JP2001293480A - 廃水処理方法及び当該方法を用いた廃水処理装置 - Google Patents
廃水処理方法及び当該方法を用いた廃水処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アンモニア以外の窒素化合物、特に含窒素有
機化合物を含む廃水を、窒素ガス、二酸化炭素といった
後処理が不要で無害なガスに変換して排出できる廃水処
理方法、及び当該廃水処理方法を実施できる廃水処理装
置を提供する。 【解決手段】 廃水処理方法は、含窒素有機化合物を含
有する廃水を、加熱された空間に噴霧して廃水の実質全
量をガス化する第１工程；及び第１工程で得られたガス
を、触媒で接触酸化して、前記含窒素有機化合物を窒素
ガス、二酸化炭素及び水蒸気として排出する第２工程を
含む。廃水処理装置は、廃水を噴霧するための噴霧器を
有してなる廃水のガス化手段；廃水が導入され、前記ガ
ス化手段によりガス化された廃水を排出するガス化部；
及び該ガス化部から排出された被処理ガスを接触酸化す
る触媒が充填されていて、該触媒により酸化された処理
済ガスを排出する反応部を備えている。
機化合物を含む廃水を、窒素ガス、二酸化炭素といった
後処理が不要で無害なガスに変換して排出できる廃水処
理方法、及び当該廃水処理方法を実施できる廃水処理装
置を提供する。 【解決手段】 廃水処理方法は、含窒素有機化合物を含
有する廃水を、加熱された空間に噴霧して廃水の実質全
量をガス化する第１工程；及び第１工程で得られたガス
を、触媒で接触酸化して、前記含窒素有機化合物を窒素
ガス、二酸化炭素及び水蒸気として排出する第２工程を
含む。廃水処理装置は、廃水を噴霧するための噴霧器を
有してなる廃水のガス化手段；廃水が導入され、前記ガ
ス化手段によりガス化された廃水を排出するガス化部；
及び該ガス化部から排出された被処理ガスを接触酸化す
る触媒が充填されていて、該触媒により酸化された処理
済ガスを排出する反応部を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、含窒素有機化合物
を含有する廃水、特に半導体製造工場でフォトレジスト
の溶解洗浄後に排出される廃水を、無害な窒素ガス、二
酸化炭素等に変換して排出する廃水処理方法、及び当該
方法を用いた廃水処理装置に関するものである。
を含有する廃水、特に半導体製造工場でフォトレジスト
の溶解洗浄後に排出される廃水を、無害な窒素ガス、二
酸化炭素等に変換して排出する廃水処理方法、及び当該
方法を用いた廃水処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種化学工場，半導体製造工場などから
排出される廃水には含窒素有機化合物を含むものがあ
り、その処理法としては焼却法，微生物の働きを利用す
る微生物処理法，超臨界水を用いた分解処理法などがあ
る。
排出される廃水には含窒素有機化合物を含むものがあ
り、その処理法としては焼却法，微生物の働きを利用す
る微生物処理法，超臨界水を用いた分解処理法などがあ
る。
【０００３】焼却法は、廃水を高温で燃焼させ、廃水中
に含まれている含窒素有機化合物や炭化水素類を酸化分
解処理する方法で、廃水中に含まれている含窒素有機化
合物は、通常、窒素酸化物（ＮＯX）として排出され
る。ＮＯXは、大気中に放出されると酸性雨等の原因と
なるため、ＮＯXをさらに無害な物質に変換する処理設
備を整備する必要がある。このため、焼却法による廃水
処理は、設備が大型になる傾向にあるとともに、建設費
が高くなるという欠点がある。
に含まれている含窒素有機化合物や炭化水素類を酸化分
解処理する方法で、廃水中に含まれている含窒素有機化
合物は、通常、窒素酸化物（ＮＯX）として排出され
る。ＮＯXは、大気中に放出されると酸性雨等の原因と
なるため、ＮＯXをさらに無害な物質に変換する処理設
備を整備する必要がある。このため、焼却法による廃水
処理は、設備が大型になる傾向にあるとともに、建設費
が高くなるという欠点がある。
【０００４】微生物処理法は、微生物の働きを利用して
廃水中の含窒素有機化合物などの有機物を窒素，水，二
酸化炭素に分解処理する方法である。この方法は、穏和
な条件下で処理可能であり、しかも分解処理により無害
な窒素ガス等に変換されるという利点がある。しかしな
がら、処理効率が低く、充分な処理能力を得るには装置
規模の拡大に頼らざるを得ず、上記焼却法と同様、処理
設備自体が大きくなり、かつその建設費が高くなるとい
う欠点がある。また、処理後に余剰汚泥が発生するなど
その処理についても考慮する必要があり、問題点は多
い。
廃水中の含窒素有機化合物などの有機物を窒素，水，二
酸化炭素に分解処理する方法である。この方法は、穏和
な条件下で処理可能であり、しかも分解処理により無害
な窒素ガス等に変換されるという利点がある。しかしな
がら、処理効率が低く、充分な処理能力を得るには装置
規模の拡大に頼らざるを得ず、上記焼却法と同様、処理
設備自体が大きくなり、かつその建設費が高くなるとい
う欠点がある。また、処理後に余剰汚泥が発生するなど
その処理についても考慮する必要があり、問題点は多
い。
【０００５】超臨界水を用いた分解処理法は、超臨界状
態の水の物理・化学的特性を利用する方法である。水を
超臨界状態とするには、水を高温・高圧状態下に制御す
る必要があるため、処理装置の耐熱性、耐圧性に対する
要求が厳しく、また高圧を得るための高圧ポンプ・高圧
コンプレッサーなどの機器が必要となる。さらに廃水に
含まれる有機物の濃度が希薄な場合には、超臨界水で分
解処理する前に、廃水を濃縮する必要がある。
態の水の物理・化学的特性を利用する方法である。水を
超臨界状態とするには、水を高温・高圧状態下に制御す
る必要があるため、処理装置の耐熱性、耐圧性に対する
要求が厳しく、また高圧を得るための高圧ポンプ・高圧
コンプレッサーなどの機器が必要となる。さらに廃水に
含まれる有機物の濃度が希薄な場合には、超臨界水で分
解処理する前に、廃水を濃縮する必要がある。
【０００６】近年、設備の大型化及び建設費用を抑えた
廃水処理方法として、廃水をガス化し、そのガスを触媒
を用いて酸化分解するという方法が提案されている。
廃水処理方法として、廃水をガス化し、そのガスを触媒
を用いて酸化分解するという方法が提案されている。
【０００７】例えば、特開平２−８３０８１号公報に、
廃水を蒸発濃縮して、非揮発性汚染物質と蒸気とに分離
し、該蒸気を水蒸気存在下で触媒により接触酸化させる
方法が開示されている（従来技術１）。この方法では、
蒸発工程を８２〜１７０℃程度で行ない、シリカ、アル
ミナ、酸化第２クロム等を触媒として用いているので、
反応生成物にはＮＯX、ＳＯXなどが含まれることにな
る。このため、これらの反応生成物を後処理する処理設
備があいかわらず必要となる。
廃水を蒸発濃縮して、非揮発性汚染物質と蒸気とに分離
し、該蒸気を水蒸気存在下で触媒により接触酸化させる
方法が開示されている（従来技術１）。この方法では、
蒸発工程を８２〜１７０℃程度で行ない、シリカ、アル
ミナ、酸化第２クロム等を触媒として用いているので、
反応生成物にはＮＯX、ＳＯXなどが含まれることにな
る。このため、これらの反応生成物を後処理する処理設
備があいかわらず必要となる。
【０００８】また、特開平９−７５９１３号公報には、
写真処理廃液の処理方法として、廃液をマイクロ波で加
熱して残留固形分を分離除去した後、蒸発ガスに含まれ
ているアンモニアを、大気中にそのまま放出することが
できる窒素ガスと、そのまま下水道に廃水できる水とに
変換する処理方法が開示されている（従来技術２）。こ
の方法では、反応生成物に有害なＮＯX、ＳＯXが含まれ
ない為、これらの後処理設備を併設しなくても済む。し
かし、アンモニアガスを窒素ガスと水蒸気に分解する触
媒については開示されておらず、アンモニア以外の窒素
化合物を含む廃水に、従来技術２の方法をそのまま適用
できない。特に、半導体製造工場から排出されるフォト
レジストの洗浄液には、水酸化テトラメチルアンモニウ
ムをはじめとする含窒素有機化合物が含まれており、こ
のような化合物をマイクロ波でガス化することは困難で
ある。
写真処理廃液の処理方法として、廃液をマイクロ波で加
熱して残留固形分を分離除去した後、蒸発ガスに含まれ
ているアンモニアを、大気中にそのまま放出することが
できる窒素ガスと、そのまま下水道に廃水できる水とに
変換する処理方法が開示されている（従来技術２）。こ
の方法では、反応生成物に有害なＮＯX、ＳＯXが含まれ
ない為、これらの後処理設備を併設しなくても済む。し
かし、アンモニアガスを窒素ガスと水蒸気に分解する触
媒については開示されておらず、アンモニア以外の窒素
化合物を含む廃水に、従来技術２の方法をそのまま適用
できない。特に、半導体製造工場から排出されるフォト
レジストの洗浄液には、水酸化テトラメチルアンモニウ
ムをはじめとする含窒素有機化合物が含まれており、こ
のような化合物をマイクロ波でガス化することは困難で
ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、アンモニア以外の窒素化合物、特に含窒素有機化
合物を含む廃水を、窒素ガス、二酸化炭素といった後処
理が不要で無害なガスに変換して排出できる廃水処理方
法、及び当該廃水処理方法を実施できる廃水処理装置を
提供することにある。
事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、アンモニア以外の窒素化合物、特に含窒素有機化
合物を含む廃水を、窒素ガス、二酸化炭素といった後処
理が不要で無害なガスに変換して排出できる廃水処理方
法、及び当該廃水処理方法を実施できる廃水処理装置を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の廃水処理方法
は、含窒素有機化合物を含有する廃水を、加熱された空
間に噴霧して廃水の実質全量をガス化する第１工程；及
び第１工程で得られたガスを、触媒で接触酸化して、前
記含窒素有機化合物を窒素ガス、二酸化炭素及び水蒸気
として排出する第２工程を含む。
は、含窒素有機化合物を含有する廃水を、加熱された空
間に噴霧して廃水の実質全量をガス化する第１工程；及
び第１工程で得られたガスを、触媒で接触酸化して、前
記含窒素有機化合物を窒素ガス、二酸化炭素及び水蒸気
として排出する第２工程を含む。
【００１１】前記第１工程は、１００℃以上に加熱する
ことにより行なうことが好ましい。
ことにより行なうことが好ましい。
【００１２】前記触媒は、チタニア及び／又はチタニア
・シリカを含む酸化物Ａ成分と；バナジウム，タングス
テン，モリブデン，セリウムおよび鉄よりなる群より選
ばれる少なくとも一種の金属酸化物であるＢ成分と；白
金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，ルテニウム，
マンガン，クロムおよび銅よりなる群より選ばれる少な
くとも一種の金属あるいはその酸化物であるＣ成分とを
含有していることが好ましい。
・シリカを含む酸化物Ａ成分と；バナジウム，タングス
テン，モリブデン，セリウムおよび鉄よりなる群より選
ばれる少なくとも一種の金属酸化物であるＢ成分と；白
金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，ルテニウム，
マンガン，クロムおよび銅よりなる群より選ばれる少な
くとも一種の金属あるいはその酸化物であるＣ成分とを
含有していることが好ましい。
【００１３】第２工程は、１００〜４００℃，空間速度
５００〜５００００ｈ-1で、被処理ガスを供給すること
により行なうことが好ましい。
５００〜５００００ｈ-1で、被処理ガスを供給すること
により行なうことが好ましい。
【００１４】本発明の廃水処理方法は、第１工程でガス
化されなかった固形物質を、除去した後、第２工程を行
なうことがより好ましい。
化されなかった固形物質を、除去した後、第２工程を行
なうことがより好ましい。
【００１５】本発明の廃水処理方法は、特に前記含窒素
有機化合物として、水酸化テトラアルキルアンモニウム
を含有する廃水の処理に好適である。前記廃水には、レ
ジスト材料の溶解成分が含まれていてもよい。
有機化合物として、水酸化テトラアルキルアンモニウム
を含有する廃水の処理に好適である。前記廃水には、レ
ジスト材料の溶解成分が含まれていてもよい。
【００１６】本発明の廃水処理装置は、廃水を噴霧する
ための噴霧器を有してなる廃水のガス化手段；廃水が導
入され、前記ガス化手段によりガス化された廃水を排出
するガス化部；及び該ガス化部から排出された被処理ガ
スを接触酸化する触媒が充填されていて、該触媒により
酸化された処理済ガスを排出する反応部を備えている。
ための噴霧器を有してなる廃水のガス化手段；廃水が導
入され、前記ガス化手段によりガス化された廃水を排出
するガス化部；及び該ガス化部から排出された被処理ガ
スを接触酸化する触媒が充填されていて、該触媒により
酸化された処理済ガスを排出する反応部を備えている。
【００１７】さらに、前記ガス化部でガス化されなかっ
た固形物質を除去する前処理部を含んでいることが好ま
しく、その前処理部には、アルミナ，シリカ，チタニア
およびジルコニアから選ばれる少なくとも１種が充填さ
れていることが好ましい。
た固形物質を除去する前処理部を含んでいることが好ま
しく、その前処理部には、アルミナ，シリカ，チタニア
およびジルコニアから選ばれる少なくとも１種が充填さ
れていることが好ましい。
【００１８】前記触媒は、チタニア及び／又はチタニア
・シリカを含む酸化物Ａ成分と；バナジウム，タングス
テン，モリブデン，セリウムおよび鉄よりなる群より選
ばれる少なくとも一種の金属酸化物であるＢ成分と；白
金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，ルテニウム，
マンガン，クロムおよび銅よりなる群より選ばれる少な
くとも一種の金属あるいはその酸化物であるＣ成分とを
含有していることが好ましい。
・シリカを含む酸化物Ａ成分と；バナジウム，タングス
テン，モリブデン，セリウムおよび鉄よりなる群より選
ばれる少なくとも一種の金属酸化物であるＢ成分と；白
金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，ルテニウム，
マンガン，クロムおよび銅よりなる群より選ばれる少な
くとも一種の金属あるいはその酸化物であるＣ成分とを
含有していることが好ましい。
【００１９】前記ガス化手段は、さらに加熱用ヒータを
有していることが好ましい。加熱用ヒータとしては、特
に限定しないが、例えば、電気ヒータや燃焼バーナーな
どの手段を用いることができる。また、前記ガス化手段
は、前記反応部から排出される排ガスとの熱交換を利用
してもよい。
有していることが好ましい。加熱用ヒータとしては、特
に限定しないが、例えば、電気ヒータや燃焼バーナーな
どの手段を用いることができる。また、前記ガス化手段
は、前記反応部から排出される排ガスとの熱交換を利用
してもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】〔廃水の処理方法〕本発明の廃水
処理方法は、廃水を加熱された空間に噴霧して廃水の実
質全量をガス化する工程（ガス化工程）と、得られたガ
スを触媒で接触酸化する工程（接触酸化工程）とを含
む。
処理方法は、廃水を加熱された空間に噴霧して廃水の実
質全量をガス化する工程（ガス化工程）と、得られたガ
スを触媒で接触酸化する工程（接触酸化工程）とを含
む。
【００２１】本発明の廃水処理方法の対象となる廃水
は、主に含窒素有機化合物を含む廃水である。含窒素有
機化合物としては、水に可溶性の含窒素有機化合物であ
れば、その種類は特に限定しないが、具体的には、メチ
ルアミン，エチルアミン，ジメチルアミン，ジエチルア
ミン，トリメチルアミン，トリエチルアミン，エチレン
ジアミン等のアミン類；エチレンイミン等のイミン類；
アセトニトリル，アクリロニトリル等のニトリル類；ア
セトアミド等のアミド類；水酸化テトラメチルアンモニ
ウム，水酸化テトラエチルアンモニウム，コリン等の第
４級アルキルアンモニウム塩；モノエタノールアミン，
ジエタノールアミン等のアルカノールアミンなどが挙げ
られる。
は、主に含窒素有機化合物を含む廃水である。含窒素有
機化合物としては、水に可溶性の含窒素有機化合物であ
れば、その種類は特に限定しないが、具体的には、メチ
ルアミン，エチルアミン，ジメチルアミン，ジエチルア
ミン，トリメチルアミン，トリエチルアミン，エチレン
ジアミン等のアミン類；エチレンイミン等のイミン類；
アセトニトリル，アクリロニトリル等のニトリル類；ア
セトアミド等のアミド類；水酸化テトラメチルアンモニ
ウム，水酸化テトラエチルアンモニウム，コリン等の第
４級アルキルアンモニウム塩；モノエタノールアミン，
ジエタノールアミン等のアルカノールアミンなどが挙げ
られる。
【００２２】廃水中の含窒素有機化合物濃度は特に限定
しない。廃水を加熱された空間に噴霧して廃水の実質全
量をガス化して得られるガス（廃ガス）中に含まれる窒
素化合物の濃度が高くなりすぎると、接触酸化の際の発
熱量が大きくなりすぎるという問題が起こり得るが、接
触酸化のために供給する酸素又は空気量を多くして、希
釈すれば足りるからである。
しない。廃水を加熱された空間に噴霧して廃水の実質全
量をガス化して得られるガス（廃ガス）中に含まれる窒
素化合物の濃度が高くなりすぎると、接触酸化の際の発
熱量が大きくなりすぎるという問題が起こり得るが、接
触酸化のために供給する酸素又は空気量を多くして、希
釈すれば足りるからである。
【００２３】対象となる廃水中には、上記含窒素有機化
合物の他に、さらに窒素を含まない炭化水素類が含まれ
ていてもよい。例えば、半導体製造工場から排出される
フォトエッチングの廃水中には、レジスト材料として用
いた樹脂の溶解物である炭化水素類が含まれる。
合物の他に、さらに窒素を含まない炭化水素類が含まれ
ていてもよい。例えば、半導体製造工場から排出される
フォトエッチングの廃水中には、レジスト材料として用
いた樹脂の溶解物である炭化水素類が含まれる。
【００２４】ガス化工程は、廃水を加熱された空間に噴
霧して廃水の実質全量をガス化する工程で、具体的に
は、廃水を常圧で１００℃以上、好ましくは２５０℃以
上、より好ましくは５００℃以上に加熱された空間に噴
霧する。このような温度にまで加熱することにより、噴
霧された廃水が蒸発し、さらに廃水中に含まれている有
機化合物がガス化する。また、揮発しにくい高分子の有
機化合物を含む場合であっても、５００℃以上とするこ
とにより、分解してガス化することができる。半導体製
造のフォトエッチングの廃水に含まれる水酸化テトラメ
チルアンモニウムの場合、１３０℃程度でトリメチルア
ミンとメタノールに分解するとともに、ガス化する。
霧して廃水の実質全量をガス化する工程で、具体的に
は、廃水を常圧で１００℃以上、好ましくは２５０℃以
上、より好ましくは５００℃以上に加熱された空間に噴
霧する。このような温度にまで加熱することにより、噴
霧された廃水が蒸発し、さらに廃水中に含まれている有
機化合物がガス化する。また、揮発しにくい高分子の有
機化合物を含む場合であっても、５００℃以上とするこ
とにより、分解してガス化することができる。半導体製
造のフォトエッチングの廃水に含まれる水酸化テトラメ
チルアンモニウムの場合、１３０℃程度でトリメチルア
ミンとメタノールに分解するとともに、ガス化する。
【００２５】尚、加熱温度は、７００℃以下、好ましく
は５５０℃以下とする。７００℃以上の高温に加熱する
ことは、燃料的に不利となるだけだからである。
は５５０℃以下とする。７００℃以上の高温に加熱する
ことは、燃料的に不利となるだけだからである。
【００２６】噴霧された廃水の加熱手段としては、ヒー
タで加熱する方法が最も一般的であるが、高温減圧状態
にした密閉容器内に廃水を噴霧して、ガス化しやすくし
てもよい。また、高温に加熱した気体と噴霧された廃水
とを接触させることによって、ガス化・加熱してもよ
い。ここで、高温に加熱した気体としては、酸化するの
に用いる酸素又は空気であってもよいし、接触酸化工程
から排出される処理済ガスであってもよい。処理済ガス
は、ガス化工程及び酸化反応での発熱により高温となっ
ている場合があるからである。
タで加熱する方法が最も一般的であるが、高温減圧状態
にした密閉容器内に廃水を噴霧して、ガス化しやすくし
てもよい。また、高温に加熱した気体と噴霧された廃水
とを接触させることによって、ガス化・加熱してもよ
い。ここで、高温に加熱した気体としては、酸化するの
に用いる酸素又は空気であってもよいし、接触酸化工程
から排出される処理済ガスであってもよい。処理済ガス
は、ガス化工程及び酸化反応での発熱により高温となっ
ている場合があるからである。
【００２７】接触酸化工程は、廃ガスと、酸素又は空気
とともに触媒に接触させて、酸化することにより行な
う。
とともに触媒に接触させて、酸化することにより行な
う。
【００２８】接触酸化工程で用いられる触媒としては、
チタニア及び／又はチタニア・シリカを含む酸化物（Ａ
成分）；バナジウム，タングステン，モリブデン，セリ
ウムおよび鉄よりなる群から選ばれる少なくとも一種の
元素の酸化物（Ｂ成分）；並びに白金，パラジウム，イ
リジウム，ロジウム，ルテニウム，マンガン，クロムお
よび銅よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の
金属および／または酸化物（Ｃ成分）を含む触媒であ
る。
チタニア及び／又はチタニア・シリカを含む酸化物（Ａ
成分）；バナジウム，タングステン，モリブデン，セリ
ウムおよび鉄よりなる群から選ばれる少なくとも一種の
元素の酸化物（Ｂ成分）；並びに白金，パラジウム，イ
リジウム，ロジウム，ルテニウム，マンガン，クロムお
よび銅よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の
金属および／または酸化物（Ｃ成分）を含む触媒であ
る。
【００２９】上記触媒のうち、とりわけ触媒に対するＡ
成分の含有率が７０〜９９質量％、Ｂ成分の含有率が
０．５〜３０質量％、Ｃ成分の含有率が０．００１〜２
０質量％のものが有効である。
成分の含有率が７０〜９９質量％、Ｂ成分の含有率が
０．５〜３０質量％、Ｃ成分の含有率が０．００１〜２
０質量％のものが有効である。
【００３０】Ａ成分は、触媒の活性及び耐久性を向上さ
せる働きがあり、その含有率が７０質量％未満では触媒
の活性および耐久性が不十分となる場合があり、９９質
量％を超えるときは相対的にＢ成分、Ｃ成分の含有率が
低くなる為に活性が不十分であることが多いからであ
る。またＡ成分は、複合酸化物（チタニア・シリカ）と
して触媒中に含有されているのが好ましい。チタニア・
シリカの方が、チタニア単独よりも活性及び選択性に優
れているからである。一般にＴｉおよびＳｉからなる二
元複合酸化物は、例えば田部浩三（触媒１７巻、Ｎｏ．
３，７２頁，１９７５年）において周知なように、固体
酸性を示す複合酸化物であり、構成元素各々の単独酸化
物ではみられない顕著な酸性質を発現する。また、その
結晶構造は、非晶質もしくは非晶質に近い微細な構造と
なっており、その結果として高表面積、高細孔容積を有
するということが知られている。複合酸化物（チタニア
・シリカ）がより優れた触媒性能をもたらす理由につい
ては未解明な部分が多いが、上記に見られるような特有
の性質により、塩基性ガス吸着性能の向上、Ｂ成分
及びＣ成分の高分散化などが実現されて、チタニア単独
よりも優れた触媒性能を示すと考えられる。
せる働きがあり、その含有率が７０質量％未満では触媒
の活性および耐久性が不十分となる場合があり、９９質
量％を超えるときは相対的にＢ成分、Ｃ成分の含有率が
低くなる為に活性が不十分であることが多いからであ
る。またＡ成分は、複合酸化物（チタニア・シリカ）と
して触媒中に含有されているのが好ましい。チタニア・
シリカの方が、チタニア単独よりも活性及び選択性に優
れているからである。一般にＴｉおよびＳｉからなる二
元複合酸化物は、例えば田部浩三（触媒１７巻、Ｎｏ．
３，７２頁，１９７５年）において周知なように、固体
酸性を示す複合酸化物であり、構成元素各々の単独酸化
物ではみられない顕著な酸性質を発現する。また、その
結晶構造は、非晶質もしくは非晶質に近い微細な構造と
なっており、その結果として高表面積、高細孔容積を有
するということが知られている。複合酸化物（チタニア
・シリカ）がより優れた触媒性能をもたらす理由につい
ては未解明な部分が多いが、上記に見られるような特有
の性質により、塩基性ガス吸着性能の向上、Ｂ成分
及びＣ成分の高分散化などが実現されて、チタニア単独
よりも優れた触媒性能を示すと考えられる。
【００３１】Ｂ成分は触媒の選択性を向上させる働きが
あり、その含有率が０．５質量％未満では触媒の選択性
が不十分であることがあり、３０質量％を越えるときは
活性が不十分であることが多い。
あり、その含有率が０．５質量％未満では触媒の選択性
が不十分であることがあり、３０質量％を越えるときは
活性が不十分であることが多い。
【００３２】Ｃ成分としては、白金，パラジウム，イリ
ジウム，ロジウム、ルテニウム、クロム、マンガン及び
銅からなる群より選ばれる１種以上の金属又はこれらの
酸化物を、合計で０．００１〜２０質量％含有すること
が好ましい。また、Ｃ成分は、白金，パラジウム，イリ
ジウム，ロジウム及びルテニウムからなるグループ（Ｃ
１）と、マンガン，クロムおよび銅からなるグループ
（Ｃ２）に大別することができ、Ｃ成分としてＣ１のグ
ループから選ばれる成分だけを用いる場合には、その含
有率を触媒全体に対して０．００１〜１０質量％とする
ことが好ましい。Ｃ１に属する成分はＣ２に属する成分
と比べて活性が高い反面、１０質量％を越える量を添加
してもコストに見合う活性の向上は望めないからであ
る。一方、Ｃ成分としてＣ２グループから選ばれる成分
だけを用いる場合には、その含有率を触媒全体に対して
１．０〜２０質量％とすることが好ましい。Ｃ２に属す
る成分はＣ１に属する成分よりも活性が劣るため、満足
できる活性を得る為には１．０質量％以上含有させるこ
とが好ましいからである。
ジウム，ロジウム、ルテニウム、クロム、マンガン及び
銅からなる群より選ばれる１種以上の金属又はこれらの
酸化物を、合計で０．００１〜２０質量％含有すること
が好ましい。また、Ｃ成分は、白金，パラジウム，イリ
ジウム，ロジウム及びルテニウムからなるグループ（Ｃ
１）と、マンガン，クロムおよび銅からなるグループ
（Ｃ２）に大別することができ、Ｃ成分としてＣ１のグ
ループから選ばれる成分だけを用いる場合には、その含
有率を触媒全体に対して０．００１〜１０質量％とする
ことが好ましい。Ｃ１に属する成分はＣ２に属する成分
と比べて活性が高い反面、１０質量％を越える量を添加
してもコストに見合う活性の向上は望めないからであ
る。一方、Ｃ成分としてＣ２グループから選ばれる成分
だけを用いる場合には、その含有率を触媒全体に対して
１．０〜２０質量％とすることが好ましい。Ｃ２に属す
る成分はＣ１に属する成分よりも活性が劣るため、満足
できる活性を得る為には１．０質量％以上含有させるこ
とが好ましいからである。
【００３３】このような触媒は、適宜形状に成形して用
いてもよいし、担体に担持させて用いてもよい。
いてもよいし、担体に担持させて用いてもよい。
【００３４】接触酸化工程は、上記触媒を充填した反応
部に、ガス化された廃水と酸素又は空気との混合ガス
を、供給することにより行われる。反応器入口温度は、
１００〜４００℃とすることが好ましい。１００℃未満
では酸化効率が不十分で、未酸化の有機化合物が残存し
得るからである。一方、４００℃以上では窒素含有化合
物の酸化が進みすぎて、窒素酸化物（ＮＯX）を生成し
やすくなり、ＮＯXの後処理が必要となるからである。
尚、接触酸化工程に送られるガスが１００〜４００℃で
あれば、そのまま反応部に導入すればよく、必要とする
温度より低い場合には、再加熱して反応部に導入すれば
よい。
部に、ガス化された廃水と酸素又は空気との混合ガス
を、供給することにより行われる。反応器入口温度は、
１００〜４００℃とすることが好ましい。１００℃未満
では酸化効率が不十分で、未酸化の有機化合物が残存し
得るからである。一方、４００℃以上では窒素含有化合
物の酸化が進みすぎて、窒素酸化物（ＮＯX）を生成し
やすくなり、ＮＯXの後処理が必要となるからである。
尚、接触酸化工程に送られるガスが１００〜４００℃で
あれば、そのまま反応部に導入すればよく、必要とする
温度より低い場合には、再加熱して反応部に導入すれば
よい。
【００３５】接触酸化工程における触媒の空間速度（Ｓ
Ｖ）は、５００〜５００００ｈ-1であることが好まし
く、より好ましくは１０００〜１００００ｈ-1である。
５００ｈ-1未満では処理装置がが大きくなり過ぎて非効
率であり、５００００ｈ-1を越える場合は分解効率が著
しく低下するからである。
Ｖ）は、５００〜５００００ｈ-1であることが好まし
く、より好ましくは１０００〜１００００ｈ-1である。
５００ｈ-1未満では処理装置がが大きくなり過ぎて非効
率であり、５００００ｈ-1を越える場合は分解効率が著
しく低下するからである。
【００３６】ガス化工程で排出された廃ガスは、以上の
ような条件の接触酸化工程で酸化分解されて、窒素ガ
ス、二酸化炭素、水蒸気に変換される。これらの無害な
ガスは、そのまま、大気中に放出することができる。
ような条件の接触酸化工程で酸化分解されて、窒素ガ
ス、二酸化炭素、水蒸気に変換される。これらの無害な
ガスは、そのまま、大気中に放出することができる。
【００３７】処理すべき廃水中には、含窒素有機化合
物、炭化水素類以外に、金属元素（例えばＳｉ）や硫
黄、ガス化工程でも分解されない難分解性有機化合物
（ゴムや熱硬化性樹脂など）が含まれる場合がある。こ
のような物質は、ガス化工程でガス化されないため、ガ
ス化工程から触媒酸化工程に移行する前に、廃ガスから
分離除去しておくことが好ましい。これらの難ガス化成
分は、触媒の被毒物質となって、接触酸化工程での反応
効率を低下させる原因となるからである。
物、炭化水素類以外に、金属元素（例えばＳｉ）や硫
黄、ガス化工程でも分解されない難分解性有機化合物
（ゴムや熱硬化性樹脂など）が含まれる場合がある。こ
のような物質は、ガス化工程でガス化されないため、ガ
ス化工程から触媒酸化工程に移行する前に、廃ガスから
分離除去しておくことが好ましい。これらの難ガス化成
分は、触媒の被毒物質となって、接触酸化工程での反応
効率を低下させる原因となるからである。
【００３８】被毒物質の除去は、前処理剤で除去するこ
とにより行なうことが好ましい。前処理剤としては、ア
ルミナ，シリカ，チタニアおよびジルコニアから選ばれ
る少なくとも１種が好ましく用いられる。これらはペレ
ット状に成形して用いるのが一般的であるが、その形状
は特に限定しない。
とにより行なうことが好ましい。前処理剤としては、ア
ルミナ，シリカ，チタニアおよびジルコニアから選ばれ
る少なくとも１種が好ましく用いられる。これらはペレ
ット状に成形して用いるのが一般的であるが、その形状
は特に限定しない。
【００３９】〔廃水処理装置〕次に、上記本発明の廃水
処理方法を採用した廃水処理装置の実施形態について、
図面に基づいて説明する。尚、以下の図面において、同
符号は同一又は類似の装置を示しており、その説明を省
略する。
処理方法を採用した廃水処理装置の実施形態について、
図面に基づいて説明する。尚、以下の図面において、同
符号は同一又は類似の装置を示しており、その説明を省
略する。
【００４０】図１に示す第１の実施形態の廃水処理装置
は、廃水の実質全量をガス化する手段として噴霧器と加
熱用ヒータの組み合わせを採用したものである。
は、廃水の実質全量をガス化する手段として噴霧器と加
熱用ヒータの組み合わせを採用したものである。
【００４１】すなわち、ガス化部１０は、ガス化手段た
る噴霧器７を備えるとともにヒーター５を周設した密閉
容器１で構成され、ポンプにより廃水、ブロワーにより
噴霧用空気がそれぞれ噴霧器７に送り込まれ、これらを
密閉容器１内で噴霧するようになっている。そして、こ
の密閉容器１の一側には廃ガスの酸化のための空気が導
入される導入口２が開設されていて、他側に、ガス化さ
れた廃水のガスと空気との混合ガスを排出する排出口４
が開設されている。尚、密閉容器１内の温度は、その内
部に設置されている温度センサにより温度を検出し、温
度コントローラ３によりヒータ５を制御することで、廃
水をガス化するのに好適な温度に維持できるようになっ
ている。
る噴霧器７を備えるとともにヒーター５を周設した密閉
容器１で構成され、ポンプにより廃水、ブロワーにより
噴霧用空気がそれぞれ噴霧器７に送り込まれ、これらを
密閉容器１内で噴霧するようになっている。そして、こ
の密閉容器１の一側には廃ガスの酸化のための空気が導
入される導入口２が開設されていて、他側に、ガス化さ
れた廃水のガスと空気との混合ガスを排出する排出口４
が開設されている。尚、密閉容器１内の温度は、その内
部に設置されている温度センサにより温度を検出し、温
度コントローラ３によりヒータ５を制御することで、廃
水をガス化するのに好適な温度に維持できるようになっ
ている。
【００４２】密閉容器１の出側付近には、前処理部とし
て、前処理剤６がセットされている。
て、前処理剤６がセットされている。
【００４３】反応部２０は密閉容器２１に酸化触媒２２
を充填してなり、その入り口２１ａに、ガス化部１０か
ら排出された廃ガスが導入され、出口２１ｂから接触酸
化されたガスが排出されるようになっている。ガス化部
１０の排出口４と反応部２０の入り口との間のガス供給
ラインの中途部には、第２のヒータ（再加熱用ヒータ）
２４が設けられていて、反応部２０に導入するガスの温
度が低くなりすぎた場合に、廃ガスを加熱するようにな
っている。２３は温度コントローラであって、反応部２
０の入り口付近に設置された温度センサにより導入され
る廃ガスの温度を測定し、ガスの温度が低くなった場合
に、再加熱用ヒータ２４をオンして、反応部２０を接触
酸化に好適な温度に維持するようにしている。
を充填してなり、その入り口２１ａに、ガス化部１０か
ら排出された廃ガスが導入され、出口２１ｂから接触酸
化されたガスが排出されるようになっている。ガス化部
１０の排出口４と反応部２０の入り口との間のガス供給
ラインの中途部には、第２のヒータ（再加熱用ヒータ）
２４が設けられていて、反応部２０に導入するガスの温
度が低くなりすぎた場合に、廃ガスを加熱するようにな
っている。２３は温度コントローラであって、反応部２
０の入り口付近に設置された温度センサにより導入され
る廃ガスの温度を測定し、ガスの温度が低くなった場合
に、再加熱用ヒータ２４をオンして、反応部２０を接触
酸化に好適な温度に維持するようにしている。
【００４４】前処理剤６としては、本発明の処理方法で
列挙した前処理剤のいずれか、アルミナ，シリカ，チタ
ニアおよびジルコニアから選ばれる少なくとも１種が用
いられる。また、触媒２２としては、本発明の処理方法
で列挙した触媒のいずれか、すなわちチタニア及び／又
はチタニア・シリカを含む酸化物Ａ成分と、バナジウ
ム，タングステン，モリブデン，セリウムおよび鉄より
なる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物である
Ｂ成分と、白金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，
ルテニウム，マンガン，クロムおよび銅よりなる群より
選ばれる少なくとも一種の金属あるいはその酸化物であ
るＣ成分とを含有した触媒が用いられる。
列挙した前処理剤のいずれか、アルミナ，シリカ，チタ
ニアおよびジルコニアから選ばれる少なくとも１種が用
いられる。また、触媒２２としては、本発明の処理方法
で列挙した触媒のいずれか、すなわちチタニア及び／又
はチタニア・シリカを含む酸化物Ａ成分と、バナジウ
ム，タングステン，モリブデン，セリウムおよび鉄より
なる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物である
Ｂ成分と、白金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，
ルテニウム，マンガン，クロムおよび銅よりなる群より
選ばれる少なくとも一種の金属あるいはその酸化物であ
るＣ成分とを含有した触媒が用いられる。
【００４５】以上のような構成を有する廃水処理装置
は、廃水及び空気がガス化部に供給され、そこで、噴霧
・加熱されて廃水の実質全量がガス化される。導入され
た廃水のうち、ガス化されなかった不揮発成分、例えば
Ｓｉや硫黄や熱硬化性樹脂成分などは、前処理剤で除去
される。不揮発成分が除去されて排出された廃ガスは、
次に反応部に送り込まれ、そこで触媒の作用により、選
択的に酸化されて、窒素ガス、二酸化炭素、水蒸気に変
換されて、排出される。反応部から排出される廃ガス
は、無害であるから、そのまま大気中に排出することが
できる。
は、廃水及び空気がガス化部に供給され、そこで、噴霧
・加熱されて廃水の実質全量がガス化される。導入され
た廃水のうち、ガス化されなかった不揮発成分、例えば
Ｓｉや硫黄や熱硬化性樹脂成分などは、前処理剤で除去
される。不揮発成分が除去されて排出された廃ガスは、
次に反応部に送り込まれ、そこで触媒の作用により、選
択的に酸化されて、窒素ガス、二酸化炭素、水蒸気に変
換されて、排出される。反応部から排出される廃ガス
は、無害であるから、そのまま大気中に排出することが
できる。
【００４６】尚、第１の実施形態において、前処理剤
は、不揮発性成分が少ない場合には、設けられていなく
てもよく、酸化のための酸素又は空気の導入も、ガス化
部１０に送り込むだけでなく、反応部２０へ送り込むよ
うにしてもよい。
は、不揮発性成分が少ない場合には、設けられていなく
てもよく、酸化のための酸素又は空気の導入も、ガス化
部１０に送り込むだけでなく、反応部２０へ送り込むよ
うにしてもよい。
【００４７】次に、図２に基づいて、廃水処理装置の第
２実施形態について説明する。
２実施形態について説明する。
【００４８】ガス化部１０′はガス化手段たる噴霧器７
を備えた密閉容器１で構成され、ポンプにより廃水、ブ
ロアーにより噴霧用空気がそれぞれ噴霧器７に送り込ま
れて、これらを密閉容器１内で噴霧するようになってい
る。密閉容器１の入り側には導入口２が開設されてい
て、ヒータ８により加熱された空気が導入されるように
なっている。
を備えた密閉容器１で構成され、ポンプにより廃水、ブ
ロアーにより噴霧用空気がそれぞれ噴霧器７に送り込ま
れて、これらを密閉容器１内で噴霧するようになってい
る。密閉容器１の入り側には導入口２が開設されてい
て、ヒータ８により加熱された空気が導入されるように
なっている。
【００４９】ヒータ８は温度コントローラ２３により温
度制御されていて、この温度コントローラ２３は、反応
部２０の入り口付近に設置された温度センサにより検知
される廃ガスの温度が接触酸化に好適な温度に維持され
るように、ヒータ８を制御している。
度制御されていて、この温度コントローラ２３は、反応
部２０の入り口付近に設置された温度センサにより検知
される廃ガスの温度が接触酸化に好適な温度に維持され
るように、ヒータ８を制御している。
【００５０】反応部２０は、第１実施形態の場合と同様
である。
である。
【００５１】以上のような構成を有する廃水処理装置に
おいて、廃水及び噴霧用空気が噴霧器７に供給され、噴
霧器７により密閉容器１内に噴霧される。一方、ヒータ
８で加熱された空気が密閉容器１内に供給される。密閉
容器１内で噴霧された廃水は、加熱空気との混合により
昇温して、ガス化する。ガス化部１０′でガス化された
廃液、すなわち廃ガスと空気との混合ガスが密閉容器１
から排出されて反応部２０に導入され、ここで触媒２２
の作用により選択的に酸化され、混合ガスに含まれてい
た含窒素有機化合物が、窒素ガス、二酸化炭素、水蒸気
に変換されて排出される。
おいて、廃水及び噴霧用空気が噴霧器７に供給され、噴
霧器７により密閉容器１内に噴霧される。一方、ヒータ
８で加熱された空気が密閉容器１内に供給される。密閉
容器１内で噴霧された廃水は、加熱空気との混合により
昇温して、ガス化する。ガス化部１０′でガス化された
廃液、すなわち廃ガスと空気との混合ガスが密閉容器１
から排出されて反応部２０に導入され、ここで触媒２２
の作用により選択的に酸化され、混合ガスに含まれてい
た含窒素有機化合物が、窒素ガス、二酸化炭素、水蒸気
に変換されて排出される。
【００５２】第２実施形態の廃水処理装置によれば、反
応部２０の温度制御をガス化部１０′の入り口側に設置
したヒータ８により行なうため、装置がシンプルでコン
パクトなものとなり、さらに制御機構が簡単になるとい
う点で、第１実施形態の廃水処理装置より有利である。
応部２０の温度制御をガス化部１０′の入り口側に設置
したヒータ８により行なうため、装置がシンプルでコン
パクトなものとなり、さらに制御機構が簡単になるとい
う点で、第１実施形態の廃水処理装置より有利である。
【００５３】次に、本発明の廃水処理装置の第３実施形
態を、図３に基づいて説明する。
態を、図３に基づいて説明する。
【００５４】この廃水処理装置は、第２実施形態におい
て、反応部２０より排出されるガス（処理済ガス）が常
温よりも高温であることに鑑み、処理済ガスのもつ熱エ
ネルギーを、ガス化部１０′に導入する酸化用空気の加
熱に利用したものである。すなわち、酸化用空気を加熱
用ヒータ８に導入するラインの中途部に熱交換器９を配
置し、この熱交換器９には、反応部２０から排出される
処理済ガス及び酸化用空気を導入し、昇温した酸化用空
気を加熱用ヒータ８に送り出すとともに、降温した処理
済ガスが外部に排出されるようになっている。
て、反応部２０より排出されるガス（処理済ガス）が常
温よりも高温であることに鑑み、処理済ガスのもつ熱エ
ネルギーを、ガス化部１０′に導入する酸化用空気の加
熱に利用したものである。すなわち、酸化用空気を加熱
用ヒータ８に導入するラインの中途部に熱交換器９を配
置し、この熱交換器９には、反応部２０から排出される
処理済ガス及び酸化用空気を導入し、昇温した酸化用空
気を加熱用ヒータ８に送り出すとともに、降温した処理
済ガスが外部に排出されるようになっている。
【００５５】第３実施形態によれば、排出される処理済
ガスの有する熱エネルギーを有効に利用できるので、酸
化用空気の加熱用ヒータ８の省エネルギーを図ることが
でき、優れている。
ガスの有する熱エネルギーを有効に利用できるので、酸
化用空気の加熱用ヒータ８の省エネルギーを図ることが
でき、優れている。
【００５６】尚、第２及び第３実施形態において、必要
に応じて、前処理剤をガス化部に配置してもよい。ま
た、第１〜３実施形態において、ガス化部の構成部材で
ある密閉容器内に、ガスの拡散、混合を高めるために、
金網をセットしたり、多数のリング状物を充填してもよ
い。
に応じて、前処理剤をガス化部に配置してもよい。ま
た、第１〜３実施形態において、ガス化部の構成部材で
ある密閉容器内に、ガスの拡散、混合を高めるために、
金網をセットしたり、多数のリング状物を充填してもよ
い。
【００５７】
【実施例】〔触媒の調製〕 触媒１；チタニアおよびシリカからなる複合酸化物を、
以下に示す方法で調製した。１０質量％アンモニア水７
００リットルに、スノーテックス−２０（日産化学株式
会社製のシリカゾルで約２０質量％のＳｉＯ2を含有）
２１．３ｋｇを加え、攪拌、混合した後、硫酸チタニル
の硫酸溶液（０．１５２ｋｇ・ＴｉＯ2／リットル、
０．５５ｋｇ・Ｈ2ＳＯ4／リットルに該当）３４０リッ
トルを攪拌しながら徐々に滴下して、ゲル状物を得た。
このゲルを３時間放置した後、ろ過水洗し、続いて１５
０℃で１０時間乾燥し、次いで５００℃で６時間焼成し
た。焼成により得られた粉体の組成（モル比）は、Ｔｉ
Ｏ2：ＳｉＯ2＝４：１であり、ＢＥＴ比表面積は２００
ｍ2／ｇであった。
以下に示す方法で調製した。１０質量％アンモニア水７
００リットルに、スノーテックス−２０（日産化学株式
会社製のシリカゾルで約２０質量％のＳｉＯ2を含有）
２１．３ｋｇを加え、攪拌、混合した後、硫酸チタニル
の硫酸溶液（０．１５２ｋｇ・ＴｉＯ2／リットル、
０．５５ｋｇ・Ｈ2ＳＯ4／リットルに該当）３４０リッ
トルを攪拌しながら徐々に滴下して、ゲル状物を得た。
このゲルを３時間放置した後、ろ過水洗し、続いて１５
０℃で１０時間乾燥し、次いで５００℃で６時間焼成し
た。焼成により得られた粉体の組成（モル比）は、Ｔｉ
Ｏ2：ＳｉＯ2＝４：１であり、ＢＥＴ比表面積は２００
ｍ2／ｇであった。
【００５８】この粉体２０ｋｇに、メタバナジン酸アン
モニウム２．００ｋｇおよびパラタングステン酸アンモ
ニウム０．７７ｋｇを含む１５％モノエタノールアミン
水溶液１２ｋｇを加え、成形助剤として澱粉を加えてニ
ーダーで混練りした後、押出成形機により外寸８０ｍｍ
角，目開き２．８ｍｍ，肉厚０．５ｍｍ，長さ４５０ｍ
ｍのハニカム状に成形した。
モニウム２．００ｋｇおよびパラタングステン酸アンモ
ニウム０．７７ｋｇを含む１５％モノエタノールアミン
水溶液１２ｋｇを加え、成形助剤として澱粉を加えてニ
ーダーで混練りした後、押出成形機により外寸８０ｍｍ
角，目開き２．８ｍｍ，肉厚０．５ｍｍ，長さ４５０ｍ
ｍのハニカム状に成形した。
【００５９】このハニカム成形体を８０℃で乾燥した
後、４５０℃で５時間、空気雰囲気下で焼成した。焼成
後のハニカム成形体の組成（質量比）は、Ｔｉ−Ｓｉ複
合酸化物：Ｖ2Ｏ5：ＷＯ3＝９０：７：３であった。
後、４５０℃で５時間、空気雰囲気下で焼成した。焼成
後のハニカム成形体の組成（質量比）は、Ｔｉ−Ｓｉ複
合酸化物：Ｖ2Ｏ5：ＷＯ3＝９０：７：３であった。
【００６０】この成形体を硝酸パラジウム水溶液に含浸
し、１５０℃で３時間乾燥した後、４５０℃で３時間、
空気雰囲気下で焼成した。得られた触媒の組成（質量
比）は、Ｔｉ−Ｓｉ複合酸化物：Ｖ2Ｏ5：ＷＯ3：Ｐｄ
＝８９．１：６．９：３：１であり、ＢＥＴ比表面積は
１２０ｍ2／ｇ、細孔容積は０．４５ｃｍ3／ｇであっ
た。
し、１５０℃で３時間乾燥した後、４５０℃で３時間、
空気雰囲気下で焼成した。得られた触媒の組成（質量
比）は、Ｔｉ−Ｓｉ複合酸化物：Ｖ2Ｏ5：ＷＯ3：Ｐｄ
＝８９．１：６．９：３：１であり、ＢＥＴ比表面積は
１２０ｍ2／ｇ、細孔容積は０．４５ｃｍ3／ｇであっ
た。
【００６１】触媒２；チタニア・シリカ粉体に代えて、
市販のチタニア粉体（ＢＥＴ表面積３０ｍｇ 2／ｇ）を
用いた以外は触媒１と同様にして、触媒２を得た。得ら
れた触媒２の組成（質量比）は、ＴｉＯ2：Ｖ2Ｏ5：Ｗ
Ｏ3：Ｐｄ＝８９．１：６．９：３：１であり、ＢＥＴ
比表面積は２２ｍ2／ｇ、細孔容積は０．２４ｃｍ3／ｇ
であった。
市販のチタニア粉体（ＢＥＴ表面積３０ｍｇ 2／ｇ）を
用いた以外は触媒１と同様にして、触媒２を得た。得ら
れた触媒２の組成（質量比）は、ＴｉＯ2：Ｖ2Ｏ5：Ｗ
Ｏ3：Ｐｄ＝８９．１：６．９：３：１であり、ＢＥＴ
比表面積は２２ｍ2／ｇ、細孔容積は０．２４ｃｍ3／ｇ
であった。
【００６２】触媒３；１５０ｍ2／ｇの比表面積を持つ
γ−アルミナ粉を、蓚酸水溶液に投入し、スラリー化し
た。このスラリーをハニカム状のコージェライト担体
（外寸１５０ｍｍ角，目開き１．５ｍｍ，肉厚０．３５
ｍｍ，長さ５０ｍｍ）にコーティングし、乾燥、焼成し
て触媒担体を調製した。この触媒担体におけるＡｌ2Ｏ3
含有率は１５質量％であった。硝酸白金を含む水溶液
に、この触媒担体を含浸し、１００℃で乾燥した後、４
５０℃にて３時間空気雰囲気下で焼成して、白金系触媒
を得た。Ｐｔ担持率は、０．１質量％であった。
γ−アルミナ粉を、蓚酸水溶液に投入し、スラリー化し
た。このスラリーをハニカム状のコージェライト担体
（外寸１５０ｍｍ角，目開き１．５ｍｍ，肉厚０．３５
ｍｍ，長さ５０ｍｍ）にコーティングし、乾燥、焼成し
て触媒担体を調製した。この触媒担体におけるＡｌ2Ｏ3
含有率は１５質量％であった。硝酸白金を含む水溶液
に、この触媒担体を含浸し、１００℃で乾燥した後、４
５０℃にて３時間空気雰囲気下で焼成して、白金系触媒
を得た。Ｐｔ担持率は、０．１質量％であった。
【００６３】〔廃水処理〕 実施例１；図１に示す装置において、ガス化部を構成す
る密閉容器内に、直径×長さが５ｍｍ×６ｍｍのＳＵＳ
製リングを、２４０ミリリットル分だけ充填した。ま
た、反応部には、上記で調製した触媒１を１２０ミリリ
ットルを充填した。０．３質量％の水酸化テトラメチル
アンモニウム水溶液をモデル廃水として、下記条件で処
理した。
る密閉容器内に、直径×長さが５ｍｍ×６ｍｍのＳＵＳ
製リングを、２４０ミリリットル分だけ充填した。ま
た、反応部には、上記で調製した触媒１を１２０ミリリ
ットルを充填した。０．３質量％の水酸化テトラメチル
アンモニウム水溶液をモデル廃水として、下記条件で処
理した。
【００６４】空気と噴霧用空気の合計量が標準状態で
２．６リットル／ｍｉｎとなるように流通させているガ
ス化部に、ポンプにより２．７ｇ／ｍｉｎの供給速度で
廃水を連続的に供給して、噴霧器により噴霧した。ガス
化部の温度は温度コントローラによりヒータを制御し
て、３００℃に設定した。反応部の入り口における温度
を、２７５℃、３００℃及び３２５℃に設定し、各温度
について、反応部から排出される処理済ガスの組成を分
析した。尚、反応部における空間速度は、２９８０ｈ-1
に該当する。
２．６リットル／ｍｉｎとなるように流通させているガ
ス化部に、ポンプにより２．７ｇ／ｍｉｎの供給速度で
廃水を連続的に供給して、噴霧器により噴霧した。ガス
化部の温度は温度コントローラによりヒータを制御し
て、３００℃に設定した。反応部の入り口における温度
を、２７５℃、３００℃及び３２５℃に設定し、各温度
について、反応部から排出される処理済ガスの組成を分
析した。尚、反応部における空間速度は、２９８０ｈ-1
に該当する。
【００６５】処理済ガスの分析結果を、表１に示す。表
１中、「ＮＤ」は検出されなかったことを示しており、
ＴＨＣは乾燥ガス中に残存している全炭化水素濃度をメ
タン換算したものであり、ＴＯＣは凝縮液中に含まれる
全有機系炭素濃度である。尚、アンモニアについては湿
りガス換算での濃度であり、その他は乾燥ガス換算での
濃度である。
１中、「ＮＤ」は検出されなかったことを示しており、
ＴＨＣは乾燥ガス中に残存している全炭化水素濃度をメ
タン換算したものであり、ＴＯＣは凝縮液中に含まれる
全有機系炭素濃度である。尚、アンモニアについては湿
りガス換算での濃度であり、その他は乾燥ガス換算での
濃度である。
【００６６】実施例２；触媒１に代えて触媒２を用いた
以外は、実施例１と同様にして廃水処理を行い、処理済
ガスの組成を分析した。結果を表１に示す。
以外は、実施例１と同様にして廃水処理を行い、処理済
ガスの組成を分析した。結果を表１に示す。
【００６７】比較例１；反応器に充填する触媒を触媒３
に変更するとともに、触媒の充填量を１６ミリリットル
に変更した以外は実施例１と同様にして、廃水処理し
た。なお、反応器の温度は、３２５℃とした。
に変更するとともに、触媒の充填量を１６ミリリットル
に変更した以外は実施例１と同様にして、廃水処理し
た。なお、反応器の温度は、３２５℃とした。
【００６８】排出された処理済ガスの分析結果を、表１
に示す。
に示す。
【００６９】
【表１】
【００７０】廃水中の水酸化テトラメチルアンモニウム
は、１３０℃付近でトリメチルアミンおよびメタノール
に分解するが、触媒１，２，３いずれを用いた場合も、
これらは検出されず、反応部で酸化されたことがわか
る。
は、１３０℃付近でトリメチルアミンおよびメタノール
に分解するが、触媒１，２，３いずれを用いた場合も、
これらは検出されず、反応部で酸化されたことがわか
る。
【００７１】触媒３を用いた場合には、ＮＯX、Ｎ2Ｏの
濃度が高く、窒素化合物が窒素酸化物に変換されている
ことがわかる。また、二酸化炭素の濃度から、廃水中の
有機系炭素はほぼ二酸化炭素に酸化されていることがわ
かるが、触媒１，２を用いた場合には、いずれの温度に
おいても一酸化炭素はほとんど検出されなかったが、触
媒３を用いた場合には一酸化炭素が１５ｐｐｍ検出され
た。
濃度が高く、窒素化合物が窒素酸化物に変換されている
ことがわかる。また、二酸化炭素の濃度から、廃水中の
有機系炭素はほぼ二酸化炭素に酸化されていることがわ
かるが、触媒１，２を用いた場合には、いずれの温度に
おいても一酸化炭素はほとんど検出されなかったが、触
媒３を用いた場合には一酸化炭素が１５ｐｐｍ検出され
た。
【００７２】さらに窒素分については、触媒１，２を用
いた場合、３００℃以下ではアンモニアが検出された
が、３２５℃で触媒１を使用した場合にはアンモニアは
検出されず、触媒２を用いた場合に０．７ｐｐｍとなっ
た。また触媒１，２を用いた場合には、ＮＯXは検出さ
れてもわずかな量であり、窒素分のほとんどが窒素ガス
に変換されていた。
いた場合、３００℃以下ではアンモニアが検出された
が、３２５℃で触媒１を使用した場合にはアンモニアは
検出されず、触媒２を用いた場合に０．７ｐｐｍとなっ
た。また触媒１，２を用いた場合には、ＮＯXは検出さ
れてもわずかな量であり、窒素分のほとんどが窒素ガス
に変換されていた。
【００７３】実施例３；図１に示す廃水処理装置におい
て、ガス化部に、前処理剤として、直径５ｍｍの球状の
γ−アルミナ・ペレットを６０ミリリットル充填した。
また、反応部には、触媒１を２８ミリリットル充填し
た。廃水としては、半導体製品製造工場から排出される
廃水を濃縮したもので、表２に示すような組成を有する
ものを用いた。
て、ガス化部に、前処理剤として、直径５ｍｍの球状の
γ−アルミナ・ペレットを６０ミリリットル充填した。
また、反応部には、触媒１を２８ミリリットル充填し
た。廃水としては、半導体製品製造工場から排出される
廃水を濃縮したもので、表２に示すような組成を有する
ものを用いた。
【００７４】空気と噴霧用空気の合計量が標準状態で
２．０リットル／ｍｉｎとなるように流通させているガ
ス化部に、ポンプにより０．４ｇ／ｍｉｎの供給速度で
廃水を連続的に供給して、噴霧器により噴霧した。ガス
化部の温度は温度コントローラによりヒータを制御して
３００℃に設定した。反応部の温度を、３００℃、３２
５℃及び３５０℃に設定し、各温度について、反応部か
ら排出される浄化ガスの組成を分析した。尚、反応部に
おける空間速度は、５４００ｈ-1に該当する。
２．０リットル／ｍｉｎとなるように流通させているガ
ス化部に、ポンプにより０．４ｇ／ｍｉｎの供給速度で
廃水を連続的に供給して、噴霧器により噴霧した。ガス
化部の温度は温度コントローラによりヒータを制御して
３００℃に設定した。反応部の温度を、３００℃、３２
５℃及び３５０℃に設定し、各温度について、反応部か
ら排出される浄化ガスの組成を分析した。尚、反応部に
おける空間速度は、５４００ｈ-1に該当する。
【００７５】処理前の廃水及び反応器から排出された浄
化ガスの分析結果を、表２に示す。表２中、「ＮＤ」は
検出されなかったことを示している。
化ガスの分析結果を、表２に示す。表２中、「ＮＤ」は
検出されなかったことを示している。
【００７６】実施例４；触媒１を触媒２に変更した以外
は実施例３と同様にして廃水を処理し、処理済ガスの組
成を分析した。分析結果を表２に示す。
は実施例３と同様にして廃水を処理し、処理済ガスの組
成を分析した。分析結果を表２に示す。
【００７７】
【表２】
【００７８】触媒１，２いずれを用いても水酸化テトラ
メチルアンモニウムの分解により生成するトリメチルア
ミンおよびメタノールは検出されなかった。
メチルアンモニウムの分解により生成するトリメチルア
ミンおよびメタノールは検出されなかった。
【００７９】３２５℃以上では、ＴＯＣが低くなり、一
酸化炭素が検出されず、炭素分のほとんどが二酸化炭素
に変換されたことがわかる。また、窒素分についても、
３２５℃以上とすることにより、アンモニアの生成が減
少し、ＮＯXは検出されていてもその量は微量であり、
大部分が窒素ガスに変換されたことがわかる。
酸化炭素が検出されず、炭素分のほとんどが二酸化炭素
に変換されたことがわかる。また、窒素分についても、
３２５℃以上とすることにより、アンモニアの生成が減
少し、ＮＯXは検出されていてもその量は微量であり、
大部分が窒素ガスに変換されたことがわかる。
【００８０】また、触媒１を用いて廃水処理を上記条件
で６００時間連続して行なったが、処理性能の低下は認
められず、廃水中に含まれていたＳｉ、Ｓ、Ａｌは前処
理剤で除去され、反応器における触媒の機能を害しなか
ったことを確認できた。
で６００時間連続して行なったが、処理性能の低下は認
められず、廃水中に含まれていたＳｉ、Ｓ、Ａｌは前処
理剤で除去され、反応器における触媒の機能を害しなか
ったことを確認できた。
【００８１】
【発明の効果】本発明の廃水処理方法によれば、廃液中
に含まれている含窒素有機化合物を選択的に酸化分解し
て、ＮＯXやアンモニアの生成を抑制しているので、こ
れらの後処理設備を整備しなくても済む。つまり、廃水
中に含まれる窒素分は無害な窒素ガスに変換され、炭素
分は二酸化炭素に変換されているので、そのまま大気中
に放出することができる。
に含まれている含窒素有機化合物を選択的に酸化分解し
て、ＮＯXやアンモニアの生成を抑制しているので、こ
れらの後処理設備を整備しなくても済む。つまり、廃水
中に含まれる窒素分は無害な窒素ガスに変換され、炭素
分は二酸化炭素に変換されているので、そのまま大気中
に放出することができる。
【００８２】また、本発明の廃水処理装置は、基本的に
は、ガス化部を構成する密閉容器と反応部を構成する密
閉容器からなるので、設備が大型化せず、建設コストが
安くて済む。
は、ガス化部を構成する密閉容器と反応部を構成する密
閉容器からなるので、設備が大型化せず、建設コストが
安くて済む。
【図１】本発明の廃水処理装置の第１実施形態の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】本発明の廃水処理装置の第２実施形態の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図３】本発明の廃水処理装置の第３実施形態の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
１０，１０′ ガス化部 ２０ 反応部 ５ 加熱用ヒータ ６ 前処理剤 ８ 加熱用ヒータ ９ 熱交換器 ２２ 触媒
フロントページの続き (72)発明者 平野 啓二 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 岡村 淳志 兵庫県姫路市網干区興浜字西沖992番地の １ 株式会社日本触媒内 (72)発明者 池田 光明 兵庫県姫路市網干区興浜字西沖992番地の １ 株式会社日本触媒内 (72)発明者 佐野 邦夫 兵庫県姫路市網干区興浜字西沖992番地の １ 株式会社日本触媒内 Ｆターム(参考） 4D034 AA26 CA13 CA21 DA02 4D038 AA08 AB12 BA04 BB02 BB16 4D048 AA17 AB01 BA03X BA06X BA07X BA10X BA19Y BA23X BA25Y BA26Y BA27X BA28Y BA30X BA31Y BA32Y BA33Y BA35Y BA36Y BA41X BA42X BB02 CA01 CC38 CC52 CC54 CD03 4G069 AA03 BA02A BA02B BA04A BA04B BA13B BA20A BA20B BB02A BB02B BB04A BB04B BC31A BC43A BC54A BC54B BC58A BC59A BC60A BC60B BC66A BC70A BC71A BC72A BC72B BC74A BC75A BC75B CA05 CA07 CA11 EA19 EB14Y EB15Y EB17Y EC03Y EC07Y
Claims (13)
- 【請求項１】 含窒素有機化合物を含有する廃水を、加
熱された空間に噴霧して廃水の実質全量をガス化する第
１工程；及び第１工程で得られたガスを、触媒で接触酸
化して、前記含窒素有機化合物を窒素ガス、二酸化炭素
及び水蒸気として排出する第２工程を含む廃水処理方
法。 - 【請求項２】 前記第１工程は、１００℃以上に加熱す
ることにより行なう請求項１に記載の廃水処理方法。 - 【請求項３】 前記触媒は、 チタニア及び／又はチタニア・シリカを含む酸化物Ａ成
分と、 バナジウム，タングステン，モリブデン，セリウムおよ
び鉄よりなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化
物であるＢ成分と、 白金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，ルテニウ
ム，マンガン，クロムおよび銅よりなる群より選ばれる
少なくとも一種の金属あるいはその酸化物であるＣ成分
とを含有している請求項１または２に記載の廃水処理方
法。 - 【請求項４】 第２工程は、１００〜４００℃，空間速
度５００〜５００００ｈ-1で、被処理ガスを供給するこ
とにより行なう請求項１〜３のいずれかに記載の廃水処
理方法。 - 【請求項５】 第１工程でガス化されなかった固形物質
を、除去した後、第２工程を行なう請求項１〜４のいず
れかに記載の廃水処理方法。 - 【請求項６】 前記含窒素有機化合物は、水酸化テトラ
アルキルアンモニウムである請求項１〜５のいずれかに
記載の廃水処理方法。 - 【請求項７】 前記廃水には、レジスト材料の溶解成分
が含まれている請求項１〜６のいずれかに記載の廃水処
理方法。 - 【請求項８】 廃水を噴霧するための噴霧器を有してな
る廃水のガス化手段；廃水が導入され、前記ガス化手段
によりガス化された廃水を排出するガス化部；及び該ガ
ス化部から排出された被処理ガスを接触酸化する触媒が
充填されていて、該触媒により酸化された処理済ガスを
排出する反応部；を備えた廃水処理装置。 - 【請求項９】 さらに、前記ガス化部でガス化されなか
った固形物質を除去する前処理部を含む請求項８に記載
の廃水処理装置。 - 【請求項１０】 前記前処理部には、アルミナ，シリ
カ，チタニアおよびジルコニアから選ばれる少なくとも
１種が充填されている請求項９に記載の廃水処理装置。 - 【請求項１１】 前記触媒は、 チタニア及び／又はチタニア・シリカを含む酸化物Ａ成
分と、 バナジウム，タングステン，モリブデン，セリウムおよ
び鉄よりなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化
物であるＢ成分と、 白金，パラジウム，イリジウム，ロジウム，ルテニウ
ム，マンガン，クロムおよび銅よりなる群より選ばれる
少なくとも一種の金属あるいはその酸化物であるＣ成分
とを含有している請求項８〜１０のいずれかに記載の廃
水処理装置。 - 【請求項１２】 前記ガス化手段は、加熱用ヒータを有
している請求項８〜１１のいずれかに記載の廃水浄化装
置。 - 【請求項１３】 前記ガス化手段は、前記反応部から排
出される排ガスとの熱交換を利用している請求項８〜１
１のいずれかに記載の廃水処理装置。
Priority Applications (6)
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| JP2000114086A JP3655802B2 (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 廃水処理方法及び当該方法を用いた廃水処理装置 |
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| KR1020010019252A KR100546739B1 (ko) | 2000-04-14 | 2001-04-11 | 폐수처리방법 및 이 방법을 이용한 폐수처리장치 |
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| CN01110566A CN1318526A (zh) | 2000-04-14 | 2001-04-12 | 废水处理方法及用于该方法的废水处理装置 |
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| JP2000114086A JP3655802B2 (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 廃水処理方法及び当該方法を用いた廃水処理装置 |
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|---|---|
| JP2001293480A true JP2001293480A (ja) | 2001-10-23 |
| JP3655802B2 JP3655802B2 (ja) | 2005-06-02 |
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|---|---|---|---|
| JP2000114086A Expired - Fee Related JP3655802B2 (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 廃水処理方法及び当該方法を用いた廃水処理装置 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006702A1 (ja) | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Nikki-Universal Co., Ltd. | 有機窒素化合物含有排ガスの浄化用触媒、および同排ガスの浄化方法 |
| US8178063B2 (en) | 2008-01-21 | 2012-05-15 | Sk Innovation Co., Ltd. | Fabrication method of zeolite honeycomb type catalyst for reducing nitrogen oxide |
| CN102642971A (zh) * | 2012-05-03 | 2012-08-22 | 太原理工大学 | 一种焦化废水处理工艺 |
| CN103964622A (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 江苏优士化学有限公司 | 一种工业有机磷废液的综合处理与资源利用方法 |
| CN104402158A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-03-11 | 苏州新协力环保科技有限公司 | 一种用于化学废水的新型净化处理方法 |
| CN106636500A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 中钢集团鞍山热能研究院有限公司 | 一种高炉渣处理焦化污水的方法及装置 |
| CN110605124A (zh) * | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种有机过氧化物催化氧化催化剂及其制备方法和应用 |
| WO2020138327A1 (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 日揮ユニバーサル株式会社 | アンモニア分解用触媒及び排ガスの処理方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4644153B2 (ja) * | 2006-04-20 | 2011-03-02 | 出光興産株式会社 | 水中のトリエチルアミンの回収方法 |
| TWI452620B (zh) * | 2007-08-20 | 2014-09-11 | Chemical Art Technology Inc | Etching apparatus and etching apparatus |
| KR101036880B1 (ko) * | 2010-07-06 | 2011-05-25 | 삼성엔지니어링 주식회사 | 폐수 재이용 장치 및 상기 폐수 재이용 장치에 의해 제조된 재이용수를 이용하는 초순수의 제조방법 |
| CN104045144B (zh) * | 2014-05-27 | 2015-08-26 | 大庆高新区百世环保科技开发有限公司 | 一种强氧化气体湿式接触法处理高浓度化学驱油田采油废水的一体化装置 |
| CN105174581B (zh) * | 2015-09-02 | 2017-09-15 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种含硫气田采出水处理工艺 |
| CN105692991B (zh) * | 2016-01-19 | 2018-02-16 | 东华大学 | 一种高浓度工业有机废液减压释气‑催化碳化制备固态衍生燃料的方法及装置 |
| US10519044B2 (en) * | 2016-12-29 | 2019-12-31 | Noles Intellectual Properties, Llc | Treatment of produced water from a subterranean formation |
| US10494269B2 (en) * | 2016-12-29 | 2019-12-03 | Noles Intellectual Properties, Llc | Treatment of produced water from a subterranean formation |
| CN110817992B (zh) * | 2018-08-10 | 2022-03-29 | 北京化工大学 | 一种高盐废水中有机物的处理方法 |
| CN111396900A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-10 | 浙江工业大学 | 一种微波辅助催化燃烧高浓度油脂废水的装置及工艺 |
| CN111701445A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-25 | 陈宏林 | 一种高盐废水末端固化工艺 |
| CN113929196B (zh) * | 2020-06-29 | 2023-06-06 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种含氮废水的处理方法和应用 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2938654B1 (de) * | 1979-09-25 | 1980-09-18 | Didier Eng | Verfahren zur Vernichtung von Ammoniak in Abwaessern |
| JPH01218684A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 廃水の処理方法 |
| ES2046478T3 (es) * | 1988-08-08 | 1994-02-01 | Chemical Waste Management, Inc. | Procedimiento para el tratamiento catalitico de aguas residuales. |
| US5045288A (en) * | 1989-09-15 | 1991-09-03 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting On Behalf Of Arizona State University | Gas-solid photocatalytic oxidation of environmental pollutants |
| US5145587A (en) * | 1989-12-06 | 1992-09-08 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co., Ltd. | Method for treatment of waste water |
| JPH0691280A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-05 | Osaka Gas Co Ltd | 廃水の処理方法 |
| US5589599A (en) * | 1994-06-07 | 1996-12-31 | Mcmullen; Frederick G. | Pyrolytic conversion of organic feedstock and waste |
| US5635076A (en) * | 1995-02-14 | 1997-06-03 | The Standard Oil Co. | Treatment process for acrylonitrile plant wastewater streams |
| KR970074661A (ko) * | 1996-05-31 | 1997-12-10 | 데이비드 존 운테너 | 아크릴로니트릴 공장 폐수 처리 방법 |
| JPH11333252A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-07 | Babcock Hitachi Kk | 排ガスの脱硝装置 |
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Cited By (12)
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| WO2006006702A1 (ja) | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Nikki-Universal Co., Ltd. | 有機窒素化合物含有排ガスの浄化用触媒、および同排ガスの浄化方法 |
| US8575054B2 (en) | 2004-07-15 | 2013-11-05 | Nikki-Universal Co., Ltd. | Catalyst for purifying organic nitrogen compound-containing exhaust gas and method for purifying the exhaust gas |
| US8178063B2 (en) | 2008-01-21 | 2012-05-15 | Sk Innovation Co., Ltd. | Fabrication method of zeolite honeycomb type catalyst for reducing nitrogen oxide |
| CN102642971A (zh) * | 2012-05-03 | 2012-08-22 | 太原理工大学 | 一种焦化废水处理工艺 |
| CN103964622A (zh) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 江苏优士化学有限公司 | 一种工业有机磷废液的综合处理与资源利用方法 |
| CN104402158A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-03-11 | 苏州新协力环保科技有限公司 | 一种用于化学废水的新型净化处理方法 |
| CN106636500A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 中钢集团鞍山热能研究院有限公司 | 一种高炉渣处理焦化污水的方法及装置 |
| CN110605124A (zh) * | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种有机过氧化物催化氧化催化剂及其制备方法和应用 |
| CN110605124B (zh) * | 2018-06-14 | 2022-08-05 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种有机过氧化物催化氧化催化剂及其制备方法和应用 |
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