カー部23a、23bが支持されていないもう1組の対
向辺部に支持されている。ここで、固定部30、40
は、錘部21を挟んで2個設けられており、図1中の左
側に位置する第1の固定部30と、図1中の右側に位置
する第2の固定部40とより成り、両固定部30、40
は互いに電気的に独立している。
る開口部13aの開口縁部に固定されて第1シリコン基
板11に支持された配線部31及び41と、可動電極2
4の側面と所定の検出間隔を存して平行した状態で対向
配置された複数個(図示例では3個ずつ)の固定電極3
2及び42とを有した構成となっている。
を第1の固定電極、第2の固定部40側の固定電極42
を第2の固定電極とする。各固定電極32及び42は断
面矩形の梁状に形成されて、各配線部31、41に片持
ち状に支持された状態となっており、開口部13aに臨
んだ状態となっている。
1、41上の所定位置には、それぞれワイヤボンディン
グ用の固定電極パッド31a、41aが形成されてい
る。また、一方のアンカー部23bと一体に連結された
状態で、可動電極用配線部25が形成されており、この
配線部25上の所定位置には、ワイヤボンディング用の
可動電極パッド25aが形成されている。上記の各電極
パッド25a、31a、41aは、例えばアルミニウム
等により形成されている。
定電極32、42には、SOI基板10の主表面10a
から開口部13a側へ貫通する矩形状の貫通孔50が複
数形成されており、これら貫通孔50により、矩形枠状
部を複数組み合わせた所謂ラーメン構造形状が形成され
ている。これにより、可動部20及び各固定電極32、
42の軽量化、捩じり強度の向上がなされている。
体20〜40の外周には、酸化膜13に達する溝を介し
て梁構造体20〜40とは電気的に絶縁されたフィール
ド部60が形成されている。このフィールド部60は梁
構造体20〜40を取り囲むように環状に配置されてお
り、このフィールド部60によって梁構造体20〜40
は外部から電気的にシールドされている。
の主表面10aのうちフィールド部60の外周からSO
I基板10の外周端部に渡る領域に、第2シリコン基板
12を除去することにより酸化膜13に達する環状の外
周溝部(本発明でいう溝部)70を形成したことを主た
る特徴としている。
表面10aから凹んだ外周溝部70は、上記図7に示し
た従来の切り代の溝Mに比べて幅広形状となっている。
即ち、外周溝部70の幅は、後述するダイシングカット
の際に使用する保護シート110が、フィールド部60
の表面(半導体チップの主表面)から外周溝部70の段
差を越えて折り曲げられ、SOI基板10の外周端部に
おける外周溝部70の底面に貼り付くことのできる大き
さとなっている。
も75μmは必要と考える。これは、保護シート10の
膜厚、粘着剤によるものと思われる。好ましくは、15
0μm程度であり、200μmを越えた際には、十分良
好な結果が得られた。即ち、第2シリコン基板12の膜
厚が15μmであるため、保護シート10が、外周溝部
70に貼り付くための外周溝部70の幅として、基板1
2の膜厚との比率でいうと、少なくとも基板12の膜厚
の5倍以上、好ましくは10倍以上、最適には13倍以
上とする。
は反対側の第1シリコン基板11側の面において接着剤
80を介してパッケージ81に接着固定されている。こ
のパッケージ81には、図示しない回路手段が収納され
ている。そして、この回路手段と上記の各電極パッド2
5a、31a、41aとは、ワイヤボンディング等によ
り電気的に接続されている。
極32と可動電極24との検出間隔に第1の容量CS
1、第2の固定電極42と可動電極24との検出間隔に
第2の容量CS2が形成されている。
ネ機能により、可動部20全体が一体的に上記矢印X方
向へ変位し、可動電極24の変位に応じて上記第1及び
第2の容量CS1、CS2が変化する。そして、上記回
路手段により、これら第1及び第2の容量の差分、即
ち、差動容量(CS1−CS2)の変化を電圧信号に変
換することで加速度を検出する。
るセンサ100の製造方法を説明する。図3は、本セン
サ100の製造方法を説明するための説明図であり、上
記図2に対応した断面にて示してある。なお、図3中、
(c)はスクライブライン近傍の拡大図である。
板である半導体ウェハ150に、周知のフォトリソグラ
フィ技術、ドライエッチングまたはウェットエッチング
技術等の半導体製造技術を用いて、チップ単位に梁構造
体20〜40、フィールド部60、外周溝部70等のセ
ンサ構成部を形成した後、図3(a)に示すスクライブ
ライン(ダイシングライン)DLに沿ってダイシングカ
ットを行うことにより形成される。
製造方法の一例を述べる。まず、半導体ウェハ150の
一面(SOI基板10の主表面10aに相当する)15
1に、アルミニウム等の導電性膜を成膜し、その膜をフ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパ
ターニングすることにより、上記電極パッド25a、3
1a、41aを形成する。
基板10の第1シリコン基板11の表面に相当)152
に、例えば、プラズマSiN膜により、開口部13aを
エッチングにより形成する際のマスクを形成する。続い
て、半導体ウェハ150の一面151に、PIQ(ポリ
イミド)膜を塗布し、そのPIQ膜をエッチングして、
梁構造体20〜40、フィールド部60、外周溝部70
等に対応した形状にパターニングする。
のレジストを塗布し、半導体ウェハ150の他面152
側を例えばKOH水溶液で深堀エッチングする。この深
堀エッチングにおいては、酸化膜13のエッチング速度
がSiに比較して遅いため、酸化膜13がエッチングス
トッパとして機能する。
る酸化膜13及び上記プラズマSiN膜を除去してか
ら、半導体ウェハ150の一面151を保護しているレ
ジストを除去し、上記PIQ膜をマスクにしてドライエ
ッチングにより、第2シリコン基板12中に溝を形成す
ることによって、梁構造体20〜40、フィールド部6
0、外周溝部70等のセンサ構成部を形成する。
等によって除去することにより、図3(a)に示す様
に、半導体ウェハ150において、上記センサ100が
チップ単位毎に形成される。
半導体ウェハ150の一面151側にチップ単位毎に、
梁構造体(半導体素子)20〜40及びフィールド部6
0を形成するとともに、スクライブ領域に対応する部位
に半導体ウェハ150の一面151から凹んだ外周溝部
70を形成する(半導体素子及び溝部形成工程)。
ハ150の一面151側に保護シート110を貼り付け
ると共に、保護シート110を外周溝部70の底面にお
けるスクライブラインDLに相当する部位に貼り付ける
(保護シート貼付工程)。この保護シート110は、ダ
イシングカットの際に一般に用いられる樹脂よりなるダ
イシングテープであり、外周溝部70の底面に押し付け
るように曲げ変形させられることで、当該底面に貼り付
けられる。
るということは、上述したように、センサ100の構成
においても、保護シート110がSOI基板10の主表
面10aから(フィールド部60の表面から)外周溝部
70の段差を越えて、SOI基板10の外周端部におけ
る外周溝部70の底面に貼付可能となっていることを意
味する。ちなみに、上記図8に示した従来の溝Mでは幅
が狭く、上記のように、保護シート110を溝の底面に
貼り付けることはできない。
す様に、半導体ウェハ150の他面152側からスクラ
イブラインDLに沿って、ダイシング用のブレード12
0を用いてダイシングカットを行い、半導体ウェハ15
0をチップ単位毎に分断する(ダイシングカット工
程)。このとき、外周溝部70は切り代となる。
周溝部70がスクライブ領域に位置し、半導体ウェハ1
50を貫通してきたブレード120は、外周溝部70の
底面のうち、SOI基板10の外周端部となる部位即ち
半導体ウェハ150の一面151側のスクライブライン
DLに位置する部位に現れてくる。
外周溝部70の底面には、保護シート110が貼り付け
られ密着しているため、ウェハ150の切り屑が飛散す
る空隙が存在しないようにすることができる。そのた
め、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防
止して、梁構造体(半導体素子)20〜40等のセンサ
構成部への切り屑の付着を防止することができる。
として付着すると、加速度印加時における可動部20の
正常な変位特性を阻害したり、可動及び固定電極24、
32、42間の短絡等の不具合を招く可能性がある。そ
の点、本実施形態によれば、そのような切り屑の付着を
防止することができるため、梁構造体20〜40の特性
劣化、即ちセンサ特性の劣化を防止することができる。
ート110を剥がし、半導体チップとしてのSOI基板
10を上記パッケージ81へ配設したり、各電極パッド
25a、31a、41aと上記回路手段とのワイヤボン
ディングを行う等により、本実施形態のセンサ100が
完成する。
ングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止し、半導
体素子としての梁構造体20〜40の特性劣化を防止す
ることができる半導体加速度センサ及びそのようなセン
サの製造方法を提供することができる。
びその製造方法を要部とするものであり、半導体加速度
センサに限らず、一面に保護シートが貼り付けられた半
導体ウェハを他面側からダイシングカットすることによ
り形成された半導体チップを有し、該半導体チップにお
ける半導体ウェハの一面に相当する主表面側に集積回路
やダイヤフラム等の半導体素子を形成した半導体装置に
ついても適用可能である。即ち、半導体集積回路装置や
圧力センサ等の半導体力学量センサ等にも、本実施形態
は適用可能である。
導体加速度センサ200の平面構成を図4に示す。ま
た、図5に図4中のC−C線に沿った模式的な断面構造
を示す。ここで、図4中、酸化膜13の露出する部分に
は、識別のため便宜上ハッチングを施してある。本実施
形態は、上記第1実施形態にて示した半導体加速度セン
サにおいて外周溝部の代わりに堀部を設けたことを特徴
とするものであり、第1実施形態と同一部分には、図
中、同一符号を付し、以下、相違点について主として説
明する。
び固定電極32、42を含む梁構造体20〜40とSO
I基板(半導体チップ)10の外周端部との間に、梁構
造体20〜40の外周囲を取り囲むように、SOI基板
10の主表面10aから酸化膜13まで凹んだ堀部21
0が形成されている。
40の外周囲のフィールド部60の外周を取り囲むよう
に配置されている。そして、堀部210の外周からSO
I基板10の外周端部までの領域には、第2シリコン基
板12が残された部分としての残し部211が設けられ
ている。
10の主表面10aにおける堀部210の内周側の部位
(本例ではフィールド部60)と外周側の部位である残
し部211とを電気的に接続する電気接続部220が形
成されている。本例では、電気接続部220は、堀部2
10内にて第2シリコン基板12を部分的に4箇所残す
ことにより形成されている。なお、電気接続部220は
少なくとも1箇所形成されていればよい。
いて、図6を参照して述べる。図6は、本センサ200
の製造方法を説明するための説明図であり、上記図5に
対応した断面にて示してある。なお、図6中、(c)は
スクライブライン近傍の拡大図である。
コン基板12を部分的に残すことにより形成されている
ため、堀部210及び電気接続部220は、上記第1実
施形態に示した製造方法と同様に、梁構造体20〜40
等をエッチングして形成する際に、同時にパターニング
して形成することができる。
電極32、42の形成及び堀部210の形成を行う工程
と、半導体ウェハ150の一面151における堀部21
0の内周側の部位と外周側の部位とを電気的に接続する
工程(電気接続部形成工程)とは、同時に行うことがで
きる。なお、電気接続部220は、連続してつながった
環状の堀部210を形成した後、フィールド部60と残
し部211とをワイヤ等で接続したり、堀部210内に
部分的に導電性部材を埋め込む等によって形成しても良
い。
ウェハ150の一面151側に、チップ単位毎に、梁構
造体20〜40、フィールド部60、堀部210、残し
部211及び電気接続部220等が形成される。次に、
図6(b)に示す様に、半導体ウェハ150の一面15
1側に保護シート110を貼り付ける(保護シート貼付
工程)。このとき、残し部211にも保護シート110
が貼り付けられる。
ウェハ150の他面152側からスクライブラインDL
に沿って、ダイシング用のブレード120を用いてダイ
シングカットを行い、半導体ウェハ150をチップ単位
毎に分断する(ダイシングカット工程)。このとき、チ
ップ単位を越えて隣接する堀部210の間の残し部21
1が切り代となる。
し部211がスクライブ領域に位置し、半導体ウェハ1
50を貫通してきたブレード120は、残し部211の
表面のうち、SOI基板10の外周端部となる部位即ち
半導体ウェハ150の一面151側のスクライブライン
DLに位置する部位に現れてくる。
残し部211の表面には、保護シート110が貼り付け
られ密着しているため、ウェハ150の切り屑が飛散す
る空隙が存在しない。そのため、ダイシングカットの際
に発生する切り屑の飛散を防止して、梁構造体20〜4
0等のセンサ構成部への切り屑の付着を防止することが
できる。
(半導体チップ)10の主表面10aにおけるフィール
ド部60と残し部211とが電気的に接続されている
(つまり、堀部210の内周側と外周側の両側の部位が
電気的に接続されている)ため、堀部210を形成した
SOI基板10において、堀部210の内周側と外周側
との間で寄生容量が発生するのを防止することができ
る。
度センサにおいて、可動電極24及び固定電極32、4
2への切り屑の付着を防止するとともに、上記した寄生
容量の発生による可動電極24及び固定電極32、42
への電気的な悪影響を防止することができるため、両電
極24、32、42の機械的、電気的特性を良好に維持
することが可能となる。
ンサ以外にも、一面に保護シートが貼り付けられた半導
体ウェハを、この半導体ウェハの他面側からダイシング
カットすることにより形成された半導体チップを有し、
半導体チップにおける半導体ウェハの一面に相当する主
表面側に、可動電極及び固定電極を形成し、力学量の印
加に応じて可動電極が変位したとき、可動電極と固定電
極との間の静電容量の変化に基づいて印加力学量を検出
するようにした半導体力学量センサについて適用可能で
あり、例えば、角速度センサや圧力センサであっても良
い。
サの平面構成図である。
る。
図である。
サの平面構成図である。
る。
図である。
る。
図である。
…第1シリコン基板(半導体基板)、12…第2シリコ
ン基板(半導体膜)、20…可動部、24…可動電極、
30、40…固定部、32、42…固定電極、70…溝
部、110…保護シート、150…半導体ウェハ、15
1…半導体ウェハの一面、152半導体ウェハの他面、
210…堀部、211…残し部。
Claims (6)
- 【請求項1】 一面に保護シート(110)が貼り付け
られた半導体ウェハ(150)を、この半導体ウェハの
他面側からダイシングカットすることにより形成された
半導体チップ(10)を有し、 前記半導体チップにおける前記半導体ウェハの一面に相
当する主表面(10a)側に、半導体素子(20〜4
0)が形成されてなる半導体装置において、 前記半導体チップの主表面のうち前記半導体チップの外
周端部近傍から当該外周端部に渡る領域には、前記半導
体チップの主表面から凹んだ溝部(70)が形成されて
おり、 この溝部は、前記保護シートが前記半導体チップの主表
面から前記溝部の段差を越えて、前記半導体チップの外
周端部における前記溝部の底面に貼付可能な幅を有する
ものであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 半導体基板(11)上に設けられた半導
体膜(12)に、力学量に応じて可動する可動部(2
0)が形成された半導体装置において、 前記半導体膜の周辺部は除去され前記半導体基板が露出
した溝部(70)となっており、この溝部の幅は、前記
半導体膜の膜厚に比して充分大きく設定されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】 前記溝部(70)の幅は、前記半導体膜
(12)の膜厚の少なくとも5倍以上であることを特徴
とする請求項2に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 半導体ウェハ(150)の一面(15
1)側にチップ単位毎に、半導体素子(20〜40)を
形成するとともに、スクライブ領域に対応する部位に、
前記半導体ウェハの一面から凹んだ溝部(70)を形成
する工程と、 前記半導体ウェハの一面側に保護シート(110)を貼
り付けると共に、前記保護シートを前記溝部の底面にお
けるスクライブラインに位置する部位に貼り付ける工程
と、 しかる後、前記半導体ウェハの他面(152)側からダ
イシングカットを行い、前記半導体ウェハをチップ単位
毎に分断する工程とを備えることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項5】 一面に保護シート(110)が貼り付け
られた半導体ウェハ(150)を、この半導体ウェハの
他面側からダイシングカットすることにより形成された
半導体チップ(10)を有し、 前記半導体チップにおける前記半導体ウェハの一面に相
当する主表面(10a)側には、力学量の印加に応じて
所定方向に変位可能な可動電極(24)と、前記可動電
極と対向して配置された固定電極(32、42)とが形
成されており、 力学量の印加に応じて前記可動電極が変位したとき、前
記可動電極と前記固定電極との間の静電容量の変化に基
づいて印加力学量を検出するようにした半導体力学量セ
ンサにおいて、 前記可動電極及び前記固定電極と前記半導体チップの外
周端部との間には、前記可動電極及び前記固定電極の外
周囲を取り囲むように、前記半導体チップの主表面から
凹んだ堀部(210)が形成されており、 前記半導体チップの主表面における前記堀部の内周側の
部位と外周側の部位とが電気的に接続されていることを
特徴とする半導体力学量センサ。 - 【請求項6】 半導体ウェハ(150)の一面(15
1)側に、チップ単位毎に、力学量の印加に応じて所定
方向に変位可能な可動電極(24)と、前記可動電極と
対向して配置された固定電極(32、42)とを形成し
た後、前記半導体ウェハの一面に保護シート(110)
を貼り付けた状態で、前記半導体ウェハをその他面(1
52)側からダイシングカットするようにした半導体力
学量センサの製造方法において、 前記半導体ウェハの一面側にチップ単位毎に、前記可動
電極及び前記固定電極を形成するとともに、エッチング
により前記可動電極及び前記固定電極の外周部とスクラ
イブ領域との間の部位に、前記可動電極及び前記固定電
極を取り囲むように、前記半導体ウェハの一面から凹ん
だ堀部(210)を形成する工程と、 前記半導体ウェハの一面における前記堀部の内周側の部
位と外周側の部位とを電気的に接続する工程と、 前記半導体ウェハの一面側に前記保護シート(110)
を貼り付ける工程と、 しかる後、前記半導体ウェハの他面側からダイシングカ
ットを行い、前記半導体ウェハをチップ単位毎に分断す
る工程とを備えることを特徴とする半導体力学量センサ
の製造方法。
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