JP2001203602A - 高周波スイッチ - Google Patents
高周波スイッチInfo
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- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 102100032533 ADP/ATP translocase 1 Human genes 0.000 description 12
- 101000768061 Escherichia phage P1 Antirepressor protein 1 Proteins 0.000 description 12
- 101000796932 Homo sapiens ADP/ATP translocase 1 Proteins 0.000 description 12
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Transceivers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高調波の発生が少ない高周波スイッチを提供
する。 【解決手段】 高周波スイッチ２１は、二つのスイッチ
２１ａ，２１ｂを備えている。スイッチ２１ａは二つの
ダイオードＤ１１，Ｄ１２と二つの伝送線路２２，２３
を備えている。スイッチ２１ｂは二つのダイオードＤ１
３，Ｄ１４と二つの伝送線路２４，２５を備えている。
そして、さらに、ダイオードＤ１１，Ｄ１３のアノード
と伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点には、
抵抗ｒ２，ｒ１を介して電圧制御端子Ｖｃ２，Ｖｃ１が
接続している。
する。 【解決手段】 高周波スイッチ２１は、二つのスイッチ
２１ａ，２１ｂを備えている。スイッチ２１ａは二つの
ダイオードＤ１１，Ｄ１２と二つの伝送線路２２，２３
を備えている。スイッチ２１ｂは二つのダイオードＤ１
３，Ｄ１４と二つの伝送線路２４，２５を備えている。
そして、さらに、ダイオードＤ１１，Ｄ１３のアノード
と伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点には、
抵抗ｒ２，ｒ１を介して電圧制御端子Ｖｃ２，Ｖｃ１が
接続している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波スイッチ、
特に、二つの周波数帯のシステムに対応した移動体通信
機器等に組み込まれて用いられる高周波スイッチに関す
る。
特に、二つの周波数帯のシステムに対応した移動体通信
機器等に組み込まれて用いられる高周波スイッチに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、二つの送受信回路を内蔵し
た、いわゆるデュアルバンドに対応できる携帯電話が知
られている。現在、ＧＳＭ（使用周波数が８００ＭＨｚ
〜１ＧＨｚ）とＤＣＳ１８００（使用周波数が１．７Ｇ
Ｈｚ〜１．８ＧＨｚ）を組み合わせたものや、ＧＳＭと
ＰＣＳ（使用周波数が１．８ＧＨｚ〜１．９ＧＨｚ）を
組み合わせたもの等が知られている。そして、これら二
つの送受信回路のそれぞれの送信回路と受信回路を切り
換えるため、二つのスイッチを内蔵している高周波スイ
ッチが提案されている。
た、いわゆるデュアルバンドに対応できる携帯電話が知
られている。現在、ＧＳＭ（使用周波数が８００ＭＨｚ
〜１ＧＨｚ）とＤＣＳ１８００（使用周波数が１．７Ｇ
Ｈｚ〜１．８ＧＨｚ）を組み合わせたものや、ＧＳＭと
ＰＣＳ（使用周波数が１．８ＧＨｚ〜１．９ＧＨｚ）を
組み合わせたもの等が知られている。そして、これら二
つの送受信回路のそれぞれの送信回路と受信回路を切り
換えるため、二つのスイッチを内蔵している高周波スイ
ッチが提案されている。
【０００３】図１６は、従来の高周波スイッチ１を示す
電気回路図である。例えば高周波スイッチ１は、ＧＳＭ
用のスイッチ１ａとＤＣＳ用のスイッチ１ｂを備えてい
る。各スイッチ１ａ，１ｂの送信側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２
には、それぞれ、ダイオードＤ１，Ｄ３のカソードが接
続されている。ダイオードＤ１，Ｄ３のカソードは、そ
れぞれ、伝送線路２，４を介してグランドに接地してい
る。ダイオードＤ１，Ｄ３のアノードは、それぞれ、ア
ンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に接続している。
電気回路図である。例えば高周波スイッチ１は、ＧＳＭ
用のスイッチ１ａとＤＣＳ用のスイッチ１ｂを備えてい
る。各スイッチ１ａ，１ｂの送信側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２
には、それぞれ、ダイオードＤ１，Ｄ３のカソードが接
続されている。ダイオードＤ１，Ｄ３のカソードは、そ
れぞれ、伝送線路２，４を介してグランドに接地してい
る。ダイオードＤ１，Ｄ３のアノードは、それぞれ、ア
ンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に接続している。
【０００４】アンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２には、
それぞれ、伝送線路３，５を介して受信側端子Ｒｘ１，
Ｒｘ２が接続している。さらに、受信側端子Ｒｘ１，Ｒ
ｘ２には、それぞれダイオードＤ２，Ｄ４のカソードが
接続している。ダイオードＤ２，Ｄ４のアノードは、そ
れぞれコンデンサＣ１，Ｃ２を介してグランドに接地し
ている。ダイオードＤ２，Ｄ４のアノードとコンデンサ
Ｃ１，Ｃ２とのそれぞれの中間接続点には、抵抗Ｒ１，
Ｒ２を介して電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２が接続してい
る。
それぞれ、伝送線路３，５を介して受信側端子Ｒｘ１，
Ｒｘ２が接続している。さらに、受信側端子Ｒｘ１，Ｒ
ｘ２には、それぞれダイオードＤ２，Ｄ４のカソードが
接続している。ダイオードＤ２，Ｄ４のアノードは、そ
れぞれコンデンサＣ１，Ｃ２を介してグランドに接地し
ている。ダイオードＤ２，Ｄ４のアノードとコンデンサ
Ｃ１，Ｃ２とのそれぞれの中間接続点には、抵抗Ｒ１，
Ｒ２を介して電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２が接続してい
る。
【０００５】この高周波スイッチ１は、アンテナ側端子
ＡＮＴ１，ＡＮＴ２がそれぞれダイプレクサク（ダイプ
レクサとは２つの周波数帯（例えばＧＳＭ、ＤＣＳ等）
の信号を混合したり、分配したりするもので、ＬＰＦ／
ＨＰＦまたはＢＥＦ／ＢＥＦ、またはＬＰＦ／ＢＥＦ、
ＢＥＦ／ＨＰＦ等で構成される）を介してアンテナ素子
８に電気的に接続され、送信側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２がそ
れぞれＧＳＭおよびＤＣＳ１８００の送信回路（図示せ
ず）に電気的に接続され、受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２が
それぞれＧＳＭおよびＤＣＳ１８００の受信回路（図示
せず）に電気的に接続される。そして、電圧制御端子Ｖ
ｃ１，Ｖｃ２に印加する電圧を制御することにより、ス
イッチ１ａからの送信時にはスイッチ１ａを送信モード
状態、スイッチ１ｂを受信モード状態にし、スイッチ１
ｂからの送信時にはスイッチ１ｂを送信モード状態、ス
イッチ１ａを受信モード状態にする。
ＡＮＴ１，ＡＮＴ２がそれぞれダイプレクサク（ダイプ
レクサとは２つの周波数帯（例えばＧＳＭ、ＤＣＳ等）
の信号を混合したり、分配したりするもので、ＬＰＦ／
ＨＰＦまたはＢＥＦ／ＢＥＦ、またはＬＰＦ／ＢＥＦ、
ＢＥＦ／ＨＰＦ等で構成される）を介してアンテナ素子
８に電気的に接続され、送信側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２がそ
れぞれＧＳＭおよびＤＣＳ１８００の送信回路（図示せ
ず）に電気的に接続され、受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２が
それぞれＧＳＭおよびＤＣＳ１８００の受信回路（図示
せず）に電気的に接続される。そして、電圧制御端子Ｖ
ｃ１，Ｖｃ２に印加する電圧を制御することにより、ス
イッチ１ａからの送信時にはスイッチ１ａを送信モード
状態、スイッチ１ｂを受信モード状態にし、スイッチ１
ｂからの送信時にはスイッチ１ｂを送信モード状態、ス
イッチ１ａを受信モード状態にする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波スイッチ１は、例えば、スイッチ１ａからの送信
時に、スイッチ１ａを送信モード状態にし、かつ、スイ
ッチ１ｂを受信モード状態にしたとき、スイッチ１ａに
接続されたＧＳＭの送信信号の２倍波、３倍波等の高調
波信号がアンテナ素子８から送信されてしまうという問
題があった。
高周波スイッチ１は、例えば、スイッチ１ａからの送信
時に、スイッチ１ａを送信モード状態にし、かつ、スイ
ッチ１ｂを受信モード状態にしたとき、スイッチ１ａに
接続されたＧＳＭの送信信号の２倍波、３倍波等の高調
波信号がアンテナ素子８から送信されてしまうという問
題があった。
【０００７】この高調波信号の発生は、以下の理由によ
る。スイッチ１ｂが受信モード状態のとき、二つのダイ
オードＤ３，Ｄ４はＯＦＦ状態となっている。ところ
が、図１６に示したＸ１点は伝送線路４，５やコンデン
サＣ２等の他にＯＦＦ状態のダイオードＤ３，Ｄ４を介
してグランドに接続されているため、Ｘ１点の電圧が浮
動する。このように、Ｘ１点の電圧がふらつくと、電圧
に対して非線形素子であるダイオードＤ３，Ｄ４の容量
が変化する。そして、スイッチ１ａを流れる送信信号が
スイッチ１ｂに漏れると、この送信信号から前記ダイオ
ードＤ３，Ｄ４の容量変化によって高調波信号が発生す
る。特に、ＧＳＭの送信信号の２倍波は、ＤＣＳ１８０
０の送信周波数と重なるため、アンテナ素子８から容易
に送信されることになる。
る。スイッチ１ｂが受信モード状態のとき、二つのダイ
オードＤ３，Ｄ４はＯＦＦ状態となっている。ところ
が、図１６に示したＸ１点は伝送線路４，５やコンデン
サＣ２等の他にＯＦＦ状態のダイオードＤ３，Ｄ４を介
してグランドに接続されているため、Ｘ１点の電圧が浮
動する。このように、Ｘ１点の電圧がふらつくと、電圧
に対して非線形素子であるダイオードＤ３，Ｄ４の容量
が変化する。そして、スイッチ１ａを流れる送信信号が
スイッチ１ｂに漏れると、この送信信号から前記ダイオ
ードＤ３，Ｄ４の容量変化によって高調波信号が発生す
る。特に、ＧＳＭの送信信号の２倍波は、ＤＣＳ１８０
０の送信周波数と重なるため、アンテナ素子８から容易
に送信されることになる。
【０００８】そこで、本発明の目的は、高調波の発生が
少ない高周波スイッチを提供することにある。
少ない高周波スイッチを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る高周波スイッチは、（ａ）少な
くとも二つのスイッチング素子を有した、第１の送受信
帯のための第１スイッチと、（ｂ）少なくとも二つのス
イッチング素子を有した、前記第１の送受信帯の使用周
波数と異なる周波数を使用する第２の送受信帯のための
第２スイッチと、（ｃ）前記第１スイッチおよび前記第
２スイッチのうちの一方のスイッチが送信モード状態の
とき、他方のスイッチの二つのスイッチング素子間に電
圧を印加する手段と、を備えたことを特徴とする。ここ
に、電圧を印加する手段として、例えば、第１スイッチ
と第２スイッチとの間に電気的に接続された抵抗が用い
られる。
するため、本発明に係る高周波スイッチは、（ａ）少な
くとも二つのスイッチング素子を有した、第１の送受信
帯のための第１スイッチと、（ｂ）少なくとも二つのス
イッチング素子を有した、前記第１の送受信帯の使用周
波数と異なる周波数を使用する第２の送受信帯のための
第２スイッチと、（ｃ）前記第１スイッチおよび前記第
２スイッチのうちの一方のスイッチが送信モード状態の
とき、他方のスイッチの二つのスイッチング素子間に電
圧を印加する手段と、を備えたことを特徴とする。ここ
に、電圧を印加する手段として、例えば、第１スイッチ
と第２スイッチとの間に電気的に接続された抵抗が用い
られる。
【００１０】そして、例えば、第１スイッチと第２スイ
ッチはそれぞれ、第１の端子、第２の端子、第３の端子
及び電圧制御端子と、前記第１の端子側にカソードが電
気的に接続され、前記第２の端子側にアノードが電気的
に接続された第１のダイオードと、前記第２の端子と前
記第３の端子との間に電気的に接続された第１の伝送線
路と、前記第３の端子側にカソードが電気的に接続さ
れ、前記電圧制御端子にアノードが電気的に接続された
第２のダイオードと、前記第１の端子とグランドとの間
に電気的に接続された第２の伝送線路とを備えている。
ッチはそれぞれ、第１の端子、第２の端子、第３の端子
及び電圧制御端子と、前記第１の端子側にカソードが電
気的に接続され、前記第２の端子側にアノードが電気的
に接続された第１のダイオードと、前記第２の端子と前
記第３の端子との間に電気的に接続された第１の伝送線
路と、前記第３の端子側にカソードが電気的に接続さ
れ、前記電圧制御端子にアノードが電気的に接続された
第２のダイオードと、前記第１の端子とグランドとの間
に電気的に接続された第２の伝送線路とを備えている。
【００１１】あるいは、第１スイッチと第２スイッチは
それぞれ、第１の端子、第２の端子、第３の端子及び電
圧制御端子と、前記第１の端子側にアノードが電気的に
接続され、前記第２の端子側にカソードが電気的に接続
された第１のダイオードと、前記第２の端子と前記第３
の端子との間に電気的に接続された第１の伝送線路と、
アノードが前記第３の端子側に電気的に接続された状態
で、前記第３の端子とグランドとの間に電気的に接続さ
れた第２のダイオードと、前記第１の端子と前記電圧制
御端子との間に電気的に接続された第２の伝送線路とを
備えている。
それぞれ、第１の端子、第２の端子、第３の端子及び電
圧制御端子と、前記第１の端子側にアノードが電気的に
接続され、前記第２の端子側にカソードが電気的に接続
された第１のダイオードと、前記第２の端子と前記第３
の端子との間に電気的に接続された第１の伝送線路と、
アノードが前記第３の端子側に電気的に接続された状態
で、前記第３の端子とグランドとの間に電気的に接続さ
れた第２のダイオードと、前記第１の端子と前記電圧制
御端子との間に電気的に接続された第２の伝送線路とを
備えている。
【００１２】以上の構成により、第１スイッチ及び第２
スイッチのうちの一方のスイッチが送信モード状態のと
き、他方のスイッチが受信モード状態の時にでも、他方
のスイッチの二つのスイッチング素子間の所定のポイン
トに、電圧を印加する手段によって所定の電圧が印加さ
れ、このポイントの電圧が一定になる。つまり、他方の
スイッチのスイッチング素子のバイアス電圧がふらつか
なくなり、高調波信号の発生が抑制される。
スイッチのうちの一方のスイッチが送信モード状態のと
き、他方のスイッチが受信モード状態の時にでも、他方
のスイッチの二つのスイッチング素子間の所定のポイン
トに、電圧を印加する手段によって所定の電圧が印加さ
れ、このポイントの電圧が一定になる。つまり、他方の
スイッチのスイッチング素子のバイアス電圧がふらつか
なくなり、高調波信号の発生が抑制される。
【００１３】また、本発明に係る高周波スイッチは、複
数の誘電体層と、第１及び第２スイッチのそれぞれの第
１及び第２の伝送線路とを積層して構成した積層体の表
面に、第１及び第２スイッチのそれぞれの第１，第２，
第３の端子及び電圧制御端子を設けるとともに、第１及
び第２スイッチのそれぞれの第１及び第２のダイオード
と電圧を印加する手段の抵抗とを搭載したことを特徴と
する。
数の誘電体層と、第１及び第２スイッチのそれぞれの第
１及び第２の伝送線路とを積層して構成した積層体の表
面に、第１及び第２スイッチのそれぞれの第１，第２，
第３の端子及び電圧制御端子を設けるとともに、第１及
び第２スイッチのそれぞれの第１及び第２のダイオード
と電圧を印加する手段の抵抗とを搭載したことを特徴と
する。
【００１４】以上の構成により、一つの部品内に必要な
回路が内蔵された積層構造の高周波スイッチとなる。従
って、接続線が少なくなり、二つのスイッチ部品を組み
合わせた際に必要な、整合調整用素子を接続する等の整
合調整作業が省略される。
回路が内蔵された積層構造の高周波スイッチとなる。従
って、接続線が少なくなり、二つのスイッチ部品を組み
合わせた際に必要な、整合調整用素子を接続する等の整
合調整作業が省略される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波スイッ
チの実施の形態について添付図面を参照して説明する。
チの実施の形態について添付図面を参照して説明する。
【００１６】［第１実施形態、図１〜図１０］図１は、
本発明に係る高周波スイッチの一例を示す電気回路図で
ある。高周波スイッチ２１は、二つのスイッチ２１ａ，
２１ｂを備えている。各スイッチ２１ａ，２１ｂの送信
側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２には、それぞれフィルタ３１，３
４を介して、スイッチング素子であるダイオードＤ１
１，Ｄ１３のカソードが接続されている。ダイオードＤ
１１，Ｄ１３のカソードは、それぞれ、伝送線路２２，
２４を介してグランドに接地している。伝送線路２２，
２４は、チョーク素子として機能する。さらに、ダイオ
ードＤ１１，Ｄ１３のアノードは、それぞれフィルタ３
２，３５を介して、アンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２
に接続している。
本発明に係る高周波スイッチの一例を示す電気回路図で
ある。高周波スイッチ２１は、二つのスイッチ２１ａ，
２１ｂを備えている。各スイッチ２１ａ，２１ｂの送信
側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２には、それぞれフィルタ３１，３
４を介して、スイッチング素子であるダイオードＤ１
１，Ｄ１３のカソードが接続されている。ダイオードＤ
１１，Ｄ１３のカソードは、それぞれ、伝送線路２２，
２４を介してグランドに接地している。伝送線路２２，
２４は、チョーク素子として機能する。さらに、ダイオ
ードＤ１１，Ｄ１３のアノードは、それぞれフィルタ３
２，３５を介して、アンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２
に接続している。
【００１７】アンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２には、
それぞれフィルタ３２，３５、伝送線路２３，２５及び
フィルタ３３，３６を介して受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２
が接続している。
それぞれフィルタ３２，３５、伝送線路２３，２５及び
フィルタ３３，３６を介して受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２
が接続している。
【００１８】受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２には、それぞれ
フィルタ３３，３６を介して、ダイオードＤ１２，Ｄ１
４のカソードが接続している。ダイオードＤ１２，Ｄ１
４のアノードは、それぞれバイアスカット用コンデンサ
Ｃ１１，Ｃ１２を介してグランドに接地している。ダイ
オードＤ１２，Ｄ１４のアノードとコンデンサＣ１１，
Ｃ１２とのそれぞれの中間接続点には、抵抗Ｒ１１，Ｒ
１２を介して電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２が接続してい
る。この電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２には、高周波スイ
ッチ２１の伝送路を切り換えるためのコントロール電圧
が印加される。抵抗Ｒ１１，Ｒ１２は、例えば１００Ω
〜５ＫΩ程度に設定される。
フィルタ３３，３６を介して、ダイオードＤ１２，Ｄ１
４のカソードが接続している。ダイオードＤ１２，Ｄ１
４のアノードは、それぞれバイアスカット用コンデンサ
Ｃ１１，Ｃ１２を介してグランドに接地している。ダイ
オードＤ１２，Ｄ１４のアノードとコンデンサＣ１１，
Ｃ１２とのそれぞれの中間接続点には、抵抗Ｒ１１，Ｒ
１２を介して電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２が接続してい
る。この電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２には、高周波スイ
ッチ２１の伝送路を切り換えるためのコントロール電圧
が印加される。抵抗Ｒ１１，Ｒ１２は、例えば１００Ω
〜５ＫΩ程度に設定される。
【００１９】さらに、ダイオードＤ１１，Ｄ１３のアノ
ードと伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点
（Ｘ２点、Ｘ１点）には、抵抗ｒ２，ｒ１を介して電圧
制御端子Ｖｃ２，Ｖｃ１を接続している。
ードと伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点
（Ｘ２点、Ｘ１点）には、抵抗ｒ２，ｒ１を介して電圧
制御端子Ｖｃ２，Ｖｃ１を接続している。
【００２０】ここに、伝送線路２２〜２５として、特性
インピーダンスが４０Ω以上の分布定数線路、あるい
は、高周波インダクタが使用される。分布定数線路の場
合、伝送線路２２〜２５の線路長は、λ／１２以上λ／
４以下（λ：所望周波数の波長）の範囲に設定される。
インピーダンスが４０Ω以上の分布定数線路、あるい
は、高周波インダクタが使用される。分布定数線路の場
合、伝送線路２２〜２５の線路長は、λ／１２以上λ／
４以下（λ：所望周波数の波長）の範囲に設定される。
【００２１】また、フィルタ３１〜３６としては、例え
ば、図２に示すような３次ローパスフィルタが用いられ
る。伝送線路４０の両端はそれぞれコンデンサＣ１８，
Ｃ１９を介してグランドに接地している。さらに、伝送
線路４０に対して並列にコンデンサＣ２０が接続してい
る。伝送線路４０として、分布定数線路や高周波インダ
クタが使用される。なお、このフィルタ３１〜３６は必
ずしも必要なものではなく、仕様によっては省略しても
よい。
ば、図２に示すような３次ローパスフィルタが用いられ
る。伝送線路４０の両端はそれぞれコンデンサＣ１８，
Ｃ１９を介してグランドに接地している。さらに、伝送
線路４０に対して並列にコンデンサＣ２０が接続してい
る。伝送線路４０として、分布定数線路や高周波インダ
クタが使用される。なお、このフィルタ３１〜３６は必
ずしも必要なものではなく、仕様によっては省略しても
よい。
【００２２】また、ダイオードＤ１１，Ｄ１３のそれぞ
れの両端（アノード・カソード間）には、図３に示すよ
うに伝送線路４１及びコンデンサＣ２１の直列回路を接
続したり、あるいはコンデンサＣ２１１を接続してもよ
い。伝送線路４１及びコンデンサＣ２１等は、ダイオー
ドＤ１１，Ｄ１３がＯＦＦ状態のときのアイソレーショ
ンを良くするためのものである。
れの両端（アノード・カソード間）には、図３に示すよ
うに伝送線路４１及びコンデンサＣ２１の直列回路を接
続したり、あるいはコンデンサＣ２１１を接続してもよ
い。伝送線路４１及びコンデンサＣ２１等は、ダイオー
ドＤ１１，Ｄ１３がＯＦＦ状態のときのアイソレーショ
ンを良くするためのものである。
【００２３】次に、この高周波スイッチ２１を用いての
送信について説明する。この高周波スイッチ２１は、図
１に示すように、アンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２が
それぞれダイプレクサ２７を介してアンテナ素子２８に
電気的に接続され、スイッチ２１ａの送信側端子Ｔｘ１
および受信側端子Ｒｘ１がそれぞれＧＳＭの送信回路及
び受信回路（図示せず）に電気的に接続され、スイッチ
２１ｂの送信側端子Ｔｘ２および受信側端子Ｒｘ２がそ
れぞれＤＣＳ１８００の送信回路及び受信回路（図示せ
ず）に電気的に接続される。
送信について説明する。この高周波スイッチ２１は、図
１に示すように、アンテナ側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２が
それぞれダイプレクサ２７を介してアンテナ素子２８に
電気的に接続され、スイッチ２１ａの送信側端子Ｔｘ１
および受信側端子Ｒｘ１がそれぞれＧＳＭの送信回路及
び受信回路（図示せず）に電気的に接続され、スイッチ
２１ｂの送信側端子Ｔｘ２および受信側端子Ｒｘ２がそ
れぞれＤＣＳ１８００の送信回路及び受信回路（図示せ
ず）に電気的に接続される。
【００２４】ダイプレクサ２７はＧＳＭの周波数帯とＤ
ＣＳ１８００の周波数帯を切り換えるものであり、例え
ば図４に示すように、ローパスフィルタ２７ａとハイパ
スフィルタ２７ｂを組み合わせたものである。ローパス
フィルタ２７ａは、伝送線路４２と、この伝送線路４２
の一端とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ２２
と、伝送線路４２に対して並列に接続されたコンデンサ
Ｃ２３とで構成されている。ハイパスフィルタ２７ｂ
は、二つのコンデンサＣ２４，Ｃ２５と、伝送線路４３
及びコンデンサＣ２６の直列回路とをＴ字形に接続して
構成されている。ダイプレクサ２７の入出力ポートＰ
１，Ｐ２はそれぞれ高周波スイッチ２１のアンテナ側端
子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に電気的に接続され、入出力ポー
トＰ３はアンテナ素子２８に電気的に接続されている。
ＣＳ１８００の周波数帯を切り換えるものであり、例え
ば図４に示すように、ローパスフィルタ２７ａとハイパ
スフィルタ２７ｂを組み合わせたものである。ローパス
フィルタ２７ａは、伝送線路４２と、この伝送線路４２
の一端とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ２２
と、伝送線路４２に対して並列に接続されたコンデンサ
Ｃ２３とで構成されている。ハイパスフィルタ２７ｂ
は、二つのコンデンサＣ２４，Ｃ２５と、伝送線路４３
及びコンデンサＣ２６の直列回路とをＴ字形に接続して
構成されている。ダイプレクサ２７の入出力ポートＰ
１，Ｐ２はそれぞれ高周波スイッチ２１のアンテナ側端
子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に電気的に接続され、入出力ポー
トＰ３はアンテナ素子２８に電気的に接続されている。
【００２５】高周波スイッチ２１の電圧制御端子Ｖｃ１
に正電位を印加し、電圧制御端子Ｖｃ２に接地電位を印
加した場合、電圧制御端子Ｖｃ１に印加した正電位は、
スイッチ２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２に対して順
方向のバイアス電圧として働く。ただし、電圧制御端子
Ｖｃ２に、接地電位を印加する替わりに負電位もしくは
微弱な正電圧（例えば０〜０．４Ｖ）を印加してもよ
い。以下、電圧制御端子に接地電位を印加する場合は、
同様である。
に正電位を印加し、電圧制御端子Ｖｃ２に接地電位を印
加した場合、電圧制御端子Ｖｃ１に印加した正電位は、
スイッチ２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２に対して順
方向のバイアス電圧として働く。ただし、電圧制御端子
Ｖｃ２に、接地電位を印加する替わりに負電位もしくは
微弱な正電圧（例えば０〜０．４Ｖ）を印加してもよ
い。以下、電圧制御端子に接地電位を印加する場合は、
同様である。
【００２６】これにより、ダイオードＤ１１，Ｄ１２は
ＯＮ状態となり、スイッチ２１ａは送信モード状態にな
る。この結果、送信側端子Ｔｘ１に入ったＧＳＭの送信
信号は、ダイオードＤ１１を経てアンテナ側端子ＡＮＴ
１に伝送される。このとき、ＧＳＭの送信信号は受信側
端子Ｒｘ１に殆ど伝送されない。ダイオードＤ１２がＯ
Ｎ状態のときの自身が有するインダクタンスとコンデン
サＣ１１の容量が送信周波数で直列共振し、インピーダ
ンスが０となり、伝送線路２２，２３はλ／４のショー
トスタブとして動作するため、送信側端子Ｔｘ１とアン
テナ側端子ＡＮＴ１が接続され、受信側端子Ｒｘ１はグ
ランドに接地される。
ＯＮ状態となり、スイッチ２１ａは送信モード状態にな
る。この結果、送信側端子Ｔｘ１に入ったＧＳＭの送信
信号は、ダイオードＤ１１を経てアンテナ側端子ＡＮＴ
１に伝送される。このとき、ＧＳＭの送信信号は受信側
端子Ｒｘ１に殆ど伝送されない。ダイオードＤ１２がＯ
Ｎ状態のときの自身が有するインダクタンスとコンデン
サＣ１１の容量が送信周波数で直列共振し、インピーダ
ンスが０となり、伝送線路２２，２３はλ／４のショー
トスタブとして動作するため、送信側端子Ｔｘ１とアン
テナ側端子ＡＮＴ１が接続され、受信側端子Ｒｘ１はグ
ランドに接地される。
【００２７】さらに、電圧制御端子Ｖｃ１に印加した正
電位は、抵抗ｒ１を介して他方のスイッチ２１ｂのダイ
オードＤ１３のアノードと伝送線路２５との中間接続点
（Ｘ１点）に印加され、Ｘ１点を一定の正電位にする。
この結果、スイッチ２１ｂのダイオードＤ１３，Ｄ１４
に電圧が印加された状態になる。これにより、ダイオー
ドＤ１３，Ｄ１４の容量が一定となる。従って、スイッ
チ２１ａを流れるＧＳＭの送信信号がスイッチ２１ｂに
漏れても、この送信信号からダイオードＤ１３，Ｄ１４
の容量変化によって高調波（２倍波，３倍波等）信号が
発生することが抑制される。この結果、ダイオードの非
線形特性に起因するスプリアス特性を改善することがで
きる。
電位は、抵抗ｒ１を介して他方のスイッチ２１ｂのダイ
オードＤ１３のアノードと伝送線路２５との中間接続点
（Ｘ１点）に印加され、Ｘ１点を一定の正電位にする。
この結果、スイッチ２１ｂのダイオードＤ１３，Ｄ１４
に電圧が印加された状態になる。これにより、ダイオー
ドＤ１３，Ｄ１４の容量が一定となる。従って、スイッ
チ２１ａを流れるＧＳＭの送信信号がスイッチ２１ｂに
漏れても、この送信信号からダイオードＤ１３，Ｄ１４
の容量変化によって高調波（２倍波，３倍波等）信号が
発生することが抑制される。この結果、ダイオードの非
線形特性に起因するスプリアス特性を改善することがで
きる。
【００２８】このとき、抵抗ｒ１を小さくすると（１０
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１３はＯＮ状態となり、
Ｘ１点の電位はさらに安定になる。このとき、スイッチ
２１ｂは送信モードでも受信モードでもない状態とな
る。
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１３はＯＮ状態となり、
Ｘ１点の電位はさらに安定になる。このとき、スイッチ
２１ｂは送信モードでも受信モードでもない状態とな
る。
【００２９】このとき、抵抗ｒ１を流れる電流が必要以
上に大きいと、電力消費が大きくなるため好ましくな
い。従って、抵抗ｒ１の抵抗値は、例えば５００Ω以上
に設定される。しかし、抵抗ｒ１が大き過ぎると、Ｘ１
点の電位は不安定になる。従って、本第１実施形態の場
合は、３ＫΩ程度に設定した。抵抗ｒ２の場合も同様で
ある。
上に大きいと、電力消費が大きくなるため好ましくな
い。従って、抵抗ｒ１の抵抗値は、例えば５００Ω以上
に設定される。しかし、抵抗ｒ１が大き過ぎると、Ｘ１
点の電位は不安定になる。従って、本第１実施形態の場
合は、３ＫΩ程度に設定した。抵抗ｒ２の場合も同様で
ある。
【００３０】また、電圧制御端子Ｖｃ１に接地電圧を印
加し、電圧制御端子Ｖｃ２に正電位を印加した場合、電
圧制御端子Ｖｃ２に印加した正電位は、スイッチ２１ｂ
のダイオードＤ１３，Ｄ１４に対して順方向のバイアス
電圧として働く。従って、ダイオードＤ１３，Ｄ１４は
ＯＮ状態となり、スイッチ２１ｂは送信モード状態にな
る。この結果、送信側端子Ｔｘ２に入ったＤＣＳ１８０
０の送信信号は、ダイオードＤ１３を経てアンテナ側端
子ＡＮＴ２に伝送される。
加し、電圧制御端子Ｖｃ２に正電位を印加した場合、電
圧制御端子Ｖｃ２に印加した正電位は、スイッチ２１ｂ
のダイオードＤ１３，Ｄ１４に対して順方向のバイアス
電圧として働く。従って、ダイオードＤ１３，Ｄ１４は
ＯＮ状態となり、スイッチ２１ｂは送信モード状態にな
る。この結果、送信側端子Ｔｘ２に入ったＤＣＳ１８０
０の送信信号は、ダイオードＤ１３を経てアンテナ側端
子ＡＮＴ２に伝送される。
【００３１】さらに、電圧制御端子Ｖｃ２に印加した正
電圧は、抵抗ｒ２を介して他方のスイッチ２１ａのダイ
オードＤ１１のアノードと伝送線路２３との中間接続点
（Ｘ２点）に印加され、Ｘ２点を一定の正電位にする。
この結果、スイッチ２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２
に一定の電圧が印加された状態になり、ダイオードＤ１
１，Ｄ１２の容量が一定となる。従って、スイッチ２１
ｂを流れるＤＣＳ１８００の送信信号がスイッチ２１ａ
に漏れても、この送信信号からダイオードＤ１１，Ｄ１
２の容量変化によって高調波信号が発生することが抑制
される。
電圧は、抵抗ｒ２を介して他方のスイッチ２１ａのダイ
オードＤ１１のアノードと伝送線路２３との中間接続点
（Ｘ２点）に印加され、Ｘ２点を一定の正電位にする。
この結果、スイッチ２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２
に一定の電圧が印加された状態になり、ダイオードＤ１
１，Ｄ１２の容量が一定となる。従って、スイッチ２１
ｂを流れるＤＣＳ１８００の送信信号がスイッチ２１ａ
に漏れても、この送信信号からダイオードＤ１１，Ｄ１
２の容量変化によって高調波信号が発生することが抑制
される。
【００３２】このとき、抵抗ｒ２を小さくすると（１０
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１１はＯＮ状態となり、
Ｘ２点の電位はさらに安定になる。
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１１はＯＮ状態となり、
Ｘ２点の電位はさらに安定になる。
【００３３】次に、図１に示した電気回路を有した、積
層型高周波スイッチ２１の一例について、図５及び図６
を参照して説明する。図５は、図１に示した電気回路を
有した積層型高周波スイッチ２１の構成概念を示す分解
斜視図である。なお、図５において、層間を電気的に接
続するためのビアホールは一部しか記載しておらず、ま
た、内部電極と外部端子を電気的に接続するための引出
し電極は全て省略している。さらに、フィルタ３１〜３
６も全て省略している。
層型高周波スイッチ２１の一例について、図５及び図６
を参照して説明する。図５は、図１に示した電気回路を
有した積層型高周波スイッチ２１の構成概念を示す分解
斜視図である。なお、図５において、層間を電気的に接
続するためのビアホールは一部しか記載しておらず、ま
た、内部電極と外部端子を電気的に接続するための引出
し電極は全て省略している。さらに、フィルタ３１〜３
６も全て省略している。
【００３４】高周波スイッチ２１は、分布定数線路５２
ａ，５４ａを設けた絶縁シート７５と、分布定数線路５
２ｂ，５４ｂを設けた絶縁シート７５と、分布定数線路
５８，５９を設けた絶縁シート７５と、パッド７１を設
けた絶縁シート７５等にて構成されている。
ａ，５４ａを設けた絶縁シート７５と、分布定数線路５
２ｂ，５４ｂを設けた絶縁シート７５と、分布定数線路
５８，５９を設けた絶縁シート７５と、パッド７１を設
けた絶縁シート７５等にて構成されている。
【００３５】分布定数線路５２ａ，５２ｂは例えば渦巻
き形状をしており、シート７５に設けたビアホール７３
を介して電気的に直列に接続され、伝送線路２２を形成
する。同様に、分布定数線路５４ａ，５４ｂも、シート
７５に設けたビアホール７３を介して電気的に直列に接
続され、伝送線路２４を形成する。伝送線路２３を形成
する分布定数線路５８と、伝送線路２５を形成する分布
定数線路５９とは、それぞれシート７５の奥側及び手前
側に設けられている。
き形状をしており、シート７５に設けたビアホール７３
を介して電気的に直列に接続され、伝送線路２２を形成
する。同様に、分布定数線路５４ａ，５４ｂも、シート
７５に設けたビアホール７３を介して電気的に直列に接
続され、伝送線路２４を形成する。伝送線路２３を形成
する分布定数線路５８と、伝送線路２５を形成する分布
定数線路５９とは、それぞれシート７５の奥側及び手前
側に設けられている。
【００３６】以上の構成からなる各シートは積み重ねら
れ、一体的に焼成されることにより、図６に示すように
積層体８０とされる。積層体８０の奥側の側面部には、
それぞれスイッチ２１ａの送信側端子Ｔｘ１、アンテナ
側端子ＡＮＴ、電圧制御端子Ｖｃ１、受信側端子Ｒｘ１
及びグランド端子Ｇ３が形成される。積層体８０の手前
側の側面部には、それぞれスイッチ２１ｂの送信側端子
Ｔｘ２、電圧制御端子Ｖｃ２、受信側端子Ｒｘ２及びグ
ランド端子Ｇ４，Ｇ５が形成される。積層体８０の左右
の側面部には、それぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成
される。さらに、積層体８０の上面のパッド７１には、
それぞれダイオードＤ１１〜Ｄ１４及び抵抗Ｒ１１，Ｒ
１２，ｒ１，ｒ２が半田付けされる。得られた積層型高
周波スイッチ２１は、奥側半分にスイッチ２１ａを構成
し、手前側半分にスイッチ２１ｂを構成するようにし、
奥側と手前側で略対称にパターンや素子の配置を行って
いる。
れ、一体的に焼成されることにより、図６に示すように
積層体８０とされる。積層体８０の奥側の側面部には、
それぞれスイッチ２１ａの送信側端子Ｔｘ１、アンテナ
側端子ＡＮＴ、電圧制御端子Ｖｃ１、受信側端子Ｒｘ１
及びグランド端子Ｇ３が形成される。積層体８０の手前
側の側面部には、それぞれスイッチ２１ｂの送信側端子
Ｔｘ２、電圧制御端子Ｖｃ２、受信側端子Ｒｘ２及びグ
ランド端子Ｇ４，Ｇ５が形成される。積層体８０の左右
の側面部には、それぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成
される。さらに、積層体８０の上面のパッド７１には、
それぞれダイオードＤ１１〜Ｄ１４及び抵抗Ｒ１１，Ｒ
１２，ｒ１，ｒ２が半田付けされる。得られた積層型高
周波スイッチ２１は、奥側半分にスイッチ２１ａを構成
し、手前側半分にスイッチ２１ｂを構成するようにし、
奥側と手前側で略対称にパターンや素子の配置を行って
いる。
【００３７】また、非送信モード状態のスイッチのダイ
オードに一定の電圧を印加するための抵抗ｒ１，ｒ２の
一端の接続位置は、それぞれダイオードＤ１３とＤ１４
の間及びダイオードＤ１１とＤ１２の間であればよい。
例えば、図７に示すように、抵抗ｒ２，ｒ１はそれぞ
れ、ダイオードＤ１２，Ｄ１４と伝送線路２３，２５と
のそれぞれの中間接続点と、電圧制御端子Ｖｃ２，Ｖｃ
１との間に接続されていてもよい。あるいは、図８に示
すように、抵抗ｒ２，ｒ１はそれぞれ、ダイオードＤ１
１，Ｄ１３と伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接
続点と、ダイオードＤ１４，Ｄ１２とコンデンサＣ１
２，Ｃ１１とのそれぞれの中間接続点との間に接続され
ていてもよい。あるいは、図９に示すように、抵抗ｒ
２，ｒ１はそれぞれ、ダイオードＤ１２，Ｄ１４と伝送
線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点と、ダイオー
ドＤ１４，Ｄ１２とコンデンサＣ１２，Ｃ１１とのそれ
ぞれの中間接続点との間に接続されていてもよい。
オードに一定の電圧を印加するための抵抗ｒ１，ｒ２の
一端の接続位置は、それぞれダイオードＤ１３とＤ１４
の間及びダイオードＤ１１とＤ１２の間であればよい。
例えば、図７に示すように、抵抗ｒ２，ｒ１はそれぞ
れ、ダイオードＤ１２，Ｄ１４と伝送線路２３，２５と
のそれぞれの中間接続点と、電圧制御端子Ｖｃ２，Ｖｃ
１との間に接続されていてもよい。あるいは、図８に示
すように、抵抗ｒ２，ｒ１はそれぞれ、ダイオードＤ１
１，Ｄ１３と伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接
続点と、ダイオードＤ１４，Ｄ１２とコンデンサＣ１
２，Ｃ１１とのそれぞれの中間接続点との間に接続され
ていてもよい。あるいは、図９に示すように、抵抗ｒ
２，ｒ１はそれぞれ、ダイオードＤ１２，Ｄ１４と伝送
線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点と、ダイオー
ドＤ１４，Ｄ１２とコンデンサＣ１２，Ｃ１１とのそれ
ぞれの中間接続点との間に接続されていてもよい。
【００３８】あるいは、図１０に示すように、電圧を印
加する手段としての抵抗ｒを、ダイオードＤ１２と伝送
線路２３との中間接続点と、ダイオードＤ１４と伝送線
路２５との中間接続点との間に接続してもよいし（実線
参照）、ダイオードＤ１１と伝送線路２３との中間接続
点と、ダイオードＤ１３と伝送線路２５との中間接続点
との間に接続してもよいし（点線参照）、または、ダイ
オードＤ１１と伝送線路２３との中間接続点と、ダイオ
ードＤ１４と伝送線路２５との中間接続点との間に接続
してもよい（一点鎖線参照）。
加する手段としての抵抗ｒを、ダイオードＤ１２と伝送
線路２３との中間接続点と、ダイオードＤ１４と伝送線
路２５との中間接続点との間に接続してもよいし（実線
参照）、ダイオードＤ１１と伝送線路２３との中間接続
点と、ダイオードＤ１３と伝送線路２５との中間接続点
との間に接続してもよいし（点線参照）、または、ダイ
オードＤ１１と伝送線路２３との中間接続点と、ダイオ
ードＤ１４と伝送線路２５との中間接続点との間に接続
してもよい（一点鎖線参照）。
【００３９】［第２実施形態、図１１〜図１５］図１１
は、第２実施形態の高周波スイッチ９１の電気回路図で
ある。高周波スイッチ９１は、二つのスイッチ２１ａ，
２１ｂを備えている。各スイッチ２１ａ，２１ｂの送信
側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２には、それぞれフィルタ３１，３
４を介して、スイッチング素子であるダイオードＤ１
１，Ｄ１３のアノードが接続されている。ダイオードＤ
１１のアノードは、伝送線路２２およびコンデンサＣ１
３の直列回路を介し、グランドに接地している。同様
に、ダイオードＤ１３のアノードは、伝送線路２４及び
コンデンサＣ１４の直列回路を介し、グランドに接地し
ている。伝送線路２２とコンデンサＣ１３との中間接続
点、並びに、伝送線路２４とコンデンサＣ１４との中間
接続点には、それぞれ電圧制御端子Ｖｃ３，Ｖｃ４が接
続している。さらに、ダイオードＤ１１，Ｄ１３のカソ
ードは、それぞれフィルタ３２，３５を介してアンテナ
側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に接続している。
は、第２実施形態の高周波スイッチ９１の電気回路図で
ある。高周波スイッチ９１は、二つのスイッチ２１ａ，
２１ｂを備えている。各スイッチ２１ａ，２１ｂの送信
側端子Ｔｘ１，Ｔｘ２には、それぞれフィルタ３１，３
４を介して、スイッチング素子であるダイオードＤ１
１，Ｄ１３のアノードが接続されている。ダイオードＤ
１１のアノードは、伝送線路２２およびコンデンサＣ１
３の直列回路を介し、グランドに接地している。同様
に、ダイオードＤ１３のアノードは、伝送線路２４及び
コンデンサＣ１４の直列回路を介し、グランドに接地し
ている。伝送線路２２とコンデンサＣ１３との中間接続
点、並びに、伝送線路２４とコンデンサＣ１４との中間
接続点には、それぞれ電圧制御端子Ｖｃ３，Ｖｃ４が接
続している。さらに、ダイオードＤ１１，Ｄ１３のカソ
ードは、それぞれフィルタ３２，３５を介してアンテナ
側端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２に接続している。
【００４０】アンテナ端子ＡＮＴ１，ＡＮＴ２には、そ
れぞれフィルタ３２，３５、伝送線路２３，２５及びフ
ィルタ３３，３６を介して受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２が
接続している。さらに、受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２に
は、それぞれフィルタ３３，３６を介して、ダイオード
Ｄ１２，Ｄ１４のアノードが接続している。ダイオード
Ｄ１２，Ｄ１４のカソードは、それぞれバイアスカット
用コンデンサＣ１１，Ｃ１２を介してグランドに接地し
ている。ダイオードＤ１２，Ｄ１４のカソードとコンデ
ンサＣ１１，Ｃ１２とのそれぞれの中間接続点には、抵
抗Ｒ１１，Ｒ１２を介して電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２
が接続している。ただし、電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２
をグランドに接地してもよい。
れぞれフィルタ３２，３５、伝送線路２３，２５及びフ
ィルタ３３，３６を介して受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２が
接続している。さらに、受信側端子Ｒｘ１，Ｒｘ２に
は、それぞれフィルタ３３，３６を介して、ダイオード
Ｄ１２，Ｄ１４のアノードが接続している。ダイオード
Ｄ１２，Ｄ１４のカソードは、それぞれバイアスカット
用コンデンサＣ１１，Ｃ１２を介してグランドに接地し
ている。ダイオードＤ１２，Ｄ１４のカソードとコンデ
ンサＣ１１，Ｃ１２とのそれぞれの中間接続点には、抵
抗Ｒ１１，Ｒ１２を介して電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２
が接続している。ただし、電圧制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２
をグランドに接地してもよい。
【００４１】さらに、ダイオードＤ１１，Ｄ１３のカソ
ードと伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点に
は、抵抗ｒ２，ｒ１を介して電圧制御端子Ｖｃ４，Ｖｃ
３が接続している。なお、図１１において図１と同じ部
品及び部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
ードと伝送線路２３，２５とのそれぞれの中間接続点に
は、抵抗ｒ２，ｒ１を介して電圧制御端子Ｖｃ４，Ｖｃ
３が接続している。なお、図１１において図１と同じ部
品及び部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４２】次に、この高周波スイッチ９１を用いての
送信について説明する。電圧制御端子Ｖｃ３に正電圧を
印加し、電圧制御端子Ｖｃ１に接地電圧を印加した場
合、電圧制御端子Ｖｃ３に印加した正電位は、スイッチ
２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２に対して順方向のバ
イアス電圧として働く。従って、ダイオードＤ１１，Ｄ
１２はＯＮ状態となり、スイッチ２１ａは送信モード状
態になる。この結果、送信側端子Ｔｘ１に入ったＧＳＭ
の送信信号は、ダイオードＤ１１を経てアンテナ側端子
ＡＮＴ１に伝送される。このとき、ＧＳＭの送信信号は
受信側端子Ｒｘ１に殆ど伝送されない。伝送線路２３が
ダイオードＤ１２により接地されて送信周波数で共振
し、インピーダンスが無限大になるからである。
送信について説明する。電圧制御端子Ｖｃ３に正電圧を
印加し、電圧制御端子Ｖｃ１に接地電圧を印加した場
合、電圧制御端子Ｖｃ３に印加した正電位は、スイッチ
２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２に対して順方向のバ
イアス電圧として働く。従って、ダイオードＤ１１，Ｄ
１２はＯＮ状態となり、スイッチ２１ａは送信モード状
態になる。この結果、送信側端子Ｔｘ１に入ったＧＳＭ
の送信信号は、ダイオードＤ１１を経てアンテナ側端子
ＡＮＴ１に伝送される。このとき、ＧＳＭの送信信号は
受信側端子Ｒｘ１に殆ど伝送されない。伝送線路２３が
ダイオードＤ１２により接地されて送信周波数で共振
し、インピーダンスが無限大になるからである。
【００４３】一方、スイッチ２１ｂに対しては、電圧制
御端子Ｖｃ２に正電圧を印加し、電圧制御端子Ｖｃ４に
接地電圧を印加し、受信モード状態としている。
御端子Ｖｃ２に正電圧を印加し、電圧制御端子Ｖｃ４に
接地電圧を印加し、受信モード状態としている。
【００４４】さらに、電圧制御端子Ｖｃ３に印加した正
電位は、抵抗ｒ１を介して他方のスイッチ２１ｂのダイ
オードＤ１３のカソードと伝送線路２５との中間接続点
（Ｘ１点）に印加され、Ｘ１点を一定の正電位にする。
このとき、スイッチ２１ｂのダイオードＤ１３，Ｄ１４
は一定の電圧が印加された状態になる。これにより、ダ
イオードＤ１３，Ｄ１４のバイアス電圧がふらつかなく
なり、ダイオードＤ１３，Ｄ１４の容量が一定となる。
従って、スイッチ２１ａを流れるＧＳＭの送信信号がス
イッチ２１ｂに漏れても、この送信信号からダイオード
Ｄ１３，Ｄ１４の容量変化による高調波（２倍波，３倍
波等）信号の発生が抑制される。この結果、ダイオード
の非線形特性に起因するスプリアス特性を改善すること
ができる。
電位は、抵抗ｒ１を介して他方のスイッチ２１ｂのダイ
オードＤ１３のカソードと伝送線路２５との中間接続点
（Ｘ１点）に印加され、Ｘ１点を一定の正電位にする。
このとき、スイッチ２１ｂのダイオードＤ１３，Ｄ１４
は一定の電圧が印加された状態になる。これにより、ダ
イオードＤ１３，Ｄ１４のバイアス電圧がふらつかなく
なり、ダイオードＤ１３，Ｄ１４の容量が一定となる。
従って、スイッチ２１ａを流れるＧＳＭの送信信号がス
イッチ２１ｂに漏れても、この送信信号からダイオード
Ｄ１３，Ｄ１４の容量変化による高調波（２倍波，３倍
波等）信号の発生が抑制される。この結果、ダイオード
の非線形特性に起因するスプリアス特性を改善すること
ができる。
【００４５】このとき、抵抗ｒ１を小さくすると（１０
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１３はＯＮ状態となり、
Ｘ１点の電位はさらに安定になる。このとき、スイッチ
２１ｂは送信モードでも受信モードでもない状態とな
る。
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１３はＯＮ状態となり、
Ｘ１点の電位はさらに安定になる。このとき、スイッチ
２１ｂは送信モードでも受信モードでもない状態とな
る。
【００４６】また、電圧制御端子Ｖｃ２に接地電圧を印
加し、電圧制御端子Ｖｃ４に正電位を印加した場合、電
圧制御端子Ｖｃ４に印加した正電位は、スイッチ２１ｂ
のダイオードＤ１３，Ｄ１４に対して順方向のバイアス
電圧として働く。従って、ダイオードＤ１３，Ｄ１４は
ＯＮ状態となり、スイッチ２１ｂは送信モード状態にな
る。この結果、送信側端子Ｔｘ２に入ったＤＣＳの送信
信号は、ダイオードＤ１３を経てアンテナ側端子ＡＮＴ
２に伝送される。
加し、電圧制御端子Ｖｃ４に正電位を印加した場合、電
圧制御端子Ｖｃ４に印加した正電位は、スイッチ２１ｂ
のダイオードＤ１３，Ｄ１４に対して順方向のバイアス
電圧として働く。従って、ダイオードＤ１３，Ｄ１４は
ＯＮ状態となり、スイッチ２１ｂは送信モード状態にな
る。この結果、送信側端子Ｔｘ２に入ったＤＣＳの送信
信号は、ダイオードＤ１３を経てアンテナ側端子ＡＮＴ
２に伝送される。
【００４７】一方、スイッチ２１ａに対しては、電圧制
御端子Ｖｃ３に接地電圧を印加し、電圧制御端子Ｖｃ１
に正電圧を印加し、受信モード状態としている。
御端子Ｖｃ３に接地電圧を印加し、電圧制御端子Ｖｃ１
に正電圧を印加し、受信モード状態としている。
【００４８】さらに、電圧制御端子Ｖｃ４に印加した正
電位は、抵抗ｒ２を介して他方のスイッチ２１ａのダイ
オードＤ１１のカソードと伝送線路２３との中間接続点
（Ｘ２点）に印加され、Ｘ２点を一定の正電位にする。
スイッチ２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２は一定の電
圧が印加された状態になる。これにより、ダイオードＤ
１１，Ｄ１２のバイアス電圧がふらつかなくなり、ダイ
オードＤ１１，Ｄ１２の容量が一定となる。従って、ス
イッチ２１ｂを流れるＤＣＳの送信信号がスイッチ２１
ａに漏れても、この送信信号からダイオードＤ１１，Ｄ
１２の容量変化による高調波信号の発生が抑制される。
電位は、抵抗ｒ２を介して他方のスイッチ２１ａのダイ
オードＤ１１のカソードと伝送線路２３との中間接続点
（Ｘ２点）に印加され、Ｘ２点を一定の正電位にする。
スイッチ２１ａのダイオードＤ１１，Ｄ１２は一定の電
圧が印加された状態になる。これにより、ダイオードＤ
１１，Ｄ１２のバイアス電圧がふらつかなくなり、ダイ
オードＤ１１，Ｄ１２の容量が一定となる。従って、ス
イッチ２１ｂを流れるＤＣＳの送信信号がスイッチ２１
ａに漏れても、この送信信号からダイオードＤ１１，Ｄ
１２の容量変化による高調波信号の発生が抑制される。
【００４９】このとき、抵抗ｒ２を小さくすると（１０
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１１はＯＮ状態となり、
Ｘ２点の電位はさらに安定になる。このとき、スイッチ
２１ａは送信モードでも受信モードでもない状態とな
る。
ＫΩ程度以下）、ダイオードＤ１１はＯＮ状態となり、
Ｘ２点の電位はさらに安定になる。このとき、スイッチ
２１ａは送信モードでも受信モードでもない状態とな
る。
【００５０】また、非送信モード状態のスイッチのダイ
オードに一定の電圧を印加するための抵抗ｒ１，ｒ２の
一端の接続位置は、それぞれダイオードＤ１３とＤ１４
の間及びダイオードＤ１１とＤ１２の間であればよい。
従って、抵抗ｒ１，ｒ２は、図１２〜図１４に示すよう
に接続されてもよい。あるいは、図１５に示すように、
電圧を印加する手段としての抵抗ｒを、実線又は点線又
は一点鎖線のいずれかのように接続してもよい。
オードに一定の電圧を印加するための抵抗ｒ１，ｒ２の
一端の接続位置は、それぞれダイオードＤ１３とＤ１４
の間及びダイオードＤ１１とＤ１２の間であればよい。
従って、抵抗ｒ１，ｒ２は、図１２〜図１４に示すよう
に接続されてもよい。あるいは、図１５に示すように、
電圧を印加する手段としての抵抗ｒを、実線又は点線又
は一点鎖線のいずれかのように接続してもよい。
【００５１】［他の実施形態］なお、本発明に係る高周
波スイッチは、前記実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特
に、前記実施形態において、抵抗ｒ１，ｒ２は必ずしも
両方接続する必要はなく、抵抗ｒ１又は抵抗ｒ２のいず
れか一つを接続していればよい。また、スイッチング素
子としては、ダイオードの他に、トランジスタやＦＥＴ
等であってもよい。
波スイッチは、前記実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特
に、前記実施形態において、抵抗ｒ１，ｒ２は必ずしも
両方接続する必要はなく、抵抗ｒ１又は抵抗ｒ２のいず
れか一つを接続していればよい。また、スイッチング素
子としては、ダイオードの他に、トランジスタやＦＥＴ
等であってもよい。
【００５２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、第１スイッチ及び第２スイッチのうちの一方の
スイッチが送信モード状態のときに、他方のスイッチの
二つのスイッチング素子間に電圧を印加する手段を備え
ているので、他方のスイッチのスイッチング素子のバイ
アス電圧がふらつかなくなり、高調波の発生を抑制する
ことができる。この結果、スイッチング素子の非線形特
性に起因する高調波信号の発生を抑圧し、スプリアス特
性を改善することができる。
よれば、第１スイッチ及び第２スイッチのうちの一方の
スイッチが送信モード状態のときに、他方のスイッチの
二つのスイッチング素子間に電圧を印加する手段を備え
ているので、他方のスイッチのスイッチング素子のバイ
アス電圧がふらつかなくなり、高調波の発生を抑制する
ことができる。この結果、スイッチング素子の非線形特
性に起因する高調波信号の発生を抑圧し、スプリアス特
性を改善することができる。
【００５３】さらに、一つの部品内に必要な回路が内蔵
された積層構造の高周波スイッチにすることにより、プ
リント基板等に占める面積を小さくでき、しかも、２個
のスイッチ部品を組み合わせたときに必要な整合調整作
業も省略することができる。
された積層構造の高周波スイッチにすることにより、プ
リント基板等に占める面積を小さくでき、しかも、２個
のスイッチ部品を組み合わせたときに必要な整合調整作
業も省略することができる。
【図１】本発明に係る高周波スイッチの第１実施形態を
示す電気回路図。
示す電気回路図。
【図２】図１に示した高周波スイッチに用いられるフィ
ルタの一例を示す電気回路図。
ルタの一例を示す電気回路図。
【図３】ダイオードがＯＦＦ状態のときのアイソレーシ
ョンを良くするための変形例を示す電気回路図。
ョンを良くするための変形例を示す電気回路図。
【図４】ダイプレクサの一例を示す電気回路図。
【図５】図１に示した高周波スイッチの電気回路を有し
た積層型高周波スイッチの構成概念を示す分解斜視図。
た積層型高周波スイッチの構成概念を示す分解斜視図。
【図６】図５に示した高周波スイッチの外観を示す斜視
図。
図。
【図７】図１に示した高周波スイッチの変形例を示す電
気回路図。
気回路図。
【図８】図１に示した高周波スイッチの別の変形例を示
す電気回路図。
す電気回路図。
【図９】図１に示した高周波スイッチのさらに別の変形
例を示す電気回路図。
例を示す電気回路図。
【図１０】図１に示した高周波スイッチのさらに別の変
形例を示す電気回路図。
形例を示す電気回路図。
【図１１】本発明に係る高周波スイッチの第２実施形態
を示す電気回路図。
を示す電気回路図。
【図１２】図１１に示した高周波スイッチの変形例を示
す電気回路図。
す電気回路図。
【図１３】図１１に示した高周波スイッチの別の変形例
を示す電気回路図。
を示す電気回路図。
【図１４】図１１に示した高周波スイッチのさらに別の
変形例を示す電気回路図。
変形例を示す電気回路図。
【図１５】図１１に示した高周波スイッチのさらに別の
変形例を示す電気回路図。
変形例を示す電気回路図。
【図１６】従来の高周波スイッチを示す電気回路図。
２１，９１…高周波スイッチ ２１ａ，２１ｂ…スイッチ Ｄ１１〜Ｄ１４…ダイオード（スイッチング素子） ２２〜２５…伝送線路 ８０…積層体 ｒ１，ｒ２…抵抗（電圧を印加する手段） Ｔｘ１，Ｔｘ２…送信側端子 ＡＮＴ１，ＡＮＴ２…アンテナ側端子 Ｒｘ１，Ｒｘ２…受信側端子 Ｖｃ１〜Ｖｃ４…電圧制御端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J012 BA02 5J055 AX28 AX53 AX64 BX04 CX03 DX10 EX21 EX22 EY01 EY10 EY12 EZ13 EZ14 FX17 FX33 GX01 5K011 DA22 DA25 FA01 GA04 JA00 JA01 JA03 KA08 KA18
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも二つのスイッチング素子を有
した、第１の送受信帯のための第１スイッチと、 少なくとも二つのスイッチング素子を有した、前記第１
の送受信帯の使用周波数と異なる周波数を使用する第２
の送受信帯のための第２スイッチと、 前記第１スイッチおよび前記第２スイッチのうちの一方
のスイッチが送信モード状態のとき、他方のスイッチの
二つのスイッチング素子間に電圧を印加する手段と、 を備えたことを特徴とする高周波スイッチ。 - 【請求項２】 前記電圧を印加する手段が、前記第１ス
イッチと前記第２スイッチとの間に電気的に接続された
抵抗であることを特徴とする請求項１記載の高周波スイ
ッチ。 - 【請求項３】 前記第１スイッチと前記第２スイッチが
それぞれ、 第１の端子、第２の端子、第３の端子及び電圧制御端子
と、 前記第１の端子側にカソードが電気的に接続され、前記
第２の端子側にアノードが電気的に接続された第１のダ
イオードと、 前記第２の端子と前記第３の端子との間に電気的に接続
された第１の伝送線路と、 前記第３の端子側にカソードが電気的に接続され、前記
電圧制御端子にアノードが電気的に接続された第２のダ
イオードと、 前記第１の端子とグランドとの間に電気的に接続された
第２の伝送線路と、 を備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の高周波スイッチ。 - 【請求項４】 前記第１スイッチと前記第２スイッチが
それぞれ、 第１の端子、第２の端子、第３の端子及び電圧制御端子
と、 前記第１の端子側にアノードが電気的に接続され、前記
第２の端子側にカソードが電気的に接続された第１のダ
イオードと、 前記第２の端子と前記第３の端子との間に電気的に接続
された第１の伝送線路と、 アノードが前記第３の端子側に電気的に接続された状態
で、前記第３の端子とグランドとの間に電気的に接続さ
れた第２のダイオードと、 前記第１の端子と前記電圧制御端子との間に電気的に接
続された第２の伝送線路と、 を備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の高周波スイッチ。 - 【請求項５】 複数の誘電体層と、前記第１及び第２ス
イッチのそれぞれの第１及び第２の伝送線路とを積層し
て構成した積層体の表面に、前記第１及び第２スイッチ
のそれぞれの第１，第２，第３の端子及び電圧制御端子
を設けるとともに、前記第１及び第２スイッチのそれぞ
れの第１及び第２のダイオードと前記電圧を印加する手
段の抵抗とを搭載したことを特徴とする請求項３又は請
求項４記載の高周波スイッチ。
Priority Applications (4)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP2005051782A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 通信／放送融合ｆｔｔｈでの加入者整合装置及びその提供方法 |
| JP2006270245A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hitachi Metals Ltd | アンテナスイッチモジュール及びこれを用いた通信装置 |
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| EP1083671A4 (en) * | 1999-02-24 | 2003-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | RADIO TERMINAL |
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| DE60208660T2 (de) * | 2001-03-29 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Hochfrequenzschalter , funkkommunikationsgerät und hochfrequenzschaltungsverfahren |
| JP3610924B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2005-01-19 | 株式会社村田製作所 | アンテナ共用器および通信装置 |
| JP2003032001A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機 |
| JP2003078441A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路装置および移動体通信装置 |
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| JP3031178B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2000-04-10 | 株式会社村田製作所 | 複合高周波部品 |
| US5699023A (en) * | 1995-07-24 | 1997-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
| DE19610760A1 (de) * | 1996-03-19 | 1997-09-25 | Telefunken Microelectron | Sende-Empfangs-Umschalter mit Halbleitern |
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-
2001
- 2001-01-17 US US09/761,308 patent/US6448868B2/en not_active Expired - Fee Related
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