WO2004073193A1

WO2004073193A1 - スイッチ回路及び複合高周波部品

Info

Publication number: WO2004073193A1
Application number: PCT/JP2004/001560
Authority: WO
Inventors: Shigeru Kemmochi; Mitsuhiro Watanabe; Hiroyuki Tai
Original assignee: Hitachi Metals, Ltd.
Priority date: 2003-02-14
Filing date: 2004-02-13
Publication date: 2004-08-26
Also published as: JP3761000B2; EP1596505A4; US20060211382A1; CN1751449A; US7221922B2; JPWO2004073193A1; EP1596505A1

Description

明細書

スィツチ回路及び複合高周波部品発明の分野

本発明は複数の異なる通信システムが利用可能なマルチバンド携帯電話用スィツチ回路、及ぴこれを用いた複合高周波部品に関する。背景技術

近年、携帯電話等のモパイル機器の普及は目覚しく、これに伴う機能及ぴサ一ビスの向上が盛んに行われている。携帯無線通信システムには、欧州で盛んな EGSM (Extended Global System for Mobile Communications)方式及ぴ GSM 1800 (Global System for Mobile Communications 1800)方式、米国で盛んな GSM 1900 (Global System for Mobile Communications 1900)方式、日本で採用されている PDC (Personal Digital Cellular) 方式等があり、利用者の利便性向上、通信設備の有効な活用といった観点から、複数の通信システムを利用できるデュアルバンドあるいはトリプルバンドといったマルチバンド携帯電話の開発が進んでいる。

マルチパンド携帯電話は、 1台で複数の通信システムが利用可能な携帯電話である。このような携帯電話に用いられる高周波部品として、複数の異なる通信システムの送信回路と受信回路を切り換える高周波スィツチモジュールが

WO 00/55983に開示されている。この高周波スィツチモジュールは、互いに通過帯域（Passband) が異なる第一及ぴ第二のフィルタ回路と、第一のフィルタ回路に接続されて通信システム Aの送信回路と受信回路を切り換えるスィツチ回路と、第二のフィルタ回路に接続されて通信システム B及ぴ Cの送信回路と通信システム Bの受信回路と通信システム Cの受信回路とを切り換えるスィッチ回路とを具備する。

前記第一及び第二のフィルタ回路は、通信システム Aの送受信信号と通信システム B及び Cの送受信信号とを分波する回路として機能する。前記スィッチ回路はダイォードと伝送線路を主要素子とするダイォードスィッチであり、ダィオードにコントロール回路から電圧をかけてオン状態オフ状態に制御することにより、複数の通信システム A, B , Cのいずれか一つを選択して、アンテナと通信システム A, B , Cの送信回路及び受信回路を切り換える。

通信システム A, B , Cは、例えば、 GSM、 DCS 1800及び PCSである。 GSMは前記 EGSM、 DCS 1800は前記 GSM 1800、 PCSは前記 GSM 1900にそれぞれ対応する。表 1は各通信システムの送信周波数と受信周波数を示す。表 1

表 1に示すように、 GSM 1800と GSM 1900の送信周波数は、 EGSMの送信周波数と比べ近接している。このため、高周波回路において、 GSM 1800と GSM 1900の送信信号の経路を共通化できる。 GSM 1800と GSM 1900の送受信信号を切り換える場合には、 GSM 1800と GSM 1900の送信信号の共通ポート、 GSM 1800の受信ポート及び GSM 1900の受信ポートを備えた 1入力対 3出力のスィッチ回路を用いればよい。

1入力対 3出力のスィツチ回路として、 WO 00/55983にはダイォードと伝送線路を主要素子とするダイオードスィッチ回路（図 13) が開示されている。このダイォードスィツチ回路は、ぇ 4スィツチ回路をカスケ一ド接続した構成であり、コントロール端子 VC2， VC3に与えられる電圧を、表 2に示すように制御することにより、 GSM 1800/GSM 1900送信モード、 GSM 1800受信モ一ド、及ぴ GSM 1900受信モードを選択する。表 2

GSM 1800の受信時には、コント口ール端子 VC2及ぴ VC3に 0の電圧を印加することにより、ダイォード DP1、 DP2、 DDI及ぴ DD2を OFF状態に制御する。ダイォード DDIが OFF状態になることにより、接続点 IP2と GSM 1800 /GSM 1900送信回路との間のインピーダンスが大きくなる。またダイォード DPIが OFF状態になることにより、接続点 IP3と GSM 1900受信回路との間のィンピーダンスが大きくなる。このため 2つの伝送線路 W3と 1ρ2を介して接続点 IP2と GSM 1800受信回路が接続される。

通常、伝送線路 ld3は共振周波数が GSM 1800及ぴ GSM 1900の送信信号の周波数範囲（1710 MHz〜1910 MHz) 內となるような線路長に設定され、また伝送線路 1ρ2は共振周波数が GSM 1900の受信信号の周波数範囲（1930 MHz 〜： 1990 MHz) 内となるような線路長に設定され、それぞれの特性インピーダンスは 50Ωに設計されている。

しかしながら、鋭意研究の結果、前記スィツチ回路を多層基板内にストリツプライン等で形成する場合、多層基板を小型化、特に薄肉化すると、伝送線路 Id3及び 1ρ2の特性ィンピーダンスを 50 Ωとしても、寄生容量等により GSM 1800の受信信号出力ポート KX1、 GSM 1900の受信信号出力ポート RX2のィンピーダンスが 70〜80 Ω程度と 50 Ωより大きくなり、その結果出力ポート RX1、 RX2から出力される受信信号の損失が大きくなることが分かった。この問題は、 WO 00/55983では認識されておらず、何の解決手段も教示されていない。発明の目的

従って、本発明の目的は、 2つの通信システムの受信回路又は送信回路とァンテナ側回路との接続を切り換えるために、 2つの 1入力対 2出力のスィッチ回路をカスケ一ド接続した 1入力対 3出力のスィツチ回路を提供することである。

本発明のもう一つの目的は、かかるスィツチ回路を多層基板に形成した低伝送損失の小型複合高周波部品を提供することである。発明の開示

本発明のスィッチ回路は、 2つの通信システムの受信回路又は送信回路とァンテナ側回路との接続を切り換えるもので、

スィツチング素子を有する 2つのスィツチ部で構成され、

第一のスィッチ部は、前記アンテナ側回路に接続する第一のポートと、第一及び第二の通信システムの送信回路に接続する第二のポートと、第二のスィッチ部と接続する第三のポートとを備え、

前記第二のスィッチ部は、前記第三のポートに接続する第四のポートと、前記第一の通信システムの受信回路に接続する第五のポートと、前記第二の通信システムの受信回路に接続する第六のポートとを備え、

前記第一のポートと前記第二のポートとの間に第一のスィツチング素子が配置され、

前記第一のポートと前記第三のポートとの間に第一のィンダクタンス素子が配置され、

前記第三のポートとグランドとの間に第二のスィツチング素子が配置され、前記第四のポートと前記第六のポートとの間に第三のスィツチング素子が配置され、

前記第四のポートと前記第五のポートとの間に第二のィンダクタンス素子が配置され、

前記第五のポートとグランドとの間に第四のスィツチング素子が配置され、前記第三のポートと前記第四のポートはキャパシタンス素子を介して接続され、

前記第一のィンダクタンス素子を形成する伝送線路の特性インピーダンスが、前記第二のィンダクタンス素子を形成する伝送線路の特性ィンピーダンスより低いことを特徴とする。

上記構成により、第二のスィッチ部の第五のポートと第六のポートのインピ一ダンスを調整することができ、各ポートと接続する受信回路との整合を得ることにより、受信信号の伝送損失を低減することができる。

第一のインダクタンス素子を、セラミックスシートを積層してなる多層基板内にストリップライン等の伝送線路で形成する場合、伝送線路とグランドとの間隔及び伝送線路の幅により特性インピーダンスを調整するのが好ましい。第一のィンダクタンス素子を形成する伝送線路を 50 Ωより低い特性ィンピーダンスとするには、伝送線路幅を大きくするのが好ましい。伝送線路幅を大きくすると、伝送線路の特性ィンピーダンスが下がって伝送線路の抵抗が低減し、更に伝送損失が小さくなる。

本発明のスィッチ回路において、スイッチング素子は半導体素子で構成されており、例えば電界効果型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、 PINダイォード等である。電界効果型トランジスタは、ゲートからの制御電圧により、ソース及ぴドレイン間のインピーダンスを増減して、高周波信号を導通又は遮断する。 PINダイォードは、制御電圧によりァノード及び力ソード間のィンピ —ダンスを増減して、高周波信号を導通又は遮断する。いずれもインピーダンスを変えることによりスィッチング動作を行う。

ィンダクタンス素子は、例えばストリップライン電極やマイクロストリップライン電極等の伝送線路、コイル、チップインダクタ等である。キャパシタンス素子は、例えばコンデンサ電極で構成される積層コンデンサである。これらの素子は必要に応じて適宜選択される。

本発明のスィツチ回路では、第一のィンダクタンス素子及び第二のィンダクタンス素子を伝送線路で構成するとともに、第一のィンダクタンス素子を構成する伝送線路の線路長を、第一の通信システムの送信信号波長（λ ) の 1 / 6 〜 1 Z12とし、更に第二のィンダクタンス素子を構成する伝送線路の線路長より短くするのが好ましい。このような構成により、伝送線路の抵抗を低減でき、伝送損失を小さくできる。

本発明のスィツチ回路においては、第一のスィツチ部と第二のスィツチ部との間で、第三のポートと第四のポートを接続するキャパシタンス素子の容量を 10 pF以下とするのが好ましい。このようにキャパシタンス素子の容量を設定することでも、第二のスィツチ部の第五のポート及ぴ第六のポートのインピーダンスを調整することができる。第一のィンダクタンス素子の特性インピーダンスの調整と組み合わせると、第五のポート及ぴ第六のポートにおけるインピーダンスの調整幅をさらに大きくすることができる。

キャパシタンス素子により、第一のインダクタンス素子を形成する伝送線路と、第二のィンダクタンス素子を形成する伝送線路とのインピーダンス整合を行うこともでき、もって第一のスィッチ部と第二のスィッチ部とを整合よく接続することができる。キャパシタンス素子の好ましい容量値は 2〜 7 pFである。本発明の複合高周波部品は、前記スィツチ回路を構成するスィツチング素子、キャパシタンス素子及びインダクタンス素子を、複数のセラミックスシートを積層してなる多層基板に搭載又は内蔵し、前記多層基板に形成されたビアホールゃ接続線路等の接続手段により接続してなることを特徴とする。

本発明の複合高周波部品においては、前記スィツチ回路の第一のインダクタンス素子を形成する伝送線路の少なくとも一部において、第二のィンダクタンス素子を形成する伝送線路より線路幅を広くし、もって特性インピーダンスを第二のィンダクタンス素子より低くするのが好ましい。また第一のィンダクタンス子及び第二のィンダクタンス素子を構成する伝送線路の少なくとも一部を、多層基板に形成されたグランド電極に挟まれた領域に形成するのが好ましい。図面の簡単な説明

図 1は本発明の一実施例によるスィツチ回路を有する高周波回路を示すプロック図であり、

図 2は本発明の一実施例によるスィツチ回路の等価回路を示す図であり、図 3は本発明の他の実施例によるスイツチ回路に用いるスイツチ部の等価回路を示す図であり、

図 4は本発明の他の実施例によるスィツチ回路に用いるスィツチ部の等価回路を示す図であり、

図 5は本発明の一実施例によるスィツチ回路の GSM 1800受信時の伝送特性を示すグラフであり、

図 6は本発明の他の実施例によるスィツチ回路の等価回路を示す図であり、図 7は本発明の一実施例によるスィツチ回路を有する高周波回路の他の例を示すプロック図であり、

図 8は本発明の一実施例によるスィッチ回路を有する高周波回路の他の例を示すブロック図であり、

図 9は本発明の一実施例によるスィツチ回路を有する複合高周波部品の平面図であり、

図 10は図 9の複合高周波部品に用いる多層基板を示す斜視図であり、図 11は図 9の複合高周波部品に用いる多層基板を構成するシートを示す分解平面図であり、

図 12は図 9の複合高周波部品の等価回路を示す図であり、

図 13は従来のスィツチ回路の等価回路を示す図である。発明を実施するための最良の形態

[1] 回路構成

図 1は本発明の一実施例によるスィツチ回路 10を含む高周波回路部を示し、図 2は前記スィッチ回路 10の等価回路を示す。以下説明の簡略化のため、複数の通信システムのうち、第一の通信システム flを GSM 1800 (送信周波数 1710 〜： L785 MHz、受信周波数 1805〜： 1880 MHz) とし、第二の通信システム £2を GSM 1900 (送信周波数 1850〜： 1910 MHz、受信周波数 1930〜1990 MHz) とするが、勿論本発明はこれに限定されない。

このスィッチ回路 10は、スイッチング素子、インダクタンス素子及びキャパシタンス素子を有するとともに、第一のスィツチ部 100と第二のスィツチ部 105 とにより構成されている。第一のスィッチ部 100は、アンテナ側回路に接続する第一のポート 100aと、 GSM 1800及ぴ GSM 1900の送信回路に接続する第二のポート 100bと、第二のスィツチ部 105と接続する第三のポート 100cとを備えている。また第二のスィッチ部 105は、第一のスィッチ部 100とキャパシタンス素子 CPを介して接続する第四のポート 105aと、 GSM 1800の受信回路に接続する第五のポート 105bと、 GSM 1900の受信回路に接続する第六のポート 105cとを備えている。

第二のスィツチ部 105は、第四のポート 105aと第五のポート 105bとの間に設けられた第二のィンダクタンス素子としての伝送線路 1ρ2と、第五のポート 105bとグランドとの間に設けられた第四のスィツチング素子としてのダイォード DP2と、第四のダイオード DP2とグランドとの間に配置されたコンデンサ CP1と、第四のポート 105aと前記第六のポート 105cとの間に配置された第三のスィツチング素子としてのダイォード DPIと、第六のポート 105cとグランドとの間に設けられた伝送線路 lpl又はィンダクタとを具備する。ダイォード DP2とコンデンサ CP1との間に、インダクタ LP及ぴ抵抗 RP1を介してコントロール回路 VC3が接続されている。伝送線路 1ρ2は外部回路の特性インピーダンスにあわせて 50 Ωに設定されている。

第二のスィツチ部 105の前段には、 GSM 1800/GSM 1900の送信回路 TX1、 ΤΧ2と第二のスィッチ部 105とを切り換えるための第一のスィッチ部 100が配置されている。第一のスィッチ部 100は、 2つのダイオード DD1、 DD2及び伝送線路 ld2、 ld3 (又は伝送線路 ld2に換えてインダクタ）を主要素子とする。第一のポート 100aと第二のポート 100bとの間に第一のスィツチング素子としてダイォード DDIが配置され、ダイォード DDIのアノードは第一のポート 100aに接続し、その力ソード側にアースに接続される伝送線路 ld2が配置されている。第一のポート 100aと第三のポート 100cとの間に第一のインダクタンス素子として伝送線路 ld3が接続され、第三のポート 100c側にコンデンサ cd4 を介してグランドに接続する第二のスィツチング素子のダイォード DD2が配置されている。またダイォード DD2とコンデンサ cd4との間に、.インダクタ LD 及び抵抗 RDを介してコントロール回路 VC2が接続している。

伝送線路 ld3の特性ィンピーダンスは、伝送線路 1ρ2の特性ィンピーダンスより低く、 35〜45 Ωに設定されている。第一のスィッチ部 100と第二のスィッチ部 105は、キャパシタンス素子 CPにより整合を取りながら接続されている。第一のィンダクタンス素子を構成する伝送線路は、 GSM 1800の送信信号波長 ( λ )の 1/6〜： 1/12の線路長を有し、第二のィンダクタンス素子を構成する伝送線路より短い。

スィツチ回路を動作させるためのコントロール回路 VC2、 VC3の制御ロジックは、表 2に示すものと同じである。コントロール回路から電圧をかけてスィツチング素子をオン状態/オフ状態に制御することにより、 GSM 1800/GSM 1900送信モード、 GSM 1800受信モード、又は GSM 1900受信モードを選択することができる。スィッチ回路の動作を以下詳細に説明する。

(A) GSM 1800受信モード

GSM 1800の受信回路 RX1とァンテナ側回路 ANTを接続する場合、コントロール回路 VC2及ぴ VC3からの電圧は 0であり、ダイォード DP1、DP2、DD1、 DD2は OFF状態になる。ダイオード DDIが OFF状態になることにより、第一のポート 100aと第二のポート 100bとの間のインピーダンスが大きくなる。またダイォード DPIが OFF状態になることにより、第四のポート 105aと第六のポート 105cとの間のインピーダンスが大きくなる。その結果、アンテナから入射した GSM 1800の受信信号は、 GSM 1800/GSM 1900の送信回路 TX1、 ΤΧ2及ぴ GSM 1900の受信回路 RX2に漏洩することなく、伝送線路 W3、 1ρ2 を介して GSM 1800の受信回路 RX1に低損失で伝送される。

(B) GSM 1900 受信モード

GSM 1900の受信回路 KX2とァンテナ側回路 ANTとを接続する場合、コントロール回路 VC2の電圧を 0とし、コントロール回路 VC3から正の電圧を与える。コントロール回路 VC3から与えられた正の電圧は、コンデンサ C20， C21, CP1, CPにより直流分がカットされて、ダイオード DP1、 DP2を含む第二のスィッチ部 105に印加される。その結果、ダイオード DPI及び DP2が ON状態になる。ダイオード DPIが ON状態になると、第四のポート 105aと第六のポート 105cとの間のインピーダンスが低くなる。また ON状態となったダイォ一ド DP2及びコンデンサ CP1により伝送線路 1ρ2は高周波的に接地されて、 GSM 1900の受信信号周波数帯域で共振し、第四のポート 105aから第五のポート 105bを見たィンピーダンスは GSM 1900の受信信号帯域で非常に大きくなる。さらにダイオード DDIが OFF状態になることにより、第一のポート 100a と第二のポート 100bとの間のインピーダンスが大きくなる。その結果、アンテナに入射した GSM 1900の受信信号は、 GSM 1800/GSM 1900の送信回路 TX1、 ΤΧ2及び GSM 1800の受信回路 RX1に漏洩することなく、 GSM 1900 の受信回路 RX2に低損失で伝送される。

(C) GSM 1800/GSM 1900の送信モード

GSM 1800及ぴ GSM 1900の送信回路 ΤΧ1、 ΤΧ2と了ンテナ側回路 A Tとを接続する場合、コントロール回路 VC3の電圧を 0とし、コントロール回路 VC2から正の電圧を与える。コントロール回路 VC2から与えられた正の電圧は、 Cl、C2、cd4、CPのコンデンサにより直流分がカツトされて、ダイォード DD1、 DD2を含む第一のスィッチ部 100に印加される。その結果、ダイオード DD1、 DD2は ON状態になる。ダイォード DDIが ON状態になると、第二のポート 100bと第一のポート 100aとの間のインピーダンスが小さくなる。また ON状態となったダイォード DD2及びコンデンサ cd4により伝送線路 W3が高周波的に接地されることにより共振し、第一のポート 100aから第三のポート 100cを見たインピーダンスが大きくなる。 GSM 1800及び GSM 1900の送信回路から送られてきた送信信号は、受信回路側に漏洩することなく第二のフィルタ回路を介してアンテナ端子に送られる。なお伝送線路 W3の線路長が短いと、第一のポート 100aから第三のポート 100cを見たィンピーダンスが十分に大きく見えず、送信信号が受信回路側に漏洩するので、伝送線路 ld3の線路長を; L /12以上とするのが好ましい。

図 6は、第二のスィッチ部において、 GSM 1800及ぴ GSM 1900の受信回路と第五のポート及ぴ第六のポートとの接続関係が第一の実施例と逆の場合を示す等価回路である。この場合の制御ロジックを表 3に示す。表 3

図 3及び図 4はいずれも第一のスィツチ部 100及び第二のスィツチ部 105の他の例に適用できる等価回路を示す。図 3はスィツチング素子としてダイォードを用いた等価回路を示し、図 4はスィツチング素子としてトランジスタを用いた等価回路を示す。なおいずれの図でも、付与した符号は第一のスィッチ部と同じにしている。

このスィツチ回路も、前記スィツチ回路と同様にコントロール端子 VC2に印加する電圧により信号経路を切り換えることができる。なおトランジスタ FET1、 FET2がデプレツシヨン型とエンハンスメント型とでは、制御ロジックが異なる。表 2の制御ロジックで動作させる場合、グート端子に電圧を印可するとソース一ドレイン間が低インピーダンスとなるエンハンスメント型を用いる。このようなスィツチ回路を有する場合も、前記と同様な効果を得ることができる。

[2]積層構造

図 7は、 3つの通信システムを扱う複合高周波部品（マルチパンドアンテナスィッチモジユーノレ）であって、本発明のスィッチ回路 10、 15の他に、分波回路 300及びローパスフィルタゃバンドパスフィルタ等のフィルタ回路 120、 125、 130、 135、 140を多層基板に複合化した複合高周波部品を示す。図 9はその平面図であり、図 10はその多層基板部分を示す斜視図であり、図 11は図 10の多層基板を構成する各層の構成を示す展開図であり、図 12は複合高周波部品の等価回路である。

本実施例では、スィッチ回路 10のインダクタンス素子、キャパシタンス素子及ぴスィツチング素子を、図 7に示す高周波回路の第一及ぴ第二のフィルタ回路 200、 210からなる分波回路 300、ローパスフィルタ回路 120、 125、及ぴスイッチ回路 15を構成するインダクタンス素子、キャパシタンス素子及ぴスイツチング素子とともに多層基板に設けている。他のフィルタ回路 130、 135、 140 は、 SAWフィルタや FBARフィルタとして前記多層基板に実装している。ィンダクタンス素子として伝送線路を多層基板内に構成するとともに、スィツチング素子としてのダイォードと、積層体内に内蔵できない高容量コンデンサを、チップコンデンサとして積層体上に搭載し、ワンチップィヒしたトリプルパンド用の複合高周波部品を構成する。

この複合高周波部品を構成する多層基板は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなり、厚さが 40 Z m〜200 μ mのグリ一ンシートを作製し、各グリーンシート上に Agを主体とする導電ペーストを印刷することにより所望の電極パタ一ンを形成し、所望の電極パタ一ンを有する複数のグリーンシートを積層一体ィヒし、焼成することにより製造することができる。伝送線路を構成するライン電極の幅は主に 100μ ιη〜400 μ πιとするのが好ましレ、。低温焼結が可能なセラミック誘電体材料としては、例えば (a) Α1₂0₃を主成分として、 SiO₂、 SrO、 CaO、 PbO、 Na₂O及び K₂0の少なくとも 1種を副成分として含むものや、（b) Α1₂Ο₃を主成分とし、 MgO, Si0₂及ぴ GdOの少なくとも一種を副成分として含むものや、（c) Al₂0₃、 Si0₂、 Si'0、 Bi₂O₃、 Ti0₂を主成分として含むもの等が挙げられる。

積層したグリーンシートを一体的に圧着し、約 900°Cの温度で焼成して、例えば外形寸法が 6.7 mm X 5.0 mm X 1.0 mmの多層基板を得る。この多層基板の側面に端子電極を形成する。なお端子電極は底面に形成しても良く、形成位置は適宜選択できる。

多層基板の内部構造を図 11に示す。図 11中の各部の符号は、図 12の等価回路における対応する部品の符号と一致する。本発明のスイッチ回路 10のインダクタンス素子を構成する第一の伝送線路 ld3及び第二の伝送線路 1ρ2は、第 10 層に形成されたグランド電極 Gと第 15層に形成されたグランド電極 Gとに挾まれた領域に、スィツチ回路 10を構成する他の伝送線路 lpl、 ld2及び SPDTのスィツチ回路 15を構成する伝送線路 lg2、 lg3とともに形成されている。第一の伝送線路 ld3及ぴ第二の伝送線路 1ρ2を構成する電極パターンは、それぞれ第 12層から第 14層に形成され、ビアホール（図中、黒丸で表示）を介して接続される。各伝送線路は互いが積層方向に重ならないように水平方向の別領域に形成する。このような構成により、他の回路素子を構成する電極パターンや各伝送線路間の互いの干渉を防ぎ、アイソレーション特性を向上させている。また各伝送線路をスパイラル形状で構成することにより、線路長をより短くできる。

第一の伝送線路 ld3を構成する電極パターンを第二の伝送線路 1ρ2を構成する電極パターンより幅広くして、第一の伝送線路 ld3の特性インピーダンスを第二の伝送線路 1ρ2の特性ィンピーダンスより低くし、さらに第一のスィッチ部 100と第二のスィッチ部 105を接続するキャパシタンス素子 CPでインピーダンス整合を行いながら、 GSM 1800の受信信号出力ポート RX1、 GSM 1900の受信信号出力ポート RX2のィンピーダンスをほぼ 50 Ωとしている。

本実施例では第一の伝送線路 ld3の幅を 0.25 mm (第二の伝送線路 1ρ2の幅の約 2倍）とし、 ld3の特性ィンピーダンスを 1ρ2の特性ィンピーダンスより低くした。またキャパシタンス素子 CPは 3 pFとした。

図 5に GSM 1800受信モード時の挿入損失を示す。 (a) は ld3と 1ρ2の特性ィンピーダンスがどちらもほぼ 50 Ωの場合、（b) は伝送線路 ld3の特性ィンピ —ダンスが伝送線路 1ρ2の特性インピーダンス（ほぼ 50 Ω ) より低い場合を示す。本実施例によれば、揷入損失が約 0.2 dB改善していることが分かる。 GSM 1900受信モード時の挿入損失も約 0.2 dB程度改善した。このように構成することで、アイソレーション特性及び伝送損失特性に優れた複合高周波部品を得ることができる。

以上スィツチ回路の具体例を詳細に説明したが、本発明のスィツチ回路はこれらに限定されることはなく、本発明の思想を逸脱しない限り種々の変更をすることができる。また本発明のスイツチ回路に使用する通信方式も上記実施例に示したものに限らない。例えば GSM 850 (送信周波数： 824 MHz〜849 MHz, 受信周波数： 869 MHz〜894 MHz) 及ぴ EGSM (送信周波数： 880 MHz〜915 MHz、受信周波数： 925 MHz〜960 MHz)の組合せの場合にも適用可能であり、また例えば図 8に示す 4つの異なる通信システムを扱う高周波回路プロックにも適用できる。

Claims

請求の範囲

1. 2つの通信システムの受信回路又は送信回路とアンテナ側回路との接続を切り換えるスィツチ回路において、スィツチング素子を有する 2つのスィツチ部で構成され、

第一のスィッチ部は、前記アンテナ側回路に接続する第一のポートと、第一及ぴ第二の通信システムの送信回路に接続する第二のポートと、第二のスィッチ部と接続する第三のポートとを備え、

前記第一のポートと前記第三のポートとの間に第一のインダクタンス素子が配置され、

前記第一のィンダクタンス素子を形成する伝送線路の特性インピーダンスが前記第二のィンダクタンス素子を形成する伝送線路の特性インピーダンスより低いことを特徴とするスィッチ回路。

2. 請求項 1に記載のスィッチ回路において、前記第一のインダクタンス素子を構成する伝送線路の線路長は、第一の通信システムの送信信号波長（え）の; Iノ 6〜えノ 12であり、前記第二のィンダクタンス素子を構成する伝送線路の線路長より短いことを特徴とするスィツチ回路。

3. 請求項 1に記載のスィツチ回路において、前記第三のポートと前記第四のポートを接続するキャパシタンス素子の容量が 10 pF以下であることを特徴とするスィッチ回路。

4. 請求項 1〜 3のいずれかに記載のスィツチ回路を具備する複合高周波部品において、前記スイッチング素子、前記キャパシタンス素子及び前記インダクタンス素子は、複数のセラミックスシートを積層してなる多層基板に搭載又は内蔵され、前記多層基板に形成された接続手段により接続されていることを特徴とする複合高周波部品。

5. 請求項 4に記載の複合高周波部品において、前記スィツチ回路の第一のィンダクタンス素子を形成する伝送線路の少なくとも一部が、第二のィンダクタンス素子を形成する伝送線路より線路幅が広レ、ことを特徴とする複合高周波部品。

6. 請求項 4又は 5に記載の複合高周波部品において、前記第一のィンダクタンス子及び前記第二のィンダクタンス素子を構成する伝送路の少なくとも一部は、前記多層基板に形成されたグランド電極に挟まれた領域に形成されていることを特徴とする複合高周波部品。