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Technisches
Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft einen Hochfrequenzschalter, eine
Funkkommunikationsvorrichtung und ein Hochfrequenzschaltverfahren, die
zum Beispiel für
ein Mobiltelefon und so weiter verwendet werden.
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Stand der
Technik
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In
den letzten Jahren hat sich zum Beispiel auf Grund der steigenden
Zahl von Benutzern von Mobilkommunikation und der Globalisierung
eines Systems die Aufmerksamkeit auf Hochfrequenzschalter gerichtet.
Die Hochfrequenzschalter werden zur Verwendung von EGSM-, DCS- und
PCS-Systemen, die entsprechende Frequenzbänder von 11 aufweisen,
in einem einzelnen Mobiltelefon und so weiter bereitgestellt. Daneben
ist 11 eine erläuternde
Zeichnung, die die entsprechenden Frequenzbänder von EGSM, DCS und PCS
zeigt.
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Hier
wird im Folgenden unter Bezugnahme auf 12, die
ein Verdrahtungsschema zur Darstellung eines herkömmlichen
Hochfrequenzschalters ist, die Konfiguration und der Betrieb des
herkömmlichen
Hochfrequenzschalters, der für
ein Mobiltelefon und so weiter verwendet wird, besprochen.
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Der
herkömmliche
Hochfrequenzschalter wird für
Dreifachbänder
(die vorgenannten EGSM, DCS und PCS) bereitgestellt, was Sende-Empfangs-Schalter
(121 und 122) und eine Weichenfilterschaltung
(123) zum Verbinden der Sende-Empfangs-Schalter (121 und 122)
mit einer Antenne (ANT) umfasst.
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Der
Sende-Empfangs-Schalter (121) besitzt einen Sendeanschluss
(Tx1) zum Senden von EGSM und einen Empfangsanschluss (Rx1) zum Empfangen
von EGSM. Der Sende-Empfangs-Schalter (122) besitzt einen
Sendeanschluss (Tx2) zum Senden von DCS und PCS, einen Empfangsanschluss
(Rx2) zum Empfangen von DCS und einen Empfangsanschluss (Rx3) zum
Empfangen von PCS.
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Zusätzlich ist
der Empfangsanschluss (Rx3) mit der Antenne über eine Diode (D1), die beim
Senden unter Verwendung des Sendeanschlusses (Tx2) sperrt, verbunden.
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Bei
solch einem herkömmlichen
Hochfrequenzschalter wird jedoch Hochfrequenzverzerrung durch die
Diode (D1) verursacht, die beim Senden unter Verwendung des Sendeanschlusses
(Tx2) sperrt.
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EP 1 003 291 A offenbart
eine Hochfrequenzschaltung für
drei Frequenzen, bestehend aus einem Weichenfilter oder Diplexer,
Tiefpassfiltern und Sendeanschlüssen,
die zwischen Senden, Empfangen und einem unterschiedlichen Frequenzband schalten.
Der erste Hochfrequenzschalter enthält eine erste Diode, die als
ein Schaltelement verwendet wird. Das Tiefpassfilter lässt das
Senden durch und dämpft
die zweite und dritte Oberwelle, die von der ersten Diode erzeugt
werden. Dieses Tiefpassfilter befindet sich zwischen dem Diplexer
und dem Hochfrequenzschalter.
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Die
vorliegende Erfindung hat als ihre Aufgabe das Bereitstellen eines
Hochfrequenzschalters, einer Funkkommunikationsvorrichtung und eines Hochfrequenzschaltverfahrens
mit kleinerer Hochfrequenzverzerrung.
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Diese
Aufgabe wird durch die Erfindung erfüllt, die in den Nebenansprüchen beansprucht
wird. Bevorzugte Ausführungen
der Erfindung werden durch die Unteransprüche definiert.
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1 ist
ein Blockdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter nach einem Beispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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2 ist
ein Verdrahtungsschema, das den Hochfrequenzschalter nach einem
Beispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
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3 ist
ein Blockdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter nach einem Beispiel
zeigt;
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4 ist
ein Verdrahtungsschema, das den Hochfrequenzschalter nach einem
Beispiel zeigt;
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5 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter nach einem
Beispiel zeigt;
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6(a) ist eine erläuternde Zeichnung, die den
Hochfrequenzschalter (Vorderseite) nach einem Beispiel zeigt;
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6(b) ist eine erläuternde Zeichnung, die den
Hochfrequenzschalter (Rückseite)
nach einem Beispiel zeigt;
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7 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter zeigt, bei
dem ein Tiefpassfilter bereitgestellt wird, um Hochfrequenzverzerrung,
die durch eine Diode im Sperrzustand verursacht wird, zu unterdrücken, und
Oberflächenwellenfilter
an Empfangsanschlüssen
(Rx1 und Rx2) angebracht sind;
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8 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter zeigt, bei
dem des Weiteren ein von einer Vielzahl von Sende-Empfangs-Schaltern
gemeinsam genutzter Widerstand bereitgestellt wird und Oberflächenwellenfilter
an Empfangsanschlüssen
(Rx1 und Rx2) angebracht sind;
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9(a) ist eine erläuternde Zeichnung, die einen
Hochfrequenzschalter (Vorderseite) mit angebrachten Oberflächenwellenfiltern
nach einem Beispiel zeigt;
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9(b) ist eine erläuternde Zeichnung, die den
Hochfrequenzschalter (Rückseite)
mit angebrachten Oberflächenwellenfiltern
nach einem Beispiel zeigt;
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10 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter mit Doppelbändern eines Beispiels
zeigt;
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11 ist
eine erläuternde
Zeichnung, die entsprechende Frequenzbänder von EGSM, DCS und PCS
zeigt;
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12 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen herkömmlichen Hochfrequenzschalter
zeigt;
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13 ist
eine erläuternde
Zeichnung, die Kennlinien eines Tiefpassfilters zeigt;
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14 ist
eine Perspektivansicht in aufgelösten
Einzelteilen, die einen Hochfrequenzschalter nach einem Beispiel
zeigt;
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15 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter mit Doppelbändern zeigt, der
reduzierte Widerstände
und Induktoren nach einem Beispiel aufweist;
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16 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter mit Doppelbändern zeigt, der
reduzierte Widerstände
und einen Induktor, der zwischen einem Erdwiderstand und einem Erdpunkt ausgebildet
ist, nach einem Beispiel aufweist;
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17 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter mit Dreifachbändern zeigt,
der reduzierte Widerstände
und einen Induktor, der zwischen einem Erdwiderstand und einem Erdpunkt
ausgebildet ist, nach einem Beispiel aufweist; und
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18 ist
eine Perspektivansicht in aufgelösten
Einzelteilen, die einen Hochfrequenzschalter mit Dreifachbändern zeigt,
der reduzierte Widerstände
und einen Induktor, der zwischen einem Erdwiderstand und einem Erdpunkt
ausgebildet ist, aufweist.
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- 1,
2
- Schaltkreis
- 3
- Weichenfiltereinrichtung
(Weichenfilterschaltung)
- 20
- Antennenanschluss
- 21,
22
- Innerer
Anschluss
- 11–13
- Tiefpassfilter
(LPF)
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Beispiele
der vorliegenden Erfindung werden nach den begleitenden Zeichnungen
besprochen.
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Beispiel
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Zuerst
wird mit hauptsächlichem
Bezug auf 1 eine Konfiguration eines Hochfrequenzschalters
nach dem vorliegenden Beispiel besprochen. Hier ist 1 ein
Blockdiagramm, das einen Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels
zeigt.
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Der
Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels ist ein Dreifachband-Hochfrequenzschalter, der
eine Filterfunktion zum Durchlassen eines Sendefrequenzbands und
eines Empfangsfrequenzbands auf einem ersten Frequenzband (EGSM),
einem zweiten Frequenzband (DCS) und einem dritten Frequenzband
(PCS) aufweist. Der Hochfrequenzschalter umfasst Schaltkreise (Sende-Empfangs-Schalter)
(1 und 2) und eine Weichenfiltereinrichtung (Weichenfilterschaltung)
(3). Zusätzlich
ist, wie später
besprochen wird, der Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels
dadurch gekennzeichnet, dass ein Tiefpassfilter (LPF) (11)
zwischen der Weichenfiltereinrichtung (3) und dem Schaltkreis
(2) eingesetzt ist.
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Nächstfolgend
wird jede Einrichtung des Hochfrequenzschalters des vorliegenden
Beispiels spezifischer besprochen.
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Die
Weichenfiltereinrichtung (3) besitzt innere Anschlüsse (21 und 22),
einen Antennenanschluss (20) zum Verbinden mit einer Antenne
(ANT), ein Tiefpassfilter (LPF), das den inneren Anschluss (21)
und den Antennenanschluss (20) verbindet und ein erstes
Frequenzband durchlässt,
und ein Hochpassfilter (HPF), das den inneren Anschluss (22)
und den Antennenanschluss (20) verbindet und ein zweites
und drittes Frequenzband durchlässt.
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Der
Schaltkreis (1) ist eine Einrichtung, die mit dem inneren
Anschluss (21) zum Schalten zwischen einem Sendeanschluss
(Tx1), der zum Senden eines ersten Frequenzbands verwendet wird, und
einem Empfangsanschluss (Rx1), der zum Empfangen des ersten Frequenzbands
verwendet wird, verbunden ist. Hier ist zwischen dem Schaltkreis
(1) und dem Sendeanschluss (Tx1) ein Tiefpassfilter (LPF)
(12) eingesetzt, um Hochfrequenzverzerrung, die durch Verstärkung beim
Senden unter Verwendung des Sendeanschlusses (Tx1) verursacht wird, zu
reduzieren.
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Der
Schaltkreis (2) ist eine Einrichtung, die mit dem inneren
Anschluss (22) zum Schalten zwischen einem Sendeanschluss
(Tx2), der zum Senden von Sendefrequenzbändern des zweiten und dritten
Frequenzbands (für
zwei Sendevorgänge
gemeinsam genutzt) verwendet wird, einem Empfangsanschluss (Rx2),
der zum Empfangen eines Empfangsfrequenzbands des zweiten Frequenzbands verwendet
wird, und einem Empfangsanschluss (Rx3), der zum Empfangen eines
Empfangsfrequenzbands des dritten Frequenzbands verwendet wird,
verbunden ist. Daneben ist zwischen dem Schaltkreis (2)
und dem Sendeanschluss (Tx2) ein Tiefpassfilter (LPF) (13)
eingesetzt, um Hochfrequenzverzerrung, die durch Verstärkung beim
Senden unter Verwendung des Sendeanschlusses (Tx2) verursacht wird,
zu reduzieren.
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Mit
Bezugnahme auf 2 wird im Folgenden die Schaltungskonfiguration
des Hochfrequenzschalters nach dem vorliegenden Beispiel besprochen.
Hier ist 2 ein Verdrahtungsschema des Hochfrequenzschalters
des vorliegenden Schalters.
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Der
Sendeanschluss (Tx1) ist mit der Seite der Antenne über eine
Diode (D2) verbunden, die beim Senden zum Durchlassen veranlasst
wird, und das Tiefpassfilter (12) ist zwischen dem Sendeanschluss
(Tx1) und der Anode der Diode (D2) eingesetzt. Des Weiteren ist
der Empfangsanschluss (Rx1) mit der Seite der Antenne verbunden
und ist über eine
Diode (D4) in einer Durchlassrichtung geerdet. Darüber hinaus
ist ein Steueranschluss (VC1) mit einer Spannungssteuereinheit (in
der Zeichnung weggelassen) über
einen Widerstand (R1) verbunden.
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Der
Sendeanschluss (Tx2) ist mit der Seite der Antenne über eine
Diode (D3) verbunden, die beim Senden zum Durchlassen veranlasst
wird, und ein Tiefpassfilter (13) ist zwischen dem Sendeanschluss
(Tx2) und der Anode der Diode (D3) eingesetzt. Des Weiteren ist
der Empfangsanschluss (Rx2) mit der Seite der Antenne verbunden
und ist über eine
Diode (D5) in einer Durchlassrichtung geerdet. Darüber hinaus
ist der Empfangsanschluss (Rx3) mit der Seite der Antenne über eine
Diode (D1) verbunden, die beim Senden unter Verwendung des Sendeanschlusses
(Tx2) in eine Sperrrichtung (Sperrzustand) gerichtet ist. Daneben
befindet sich die Diode (D1) in einer Durchlassrichtung von dem
Empfangsanschluss (Rx3) zu der Antenne. Darüber hinaus ist ein Steueranschluss
(VC2) mit einer Spannungssteuereinheit (in der Zeichnung weggelassen) über einen Widerstand
(R2) verbunden und ein Steueranschluss (VC3) ist mit einer Spannungssteuereinheit
(in der Zeichnung weggelassen) über
einen Widerstand (R3) verbunden.
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Zusätzlich ist
ein Tiefpassfilter (11) zwischen der Weichenfiltereinrichtung
(3) und dem Schaltkreis (2) eingesetzt, um Hochfrequenzverzerrung
zu unterdrücken,
die beim Senden unter Verwendung des Sendeanschlusses (Tx2) von
der Diode (D1) erzeugt wird.
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Zusätzlich sind
die Kennlinien des Tiefpassfilters (13) eingestellt, um
Hochfrequenzverzerrung, die beim Senden unter Verwendung des Sendeanschlusses
(Tx2) auftritt, im Zusammenwirken mit dem Tiefpassfilter (11)
zu unterdrücken.
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Im
Besonderen weist das Tiefpassfilter (13) Kennlinien auf,
die durch eine Kennlinie (f1) von 13, die
eine erläuternde
Zeichnung zur Darstellung der Kennlinien des Tiefpassfilters ist,
angezeigt werden. Da nämlich
ein Hochfrequenzband im Zusammenwirken mit dem Tiefpassfilter (11)
abgesenkt wird, ist in Anbetracht der Kennlinien des Tiefpassfilters
(13) kleinerer Signalverlust trotz etwas schwacher Leistungsfähigkeit,
was durch eine Kennlinie (f1) angezeigt wird, wünschenswerter als ausgezeichnete
Leistungsfähigkeit
mit großem
Signalverlust, was durch eine Kennlinie (f2) angezeigt wird. Das
Tiefpassfilter weist einen größeren Signalverlust auf,
während
sich die Leistungsfähigkeit
des Filters verbessert.
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Zusätzlich entspricht
der Sendeanschluss (Tx2) einem ersten Sendeanschluss des vorliegenden
Beispiels, wobei die Empfangsanschlüsse (Rx2 und Rx3) dem zweiten
bzw. ersten Empfangsanschluss des vorliegenden Beispiels entsprechen,
die Dioden (D1 und D3) der ersten bzw. zweiten Diode des vorliegenden
Beispiels entsprechen, die Tiefpassfilter (11 und 13)
dem ersten bzw. zweiten Tiefpassfilter des vorliegenden Beispiels
entsprechen und der Schaltkreis (2) einem ersten Sende-Empfangs-Schalter
entspricht. Des Weiteren entspricht der Schaltkreis (1)
einem zweiten Sende-Empfangs-Schalter des vorliegenden Beispiels.
Darüber hinaus
entspricht die Weichenfiltereinrichtung (3) einer Weichenfiltereinrichtung
des vorliegenden Beispiels.
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Im
Folgenden wird der Betrieb des Hochfrequenzschalters nach dem vorliegenden
Beispiel besprochen. Daneben wird im Folgenden ein Beispiel eines
Hochfrequenzschaltverfahrens des vorliegenden Beispiels sowie der
Betrieb des Hochfrequenzschalters des vorliegenden Beispiels (in
den folgenden Beispielen ähnlich)
besprochen.
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Der
Betrieb des Hochfrequenzschalters des vorliegenden Beispiels ist
im Wesentlichen demjenigen des herkömmlichen Hochfrequenzschalters ähnlich.
Daher wird im Folgenden ein Fall besprochen, bei dem Senden unter
Verwendung des Sendeanschlusses (Tx2) durchgeführt wird, um vollen Gebrauch
von dem Tiefpassfilter (11) zu machen, der ein Hauptmerkmal
des Hochfrequenzschalters des vorliegenden Beispiels ist.
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Das
Tiefpassfilter (13) entfernt Hochfrequenzverzerrung, die
durch Verstärkung
verursacht wird, aus einem gesendeten Signal. Das gesendete Signal
wird durch einen Verstärker
(in der Zeichnung weggelassen) verstärkt und wird von dem Sendeanschluss
(Tx2) eingegeben. Das Tiefpassfilter (13) gibt das gesendete
Signal, an dem Hochfrequenzverzerrung entfernt ist, an den Schaltkreis
(2) aus.
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Der
Schaltkreis (2) wird geschaltet, um Senden unter Verwendung
des Sendeanschlusses (Tx2) durchzuführen, und gibt ein gesendetes
Signal, das von dem Tiefpassfilter (13) eingegeben wird,
an das Tiefpassfilter (11) aus. An einem gesendeten Signal, das
zu der Seite der Antenne ausgegeben wird, wird jedoch Hochfrequenzverzerrung
durch die Diode (D1) verursacht, die auf Grund der Beziehung mit
ihrem Signalweg sperrt.
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Das
Tiefpassfilter (11) entfernt Hochfrequenzverzerrung, die
durch die Diode (D1) verursacht wird, aus einem gesendeten Signal,
das von dem Schaltkreis (2) eingegeben wird, und gibt das gesendete
Signal, an dem Hochfrequenzverzerrung entfernt ist, an die Weichenfiltereinrichtung
(3) aus.
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Die
Weichenfiltereinrichtung (3) gibt ein gesendetes Signal,
das von dem Tiefpassfilter (11) eingegeben wird, an die
Antenne aus und die Antenne sendet das gesendete Signal als Funkwellen.
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Somit
wird ein Antennenschalter auf der Seite eines Hochfrequenzbands
(2-GHz-Band) als der Schaltkreis (2) von einem Eingang
und drei Ausgängen
(SP3T) verwendet, wobei das Tiefpassfilter (11) zum Unterdrücken von
lediglich Hochfrequenzverzerrung zwischen dem Antennenschalter und
der Weichenfilterschaltung (3) an der Seite der Antenne eingesetzt
ist, das mit einem Sendeende verbundene Tiefpassfilter (13)
in der Dämpfung
reduziert wird und der Einfügungsverlust
verbessert wird. Somit kann Verzerrung an einer Diode im Sperrzustand
unterdrückt
werden, während
Kennlinien der herkömmlichen
Anschlüsse
kaum verschlechtert werden.
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Beispiel
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Mit
Bezug auf die 3 und 4 wird im Folgenden
die Konfiguration und der Betrieb eines Hochfrequenzschalters nach
dem vorliegenden Beispiel besprochen. Hier ist 3 ein
Blockdiagramm, das den Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels
zeigt, und 4 ist ein Verdrahtungsschema, das
den Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels zeigt.
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Die
Konfiguration des Hochfrequenzschalters des vorliegenden Beispiels
ist derjenigen des vorgenannten Hochfrequenzschalters des vorhergehenden
Beispiels ähnlich.
Bei dem Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels ist jedoch
ein Tiefpassfilter (11) nicht zwischen der Weichenfiltereinrichtung
(3) und einem Schaltkreis (2') eingesetzt, sondern ein Tiefpassfilter
(11') ist
zwischen der Kathode einer Diode (D1) und einer Antenne eingesetzt (1 bis 4).
Zusätzlich
ist in 4 das Tiefpassfilter (11') ein Teil des Schaltkreises (2').
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Daher
kann der Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels einen Signalverlust
bei Empfang unter Verwendung eines Empfangsanschlusses (Rx2) reduzieren,
während
Hochfrequenzverzerrung, die durch die Diode (D1) beim Senden unter
Verwendung des Sendeanschlusses (Tx2) verursacht wird, reduziert
wird. Bei der vorgenannten Schaltungskonfiguration ist das Tiefpassfilter
(11') nicht
auf einem Signalweg eines empfangenen Signals, das von dem Empfangsanschluss
(Rx2) ausgegeben wird, angeordnet. Somit tritt kaum Signalverlust
beim Empfangen unter Verwendung des Empfangsanschlusses (Rx2) auf.
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Zusätzlich entspricht
das Tiefpassfilter (11') einem
ersten Tiefpassfilter des vorliegenden Beispiels und der Schaltkreis
(2') entspricht
einem ersten Sende-Empfangs-Schalter des vorliegenden Beispiels.
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Beispiel
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Mit
Bezug auf die 5 und die 6(a) und 6(b) wird
im Folgenden die Konfiguration und der Betrieb eines Hochfrequenzschalters
nach dem vorliegenden Beispiel besprochen. Hier ist 5 ein
Verdrahtungsschema, das den Hochfrequenzschalter des vorliegenden
Beispiels zeigt. Des Weiteren ist 6(a) eine
erläuternde
Zeichnung, die den Hochfrequenzschalter (Vorderseite) des vorliegenden
Beispiels zeigt, und 6(b) ist
eine erläuternde
Zeichnung, die den Hochfrequenzschalter (Rückseite) des vorliegenden Beispiels
zeigt.
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Die
Konfiguration des Hochfrequenzschalters des vorliegenden Beispiels
ist derjenigen des vorgenannten Hochfrequenzschalters des ersten Beispiels ähnlich.
Bei dem Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels sind jedoch
Widerstände
(R1 bis R3) (2), die jeweils mit Steueranschlüssen (VC1
bis VC3) verbunden sind, nicht enthalten und Empfangsanschlüsse (Rx1
und Rx2) sind über
Dioden (D4 und D5) in einer Durchlassrichtung und einen gemeinsam
genutzten Steuerwiderstand (R) geerdet (2 und 5).
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Daher
kann der Hochfrequenzschalter des Beispiels (1) Hochfrequenzverzerrung,
die durch die Dioden (D1, D3 und D5) beim Senden unter Verwendung
eines Sendeanschlusses (Tx1) verursacht wird, reduzieren und (2)
Hochfrequenzverzerrung, die durch Dioden (D2 und D4) beim Senden
unter Verwendung eines Sendeanschlusses (Tx2) verursacht wird, reduzieren.
Bei der vorgenannten Schaltungskonfiguration verursachen die Dioden
(D1, D3 und D5) (bzw. Dioden D2 und D4), da Sperrvorspannung angelegt
wird, kaum Hochfrequenzverzerrung beim Senden unter Verwendung des
Sendeanschlusses (Tx1) (bzw. des Sendeanschlusses (Tx2)).
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Zusätzlich sind
bei dem Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels, wie in
den 6(a) und 6(b) gezeigt,
Chipbauteile (Widerstand, Induktor und Kondensator) (X) und eine
PIN-Diode (Y) auf einer Oberflächenschicht
einer Vielschichtplatte (die einen Induktor und einen Kondensator
umfasst) (Z) angebracht.
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Da
die Zahl von Widerständen
um zwei reduziert werden kann, kann Strom durch Widerstände gut
gesteuert werden. Dies kommt daher, dass ein Widerstand der Diode
klein genug ist, um im Vergleich zu einem Steuerwiderstand vernachlässigt werden
zu können,
und Strom im Wesentlichen lediglich von einem Steuerwiderstand abhängt. Des
Weiteren wird die Zuverlässigkeit
von Bauteilkapselung verbessert und die Vorrichtung kann auf Grund
der reduzierten Zahl von Bauteilen von kleinerer Größe sein.
Zusätzlich
wird, obwohl die Verbindung vom Inneren zum Anbringen der Widerstände auf
der Oberfläche
notwendig ist, auf Grund von reduzierten inneren Kontaktlöchern für Verbindung
kapazitive Kopplung reduziert und Kennlinien werden verbessert.
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Darüber hinaus
ist herkömmlicherweise, wenn
ein Zweiwege-Steueranschluss eingeschaltet wird, ein Stromwert ungefähr das Doppelte
eines Stromwerts, der durch Einschalten eines Einweg-Steueranschlusses
erzielt wird. Die vorgenannte Schaltung des vorliegenden Beispiels
erhöht
kaum einen Stromverbrauchswert und unterdrückt Leistungsverbrauch des
Satzes.
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Außerdem ist
ein Anschluss eines Steuerwiderstands (R) mit Erde (GND) von den
Kathoden der Dioden (D4 und D5) über
Induktoren (L1 und L2) mit 1/4λ (λ ist Wellenlänge) oder
mehr verbunden (5). Somit werden die Hochfrequenzbauteile
von den Anschlüssen
unterbrochen, die Isolierung wird nicht geringer oder Kennlinien
werden nicht verschlechtert.
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Außerdem wird
Sperrvorspannung an die Diode des sperrseitigen Sende-Empfangs-Schalters, der kein
Senden durchführt,
angelegt, wobei kapazitive Kopplung durch eine Änderung in einer Verarmungsschicht
reduziert. Somit wird die Isolierung verbessert, Verlustleistung
wird reduziert und die Kennlinien werden verbessert. Darüber hinaus
wird selbst dann, wenn Leistung an die beim Senden sperrende Diode
angelegt wird, Störung
unterdrückt.
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Hier
entspricht der Steuerwiderstand (R) einem Erdwiderstand des vorliegenden
Beispiels.
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Beispiel
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Mit
Bezug auf 14 wird im Folgenden die Konfiguration
eines Hochfrequenzschalters nach dem vorliegenden Beispiel besprochen.
Zusätzlich
ist 14 eine Perspektivansicht in aufgelösten Einzelteilen,
die den Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels zeigt. Hier
ist eine Oberfläche
unter einer dielektrischen Schicht (O) in 14 die
Rückseite
der dielektrischen Schicht (O).
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Die
Konfiguration des Hochfrequenzschalters des vorliegenden Beispiels
ist derjenigen des Hochfrequenzschalters des ersten Beispiels ähnlich. Die
Anbringungsstruktur wird spezifisch besprochen.
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In 14 besteht
der Hochfrequenzschalter des vorliegenden Beispiels aus fünfzehn dielektrischen
Schichten (A bis O). Hier wird die Anzahl der dielektrischen Schichten
wahlweise in Abhängigkeit von
geforderten Kennlinien des Hochfrequenzschalters ausgewählt.
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Auf
der Oberfläche
eines Laminats, das eine Laminierungsstruktur aufweist, die verschiedene Streifenleitungen
und Kondensatoren, die den Hochfrequenzschalter bilden, umfasst,
sind zwei Oberflächenwellenfilter
(F1 und F2), fünf
Dioden (D1 bis D5) und Chipbauteile (SD1 bis SD8), wie ein Kondensator, über Anschlüsse (T1),
die auf der Oberfläche
des Laminats ausgebildet sind, angebracht und sind elektrisch mit
einer inneren Schaltung des Laminats verbunden.
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Daneben
kann als die dielektrische Schicht ein sogenanntes Glaskeramiksubstrat
angewendet werden, bei dem niedrigschmelzende Glasfritte mit Keramikpulver,
wie Forsterit, gemischt wird. Des Weiteren wird auf Grünplatten,
die durch Schlicker, der durch Mischen eines organischen Binders
und eines organischen Lösungsmittels
mit dem Keramikpulver erzielt wurde, ausgebildet wurden, eine Anzahl
von Kontaktlöchern
für elektrisch
verbindende Mehrebenenverdrahtung durch Stanzen oder Laserstrahlbearbeitung
gebohrt.
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Das
Drucken erfolgt unter Verwendung von leitfähiger Masse mit Silberpulver
(Gold- oder Kupferpulver) als ein Hauptbestandteil eines Leiters,
um Verdrahtungsstrukturen auf einer vorgegebenen Grünplatte
auszubilden, und leitfähige
Masse wird gedruckt und in die Kontaktlöcher gefüllt, um eine Zwischenschichtverbindung
zwischen den Verdrahtungsstrukturen der Grünplatten herzustellen. Auf diese
Weise werden die Streifenleitungen und Kondensatorelektroden ausgebildet.
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Die
fünfzehn
Grünplattenschichten
werden genauestens positioniert und übereinandergeschichtet und
bei den Schichten werden die Temperatur und der Druck unter einer
bestimmten Bedingung so erhöht,
dass ein integriertes Laminat erzielt werden kann. Nachdem das Laminat
getrocknet wurde, wird der organische Binder in der Grünplatte
unter Durchführung
von Brennen bei 400 bis 500°C
in einem Brennofen in einer oxidierenden Atmosphäre ausgebrannt. Das Brennen
wird bei ungefähr
850 bis 950°C durchgeführt und
zwar (1) in gewöhnlicher
Luft, wenn Gold- oder Silberpulver als ein Hauptbestandteil des Leiters
verwendet wird, und (2) in einer Inertgas- oder Reduktionsatmosphäre, wenn
Kupferpulver als ein Hauptbestandteil des Leiters verwendet wird.
Auf diese Weise kann ein Endlaminat erzielt werden.
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Eine
Vielzahl von Anschlüssen
(T1) zum Anbringen der Oberflächenwellenfilter
und Dioden ist auf der Oberfläche
der dielektrischen Schicht (A) ausgebildet. Eine Vielzahl von Anschlüssen (T2)
zum Anbringen des Hochfrequenzschalters auf der Oberfläche eines
Hauptträgers
von elektronischer Ausrüstung
ist auf der Rückseite
der dielektrischen Schicht (O) ausgebildet, auf der eine Erdelektrode
(G1) ausgebildet ist. Hier werden die Anschlüsse (T1 und T2) durch Drucken
und Strukturieren der vorgenannten leitfähigen Masse ausgebildet.
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Im
Folgenden wird die geschichtete Struktur der Verdrahtungsstrukturen
bei dem Hochfrequenzschalter mit einer solchen Laminierungsstruktur
besprochen.
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Zum
Beispiel stellt eine Streifenleitungselektrodenstruktur auf der
dielektrischen Schicht (B) Zwischenschichtverbindung mit einer Streifenleitungsstruktur
auf der dielektrischen Schicht (C) über Kontaktlöcher (BV1
und BV2) her. Des Weiteren stellt die Streifenleitungselektrodenstruktur
auf der dielektrischen Schicht (C) Zwischenschichtverbindung mit
einer Streifenleitungsstruktur auf der dielektrischen Schicht (D) über Kontaktlöcher (CV1
und CV2) her. Auf diese Weise werden Streifenleitungen (S1 und S2)
sequenziell durch die sechs Schichten der dielektrischen Schichten
(B bis G) hindurch über
die Kontaktlöcher
verbunden.
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Des
Weiteren sind zum Beispiel Kondensatoren (C1 und C2) in Reihe verbunden,
indem eine Elektrodenstruktur des Kondensators (C1) auf der dielektrischen
Schicht (E), eine von den Kondensatoren (C1 und C2) gemeinsam genutzte
Elektrodenstruktur auf der dielektrischen Schicht (F) und eine Elektrodenstruktur
des Kondensators (C2) auf der dielektrischen Schicht (G) bereitgestellt
werden.
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Die
Streifenleitungen und Kondensatoren werden auf diese Weise konfiguriert.
Die Ein-/Ausgangsanschlüsse
des Hochfrequenzschalters des vorliegenden Beispiels sind alle auf
der Rückseite
der dielektrischen Schicht (O) über
die Kontaktlöcher versammelt.
Somit kann ein Anbringungsbereich kleiner sein, wenn der Schalter
auf dem Hauptträger der
elektronischen Ausrüstung
angebracht ist.
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In
der obigen Erläuterung
wurden die vorhergehenden Beispiele ausführlich besprochen.
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Zusätzlich ist
der erste Sendeanschluss des vorliegenden Beispiels ein Anschluss,
der bei den vorgenannten Beispielen für zwei Sendevorgänge gemeinsam
genutzt wird. Das vorliegende Beispiel ist nicht auf den vorgenannten
Anschluss beschränkt.
Zum Beispiel kann der Anschluss lediglich für einen einzelnen Sendevorgang
oder zum Verbinden eines Duplexers verwendet werden.
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Darüber hinaus
können
zum Beispiel, wie in den 7, 8 und den 9(a) und 9(b) gezeigt,
der Oberflächenwellenfilter
(W) sowie die Chipbauteile (Widerstand, Induktor, Kondensator) (X)
und die PIN-Diode (Y) auf einer Oberflächenschicht der Vielschichtplatte
(die einen Induktor und einen Kondensator umfasst) (Z) bei dem Hochfrequenzschalter des
vorliegenden Beispiels angebracht werden. Hier ist 7 ein
Verdrahtungsschema, das einen Hochfrequenzschalter zeigt, bei dem
ein Tiefpassfilter bereitgestellt wird, um Hochfrequenzverzerrung,
die durch eine Diode in einem Sperrzustand verursacht wird, zu unterdrücken, und
Oberflächenwellenfilter sind
an Empfangsanschlüssen
(Rx1 und Rx2) angebracht. 8 ist ein
Verdrahtungsschema, das des Weiteren einen Hochfrequenzschalter
zeigt, bei dem ein von einer Vielzahl von Sende-Empfangs-Schaltern gemeinsam genutzter
Widerstand bereitgestellt wird und Oberflächenwellenfilter an Empfangsanschlüssen (Rx1
und Rx2) angebracht sind. Darüber hinaus
ist 9(a) eine erläuternde
Zeichnung, die einen Hochfrequenzschalter (Vorderseite) zeigt, bei dem
Oberflächenwellenfilter
angebracht sind. 9(b) ist eine erläuternde
Zeichnung, die den Hochfrequenzschalter (Rückseite) zeigt, bei dem Oberflächenwellenfilter
angebracht sind.
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Daneben
ist bei den vorgenannten Beispielen der Hochfrequenzschalter des
vorliegenden Beispiels ein Dreifachband-Hochfrequenzschalter. Das vorliegende
Beispiel ist nicht auf den vorgenannten Schalter beschränkt. Zum
Beispiel kann, wie in 10, die ein Verdrahtungsschema
zur Darstellung eines Doppelband-Hochfrequenzschalters ist, gezeigt
wird, außerdem
ein Doppelband-Hochfrequenzschalter angewendet werden.
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Hier
kann bei dem Schaltkreis (10) eines Niederfrequenzbands,
der den Sendeanschluss (Tx1) und den Empfangsanschluss (Rx1) aufweist, der
Induktor (L2) weggelassen werden. Genauer gesagt ist, wie in 15 gezeigt,
die ein Verdrahtungsschema zur Darstellung des Doppelband-Hochfrequenzschalters
des vorliegenden Beispiels ist, bei dem Widerstände und Induktoren weggelassen
wurden, in Bezug auf den Empfangsanschluss (Rx1 und Rx2) (1) der
Empfangsanschluss (Rx1) zum Durchführen von Empfang unter Verwendung
des niedrigsten Frequenzbands mit dem Erdwiderstand (R) über den
Induktor (L) verbunden und (2) der Empfangsanschluss (Rx2) zum Durchführen von
Empfang unter Verwendung des höchsten
Frequenzbands kann mit dem Erdwiderstand (R) verbunden sein, während der Induktor
umgangen wird (bei dem entsprechenden Teil ist ein ovales Zeichen
hinzugefügt,
um anzuzeigen, dass der Induktor (L2) weggelassen wurde). Da der
Induktor (L) ausreichend große
Induktivität
aufweist (d. h. der Induktivität
des Induktors (L2) (10) entsprechend), wenn Senden
durchgeführt wird,
indem auch der Sendeanschlusses (Tx1) verwendet wird, dringt ein
gesendetes Signal nicht zu dem Empfangsanschluss (Rx2) durch, so
dass Polarität
auf einer Niederfrequenzseite eines Durchlassbands ausgebildet werden
kann.
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Des
Weiteren kann bei dem Schaltkreis (10) eines
Niederfrequenzbands, der den Sendeanschluss (Tx1) und den Empfangsanschluss (Rx1)
aufweist, ein Induktorzwischen dem Widerstand (R) und einem Erdpunkt
(Erdelektrode) ausgebildet sein. Genau er gesagt kann, wie in 16 gezeigt,
die ein Verdrahtungsschema zur Darstellung eines Doppelband-Hochfrequenzschalters
ist, der reduzierte Widerstände
und einen Induktor, der zwischen einem Erdwiderstand und einem Erdpunkt ausgebildet
ist, aufweist, ein Erdwiderstand (R) über einen Induktor (L') geerdet sein (bei
dem entsprechenden Teil ist ein ovales Zeichen hinzugefügt, um die
Ausbildung des Induktors (L')
anzuzeigen). Da eine Kreidespule mit ausreichender Induktivität unter Verwendung
des Induktors (L')
ausgebildet wird, wenn Senden durchgeführt wird, indem auch der Sendeanschlusses
(Tx1) verwendet wird, dringt ein gesendetes Signal nicht zu dem
Empfangsanschluss (Rx2) durch oder wird ein gesendetes Signal nicht
zu der Erde zugeführt.
Somit kann ein offener Zustand durch eine hohe Frequenz erreicht
werden.
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Es
muss nicht gesagt werden, dass die vorgenannten Konfigurationen
auf ähnliche
Weise auf einen Dreifachband-Hochfrequenzschalter zusätzlich zu
einem Doppelband-Hochfrequenzschalter
angewendet werden können.
Ein Hochfrequenzschalter von 17 ist
nämlich
außerdem
in dem vorliegenden Beispiel enthalten. 17 ist
ein Verdrahtungsschema, das einen Dreifachband-Hochfrequenzschalter
des vorliegenden Beispiels zeigt, der reduzierte Widerstände und
einen Induktor, der zwischen einem Erdwiderstand und einem Erdpunkt
ausgebildet ist, aufweist.
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Zusätzlich kann
in Anbetracht eines solchen Induktors zwischen dem Widerstand (R)
und dem Erdpunkt das Bauteil spontan unter Verwendung einer geschichteten
Einfügungsstruktur,
einer Oberflächenschichtstruktur
und so weiter spontan ausgebildet werden, ohne willentlich angebracht
zu werden. Genauer gesagt kann, wie in 18 gezeigt,
die eine Perspektivansicht in aufgelösten Einzelteilen zur Darstellung
des Dreifachband-Hochfrequenzschalters ist, der reduzierte Widerstände und
einen zwischen dem Erdwiderstand und dem Erdpunkt ausgebildeten
Induktor aufweist, der Induktor (L') unter Verwendung eines Kontaktlochleiters
ausgebildet werden. Es ist sicher wünschenswert, eine Schaltungsstrukturgestaltung
bereitzustellen, bei der ein solches Kontaktloch senkrecht zu einer
Trägerfläche ist,
da ein kompakter Induktor in einem kleinen Bereich ausgebildet wird.
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Darüber hinaus
umfasst in den vorgenannten ersten beiden Beispielen der Hochfrequenzschalter
des vorliegenden Beispiels das Tiefpassfilter zum Unterdrücken von
Hochfrequenzverzerrung, die durch die Diode in einem Sperrzustand
verursacht wird.
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Bei
dem vorgenannten dritten Beispiel umfasst der Hochfrequenzschalter
des vorliegenden Beispiels des Weiteren den Widerstand, der von
einer Vielzahl von Sende-Empfangs-Schaltern gemeinsam genutzt wird.
Das vorliegende Beispiel ist nicht auf die vorgenannten Beispiele
beschränkt. Kurz
gesagt umfasst der Hochfrequenzschalter (a) das Tiefpassfilter zum
Unterdrücken
von Hochfrequenzverzerrung, die durch die Diode in einem Sperrzustand
verursacht wird, und/oder (b) den Widerstand, der von einer Vielzahl
von Sende-Empfangs-Schaltern gemeinsam genutzt wird.
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Wie
oben beschrieben wird, betrifft zum Beispiel das vorliegende Beispiel
einen Hochfrequenzschalter mit einer Vielzahl von Signalwegen entsprechend
einer Vielzahl von Frequenzen. Der Hochfrequenzschalter wird durch
eine Weichenfilterschaltung, die gesendete Signale von der Vielzahl
von Signalwegen beim Senden koppelt und empfangene Signale zu der
Vielzahl von Signalwegen beim Empfangen verteilt, eine Vielzahl
von Sende-Empfangs-Schaltern zum Schalten der Vielzahl von Signalwegen
zwischen einem Sendeabschnitt und einem Empfangsabschnitt und eine
Vielzahl von Filtern, die auf den Signalwegen angeordnet sind, gebildet.
Der Hochfrequenzschalter ist dadurch gekennzeichnet, dass ein erstes
Tiefpassfilter angeordnet ist zwischen der Weichenfilterschaltung
und einem ersten Sende-Empfangs-Schalter mit vier Anschlüssen, die
einem ersten und zweiten Kommunikationssystem mit benachbarten Frequenzen
der Vielzahl von Frequenzen entsprechen und in einen Sendeabschnitt,
der von dem ersten und zweiten Kommunikationssystem gemeinsam genutzt
wird, einen Empfangsabschnitt des ersten Kommunikationssystems und
einen Empfangsabschnitt des zweiten Kommunikationssystems unterteilt
sind, und ein zweites Tiefpassfilter in dem Sendeabschnitt angeordnet
ist.
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Genauer
gesagt ist zum Beispiel, wie in 14 gezeigt,
außerdem
die folgende Konfiguration anwendbar: Eine Erdelektrode (G1) ist
unter einer Elektrodenstruktur (P1) des Induktors (L3) (2), der
das Tiefpassfilter (11) (1) bildet, über die
dielektrischen Schichten (M und N) ausgebildet, und Elektrodenstrukturen
(P2) von anderen Induktoren sind nicht auf der Elektrodenstruktur
(P1) angeordnet. Zusätzlich
sind, da Übereinanderschichten
so durchgeführt
wird, dass die dielektrische Schicht (A) die Oberflächenschicht
ist und die dielektrische Schicht (O) die unterste Schicht ist,
die dielektrischen Schichten (A bis L) auf der Elektrodenstruktur
(P1) angeordnet und die dielektrischen Schichten (M bis O) sind
unter der Elektrodenstruktur (P1) angeordnet. So mit sind die vorgenannten
Elektrodenstrukturen (P2) der anderen Induktoren eigentlich äquivalent zu
allen der Elektrodenstrukturen (angezeigt durch dünne Linien
in 14) der Induktoren, die auf den dielektrischen
Schichten (A bis L) ausgebildet sind.
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Kurz
gesagt sind eine Vielzahl von Streifenleitungen und eine Vielzahl
von Kondensatoren auf einer Vielzahl von dielektrischen Schichten
ausgebildet, Kontaktlochleiter zum Ausbilden der Vielzahl von Streifenleitungen
und der Vielzahl von Kondensatoren sind zwischen den dielektrischen
Schichten ausgebildet und wenigstens eines von den Dioden, Kondensatoren,
Widerständen
und Induktoren ist auf einem Laminat ausgebildet, das durch Übereinanderschichten
der dielektrischen Schichten ausgebildet ist.
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Zusätzlich wird
der Dreifachband-Hochfrequenzschalter durch die Induktoren, Kapazitäten, Dioden
und Widerstände
(2) gebildet. Wenn der Schalter als eine Laminierungsvorrichtung
ausgeführt
wird, wird Silber oder Kupfer für
eine Tieftemperatursinterkeramikplatte zum Drucken von Elektrodenstrukturen,
die einen Induktor und eine Kapazität ausbilden, verwendet, wobei
das Brennen zeitgleich nach dem Übereinanderschichten
erfolgt, und die Dioden, Widerstände,
(Oberflächenwellenfilter),
ein Induktor, die nicht in einer Schicht angeordnet sind, und eine
Kapazität
werden auf einer Oberflächenschicht angebracht.
Somit ist eine Laminierungsvorrichtung abgeschlossen. Folglich ist
es möglich,
Signalverlust, der durch das Tiefpassfilter (11) verursacht
wird, zu unterdrücken,
um dadurch Verschlechterung von Kennlinien bei der gesamten Vorrichtung
zu verhindern.
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Des
Weiteren betrifft das vorliegende Beispiel zum Beispiel einen Hochfrequenzschalter,
der dadurch gekennzeichnet ist, dass bei dem ersten Sende-Empfangs-Schalter
die Anode mit dem Empfangsabschnitt des zweiten Kommunikationssystems verbunden
ist und die Kathode mit der Weichenfilterschaltung über das
erste Tiefpassfilter verbunden ist.
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Darüber hinaus
betrifft das vorliegende Beispiel einen Hochfrequenzschalter mit
einer Vielzahl von Signalwegen entsprechend einer Vielzahl von Frequenzen.
Der Hochfrequenzschalter wird durch eine Weichenfilterschaltung,
die gesendete Signale von der Vielzahl von Signalwegen beim Senden
koppelt und empfangene Signale zu der Vielzahl von Signalwegen beim
Empfangen verteilt, eine Vielzahl von Sende-Empfangs- Schaltern zum Schalten
der Vielzahl von Signalwegen zwischen einem Sendeabschnitt und einem
Empfangsabschnitt und eine Vielzahl von Filtern, die auf den Signalwegen
angeordnet sind, gebildet. Die Vielzahl von Sende-Empfangs-Schaltern
umfasst eine Diode, bei der die Kathode über einen Widerstand geerdet
ist, wobei der Widerstand von wenigstens zwei oder mehreren der Vielzahl
von Sende-Empfangs-Schaltern gemeinsam genutzt wird.
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Außerdem wird
in dem vorliegenden Beispiel zum Beispiel die Vielzahl von Sende-Empfangs-Schaltern
durch zwei Sende-Empfangs-Schalter gebildet. Der Hochfrequenzschalter
ist dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Sende-Empfangs-Schalter
durch vier Anschlüsse
gebildet wird, die in einen Sendeabschnitt, der von einem ersten und
zweiten Kommunikationssystem gemeinsam genutzt wird, einen Empfangsabschnitt
des ersten Kommunikationssystems und einen Empfangsabschnitt des
zweiten Kommunikationssystems unterteilt sind, ein zweiter Sende-Empfangs-Schalter durch
drei Anschlüsse
gebildet wird, die in einen Sendeabschnitt eines dritten Kommunikationssystems und
einen Empfangsabschnitt des dritten Kommunikationssystems unterteilt
sind, der erste und zweite Sende-Empfangs-Schalter mit einer Weichenfilterschaltung
verbunden sind und ein Tiefpassfilter mit den Sendeabschnitten verbunden
ist.
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Daneben
wird zum Beispiel in dem vorliegenden Beispiel die Vielzahl von
Sende-Empfangs-Schaltern durch zwei Sende-Empfangs-Schalter gebildet.
Der Hochfrequenzschalter ist dadurch gekennzeichnet, dass ein erster
Sende-Empfangs-Schalter eine erste Diode, bei der die Anode mit
einem Anschluss einer (gemeinsam genutzten) Sendeschaltung des ersten
(zweiten) Kommunikationssystems verbunden ist und die Kathode mit
der Weichenfilterschaltung verbunden ist, eine erste Streifenleitung,
bei der ein Anschluss mit der Anode der ersten Diode verbunden ist
und der andere Anschluss über
einen ersten Kondensator geerdet und mit einem ersten Steueranschluss
verbunden ist, eine zweite Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss
einer Empfangsschaltung des ersten Kommunikationssystems verbunden
ist und die Kathode über
eine Parallelschaltung eines zweiten Kondensators und eines ersten
Widerstands geerdet ist, eine zweite Streifenleitung, bei der ein
Anschluss mit der Anode der zweiten Diode verbunden ist und der
andere Anschluss mit der Weichenfilterschaltung verbunden ist, (eine
dritte Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss einer Empfangsschaltung
des zweiten Kommunikationssystems verbunden ist und die Kathode
mit der Weichenfilterschaltung ver bunden ist, und eine dritte Streifenleitung,
bei der ein Anschluss mit der Anode der dritten Diode verbunden
ist und der andere Anschluss über
einen dritten Kondensator geerdet und mit einem zweiten Steueranschluss
verbunden ist, umfasst und ein zweiter Sende-Empfangs-Schalter eine
vierte Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss einer Sendeschaltung des
dritten Kommunikationssystems verbunden ist und die Kathode mit
der Weichenfilterschaltung verbunden ist, eine vierte Streifenleitung,
bei der ein Anschluss mit der Anode der vierten Diode verbunden ist
und der andere Anschluss über
einen vierten Kondensator geerdet und mit einem dritten Steueranschluss
verbunden ist, eine fünfte
Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss einer Empfangsschaltung
des dritten Kommunikationssystems verbunden ist und die Kathode über eine
Parallelschaltung eines fünften
Kondensators und eines zweiten Widerstands geerdet ist, und eine
fünfte
Streifenleitung, bei der ein Anschluss mit der Anode der fünften Diode verbunden
ist und der andere Anschluss mit der Weichenfilterschaltung verbunden
ist, umfasst. Hier gilt der Text in Klammern für einen Dreifachschaltkreis.
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Zusätzlich wird
bei dem vorliegenden Beispiel zum Beispiel die Vielzahl von Sende-Empfangs-Schaltern
durch zwei Sende-Empfangs-Schalter gebildet. Der Hochfrequenzschalter
ist dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Sende-Empfangs-Schalter
eine erste Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss einer von
dem ersten und zweiten Kommunikationssystem gemeinsam genutzten Sendeschaltung
verbunden ist und die Kathode mit der Weichenfilterschaltung verbunden
ist, eine erste Streifenleitung, bei der ein Anschluss mit der Anode der
ersten Diode verbunden ist und der andere Anschluss über einen
ersten Kondensator geerdet und mit einem ersten Steueranschluss
verbunden ist, eine zweite Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss
einer Empfangsschaltung des ersten Kommunikationssystems verbunden
ist und die Kathode über
eine Parallelschaltung eines zweiten Kondensators und eines ersten
Widerstands geerdet ist, eine zweite Streifenleitung, bei der ein
Anschluss mit der Anode der zweiten Diode verbunden ist und der
andere Anschluss mit der Weichenfilterschaltung verbunden ist, eine
dritte Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss einer Empfangsschaltung
des zweiten Kommunikationssystems verbunden ist und die Kathode
mit der Weichenfilterschaltung verbunden ist, und eine dritte Streifenleitung,
bei der ein Anschluss mit der Anode der dritten Diode verbunden
ist und der andere Anschluss über
einen dritten Kondensator geerdet und mit einem zweiten Steueranschluss
verbunden ist, umfasst und ein zweiter Sende-Empfangs-Schalter eine
vierte Diode, bei der die Anode mit einem An schluss einer Sendeschaltung des
dritten Kommunikationssystems verbunden ist und die Kathode mit
der Weichenfilterschaltung verbunden ist, eine vierte Streifenleitung,
bei der ein Anschluss mit der Anode der vierten Diode verbunden ist
und der andere Anschluss über
einen vierten Kondensator geerdet und mit einem dritten Steueranschluss
verbunden ist, eine fünfte
Diode, bei der die Anode mit einem Anschluss einer Empfangsschaltung
des dritten Kommunikationssystems verbunden ist und die Kathode über eine
Parallelschaltung eines fünften
Kondensators und eines zweiten Widerstands geerdet ist, und eine
fünfte
Streifenleitung, bei der ein Anschluss mit der Anode der fünften Diode verbunden
ist und der andere Anschluss mit der Weichenfilterschaltung verbunden
ist, umfasst. Die Weichenfilterschaltung wird durch ein Tiefpassfilter
und ein Hochpassfilter gebildet. Der zweite Sende-Empfangs-Schalter
ist mit dem Tiefpassfilter verbunden und der erste Sende-Empfangs-Schalter
ist mit dem Hochpassfilter verbunden.
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Daneben
umfasst das vorliegende Beispiel außerdem eine Funkkommunikationsvorrichtung,
die eine Sendeschaltung zum Senden, eine Empfangsschaltung zum Empfangen
und den vorgenannten Hochfrequenzschalter, der zum Schalten von
Senden und Empfangen verwendet wird, umfasst. Genauer gesagt ist
bei einer solchen Konfiguration der Funkkommunikationsvorrichtung
zum Beispiel die Sendeschaltung mit dem Sendeanschluss (Tx1) (1)
des Hochfrequenzschalters über
einen Verstärker
verbunden.
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Wie
oben beschrieben wird, bietet die vorliegende Erfindung einen Vorteil
durch die Bereitstellung eines Hochfrequenzschalters, einer Funkkommunikationsvorrichtung
und eines Hochfrequenzschaltverfahrens zum Reduzieren von Hochfrequenzverzerrung.