JP4541798B2 - 荷電粒子線レンズアレイ、及び該荷電粒子線レンズアレイを用いた荷電粒子線露光装置 - Google Patents
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Description
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する請求項1〜7のいずれかに記載の荷電粒子線レンズアレイを含む補正電子光学系と、前記複数の中間像を露光対象に縮小投影する投影電子光学系と、前記露光対象に投影される前記複数の中間像が前記露光対象上で移動するように偏向する偏向器とを有することを特徴としている。
本発明の実施例に係る電子レンズアレイ500について図面を用いて説明する。図1-1は電子レンズアレイ500の概念図であり、3×3のアレイについて示している。この電子レンズアレイ500は、図中、大きくは、それぞれに複数の開口が形成された上電極521、中電極522、下電極523が順に積層された構造を有する。また、上電極521と一体の上シールド電極524と下電極523と一体の下シールド電極525とが、各開口を列ごとに区切るように配置されている。さらに、凹凸形状又は波型形状を有する絶縁体526が中電極522と上シールド電極524を電気的に絶縁するように設置されている。同様に、絶縁体526は中電極522と下シールド電極525とを絶縁している。絶縁体526の詳細について図1-2に示した。絶縁体526は上シールド電極524若しくは下シールド電極525に平行な溝527を複数有していることを特徴とし、溝527は凹型としている。また、絶縁体526は図1-3に示したように溝527はV型でもよい。上電極521は導電体で形成された薄膜構造であって、開口528が格子状に(縦横の仮想直線の各交点に中心を合わせて)複数配されている。また下電極523も同様の構成を有し、上電極521の開口528と同一位置に複数の開口514が形成されている。中電極522は、列(y軸方向)ごとに電気的に独立した(絶縁された)電極群である。また、上電極521の開口528と同一位置に複数の開口510が形成されている。各電極の開口の位置を平面上で一致させることで、各開口に電子ビームEBを通すことができる。また、上シールド電極524と上電極521、下シールド電極525と下電極523は、それぞれ一体となっており、電気的に導通し、それぞれ同電位になるよう構成されている。上電極521と下電極523とは電気的に接地される。また、中電極522は、A列、B列及びC列の各列ごとに独立に電圧印加手段515を有する。
まず、中電極522の作製方法について図2-1におけるA−A’断面図である図3-1(a)〜(f)及び図3-2(g)〜(k)を用いて説明する。ここでも簡単のため1×2のアレイについて説明する。例えば、以下の(1)〜(11)に示す工程を行うことにより作製する。
本発明の実施例2として上記実施例1に係る電子レンズアレイを適用可能な電子ビーム露光装置について説明する。
次に、図13を参照して、上述した本実施例に係る電子ビーム露光装置の露光動作について説明する。
1:電子銃、2:コンデンサーレンズ、3:補正電子光学系、4:縮小電子光学系、5:ウエハ、6:偏向器、7:ダイナミックフォーカスコイル、8:ダイナミックスティグコイル、9:θ-Zステージ、10:ステージ基準板、11:XYステージ、12:反射電子検出器、13:ファラデーカップ、21,22:ユニポテンシャルレンズ、31:基板、32:ブランキング電極、41,43:第1投影レンズ、42,44:第2投影レンズ、111:BA制御回路、112:LAU制御回路、113:D_STIG制御回路、114:D_FOCUS制御回路、115:偏向制御回路、116:光学特性制御回路、117:ステージ駆動制御回路、120:制御系、121:メモリ、122:インターフェース、123:CPU、300:電子レンズアレイ、301:電極、302:ファイバ、303:シールド電極、400:電子レンズアレイ、401:電極、403:シールド電極、500:電子レンズアレイ、501:基板、502:電極層、503:電極層、504:導電体、507:二酸化シリコン、508:フィルムレジスト、509:二酸化シリコン、510:フィルムレジスト、514:開口、515:電圧印加手段、521:上電極、522:中電極、523:下電極、524:上シールド電極、525:下シールド電極、526:絶縁体、527:溝、528:開口、529:接合層、531:開口、601:基板、603:電極層、604:デバイス層、605:支持層、606:BOX層、607:二酸化シリコン、608:レジスト、628:接合バンプ、631:貫通口。
Claims (10)
- 複数の開口をそれぞれ有する上電極、中電極および下電極を順に配置してなる荷電粒子線レンズアレイにおいて、
前記上電極と前記中電極の間及び前記中電極と前記下電極の間の少なくとも一方に配置された絶縁体を有し、
前記絶縁体の表面が凹凸形状または波型形状をしていることを特徴とする荷電粒子線レンズアレイ。 - 前記中電極が、前記開口の列ごとに電気的に独立であることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
- 前記凹凸形状または前記波型形状のアスペクト比が2以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
- 前記上電極および前記下電極の少なくともいずれかの電極が前記開口の列ごとにシールド電極を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
- 前記シールド電極が円筒形状をしていることを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
- 前記シールド電極が前記上電極および前記下電極の少なくともいずれかの電極と電気的に導通していることを特徴とする請求項4または5に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
- 前記上電極及び前記下電極の少なくともいずれかの電極が、SOI基板からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
- 荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する請求項1〜7のいずれか一項に記載の荷電粒子線レンズアレイを含む補正電子光学系と、
前記複数の中間像を露光対象に縮小投影する投影電子光学系と、
前記露光対象に投影される前記複数の中間像が前記露光対象上で移動するように偏向する偏向器とを有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 複数の開口をそれぞれ有する上電極、中電極および下電極を順に配置してなる荷電粒子線レンズアレイの作成方法において、
前記上電極と前記中電極の間及び前記中電極と前記下電極の間の少なくとも一方に配置された絶縁体の表面が凹凸形状または波型形状をしており、
前記上電極と前記中電極と前記下電極とをそれぞれ形成する工程と、
前記上電極と前記中電極と前記下電極とを接合して一体とする工程とを有することを特徴とする荷電粒子線レンズアレイの作製方法。 - 請求項8に記載の露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
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