JP2001217549A - 多層回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高密度配線化および高密度実装化を可能とす
るマザーボードに好適な多層回路基板を提供すること。 【解決手段】 内層に導体回路を有する多層コア基板６
０の両面上に、層間樹脂絶縁層６４，７６と導体層８２
とが交互に積層され、各導体層間がビアホール７０にて
接続されたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回
路基板において、多層コア基板６０は、絶縁性硬質基材
の片面または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基
材を貫通して前記導体回路に達する孔内に、導電性物質
が充填されてなるビアホールを有する回路基板の複数枚
が接着剤層６４，７６を介して積層され、一括して加熱
プレスされることで形成され、さらに、ビルドアップ配
線層の最も外側の導体層はソルダーレジスト層９０で覆
われ、そのソルダーレジスト層９０に設けた開口から露
出する導体層８２の少なくとも一部は、導体パッド９６
あるいは接続用端子の形態に形成されていることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層化コア基板
の両面にビルドアップ配線層が形成された多層回路基板
に係り、とくに、充填ビアホールを備えた複数の片面ま
たは両面回路基板を積層し、接着剤を介して一括加熱プ
レスすることにより形成された多層コア基板内の導体回
路と、多層コア基板上に形成したビルドアップ配線層と
の電気的接続が、多層コア基板に形成したビアホール
と、その直上に形成したビルドアップ配線層内のビアホ
ールとを介して確保でき、さらにビルドアップ配線層の
最も外側の導体回路表面の一部が導体パッドあるいは接
続用端子の形態に形成され、その導体パッドあるいは接
続用端子に対してＬＳＩ等の半導体チップを搭載するパ
ッケージ基板を実装するに有利なマザーボード用多層回
路基板について提案する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の半導体チップを含む電
子部品を実装するパッケージ基板は、電子工業の進歩に
伴う電子機器の小型化あるいは高速化に対応し、ファイ
ンパターンによる高密度化および信頼性の高いものが求
められている。このようなパッケージ基板として、１９
９７年、１月号の「表面実装技術」には、多層コア基板
の両面にビルドアップ多層配線層が形成されたものが開
示されている。

【０００３】ところが、上掲の従来技術に係るパッケー
ジ基板では、多層コア基板内の導体層とビルドアップ配
線層との接続は、多層コア基板の表面にスルーホールか
ら配線した内層パッドを設け、この内層パッドにビアホ
ールを接続させて行っていた。このため、スルーホール
のランド形状がダルマ形状あるいは鉄アレイ形状とな
り、その内層パッドの領域がスルーホールの配置密度の
向上を阻害し、スルーホールの形成数には一定の限界が
あった。それ故に、配線の高密度化を図るためにコア基
板を多層化すると、外層のビルドアップ配線層は、多層
コア基板内の導体層と十分な電気的接続を確保すること
ができないという問題があった。

【０００４】なお、このような問題点については、本発
明らは先に、特願平第１０−１５３４６号（特開平第１
１−２１４８４６号）としてその改善方法を提案した。
このような改善提案による多層回路基板は、内層に導体
層を有する多層コア基板上に、層間樹脂絶縁層と導体層
とが交互に積層されて各導体層間がビアホールにて接続
されたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基
板において、多層コア基板には、スルーホールが形成さ
れ、そのスルーホールには充填材が充填されるとともに
該充填材のスルーホールからの露出面を覆って導体層が
形成され、その導体層にはビアホールが接続された構成
であり、それによってスルーホールの配置密度が向上
し、高密度化したスルーホールを介して多層化したコア
基板内の導体回路との接続が確保できるようになってい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
構成の多層回路基板におけるスルーホールは、多層化さ
れたコア基板にドリル等で貫通孔を明け、その貫通孔の
壁面および基板表面に無電解めっきを施して形成される
ため、その開口性や経済性を考慮すると、形成され得る
スルーホール開口径の下限は３００μｍ程度であり、現
在の電子産業界の要請を満足するような超高密度配線を
実現するためには、５０〜２５０μｍ程度のより小さな
開口径と、より狭いスルーホールランドピッチを得るた
めの技術開発が望まれている。

【０００６】そこで、本発明者らは、硬質材料からなる
コア材の片面または両面に導体回路を有し、その片面か
らコア材を貫通して導体回路に達する充填ビアホールを
形成してなる回路基板の複数枚を互いに積層し、接着剤
を介して一括して加熱プレスすることにより多層コア基
板を形成すれば、多層コア基板にスルーホールを設ける
ことなく、多層コア基板内の導体回路同士、および多層
コア基板内の導体回路と多層コア基板上に形成したビル
ドアップ配線層との電気的接続が、多層コア基板に形成
した充填ビアホールと、その直上に形成したビルドアッ
プ配線層内のビアホールとを介して十分に確保できるこ
とを知見し、さらに、一方のビルドアップ配線層の最も
外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドに形成
し、そのはんだパッドに対してＬＳＩ等の半導体チップ
を含んだ電子部品を接続するための導電性バンプを配設
するとともに、他方のビルドアップ配線層の最も外側に
位置する導体回路の一部をはんだパッドに形成し、その
はんだパッドに対してマザーボードに直接的に接続でき
る導電性ピンまたは導電性ボールを配設することによっ
て高密度配線および電子部品の高密度実装化が可能なパ
ッケージ基板を実現できることを知見した。

【０００７】さらにまた、上記ビルドアップ配線層の最
も外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドあるい
は接続用端子の形態に形成するだけで、電子部品搭載用
の導電性バンプや導電性ピンまたは導電性ボールをはん
だパッド上に配設しないような構造の多層プリント配線
板は、パッケージ基板そのものを搭載するマザーボード
として用いられる多層プリント配線板として好適である
ことを知見した。本発明の目的は、このような高密度配
線化および電子部品の高密度実装に有利な多層回路基板
を提供することにあり、とくに、マザーボードとして用
いられるのに有利な多層プリント配線板を提供する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする発明に想到した。すなわち、本発明の多層回路
基板は、内層に導体回路を有する多層コア基板の両面上
に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導
体層間がビアホールにて接続されたビルドアップ配線層
が形成されてなる多層回路基板において、上記多層コア
基板は、絶縁性硬質基材の片面または両面に導体回路を
有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達
する孔内に、導電性物質が充填されてなるビアホールを
有する回路基板の複数枚が接着剤層を介して積層され、
一括して加熱プレスされることで形成され、さらに、上
記ビルドアップ配線層の最も外側の導体層は、ソルダー
レジスト層に覆われ、そのソルダーレジスト層に設けた
開口から露出する前記導体層の少なくとも一部は、導体
パッドあるいは接続用端子に形成されていることを特徴
とする。

【０００９】上記多層コア基板を構成する各回路基板の
ビアホールに充填される導電性物質は、電解めっきによ
り形成された金属めっきまたは導電性ペーストから形成
されることが望ましく、金属めっきとしては電解銅めっ
きがより好ましく、導電性ペーストとしては、金属粒子
と、熱硬化性または熱可塑性の樹脂とからなるものがよ
り好ましい。

【００１０】また、上記多層コア基板を構成する各回路
基板は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホー
ルに電気的接続された突起状導体が形成されていること
が望ましく、その突起状導体は導電性ペーストから形成
されることが望ましい。

【００１１】上記ビルドアップ配線層のビアホールの一
部は、上記多層コア基板に形成されたビアホールの直上
に位置して、そのビアホールに直接接続されていること
が望ましい。

【００１２】上記多層回路基板において、多層コア基板
を構成する各回路基板の絶縁性基材は、ガラス布エポキ
シ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基
材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミ
ド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイ
ミド樹脂基材、から選ばれるいずれかの硬質基材から形
成されることが望ましい。

【００１３】また、上記多層コア基板を構成する各回路
基板の絶縁性基材は、厚さが２０〜６００μｍのガラス
布エポキシ樹脂基材から形成され、前記充填ビアホール
径は５０〜２５０μｍであることが望ましい。

【００１４】さらに、前記充填ビアホールは、パルスエ
ネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００
μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、ショット数が１〜
５０の条件での炭酸ガスレーザ開口に対して形成された
ものであることが望ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の多層回路基板は、多層コ
ア基板上にビルドアップ配線層が形成されてなる多層回
路基板において、多層コア基板を、絶縁性硬質基材の片
面または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を
貫通して前記導体回路に達する貫通孔に電解めっきや導
電性ペースト等の導電性物質が充填されてなる回路基板
の複数枚を接着剤層を介して互いに積層し、かつ一括し
て加熱プレスすることで形成した点に特徴がある。

【００１６】このような構成によれば、コア基板にスル
ーホールを設けることが不要となるので、ランドなどの
パッド配設の自由度が向上する。その結果、充填ビアホ
ールを高密度に設けることができ、こうして高密度化さ
れたビアホールを介して、外層のビルドアップ配線層
は、多層コア基板内の導体回路と十分な接続を確保する
ことが可能になり、高密度配線化が可能となる。また、
多層コア基板内においても配線の更なる高密度化が可能
となる。

【００１７】さらに、本発明の多層回路基板は、硬質な
絶縁性基材の片面または両面に導体回路を有する複数の
回路基板を接着剤を介して積層し、一括して加熱プレス
により形成した多層コア基板の表面および裏面に形成さ
れたビルドアップ配線層の最も外側の導体層がソルダー
レジスト層で覆われ、そのソルダーレジスト層に形成し
た開口から露出する導体層の少なくとも一部が、電子部
品を搭載するパッケージ基板のはんだボールやＴピンに
接続されるべく、導体パッドあるいは接続用端子の形態
に形成されていることを特徴とする。

【００１８】このような構成によれば、ビルドアップ配
線層内にビアホールが高密度に設けられ、こうして高密
度化されたビアホールのうち、最も外側に位置するソル
ダーレジスト層に形成した開口から露出するビアホール
の一部が、導体パッドあるいは接続用端子の形態に形成
され得るので、ＬＳＩ等の半導体チップを含んだ電子部
品を搭載するパッケージ基板に設けたはんだボールやＴ
ピンに最短の配線長で接続され、高密度配線化および高
密度実装化が可能となる。

【００１９】本発明において、多層コア基板を構成する
各回路基板は、従来のような半硬化状態のプリプレグで
はなく、完全に硬化した硬質の樹脂材料から形成された
絶縁性樹脂基材から形成されるのが望ましい。

【００２０】このような絶縁性基材としては、ガラス布
エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン
樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、
アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−
ポリイミド樹脂基材から選ばれるリジッド（硬質）な積
層基材が使用され、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も望
ましい。

【００２１】上記絶縁性基材上に導体回路を形成する場
合には、絶縁性基材上に銅箔を加熱プレスによって圧着
させる工程において、プレス圧による絶縁性基材の最終
的な厚みの変動がなくなるので、ビアホールの位置ずれ
が最小限度に抑えられ、ビアランド径を小さくでき、そ
の結果、配線ピッチを小さくして配線密度を向上させる
ことができる。

【００２２】また、硬化された樹脂基材を絶縁性基材と
して用いるので、基材の厚みを実質的に一定に保つこと
ができ、ひいてはビアホール形成用開口を形成する際の
レーザ加工条件の設定が容易となる。

【００２３】上記絶縁性基材の厚さは、２０〜６００μ
ｍが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するためであ
る。２０μｍ未満の厚さでは強度が低下して取扱が難し
くなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くな
るからであり、６００μｍを超えると微細なビアホール
形成用開口が難くなると共に、基板そのものが厚くなる
ためである。

【００２４】また、上記範囲の厚さを有するガラスエポ
キシ基板上に形成されるビアホール形成用開口は、パル
スエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１
００μｓ、パルス間隔が0.５ｍｓ以上、ショット数が１
〜５０の条件で照射される炭酸ガスレーザによって形成
されることが好ましく、その開口径は、５０〜２５０μ
ｍの範囲であることが望ましい。その理由は、５０μｍ
未満では開口に導電性物質を充填し難くなると共に、接
続信頼性が低くなるからであり、２５０μｍを超える
と、高密度化が困難になるからである。

【００２５】このような炭酸ガスレーザによる開口形成
の前に、絶縁性基材の導体回路形成面と反対側の面に樹
脂フィルムを粘着させ、あるいは必要に応じて、半硬化
状態の樹脂接着剤層を介して樹脂フィルムを粘着させ、
その樹脂フィルム上からレーザ照射を行うのが望まし
い。前者の方法は、片面に予め銅箔が貼り付けてある絶
縁性基材に銅箔の反対側からレーザ照射を行なって非貫
通孔を設け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリードとし
て電解めっき層を充填した後、エッチング処理すること
によって片面回路基板を製作する場合、あるいは片面銅
張積層板をエッチング処理して導体回路を予め形成した
絶縁性基材にレーザ照射により非貫通孔を設け、その非
貫通孔内に銅箔をめっきリードとして電解めっき層を充
填することによって片面回路基板を製作する場合に採用
され、後者は、絶縁性基材に予めレーザ照射により貫通
孔を設け、その貫通孔を導電性ペーストで充填した後
に、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付け、エッチング処
理することによって両面回路基板を製作する場合に採用
される。この樹脂接着剤は、銅箔を絶縁性基材の表面に
接着するためのものであり、たとえば、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂から形成され、その厚みは１０〜５０
μｍの範囲が好ましい。

【００２６】上記絶縁性基材上にあるいはその絶縁性基
材上に形成した樹脂接着剤層の上に貼付けられた樹脂フ
ィルムは、ビアホール形成用の開口内に電解めっきを充
填してビアホールを形成する際の保護フィルムとして、
あるいは開口内に導電性ペーストを充填してビアホール
と突起状導体を形成する際の、あるいは電解めっき層の
上に導電性ペーストを充填して電解めっき層の直上に突
起状導体（バンプ）を形成する際の印刷用マスクとして
機能し、導電性物質の充填後は、絶縁性基材あるいは接
着剤層から剥離されるような粘着剤層を有する。この樹
脂フィルムは、たとえば、粘着剤層の厚みが１〜２０μ
ｍであり、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍである
ＰＥＴフィルムから形成されるのが好ましい。

【００２７】その理由は、ＰＥＴフィルムの厚さに依存
して後述する突起状導体の高さが決まるので、１０μｍ
未満の厚さでは突起状導体が低すぎて接続不良になりや
すく、逆に５０μｍを超えた厚さでは、接続界面で突起
状導体が拡がりすぎるので、ファインパターンの形成が
できないからである。

【００２８】上記絶縁性基材に形成した開口内部に充填
される導電性物質としては、電解めっき処理によって形
成される金属めっきや導電性ペーストが好ましい。導電
性ペーストは、工程をシンプルにして、製造コストを低
減させ、歩留まりを向上させる点では好ましいが、接続
信頼性の点から金属めっきがより好ましい。上記導電性
ペーストとしては、銀、銅、金、ニッケル、半田から選
ばれる少なくとも１種以上の金属粒子からなる導電性ペ
ーストを使用できる。上記金属粒子としては、金属粒子
の表面に異種金属をコーティングしたものも使用でき
る。具体的には銅粒子の表面に金、銀から選ばれる貴金
属を被覆した金属粒子を使用することができる。このよ
うな導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレ
ンスルフイド（ＰＰＳ）などの熱可塑性樹脂を加えた有
機系導電性ペーストが望ましい。

【００２９】絶縁性基材の片面または両面に形成される
導体回路は、厚さが５〜１８μｍの銅箔を半硬化状態に
保持された樹脂接着剤層を介して熱プレスした後、適切
なエッチング処理をすることによって形成されるのが好
ましい。このような熱プレスは、適切な温度および加圧
力のもとで行なわれる。より好ましくは、減圧下におい
て行なわれ、半硬化状態の樹脂接着剤層のみを硬化する
ことによって、銅箔を絶縁性基材に対してしっかりと接
着され得るので、従来のプリプレグを用いた回路基板に
比べて製造時間が短縮される。

【００３０】このような導体回路が絶縁性基材の両面に
形成されるような回路基板は、多層コア基板のコアとし
て適切であるが、各ビアホールに対応した基板表面に
は、導体回路の一部としてのビアランド(パッド)が、そ
の口径が５０〜２５０μｍの範囲に形成されるのが好ま
しい。

【００３１】また、導体回路が絶縁性基材の片面に形成
されるような回路基板は、それらの複数枚を順次重ね合
わせて多層化基板とすることができるだけでなく、両面
回路基板をコアとし、その両側に積層される積層用回路
基板として適切であり、ビアホールに充填された導電性
物質の位置の真上に突起状導体が形成されることが好ま
しい。

【００３２】上記突起状導体は、導電性ペーストや低融
点金属から形成されることが好ましく、各回路基板を積
層して、一括して加熱プレスする工程において、導電性
ペーストあるいは低融点金属が熱変形するので、前記ビ
アホール内に充填される導電性物質の高さのばらつきを
吸収することができ、それ故に、接続不良を防止して接
続信頼性に優れた多層コア基板を得ることができる。ま
た、このような突起状導体は、ビアホール内に充填され
る導電性ペーストと同一の材料で、しかも同一の充填工
程によって形成されることもできる。

【００３３】さらに、多層コア基板上に形成するビルド
アップ配線層を、後述するような樹脂の塗布および硬化
によって形成する場合には、多層コア基板表面に設けた
導体回路の表面には、粗化層が形成されていることが有
利である。その理由は、多層コア基板上に積層されるビ
ルドアップ配線層内の層間樹脂絶縁層やビアホールとの
密着性を改善することができるからである。とくに、導
体回路の側面に粗化層が形成されていると、その導体回
路側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの
界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラ
ックを抑制することができる。

【００３４】一方、ビルドアップ配線層を、後述するよ
うな樹脂フィルムの積層および加熱加圧による硬化によ
って形成する場合には、粗化層の形成は必ずしも必要で
ない。

【００３５】このような導体回路の表面に形成される粗
化層の厚さは、 ０．１〜１０μｍがよい。この理由
は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄すぎると
被着体との密着力が低くなるからである。この粗化層と
しては、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形
成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめ
っき処理にて形成したものがよい。

【００３６】これらの粗化処理のうち、有機酸−第二銅
錯体の混合水溶液を用いた処理では、スプレーやバブリ
ングなどの酸素共存条件下で次のように作用し、導体回
路である銅などの金属箔を溶解させる。 Ｃｕ＋Ｃｕ（II）An→２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ＋ｎ／４Ｏ_２ ＋ｎＡＨ （エ
アレーション）→２Ｃｕ（II）Ａ_ｎ ＋ｎ／２Ｈ_２Ｏ Aは錯化剤（キレート剤として作用）、nは配位数であ
る。

【００３７】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾ
ール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用す
る。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、２−メチ
ルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾー
ル、２−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾ
ール類の第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％がよ
い。この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れる
からである。

【００３８】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳
酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少
なくとも１種がよい。この有機酸の含有量は、０．１〜
３０重量％がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、か
つ溶解安定性を確保するためである。なお、発生した第
一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅
錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸
に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加
してもよい。

【００３９】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助する
ために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素
イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲン
イオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給で
きる。ハロゲンイオン量は、０．０１〜２０重量％がよ
い。この範囲内にあれば、形成された粗化層は層間樹脂
絶縁層との密着性に優れるからである。この有機酸−第
二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の第二銅
錯体および有機酸（必要に応じてハロゲンイオン）を、
水に溶解して調製する。

【００４０】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合
金のめっき処理では、硫酸銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッ
ケル ０．１〜６．０ｇ／ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／
ｌ、次亜リン酸塩１０〜１００ ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜
４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌからなる
液組成のめっき浴を用いることが望ましい。

【００４１】本発明においては、多層コア基板は、上記
片面回路基板の複数枚を積層して、それらを一括して加
熱加圧することによって形成されるが、その多層コア基
板上にビルドアップ配線層を構成する層間樹脂絶縁層を
形成する。

【００４２】上記層間樹脂絶縁層の形成は、予め粘度な
どを調整し、液状にした樹脂をカーテンコーター、ロー
ルコーター、印刷などによって塗布して形成する方法、
半硬化のＢステージ状態にしたフィルム上にしたものを
貼り付ける方法、もしくは板状になった樹脂膜を圧着、
加熱圧着して形成させる方法を行うことができる。

【００４３】上記層間絶縁樹脂層を形成する樹脂として
は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂（紫外線
硬化性樹脂なども意味する）、熱硬化性樹脂の一部をア
クリル化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の樹
脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体が
少なくとも１種類以上用いられているものを用いること
が望ましい。それ以外にも硬化剤、反応促進剤、光反応
重合剤、添加剤、溶剤などを含有させてもよい。

【００４４】上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスーマレイド
樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ
素樹脂などを使用できる。

【００４５】上記エポキシ樹脂としては、フェノ−ルノ
ボラック型、クレゾ−ルノボラック型などのノボラック
型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式
エポキシ樹脂などを使用することができる。

【００４６】上記感光性樹脂としては、アクリル樹脂、
また、熱硬化性樹脂に感光化する場合は、熱硬化性樹脂
の熱硬化基にメタクリル酸やアクリル酸などとをアクリ
ル化反応させる。

【００４７】上記熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹
脂、ポリエ−テルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルホォ
ン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、
ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ），ポリフェニ
ルエ−テル（ＰＰＥ）、ポリエ−テルイミド（ＰＩ）な
どを使用できる。

【００４８】上記樹脂複合体としては、熱硬化性樹脂と
熱可塑性樹脂、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との組み合わ
せがある。上記熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との組み合
わせとしては、フェノール樹脂とポリエーテルスルフォ
ン、ポリイミド樹脂とポリスルホォン、エポキシ樹脂と
ポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂とフェノキシ樹
脂などがある。

【００４９】上記感光性樹脂と熱可塑性樹脂との組み合
わせとしては、エポキシ基の一部をアクリル化したエポ
キシ樹脂とポリエーテルスルフォン、アクリル樹脂とフ
ェノキシ樹脂などがある。樹脂複合体の混合割合は、熱
硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜
５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性
値を確保できるからである。

【００５０】また、層間樹脂絶縁層は２層構成以上にし
てもよい。つまり２層の異なる樹脂によって樹脂層から
形成してもよい。例えば、フィラー成分を少なくして絶
縁性を向上させて、上層には、酸あるいは酸化剤に対し
て可溶性のフィラーを含浸させることにより、無電解め
っき膜と密着性を高めるという構成にしてもよい。形成
させる樹脂層の厚みは、２０〜７０μｍの間で形成させ
ることが望ましい。特に望ましいのは、２５〜５０μｍ
の間であり、その厚みであれば絶縁性という点でもめっ
き膜との密着性という点でも容易にクリアできるからで
ある。

【００５１】上記樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可
溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化
剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散
したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」
「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる
溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早
いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の
遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００５２】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００５３】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０
μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上
の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均
粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１
〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これによ
り、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路
との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性
粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さであ
る。

【００５４】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００５５】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた
場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、
酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述する
ように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与
する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化さ
れたりすることがない。

【００５６】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００５７】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００５８】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００５９】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００６０】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。

【００６１】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中
に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。

【００６２】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００６３】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。

【００６４】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。上記樹
脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外
に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ま
しい。

【００６５】上記硬化剤としては、例えば、イミダゾー
ル系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、こ
れらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマ
イクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレー
ト等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。上記硬
化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０
重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満で
は、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化
剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂
フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０
重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変
性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしま
うことがある。

【００６６】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００６７】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００６８】本発明において、ビルドアップ配線層を構
成する層間樹脂絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂等の所
望枚数の樹脂フィルムを積層し、加熱プレスした後、熱
硬化させて一体化させて形成することができる。ポリオ
レフィン系樹脂層の厚さは、５〜２００μｍの範囲が望
ましい。その理由は、５μｍ未満では層間絶縁の確保が
難しく、２００μｍを超えるとレーザ加工による開口を
形成し難くなるからである。

【００６９】また本発明において、ビルドアップ配線層
を構成する層間樹脂絶縁層としては、無電解めっき用接
着剤を用いることができる。この無電解めっき用接着剤
としては、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の
耐熱性樹脂粒子が、硬化処理によって酸あるいは酸化剤
に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなる
ものが最適である。この理由は、酸や酸化剤で処理する
ことにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に
蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面が形成できるからで
ある。粗化面の深さは、０．１〜２０μｍがよい。密着
性を確保するためである。また、セミアディティブプロ
セスにおいては、 ０．１〜５μｍがよい。密着性を確
保しつつ、無電解めっき膜を除去できる範囲だからであ
る。

【００７０】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均
粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくと
も１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が０．１
〜０．８μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が ０．８μ
ｍを超え２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平
均粒径が０．１〜１０ μｍの耐熱性樹脂粉末、から選
ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望まし
い。上記樹脂粒子の代わりに金属粒子、無機粒子を用い
てもよく、またそれらの複数種類を混合して用いてもよ
い。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからで
ある。この無電解めっき用接着剤で使用される耐熱性樹
脂は、前述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。

【００７１】本発明において、多層コア基板上に形成さ
れた導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電
気的接続は、層間樹脂絶縁層内に形成したビアホールで
接続することができる。この場合、ビアホールは、めっ
き膜や充填材で充填してもよい。

【００７２】以下、本発明の多層回路基板を製造する一
例について、添付図面を参照にして具体的に説明する。
なお、以下に述べる方法において、多層コア基板上への
ビルドアップ配線層の形成は、セミアディティブ法によ
って行うが、フルアディティブ法やマルチラミネーショ
ン法、ピンラミネーション法を採用することもできる。

【００７３】(Ａ) 多層コア基板の形成 (1)本発明にかかる多層回路基板を製造するに当たっ
て、ベースとなる多層コア基板を構成する回路基板は、
絶縁性基材１０の片面に銅箔１２が貼付けられたものを
出発材料として用いる。

【００７４】この絶縁性基材１０は、たとえば、ガラス
布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジ
ン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基
材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織
布−ポリイミド樹脂基材から選ばれる硬質な積層基材が
使用され得るが、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ま
しい。

【００７５】上記絶縁性基材１０の厚さは、２０〜６０
０μｍが望ましい。その理由は、２０μｍ未満の厚さで
は、強度が低下して取扱が難しくなるとともに、電気的
絶縁性に対する信頼性が低くなり、６００μｍを超える
厚さでは微細なビアホールの形成および導電性ペースト
の充填が難しくなるとともに、基板そのものが厚くなる
ためである。

【００７６】また銅箔１２の厚さは、５〜１８μｍが望
ましい。その理由は、後述するようなレーザ加工を用い
て、絶縁性基材にビアホール形成用の開口（非貫通孔）
を形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからであ
り、逆に厚すぎるとエッチングにより、微細な線幅の導
体回路パターンを形成し難いからである。

【００７７】上記絶縁性基材１０および銅箔１２として
は、特に、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてＢ
ステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プ
レスすることにより得られる片面銅張積層板を用いるこ
とが好ましい。その理由は、銅箔１２が後述するように
エッチングされた後の取扱中に、配線パターンやビアホ
ールの位置がずれることがなく、位置精度に優れるから
である。

【００７８】(2)まず、両面に導体回路が形成された回
路基板を製造する場合には、このような絶縁性基材１０
の銅箔１２が貼付けられた表面と反対側の表面に、保護
フィルム１４を貼付ける（図１(ａ)参照）。

【００７９】この保護フィルム１４は、後述する突起状
導体を形成する導電性ペーストの印刷用マスクとして使
用され、たとえば、表面に粘着層を設けたポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが使用され得る。前
記ＰＥＴフィルム１４は、粘着剤層の厚みが１〜２０μ
ｍ、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍであるような
ものが使用される。

【００８０】(3)ついで、絶縁性基材１０上に貼付けら
れたＰＥＴフィルム１４上から炭酸ガスレーザ照射を行
って、ＰＥＴフィルム１４を貫通して、絶縁性基材１０
の表面から銅箔１２に達する開口１６を形成する（図１
(ｂ)参照）。このレーザ加工は、パルス発振型炭酸ガス
レーザ加工装置によって行われ、その加工条件は、パル
スエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１
００μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、ショット数が
１〜５０の範囲内であることが望ましい。このような加
工条件のもとで形成され得るビア口径は、５０〜２５０
μｍであることが望ましい。

【００８１】(4)前記(3)の工程で形成された開口１６の
側面および底面に残留する樹脂残滓を除去するために、
デスミア処理を行う。このデスミア処理は、酸素プラズ
マ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レーザ処理または
エキシマレーザ処理等によって行われる。特に、開口内
に紫外線レーザまたはエキシマレーザを照射することに
よってデスミア処理するのが、接続信頼性の確保の観点
から望ましい。

【００８２】このデスミア処理を、たとえば、ＹＡＧ第
３高調波を用いた紫外線レーザ照射によって行う場合の
レーザ照射条件は、発信周波数が３〜１５ＫＨｚ、パル
スエネルギーが０．１〜５ｍＪ、ショット数が５〜３０
の範囲が望ましい。

【００８３】(5)次に、デスミア処理された基板に対し
て、以下のような条件で銅箔１２をめっきリードとする
電解銅めっき処理を施して、開口１６内に電解銅めっき
１８を充填して、充填ビアホール２０を形成する（図１
（ｃ）参照）。このめっき処理により、開口１６の上部
には後述するような導電性ペースト２２を充填できる程
度のわずかの隙間を残して電解銅めっき１８が充填され
る。 〔電解銅めっき水溶液〕 硫酸銅・５水和物 ： ６５ｇ／ｌ レベリング剤（アトテック製、ＨＬ）： ２０ｍｌ／ｌ 硫酸 ： ２２０ｇ／ｌ 光沢剤（アトテック製、ＵＶ） ： ０．５ｍｌ／ｌ 塩素イオン ： ４０ｐｐｍ 〔電解めっき条件〕 バブリング ： ３．０リットル／分 電流密度 ： ０．５Ａ／ｄｍ^２ 設定電流値 ： ０．１８ Ａ めっき時間 ： １３０分

【００８４】(6)上記(5)の工程にて電解銅めっき２０が
充填されなかった開口１８上部のわずかな隙間あるいは
凹みに対して、保護フィルム１４を印刷用マスクとして
導電性ペースト２２を充填した後、絶縁性基材１０の表
面から保護フィルム１４の厚みに相当する分だけ突出し
た導体部分２４（以下、「突起状導体」という）を形成
する（図１（ｄ）参照）。

【００８５】(7)次いで、保護フィルム１４を剥離させ
た後、突起状導体２４を含んだ絶縁性基材１０の表面に
接着剤層２６を形成する（図１（ｅ）参照）。この接着
剤２６は半硬化状態、すなわちＢステージ接着剤であ
り、導体回路パターンが形成されるべき銅箔を接着する
ためのものであり、たとえば、エポキシ樹脂ワニスが使
用され、その層厚は１０〜５０μｍの範囲が好ましい。

【００８６】(8)上記(7)の工程で接着剤層２６を設けた
絶縁性基材１０の表面に、銅箔２８を加熱プレスによっ
て圧着して、接着剤層２６を硬化させる（図１(f)参
照）。その際、銅箔２８は硬化した接着剤層２６を介し
て絶縁性基材１０に接着され、突起状導体２４と銅箔２
８とが電気的に接続される。この銅箔２８の厚さは、５
〜１８μｍが望ましい。

【００８７】(9)次いで、絶縁性基材１０の両面に貼付
けられた銅箔１２および２８上に、それぞれエッチング
保護フィルムを貼付けて、所定の回路パターンのマスク
で披覆した後、エッチング処理を行って、導体回路３０
および３２（ビアランドを含む）を形成する（図１(g)
参照）。

【００８８】この処理工程においては、先ず、銅箔１２
および２８の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼
付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理
してエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト
非形成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含
んだ導体回路パターン３０および３２を形成する。エッ
チング液としては、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化
第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも1
種の水溶液が望ましい。

【００８９】上記銅箔１２および２８をエッチングして
導体回路３０および３２を形成する前処理として、ファ
インパターンを形成しやすくするため、あらかじめ、銅
箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜１０μｍ、よ
り好ましくは２〜８μｍ程度まで薄くすることができ
る。導体回路の一部としてのビアランドは、その内径が
ビアホール口径とほぼ同様であるが、その外径は、５０
〜２５０μｍの範囲に形成されることが好ましい。

【００９０】(10)次に、前記(8)の工程で形成した導体
回路３０および３２の表面を、必要に応じて粗化処理し
て（粗化層の表示は省略する）、両面回路基板３４を形
成する。この粗化処理は、多層化する際に、接着剤層と
の密着性を改善し、剥離（デラミネーション）を防止す
るためである。粗化処理方法としては、例えば、ソフト
エッチング処理や、黒化（酸化）一還元処理、銅−ニッ
ケルーリンからなる針状合金めっき（荏原ユージライト
製：商品名インタープレート）の形成、メック社製の商
品名「メックエッチボンド」なるエッチング液による表
面粗化がある。

【００９１】この実施形態においては、上記粗化層の形
成は、エッチング液を用いて形成されるのが好ましく、
たとえば、導体回路の表面を第二銅錯体と有機酸の混合
水溶液からエッチング液を用いてエッチング処理するこ
とによって形成することができる。かかるエッチング液
は、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で、銅
導体回路パターンを溶解させることができ、反応は、次
のように進行するものと推定される。 Ｃｕ＋Ｃｕ（II）Ａ_ｎ →２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ２Ｃｕ（Ｉ）Ａ_ｎ／２ ＋ｎ／４Ｏ_２ ＋ｎＡＨ （エ
アレーション）→２Ｃｕ（II）Ａ_ｎ ＋ｎ／２Ｈ_２Ｏ 式中、Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配位
数を示す。

【００９２】上式に示されるように、発生した第一銅錯
体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体と
なって、再び銅の酸化に寄与する。本発明において使用
される第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。
この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾ
ール類の第二銅錯体および有機酸（必要に応じてハロゲ
ンイオン）を、水に溶解して調製することができる。こ
のようなエッチング液は、たとえば、イミダゾール銅
(ＩＩ)錯体 １０重量部、グリコール酸 ７重量部、塩
化カリウム ５重量部を混合した水溶液から形成され
る。本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多層化
基板を構成する両面回路基板は、上記(1)〜(10)の工程
にしたがって製造される。

【００９３】(11)次に、このような両面回路基板の表面
および裏面に対してそれぞれ積層される片面回路基板を
製造する。まず、上記両面回路基板３４を製造する工程
(1)〜(6)にしたがった処理を行い、絶縁性基材１０の片
面に貼り付けられた銅箔１２と反対側の面から、レーザ
照射によって非貫通孔を設け、その非貫通孔に電解銅め
っき層１８を充填してビアホール２０を形成した後、ビ
アホール上部のわずかな隙間に導電性ペースト２２を充
填して突起状導体４４を形成する（図２（ａ）〜図２
（ｄ）参照）。このような突起状導体４４の絶縁性基材
１０の表面からの突出高さは、保護フィルム１４の厚み
にほぼ等しく、５〜３０μｍの範囲が望ましい。その理
由は、５μｍ未満では、接続不良を招きやすく、３０μ
ｍを越えると抵抗値が高くなると共に、加熱プレス工程
において突起状導体４４が熱変形した際に、絶縁性基板
の表面に沿って拡がりすぎるので、ファインパターンが
形成できなくなるからである。

【００９４】また、上記突起状導体４４は、プレキュア
されることが望ましい。その理由は、突起状導体４４は
半硬化状態でも硬く、積層プレスの段階で接着剤層が軟
化する前に、積層される他の回路基板の導体回路（導体
パッド）と電気的接触が可能となるからである。このよ
うな突起状導体４４は、加熱プレス時に変形して接触面
積が増大するので、導通抵抗を低くすることができ、さ
らに突起状導体４４の高さのばらつきが是正される。

【００９５】(12)次いで、レーザ照射によって開口した
保護フィルム１４を覆って、エッチング保護フィルム２
５を貼付けた後、所定の回路パターンのマスクで披覆し
た後、エッチング処理を行って、導体回路４０（ビアラ
ンドを含む）を形成する（図２(ｅ)参照）。この処理工
程においては、先ず、銅箔１２の表面に感光性ドライフ
ィルムレジストを貼付した後、所定の回路パターンに沿
って露光、現像処理してエッチングレジストを形成し、
エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングし
て、ビアランドを含んだ導体回路パターン４０を形成す
る。

【００９６】エッチング液としては、硫酸一過酸化水
素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選
ばれる少なくとも1種の水溶液が望ましい。上記銅箔１
２をエッチングして導体回路４０を形成する前処理とし
て、ファインパターンを形成しやすくするため、あらか
じめ、銅箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜１０
μｍ、より好ましくは２〜８μｍ程度まで薄くすること
ができる。

【００９７】(13)絶縁性基材１０の片面に導体回路４０
を形成した後、保護フィルム１４およびエッチング保護
フィルム２５を剥離させて、突起状導体４４を露出させ
ると、片面回路基板５０を得ることができ、さらに絶縁
性基材１０の表面から露出する突起状導体４４を覆って
接着剤層４６を形成する（図２（ｆ）参照）。このよう
な樹脂接着剤は、絶縁性基材１０の突起状導体４４を含
んだ表面全体だけではなく、突起状導体２４を含まない
ような表面に塗布することもでき、乾燥化された状態の
未硬化樹脂からなる接着剤層４６として形成される。前
記接着剤層４６は、取扱が容易になるため、プレキュア
しておくことが好ましく、その厚さは、５〜５０μｍの
範囲が望ましい。

【００９８】また前記接着剤層４６は、有機系接着剤か
らなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエー
テル（ＰＰＥ）、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合
樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との複合樹脂、Ｂ
Ｔレジンから選ばれる少なくとも１種の樹脂であること
が望ましい。有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法
は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、ス
プレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。ま
た、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートする
ことによってもできる。

【００９９】上記工程(11)〜(13)にしたがって形成され
た片面回路基板５０は、絶縁性基材１０の一方の表面に
導体回路４０を有し、他方の表面には充填ビアホール２
０の直上において導電性ペーストの一部が露出して形成
される突起状導体４４を有し、さらに突起状導体４４を
含んだ絶縁性基材１０の表面に接着剤層４６を有して形
成され、それらの複数枚が相互に積層接着されたり、予
め製造された両面回路基板３４に積層接着されて、多層
化基板が形成されるが、樹脂接着剤４６はこのような積
層段階で使用されることが好ましい。

【０１００】（Ｂ）積層用回路基板の多層化 上記（Ａ）の処理工程にしたがって製造された両面回路
基板３４の両面に、図３に示すように、３枚の片面回路
基板５０、５２および５４が積層されてなる４層基板
が、加熱温度１５０〜２００℃、加圧力１〜４ＭＰａの
条件のもとで、1度のプレス成形により一体化され多層
化基板６０が形成される（図４参照）。上記のような条
件のもとで、加圧と同時に加熱することで、各片面回路
基板の接着剤層４６が硬化し、隣接する片面回路基板と
の間で強固な接着が行われる。なお、加熱プレスとして
は、真空熱プレスを用いることが好適である。上述した
実施の形態では、１層の両面回路基板と３層の片面回路
基板とを用いて４層に多層化したが、５層あるいは６層
を超える多層化にも適用できる。

【０１０１】（Ｃ）ビルドアップ配線層の形成 上記(Ａ)および(Ｂ)の工程によって形成された多層コア
基板６０の両面にビルドアップ配線層を形成する。図５
においては、多層コア基板６０を構成する両面および片
面回路基板の図示は、簡単化の目的ですべて省略する
（図５（ａ）参照）。

【０１０２】(1)まず、多層コア基板６０表面の導体回
路５２の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２
を形成する（図５（ｂ）参照）。この粗化層６２は、無
電解めっきにより形成される。この無電解めっき水溶液
の液組成は、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜
リン酸イオン濃度が、それぞれ２．２×１０^−２〜４．
１×１０^−２ ｍｏｌ／ｌ、 ２．２×１０^−３〜４．１
×１０^−３ ｍｏｌ／ｌ、０．２０〜０．２５ｍｏｌ／
ｌであることが望ましい。この範囲で析出する被膜の結
晶構造は針状構造になるため、アンカー効果に優れるか
らである。この無電解めっき水溶液には上記化合物に加
えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。粗化層の形成方法
としては、前述したように、銅−ニッケル−リン針状合
金めっきによる処理、酸化−還元処理、銅表面を粒界に
沿ってエッチングする処理にて粗化面を形成する方法な
どがある。

【０１０３】(2)次に、前記(1)で作製した粗化層を有す
る多層コア基板６０の上に、層間樹脂絶縁層６４を形成
する（図５（ｃ））。特に本発明では、後述するビアホ
ール７０を形成する層間樹脂絶縁材として、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を樹脂マトリックスとした無
電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。また、半
硬化状態の樹脂フィルムを積層して用いてもよい。

【０１０４】(3) 前記(2)で形成した無電解めっき用接
着剤層を乾燥した後、ビアホール形成用の開口部６５を
設ける（図５（ｄ））。感光性樹脂の場合は、露光、現
像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹脂
の場合は、熱硬化したのちレーザー加工することによ
り、前記接着剤層６４にビアホール形成用の開口部６５
を設ける。

【０１０５】(4) 次に、硬化した前記接着剤層６４の表
面に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によ
って分解または溶解して除去し、接着剤層表面に粗化処
理を施して粗化面６６とする（第５図（ｅ））。ここ
で、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻
酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用いるこ
とが望ましい。粗化処理した場合に、ビアホールから露
出する金属導体層を腐食させ難いからである。一方、上
記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩（過マン
ガン酸カリウムなど）を用いることが望ましい。

【０１０６】(5) 次に、接着剤層６４表面の粗化面６６
に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオン
や貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的
には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよ
い。

【０１０７】(6) さらに、（無電解めっき用）接着剤層
６４の表面に無電解めっきを施し、粗化面全域に追従す
るように、無電解めっき膜６７を形成する（図５
（ｆ））。このとき、無電解めっき膜６７の厚みは、
０．１〜５μｍの範囲が好ましく、より望ましくは
０．５〜３μｍとする。次に、無電解めっき膜６７上に
めっきレジスト６８を形成する（図６（ａ))。めっきレ
ジスト組成物としては、特にクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂のア
クリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用い
ることが望ましいが、他に市販品のドライフィルムを使
用することもできる。

【０１０８】(7) さらに、無電解めっき膜６７上のめっ
きレジスト非形成部に電解めっきを施して、上層導体回
路７２を形成すべき導体層を設けると共に開口６５内部
に電解めっき膜６９を充填してビアホール７０を形成す
る（図６（ｂ））。この時、開口５の外側に露出する電
解めっき膜９の厚みは、５〜３０μｍが望ましい。ここ
で、上記電解めっきとしては、銅めっきを用いることが
望ましい。

【０１０９】(8) さらに、めっきレジスト６８を除去し
た後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジス
ト下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した上層導
体回路７２と充填ビアホール７０とする。

【０１１０】(9) 次に、上層導体回路７２の表面に粗化
層７４を形成する。粗化層７４の形成方法としては、エ
ッチング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理が
ある。これらの処理のうち、酸化還元処理は、ＮａＯＨ
（２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ ₂（５０ｇ／ｌ）、ＮａＰ
Ｏ_４（１５．０ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）とし、Ｎａ
ＯＨ（２．７ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ_４(１．０ｇ／ｌ)を還
元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合金層からなる
粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成され
る。

【０１１１】この合金の無電解めっき液としては、硫酸
銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．１ 〜６．０ｇ／
ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１
００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．
０１〜１０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いるこ
とが望ましい。さらに、この粗化層７４の表面をイオン
化傾向が銅より大きくチタン以下である金属もしくは貴
金属の層にて被覆する。スズの場合は、ホウフッ化スズ
−チオ尿素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。このと
き、Ｃｕ−Ｓｎの置換反応により０．１〜２μｍ程度の
Ｓｎ層が形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着
などの方法が採用できる。

【０１１２】(10)次に、この基板上に層間樹脂絶縁層と
して、無電解めっき用接着剤層７６を形成する。 (11)さらに、上記工程(3)〜(9)を繰り返して、ビアホー
ル７０の真上に他のビアホール８０を設けると共に上記
上層導体回路７２よりもさらに外側に上層導体回路８２
および粗化層８４を設ける（図６（ｃ）参照）。このビ
アホール８０の表面は、はんだパッドとして機能する導
体パッドに形成される。

【０１１３】(12)次いで、こうして得られた配線基板の
外表面に、ソルダーレジスト組成物９０を塗布し、その
塗膜を乾燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフォ
トマスクフィルムを載置して露光、現像処理することに
より、導体層のうち導体パッドやビアホールを含む部分
を露出させた開口９１を形成する（図７（ａ）参照）。
ここで、露出する開口の口径は、導体パッドの径よりも
大きくすることができ、導体パッドを完全に露出させて
もよい。また、逆に前記開口の開口径は、導体パッドの
径よりも小さくすることができ、導体パッドの縁周をソ
ルダーレジスト層９０で被覆することができる。この場
合、導体パッドをソルダーレジスト層９０で抑えること
ができ、導体パッドの剥離を防止できる。

【０１１４】(13)さらに、前記ソルダーレジスト層９０
の開口部９１から露出した前記導体パッド部上に「ニッ
ケル−金」からなる金属層を形成するか、あるいは開口
部９１から露出した導体層上に接続用端子(図示を省略
する)を固着させることによって、多層回路基板が製造
される（図７（ｂ）参照）。上記ニッケル層９２は１〜
７μｍが望ましく、金層は０．０１〜０．０６μｍがよ
い。この理由は、ニッケル層９２は、厚すぎると抵抗値
の増大を招き、薄すぎると剥離しやすいからである。一
方、上記ニッケル層９２上に形成される金層９４は、厚
すぎるとコスト増になり、薄すぎるとはんだ体との密着
効果が低下するからである。上記接続用端子は、実装さ
れるべきパッケージ基板に出力端子として設けたＴピン
の脚部が、そこに挿入・保持されるように導体パッド上
に固定されるのが好ましい。

【０１１５】

【実施例】（実施例１） (1)エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてＢステー
ジとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレスす
ることにより得られる片面銅張積層板を基板として用い
て、両面回路基板を製作する。この絶縁性基材１０の厚
さは７５μｍ、銅箔１２の厚さは、１２μｍであった。
この積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが１０
μｍの粘着剤層を有し、フィルム自体の厚みが１２μｍ
のＰＥＴフィルム１４をラミネートする。

【０１１６】(2)次いで、ＰＥＴフィルム１４上からパ
ルス発振型炭酸ガスレーザを照射して銅箔１２に達する
ビアホール形成用の非貫通孔１６を形成し、さらに銅箔
１２をめっきリードとして電解銅めっき処理を施して、
非貫通孔１６上部にわずかの隙間を残してその非貫通孔
内部に電解銅めっき１８を充填して、充填ビアホール２
０を形成する。

【０１１７】この実施例においては、ビアホール形成用
の非貫通孔の形成には、三菱電機製の高ピーク短パルス
発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、全体として厚さ
２２μｍのＰＥＴフィルムを樹脂面にラミネートした、
基材厚７５μｍのガラス布エポキシ樹脂基材に、マスク
イメージ法でＰＥＴフィルム側からレーザビーム照射し
て１００穴／秒のスピードで、１５０μｍφのビアホー
ル形成用の開口を形成した。

【０１１８】(3)ＰＥＴフィルム１４を印刷用マスクと
して、レーザ照射により形成された開口から、充填ビア
ホール２０の上部に残った隙間に導電性ペースト２２を
充填した。

【０１１９】(4)ＰＥＴフィルム１４を絶縁性基材１０
の表面から剥離すると、絶縁性基材１０のビアホール２
０側の表面に、ビアホール２０の真上に突起状導体２４
が形成される。さらに、エポキシ樹脂接着剤を突起状導
体側の全面に塗布し、１００℃で３０分間の乾燥を行っ
て厚さ２０μｍの接着剤層２６を形成した後、厚さ１２
μｍの銅箔２８を、加熱温度１８０℃、加熱時間７０
分、圧力２ＭＰａ、真空度２．５×１０^３Ｐａの条件の
もとで、接着剤層２６上に加熱プレスする。

【０１２０】(5)その後、基板両面の銅箔１２および２
８に適切なエッチング処理を施して、導体回路３０およ
び３２（ビアランドを含む）を形成して、コア用両面回
路基板３４を作製した。

【０１２１】(6)次に、積層用の片面回路基板を作製す
る。この回路基板は両面回路基板と同様に、片面銅張積
層板を基板として用いる。絶縁性基材１０の厚さは７５
μｍ、銅箔１２の厚さは、１２μｍである。この積層板
の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが１０μｍの粘着
剤層を有し、フィルム自体の厚みが１２μｍのＰＥＴフ
ィルム１４をラミネートする。

【０１２２】(7)ついで、上記(2)および(3)の工程にし
たがった処理を行って、充填ビアホール２０のわずかな
隙間に導電性ペースト２２を充填して、突起状導体４４
を形成する。

【０１２３】(8)上記ＰＥＴフィルム１４を覆って、エ
ッチング保護フィルムとしての厚さ２２μｍのＰＥＴフ
ィルム２５を貼付けた後、絶縁性基材１０の充填ビアホ
ール２０と反対側の表面に貼付けた銅箔１２に適切なエ
ッチング処理を施して、導体回路４０を形成する。

【０１２４】(9)その後、ＰＥＴフィルム１４および２
５をすべて絶縁性基材１０から剥離すると、絶縁性基材
１０のビアホール２０側の表面に、ビアホール２０の真
上に突起状導体４４が形成される。さらに、エポキシ樹
脂接着剤を突起状導体側の全面に塗布してプレキュアし
て、多層化のための接着剤層４６を形成する。このよう
な積層用片面回路基板を３枚作製する。

【０１２５】(10)上記(1)〜(9)の処理によって形成され
た、１層の両面回路基板３４をコアとして、その両面に
対して３層の片面回路基板５０、５２および５４を所定
の位置にスタックし（図３参照）、真空熱プレスを用い
て１８０℃の温度で積層プレスして全層がＩＶＨ構造を
有する多層コア基板６０を作成した（図４参照）。この
ように製造された多層コア基板６０においては、Ｌ/Ｓ=
７５μｍ/７５μｍ、ランド径が２５０μｍ、ビアホー
ル口径が１５０μｍ、導体層の厚みが１２μｍ、そして
絶縁層の厚みが７５μｍであった。

【０１２６】(11)次に、両面に導体回路４０を形成した
多層コア基板６０（図５(a) 参照）を、硫酸銅８ｇ／
ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜
リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面
活性剤 ０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路４０の表面に厚さ３μｍの銅−
ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成した。次い
で、その基板を水洗いし、０．１ｍｏｌ／ｌホウふっ化
スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からなる無電解スズ
置換めっき浴に５０℃で１時間浸漬し、前記粗化層６３
の表面に ０．３μｍのスズ層を設けた（図５(b) 参
照、但し、スズ層については図示しない）。

【０１２７】(12) 下記〜で得た組成物を混合撹拌
して、無電解めっき用接着剤を調製した。 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、
分子量2500）の２５％アクリル化物を３５重量部（固形
分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製、アロニック
スＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）
０．５ 重量部、ＮＭＰ ３．６重量部を撹拌混合した。 ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８重量部、エポキ
シ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径
０．５μｍのものを ７．２４５重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ２０重量部を添加し撹拌混合した。 イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量
部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−90
7 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）０．２
重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合した。

【０１２８】(13) 前記(12)で調製した無電解めっき用
接着剤を上記(11)の処理を施した基板６０に塗布し（図
５(c) 参照）、乾燥させて接着剤層を形成したその基板
６０の両面に、８５μｍφの黒円が印刷されたフォトマ
スクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により ５００
ｍJ／ｃｍ^２ で露光した。これをＤＭＤＧ（ジエチレン
グリコールジメチルエーテル）溶液でスプレー現像する
ことにより、接着剤層に８５μｍφのビアホールとなる
開口６５を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯
により３０００ｍJ／ｃｍ^２ で露光し、１００ ℃で１
時間、その後 １５０℃で５時間の加熱処理をすること
により、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優
れた開口を有する厚さ３５μｍの層間絶縁材層６４（接
着剤層）を形成した（図５(ｄ) 参照）。なお、ビアホ
ールとなる開口６５には、スズめっき層を部分的に露出
させた。

【０１２９】(14)ビアホール形成用開口６５を形成した
基板を、クロム酸に２０分間浸漬し、接着剤層表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤層
６４の表面をRmax=１〜５μｍ程度の深さで粗化して粗
化面６６を形成し、その後、中和溶液（シプレイ社製）
に浸漬してから水洗した。

【０１３０】(15)接着剤層表面の粗化層６６（粗化深さ
３.５μｍ）に対し、パラジウム触媒（アトテック製）
を付与することにより、接着剤層６４およびビアホール
形成用開口６５の表面に触媒核を付与した。

【０１３１】(16)以下の組成の無電解銅めっき浴中に基
板を浸漬して、粗化面全体に厚さ0.6μｍの無電解銅め
っき膜６７を形成した（図５（ｆ）参照）。このとき、
その無電解めっき膜６７は、薄いために、その膜表面に
は、接着剤層６４の粗化面６６に追従した凹凸が観察さ
れた。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ_４ ：０．００３ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ：０．２０ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ：０．０３ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ：０．０５ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ：０．１０ｍｏｌ／ｌ α、α’−ビピリジル ：４０ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）：０．１ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３３℃の液温度

【０１３２】(17) 前記(16)で形成した無電解銅めっき
膜６７上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マ
スクを載置して、１００ｍJ／ｃｍ^２で露光、０．８％
炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレ
ジスト６８を設けた（図６（ａ）参照）。

【０１３３】(18)次に、以下の条件にて、めっきレジス
ト非形成部分に電解めっきを施し、厚さ２０μｍの電解
めっき膜６９を設けて上層導体回路７２を形成すべき導
体層を設けると同時に、開口部内をめっき膜６９で充填
してビアホール７０を形成した（図６(b) 参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸銅・５水和物 ：６０ｇ／ｌ レベリング剤（アトテック製、ＨＬ） ：４０ｍｌ／ｌ 硫酸 ：１９０ｇ／ｌ 光沢剤（アトテック製、ＵＶ） ：０．５ ｍｌ／ｌ 塩素イオン ：４０ｐｐｍ 〔電解めっき条件〕 バブリング ：３．０リットル／分 電流密度 ：０．５Ａ／ｄｍ^２ 設定電流値 ： ０．１８ Ａ めっき時間 ： １３０分

【０１３４】(19) めっきレジスト６８を剥離、除去し
た後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジス
ト下の無電解めっき膜６７を溶解、除去して、無電解め
っき膜６７と電解銅めっき膜６９からなる厚さ約２０μ
ｍ、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍの上層導体回路７２を
形成した。このとき、ビアホール７０の表面は平坦であ
り、導体回路表面とビアホール表面のレベルは同一であ
った。

【０１３５】(20)この基板に上記(11)と同様にして粗化
層８４を形成し、さらに上記(12)〜(19)の手順を繰り返
して、さらに上層の層間樹脂絶縁層７６と導体回路８２
（ビアホール８０を含む）を１層積層し、片面３層、両
面６層のビルドアップ配線層を得た（図７（ａ）参
照）。なお、ここでは、導体回路８２の表面に銅−ニッ
ケル−リンからなる粗化層８４を設けるが、この粗化層
８４表面にはスズ置換めっき層を形成しない。

【０１３６】(21)一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量
％のクレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与の
オリゴマー（分子量４０００）を４６．６７重量部、メ
チルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１０
０１）１４.１２１重量部、イミダゾール硬化剤（四国
化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１.６重量部、感光性モノ
マーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０
４）１.５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄
社製、ＤＰＥ６Ａ）３０重量部、アクリル酸エステル重
合物からなるレベリング剤（共栄社製、ポリフローＮ
ｏ.７５）０．３６重量部を混合し、この混合物に対し
て光開始剤としてのペンゾフェノン（関東化学製）２０
重量部、光増感割としてのＥＡＢ（保土ヶ谷化学製）
０.２重量部を加え、さらにＤＭＤＧ（ジエチレングリ
コールジメチルエーテル）１０重量部を加えて、粘度を
２５℃で１.４±０．３ｐａ・ｓに調整したソルダーレ
ジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器、ＤＶＬ‐Ｂ型）を用いて行い、６０ｒｐｍ
の場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローター
Ｎｏ.３によった。

【０１３７】(22)上記(20)で得られたビルドアップ配線
層の両面に、前記(21)で得られたソルダーレジスト組成
物を２０μｍの厚さで塗布した。次いで、７０℃で２０
分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、クロム
層によってソルダーレジスト開口部の円パターン（マス
クパターン）が描画された厚さ５ｍｍのソーダライムガ
ラス基坂を、クロム層が形成された側をソルダーレジス
ト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ現像処理した。さらに、８０℃で１時間、
１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時
間の条件で加熱処理し、パッド部分が開口した（開口径
２００μｍ）ソルダーレジスト層９０（厚み２０μｍ）
を形成した。

【０１３８】(23)次に、ソルダーレジスト層９０を形成
した基板を、塩化ニッケル３０ｇ／１、次亜リン酸ナト
リウム１０ｇ／１、クエン酸ナトリウム１０ｇ／１から
なるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬
して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層９２を形
成した。さらに、その基板を、シアン化金力リウム２ｇ
／１、塩化アンモニウム７５ｇ／１、クエン酸ナトリウ
ム５０ｇ／１、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／１からな
る無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬する
ことによって、ニッケルめっき層９２上に厚さ０．０３
μｍの金めっき層９４が形成された多層回路基板を製作
した（図７（ｂ）参照）。

【０１３９】このようにして製造した多層回路基板で
は、多層コア基板のビアホールのランド形状を真円とす
ることができ、ランドピッチを６００μｍ程度にできる
ため、ビアホールを密集して形成でき、ビアホールの高
密度化が容易に達成できる。しかも、コア基板中のビア
ホール数を増やすことができるので、多層コア基板内の
導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電気的
接続を十分に確保することができる。また、ビルドアッ
プ配線層の最も外側に設けたソルダーレジスト層９０の
開口から露出した金めっき層９４（はんだパッド）に対
して、ＬＳＩ等の半導体チップを含む電子部品を搭載す
るパッケージ基板の導電性ボール（はんだボール）が接
続されるので、パッケージ基板の実装に有利となる。

【０１４０】（実施例２）多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例１と同様にして多層回路基
板を製造した。

【０１４１】（実施例３）層間樹脂絶縁層を、厚さ２０
μｍのエポキシ樹脂フィルムを熱圧着させることにより
形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径６０μｍのビア
ホール形成用の開口を設け、その開口内壁面を含んだ層
間樹脂絶縁層の表面を過マンガン酸溶液によって粗化処
理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして多層回路
基板を製造した。上記エポキシ樹脂フィルムは、フェノ
キシ樹脂との樹脂複合体であることが望ましく、粗化層
形成用の粒子を含有させている。

【０１４２】（実施例４）多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例３と同様にして多層回路基
板を製作した。

【０１４３】(実施例５)層間樹脂絶縁層を、厚さ２０μ
ｍのポリオレフィン樹脂フィルムを熱圧着させることに
より形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径６０μｍの
ビアホール形成用の開口を設け、その後、無電解めっき
膜を形成する代わりに、粗化処理を施さないで、スパッ
タリングによって開口内壁面を含んだ層間樹脂絶縁層の
表面に厚さ０．１μｍのＣｕスパッタ膜またはＣｕ−Ｎ
ｉスパッタ膜を形成したこと以外は実施例１と同様にし
て多層回路基板を製造した。

【０１４４】（実施例６）多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例５と同様にして多層回路基
板を製作した。

【０１４５】（比較例） (1)厚さ０．８μｍの両面銅張積層板からなる絶縁基板
をコア基板とし、そのコア基板に直径３００μｍの貫通
孔をドリルで削孔し、その後、無電解めっき、電解めっ
き処理を施してスルーホールを含む導体層を形成し、さ
らに、スルーホールを含む導体層の全表面に粗化層を設
け、スルーホール内に非導電性の穴埋め用充填材を充填
し、乾燥、硬化させた。 (2)次いで、スルーホールからはみ出した充填材を取り
除いて平坦化し、その表面に無電解めっき、電解めっき
処理を施して厚付けして導体回路、およびスルーホール
に充填された充填材を覆う導体層となる部分を形成し
た。 (3)導体回路およびスルーホールに充填された充填材を
覆う導体層となる部分を形成した基板の表面に、エッチ
ングレジストを形成し、そのエッチングレジスト非形成
部分のめっき膜をエッチング除去し、さらにエッチング
レジストを剥離除去して、独立した導体回路および充填
材を覆う導体層を形成した。さらに、実施例１の(11)〜
(23)と同様の工程に従って多層回路基板を製造した。

【０１４６】上記実施例１〜６および比較例について、
配線長とランド径を調べた結果、比較例と比べて配線長
を短くすることができ、ループインダクタンスを低減す
ることができ、単位面積あたりのランド形成数が多くな
った。また、電気抵抗も比較例に比べて小さくなったの
で、電気的特性の向上を図ることもできた。

【０１４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層回路
基板によれば、多層コア基板を、レーザ加工により形成
した微細な充填ビアホールおよび導体回路を有する多数
の回路基板を積層して一括熱プレスすることによって形
成したので、多層コア基板内の配線を高密度化できると
ともに、従来のようなスルーホールを設けることなく、
ビルドアップ配線層との電気的接続が充填ビアホールを
介して十分に確保することができる。

【０１４８】さらに、ビルドアップ配線層の最も外側に
位置するソルダーレジスト層に設けた開口内に露出する
導体層の少なくとも一部を導体パッドあるいは接続用端
子の形態に形成したので、ビアホール直上の導体パッド
上あるいは接続用端子に対して、電子部品を搭載するパ
ッケージ基板に設けたはんだボールあるいはＴピンが接
続され得るので、高密度配線化および高密度実装化が可
能となる。

【０１４９】更に、片面あるいは両面回路基板を同一材
料で形成し、それらを積層した構造なので、熱膨張に起
因する界面を起点とするクラックや剥離が起きにくく、
したがって、温度サイクル試験に対する信頼性も向上す
る。また、片面回路基板だけを用いて多層回路基板を構
成した場合には、配線形成の有無に関わらず反りが発生
し難くなるという効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a)〜(f) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層コア基板を構成する両面回路基板の製
造工程の一部を示す図である。

【図２】(a)〜(e) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層コア基板を構成する片面回路基板の製
造工程の一部を示す図である。

【図３】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多
層コア基板の製造工程の一部を示す図である。

【図４】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多
層コア基板を示す図である。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明にかかる多層回路基
板の製造工程の一部を示す図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明にかかる多層回路基
板の製造工程の一部を示す図である。

【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明にかかる多層回
路基板の製造工程の一部を示す図である。

【符号の説明】

１０ 絶縁性基材 １２ 接着剤 １４ 保護フィルム １６ ビアホール形成用開口 １８ 導電性ペースト ２０ ビアホール ２２ 銅箔 ２４ 導体回路 ３０ 両面回路基板 ３２、３４，３６ 片面回路基板 ４０ 絶縁性基材 ４２ 銅箔 ４４ ＰＥＴフィルム ４６ ビアホール形成用開口 ４８ 導電性ペースト ４９ ビアホール ５０ エッチング保護フィルム ５２ 導体回路 ５３ 突起状導体 ５４ 接着剤層 ６０ 多層コア基板 ６２ 粗化層 ６４ 無電解めっき用接着剤層 ６５ ビアホール形成用開口 ６６ 粗化層 ６７ 無電解めっき膜 ６８ めっきレジスト ６９ 電解めっき膜 ７０ ビアホール ７２ 導体回路 ７４ 粗化層 ７６ 無電解めっき用接着剤層 ８０ ビアホール ８２ 導体回路 ８４ 粗化層 ９０ ソルダーレジスト層 ９２ ニッケルめっき層 ９４ 金めっき層 ９６ 導体パッド

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内層に導体回路を有する多層コア基板の
   両面上に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層さ
   れ、各導体層間がビアホールにて接続されたビルドアッ
   プ配線層が形成されてなる多層回路基板において、 上記多層コア基板は、絶縁性硬質基材の片面または両面
   に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記
   導体回路に達する孔内に、導電性物質が充填されてなる
   ビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を介し
   て積層され、一括して加熱プレスされることで形成さ
   れ、さらに、 上記ビルドアップ配線層の最も外側の導体層は、ソルダ
   ーレジスト層に覆われ、そのソルダーレジスト層に設け
   た開口から露出する前記導体層の少なくとも一部は、導
   体パッドあるいは接続用端子に形成されていることを特
   徴とする多層回路基板。
2. 【請求項２】 上記導電性物質は、電解めっき処理によ
   って形成された金属めっきであることを特徴とする請求
   項１に記載の多層回路基板。
3. 【請求項３】 上記導電性物質は、金属粒子と、熱硬化
   性または熱可塑性の樹脂とからなる導電性ペーストであ
   ることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
4. 【請求項４】 上記多層コア基板を構成する各回路基板
   は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホールに
   電気的接続された突起状導体が形成されていることを特
   徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の多層回路
   基板。
5. 【請求項５】 上記突起状導体は、導電性ペーストから
   形成されることを特徴とする請求項４に記載の多層回路
   基板。
6. 【請求項６】 上記ビルドアップ配線層のビアホールの
   一部は、上記多層コア基板に形成されたビアホールの直
   上に位置して、そのビアホールに直接接続されているこ
   とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層回
   路基板。