CN110880488B - 半导体装置及电力转换装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体装置及电力转换装置，目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。该半导体装置具备：多个半导体芯片；中继基板，其设置于多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于绝缘板的下表面，具有与多个半导体芯片的任意者连接的第1下部导体及第2下部导体；上部导体，其设置于绝缘板的上表面；连接部，其设置于贯穿孔，连接第2下部导体和上部导体；以及凸出部，其为第1下部导体及上部导体中的一者的一部分，从绝缘板向外侧凸出，凸出部与第1外部电极连接，第1下部导体及上部导体中的另一者与第2外部电极连接，俯视观察时容纳于绝缘板的内侧。

Description

半导体装置及电力转换装置
技术领域
本发明涉及半导体装置及电力转换装置。
背景技术
在专利文献1中公开了具备绝缘板、固定于基板的半导体芯片的半导体装置。就该半导体装置而言，形成于绝缘板的下表面的下部导体焊接于多个半导体芯片。下部导体具有延伸至绝缘板之外的下部凸出部。另外，形成于绝缘板的上表面的上部导体具有延伸至绝缘板之外的上部凸出部。第1外部电极连接于下部凸出部，第2外部电极连接于上部凸出部。
专利文献1：国际公开第2017/130381号
如专利文献1所示那样，在导体部从印刷基板的两面向外侧伸出的情况下，存在显著损害从印刷基板的两面进行开槽加工或V切割时的加工性的担忧。因此，加工变得困难，有可能损害加工精度。另外，由于导体部从印刷基板的两面凸出，因此有可能损害设计的自由度。
发明内容
本发明就是为了解决上课题而提出的，其目的在于得到能够容易地制造的半导体装置及电力转换装置。
本发明涉及的半导体装置具备：基板；多个半导体芯片，其设置于该基板之上；中继基板，其设置于该多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，该中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于该绝缘板的下表面，具有与该多个半导体芯片的任意者电连接的第1下部导体、以及与该多个半导体芯片的任意者电连接的第2下部导体；上部导体，其设置于该绝缘板的上表面；连接部，其设置于该贯穿孔，将该第2下部导体、该上部导体电连接；以及凸出部，其为该第1下部导体及该上部导体中的一者的一部分，俯视观察时从该绝缘板向外侧凸出，该凸出部与该第1外部电极电连接，该第1下部导体及该上部导体中的另一者与该第2外部电极电连接，该第1下部导体及该上部导体中的另一者在俯视观察时容纳于该绝缘板的内侧。
本发明涉及的半导体装置具备：基板；多个半导体芯片，其设置于该基板之上；中继基板，其设置于该多个半导体芯片之上；第1外部电极；以及第2外部电极，该中继基板具备：绝缘板，其形成有贯穿孔；下部导体，其设置于该绝缘板的下表面，具有分别与该多个半导体芯片的任意者电连接的第1下部导体、第2下部导体；上部导体，其设置于该绝缘板的上表面；以及连接部，其设置于该贯穿孔，将该第2下部导体、该上部导体电连接，在该绝缘板的端部形成使该第1下部导体露出的切口，该第1外部电极与该第1下部导体的从该切口露出的部分电连接，该第2外部电极固定于该上部导体。
发明的效果
就本发明涉及的半导体装置而言，在第1下部导体及上部导体中的一者设置从绝缘板向外侧凸出的凸出部，在另一者没有设置。因此，能够容易地进行中继基板的加工。因此，能够容易地制造半导体装置。
就本发明涉及的半导体装置而言，在绝缘板的端部形成使第1下部导体露出的切口。因此，不需要设置用于连接外部电极的凸出部，能够容易地进行中继基板的加工。因此，能够容易地制造半导体装置。
附图说明
图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。
图2是实施方式1涉及的半导体装置的其它位置的剖视图。
图3是实施方式1涉及的中继基板的俯视图。
图4是实施方式1涉及的中继基板的仰视图。
图5是在实施方式1涉及的中继基板的仰视图重叠地示出上部导体的位置的图。
图6是实施方式2涉及的中继基板的俯视图。
图7是实施方式3涉及的半导体装置的剖视图。
图8是实施方式4涉及的半导体装置的剖视图。
图9是实施方式5涉及的半导体装置的剖视图。
图10是表示电力转换***的结构的框图，在该电力转换***中应用了实施方式6涉及的电力转换装置。
标号的说明
100、300、400、500半导体装置，800电力转换装置，15基板，18a、18b半导体芯片，20、220、320、420中继基板，21、221绝缘板，221a切口，22、422上部导体，23、323下部导体，23a第1下部导体，23b、323b第2下部导体，23c、23d凸出部，24贯穿孔，25连接部，31第1外部电极，32第2外部电极，60无源部件，62有源部件，801主转换电路，802驱动电路，803控制电路。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式涉及的半导体装置及电力转换装置进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同标号，有时省略重复说明。
实施方式1.
图1是实施方式1涉及的半导体装置100的剖视图。图2是实施方式1涉及的半导体装置100的其它位置的剖视图。半导体装置100具备基板15。基板15为绝缘基板。基板15具备由金属形成的基座板10。在基座板10之上设置绝缘层12。在绝缘层12之上设置电路图案14。
在基板15之上设置多个半导体芯片18a、18b。多个半导体芯片18a、18b通过焊料16固定于基板15。半导体芯片18a、18b的背面焊接于电路图案14。
半导体芯片18a、18b的种类没有限定。半导体芯片例如为IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)等晶体管芯片。另外，半导体芯片18b例如为二极管芯片。也可以通过半导体装置100构成3相的逆变器电路。在该情况下，在半导体装置100设置6个晶体管芯片和与其反向连接的6个二极管。
在多个半导体芯片18a、18b之上设置中继基板20。中继基板20具有绝缘板21、设置于绝缘板21的上表面的上部导体22、以及设置于绝缘板21的下表面的下部导体23。绝缘板21例如由玻璃环氧树脂形成。在绝缘板21形成贯穿孔24。
下部导体23具有第1下部导体23a、第2下部导体23b。第1下部导体23a和第2下部导体23b分别与多个半导体芯片18a、18b的任意者电连接。在本实施方式中，第1下部导体23a通过焊料与半导体芯片18a、18b的上表面接合。第1下部导体23a的厚度例如大于或等于0.2mm。
在半导体芯片18a为IGBT的情况下，在上表面形成发射极电极和栅极电极。在该情况下，也可以是例如焊料19a将发射极电极和下部导体23接合，焊料19b将栅极电极和下部导体23接合。
中继基板20具有设置于贯穿孔24的连接部25。连接部25将第2下部导体23b和上部导体22电连接。上部导体22、下部导体23及连接部25由导体形成。第2下部导体23b通过焊料19c与电路图案14接合。即，上部导体22经由连接部25、第2下部导体23b、焊料19c、电路图案14及焊料16与半导体芯片18a、18b的背面电连接。在半导体芯片18a的背面形成集电极(collector)电极(electrode)。
焊料16、19a、19b、19c也可以由其它导电金属代替。在通过Ag的烧结接合代替了焊料16、19a、19b、19c的情况下，与焊接相比能够提高散热性能及功率循环等的可靠性。
下部导体23具有俯视观察时从绝缘板21向外侧凸出的凸出部23c、23d。凸出部23d是第1下部导体23a的一部分。
半导体装置100具备第1外部电极31、第2外部电极32、以及第3外部电极33。在由半导体装置100形成电力转换装置的情况下，第1外部电极31及第2外部电极32也可以是与IGBT的集电极、发射极连接的主电极端子。另外，第3外部电极33也可以是与栅极连接的信号端子。
凸出部23d与第1外部电极31电连接。通过焊料等对凸出部23d的上表面和第1外部电极31进行接合。凸出部23c与第3外部电极33电连接。通过焊料等对凸出部23c的上表面和第3外部电极33进行接合。上部导体22与第2外部电极32电连接。通过焊料等对上部导体22的上表面和第2外部电极32进行接合。
多个半导体芯片18a、18b及中继基板20被壳体50包围。第1外部电极31、第2外部电极32及第3外部电极33的一部分***于壳体50。壳体50的内部由树脂40进行填充。树脂40例如为环氧树脂。树脂40覆盖绝缘板21、上部导体22、下部导体23及多个半导体芯片18a、18b。
图3是实施方式1涉及的中继基板20的俯视图。上部导体22俯视观察时容纳于绝缘板21的内侧。即，上部导体22的整体与绝缘板21的端部相比处于内侧。在上部导体22处记载的“P”表示上部导体22在电力转换装置中用作P相的图案。上部导体22在绝缘板21的上表面形成有多个。在绝缘板21的设置有上部导体22的部分形成有贯穿孔24。在贯穿孔24形成铜镀层等。通过铜镀层等使上部导体22和第2下部导体23b导通。
通常，铜镀层为35um左右。为了使电流密度提高，也可以将铜嵌件等压入至贯穿孔24。由此，能够增大对上部导体22和第2下部导体23b进行连接的导体的剖面面积。因此，能够流过更多电流。
图4是实施方式1涉及的中继基板20的仰视图。设置于下部导体23的凸出部23c、23d在俯视观察时从绝缘板21向外侧延伸。在第1下部导体23a处记载的“N”表示在电力转换装置中第1下部导体23a用作N相的图案。下部导体23形成有多个。
图5是在实施方式1涉及的中继基板20的仰视图重叠示出上部导体22的位置的图。在图5中用虚线表示上部导体22的轮廓。斜线部是第1下部导体23a和上部导体22在俯视观察时重叠的区域80。考虑半导体芯片18a、18b包含晶体管芯片的情况。此时，第1下部导体23a及上部导体22中的一者与多个半导体芯片18a、18b的任意者的集电极电连接，另一者与发射极电连接。
此时，在第1下部导体23a及上部导体22中的一者流过集电极电流，在另一者流过发射极电流。在本实施方式中，在第1下部导体23a和上部导体22重叠的区域80，集电极电流和发射极电流在相反方向上流动。由此，能够降低半导体装置100的内部电感。
另外，在本实施方式中，如图1、2所示，从中继基板20的相同侧引出与集电极、发射极连接的第1外部电极31、第2外部电极32。这里，第1外部电极31固定于凸出部23d，第2外部电极32固定于上部导体22中俯视观察时与绝缘板21的端部相比靠内侧的部分。根据该构造，能够确保电位不同的第1外部电极31、第2外部电极32间的距离。因此，能够提高可靠性。
本实施方式1涉及的半导体装置100在中继基板20的上表面和下表面形成有导体。通过这些导体，能够实现将配线在中继基板20的厚度方向上错开的3维配线。因此，与在半导体芯片18a、18b直接固定有外部电极的情况相比，能够提高配线的自由度。因此，能够将半导体装置100小型化。
另外，在本实施方式的半导体装置100中，没有使用导线连接。另外，在本实施方式中，如上所述，能够将P相和N相进行平行配线。由此，能够降低封装件内的电感。
另外，由于半导体装置100的内部配线没有使用铝导线等，因此能够提高接合的可靠性。并且，在本实施方式中，在外部电极与半导体芯片18a、18b之间设置中继基板20。因此，在壳体50变形时或外部电极接合时施加于外部电极的应力不会直接施加于半导体芯片18a、18b及与半导体芯片18a、18b接触的焊料。因此，能够进一步提高接合的可靠性。另外，不需要缩短外部电极的长度以使得大的力不会施加于焊料。因此，能够提高外部电极的形状的自由度。
另外，在本实施方式中，将外部电极固定于中继基板20即可。因此，不需要将外部电极向半导体芯片18a、18b的信号焊盘等小面积部位焊接。因此，能够容易地进行半导体装置100的组装。另外，无需为了增大信号焊盘面积而将半导体芯片18a、18b的尺寸增大。
并且，在本实施方式中，凸出部23c、23d仅设置在下部导体23，而不设置在上部导体22。由此，与在中继基板两面设置凸出部的构造相比，能够容易地从中继基板20两面实施开槽加工或V切割加工。因此，能够容易地制造半导体装置100。另外，能够抑制中继基板20的加工费。
本实施方式涉及的半导体装置100在不丧失其特征的范围能够进行各种变形。作为本实施方式的变形例，半导体芯片18a、18b也可以由宽带隙半导体形成。宽带隙半导体例如是碳化硅、氮化镓类材料或金刚石。半导体芯片18a也可以是SiC-MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等以高频进行动作的开关元件。在该情况下，能够抑制通断时的阻尼振荡等，能够充分发挥元件的性能。
另外，关于设置于中继基板20的导体和外部电极，优选流过小电流的信号电路部和流过大于或等于几十安培的大电流的主电路部由不同的材料形成。例如，可以使信号用导体及外部电极由黄铜类材质形成，主电路用导体及外部电极由纯铜类材质形成。
在实施方式1中，第1下部导体23a和第2下部导体23b与晶体管芯片的集电极或发射极电连接。即，第1下部导体23a及第2下部导体23b是流过主电流的主电路部。这些导体例如由纯铜类等电导率高的材料形成即可。
另外，也可以由不同的材料形成信号用第3外部电极33和主电路用导体即第1下部导体23a、第2下部导体23b。也可以将信号用第3外部电极33与主电路用第1外部电极31、第2外部电极32设为不同的材料。由此，能够防止与信号电路部连接的第3外部电极33的电流容量的规格过剩，与由纯铜类材质构成全部导体和外部电极的情况相比能够降低材料费。
另外，关于形成于绝缘板21的导体，也可以将信号用导体形成得薄，将主电路用导体形成得厚。由此，能够将半导体装置100小型化。
另外，外部设备连接于第1外部电极31、第2外部电极32、第3外部电极33。作为与外部设备的连接方法，存在焊接或压配合等压接连接。能够与连接方法对应地选定第1外部电极31、第2外部电极32、第3外部电极33的形状及材质。另外，第1外部电极31、第2外部电极32、第3外部电极33没有与半导体芯片18a、18b直接连接。因此，在本实施方式中，能够不考虑与半导体芯片18a、18b的接合地对第1外部电极31、第2外部电极32、第3外部电极33的形状及材质进行选择。因此，能够提高外部电极的形状及材质的自由度。
此外，第1外部电极31也可以形成得比凸出部23d厚，第3外部电极33也可以形成得比凸出部23c厚。另外，第2外部电极32也可以形成得比上部导体22厚。由此，能够确保外部电极的强度。
另外，中继基板20只要能够实现3维配线即可，能够进行各种变形。例如，中继基板20也可以具有大于或等于3层导体。由此，进一步提高配线的自由度。在该情况下，在上部导体22之上设置新的绝缘板，在该绝缘板之上设置新的导体。
另外，由多个半导体芯片18a、18b构成的电路没有限定。多个半导体芯片18a、18b例如也可以构成半桥电路。另外，在本实施方式中，凸出部23c、23d设置于下部导体23。并不限于此，凸出部设置于第1下部导体23a及上部导体22中的一者即可。另外，在本实施方式中，外部电极接合于凸出部23c、23d的上表面。并不限于此，外部电极也可以接合于凸出部23c、23d的下表面。另外，第1外部电极31、第2外部电极32、第3外部电极33与中继基板20的连接方法并不限于焊料，例如也可以采用超声波接合。
这些变形能够适当应用于下面实施方式涉及的半导体装置及电力转换装置。此外，由于与实施方式1的共通点多，因此以与实施方式1的不同点为中心对以下实施方式涉及的半导体装置及电力转换装置进行说明。
实施方式2.
图6是实施方式2涉及的中继基板220的俯视图。就中继基板220而言，在绝缘板221的上表面设置上部导体22，在下表面设置下部导体23。在绝缘板221的端部形成使第1下部导体23a露出的切口221a。在图6中，通过切口221a使凸出部23c、23d从绝缘板221露出。第1外部电极31与第1下部导体23a的从切口221a露出的部分电连接。
在本实施方式中，通过削减绝缘板21的端部而使下部导体23露出。由此，能够得到与实施方式1同样的效果。另外，第1下部导体23a与绝缘板221的端部相比设置于内侧。由于下部导体23没有从绝缘板21凸出，因此能够将中继基板220小型化。另外，如后述那样，在将部件安装至中继基板220的情况下，能够将安装区域确保得大。
实施方式3.
图7是实施方式3涉及的半导体装置300的剖视图。就中继基板320而言，越是作为接合目标的部件与绝缘板21的距离大的部分，下部导体323设置得越厚。在图7中，相比于与半导体芯片18a、18b接合的第1下部导体23a，与基板15接合的第2下部导体323b设置得厚。
例如，在多个半导体芯片18a、18b的厚度不均匀的情况下，在薄的半导体芯片和中继基板20之间将焊料形成得厚，在厚的半导体芯片和中继基板20之间将焊料形成得薄。即，焊料的厚度不统一，有可能难以实现适当的焊料厚度。
相对于此，就本实施方式的中继基板320而言，越是正下方的部件与绝缘板21的距离大的部分，下部导体323设置得越厚。下部导体323的厚度不均匀。由此，能够使焊料19a、19b、319c的厚度均匀。因此，能够容易地制造半导体装置300。
实施方式4.
图8是实施方式4涉及的半导体装置400的剖视图。在中继基板420设置有源部件62或无源部件60。有源部件62或无源部件60与上部导体422电连接。无源部件60例如为电阻或电容器。有源部件62例如为控制IC等。有源部件62及无源部件60例如承担半导体芯片18a、18b或半导体装置400的保护功能。
通常，通过将设置于半导体装置100的外部的部件作为有源部件62及无源部件60而设置于中继基板420之上，能够提高半导体装置100的功能及可靠性。作为本实施方式的变形例，有源部件62及无源部件60也可以与下部导体23电连接。由此，能够缩短保护电路和半导体芯片18a、18b的距离，能够提高保护功能的精度。
另外，下部导体23或上部导体422中的与有源部件62或无源部件60接合的部分也可以与流过半导体芯片18a、18b的主电流的部分相比设置得薄。在本实施方式中，上部导体422中的设置有源部件62及无源部件60的部分与其它部分相比形成得薄。有源部件62及无源部件60的安装部位处的导体的厚度例如小于或等于0.1mm。由此，能够实现半导体芯片18a、18b的驱动电路等图案的微细化，能够提高安装密度。另外，能够将半导体装置400小型化。
实施方式5.
图9是实施方式5涉及的半导体装置500的剖视图。半导体装置500不具备壳体50。通过不使用壳体，而是利用树脂40对将基板15、半导体芯片18a、18b、中继基板20及外部电极集中组装后的半完成品进行封装而形成半导体装置500。在由树脂40进行的封装中，使用模具作为外框。
通常，基板15和中继基板20的间隔与半导体芯片18a、18b的厚度大致相同，非常狭窄。半导体芯片18a、18b的厚度例如为100μm。因此，需要在基板15和中继基板20之间的非常狭窄的区域填充树脂。以往，有时使液状的环氧树脂材料含有低应力剂等。但是，低应力剂会使树脂粘度上升，树脂注入的操作性变差，因此有时会减少低应力剂等的含有量。
在本实施方式中，在真空环境下以注入压力10～15MPa左右的低压力向模具内注入树脂。由此，能够在基板15和中继基板20之间的非常狭窄的区域填充树脂。在采用了含有低应力剂的树脂的情况下，也能够通过以低压将树脂注入于模具内，从而将树脂供给至模具的各个角落。另外，通过使树脂含有低应力剂，从而能够使在焊料和半导体芯片18a、18b等产生的应力降低，提高半导体装置500的可靠性。
另外，通过使用模具，能够以无壳体的方式完成半导体装置500的外形。因此，能够实现低成本化。如果以无壳体的方式构成半导体装置500，则树脂40在半导体装置的侧面露出。
实施方式6.
本实施方式将上述实施方式1～5涉及的半导体装置应用于电力转换装置。本实施方式并不限于特定的电力转换装置，下面，作为实施方式6，对将实施方式1～5涉及的半导体装置应用于三相逆变器的情况进行说明。
图10是表示电力转换***的结构的框图，在该电力转换***中应用了本实施方式涉及的电力转换装置800。
图10所示的电力转换***由电源700、电力转换装置800、以及负载900构成。电源700为直流电源，将直流电力供给至电力转换装置800。电源700可以由各种电源构成，例如，能够由直流***、太阳能电池、蓄电池构成。另外，电源700也可以由与交流***连接的整流电路或AC/DC转换器构成。另外，电源700也可以由将从直流***输出的直流电力转换为规定的电力的DC/DC转换器构成。
电力转换装置800为连接于电源700和负载900之间的三相逆变器。电力转换装置800将从电源700供给的直流电力转换为交流电力，将交流电力供给至负载900。如图10所示，电力转换装置800具备主转换电路801、驱动电路802、以及控制电路803。主转换电路801将直流电力转换为交流电力而输出。驱动电路802输出对主转换电路801的各开关元件进行驱动的驱动信号。控制电路803将对驱动电路802进行控制的控制信号输出至驱动电路802。
负载900为由从电力转换装置800供给的交流电力驱动的三相电动机。此外，负载900并不限于特定的用途，为搭载于各种电气设备的电动机。负载900用作面向如下设备的电动机，例如，混合动力汽车、电动汽车、铁路车辆、电梯、或者空调设备。
以下，对电力转换装置800的详情进行说明。主转换电路801具备未图示的开关元件和续流二极管。主转换电路801通过开关元件的通断，从而将从电源700供给的直流电力转换为交流电力，供给至负载900。主转换电路801的具体的电路结构存在各种结构，但本实施方式涉及的主转换电路801为2电平的三相全桥电路。2电平的三相全桥电路能够由6个开关元件和与各个开关元件反向并联的6个续流二极管构成。主转换电路801的多个开关元件应用上述实施方式1～5的任意者涉及的半导体装置。6个开关元件两个两个地串联连接而构成上下桥臂。各上下桥臂构成全桥电路的各相(U相、V相、W相)。而且，各上下桥臂的输出端子即主转换电路801的3个输出端子与负载900连接。
驱动电路802生成对主转换电路801的开关元件进行驱动的驱动信号，供给至主转换电路801的开关元件的控制电极。具体而言，按照来自后述控制电路803的控制信号，将使开关元件成为接通状态的驱动信号、以及使开关元件成为断开状态的驱动信号输出至各开关元件的控制电极。在使开关元件维持为接通状态的情况下，驱动信号成为大于或等于开关元件的阈值电压的电压信号即接通信号。在使开关元件维持为断开状态的情况下，驱动信号成为小于或等于开关元件的阈值电压的电压信号即断开信号。
控制电路803对主转换电路801的开关元件进行控制以将所期望的电力供给至负载900。具体而言，基于应该供给至负载900的电力对主转换电路801的各开关元件应该成为接通状态的时间即接通时间进行计算。例如，能够通过根据应该输出的电压对开关元件的接通时间进行调制的PWM控制对主转换电路801进行控制。而且，将控制指令即控制信号输出至驱动电路802，以使得在各时刻将接通信号输出至应该成为接通状态的开关元件，将断开信号输出至应该成为断开状态的开关元件。驱动电路802按照该控制信号，将接通信号或断开信号作为驱动信号输出至各开关元件的控制电极。
在本实施方式涉及的电力转换装置800中，由于作为主转换电路801的开关元件而应用实施方式1～5涉及的半导体装置，因此能够容易地制造电力转换装置800。
在本实施方式中，对将实施方式1～5应用于2电平的三相逆变器的例子进行了说明，但本实施方式并不限于此，能够应用于各种电力转换装置。在本实施方式中设为2电平的电力转换装置，但也可以是3电平或多电平的电力转换装置。另外，在对单相负载供给电力的情况下，也可以将实施方式1～5应用于单相逆变器。另外，也可以是在对直流负载等供给电力的情况下，将实施方式1～5应用于DC/DC转换器或AC/DC转换器。
另外，应用了实施方式1～5的电力转换装置800并不限于上述负载900为电动机的情况，例如，也能够用作放电加工机、激光加工机、感应加热烹调器或非接触器供电***的电源装置。并且，也能够将电力转换装置800用作太阳能发电***或蓄电***等的功率调节器。
此外，也可以适当地组合在各实施方式中说明过的技术特征而使用。

Claims (11)

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
多个半导体芯片，其设置于所述基板之上；
中继基板，其设置于所述多个半导体芯片之上；
第1外部电极；以及
第2外部电极，
所述中继基板具备：
绝缘板，其形成有贯穿孔；
下部导体，其设置于所述绝缘板的下表面，具有与所述多个半导体芯片的任意者电连接的第1下部导体、以及与所述多个半导体芯片的任意者电连接的第2下部导体；
上部导体，其设置于所述绝缘板的上表面；
连接部，其设置于所述贯穿孔，将所述第2下部导体、所述上部导体电连接；以及
凸出部，其为所述第1下部导体及所述上部导体中的一者的一部分，俯视观察时从所述绝缘板向外侧凸出，
所述凸出部与所述第1外部电极电连接，
所述第1下部导体及所述上部导体中的另一者与所述第2外部电极电连接，所述第1下部导体及所述上部导体中的另一者在俯视观察时容纳于所述绝缘板的内侧。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述凸出部设置于所述第1下部导体。
3.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
多个半导体芯片，其设置于所述基板之上；
中继基板，其设置于所述多个半导体芯片之上；
第1外部电极；以及
第2外部电极，
所述中继基板具备：
绝缘板，其形成有贯穿孔；
下部导体，其设置于所述绝缘板的下表面，具有分别与所述多个半导体芯片的任意者电连接的第1下部导体、第2下部导体；
上部导体，其设置于所述绝缘板的上表面；以及
连接部，其设置于所述贯穿孔，将所述第2下部导体、所述上部导体电连接，
在所述绝缘板的端部形成使所述第1下部导体露出的切口，
所述第1外部电极与所述第1下部导体的从所述切口露出的部分电连接，
所述第2外部电极与所述上部导体电连接。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1下部导体与所述绝缘板的端部相比设置于内侧。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
就所述中继基板而言，越是作为接合目标的部件与所述绝缘板的距离大的部分，所述下部导体设置得越厚。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
在所述下部导体和所述上部导体，电流沿相反方向流过。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1下部导体及所述上部导体中的一者与所述多个半导体芯片的任意者的集电极电连接，
所述第1下部导体及所述上部导体中的另一者与所述多个半导体芯片的任意者的发射极电连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
在所述中继基板设置有源部件或无源部件，
所述下部导体或所述上部导体中的与所述有源部件或所述无源部件接合的部分比流过所述半导体芯片的主电流的部分设置得薄。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述宽带隙半导体为碳化硅、氮化镓类材料或金刚石。
11.一种电力转换装置，其具备：
主转换电路，其具有权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，该主转换电路对被输入进来的电力进行转换而输出；
驱动电路，其将对所述半导体装置进行驱动的驱动信号输出至所述半导体装置；以及
控制电路，其将对所述驱动电路进行控制的控制信号输出至所述驱动电路。
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