JPH11251754A - 多層プリント配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バイアホールとバイアホールとの間の接続信
頼性に優れたフィルドビア構造を有する多層プリント配
線板を提供する。 【解決手段】 下層の層間樹脂絶縁層４０に設けられた
開口部４２にめっき４８を充填し下層バイアホール５０
を析出した後、表面に粗化層５８を形成する。そして、
当該下層バイアホール５０の上層の層間樹脂絶縁層６０
に開口６２を設け、上層バイアホール７０を形成する。
ここで、下層バイアホール５０の表面に粗化層５８が形
成されているため、下層バイアホール５０と上層バイア
ホール７０との接続信頼性を確保できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、下層のバイアホ
ールの直上に上層のバイアホールを形成するフィルドビ
ア構造を有する多層プリント配線板に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】いわゆるビルドアップ多層プリント配線
板においては、図２０（Ａ）に示すようにバイアホール
２５０によって、下層の導体回路２３４と上層の導体回
路２５２とが電気的に接続されている。該バイアホール
２５０は、層間樹脂絶縁層２４０に穿設された開口部２
４２の内面にめっき膜２４８を設けることにより形成さ
れている。このバイアホール２５０を形成するめっき層
２４８の内側には、上層の層間樹脂絶縁層２６０を形成
する樹脂２６０ａが充填されている。このため、該バイ
アホール２５０の上側にバイアホールを図中点線に示す
ように形成すると、めっき層２４８の内側に充填された
樹脂２６０ａにより両バイアホール間の接続が困難と成
る。

【０００３】このため、バイアホールの上にバイアホー
ルを形成する際、即ち、高密度化を図るため、配線を介
さずバイアホールにバイアホールを直接接続するときに
は、図２１（Ｉ）に示すように層間樹脂絶縁層１４０の
開口部１４２をめっき１４８にて充填するいわゆるフィ
ルドビア構造により多層プリント配線板を形成してい
る。係る技術が本出願人に係る特開平２−１８８９９２
号、特開平３−３２９８号、特開平７−３４０４８号に
開示されている。

【０００４】このバイアホールの上にバイアホールを形
成する方法について図２０（Ｂ）〜図２１（Ｉ）を参照
して説明する。先ず、表面に導体回路１３４を形成した
基板１３０の上下面に下層層間樹脂絶縁層を形成する樹
脂１４０を塗布する（図２０（Ｂ）参照）。そして、該
層間樹脂絶縁層１４０にバイアホールを形成するための
開口部１４２を形成する（図２０（Ｃ）参照）。引き続
き、基板１３０の表面に均一に無電解めっき膜１４４を
析出させた後に、レジスト層１４６を形成する（図２０
（Ｄ）参照）。そして、該レジスト層１４６の非形成部
に電解めっき膜１４８を析出させることで、バイアホー
ル１５０及び導体回路１５２を形成する（図２０（Ｅ）
参照）。その後、レジスト層１４６及びレジスト層の下
層の無電解めっき膜１４４を剥離してから、基板１３０
の表面に上層の層間樹脂絶縁層となる樹脂１６０と塗布
する（図２１（Ｆ）参照）。そして、フォトエッチング
により該層間樹脂絶縁層１６０にバイアホールを形成す
るための開口部１６２を形成する（図２１（Ｇ）参
照）。引き続き、基板１３０の表面に均一に無電解めっ
き膜１６４を析出させた後に、レジスト層１６６を形成
し、該レジスト形成１６６の非形成部に電解めっき膜１
６８を析出させる（図２１（Ｈ）参照）。最後に、レジ
スト層１６６及びレジスト層の下層の無電解めっき膜１
６４を剥離することで、上層バイアホール１７０及び導
体回路１７２を完成する（図２１（Ｉ）参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た製造方法に係る多層プリント配線板においては、下層
のバイアホール１５０と上層のバイアホール１７０との
接続信頼性が低かった。この原因を本発明者が研究した
ところ、図２０（Ｅ）に示すように電解めっき層１４８
により下層バイアホール１５０を形成した際に、該下層
バイアホール１５０の表面に酸化皮膜が形成されるため
であることが判明した。即ち、図２１（Ｉ）に示すよう
に、上層層間樹脂絶縁層１６０は、熱収縮を繰り返す際
に該下層バイアホール５０と上層バイアホール７０とを
引き離す方向に応力を加わえる。この際に、下層バイア
ホール１５０と上層バイアホール１７０との界面、、即
ち、下層バイアホール１５０の表面に酸化皮膜が形成さ
れていると、該下層バイアホール１５０の表面と上層バ
イアホール１７０の下面とが分断され、下層バイアホー
ル１５０と上層バイアホール１７０との電気接続が断た
れることが分かった。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、バイア
ホールとバイアホールとの間の接続信頼性に優れたフィ
ルドビア構造を有する多層プリント配線板を提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため本発明は、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積
層してなる多層プリント配線板において、下層の層間樹
脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部には金属（め
っき）が充填されて下層バイアホールが形成され、当該
下層バイアホールの表面の粗化層を介して上層バイアホ
ールが形成されてなることを技術的特徴とする。

【０００８】本発明においては、下層のバイアホールと
上層のバイアホールとが、下層バイアホールの表面に形
成された粗化層を介して接続されているため、該下層バ
イアホールの表面に酸化皮膜が形成されたとしても、下
層バイアホールと上層バイアホールとの接続信頼性を保
つことができる。

【０００９】本発明の好適な態様において、下層バイア
ホールの中央部に窪みが形成されているため、該窪みに
垂直に粗化層が設けられている。このため、下層バイア
ホールと上層バイアホールとを強固に接続し、下層バイ
アホールと上層バイアホールとの接続信頼性を保つこと
ができる。

【００１０】本発明の好適な態様においては、下層の層
間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されているた
め、該開口部内に形成されるバイアホールとの密着性を
高めることができる。

【００１１】本発明の好適な態様においては、上層バイ
アホール及び導体回路の表面が粗化処理されているた
め、該上層バイアホール及び導体回路の上に形成される
半田パッド或いは層間樹脂絶縁層との間の密着性を高め
ることができる。

【００１２】本発明の好適な態様においては、下層の層
間樹脂絶縁層が、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体
又は主として熱可塑性樹脂からなり、靱性が高いため、
該層間樹脂絶縁層の開口部にバイアホール用のめっきを
充填しても、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し難い。

【００１３】本発明の好適な態様においては、バイアホ
ール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が１を越える。即
ち、めっきによりバイアホールを形成する工程におい
て、バイアホールを形成する開口部は、開口径に対して
深みが深過ぎないので、金属（めっき液）が該開口部内
に十分に回り込み、効率的にバイアホールをめっきにて
形成できる。他方、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層
の厚みの比は４以下に設定される。即ち、めっきにより
バイアホールを形成する工程において、バイアホールを
形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎないの
で、バイアホールの中央に窪みを形成することができ
る。窪みの深さは、導体回路の厚み範囲（即ち、窪みが
開口部に達しない範囲）であることが望ましく、具体的
には０．５〜３０μｍである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態に係る多層
プリント配線板の構成について、多層プリント配線板の
断面を示す図１９を参照して説明する。図中に示す多層
プリント配線板１０は、上面に図示しないＩＣチップの
バンプ側に接続するための半田バンプ８８Ｕが設けら
れ、下面側に図示しないマザーボードのバンプに接続す
るための半田バンプ８８Ｄが配設され、該ＩＣチップ−
マザーボード間の信号等の受け渡しの役割を果たすパッ
ケージ基板として構成されている。

【００１５】多層プリント配線板１０のコア基板３０の
上面側上層及び下面側上層（ここで、上層とは基板３０
を中心として上面については上側を、基板の下面につい
ては下側を意味する）には、グランド層となる内層銅パ
ターン３４、３４が形成されている。また、内層銅パタ
ーン３４の上層には、下層層間樹脂絶縁層４０を介在さ
せて信号線を形成する導体回路５２、又、該層間樹脂絶
縁層４０を貫通して下層バイアホール５０が形成されて
いる。下層バイアホール５０及び導体回路５２の上層に
は、上層層間樹脂絶縁層６０を介して最外層の導体回路
７２、及び該上層層間樹脂絶縁層６０を貫通する上層バ
イアホール７０が形成されている。

【００１６】上面側の該導体回路７２、上層バイアホー
ル７０には半田バンプ８８Ｕを支持する半田パッド８６
Ｕが形成されている。ここで、ＩＣチップ側の半田パッ
ド８６Ｕは、直径１３３μｍに形成されている。他方、
下面側の該導体回路７２、上層バイアホール（図示せ
ず）には半田バンプ８８Ｄを支持する半田パッド８６Ｄ
が形成されている。ここで、マザーボード側の半田パッ
ド８６Ｄは、直径６００μｍに形成されている。

【００１７】第１実施形態の多層プリント配線板におい
ては、下層バイアホール５０の表面、即ち、下層バイア
ホール５０と上層バイアホール７０との界面は、粗化処
理された粗化層５８が形成されているので、両者は強固
に接合している。このため、該下層バイアホール５０の
表面に酸化皮膜が形成され、層間樹脂絶縁層６０の熱収
縮により該下層バイアホール５０と上層バイアホール７
０とを引き離す方向に応力が加わったとしても、下層バ
イアホール５０と上層バイアホール７０との接続信頼性
を保つことができる。更に、下層バイアホール５０の中
央部に窪み５０ａが形成され、該窪み５０ａの曲面に対
して垂直に粗化層５８が設けられている。このため、下
層バイアホール５０と上層バイアホール７０との間に加
わる両者を剥離させる図中上下方向の応力に対して、両
者を強固に接続し、下層バイアホール５０と上層バイア
ホール７０との接続を維持することができる。そして、
下層層間樹脂絶縁層４０及び上層層間樹脂絶縁層６０の
開口部４２、６２の側面４２ａ、６２ａは、図中に示す
ように粗化処理されているため、該開口部４２、６２内
に形成されるバイアホール５０、７０との密着性を高め
ることができる。

【００１８】銅からなるバイアホール５０と、該バイア
ホール５０の形成された樹脂からなる層間樹脂絶縁層４
０との間には、両者の熱膨張率の違いから熱収縮の際に
大きな応力が加わる。ここで、図２０（Ａ）を参照して
上述した従来技術に係る内側に樹脂２６０ａを充填する
構成のバイアホール２５０においては、発生した応力を
銅めっき２４８内部の樹脂２６０ａ側へ逃がすことがで
きた。これに対して、本実施形態の多層プリント配線板
１０においては、層間樹脂絶縁層４０、６０の開口部４
２、６２にバイアホール用の電解銅めっき４８、６８を
充填してあるため、内側へ応力を逃がすことができな
い。このため、該多層プリント配線板１０においては、
下層層間樹脂絶縁層４０及び上層層間樹脂絶縁層６０
に、靱性の高い熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体を
用いることで、該応力によるクラックの発生を防止して
いる。ここでは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の複合体
を用いているが、この代わりに靱性の高いフッ素樹脂等
の熱可塑性樹脂を主に用いて層間樹脂絶縁層４０、６０
を形成することも可能である。

【００１９】更に、上層バイアホール７０及び導体回路
７２、５２の表面は粗化処理され、粗化層７８、５８が
形成されているため、該上層バイアホール７０、導体回
路７２上に形成される半田パッド８６Ｕとの密着性、及
び、導体回路５２上に形成される層間樹脂絶縁層６０と
の間の密着性を高めることができる。

【００２０】引き続き、図１９に示すパッケージ基板の
製造工程について図１〜図１９を参照して説明する。 （１）厚さ１ｍｍのＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）
樹脂またはガラスエポキシ樹脂からなるコア基板３０の
両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張
積層板３０Ａを出発材料とする（図１参照）。まず、こ
の銅張積層板３０Ａをパターン状にエッチングすること
により、基板３０の両面に内層銅パターン（導体回路）
３４を形成する（図２参照）。

【００２１】さらに、内層銅パターン３４を形成した基
板３０を、水洗いして乾燥した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫
酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活
性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に
浸漬し、該内層銅パターン３４の表面に厚さ３μｍの銅
−ニッケル−リンからなる粗化層３８を形成する（図３
参照）。その基板３０を水洗いし、０．１ｍｏｌ／ｌホ
ウふっ化スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からなる無
電解スズ置換めっき浴に５０℃で１時間浸漬し、粗化層
表面に０．３μｍのスズ層（図示せず）を設ける。

【００２２】（２）ここで、層間樹脂絶縁層を形成する
無電解めっき用接着剤を用意する。ここでは、 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製：
分子量２５００）の２５％アクリル化物を３５重量部
（固形分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製：商品
名アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプ
コ製 Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量部
を撹拌混合する。 熱可塑性樹脂としてポリエーテルスルフォン（ＰＥ
Ｓ）８重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂粒子
（三洋化成製商品名 ポリマーポール）の平均粒径０．
５μｍのものを７．２４５重量部、を混合した後、さら
にＮＭＰ２０重量部を添加し撹拌混合する。 イミダゾール硬化剤（四国化成製：商品名２Ｅ４ＭＺ
−ＣＮ）２重量部、光開始剤（チバガイギー製イルガキ
ュア −９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製：
ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹
拌混合する。 からを混合撹拌して無電解めっき用接着剤を得る。

【００２３】（３）（１）の無電解めっき用接着剤を
（２）の基板３０にロールコ一夕で塗布し、水平状態で
２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベ
ーク）を行い、層間樹脂絶縁層４０を形成する（図４参
照）。

【００２４】下層層間樹脂絶縁層４０を形成した基板３
０の両面に、所定径の黒円が印刷されたフォトマスクフ
ィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃ
ｍ２で露光する。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像
し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍ
Ｊ／ｃｍ２ で露光し、１００℃で１時間、その後１５
０℃で５時間の加熱処理（ポストベーク）をすることに
より、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れ
た６０μｍφの開口（バイアホール形成用開口部４２：
底部６１μｍ、上部６７μｍ）を有する厚さ２０μｍの
層間樹脂絶縁層４０を形成する（図５参照）。

【００２５】（４）開口部４２が形成された基板３０
を、クロム酸に２分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表
面のエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、該層
間樹脂絶縁層４０の表面に深さ４μｍ粗化面を形成す
る。この粗化面は、開口部４２内部の側面４２ａに対し
ても同様に形成される（図６参照）。その後、中和溶液
（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、
粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アト
テック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０
の表面およびバイアホール用開口部４２の内壁面に触媒
核を付ける。

【００２６】（５）以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６μｍの無電解銅
めっき膜４４を形成する（図７参照）。 〔無電解めっき液〕 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ２０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ３０ｍｌ／ｌ ＮａＯＨ ４０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌ ＰＥＧ ０．１ｇ／ｌ

【００２７】（６）上記（５）で形成した無電解銅めっ
き膜４４上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、
マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２ で露光、０．
８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍで、Ｌ
／Ｓ＝２５／２５μｍのめっきレジスト４６を設ける
（図８参照）。

【００２８】（７）ついで、レジスト非形成部分に以下
の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅め
っき膜５８を析出し、該めっき膜により開口部４２内を
充填する（図９参照）。 液条件：硫酸銅・５水和物 ６０ｇ／ｌ 硫酸 １９０ｇ／ｌ 塩素イオン ４０ｐｐｍ レベリング剤（アトテック製 ＨＬ）４０ｍｌ／ｌ 光沢剤 （アトテック製 ＵＶ）０．５ｍｌ／ｌ 操作条件：バブリング ３．００ｌ／分 電流密度 ０．５Ａ／ｄｍ２ 設定電流値 ０．１８Ａ めっき時間１００分 本実施形態の製造方法では、バイアホール５０を形成す
る部位の電解銅めっき４８の中央部に深さ１０μｍの窪
み５０ａができるように電解めっきを行う。この実施形
態では、めっきにより充填を行ったが、めっきの代わり
に、導電性ペーストを充填することもできる。導電性ペ
ーストとしては、タッタ電線製ＤＤペースト（ＡＥ１６
００１）などが挙げられる。

【００２９】（８）めっきレジスト４６を５％ＫＯＨで
剥離除去した後、そのめっきレジスト４６下の無電解め
っき膜４４を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処
理して溶解除去し、無電解めっき膜４４と電解銅めっき
膜４８からなる厚さ約１５μｍの導体回路５２及びバイ
アホール５０を形成する（図１０参照）。

【００３０】本実施形態では、バイアホール径（開口部
４２の開口径：６７μｍ）と層層間樹脂絶縁層４０の厚
み（２０μｍ）との比が、３．３５に設定してある。こ
こで、バイアホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比
が１以下では、上記めっき工程において、開口部４２の
開口径に対して深みが深過ぎて、めっき液が該開口部４
２内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得な
い。他方、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの
比が４を越えると、バイアホールを形成する開口部の開
口径が深みに対して広すぎるため、バイアホールの中央
部に窪みを形成することができない。このため、バイア
ホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、１を越え４
以下であることが望ましい。

【００３１】また、導電回路５２の厚みは２０μｍ以下
が好適で、４０μｍ以下であることが望ましい。これ
は、導電回路の厚みは、上述しためっきレジスト４６の
厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめっきレジ
ストの厚みが４０μｍを越えるようにすると、解像度が
低下して所望の形状が構成し難いからである。

【００３２】（９）引き続き、基板３０の導体回路５２
及びバイアホール５０に対して、上記（２）と同様にし
て粗化層５８を形成する（図１１参照）。この粗化層５
８は、バイアホール５０の中央の窪み５０ａの曲面に対
しては、該曲面に垂直に形成される。

【００３３】（１０）上記（２）〜（８）の工程を繰り
返すことにより、さらに上層の導体回路を形成する。即
ち、基板３０の両面に、無電解めっき用接着剤を塗布
し、水平状態で放置してから乾燥を行い、その後、フォ
トマスクフィルムを密着させ、露光・現像し、バイアホ
ール形成用開口６２を有する厚さ２０μｍの層間樹脂絶
縁層６０を形成する（図１２参照）。次に、該層間樹脂
絶縁層６０の表面を粗面とした後、該粗面化処理した該
基板３０の表面に、無電解銅めっき膜６４を形成する
（図１３参照）。引き続き、無電解銅めっき膜６４上に
めっきレジスト６６を設けた後、レジスト非形成部分に
電解銅めっき膜６８を形成する（図１４参照）。そし
て、めっきレジスト６６を剥離除去した後、そのめっき
レジスト６６下の無電解めっき膜６４を溶解除去し上層
バイアホール７０及び導体回路７２を形成する（図１５
参照）。さらに、該上層バイアホール７０及び導体回路
７２の表面に粗化層７８を形成し、パッケージ基板を完
成する（図１６参照）。

【００３４】（１１）引き続き、上述したパッケージ基
板にはんだバンプを形成する。先ず、はんだバンプ用の
ソルダーレジスト組成物の調整について説明する。ここ
では、ＤＭＤＧに溶解させた８０重量％のクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５
０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量
４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解
させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモ
ノマー（日本化薬製、商品名：Ｒ６０４）３ｇ、同じく
多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：ＤＰＥ
６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品
名：Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物
に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学
製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化
学製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・
ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘
度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）で６
０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合は
ローターＮｏ．３によった。

【００３５】（１２）基板にソルダーレジスト組成物を
２０μｍの厚さで塗布する。次いで、７０℃で２０分
間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、１０００
ｍＪ／ｃｍ２ の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理
し、パッド部８１が開口したソルダーレジスト層８０を
得る（図１７参照）。パッド部８１の開口径は上面側１
３３μｍ、下面側６００μｍである。

【００３６】（１３）次に、ソルダーレジスト層８０を
形成した基板３０を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ
／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０
分間浸漬して、パッド部（開口部）８１に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層８２を形成する（図１８参照）。さら
に、その基板３０を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩
化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ
／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解
金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケ
ルめっき層８２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層８４
を析出し、上面に直径１３３μｍの半田パッド８６Ｕ
を、下面に直径６００μｍの半田パッド８６Ｄを形成す
る。

【００３７】（１４）厚さ４０μｍ、直径１６０μｍの
開口をもつメタルマスク（図示せず）を載置し、ソルダ
ーレジスト層８０の開口部８１内の上面側半田パッド８
６Ｕに、平均粒子径２０μｍの半田ペーストを印刷し、
同様に下面側の半田パッド８６Ｄに半田ペーストを印刷
した後、２００℃で加熱リフローし、上面側半田パッド
８６Ｕに直径１３３μｍの半田バンプ８８Ｕを、下面側
半田パッド８６Ｄに直径６００μｍの半田バンプ８８Ｄ
を設け、半田バンプの形成を完了する（図１９参照）。

【００３８】ここで、本発明者が図１９に示す構造の多
層プリント配線板について、加熱試験及びヒートサイク
ル試験を行った結果について説明する。１２８°Ｃで４
８時間加熱した後、下層バイアホール５０と上層バイア
ホール７０との間の剥離の有無について断面を光学顕微
鏡で観察した結果、剥離が生じていなかった。同様に、
−５５〜１２５°Ｃで１０００回のヒートサイクルを繰
り返した後、光学顕微鏡で観察した結果、下層バイアホ
ール５０と上層バイアホール７０との間で剥離が生じて
いなかった。上記の試験結果から本実施形態の多層プリ
ント配線板では、粗化層５８を介在させることで、下層
バイアホール５０と上層バイアホール７０とを強固に接
合できることが判明した。

【００３９】なお、上述した実施形態では、セミアディ
ティブ法により形成するパッケージ基板を例示したが、
本発明の構成は、フルアディティブ法により形成するパ
ッケージ基板にも適用し得る。また、上述した実施形態
では、多層プリント配線板としてパッケージ基板を例に
挙げたが、本発明の構成をパッケージ基板以外の多層プ
リント配線板に好適に適用し得ることは言うまでもな
い。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリン
ト基板において、バイアホールにバイアホールを直接接
続し、接続を配線を介さず行うため高密度化を達成する
ことができる。この下層バイアホールと上層バイアホー
ルとの接続する際に、下層バイアホールの表面に形成し
た粗化層を介在させて接続しているため、上下層のバイ
アホールの接続信頼性を確保できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図３】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図４】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図５】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程を示す図である。

【図１０】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１３】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１４】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１５】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１６】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程を示す図である。

【図１９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板を示す断面図である。

【図２０】図２０（Ａ）は、従来技術に係る多層プリン
ト配線板の断面図であり、図２０（Ｂ）、図２０
（Ｃ）、図２０（Ｄ）、図２０（Ｅ）は、従来技術に係
る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。

【図２１】図２１（Ｆ）、図２１（Ｇ）、図２１
（Ｈ）、図２１（Ｉ）は、従来技術に係る多層プリント
配線板の製造工程を示す図である。

【符号の説明】

３０ コア基板 ４０ 下層層間樹脂絶縁層 ４２ 開口部 ４２ａ 側面 ５０ 下層バイアホール ５０ａ 窪み ５２ 導体回路 ５８ 粗化層 ６０ 上層層間樹脂絶縁層 ６２ 開口部 ７０ 上層バイアホール ７２ 導体回路 ８０ ソルダーレジスト層 ８４ 金めっき ８６Ｕ、８６Ｄ 半田パッド ８８Ｕ、８８Ｄ 半田バンプ 1／1

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積
   層してなる多層プリント配線板において、 下層の層間樹脂絶縁層には開口部が設けられ、該開口部
   には金属が充填されて下層バイアホールが形成され、当
   該下層バイアホールの表面の粗化層を介して上層バイア
   ホールが形成されてなることを特徴とする多層プリント
   配線板。
2. 【請求項２】 前記下層バイアホールの中央部には、窪
   みが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
   多層プリント配線板。
3. 【請求項３】 前記下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側
   面が粗化処理されていることを特徴とする請求項１又は
   ２の多層プリント配線板。
4. 【請求項４】 前記上層バイアホール及び前記導体回路
   の表面が粗化処理されていることを特徴とする請求項１
   〜３のいずれか１つに記載の多層プリント配線板。
5. 【請求項５】 前記下層の層間樹脂絶縁層は、熱可塑性
   樹脂と熱硬化性樹脂の複合体又は主として熱可塑性樹脂
   からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記
   載の多層プリント配線板。
6. 【請求項６】 前記下層バイアホールは、バイアホール
   径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が１を越え、４以下に
   形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載
   の多層プリント配線板。