JP2001298151A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】インテリジェントパワーモジュールを小型化，
高ノイズ耐量化する。 【解決手段】半導体装置の主端子の配列順序が、ＩＧＢ
Ｔを駆動する回路の電源及び入出力信号の制御端子から
近い順に、下アーム用のＩＧＢＴのエミッタ主端子、上
アーム用のＩＧＢＴのコレクタ主端子、下アーム用のＩ
ＧＢＴのコレクタ及び上アーム用のＩＧＢＴのエミッタ
共通主端子とする。 【効果】インテリジェントパワーモジュール内部の制御
回路基板の面積が小さくなり、インテリジェントパワー
モジュールを小型化することができる。さらに、制御信
号がＩＧＢＴのスイッチングノイズを受けにくくなり、
ノイズ耐量が高くなる。
高ノイズ耐量化する。 【解決手段】半導体装置の主端子の配列順序が、ＩＧＢ
Ｔを駆動する回路の電源及び入出力信号の制御端子から
近い順に、下アーム用のＩＧＢＴのエミッタ主端子、上
アーム用のＩＧＢＴのコレクタ主端子、下アーム用のＩ
ＧＢＴのコレクタ及び上アーム用のＩＧＢＴのエミッタ
共通主端子とする。 【効果】インテリジェントパワーモジュール内部の制御
回路基板の面積が小さくなり、インテリジェントパワー
モジュールを小型化することができる。さらに、制御信
号がＩＧＢＴのスイッチングノイズを受けにくくなり、
ノイズ耐量が高くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インバータ等の装
置に応用される半導体装置に関するものであり、特にイ
ンテリジェントパワーモジュールに関する。
置に応用される半導体装置に関するものであり、特にイ
ンテリジェントパワーモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、インバータ用の電力用半導体装
置として、スイッチング半導体素子である絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタ（以下ＩＧＢＴと略記）を駆動
する制御用ＩＣを内蔵し、１相分のブリッジアームを構
成している従来のインテリジェントパワーモジュールの
主端子構成例を示す。また、図８には、１相分のブリッ
ジアームを構成している従来のインテリジェントパワー
モジュールの等価回路図を示す。
置として、スイッチング半導体素子である絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタ（以下ＩＧＢＴと略記）を駆動
する制御用ＩＣを内蔵し、１相分のブリッジアームを構
成している従来のインテリジェントパワーモジュールの
主端子構成例を示す。また、図８には、１相分のブリッ
ジアームを構成している従来のインテリジェントパワー
モジュールの等価回路図を示す。
【０００３】図８に示すように、上アーム用のＩＧＢＴ
２４と下アーム用のＩＧＢＴ２５はそれぞれ個別の制御
用ＩＣ１７によって駆動される。インテリジェントパワ
ーモジュール内部の制御回路基板においては、上アーム
用のＩＧＢＴを駆動する制御用ＩＣの近くに、上アーム
用のＩＧＢＴの駆動及び保護のための周辺回路を設け、
下アーム用のＩＧＢＴを駆動する制御用ＩＣの近くに、
下アーム用のＩＧＢＴの駆動及び保護回路のための周辺
回路を設ける。なお、上下アーム用のＩＧＢＴは共に一
つの制御用ＩＣで駆動される場合もある。
２４と下アーム用のＩＧＢＴ２５はそれぞれ個別の制御
用ＩＣ１７によって駆動される。インテリジェントパワ
ーモジュール内部の制御回路基板においては、上アーム
用のＩＧＢＴを駆動する制御用ＩＣの近くに、上アーム
用のＩＧＢＴの駆動及び保護のための周辺回路を設け、
下アーム用のＩＧＢＴを駆動する制御用ＩＣの近くに、
下アーム用のＩＧＢＴの駆動及び保護回路のための周辺
回路を設ける。なお、上下アーム用のＩＧＢＴは共に一
つの制御用ＩＣで駆動される場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のインテリジ
ェントパワーモジュールでは、装置の小型化が難しいと
いう問題や制御回路がＩＧＢＴのスイッチングノイズを
受け易いという問題がある。
ェントパワーモジュールでは、装置の小型化が難しいと
いう問題や制御回路がＩＧＢＴのスイッチングノイズを
受け易いという問題がある。
【０００５】本発明は、これらの問題点を考慮してなさ
れたものであり、小型化に有利なインテリジェントパワ
ーモジュールまたはノイズ耐量の高いインテリジェント
パワーモジュールを提供する。
れたものであり、小型化に有利なインテリジェントパワ
ーモジュールまたはノイズ耐量の高いインテリジェント
パワーモジュールを提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】まず、上記の課題に関す
る本発明者の検討及び知見について述べる。
る本発明者の検討及び知見について述べる。
【０００７】図７の従来のインテリジェントパワーモジ
ュールの主端子構造を用いた場合、主端子の配列は、Ｉ
ＧＢＴを駆動する回路の電源及び入出力信号の制御端子
１１から近い順に、上アーム用のＩＧＢＴ２４のコレク
タ主端子１３，下アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ主
端子１２，下アーム用のＩＧＢＴのコレクタ及び上アー
ム用のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子１４となる。この
場合、図５で示すインテリジェントパワーモジュールの
深さ方向の概略図から判るように、この主端子構成で
は、制御端子１１に近い側のＩＧＢＴは、上アーム用の
ＩＧＢＴ２４となり、制御端子１１から遠い側のＩＧＢ
Ｔは、下アーム用のＩＧＢＴ２５となる。
ュールの主端子構造を用いた場合、主端子の配列は、Ｉ
ＧＢＴを駆動する回路の電源及び入出力信号の制御端子
１１から近い順に、上アーム用のＩＧＢＴ２４のコレク
タ主端子１３，下アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ主
端子１２，下アーム用のＩＧＢＴのコレクタ及び上アー
ム用のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子１４となる。この
場合、図５で示すインテリジェントパワーモジュールの
深さ方向の概略図から判るように、この主端子構成で
は、制御端子１１に近い側のＩＧＢＴは、上アーム用の
ＩＧＢＴ２４となり、制御端子１１から遠い側のＩＧＢ
Ｔは、下アーム用のＩＧＢＴ２５となる。
【０００８】図５の中段には、制御回路基板の一例を示
す。制御回路基板は、多層配線基板を用いている。ま
た、この制御回路基板においては、制御信号部及び下ア
ーム用のＩＧＢＴの駆動回路，保護回路部は、１５Ｖ以
下の低圧にて動作するが、上アーム用のＩＧＢＴの駆動
回路，保護回路部には、このインテリジェントパワーモ
ジュールの最大定格電圧が印加される。そのため、制御
信号部及び下アーム用のＩＧＢＴの駆動回路，保護回路
部と、上アーム用のＩＧＢＴの駆動回路，保護回路部と
の間には、絶縁距離が必要である。
す。制御回路基板は、多層配線基板を用いている。ま
た、この制御回路基板においては、制御信号部及び下ア
ーム用のＩＧＢＴの駆動回路，保護回路部は、１５Ｖ以
下の低圧にて動作するが、上アーム用のＩＧＢＴの駆動
回路，保護回路部には、このインテリジェントパワーモ
ジュールの最大定格電圧が印加される。そのため、制御
信号部及び下アーム用のＩＧＢＴの駆動回路，保護回路
部と、上アーム用のＩＧＢＴの駆動回路，保護回路部と
の間には、絶縁距離が必要である。
【０００９】一つの制御用ＩＣ１６を用いる場合、図５
の中段の制御回路基板においては、上アーム用のＩＧＢ
Ｔ２４の近くに、上アーム用のＩＧＢＴ２４の駆動及び
保護のための周辺回路を設けるので、図６に示すよう
に、この周辺回路の配線領域３２が、下アーム用のＩＧ
ＢＴ２５の駆動及び保護のための周辺回路及び制御端子
１１から制御用ＩＣ１６までの制御信号の配線領域３１
に食い込む。そのため、上アームと下アームの制御回路
基板上での絶縁距離を考慮すると、制御回路基板の面積
が大きくなり、インテリジェントパワーモジュールが大
きくなる。さらに、図５の場合の従来の主端子構成で
は、制御端子１１から制御用ＩＣ１６までの制御信号の
配線領域が長くなり、制御回路が上アーム用のＩＧＢＴ
２４のスイッチングノイズを受けやすい。
の中段の制御回路基板においては、上アーム用のＩＧＢ
Ｔ２４の近くに、上アーム用のＩＧＢＴ２４の駆動及び
保護のための周辺回路を設けるので、図６に示すよう
に、この周辺回路の配線領域３２が、下アーム用のＩＧ
ＢＴ２５の駆動及び保護のための周辺回路及び制御端子
１１から制御用ＩＣ１６までの制御信号の配線領域３１
に食い込む。そのため、上アームと下アームの制御回路
基板上での絶縁距離を考慮すると、制御回路基板の面積
が大きくなり、インテリジェントパワーモジュールが大
きくなる。さらに、図５の場合の従来の主端子構成で
は、制御端子１１から制御用ＩＣ１６までの制御信号の
配線領域が長くなり、制御回路が上アーム用のＩＧＢＴ
２４のスイッチングノイズを受けやすい。
【００１０】上記の検討および知見に基づく本発明によ
る半導体装置は、上アーム用半導体スイッチング素子と
下アーム用半導体スイッチング素子を含む１相分のブリ
ッジアームと、各半導体スイッチング素子を制御する制
御回路と、を備える。ブリッジアームの上アーム用半導
体スイッチング素子側の一端は第１の主端子に接続され
る。ブリッジアームの下アーム用半導体スイッチング素
子側の一端は、第２の主端子に接続される。ブリッジア
ームの中点は共通主端子に接続される。制御回路は制御
端子に接続される。これら主端子には、半導体装置と共
に電力変換装置などの応用装置の主回路を構成する外部
回路などが接続される。また、制御端子には外部からの
制御信号が入力されるとともに、半導体装置内からの信
号が外部へ出力される。本半導体装置においては、各主
端子は、第２の主端子が制御端子に最も近くなるように
配列されるので、後述するように信号配線経路を短くす
ることができる。このため、信号配線が、半導体スイッ
チング素子のスイッチングに伴って発生するノイズの影
響を受け難くなる。
る半導体装置は、上アーム用半導体スイッチング素子と
下アーム用半導体スイッチング素子を含む１相分のブリ
ッジアームと、各半導体スイッチング素子を制御する制
御回路と、を備える。ブリッジアームの上アーム用半導
体スイッチング素子側の一端は第１の主端子に接続され
る。ブリッジアームの下アーム用半導体スイッチング素
子側の一端は、第２の主端子に接続される。ブリッジア
ームの中点は共通主端子に接続される。制御回路は制御
端子に接続される。これら主端子には、半導体装置と共
に電力変換装置などの応用装置の主回路を構成する外部
回路などが接続される。また、制御端子には外部からの
制御信号が入力されるとともに、半導体装置内からの信
号が外部へ出力される。本半導体装置においては、各主
端子は、第２の主端子が制御端子に最も近くなるように
配列されるので、後述するように信号配線経路を短くす
ることができる。このため、信号配線が、半導体スイッ
チング素子のスイッチングに伴って発生するノイズの影
響を受け難くなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面に
より、詳細に説明する。
より、詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の第１の実施例となる半導
体装置の外形図を示す。また、図２は、図１の半導体装
置の等価回路図を示す。インテリジェントパワーモジュ
ール２１は、上アーム用のＩＧＢＴ２４，上アーム用の
フリーホイルダイオード２６，下アーム用のＩＧＢＴ２
５，下アーム用のフリーホイルダイオード２７による、
パワー回路部を備える。また、制御回路部は、制御回路
基板２２を用い、IGBTを駆動するレベルシフト機能を持
った一個の高耐圧モノリシック制御用ＩＣ１６と周辺回
路のコンデンサ及び抵抗等を備える。また、制御用ＩＣ
１６への信号は、制御端子１１によって入出力される。
また、制御用ＩＣ１６は、下アーム用のＩＧＢＴ２５の
エミッタ電位の論理回路から、上アーム用のＩＧＢＴ２
４のエミッタ電位の論理回路へ信号を変換する、あるい
は、上アーム用のＩＧＢＴ２４のエミッタ電位の論理回
路から、下アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ電位の論
理回路へ信号を変換するレベルシフト機能を具備してい
る一個のモノリシック集積回路である。
体装置の外形図を示す。また、図２は、図１の半導体装
置の等価回路図を示す。インテリジェントパワーモジュ
ール２１は、上アーム用のＩＧＢＴ２４，上アーム用の
フリーホイルダイオード２６，下アーム用のＩＧＢＴ２
５，下アーム用のフリーホイルダイオード２７による、
パワー回路部を備える。また、制御回路部は、制御回路
基板２２を用い、IGBTを駆動するレベルシフト機能を持
った一個の高耐圧モノリシック制御用ＩＣ１６と周辺回
路のコンデンサ及び抵抗等を備える。また、制御用ＩＣ
１６への信号は、制御端子１１によって入出力される。
また、制御用ＩＣ１６は、下アーム用のＩＧＢＴ２５の
エミッタ電位の論理回路から、上アーム用のＩＧＢＴ２
４のエミッタ電位の論理回路へ信号を変換する、あるい
は、上アーム用のＩＧＢＴ２４のエミッタ電位の論理回
路から、下アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ電位の論
理回路へ信号を変換するレベルシフト機能を具備してい
る一個のモノリシック集積回路である。
【００１３】図３は、図１の半導体装置の深さ方向の概
略図を示す。最も下部は、パワー回路部であり、銅ベー
ス２９の上に絶縁基板２８が半田接着され、さらに、絶
縁基板２８上に、上アーム用のＩＧＢＴ２４とフリーホ
イルダイオード２６，下アーム用のＩＧＢＴ２５とフリ
ーホイルダイオード２７が半田接着され、さらにワイヤ
ーボンディング、端子接着が行われ、パワー回路基板部
が完成する。図１，図３に示すように、本実施例での主
端子の配列は、制御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力
信号の制御端子１１から近い順に、下アーム用のＩＧＢ
Ｔ２５のエミッタ主端子１２，上アーム用のＩＧＢＴ２
４のコレクタ主端子１３，下アーム用のＩＧＢＴ２５の
コレクタ及び上アーム用のＩＧＢＴ２４のエミッタ共通
主端子１４としている。また、パワー回路部と主端子の
間には、制御回路基板２２による制御回路部が設けられ
る。
略図を示す。最も下部は、パワー回路部であり、銅ベー
ス２９の上に絶縁基板２８が半田接着され、さらに、絶
縁基板２８上に、上アーム用のＩＧＢＴ２４とフリーホ
イルダイオード２６，下アーム用のＩＧＢＴ２５とフリ
ーホイルダイオード２７が半田接着され、さらにワイヤ
ーボンディング、端子接着が行われ、パワー回路基板部
が完成する。図１，図３に示すように、本実施例での主
端子の配列は、制御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力
信号の制御端子１１から近い順に、下アーム用のＩＧＢ
Ｔ２５のエミッタ主端子１２，上アーム用のＩＧＢＴ２
４のコレクタ主端子１３，下アーム用のＩＧＢＴ２５の
コレクタ及び上アーム用のＩＧＢＴ２４のエミッタ共通
主端子１４としている。また、パワー回路部と主端子の
間には、制御回路基板２２による制御回路部が設けられ
る。
【００１４】なお、パワー回路部及び制御回路基板は、
樹脂などにより形成される単一の容器内に収納され、主
端子１２〜１４，制御端子１１は容器の上面に位置す
る。
樹脂などにより形成される単一の容器内に収納され、主
端子１２〜１４，制御端子１１は容器の上面に位置す
る。
【００１５】図４は、図３に示される制御回路基板の平
面図である。本実施例においては、制御用ＩＣの電源及
び入出力信号の制御端子１１から最も近い主端子を、下
アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ主端子１２としてい
るため、図３に示すように、パワー回路基板部での制御
端子１１に近い側のＩＧＢＴ２５は、下アーム用のＩＧ
ＢＴ２５である。従って、図４に示す制御回路基板で
は、下アーム用のＩＧＢＴ２５を駆動及び保護するため
の制御回路領域及び制御信号のための配線領域３１は、
実線で示すように、制御端子１１側において広い面積を
有する。この下アーム用のＩＧＢＴを駆動及び保護する
制御回路領域及び制御信号のための配線領域３１には、
制御端子１１から制御用ＩＣ１６への制御信号配線と、
制御用ＩＣ１６から下アームのＩＧＢＴ２５を駆動する
駆動回路の配線等がある。制御回路基板のうち、制御Ｉ
Ｃから制御端子の間の配線領域においては、下アーム用
のＩＧＢＴ２５を駆動及び保護するための制御回路領域
及び制御信号領域が、５０％以上を占める。また、上ア
ーム用のＩＧＢＴ２４を駆動及び保護するため制御回路
領域３２は、制御端子から遠い側で広い面積を有する。
面図である。本実施例においては、制御用ＩＣの電源及
び入出力信号の制御端子１１から最も近い主端子を、下
アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ主端子１２としてい
るため、図３に示すように、パワー回路基板部での制御
端子１１に近い側のＩＧＢＴ２５は、下アーム用のＩＧ
ＢＴ２５である。従って、図４に示す制御回路基板で
は、下アーム用のＩＧＢＴ２５を駆動及び保護するため
の制御回路領域及び制御信号のための配線領域３１は、
実線で示すように、制御端子１１側において広い面積を
有する。この下アーム用のＩＧＢＴを駆動及び保護する
制御回路領域及び制御信号のための配線領域３１には、
制御端子１１から制御用ＩＣ１６への制御信号配線と、
制御用ＩＣ１６から下アームのＩＧＢＴ２５を駆動する
駆動回路の配線等がある。制御回路基板のうち、制御Ｉ
Ｃから制御端子の間の配線領域においては、下アーム用
のＩＧＢＴ２５を駆動及び保護するための制御回路領域
及び制御信号領域が、５０％以上を占める。また、上ア
ーム用のＩＧＢＴ２４を駆動及び保護するため制御回路
領域３２は、制御端子から遠い側で広い面積を有する。
【００１６】次に、図３及び図４について、さらに詳述
する。
する。
【００１７】本実施例のインテリジェントパワーモジュ
ールが内蔵する一相分のブリッジアームにおいては、上
アーム用ＩＧＢＴ２４のエミッタと下アーム用ＩＧＢＴ
２５のコレクタとが電気的に接続される。ブリッジアー
ムの上アーム用ＩＧＢＴ２４側の一端すなわち上アーム
用ＩＧＢＴ２４のコレクタ，ブリッジアームの下アーム
用ＩＧＢＴ２５側の一端すなわち下アーム用ＩＧＢＴ２
５のエミッタ，ブリッジアームの中点すなわち上アーム
用ＩＧＢＴ２４のエミッタと下アーム用IGBT25のコレク
タとの接続点は、それぞれ、第１の主端子であるコレク
タ主端子１３，第２の主端子であるエミッタ主端子１
２，共通主端子であるエミッタ共通主端子１４に電気的
に接続される。制御用ＩＣ１６を含む制御回路は制御端
子１１に接続される。各主端子は、エミッタ主端子１２
が制御端子１１に最も近くなるように、配列される。エ
ミッタ共通主端子１４は制御端子１１から最も離れ、そ
してコレクタ主端子１３は、エミッタ主端子１２とエミ
ッタ共通主端子１４との間に位置する。このような、主
端子の配列により、後述するように、制御回路に対する
パワー回路部のノイズの影響が低減される。
ールが内蔵する一相分のブリッジアームにおいては、上
アーム用ＩＧＢＴ２４のエミッタと下アーム用ＩＧＢＴ
２５のコレクタとが電気的に接続される。ブリッジアー
ムの上アーム用ＩＧＢＴ２４側の一端すなわち上アーム
用ＩＧＢＴ２４のコレクタ，ブリッジアームの下アーム
用ＩＧＢＴ２５側の一端すなわち下アーム用ＩＧＢＴ２
５のエミッタ，ブリッジアームの中点すなわち上アーム
用ＩＧＢＴ２４のエミッタと下アーム用IGBT25のコレク
タとの接続点は、それぞれ、第１の主端子であるコレク
タ主端子１３，第２の主端子であるエミッタ主端子１
２，共通主端子であるエミッタ共通主端子１４に電気的
に接続される。制御用ＩＣ１６を含む制御回路は制御端
子１１に接続される。各主端子は、エミッタ主端子１２
が制御端子１１に最も近くなるように、配列される。エ
ミッタ共通主端子１４は制御端子１１から最も離れ、そ
してコレクタ主端子１３は、エミッタ主端子１２とエミ
ッタ共通主端子１４との間に位置する。このような、主
端子の配列により、後述するように、制御回路に対する
パワー回路部のノイズの影響が低減される。
【００１８】制御回路に含まれる制御用ＩＣ１６は、上
アーム用ＩＧＢＴ２４を駆動する上アーム用駆動回路
と、下アーム用ＩＧＢＴ２５を駆動する下アーム用駆動
回路と、上アーム用駆動回路と下アーム用駆動回路との
間で基準電位を変換するレベルシフト回路を有する。制
御端子１１と制御用ＩＣ１６との間には、制御端子１１
から制御信号を入出力するために、制御端子１１と制御
用ＩＣとを電気的に接続するための配線が設けられる信
号用配線領域である制御信号領域３１が有る。制御信号
領域３１には、下アーム用ＩＧＢＴ２５の駆動あるいは
保護のための周辺回路領域が設けられる。このため、制
御信号領域３１は、制御用ＩＣ１６を境にして制御端子
１１と反対側にも延びている。制御回路領域３２におい
ては、制御用ＩＣ１６を境にして制御端子１１と反対側
に上アーム用ＩＧＢＴ２４の駆動あるいは保護のための
周辺回路領域が設けられ、制御端子１１と制御用ＩＣ１
６との間には、さらに上アーム用ＩＧＢＴ２４の駆動あ
るいは保護のための信号を制御端子１１から出力するた
めに、制御端子１１と制御用ＩＣ１６を電気的に接続す
る信号配線が設けられる。本実施例においては、制御用
ＩＣ１６がレベルシフト回路を有しているので、制御端
子１１と制御用ＩＣ１６との間に設けられるほとんどの
信号配線の基準電位は、下アーム用ＩＧＢＴ２５の基準
電位と共通である。また、上アーム用駆動回路，上アー
ム用ＩＧＢＴ２５のための周辺回路領域の基準電位は上
アーム用ＩＧＢＴ２５の基準電位と共通であり、下アー
ム用駆動回路，下アーム用ＩＧＢＴ２５のための周辺回
路領域の基準電位は下アーム用ＩＧＢＴ２５の基準電位
と共通である。本実施例においては、各主端子の内、エ
ミッタ主端子１２が制御端子１１に最も近いので、下ア
ーム用ＩＧＢＴ２５を、エミッタ端子１２に隣接させ、
かつ下アーム用ＩＧＢＴ２５のための周辺回路領域と対
向させることにより、下アーム用ＩＧＢＴ２５と基準電
位が共通の下アーム用ＩＧＢＴ２５の周辺回路領域と制
御信号配線を共に、制御端子１１と制御用ＩＣの間に集
めることができる。しかも、制御端子１１と制御用ＩＣ
の間において、上アーム用ＩＧＢＴ２４と基準電位を同
じくする信号配線の数は、下アーム用ＩＧＢＴ２５と基
準電位を同じくする信号配線よりも少ない。さらに、各
主端子は、制御端子１１から近い順に、エミッタ主端子
１２，コレクタ主端子１３，エミッタ共通主端子１４の
順に配列されるので、上アーム用ＩＧＢＴ２４を、コレ
クタ主端子１３に隣接させ、かつ上アーム用ＩＧＢＴ２
４のための周辺回路領域と対向させることにより、上ア
ーム用ＩＧＢＴ２４と基準電位を同じくする上アーム用
ＩＧＢＴ２４の周辺回路領域の制御端子１１からの位置
が下アーム用ＩＧＢＴ２５用の周辺回路領域及び制御用
ＩＣ１６よりも離れている。すなわち、本実施例におい
ては、制御用ＩＣ１６を境にして、上アーム用ＩＧＢＴ
２４と基準電位を同じくする上アーム用ＩＧＢＴ２４の
周辺回路領域は制御端子１１と反対側に設けられ、下ア
ーム用ＩＧＢＴ２５と基準電位を同じくする下アーム用
ＩＧＢＴ２５の周辺回路領域及び制御信号配線は制御端
子１１側に設けられる。従って、上アーム用ＩＧＢＴ２
４の周辺回路領域と、下アーム用ＩＧＢＴ２５の周辺回
路領域及び制御信号配線とは、所定の絶縁距離をとった
としてもそれぞれの領域を広くすることができる。特
に、制御端子１１と制御用ＩＣ１６の間の制御信号配線
を設ける領域が広くなるので、配線パターン形状や配線
経路の自由度が高くなる。このため、制御信号配線の経
路を短くすることができる。このため、制御回路がＩＧ
ＢＴを有するパワー回路部の発生するノイズの影響を防
止できる。
アーム用ＩＧＢＴ２４を駆動する上アーム用駆動回路
と、下アーム用ＩＧＢＴ２５を駆動する下アーム用駆動
回路と、上アーム用駆動回路と下アーム用駆動回路との
間で基準電位を変換するレベルシフト回路を有する。制
御端子１１と制御用ＩＣ１６との間には、制御端子１１
から制御信号を入出力するために、制御端子１１と制御
用ＩＣとを電気的に接続するための配線が設けられる信
号用配線領域である制御信号領域３１が有る。制御信号
領域３１には、下アーム用ＩＧＢＴ２５の駆動あるいは
保護のための周辺回路領域が設けられる。このため、制
御信号領域３１は、制御用ＩＣ１６を境にして制御端子
１１と反対側にも延びている。制御回路領域３２におい
ては、制御用ＩＣ１６を境にして制御端子１１と反対側
に上アーム用ＩＧＢＴ２４の駆動あるいは保護のための
周辺回路領域が設けられ、制御端子１１と制御用ＩＣ１
６との間には、さらに上アーム用ＩＧＢＴ２４の駆動あ
るいは保護のための信号を制御端子１１から出力するた
めに、制御端子１１と制御用ＩＣ１６を電気的に接続す
る信号配線が設けられる。本実施例においては、制御用
ＩＣ１６がレベルシフト回路を有しているので、制御端
子１１と制御用ＩＣ１６との間に設けられるほとんどの
信号配線の基準電位は、下アーム用ＩＧＢＴ２５の基準
電位と共通である。また、上アーム用駆動回路，上アー
ム用ＩＧＢＴ２５のための周辺回路領域の基準電位は上
アーム用ＩＧＢＴ２５の基準電位と共通であり、下アー
ム用駆動回路，下アーム用ＩＧＢＴ２５のための周辺回
路領域の基準電位は下アーム用ＩＧＢＴ２５の基準電位
と共通である。本実施例においては、各主端子の内、エ
ミッタ主端子１２が制御端子１１に最も近いので、下ア
ーム用ＩＧＢＴ２５を、エミッタ端子１２に隣接させ、
かつ下アーム用ＩＧＢＴ２５のための周辺回路領域と対
向させることにより、下アーム用ＩＧＢＴ２５と基準電
位が共通の下アーム用ＩＧＢＴ２５の周辺回路領域と制
御信号配線を共に、制御端子１１と制御用ＩＣの間に集
めることができる。しかも、制御端子１１と制御用ＩＣ
の間において、上アーム用ＩＧＢＴ２４と基準電位を同
じくする信号配線の数は、下アーム用ＩＧＢＴ２５と基
準電位を同じくする信号配線よりも少ない。さらに、各
主端子は、制御端子１１から近い順に、エミッタ主端子
１２，コレクタ主端子１３，エミッタ共通主端子１４の
順に配列されるので、上アーム用ＩＧＢＴ２４を、コレ
クタ主端子１３に隣接させ、かつ上アーム用ＩＧＢＴ２
４のための周辺回路領域と対向させることにより、上ア
ーム用ＩＧＢＴ２４と基準電位を同じくする上アーム用
ＩＧＢＴ２４の周辺回路領域の制御端子１１からの位置
が下アーム用ＩＧＢＴ２５用の周辺回路領域及び制御用
ＩＣ１６よりも離れている。すなわち、本実施例におい
ては、制御用ＩＣ１６を境にして、上アーム用ＩＧＢＴ
２４と基準電位を同じくする上アーム用ＩＧＢＴ２４の
周辺回路領域は制御端子１１と反対側に設けられ、下ア
ーム用ＩＧＢＴ２５と基準電位を同じくする下アーム用
ＩＧＢＴ２５の周辺回路領域及び制御信号配線は制御端
子１１側に設けられる。従って、上アーム用ＩＧＢＴ２
４の周辺回路領域と、下アーム用ＩＧＢＴ２５の周辺回
路領域及び制御信号配線とは、所定の絶縁距離をとった
としてもそれぞれの領域を広くすることができる。特
に、制御端子１１と制御用ＩＣ１６の間の制御信号配線
を設ける領域が広くなるので、配線パターン形状や配線
経路の自由度が高くなる。このため、制御信号配線の経
路を短くすることができる。このため、制御回路がＩＧ
ＢＴを有するパワー回路部の発生するノイズの影響を防
止できる。
【００１９】図５には、従来の主端子配列の場合の深さ
方向の概略図を示す。この主端子構成では、制御端子に
近い側のＩＧＢＴは、上アーム用のＩＧＢＴ２４とな
り、制御端子から遠い側は、下アーム用のＩＧＢＴ２５
となる。そのため、単一の高耐圧モノリシック制御用Ｉ
Ｃ１６を用いる場合、図５の中段の制御回路基板におい
ては、上アーム用のＩＧＢＴ２４の近くに、駆動及び保
護のための周辺回路を設ける。このため、上アーム用の
ＩＧＢＴを駆動及び保護する制御回路領域３２が、図６
のように、下アーム用のＩＧＢＴを駆動及び保護する制
御回路領域及び制御信号領域３１に食い込む。そのた
め、上アームと下アームの絶縁距離も考慮すると、制御
回路基板の面積が大きくなり、インテリジェントパワー
モジュールが大きくなる。さらに、制御端子１１から制
御用ＩＣ１６までの制御信号の配線領域が長くなり、制
御回路が、制御回路基板の下にある上アームのＩＧＢＴ
２４のスイッチングノイズを受けやすい。
方向の概略図を示す。この主端子構成では、制御端子に
近い側のＩＧＢＴは、上アーム用のＩＧＢＴ２４とな
り、制御端子から遠い側は、下アーム用のＩＧＢＴ２５
となる。そのため、単一の高耐圧モノリシック制御用Ｉ
Ｃ１６を用いる場合、図５の中段の制御回路基板におい
ては、上アーム用のＩＧＢＴ２４の近くに、駆動及び保
護のための周辺回路を設ける。このため、上アーム用の
ＩＧＢＴを駆動及び保護する制御回路領域３２が、図６
のように、下アーム用のＩＧＢＴを駆動及び保護する制
御回路領域及び制御信号領域３１に食い込む。そのた
め、上アームと下アームの絶縁距離も考慮すると、制御
回路基板の面積が大きくなり、インテリジェントパワー
モジュールが大きくなる。さらに、制御端子１１から制
御用ＩＣ１６までの制御信号の配線領域が長くなり、制
御回路が、制御回路基板の下にある上アームのＩＧＢＴ
２４のスイッチングノイズを受けやすい。
【００２０】一方、本実施例では、下アーム用のＩＧＢ
Ｔを駆動及び保護する制御回路領域及び制御信号領域３
１が制御端子側に広い面積を有する。このため、制御端
子から制御ＩＣまでの制御信号の配線領域を短くできる
ので、制御回路が制御回路基板の下からのＩＧＢＴのス
イッチングノイズを受けにくい。さらに、制御信号配線
を短くできることから、制御回路基板を小さくすること
ができ、インテリジェントパワーモジュールを小型化で
きる。
Ｔを駆動及び保護する制御回路領域及び制御信号領域３
１が制御端子側に広い面積を有する。このため、制御端
子から制御ＩＣまでの制御信号の配線領域を短くできる
ので、制御回路が制御回路基板の下からのＩＧＢＴのス
イッチングノイズを受けにくい。さらに、制御信号配線
を短くできることから、制御回路基板を小さくすること
ができ、インテリジェントパワーモジュールを小型化で
きる。
【００２１】図９は、本発明の第２の実施例となる半導
体装置のレベルシフト回路の概略図を示す。このレベル
シフト回路は、ＩＧＢＴを駆動するレベルシフト機能を
持った単一の高耐圧モノリシック制御用ＩＣ１６内に内
蔵される。本実施例では、レベルシフトアップ回路４１
は、制御端子１１から下アームの論理回路部４４に入力
されたＩＧＢＴの制御信号の電位レベルを、下アーム用
のＩＧＢＴのエミッタ電位からより高い上アーム用のＩ
ＧＢＴのエミッタ電位へ変換して上アーム用の論理回路
部へ入力する。レベルシフトダウン回路４２は、上アー
ムの論理回路部４３が出力するＩＧＢＴの異常等を示す
信号の基準電位レベルを、上アーム用のＩＧＢＴのエミ
ッタ電位から下アーム用のＩＧＢＴのエミッタ電位に変
換して下アームの論理回路部４４へ入力する。このレベ
ルシフトアップ回路４１、及びレベルシフトダウン回路
４２のレベルシフト機能を設けることにより、上アーム
用のＩＧＢＴの制御信号や、上アーム用のＩＧＢＴから
の異常出力信号をフォトカプラー等で絶縁する必要がな
くなり、インテリジェントパワーモジュールの外部の制
御電源回路を小さくすることができる。
体装置のレベルシフト回路の概略図を示す。このレベル
シフト回路は、ＩＧＢＴを駆動するレベルシフト機能を
持った単一の高耐圧モノリシック制御用ＩＣ１６内に内
蔵される。本実施例では、レベルシフトアップ回路４１
は、制御端子１１から下アームの論理回路部４４に入力
されたＩＧＢＴの制御信号の電位レベルを、下アーム用
のＩＧＢＴのエミッタ電位からより高い上アーム用のＩ
ＧＢＴのエミッタ電位へ変換して上アーム用の論理回路
部へ入力する。レベルシフトダウン回路４２は、上アー
ムの論理回路部４３が出力するＩＧＢＴの異常等を示す
信号の基準電位レベルを、上アーム用のＩＧＢＴのエミ
ッタ電位から下アーム用のＩＧＢＴのエミッタ電位に変
換して下アームの論理回路部４４へ入力する。このレベ
ルシフトアップ回路４１、及びレベルシフトダウン回路
４２のレベルシフト機能を設けることにより、上アーム
用のＩＧＢＴの制御信号や、上アーム用のＩＧＢＴから
の異常出力信号をフォトカプラー等で絶縁する必要がな
くなり、インテリジェントパワーモジュールの外部の制
御電源回路を小さくすることができる。
【００２２】図１０は、本発明の第３の実施例となる半
導体装置の外形図を示す。また、図１１は、図１０の半
導体装置の等価回路図を示す。本実施例においては、上
アームのＩＧＢＴ２４と下アームのＩＧＢＴ２５がそれ
ぞれ別個の制御用ＩＣ１７によって駆動される。主端子
の配列構造は、制御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力
信号の制御端子１１から近い順に、下アーム用のＩＧＢ
Ｔのエミッタ主端子１２，上アーム用のＩＧＢＴのコレ
クタ主端子１３，下アーム用のＩＧＢＴのコレクタ及び
上アーム用のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子１４であ
る。
導体装置の外形図を示す。また、図１１は、図１０の半
導体装置の等価回路図を示す。本実施例においては、上
アームのＩＧＢＴ２４と下アームのＩＧＢＴ２５がそれ
ぞれ別個の制御用ＩＣ１７によって駆動される。主端子
の配列構造は、制御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力
信号の制御端子１１から近い順に、下アーム用のＩＧＢ
Ｔのエミッタ主端子１２，上アーム用のＩＧＢＴのコレ
クタ主端子１３，下アーム用のＩＧＢＴのコレクタ及び
上アーム用のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子１４であ
る。
【００２３】図１２は、図１０の半導体装置の深さ方向
の概略図を示す。本実施例での主端子の配列構造は、制
御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力信号の制御端子１
１から近い順に、下アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ
主端子１２，上アーム用のＩＧＢＴ２４のコレクタ主端
子１３，下アーム用のＩＧＢＴ２５のコレクタ及び上ア
ーム用のＩＧＢＴ２４のエミッタ共通主端子１４として
いる。また、パワー回路部と主端子の間には、制御回路
基板２２上に形成される制御回路部が設けられる。第１
の実施例と異なるのは、ＩＧＢＴを駆動するレベルシフ
ト機能を持った単一の高耐圧モノリシック制御用ＩＣ１
６の替わりに、レベルシフト機能を有しない制御用ＩＣ
１７を用いている点である。
の概略図を示す。本実施例での主端子の配列構造は、制
御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力信号の制御端子１
１から近い順に、下アーム用のＩＧＢＴ２５のエミッタ
主端子１２，上アーム用のＩＧＢＴ２４のコレクタ主端
子１３，下アーム用のＩＧＢＴ２５のコレクタ及び上ア
ーム用のＩＧＢＴ２４のエミッタ共通主端子１４として
いる。また、パワー回路部と主端子の間には、制御回路
基板２２上に形成される制御回路部が設けられる。第１
の実施例と異なるのは、ＩＧＢＴを駆動するレベルシフ
ト機能を持った単一の高耐圧モノリシック制御用ＩＣ１
６の替わりに、レベルシフト機能を有しない制御用ＩＣ
１７を用いている点である。
【００２４】図１３は、図１２の制御回路基板の平面図
を示す。本実施例においては、制御用ＩＣの電源及び入
出力信号の制御端子１１から最も近い主端子を、下アー
ム用のＩＧＢＴのエミッタ主端子１２としているため、
図１２に示すように、パワー回路基板部での制御端子に
近い側のＩＧＢＴ２５は、下アーム用のＩＧＢＴ２５と
なる。従って、図１３に示す制御回路基板では、下アー
ム用のＩＧＢＴ２５を駆動及び保護する制御回路領域及
び制御信号領域３１は、実線で示すように、制御端子１
１側に広い面積を有する。また、上アーム用のＩＧＢＴ
を駆動及び保護する制御回路領域３２は、制御端子から
遠い側に広い面積を有する。このため、第１の実施例と
同様に、制御端子１１から各制御ＩＣまでの制御信号の
配線領域を短くでき、制御回路が制御回路基板の下から
のＩＧＢＴのスイッチングノイズを受けにくい。さら
に、制御信号配線を短くできることから、制御回路基板
を小さくすることができ、インテリジェントパワーモジ
ュールを小型化できる。
を示す。本実施例においては、制御用ＩＣの電源及び入
出力信号の制御端子１１から最も近い主端子を、下アー
ム用のＩＧＢＴのエミッタ主端子１２としているため、
図１２に示すように、パワー回路基板部での制御端子に
近い側のＩＧＢＴ２５は、下アーム用のＩＧＢＴ２５と
なる。従って、図１３に示す制御回路基板では、下アー
ム用のＩＧＢＴ２５を駆動及び保護する制御回路領域及
び制御信号領域３１は、実線で示すように、制御端子１
１側に広い面積を有する。また、上アーム用のＩＧＢＴ
を駆動及び保護する制御回路領域３２は、制御端子から
遠い側に広い面積を有する。このため、第１の実施例と
同様に、制御端子１１から各制御ＩＣまでの制御信号の
配線領域を短くでき、制御回路が制御回路基板の下から
のＩＧＢＴのスイッチングノイズを受けにくい。さら
に、制御信号配線を短くできることから、制御回路基板
を小さくすることができ、インテリジェントパワーモジ
ュールを小型化できる。
【００２５】図１４は、本発明の第４の実施例となる半
導体装置の外形図を示している。主端子の配列構造が、
制御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力信号の制御端子
１１から近い順に、下アーム用のＩＧＢＴのエミッタ主
端子１２，下アーム用のIGBTのコレクタ及び上アーム用
のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子１４，上アーム用のＩ
ＧＢＴのコレクタ主端子１３である。本実施例において
も、制御回路基板は、図４や図１３のような構成にする
ことができるため、制御端子から制御ＩＣまでの制御信
号の配線領域を短くできる。このため、制御回路は、制
御回路基板の下からのＩＧＢＴのスイッチングノイズを
受けにくい。さらに、制御信号配線を短くできることか
ら、制御回路基板を小さくすることができ、インテリジ
ェントパワーモジュールが小型化する。
導体装置の外形図を示している。主端子の配列構造が、
制御用ＩＣの電源及び入力信号及び出力信号の制御端子
１１から近い順に、下アーム用のＩＧＢＴのエミッタ主
端子１２，下アーム用のIGBTのコレクタ及び上アーム用
のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子１４，上アーム用のＩ
ＧＢＴのコレクタ主端子１３である。本実施例において
も、制御回路基板は、図４や図１３のような構成にする
ことができるため、制御端子から制御ＩＣまでの制御信
号の配線領域を短くできる。このため、制御回路は、制
御回路基板の下からのＩＧＢＴのスイッチングノイズを
受けにくい。さらに、制御信号配線を短くできることか
ら、制御回路基板を小さくすることができ、インテリジ
ェントパワーモジュールが小型化する。
【００２６】上記の実施例では、ＩＧＢＴが用いられる
が、半導体スイッチング素子として、ＭＯＳＦＥＴやバ
イポーラトランジスタ等を用いた場合でも、同様の効果
が得られる。
が、半導体スイッチング素子として、ＭＯＳＦＥＴやバ
イポーラトランジスタ等を用いた場合でも、同様の効果
が得られる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置の制御回路
基板の面積が小さくなり、インテリジェントパワーモジ
ュールを小型化する。さらに、制御回路がスイッチング
ノイズを受けにくくなり、ノイズ耐量が向上する。
基板の面積が小さくなり、インテリジェントパワーモジ
ュールを小型化する。さらに、制御回路がスイッチング
ノイズを受けにくくなり、ノイズ耐量が向上する。
【図１】第１の実施例となる半導体装置の外形図。
【図２】図１の半導体装置の等価回路図。
【図３】図１の半導体装置の深さ方向の概略図。
【図４】図３の制御回路基板の平面図。
【図５】従来の主端子構成の場合の半導体装置の深さ方
向の概略図。
向の概略図。
【図６】従来の主端子構成の場合の制御回路基板の平面
図。
図。
【図７】従来の半導体装置の外形図。
【図８】従来の半導体装置の等価回路図。
【図９】第２の実施例となる半導体装置のレベルシフト
回路の概略図。
回路の概略図。
【図１０】第３の実施例となる半導体装置の外形図。
【図１１】図１０の半導体装置の等価回路図。
【図１２】図１０の半導体装置の深さ方向の概略図。
【図１３】図１２の制御回路基板の平面図。
【図１４】第４の実施例となる半導体装置の外形図。
１１…制御端子、１２…下アーム用のＩＧＢＴのエミッ
タ主端子、１３…上アーム用のＩＧＢＴのコレクタ主端
子、１４…下アーム用のＩＧＢＴのコレクタ及び上アー
ム用のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子、１６…ＩＧＢＴ
を駆動するレベルシフト機能を持った単一の高耐圧モノ
リシック制御用ＩＣ、１７…ＩＧＢＴを駆動する制御用
ＩＣ、２１…インテリジェントパワーモジュール、２２
…制御回路基板、２４…上アーム用のＩＧＢＴ、２５…
下アーム用のＩＧＢＴ、２６…上アーム用のフリーホイ
ルダイオード、２７…下アーム用のフリーホイルダイオ
ード、２８…絶縁基板、２９…銅ベース、３１…下アー
ム用のＩＧＢＴを駆動及び保護する制御回路領域、及び
制御信号領域、３２…上アーム用のＩＧＢＴを駆動及び
保護する制御回路領域、４１…レベルシフトアップ回
路、４２…レベルシフトダウン回路、４３…上アームの
論理回路部、４４…下アームの論理回路部。
タ主端子、１３…上アーム用のＩＧＢＴのコレクタ主端
子、１４…下アーム用のＩＧＢＴのコレクタ及び上アー
ム用のＩＧＢＴのエミッタ共通主端子、１６…ＩＧＢＴ
を駆動するレベルシフト機能を持った単一の高耐圧モノ
リシック制御用ＩＣ、１７…ＩＧＢＴを駆動する制御用
ＩＣ、２１…インテリジェントパワーモジュール、２２
…制御回路基板、２４…上アーム用のＩＧＢＴ、２５…
下アーム用のＩＧＢＴ、２６…上アーム用のフリーホイ
ルダイオード、２７…下アーム用のフリーホイルダイオ
ード、２８…絶縁基板、２９…銅ベース、３１…下アー
ム用のＩＧＢＴを駆動及び保護する制御回路領域、及び
制御信号領域、３２…上アーム用のＩＧＢＴを駆動及び
保護する制御回路領域、４１…レベルシフトアップ回
路、４２…レベルシフトダウン回路、４３…上アームの
論理回路部、４４…下アームの論理回路部。
フロントページの続き (72)発明者 佐々木 敦 茨城県日立市弁天町三丁目10番２号 日立 原町電子工業株式会社内 (72)発明者 早川 誠一 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立事業所内 (72)発明者 須田 晃一 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立事業所内 (72)発明者 阪東 明 茨城県日立市幸町三丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立事業所内
Claims (10)
- 【請求項１】上アーム用半導体スイッチング素子と下ア
ーム用半導体スイッチング素子を含む１相分のブリッジ
アームと、 前記各半導体スイッチング素子を制御する制御回路と、 前記ブリッジアームの前記上アーム用半導体スイッチン
グ素子側の一端が接続される第１の主端子，前記ブリッ
ジアームの前記下アーム用半導体スイッチング素子側の
一端が接続される第２の主端子，前記ブリッジアームの
中点が接続される共通主端子及び前記制御回路が接続さ
れる制御端子と、を備え、 前記各主端子は、前記第２の主端子が前記制御端子に最
も近くなるように配列される半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記制御回路が、前記
上アーム用半導体スイッチング素子を駆動する上アーム
用駆動回路と前記下アーム用半導体スイッチング素子を
駆動する下アーム用駆動回路と、前記上アーム用駆動回
路と前記下アーム用駆動回路との間で基準電位を変換す
るレベルシフト回路とを有する制御用ＩＣを含む半導体
装置。 - 【請求項３】請求項２において、前記制御回路が、さら
に、前記制御端子と前記制御用ＩＣとの間の信号用配線
領域、前記上アーム用半導体スイッチング素子用の周辺
回路領域、前記下アーム用半導体スイッチング素子用の
周辺回路領域とを含む半導体装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記信号用配線領域と
前記下アーム用半導体スイッチング素子用の周辺回路領
域が、前記制御端子と前記制御用ＩＣとの間に位置する
半導体装置。 - 【請求項５】請求項４において、前記下アーム用半導体
スイッチング素子は、前記第２の主端子に隣接し、かつ
前記下アーム用半導体スイッチング素子用の周辺回路領
域に対向する半導体装置。 - 【請求項６】請求項５において、さらに、前記上アーム
用半導体スイッチング素子用の周辺回路領域は、前記制
御端子からの位置が前記下アーム用半導体スイッチング
素子用の周辺回路領域及び前記制御用ＩＣよりも離れ、
前記上アーム用半導体スイッチング素子は、前記第1の
主端子に隣接し、かつ前記上アーム用半導体スイッチン
グ素子用の周辺回路領域に対向する半導体装置。 - 【請求項７】請求項６において、前記上アーム用駆動回
路及び前記上アーム用半導体スイッチング素子用の周辺
回路領域の基準電位は前記上アーム用半導体スイッチン
グ素子の基準電位であり、前記信号配線領域，前記下ア
ーム用駆動回路及び前記下アーム用半導体スイッチング
素子用の周辺回路領域の基準電位は前記下アーム用半導
体スイッチング素子の基準電位である半導体装置。 - 【請求項８】請求項７において、前記各主端子は、前記
制御端子から近い順に、前記第２の主端子，前記第１の
主端子，前記共通主端子の順に配列される半導体装置。 - 【請求項９】上アーム用半導体スイッチング素子と下ア
ーム用半導体スイッチング素子を含む１相分のブリッジ
アームと、 前記各半導体スイッチング素子を制御する制御回路と、 前記ブリッジアームの前記上アーム用半導体スイッチン
グ素子側の一端が接続される第１の主端子，前記ブリッ
ジアームの前記下アーム用半導体スイッチング素子側の
一端が接続される第２の主端子，前記ブリッジアームの
中点が接続される共通主端子及び前記制御回路が接続さ
れる制御端子と、を備え、 前記制御回路が、前記上アーム用半導体スイッチング素
子を駆動する上アーム用駆動回路と前記下アーム用半導
体スイッチング素子を駆動する下アーム用駆動回路と、
前記上アーム用駆動回路と前記下アーム用駆動回路との
間で基準電位を変換するレベルシフト回路とを有する制
御用ＩＣを含み、 前記信号用配線領域と前記下アーム用半導体スイッチン
グ素子用の周辺回路領域が、前記制御端子と前記制御用
ＩＣとの間に位置し、前記上アーム用半導体スイッチン
グ素子用の周辺回路領域は、前記制御端子からの位置が
前記下アーム用半導体スイッチング素子用の周辺回路領
域及び前記制御用ＩＣよりも離れている半導体装置。 - 【請求項１０】請求項９において、前記上アーム用駆動
回路及び前記上アーム用半導体スイッチング素子用の周
辺回路領域の基準電位は前記上アーム用半導体スイッチ
ング素子の基準電位であり、前記信号配線領域，前記下
アーム用駆動回路及び前記下アーム用半導体スイッチン
グ素子用の周辺回路領域の基準電位は前記下アーム用半
導体スイッチング素子の基準電位である半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118477A JP2001298151A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118477A JP2001298151A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001298151A true JP2001298151A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18629604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000118477A Withdrawn JP2001298151A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001298151A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037245A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージおよびその応用装置 |
| JP2005510995A (ja) * | 2001-11-27 | 2005-04-21 | ウェイブクレスト ラボラトリーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 各ステータ電磁石毎に個別の制御モジュールを有する回転電動機 |
| WO2015037537A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電力変換回路および装置 |
-
2000
- 2000-04-14 JP JP2000118477A patent/JP2001298151A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037245A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージおよびその応用装置 |
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| WO2015037537A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-19 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電力変換回路および装置 |
| JPWO2015037537A1 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-03-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電力変換回路および装置 |
| US9774241B2 (en) | 2013-09-10 | 2017-09-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Power conversion circuit and device |
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