JP2001168016A - 荷電粒子線露光装置と露光システム及びそれらの制御方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

荷電粒子線露光装置と露光システム及びそれらの制御方法及びデバイス製造方法

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JP2001168016A
JP2001168016A JP35348299A JP35348299A JP2001168016A JP 2001168016 A JP2001168016 A JP 2001168016A JP 35348299 A JP35348299 A JP 35348299A JP 35348299 A JP35348299 A JP 35348299A JP 2001168016 A JP2001168016 A JP 2001168016A
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charged particle
particle beam
pattern
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Masato Muraki
真人 村木
Takasumi Yui
敬清 由井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】露光処理のスループットを維持しながら、近接
効果による悪影響をより効果的に排除することを可能と
し、微細なパターンを、荷電粒子線を用いて正確に基板
上に描画することを可能とする。 【解決手段】電子光学系による収差が所定量以下となる
範囲内に納まる大きさを有する要素露光領域（ＥＦ）を
複数の部分領域に分割し、該複数の部分領域毎の荷電粒
子線の照射量が設定された露光情報に基づいて、電子ビ
ームによって基板にパターンを描画する。ここで、各部
分領域は露光情報に含まれる照射量でもって対応する部
分領域の全体が連続して走査露光され、この部分領域毎
の走査露光を、当該要素露光領域内の全ての部分領域に
ついて順次実行させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線露光装
置及びその制御方法に係り、特に、荷電粒子線によって
基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置及びその
制御方法、並びに、該制御方法によって制御された荷電
粒子線露光装置を利用するデバイスの製造方法，及び該
荷電粒子線露光装置を有する露光システムとその制御方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線露光装置として、例えば電子
ビーム露光装置やイオンビーム露光装置等がある。荷電
粒子線露光装置は、例えば、半導体集積回路、半導体集
積回路を製造するためのマスク或いはレチクル、ＬＣＤ
等の表示装置等を形成するための基板（例えば、ウェ
ハ、ガラスプレート等）上に所望のパターンを描画する
ために使用される。
【０００３】一般に荷電粒子線露光においては、露光す
べきバターンを複数の要素露光領域に分割し、この要素
露光領域内で荷電粒子によるラスター走査によるパター
ンの描画を行う。ここで、要素露光領域の大きさは、当
該装置の電子光学系による収差の影響が少ない範囲で、
露光処理のスループットを上げるために極力大きく設定
される。
【０００４】荷電粒子線を用いてウエハ上にパターン形
成を行う場合、ウエハに照射した荷電粒子がレジスト中
及び基板で散乱することにより設計通りのパターンが得
られなくなるという、いわゆる近接効果の問題があるこ
とが知られている。この近接効果の影響により、描画密
度が低い部分の細いパターン（例えば、孤立した細いパ
ターン）ではパターンが設計値より細くなってしまい、
また、描画密度が高い部分のパターン（例えば大きなパ
ターンに挟まれたパターン）では分離されるべきパター
ンがつながってしまうということが生じる。
【０００５】そこで、描画パターンに応じて上述の近接
効果の影響を排除するように照射量（ドーズ量）を制御
しながら，各要素露光領域にパターンを描画する方法が
採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法の一例とし
て、１ドット毎の照射量を制御しながらパターンの描画
を行う方法がある。しかしながら、この方法では、１ド
ットを描画する毎に照射量の設定動作を行うことにな
り、露光処理のスループットが実用的ではなくなってし
まう。
【０００７】このような問題に対処するためには、図９
に示すように、要素露光領域を更に細かい部分領域に分
割して、各部分領域毎にドーズ量を設定することが考え
られる。例えば、図９に示すように、要素露光領域を４
つの部分領域９１〜９４に分けて、それぞれの部分領域
についてドーズ量を設定する（Dose(1)、Dose(2)、Dose
(3)、Dose(4)）ことが考えられる。
【０００８】ところが、この場合も依然としてスループ
ットは低いものとなってしまう。すなわち、図示からも
明らかなように一本の走査線が２つの部分領域にまたが
るので、例えば１番目の走査の途中でドーズ量を変更し
（Dose(1)からDose(2)へ変更）、更に２番目の走査の開
始時に再びドーズ量をもとに戻す（Dose(2)からDose(1)
へ戻す）といった処理が必要となる。
【０００９】このように、要素露光領域を更に分割した
部分領域毎にドーズ量を設定しようとしても、頻回にド
ーズ量を変更する必要が生じてしまい、照射量を切り換
えるためのブランカ制御回路へのデータ転送やデータの
設定（セットリング）に要する時間が増加し、露光処理
のスループットの大幅な低下を招くことになる。
【００１０】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、露光処理のスループットを維持しながら、近
接効果による悪影響をより効果的に排除することが可能
な荷電粒子露光装置及びその制御方法を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の一態様による荷電粒子線露光装置は例えば
以下の構成を備える。すなわち、電子光学系による収差
が所定量以下となる範囲内に納まる大きさを有する要素
露光領域を複数の部分領域に分割し、該複数の部分領域
毎の荷電粒子線の照射量が設定された露光情報に基づい
て、荷電粒子線によって基板にパターンを描画する荷電
粒子線露光装置であって、前記露光情報に含まれる照射
量でもって対応する部分領域の全体を連続して走査露光
してパターンを描画する走査露光手段と、前記走査露光
手段による走査露光を、前記要素露光領域内の全ての部
分領域について順次実行させて、当該要素露光領域にパ
ターンを描画する実行手段とを備える。
【００１２】また、上記の目的を達成するための本発明
の他の態様による露光システムは例えば以下の構成を備
える。すなわち、露光情報に基づいて、荷電粒子線によ
って基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置を有
した露光システムであって、前記電子光学系による収差
が所定量以下となる範囲内に納まる大きさを有する要素
露光領域を複数の部分領域に分割し、該複数の部分領域
毎の荷電粒子線の照射量を描画パターンに基づいて決定
する決定手段と、前記部分領域の各々に関して、前記決
定手段で決定された照射量と描画パターンを含む露光情
報を前記荷電粒子露光装置に提供する提供手段と、前記
露光情報に含まれる照射量でもって対応する部分領域の
全体を連続して走査露光してパターンを描画する走査露
光手段と、前記走査露光手段による走査露光を、前記要
素露光領域内の全ての部分領域について順次実行させ
て、当該要素露光領域にパターンを描画する実行手段と
を備える。
【００１３】また、上記の目的を達成するための本発明
の他の態様による荷電粒子露光装置の制御方法は例えば
以下の工程を備える。すなわち、電子光学系による収差
が所定量以下となる範囲内に納まる大きさを有する要素
露光領域を複数の部分領域に分割し、該複数の部分領域
毎の荷電粒子線の照射量が設定された露光情報に基づい
て、荷電粒子線によって基板にパターンを描画する荷電
粒子線露光装置の制御方法であって、前記露光情報に含
まれる照射量でもって対応する部分領域の全体を連続し
て走査露光してパターンを描画する走査露光工程と、前
記走査露光工程による走査露光を、前記要素露光領域内
の全ての部分領域について順次実行させて、当該要素露
光領域にパターンを描画する実行工程とを備える。
【００１４】また、上記の目的を達成するための本発明
の他の態様による露光システムの制御法法は例えば以下
の工程を備える。すなわち、露光情報に基づいて、荷電
粒子線によって基板にパターンを描画する荷電粒子線露
光装置を有した露光システムの制御方法であって、前記
電子光学系による収差が所定量以下となる範囲内に納ま
る大きさを有する要素露光領域を複数の部分領域に分割
し、該複数の部分領域毎の荷電粒子線の照射量を描画パ
ターンに基づいて決定する決定工程と、前記部分領域の
各々に関して、前記決定工程で決定された照射量と描画
パターンを含む露光情報を前記荷電粒子露光装置に提供
する提供工程と、前記露光情報に含まれる照射量でもっ
て対応する部分領域の全体を連続して走査露光してパタ
ーンを描画する走査露光工程と、前記走査露光工程によ
る走査露光を、前記要素露光領域内の全ての部分領域に
ついて順次実行させて、当該要素露光領域にパターンを
描画する実行工程とを備える。
【００１５】また、上記の目的を達成する本発明によれ
ば、上記記載の制御方法によって荷電粒子線露光装置を
制御しながら、基板にパターンを描画する工程を含むデ
バイスの製造方法が提供される。
【００１６】
【発明の実施の形態】この実施の形態では、荷電粒子線
露光装置の一例として、電子ビーム露光装置について説
明する。ただし、本発明は、電子ビーム露光装置のみな
らず、例えばイオンビーム露光装置等にも適用すること
ができる。
【００１７】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
電子ビーム露光装置の概略図である。図１において、１
は、カソード１ａ、グリッド１ｂ、アノード１ｃを含む
電子銃である。カソード１ａから放射された電子は、グ
リッド１ｂとアノード１ｃとの間に、電子源ＥＳとして
のクロスオーバ像を形成する。
【００１８】電子源ＥＳから放射される電子は、コンデ
ンサーレンズ２を介して要素電子光学系アレイ３に照射
される。このコンデンサーレンズ２は、例えば３枚の開
口電極で構成される。
【００１９】要素電子光学系アレイ３は、図２（Ｂ）に
示すように、電子銃１側から光軸ＡＸに沿って順に配置
されたアパーチャアレイＡＡ、ブランカアレイＢＡ、要
素電子光学系アレイユニットＬＡＵ、ストッパアレイＳ
Ａで構成される。なお、要素電子光学系アレイ３の詳細
については後述する。
【００２０】要素電子光学系アレイ３は、電子源ＥＳの
中間像を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学
系４によってウェハ等の基板５上に縮小投影される。こ
れにより、基板５上には、同一の形状を有する複数の電
子源像が形成される。要素電子光学系アレイ３は、複数
の中間像が縮小電子光学系４を介して基板５上に縮小投
影される際に発生する収差を補正するように、該複数の
中間像を形成する。
【００２１】縮小電子光学系４は、第１投影レンズ４１
と第２投影レンズ４２とからなる対称磁気ダブレット及
び第１投影レンズ４３と第２投影レンズ４４とからなる
対称磁気ダブレットで構成される。第１投影レンズ４１
（４３）の焦点距離をｆ１、第２投影レンズ４２（４
４）の焦点距離をｆ２とすると、この２つのレンズ間の
距離はｆ１＋ｆ２である。
【００２２】光軸ＡＸ上の物点は、第１投影レンズ４１
（４３）の焦点位置にあり、その像点は第２投影レンズ
４２（４４）の焦点に結ぶ。この像は−ｆ２／ｆ１に縮
小される。また、この露光装置１００では、２つのレン
ズ磁界が互いに逆方向に作用する様に決定されているの
で、理論上は、球面収差、等方性非点収差、等方性コマ
収差、像面湾曲収差、軸上色収差の５つの収差を除い
て、他のザイデル収差および回転と倍率に関する色収差
が打ち消される。
【００２３】６は、要素電子光学系アレイ３からの複数
の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像を基板５上
でＸ、Ｙ方向に略同一の変位量だけ変位させる偏向器で
ある。偏向器６は、図示はされていないが、偏向幅が広
い場合に用いられる主偏向器と、偏向幅が狭い場合に用
いられる副偏向器で構成されている。主偏向器は電磁型
偏向器で、副偏向器は静電型偏向器である。
【００２４】７は、偏向器６を作動させた際に発生する
偏向収差による電子源像の焦点位置のずれを補正するダ
イナミックフォーカスコイルであり、８は、偏向により
発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックス
ティグコイルである。
【００２５】９は、基板５を載置し、光軸ＡＸ(Ｚ軸）
方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Ｚステージ
であって、ステージ基準板１０が固設されている。
【００２６】１１は、θ-Ｚステージを載置し、光軸Ａ
Ｘ(Ｚ軸）と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステー
ジである。
【００２７】１２は、電子ビームによってステージ基準
板１０上のマークが照射された際に生じる反射電子を検
出する反射電子検出器である。
【００２８】次に、図２（Ａ）及び（Ｂ）を参照して要
素電子光学系アレイ３の構成について説明する。前述し
たように、要素電子光学系アレイ３は、アパーチャアレ
イＡＡ、ブランカアレイＢＡ、要素電子光学系アレイユ
ニットＬＡＵ、ストッパアレイＳＡで構成される。図２
（Ａ）は、電子銃１側から要素電子光学系アレイ３を見
た図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ’断面
図である。
【００２９】アパーチャアレイＡＡは、図２（Ａ）に示
すように、基板に複数の開口を設けた構造を有し、コン
デンサーレンズ２からの電子ビームを複数の電子ビーム
に分割する。
【００３０】ブランカアレイＢＡは、アパーチャアレイ
ＡＡで形成された各電子ビームを個別に偏向させる偏向
器を一枚の基板上に複数形成したものである。図３は、
ブランカアレイＢＡに形成された１つの偏向器を抜き出
して示した図である。ブランカアレイＢＡは、複数の開
口ＡＰが形成された基板３１と、開口ＡＰを挟んだ一対
の電極で構成され、偏向機能を有するブランカ３２と、
ブランカ３２を個別にオン・オフさせるための配線Ｗと
を有する。図４は、ブランカアレイＢＡを下方から見た
図である。
【００３１】要素電子光学系アレイユニットＬＡＵは、
同一平面内に複数の電子レンズが２次元的に配列して形
成された電子レンズアレイである第１電子光学系アレイ
ＬＡ１及び第２電子光学系アレイＬＡ２で構成される。
【００３２】図５は、第１電子光学系アレイＬＡ１を説
明する図である。第１電子レンズアレイＬＡ１は、各
々、複数の開口に対応するドーナツ状電極が複数配列さ
れた上部電極板ＵＥ、中間電極板ＣＥ及び下部電極板Ｌ
Ｅの３枚を有し、絶縁物を介在させて、これらの３枚の
電極板を積層した構造を有する。
【００３３】ＸＹ座標が互いに等しい上部、中間及び下
部電極板のドーナツ状電極は、一つの電子レンズ（いわ
ゆるユニポテンシャルレンズ）ＵＬを構成する。各電子
レンズＵＬの上部電極板のドーナツ状電極は、共通の配
線Ｗ１によりＬＡＵ制御回路１１２に接続され、各電子
レンズＵＬの下部電極板のドーナツ状電極は、共通の配
線Ｗ３によりＬＡＵ制御回路１１２に接続されている。
上部電極板のドーナツ状電極及び下部電極板のドーナツ
状電極の間には、電子ビームの加速電位が印加される。
各電子レンズの中間電極板のドーナツ状電極には、個別
の配線Ｗ２を介してＬＡＵ制御回路１１２から適切な電
位が供給される。これにより、各電子レンズの電子光学
的パワー（焦点距離）を所望の値に設定することができ
る。
【００３４】第２電子光学系アレイＬＡ２も、第１電子
光学系アレイＬＡ１と同様の構造及び機能を有する。
【００３５】図２（Ｂ）に示すように、要素電子光学系
アレイユニットＬＡＵでは、ＸＹ座標が互いに等しい第
１電子レンズアレイＬＡ１の電子レンズと第２電子レン
ズアレイＬＡ２の電子レンズとで一つの要素電子光学系
ＥＬが構成される。
【００３６】アパーチャアレイＡＡは、各要素電子光学
系ＥＬの略前側焦点位置に位置する。従って、各要素電
子光学系ＥＬは、その略後側焦点位置に、分割された各
電子ビームにより電子源ＥＳの中間像を形成する。ここ
で、中間像が縮小電子光学系４を介して基板５に縮小投
影される際に発生する像面湾曲収差を補正するように、
要素電子光学系ＥＬ毎に、中間電極板のドーナツ状電極
に印加する電位を調整することにより電子レンズの電子
光学的パワーを調整し、中間像形成位置が調整される。
【００３７】ストッパアレイＳＡは、アパーチャアレイ
ＡＡと同様に、基板に複数の開口が形成された構造を有
する。ブランカアレイＢＡで偏向された電子ビームは、
その電子ビームに対応したストッパアレイＳＡの開口の
外に照射され、基板によって遮られる。
【００３８】次に、図６を用いて要素電子光学系アレイ
３の機能について説明する。電子源ＥＳから放射される
電子はコンデンサーレンズ２を通過し、これにより略平
行な電子ビームが形成される。そして、略平行な電子ビ
ームは、複数の開口を有するアパーチャアレイＡＡによ
って、複数の電子ビームに分割される。分割された電子
ビームの各々は要素電子光学系ＥＬ１〜ＥＬ３に入射
し、各要素電子光学系の略前側焦点位置に電子源ＥＳの
中間像ｉｍｇ１〜ｉｍｇ３を形成する。そして、各中間
像は、縮小電子光学系４を介して被露光面である基板５
に投影される。
【００３９】ここで、複数の中間像が被露光面に投影さ
れる際に発生する像面歪曲収差（縮小電子光学系４の光
軸方向における、基板上５の実際の結像位置と理想結像
位置とのずれ）を補正するために、前述のように、複数
の要素電子光学系の光学特性を個別に設定し、光軸方向
の中間像形成位置を要素電子光学系毎に異ならせてい
る。
【００４０】また、ブランカアレイＢＡのブランカＢ１
〜Ｂ３と、ストッパアレイＳＡのストッパＳ１〜Ｓ３と
によって、各電子ビームを基板５上に照射させるか否か
が個別に制御される。なお、図６では、ブランカＢ３が
オンしているため、中間像ｉｍｇ３を形成すべき電子ビ
ームは、ストッパアレイＳＡの開口Ｓ３を通過せず、ス
トッパアレイＳＡの基板により遮断される。
【００４１】図７は、図１に示す電子ビーム露光装置１
００の制御系の構成を示す図である。ＢＡ制御回路１１
１は、ブランカアレイＢＡの各ブランカのオン・オフを
個別に制御する制御回路、ＬＡＵ制御回路１１２は、レ
ンズアレイユニットＬＡＵを構成する電子レンズＥＬの
焦点距離を制御する制御回路、Ｄ＿ＳＴＩＧ制御回路１
１３は、ダイナミックスティグコイル８を制御して縮小
電子光学系４の非点収差を補正するための制御回路、
Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路１１４は、ダイナミックフォー
カスコイル７を制御して縮小電子光学系４のフォーカス
を調整するための制御回路、偏向制御回路１１５は、偏
向器６を制御する制御回路、光学特性制御回路１１６
は、縮小電子光学系４の光学特性（倍率、歪曲）を調整
する制御回路である。反射電子検出回路１１７は、反射
電子検出器１２からの信号より反射電子量を演算する回
路である。
【００４２】ステージ駆動制御回路１１８は、θ−Ｚス
テージ９を駆動制御すると共に、ＸＹステージ１１の位
置を検出するレーザ干渉計ＬＩＭと共同してＸＹステー
ジ１１を駆動制御する制御回路である。
【００４３】副制御部１２０は、メモリ１２１に格納さ
れた露光制御データをインターフェース１２２を介して
読み出して、これに基づいて制御回路１１１〜１１６及
び１１８を制御すると共に、反射電子検出回路１１７を
制御する。主制御部１２３は、この電子ビーム露光装置
１００の全体を統括的に制御する。
【００４４】次に、図７を参照しながら図１に示す電子
ビーム露光装置１００の概略的な動作を説明する。
【００４５】副制御部１２０は、メモリ１２１から露光
制御データを読み出して、該露光制御データから偏向器
６を制御するための制御データとして偏向制御データ
（主偏向器基準位置、副偏向器基準位置、主偏向ステー
ジ追従データ、偏向制御データ）を抽出して偏向制御回
路１１５に提供すると共に、該露光制御データからブラ
ンカアレイＢＡの各ブランカを制御するための制御デー
タとしてブランカ制御データ（例えば、ブランカのオン
オフを制御するドット制御データ、部分露光量生き毎の
ドーズ量を制御するドーズ制御データ）を抽出してＢＡ
制御回路１１１に提供する。
【００４６】偏向制御回路１１５は、偏向制御データに
基づいて偏向器６を制御し、これにより複数の電子ビー
ムを偏向させ、これと同時に、ＢＡ制御回路１１１は、
ブランカアレイＢＡの各ブランカを制御し、これにより
基板５に描画すべきパターンに応じてブランカをオン・
オフさせる。また、基板５にパターンを描画するために
複数の電子ビームにより基板５を走査する際、ＸＹステ
ージ１１はｙ方向に連続的に駆動され、このＸＹステー
ジ１１の移動に追従するように、複数の電子ビームが偏
向器６によって偏向される。
【００４７】各電子ビームは、図８に示すように、基板
５上の対応する要素露光領域（ＥＦ）を単位として走査
露光する。この電子ビーム露光装置は、各電子ビームに
よる要素露光領域（ＥＦ）が２次元に隣接するように設
計されており、複数の要素露光領域（ＥＦ）で構成され
るサブフィールド（ＳＦ）が１度に露光される。なお、
図８に示す例では、１つの要素露光領域（ＥＦ）は、８
×８要素のマトリックスで構成される。このマトリック
スの各要素は、偏向器６により偏向された電子ビームが
基板５に照射される領域（位置）を示している。換言す
ると、８×８要素のマトリックスからなる１つの要素露
光領域（ＥＦ）は、１つの電子ビームにより走査露光さ
れる。尚、要素露光領域内における走査露光の形態につ
いては後述する。
【００４８】副制御部１２０は、１つのサブフィールド
（ＳＦ１）が露光された後、次のサブフィールド（ＳＦ
２）が露光されるように、偏向制御回路１１５に命じ
て、偏向器６によって、走査露光時のＸＹステージ１１
の走査方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）に複数
の電子ビームを偏向させる。
【００４９】このようなサブフィールドの切り換えに伴
って、各電子ビームが縮小電子光学系４を介して縮小投
影される際の収差も変化する。そこで、副制御部１２０
は、ＬＡＵ制御回路１１２、 Ｄ＿ＳＴＩＧ制御回路１
１３及びＤ＿ＦＯＣＵＳ制御回路１１４に命じて、変化
した収差を補正するように、レンズアレイユニットＬＡ
Ｕ、ダイナミックスティグコイル８及びダイナミックフ
ォーカスコイル７を調整する。
【００５０】サブフィールドの切り換え後、再度、複数
の電子ビームにより各々対応する要素露光領域（ＥＦ）
の露光を実行することにより、２つ目のサブフィールド
（ＳＦ２）が露光される。この様にして、図８に示すよ
うに、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ６の露光を順次実行
することにより、走査露光時のＸＹステージ１１の走査
方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）に並ぶサブフ
ィールドＳＦ１〜ＳＦ６で構成されるメインフィールド
（ＭＦ）の露光が完了する。
【００５１】このようにして図８に示す１つ目のメイン
フィールド（ＭＦ１）の露光が完了した後、副制御部１
２０は、偏向制御回路１１５に命じて、順次、ＸＹステ
ージ１１の走査方向（ｙ方向）に並ぶメインフィールド
（ＭＦ２、ＭＦ３、ＭＦ３、ＭＦ４・・・）に複数の電子
ビームを偏向させてると共に露光を実行する。これによ
り、図８に示すように、メインフィールド（ＭＦ２、Ｍ
Ｆ３、ＭＦ３、ＭＦ４・・・）で構成されるストライプ領
域（ＳＴＲＩＰＥ１）の露光が実行される。
【００５２】次いで、副制御部１２０は、ステージ駆動
制御回路１１８に命じてＸＹステージ１１をｘ方向にス
テップ移動させ、次のストライプ領域（ＳＴＲＩＰＥ
２）の露光を実行する。
【００５３】次に、各要素露光領域における走査露光の
制御について説明する。図１０は本実施形態による走査
露光順序を説明する図である。本実施形態では、図１０
に示されるように、各要素露光領域を４つの部分領域１
０１〜１０４に分割し、各部分領域毎にドーズ量を設定
する。なお、本例では、要素露光領域を４つに分割する
例を示すが、分割数はこれに限られるものではない。た
だし、各部分領域の大きさは、近接効果の影響を効果的
に排除するために、電子ビームの後方散乱径を有する円
よりも小さいことが好ましい。そして、各部分領域に対
するドーズ量を後述の手順により決定し、決定されたド
ーズ量で個々の部分領域の走査露光を連続して実行し、
当該部分領域内のパターン描画を完了させる。すなわ
ち、走査露光は部分領域を単位として部分領域毎に描画
を完結させ、そのドーズ量も部分領域毎に設定される。
【００５４】本実施形態では、図１０に示されるよう
に、部分領域（本実施形態では８×８ドットの要素露光
領域を４分割しているので４×４ドットの領域となる）
が、電子ビームによってラスタ走査されて（ｘ方向を主
走査方向、ｙ方向を副走査方向とする）、パターンが描
画される。この、各部分領域内の走査露光は、上述した
ようにＸＹステージ１１をｙ方向に移動させながら行
う。
【００５５】以上の処理を当該要素露光領域内の全ての
部分領域に対して設定されたドーズ量で順次実行し、当
該要素露光領域内の描画を完了させる。このとき、処理
対象とする部分領域の選択順序は、図１０においてDose
(1)の部分領域１０１→Dose(2)の部分領域１０２→Dose
(3)の部分領域１０３→Dose(4)の部分領域１０４という
順序で部分領域を選択し、走査露光を完了させていくの
が好ましい。すなわち、電子ビームのラスタ走査と同様
に、ｘ方向に連続する部分領域を順次に選択し、これを
ｙ方向に繰り返すのが好ましい。なお、本明細書におい
て、このような選択順序をラスタ順次による選択と称す
る。
【００５６】次に、近接効果補正のために行われるドー
ズ量（電子ビームの照射量）の決定方法について以下説
明する。
【００５７】本実施形態では、近接効果補正を行うため
に公知の技術である面積密度マップ法若しくは代表図形
法を応用する。なお、本実施形態では、露光制御データ
（ドット制御データ及びドーズ量制御データを含む）は
外部の情報処理装置によって生成され、電子ビーム露光
装置に提供される。
【００５８】図１８は、本発明の好適な実施の形態に係
る露光システムの構成を示す図である。この露光システ
ムは、図１に示す電子ビーム露光装置１００と、情報処
理装置２００とを通信ケーブル２１０で接続してなる。
情報処理装置２００は、例えば、露光パターンデータを
通信回線２２０を介して他の情報処理装置から取得し、
この露光パターンデータに基づいて、電子ビーム露光装
置１００に適合した圧縮された露光制御データを生成
し、通信ケーブル２１０を介して電子ビーム露光装置１
００に提供する。
【００５９】より具体的には、情報処理装置２００は、
通信回線２２０を介して他の情報処理装置から露光パタ
ーンデータを取得して格納部２０１に格納する。ここ
で、露光パターンデータは、それが格納されたメモリ媒
体（例えば、磁気テープ、ディスク等）から取得しても
よい。
【００６０】次いで、情報処理装置２００は、制御デー
タ生成部２０２において、露光パターンデータに基づい
て、電子ビーム露光装置１００の露光動作を制御するた
めの露光制御データ（例えば、ブランカのオンオフを制
御するためのドット制御データ、各部分領域のドーズ量
を制御するためのドーズ量制御データ、偏向器を制御す
るための偏向制御データ等を含む）を生成する。
【００６１】次いで、情報処理装置２００は、生成した
露光制御データを、例えば通信ケーブル２１０を介し
て、電子ビーム露光装置１００に提供する。
【００６２】電子ビーム露光装置１００は、受信した露
光制御データをメモリ１２１に格納し、格納した露光制
御データを適宜読み出し、読み出された露光制御データ
に従って走査露光を実行する。
【００６３】さて、上記構成において、情報処理装置２
００は各部分領域に対応するドーズ量を決定する。すな
わち、上述したように、露光制御データ生成部２０２に
おいてドーズ量制御データを生成する。以下では、ま
ず、面積密度マップ法を応用したドーズ量の決定法につ
いて説明する。
【００６４】図１１は面積密度マップ方を応用したドー
ズ量の決定手順を説明するフローチャートである。ま
た、図１３は描画されるパターンを部分領域を単位とし
て分割した様子を示す図である。
【００６５】まず、ステップＳ２０１において、ドーズ
量を決定するべき部分領域を中心として、近接効果の影
響が及ぶと想定される領域（近接効果領域）内に含まれ
る部分領域を抽出し、これら部分領域の各々における電
子ビーム照射の面積密度（パターン面積密度）を求め
る。
【００６６】図１３を用いて説明すると、部分領域ＰＦ
（０）はドーズ量を決定する部分領域である。ここで、
Ｒは部分領域ＰＦ（０）を中心とした、ウエハでの電子
ビームの後方散乱径σｂの３倍程度の円であり、ステッ
プＳ２０１ではその円内に含まれる部分領域を選択す
る。図１１の例では、ＰＦ（１）〜ＰＦ（８）が選択さ
れる。すなわち、選択された部分領域は、ドーズ量を決
定すべき部分領域ＰＦ（０）に近接効果の影響を与える
ものと想定している。
【００６７】そして、先に得られた部分領域ＰＦ（ｉ）
の電子ビームの照射回数Ｎｉより部分領域ＰＦ（ｉ）の
パターン面積密度αｉを、 αｉ＝Ｎi／Ｎmax （ここで、ｉ＝０〜８、Ｎmaxは部分領域内の配列位置
の数を表わす）によって求める。
【００６８】次に、ステップＳ２０２では、各部分領域
のパターン面積密度αｉを用いて、ステップＳ２０１で
選択された部分領域（ドーズ量を決定する部分領域と、
近接効果領域内の部分領域）との間でパターン面積密度
の平滑化を行い、αavを求める。
【００６９】αav＝Σαｉ／（ｉmax＋１） ここでｉmaxは、ステップＳ２０１で選択された部分領
域の数である。
【００７０】次にステップＳ２０３において、平滑され
たパターン面積密度に基づいて、ドーズ量を決定すべき
部分領域ＰＦ（０）における一照射あたりの照射時間ｔ
（一照射当たりのドーズ量に対応する）を、 ｔ＝ｔｓ×（１＋η）／（１＋２×η×αav） により算出し、これを当該部分領域ＰＦ（０）のドーズ
量に決定する。
【００７１】次に、代表図形法を応用したドーズ量の決
定方法を説明する。図１２は代表図形法を用いたドーズ
量の決定処理を説明するフローチャートである。
【００７２】まず、ステップＳ３０１において、上述し
た面積密度マップ法と同様に、図１３に示すようにドー
ズ量を決定すべき部分領域ＰＦ（０）を中心とし、その
径がウエハでの電子ビームの後方散乱径σｂの３倍程度
の円内に含まれる部分領域を選択する。そして、先に得
られた部分領域ＰＦ（ｉ）の複数の電子ビームの照射位
置の平均値を計算し、その平均値を部分領域ＰＦ（ｉ）
で描画されるパターンの重心位置（Ｘｉ，Ｙｉ）とす
る。
【００７３】次にステップＳ３０２において、先に得ら
れた部分領域ＰＦ（ｉ）における電子ビームの照射回数
Ｎｉより、各部分領域で描画されるパターンの代表図形
サイズＡｉを、 Ａｉ＝√Ｎｉ により求める。
【００７４】次に，ステップＳ３０３において、計算さ
れた各部分領域の重心位置及び代表図形サイズに基づい
て修正対象の部分領域の一照射当たりの照射時間ｔ（位
置照射当たりのドーズ量に対応する）を下記の式を用い
て算出する。
【００７５】t=ts×(1-η)Σ[erf{(Xi-X0+Ai)/σb}-erf
{(Xi-X0-Ai)/σb}×erf{(Yi-Y0+Ai)/σb}-erf{(Yi-Y0-A
i)/σb}] ここで、ηは後方散乱係数、ｔｓは近接効果を補正する
前に設定された標準の一照射当たりの照射時間、erf
（Ｐ）＝１／２√π∫ε-u2ｄｕである。
【００７６】次に本実施形態によるブランカアレイＢＡ
の制御について説明する。
【００７７】図１４は、本実施形態による副制御部１２
０の一部（ＢＡ制御回路に関わる部分）とＢＡ制御回路
１１１の詳細構成を示すブロック図である。メモリ１２
１には、上述したように、外部情報処理装置で生成され
た露光制御データ（部分領域毎のドット制御データ及び
ドーズ量制御データを含む）が圧縮されて格納される。
【００７８】駆動制御部ＤＲＶＣＮＴは、走査露光を行
う部分領域に関する露光制御データ（部分領域毎のドッ
ト制御データ及びドーズ量制御データを含む）を、イン
ターフェース１２２を介してメモり１２１から取得す
る。本実施形態では、マルチ電子ビーム方式の露光装置
を用いているので、電子ビームの数（同時に走査露光さ
れる領域の数）分の露光制御データを取得し、伸長処理
を施す。そして、各ブランカを駆動する駆動部ＤＲＶ
１、２、３…にドーズ量データ（ＤＡＴＡ１、２、３
…）を送る。各駆動部ＤＲＶ１、２、３…は、受信した
ドーズ量データに従って決定される照射時間だけオンす
るパルス信号を生成し、出力する。各駆動部ＤＲＶ１、
２、３…から出力されるパルス信号は、それぞれＡＮＤ
１、２、３…に入力される。ＡＮＤ１、２、３…の各々
の出力は、各ブランカ（ＢＬＫ１、２、３…）に供給さ
れる。
【００７９】一方、ドット制御データに基づいて、パタ
ーンの描画に際しての各ドットのオンオフを示す信号
（ＤＯＴ１、２、３…）が生成され、対応するＡＮＤ
１、２、３…に供給される。
【００８０】この結果、ＡＮＤ１、２、３…の各出力は
描画パターンに応じたオンオフがなされるとともに、そ
のオン時間が適切なドーズ量を提供するものとなり、適
切なドーズ量での走査露光が実現される。なお、クロッ
ク発生回路は、露光操作時の動作とデータ転送動作との
同期をとるためのクロックを発生する。
【００８１】図１５は、図１４に示したブロック図にお
ける駆動制御部ＤＲＶＣＮＴから駆動部ＤＲＶ１、２、
３…へのデータ転送のタイミングを表わすタイムチャー
トである。各部分領域毎の走査露光開始に先立って、ス
トローブ信号（ＳＴＢ）に同期して各駆動部に露光デー
タとドーズ量データがロードされる。データのロードが
終了するタイミングでスタート信号が送出される。各駆
動部ＤＲＶ１、２、３…は、このＳＴＡＲＴ信号により
部分領域の走査露光に対応した駆動制御を開始する。図
１５に示されるように、部分領域の走査露光に要する時
間Ｔcyは、駆動回路ＤＲＶへのＤＡＴＡの転送及び設定
に要するセットリング時間Ｔsetと電子ビームによる実
際の描画時間Ｔexpとの和となる。
【００８２】図９に示したような走査露光において、部
分領域毎にドーズ量を変更しようとすると、駆動回路Ｄ
ＲＶへのデータ転送及び設定が頻回に実行され、セット
リング時間Ｔsetが増加する。これに対して、本実施形
態によれば、図１０に示すごとく露光走査を行うので、
セットリング時間は各部分領域について１度しか出現せ
ず、露光スループットの維持と、効果的な近接効果補正
を両立することができる。
【００８３】以上説明したように、上記実施形態によれ
ば、要素露光領域よりも小さい部分領域を単位としてド
ーズ量を切り換えることが可能となるとともに、部分領
域毎に走査露光を完結させるようにしたので、図９に示
したようにドーズ量を頻回に切り換えるのに比してデー
タ転送時間を含めた装置のセットリングに要する時間を
減少することができる。すなわち、図１４、図１５に示
したように、各駆動回路ＤＲＶへのデータ（ＤＡＴＡ）
の転送及び設定を、各部分領域について１回行えば済
み、後はドット制御データ（ＤＯＴ：１ビットのオンオ
フで表現できる）のみで部分領域内の描画が行われるこ
とになるので、各駆動回路ＤＲＶへのデータ（ＤＡＴ
Ａ）の転送及び設定に要する時間を減少することができ
る。このため、露光処理のスループットを良好に維持す
るとともに、近接効果による影響に対してきめ細かくド
ーズ量を制御でき、効果的に近接効果の影響を排除でき
る。
【００８４】なお、上記実施形態では、マルチ電子ビー
ムタイプの露光装置を用いて説明したが、本発明をシン
グル電子ビームタイプの露光装置にも適用可能であるこ
とはいうまでもない。すなわち、マルチ電子ビームタイ
プの場合には複数の要素露光領域(図１０のＥＦ)が同時
に走査露光されるのに対して、シングル電子ビームタイ
プの場合には一度に一つの要素露光領域が走査露光され
るという相違のみであり、上記実施形態で説明した走査
露光手順をそのままシングル電子ビームタイプの露光装
置に適用できることは明らかである。
【００８５】［デバイスの製造方法］次に、上記の各実
施の形態に係る電子ビーム露光装置１００を利用したデ
バイスの生産方法の実施例を説明する。
【００８６】図１６は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す図であ
る。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行なう。ステップ２（露光制御データ作成）では
設計した回路パターンに基づいて情報処理装置２００に
おいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ス
テップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、ステップ２で作成された露光制御データ
が入力された電子ビーム露光装置１００を利用して、リ
ソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８７】図１７は、図１６に示すウエハプロセスの
詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）で
はウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電
極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。
ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打
ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感
光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では電子ビーム
露光装置１００によって回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光処理のスループットを維持しながら、近接効果によ
る悪影響をより効果的に排除することが可能となり、微
細なパターンを、荷電粒子線を用いて正確に基板上に描
画することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る電子ビーム露
光装置の概略図である。
【図２】要素電子光学系アレイの詳細な構成を示す図で
ある。
【図３】ブランカアレイに形成された１つの偏向器を抜
き出して示した図である。
【図４】ブランカアレイを下方から見た図である。
【図５】第１及び第２電子光学系アレイを説明する図で
ある。
【図６】要素電子光学系アレイの機能を説明する図であ
る。
【図７】図１に示す電子ビーム露光装置の制御系の構成
を示す図である。
【図８】図１に示す電子ビーム露光装置による露光の原
理を説明する図である。
【図９】要素露光領域に対する荷電粒子線の一般的な走
査露光を説明する図である。
【図１０】要素露光領域に対する荷電粒子線の、本実施
形態による走査露光を説明する図である。
【図１１】面積密度マップ方を応用したドーズ量の決定
手順を説明するフローチャートである。
【図１２】代表図形法を用いたドーズ量の決定処理を説
明するフローチャートである。
【図１３】描画されるパターンを部分領域を単位として
分割した様子を示す図である。
【図１４】本実施形態による副制御部１２０の一部（Ｂ
Ａ制御回路に関わる部分）とＢＡ制御回路１１１の詳細
構成を示すブロック図である。
【図１５】図１４に示したブロック図における駆動制御
部ＤＲＶＣＮＴから駆動部ＤＲＶ１、２、３…へのデー
タ転送のタイミングを表わすタイムチャートである。
【図１６】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す図である。
【図１７】図１６に示すウエハプロセスの詳細なフロー
を示す図である。
【図１８】本発明の好適な実施の形態に係る露光システ
ムの構成を示す図である。
【符号の説明】
１ 電子銃 ２ コンデンサーレンズ ３ 要素電子光学系アレイ ４ 縮小電子光学系 ５ 基板 ６ 偏向器 ７ ダイナミックフォーカスコイル ８ ダイナミックスティグコイル ９ θ-Ｚステージ １０ 基準板 １１ ＸＹステージ １２ 反射電子検出器 ３２ ブランカ １００ 電子ビーム露光装置 １１０ CL制御回路 １１１ BA制御回路 １１２ LAU制御回路 １１３ D_STIG制御回路 １１４ D_FOCUS制御回路 １１５ 偏向制御回路 １１６ 光学特性制御回路 １１７ 反射電子検出回路 １１８ ステージ駆動制御回路 １２０ 制御系 １２１ メモリ １２２ インターフェース １２３ CPU AA アパーチャアレイ BA ブランカアレイ LAU 要素電子光学系アレイユニット SA ストッパアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５５１ Ｆターム(参考） 2H097 AA03 CA16 LA10 5C033 GG03 5F056 AA12 AA22 CA05 CB03 CB15 CB30 CC12 CC13

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子光学系による収差が所定量以下とな
    る範囲内に納まる大きさを有する要素露光領域を複数の
    部分領域に分割し、該複数の部分領域毎の荷電粒子線の
    照射量が設定された露光情報に基づいて、荷電粒子線に
    よって基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置で
    あって、 前記露光情報に含まれる照射量でもって対応する部分領
    域の全体を連続して走査露光してパターンを描画する走
    査露光手段と、 前記走査露光手段による走査露光を、前記要素露光領域
    内の全ての部分領域について順次実行させて、当該要素
    露光領域にパターンを描画する実行手段とを備えること
    を特徴とする荷電粒子線露光装置。
  2. 【請求項２】 前記部分領域の大きさは、前記基板にお
    ける被露光面での前記荷電粒子線の後方散乱径を有する
    円よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の荷電
    粒子線露光装置。
  3. 【請求項３】 前記走査露光手段は、前記部分領域内を
    ラスタ順次で走査することによりパターンの描画を行う
    ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装
    置。
  4. 【請求項４】 前記実行手段は、前記走査露光手段によ
    る走査露光の対象とする部分領域を、前記要素露光領域
    からラスタ順次の選択を行うことを特徴とする請求項１
    に記載の荷電粒子線露光装置。
  5. 【請求項５】 前記走査露光手段は，単一の荷電粒子線
    の軌道を制御してパターンを描画することを特徴とする
    請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
  6. 【請求項６】 前記走査露光手段は、複数の荷電粒子線
    の軌道を制御してパターンを描画し、 前記要素露光領域は、隣接する荷電粒子線との間で隣接
    する領域となるように設定されることを特徴とする請求
    項１に記載の荷電粒子線露光装置。
  7. 【請求項７】 露光情報に基づいて、荷電粒子線によっ
    て基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置を有し
    た露光システムであって、 前記電子光学系による収差が所定量以下となる範囲内に
    納まる大きさを有する要素露光領域を複数の部分領域に
    分割し、該複数の部分領域毎の荷電粒子線の照射量を描
    画パターンに基づいて決定する決定手段と、 前記部分領域の各々に関して、前記決定手段で決定され
    た照射量と描画パターンを含む露光情報を前記荷電粒子
    露光装置に提供する提供手段と、 前記露光情報に含まれる照射量でもって対応する部分領
    域の全体を連続して走査露光してパターンを描画する走
    査露光手段と、 前記走査露光手段による走査露光を、前記要素露光領域
    内の全ての部分領域について順次実行させて、当該要素
    露光領域にパターンを描画する実行手段とを備えること
    を特徴とする露光システム。
  8. 【請求項８】 前記決定手段は、少なくとも注目する部
    分領域の描画パターンに基づいて近接効果の影響を排除
    するべく当該注目する部分領域の走査露光における前記
    荷電粒子線の照射量を決定することを特徴とする請求項
    ７に記載の露光システム。
  9. 【請求項９】 前記決定手段は、前記注目する部分領域
    とその周囲の部分領域の描画パターンに基づいて、近接
    効果の影響を排除するべく当該注目する部分領域の走査
    露光における前記荷電粒子線の照射量を決定することを
    特徴とする請求項７に記載の露光システム。
  10. 【請求項１０】 前記周囲の部分領域は、前記注目する
    部分領域を中心とした前記荷電粒子線の後方散乱径の３
    倍の径を有する円領域内に含まれる部分領域であること
    を特徴とする請求項９に記載の露光システム。
  11. 【請求項１１】 電子光学系による収差が所定量以下と
    なる範囲内に納まる大きさを有する要素露光領域を複数
    の部分領域に分割し、該複数の部分領域毎の荷電粒子線
    の照射量が設定された露光情報に基づいて、荷電粒子線
    によって基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置
    の制御方法であって、 前記露光情報に含まれる照射量でもって対応する部分領
    域の全体を連続して走査露光してパターンを描画する走
    査露光工程と、 前記走査露光工程による走査露光を、前記要素露光領域
    内の全ての部分領域について順次実行させて、当該要素
    露光領域にパターンを描画する実行工程とを備えること
    を特徴とする荷電粒子線露光装置の制御方法。
  12. 【請求項１２】 前記部分領域の大きさは、前記基板に
    おける被露光面での前記荷電粒子線の後方散乱径を有す
    る円よりも小さい ことを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子線露光装
    置の制御方法。
  13. 【請求項１３】 前記走査露光工程は、前記部分領域内
    をラスタ順次で走査することによりパターンの描画を行
    うことを特徴とする請求項１１に記載の荷電粒子線露光
    装置の制御方法。
  14. 【請求項１４】 前記実行工程は、前記走査露光工程に
    よる走査露光の対象とする部分領域を、前記要素露光領
    域からラスタ順次の選択を行うことを特徴とする請求項
    １１に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
  15. 【請求項１５】 前記走査露光工程は、単一の荷電粒子
    線の軌道を制御してパターンを描画することを特徴とす
    る請求項１１に記載の荷電粒子線露光装置の制御方法。
  16. 【請求項１６】 前記走査露光工程は、複数の荷電粒子
    線の軌道を制御してパターンを描画し、前記要素露光領
    域は、隣接する荷電粒子線との間で隣接する領域となる
    ように設定されることを特徴とする請求項１１に記載の
    荷電粒子線露光装置の制御方法。
  17. 【請求項１７】 露光情報に基づいて、荷電粒子線によ
    って基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置を有
    した露光システムの制御方法であって、 前記電子光学系による収差が所定量以下となる範囲内に
    納まる大きさを有する要素露光領域を複数の部分領域に
    分割し、該複数の部分領域毎の荷電粒子線の照射量を描
    画パターンに基づいて決定する決定工程と、 前記部分領域の各々に関して、前記決定工程で決定され
    た照射量と描画パターンを含む露光情報を前記荷電粒子
    露光装置に提供する提供工程と、 前記露光情報に含まれる照射量でもって対応する部分領
    域の全体を連続して走査露光してパターンを描画する走
    査露光工程と、 前記走査露光工程による走査露光を、前記要素露光領域
    内の全ての部分領域について順次実行させて、当該要素
    露光領域にパターンを描画する実行工程とを備えること
    を特徴とする露光システムの制御方法。
  18. 【請求項１８】 前記決定工程は、少なくとも注目する
    部分領域の描画パターンに基づいて近接効果の影響を排
    除するべく当該注目する部分領域の走査露光における前
    記荷電粒子線の照射量を決定することを特徴とする請求
    項１７に記載の露光システムの制御方法。
  19. 【請求項１９】 前記決定工程は、前記注目する部分領
    域とその周囲の部分領域の描画パターンに基づいて、近
    接効果の影響を排除するべく当該注目する部分領域の走
    査露光における前記荷電粒子線の照射量を決定すること
    を特徴とする請求項１７に記載の露光システムの制御方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記周囲の部分領域は、前記注目する
    部分領域を中心とした前記荷電粒子線の後方散乱径の３
    倍の径を有する円領域内に含まれる部分領域であること
    を特徴とする請求項１９に記載の露光システムの制御方
    法。
  21. 【請求項２１】 請求項１２乃至請求項２２のいずれか
    １項に記載の制御方法によって荷電粒子線露光装置を制
    御しながら、基板にパターンを描画する工程を含むこと
    を特徴とするデバイスの製造方法。
  22. 【請求項２２】 電子光学系による収差が所定量以下と
    なる範囲内に納まる大きさを有する要素露光領域を複数
    の部分領域に分割し、該複数の部分領域毎の荷電粒子線
    の照射量が設定された露光情報に基づいて、荷電粒子線
    によって基板にパターンを描画する荷電粒子線露光装置
    を工程の一部に利用するデバイスの製造方法であって、
    前記荷電粒子線露光装置において、 前記電子光学系による収差が所定量以下となる範囲内に
    納まる大きさを有する要素露光領域を複数の部分領域に
    分割し、該複数の部分領域毎の荷電粒子線の照射量を描
    画パターンに基づいて決定する決定工程と、 前記露光情報に含まれる照射量でもって対応する部分領
    域の全体を連続して走査露光してパターンを描画する走
    査露光工程と、 前記走査露光工程による走査露光を、前記要素露光領域
    内の全ての部分領域について順次実行させて、当該要素
    露光領域にパターンを描画する実行工程とを実行するこ
    とを特徴とするデバイスの製造方法。
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