JP2001181570A - 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 膜厚均一性に優れた塗膜が形成可能で、誘電
率特性、耐吸水性に優れ、またＣＭＰ耐性に優れ、かつ
組成物の基板への塗布性が改良された、半導体素子など
における層間絶縁膜として有用な膜形成用組成物を提供
すること。 【解決手段】 （Ａ）Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a で表され
る化合物、Ｓｉ（ＯＲ²）₄ で表される化合物、および
Ｒ³ _b （Ｒ⁴ Ｏ）_3-b Ｓｉ−（Ｒ⁷ ）_d −Ｓｉ（Ｏ
Ｒ⁵ ）_3-c Ｒ⁶ _c で表される化合物の群から選ばれた少
なくとも１種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で
加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに（Ｂ）
界面活性剤、を含有する膜形成用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、誘電率特性、吸水性特性などに優れ、
かつ空隙サイズが小さく、ＣＭＰ耐性が良好な塗膜が形
成可能な膜形成用組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低誘電率の層間絶
縁膜が開発されている。しかしながら、半導体素子など
のさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間
の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低誘
電率でかつクラック耐性に優れる層間絶縁膜材料が求め
られるようになっている。

【０００３】そこで、特開平６−１８１２０１号公報に
は、層間絶縁膜材料として、より低誘電率の絶縁膜形成
用塗布型組成物が開示されている。この塗布型組成物
は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の
絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ば
れる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分
子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素
化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以
上のオリゴマーを主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成
物である。しかしながら、従来の無機系層間絶縁膜材料
の誘電率は、３．０以上であり、高集積化には不充分で
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、膜厚均
一性に優れた塗膜が形成可能で、誘電率特性、耐吸水性
に優れ、またＣＭＰ耐性に優れ、かつ組成物の基板への
塗布性が改良された膜形成用組成物を提供することを目
的とする。

【０００５】

〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ⁷ は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂ ）_n −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕

（Ｂ）成分；界面活性剤 を含有することを特徴とする膜形成用組成物に関する。
ここで、上記（Ｂ）成分は、シリコーン系界面活性剤、
カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオ
ン系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性
剤、およびアクリル系界面活性剤の群から選ばれた少な
くとも１種の界面活性剤が好ましい。次に、本発明は、
上記膜形成用組成物を基板に塗布し、加熱することを特
徴とする膜の形成方法に関する。次に、本発明は、上記
膜の形成方法によって得られる低密度化膜に関する。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明は、膜を形成するベースポ
リマーとして、（Ａ）成分〔化合物（１）〜（３）の群
から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、アルカ
リ触媒の存在下で加水分解、縮合した加水分解縮合物
（加水分解物および／またはその縮合物）を用い、ま
た、塗布性を改良するために、（Ｂ）界面活性剤を用い
る。かくて、（Ａ）〜（Ｂ）成分を含有する本発明の組
成物を、浸漬またはスピンコート法などにより、シリコ
ンウエハなどの基材に塗布すると、塗布性（膜厚均一
性）に優れ、加熱により、（Ａ）成分の熱重縮合を行な
うと、（Ａ）成分がガラス質または巨大高分子の膜を形
成する。得られる膜は、空隙サイズが小さい多孔質の低
密度膜であり、ＣＭＰ耐性に優れ、誘電率が低く、低吸
水性のため電気的特性の安定性に優れ、層間絶縁膜材料
を形成することができる。

【０００７】ここで、（Ａ）加水分解縮合物とは、上記
化合物（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種
の加水分解物および／またはその縮合物である。ここ
で、（Ａ）成分における加水分解物とは、上記（Ａ）成
分を構成する化合物（１）〜（３）に含まれるＲ¹ Ｏ−
基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−基およびＲ⁵ Ｏ−基のすべて
が加水分解されている必要はなく、例えば、１個だけが
加水分解されているもの、２個以上が加水分解されてい
るもの、あるいは、これらの混合物であってもよい。ま
た、（Ａ）成分における縮合物は、（Ａ）成分を構成す
る化合物（１）〜（３）の加水分解物のシラノール基が
縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであるが、
本発明では、シラノール基がすべて縮合している必要は
なく、僅かな一部のシラノール基が縮合したもの、縮合
の程度が異なっているものの混合物などをも包含した概
念である。

【０００８】以下、本発明に用いられる（Ａ）〜（Ｂ）
成分などについて説明し、次いで、本発明の組成物の調
製方法などについて詳述する。

【０００９】（Ａ）加水分解縮合物 （Ａ）加水分解縮合物は、上記化合物（１）〜（３）の
群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物をアルカ
リ触媒の存在下に、加水分解・縮合して得られる。 化合物（１）；上記一般式（１）において、ＲおよびＲ
¹ の１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式（１）において、Ｒは１価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜
５であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式（１）において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。

【００１０】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど；

【００１１】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メ
チルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ
−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピル
トリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラ
ン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−
プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキ
シシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プ
ロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−
ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅ
ｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシ
シラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓ
ｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ
−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−
ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキ
シシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチル
トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−
ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど；

【００１２】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−
プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメト
キシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−
ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど；を挙げることができる。

【００１３】好ましくは、メチルトリメトキシシラン、
メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエ
トキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシランである。これらは、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００１４】化合物（２）；上記一般式（２）におい
て、Ｒ² で表される１価の有機基としては、先の一般式
（１）と同様な有機基を挙げることができる。一般式
（２）で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロ
ポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テ
トラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。

【００１５】化合物（３）；上記一般式（３）におい
て、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ で表される１価の有機基としては、先の
一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。一
般式（３）のうち、Ｒ⁷ が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，
３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、
１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシ
ロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３
−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメ
トキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３
−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，
１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサ
ン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニ
ルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ
−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペ
ンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−
１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テト
ラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエ
チルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−
１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジ
シロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−
トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−
１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−ト
リフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、
１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジ
シロキサン、、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３
−トリエチルジシロキサン、、１，１，３−トリフェノ
キシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、、１，
１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシ
ロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−ト
リフェニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ
−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジ
メトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，
３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−
１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−
ジエトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサ
ン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエ
チルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，
３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ
−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，
３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジ
シロキサンなどを挙げることができる。

【００１６】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジ
フェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシ
ロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。

【００１７】また、一般式（３）において、ｄが０の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，
２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチ
ルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２
−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキ
シ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタ
フェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２
−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，
１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、
１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニル
ジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−
ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−
１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフ
ェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２
−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，
１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラ
ン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエ
チルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，
２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエト
キシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−
テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，
１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラ
ン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチ
ルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２
−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−
１，２，２−トリエチルジシラン、、１，１，２−トリ
エトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、、１，
１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシ
ラン、、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリ
フェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，
２，２−トリフェニルジシラン、、１，１，２−トリフ
ェノキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２
−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−
テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−
１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフ
ェノキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、
１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニル
ジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テト
ラフェニルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。

【００１８】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメト
キシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テ
トラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，
２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テ
トラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。

【００１９】さらに、一般式（３）において、Ｒ⁷ が−
（ＣＨ₂ ）_n −で表される基の化合物としては、ビス
（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシ
リル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メ
タン、ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、ビ
ス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−
ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔ−ブ
トキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメト
キシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）
−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−
プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキ
シシリル）メタン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシ
リル）−１−（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、
１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−
ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブト
キシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
リル）メタン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）
−１−（トリ−ｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ
メトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）
エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリ
エトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメ
チルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）−２−
（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ
−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシ
シリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシ
リル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（ト
リ−ｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメ
チルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）
メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタ
ン、ビス（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）メタン、
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビ
ス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ
−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２
−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、
１，２−ビス（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，２−ビス（トリ-t- ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
３−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
４−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ンなど挙げることができる。

【００２０】これらのうち、ビス（トリメトキシシリ
ル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，
２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス
（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチ
ルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−
（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリ
ル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−
（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチ
ルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス
（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシ
メチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチ
ルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベ
ンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス
（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。

【００２１】本発明において、（Ａ）成分を構成する化
合物（１）〜（３）としては、上記化合物（１）、
（２）および（３）の１種もしくは２種以上を用いるこ
とができる。

【００２２】なお、上記（Ａ）成分を構成する化合物
（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種のシラ
ン化合物を加水分解、縮合させる際に、Ｒ¹ Ｏ−基，Ｒ
² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−基およびＲ⁵ Ｏ−基の総量１モル当
たり、５〜５０モルの水を用いることが好ましく、７〜
３０モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水
の量が５モルより少ない場合は、十分な誘電率と弾性率
が得られない場合があり、一方、５０モルより多い場合
は、加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル
化が生じる場合がある。

【００２３】アルカリ触媒；本発明の（Ａ）加水分解縮
合物を製造するに際しては、上記化合物（１）〜（３）
の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水
分解、縮合させる際に、アルカリ触媒を用いる。アルカ
リ触媒を用いることにより、低誘電率かつ高弾性率の塗
膜を得ることができる。アルカリ触媒としては、無機塩
基のほか、有機塩基などが挙げられる。ここで、無機塩
基としては、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウムな
どを挙げることができる。また、有機塩基としては、例
えば、メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノ
ールアミン、ブタノールアミン、Ｎ−メチルメタノール
アミン、Ｎ−エチルメタノールアミン、Ｎ−プロピルメ
タノールアミン、Ｎ−ブチルメタノールアミン、Ｎ−メ
チルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、
Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルプロパノールアミン、Ｎ−エチルプ
ロパノールアミン、Ｎ−プロピルプロパノールアミン、
Ｎ−ブチルプロパノールアミン、Ｎ−メチルブタノール
アミン、Ｎ−エチルブタノールアミン、Ｎ−プロピルブ
タノールアミン、Ｎ−ブチルブタノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルメタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルメタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジブチルメタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
ブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノー
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロパノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジプロピルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル
プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルブタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルブタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジプ
ロピルブタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルブタノール
アミン、Ｎ−メチルジメタノールアミン、Ｎ−エチルジ
メタノールアミン、Ｎ−プロピルジメタノールアミン、
Ｎ−ブチルジメタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノー
ルアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−プロピ
ルジエタノールアミン、Ｎ−ブチルジエタノールアミ
ン、Ｎ−メチルジプロパノールアミン、Ｎ−エチルジプ
ロパノールアミン、Ｎ−プロピルジプロパノールアミ
ン、Ｎ−ブチルジプロパノールアミン、Ｎ−メチルジブ
タノールアミン、Ｎ−エチルジブタノールアミン、Ｎ−
プロピルジブタノールアミン、Ｎ−ブチルジブタノール
アミン、Ｎ−（アミノメチル）メタノールアミン、Ｎ−
（アミノメチル）エタノールアミン、Ｎ−（アミノメチ
ル）プロパノールアミン、Ｎ−（アミノメチル）ブタノ
ールアミン、Ｎ−（アミノエチル）メタノールアミン、
Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（アミノ
エチル）プロパノールアミン、Ｎ−（アミノエチル）ブ
タノールアミン、Ｎ−（アミノプロピル）メタノールア
ミン、Ｎ−（アミノプロピル）エタノールアミン、Ｎ−
（アミノプロピル）プロパノールアミン、Ｎ−（アミノ
プロピル）ブタノールアミン、Ｎ−（アミノブチル）メ
タノールアミン、Ｎ−（アミノブチル）エタノールアミ
ン、Ｎ−（アミノブチル）プロパノールアミン、Ｎ−
（アミノブチル）ブタノールアミン、メトキシメチルア
ミン、メトキシエチルアミン、メトキシプロピルアミ
ン、メトキシブチルアミン、エトキシメチルアミン、エ
トキシエチルアミン、エトキシプロピルアミン、エトキ
シブチルアミン、プロポキシメチルアミン、プロポキシ
エチルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロポキシ
ブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチル
アミン、ブトキシプロピルアミン、ブトキシブチルアミ
ン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、テトラメチルアン
モニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウム
ハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイ
ド、テトラメチルエチレンジアミン、テトラエチルエチ
レンジアミン、テトラプロピルエチレンジアミン、テト
ラブチルエチレンジアミン、メチルアミノメチルアミ
ン、メチルアミノエチルアミン、メチルアミノプロピル
アミン、メチルアミノブチルアミン、エチルアミノメチ
ルアミン、エチルアミノエチルアミン、エチルアミノプ
ロピルアミン、エチルアミノブチルアミン、プロピルア
ミノメチルアミン、プロピルアミノエチルアミン、プロ
ピルアミノプロピルアミン、プロピルアミノブチルアミ
ン、ブチルアミノメチルアミン、ブチルアミノエチルア
ミン、ブチルアミノプロピルアミン、ブチルアミノブチ
ルアミン、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジ
ン、ピペリジン、ピコリン、モルホリン、メチルモルホ
リン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナ
ン、ジアザビシクロウンデセンなどを挙げることができ
る。これらのアルカリ触媒は、１種あるいは２種以上を
同時に使用してもよい。

【００２４】上記アルカリ触媒の使用量は、化合物
（１）〜（３）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−
基およびＲ⁵ Ｏ−基で表される基の総量１モルに対し
て、通常、０．００００１〜０．５モル、好ましくは
０．００００５〜０．１モルである。アルカリ触媒の使
用量が上記範囲内であれば、反応中のポリマーの析出や
ゲル化の恐れが少ない。

【００２５】このようにして得られる（Ａ）加水分解縮
合物の分子量は、ＧＰＣ（屈折率，粘度，光散乱測定）
法による重量平均分子量で、好ましくは５万〜１，００
０万、さらに好ましくは１０万〜９００万、特に好まし
くは２０万〜８００万である。５万未満では、十分な誘
電率と弾性率が得られない場合があり、一方、１，００
０万より大きい場合は、塗膜の均一性が低下する場合が
ある。また、このようにして得られる（Ａ）加水分解縮
合物は、粒子状の形態をとっていないことにより、基板
状への塗布性が優れるという特徴を有している。粒子状
の形態をとっていないことは、例えば透過型電子顕微鏡
観察（ＴＥＭ）により確認される。

【００２６】なお、（Ａ）成分中、各成分を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物（２）は、化合物
（１）〜（３）の総量中、５〜７５重量％、好ましくは
１０〜７０重量％、さらに好ましくは１５〜７０重量％
である。また、化合物（１）および／または（３）は、
化合物（１）〜（３）の総量中、９５〜２５重量％、好
ましくは９０〜３０重量％、さらに好ましくは８５〜３
０重量％である。化合物（２）が、化合物（１）〜
（３）の総量中、５〜７５重量％であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物（１）〜（３）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ
−基およびＲ⁵ Ｏ−基が１００％加水分解してＳｉＯＨ
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、（Ａ）成分としては、得られる組
成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物（１）およ
び化合物（２）の加水分解縮合物であることが好まし
い。

【００２７】さらに、（Ａ）加水分解縮合物では、化合
物（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種のシ
ラン化合物を、アルカリ触媒の存在下に加水分解・縮合
して、加水分解縮合物とし、好ましくはその重量平均分
子量を５万〜１，０００万となすが、その後、組成物の
ｐＨを７以下に調整することが好ましい。ｐＨを調整す
る方法としては、ｐＨ調整剤を添加する方法、常圧
または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒を留去する
方法、窒素、アルゴンなどのガスをバブリングするこ
とにより、組成物中からアルカリ触媒を除去する方法、
イオン交換樹脂により、組成物中からアルカリ触媒を
除く方法、などが挙げられる。これらの方法は、それぞ
れ、組み合わせて用いてもよい。

【００２８】ここで、上記ｐＨ調整剤としては、無機酸
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸などを挙げることができる。

【００２９】上記ｐＨ調整剤による組成物のｐＨは、７
以下、好ましくは１〜６に調整される。このように、加
水分解縮合物の重量平均分子量を５万〜１，０００万と
なしたのち、上記ｐＨ調整剤により上記範囲内にｐＨを
調整することにより、得られる組成物の貯蔵安定性が向
上するという効果が得られる。ｐＨ調整剤の使用量は、
組成物のｐＨが上記範囲内となる量であり、その使用量
は、適宜選択される。

【００３０】（Ｂ）界面活性剤 本発明に用いられる界面活性剤としては特に制限はない
が、例えば、シリコーン系界面活性剤、カチオン系界面
活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性
剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、アクリル系
界面活性剤などが挙げられ、これらは、１種単独である
いは２種以上を併用することができる。（Ｂ）界面活性
剤としては、シリコーン系、ノニオン系、フッ素系、ア
クリル系界面活性剤が好ましく、なかでも成膜性に優
れ、金属腐食性ガスが発生しないことから、シリコーン
系界面活性剤が特に好ましい。

【００３１】ここで、 シリコーン系界面活性剤として
は、特に制限はないが、例えば、下記一般式（３）で表
されるジメチルポリシロキサン−ポリオキシアルキレン
共重合体を挙げることができる。

【００３２】

【化１】

【００３３】〔一般式（３）中、Ｒ⁸ は水素原子または
炭素数１〜５のアルキル基であり、ｕは１〜２０の整数
であり、ｖおよびｗはそれぞれ独立に５〜５０の整数で
ある。〕ここで、Ｒ⁸ の炭素数１〜５のアルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基
などが挙げられる。シリコーン系界面活性剤の市販品と
しては、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１〔信越
化学工業（株）製〕、ＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ
２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ（いずれも東レ
・ダウコーニング・シリコーン製）などを挙げることが
できる。

【００３４】また、カチオン系界面活性剤としては、ア
ルキルアミン塩、第４級アンモニウム塩、ポリオキシア
ルキルアミンなどが挙げられる。さらに、アニオン系界
面活性剤としては、脂肪酸塩、高級アルコール硫酸塩、
アルキルベンゼンスルホン酸塩、ジフェニルエーテルジ
スルホン酸塩、ジアルキルジスルホサクシネート、アル
キルホスフェート塩、ポリオキシエチレンサルフェート
塩などが挙げられる。

【００３５】さらに、ノニオン系界面活性剤としては、
特に制限はないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシ
エチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオク
チルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテ
ル類；ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエ
チレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアル
キルエステル類；ソルビタン脂肪酸エステル類；脂肪酸
変性ポリオキシエチレン類；ポリオキシエチレン−ポリ
オキシプロピレンブロック共重合体などを挙げることが
できる。

【００３６】さらに、両性界面活性剤としては、特に制
限はないが、先に挙げたアニオン系界面活性剤、カチオ
ン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤の２つ以上が組
み合わされた構造のものが挙げられる。

【００３７】フッ素系界面活性剤としては、例えば１，
１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−
テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）
エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，
２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロ
ロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフ
ロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロ
デカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンア
ミド）プロピル］- Ｎ，Ｎ′−ジメチル−Ｎ−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル
−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖および側鎖の
少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフル
オロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面
活性剤を挙げることができる。

【００３８】フッ素系界面活性剤の市販品としては、メ
ガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ
１８３〔以上、大日本インキ化学工業（株）製〕、エフ
トップＥＦ３０１、同３０３、同３５２〔新秋田化成
（株）製〕、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１
〔住友スリーエム（株）製〕、アサヒガードＡＧ７１
０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−
１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１
０５、同ＳＣ−１０６〔旭硝子（株）製〕、ＢＭ−１０
００、ＢＭ−１１００〔裕商（株）製〕、ＮＢＸ−１５
〔（株）ネオス〕などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１
００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。

【００３９】本発明で使用することのできるアクリル系
界面活性剤としては、（メタ）アクリル酸系共重合体な
どを挙げることができ、ポリフローNo. ５７，９５〔共
栄社油脂化学工業（株）製〕などの名称で市販されてい
るものを挙げることができる。

【００４０】本発明において、上記（Ｂ）成分を用いる
ことで、塗膜の均一性がさらに良好となり好ましい。
（Ｂ）成分の使用量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合
物換算）１００重量部に対し、通常、０．０００１〜８
０重量部、好ましくは０．０００２〜６５重量部であ
る。０．０００１重量部未満では、塗膜の均一性の改善
効果が少なく、一方、８０重量部を超えると、機械的強
度が低下する。

【００４１】（Ｃ）溶媒 本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）成分および（Ｂ）成
分を、通常、（Ｃ）溶媒に溶解または分散してなる。こ
の（Ｃ）溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶
媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれ
た少なくとも１種が挙げられる。ここで、アルコール系
溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノ
ール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノ
ール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペン
タノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、
ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキ
シブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノ
ール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、
ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタ
ノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノー
ル、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノ
ール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコ
ール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデ
シルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フ
ェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノ
ール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベ
ンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノア
ルコール系溶媒；

【００４２】エチレングリコール、１，２−プロピレン
グリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，
４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−
２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒；などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００４３】これらアルコールのうち、ｎ−プロパノー
ル、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノー
ル、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタ
ノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓ
ｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシ
ブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノー
ル、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチル
エーテルなどが好ましい。

【００４４】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−
ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチ
ルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−
ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、２，
４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５
−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−
オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナ
ンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時
に使用してもよい。

【００４５】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオン
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリ
ン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジ
ン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジ
ン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００４６】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブ
チル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸
３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エ
チルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、１
種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。以上の
（Ｃ）溶媒は、１種あるいは２種以上を混合して使用す
ることができる。

【００４７】本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）成分を
構成する化合物（１）〜（３）を加水分解および／また
は縮合する際に、同様の溶媒を使用することができる。

【００４８】具体的には、（Ａ）成分を構成する化合物
（１）〜（３）を溶解させた溶媒中に水または上記
（Ｃ）溶媒中で希釈した水を断続的あるいは連続的に添
加する。この際、アルカリ触媒は、溶媒中に予め添加し
ておいてもよいし、水添加時に水中に溶解あるいは分散
させておいてもよい。この際の反応温度としては、通
常、０〜１００℃、好ましくは１５〜９０℃である。

【００４９】その他の添加剤 本発明の膜形成用組成物には、さらにコロイド状シリ
カ、コロイド状アルミナなどの成分を添加してもよい。
コロイド状シリカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を
上記親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通常、平
均粒径が５〜３０ｍμ、好ましくは１０〜２０ｍμ、固
形分濃度が１０〜４０重量％程度のものである。このよ
うな、コロイド状シリカとしては、例えば、日産化学工
業（株）製、メタノールシリカゾルおよびイソプロパノ
ールシリカゾル；触媒化成工業（株）製、オスカルなど
が挙げられる。コロイド状アルミナとしては、日産化学
工業（株）製のアルミナゾル５２０、同１００、同２０
０；川研ファインケミカル（株）製のアルミナクリアー
ゾル、アルミナゾル１０、同１３２などが挙げられる。

【００５０】膜形成用組成物の調製方法 本発明の膜形成用組成物を調製するに際しては、例え
ば、（Ｃ）溶媒中、（Ａ）成分を構成する化合物（１）
〜（３）を混合して、水を連続的または断続的に添加し
て、加水分解し、縮合し、（Ａ）成分を調製したのち、
これに（Ｂ）成分を添加すればよく、特に限定されな
い。

【００５１】本発明の組成物の調製方法の具体例として
は、下記〜の方法などを挙げることができる。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒および（Ｃ）溶媒からなる混合物に、所定量の水
を加えて、加水分解・縮合反応を行ったのち、（Ｂ）成
分を混合する方法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒および（Ｃ）成分からなる混合物に、所定量の水
を連続的あるいは断続的に添加して、加水分解、縮合反
応を行なったのち、（Ｂ）成分を混合する方法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分からなる混合物
に、所定量の水を加えて加水分解・縮合反応を行う方
法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分からなる混合物
に、所定量の水を連続的あるいは断続的に添加して、加
水分解、縮合反応を行なう方法。

【００５２】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０重量％であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記（Ｃ）溶媒による希釈によって行われる。

【００５３】本発明の組成物を用いて膜を形成するに
は、まず本発明の組成物を基板に塗布し、塗膜を形成す
る。ここで、本発明の組成物を塗布することができる基
板としては、半導体、ガラス、セラミックス、金属など
が挙げられる。また、塗布方法としては、スピンコー
ト、ディッピング、ローラーブレードなどが挙げられ
る。本発明の組成物は、特にシリコンウエハ、ＳｉＯ₂
ウエハ、ＳｉＮウエハなどの上に塗布され、絶縁膜とす
ることに適している。

【００５４】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗
りで厚さ０．０５〜１．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ
０．１〜３μｍ程度の塗膜を形成することができる。形
成する塗膜の厚さは、通常、０．２〜２０μｍである。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブ
ン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気
としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空
下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうこ
とができる。

【００５５】また、上記の（Ａ）成分の硬化速度を制御
するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、
空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができ
る。

【００５６】このようにして得られる本発明の低密度化
膜は、膜密度が、通常、０．３５〜１．２ｇ／ｃｍ³ 、
好ましくは０．４〜１．１ｇ／ｃｍ³ 、さらに好ましく
は０．５〜１．０ｇ／ｃｍ³ である。膜密度が０．３５
ｇ／ｃｍ³ 未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一
方、１．２ｇ／ｃｍ³ を超えると、低誘電率が得られな
い。この膜密度の調整は、本発明における膜形成用組成
物中の（Ｂ）成分の含有量により、容易に調整すること
ができる。

【００５７】また、本発明の低密度化膜は、ＢＪＨ法に
よる細孔分布測定において、１０ｎｍ以上の空孔が認め
られず、微細配線間の層間絶縁膜材料として好ましい。
この塗膜中の微細孔は、本発明の（Ｂ）成分を用いるこ
とで達成できる。

【００５８】さらに、本発明の低密度化膜は、吸水性が
低い点に特徴を有し、例えば、塗膜を１２７℃、２．５
ａｔｍ、１００％ＲＨの環境に１時間放置した場合、放
置後の塗膜のＩＲスペクトル観察からは塗膜への水の吸
着は認められない。この吸水性は、本発明における膜形
成用組成物に用いられる化合物（１）のテトラアルコキ
シシラン類の量により、調整することができる。

【００５９】さらに、本発明の低密度化膜の誘電率は、
低誘電率であり、通常、２．６〜１．２、好ましくは
２．５〜１．２、さらに好ましくは２．４〜１．２であ
る。この誘電率は、本発明の塗膜形成用組成物中の
（Ｂ）成分の含有量により調整することができる。

【００６０】本発明の低密度膜は、絶縁性に優れ、塗布
膜の均一性、誘電率特性、塗膜の耐クラック性、塗膜の
表面硬度に優れることから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、
ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭな
どの半導体素子用層間絶縁膜、半導体素子の表面コート
膜などの保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示
素子用の保護膜や絶縁防止膜などの用途に有用である。

【００６１】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および％は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量％であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。

【００６２】重量平均分子量 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）（屈折率，粘度，光散乱測定）法により測
定した。試料溶液：シラン化合物の加水分解縮合物を、
固形分濃度が０．２５％となるように、１０ｍＭのＬｉ
Ｂｒを含むメタノールで希釈し、ＧＰＣ（屈折率，粘
度，光散乱測定）用試料溶液とした。 装置：東ソー（株）製、ＧＰＣシステム モデル ＧＰＣ−８０２０ 東ソー（株）製、カラム Ａｌｐｈａ５０００／３０００ ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル Ｔ−６０ デュアルメーター キャリア溶液：１０ｍＭのＬｉＢｒを含むメタノール キャリア送液速度：１ｍｌ／ｍｉｎ カラム温度：４０℃

【００６３】貯蔵安定性 本発明の組成物８０ｍｌを容量１００ｍｌのガラス製ね
じ口瓶に入れて密閉し、４０℃オートクレーブ中で１ヶ
月放置した。放置前後のサンプルを２，５００ｒｐｍ、
３１秒のスピンコート条件で塗布し、実施例の方法で焼
成したときの膜厚を光学式膜厚計（Ｒｕｄｏｌｐｈ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、Ｓｐｅｃｔｒａ Ｌａｓ
ｅｒ２００）にて測定し、その変化率｛〔（放置後のサ
ンプルの膜厚−放置前のサンプルの膜厚）／放置前のサ
ンプルの膜厚〕×１００｝を算出し、下記基準にて評価
した。 ◎：膜厚変化率＜５％ ○：膜厚変化率＜１０％ ×：膜厚変化率≧１０％

【００６４】誘電率 得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パタ
ーンを形成させ誘電率測定用サンプルを作成した。該サ
ンプルを周波数１００ｋＨｚの周波数で、横河・ヒュー
レットパッカード（株）製、ＨＰ１６４５１Ｂ電極およ
びＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＣ
Ｖ法により当該塗膜の誘電率を測定した。弾性率（ヤン
グ率） 得られた膜を、ナノインデンターＸＰ（ナノインスツル
メント社製）を用いて、連続剛性測定法により測定し
た。

【００６５】膜密度 密度は、膜の膜厚と膜の面積から求めた体積と、膜の重
量から算出した。細孔分布 得られた硬化物の細孔分布を、ＣＯＵＬＴＥＲ社製 Ｏ
ＭＮＩＳＯＲＰ １００／３６０ ＳＥＲＩＥＳを用い
てＢＪＨ法で測定し、下記基準に従って評価した。 ○：１０ｎｍ以上の細孔が５％以下。 ×：１０ｎｍ以上の細孔が５％を超える。

【００６６】吸水性 得られた塗膜を、１２７℃、２．５ａｔｍ、１００％Ｒ
Ｈの環境に１時間放置し、放置後の塗膜のＩＲスペクト
ルを観察した。放置前の塗膜のＩＲスペクトルと比較し
て、３，５００ｃｍ^-1付近のＨ₂ Ｏに起因する吸収の有
無を観察し、吸水性を下記基準に従い評価した。 ○：吸収無し ×：吸収有り

【００６７】膜厚均一性 膜形成用組成物を、８インチシリコンウエハ上に、スピ
ンコーターを用いて、回転数１，０００ｒｐｍ、１５秒
の条件で塗布した。その後、８０℃に保持したホットプ
レートを用いて、膜形成用組成物を塗布したシリコンウ
エハを５分間加熱し、有機溶媒を飛散させた。次いで、
２００℃の温度に保持したホットプレートを用いて、膜
形成用組成物を塗布したシリコンウエハを５分間加熱
し、さらに真空下で３４０℃，３６０℃，３８０℃の順
で、それぞれ３０分間ずつ加熱し、さらに真空下、４２
５℃で１時間加熱し、シリコンウエハ上に塗膜を形成さ
せた。このようにして得られた塗膜の膜厚を、光学式膜
厚計（Ｒｕｄｏｌｐｈ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社
製、Ｓｐｅｃｔｒａ Ｌａｓｅｒ２００）を用いて、塗
膜面内で５０点測定した。得られた膜厚の３σを計算
し、下記基準で評価した。 ○；塗膜の３σが０．５％未満 △；塗膜の３σが０．５％以上、１％未満 ×；塗膜の３σが１％以上

【００６８】参考例１〔（Ａ）成分の調製〕 ２５％アンモニア水溶液５ｇ、超純水３２０ｇおよびエ
タノール６００ｇの混合溶液中に、メチルトリメトキシ
シラン１５ｇ（完全加水分解縮合物換算７．４ｇ）とテ
トラエトキシシラン２０ｇ（完全加水分解縮合物５．８
ｇ）を加えて、６０℃で３時間反応させたのち、プロピ
レングリコールモノプロピルエーテル２００ｇを加え、
その後、減圧下で全溶液量１４０ｇとなるまで濃縮し、
その後、酢酸の１０％プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル溶液１０ｇを添加し、固形分含有量８．３％
の組成物溶液を得た。得られた（Ａ）成分の重量平均分
子量は、５２０万であった。

【００６９】参考例２〔（Ａ）成分の調製〕 ２５％アンモニア水溶液５ｇの代わりに、４０％メチル
アミン水溶液５ｇを用いた以外は、参考例１と同様の操
作を行ない、固形分含有量８．８％の組成物溶液を得
た。得られた（Ａ）成分の重量平均分子量は、１００万
であった。

【００７０】実施例１ 参考例１で得られた（Ａ）成分溶液１００．００ｇと、
（Ｂ）成分として、シリコーン系界面活性剤ＳＨ２８Ｐ
Ａ〔東レダウコーニングシリコーン（株）製〕０．０２
ｇとを混合し、固形分含有量８．８％の組成物溶液を得
た。得られた組成物を、８インチシリコンウエハ上にス
ピンコート法により塗布し、大気中８０℃で５分間、次
いで窒素下２００℃で５分間加熱したのち、さらに真空
下で３４０℃、３６０℃、３８０℃の順でそれぞれ３０
分間ずつ加熱し、さらに真空下４２５℃で１時間加熱
し、無色透明の膜を形成した。結果を表１に示す。

【００７１】実施例２ 参考例１で得られた（Ａ）成分溶液に代わりに、参考例
２で得られた（Ａ）成分溶液を用い、またシリコーン系
界面活性剤の代わりに、フッ素系界面活性剤として、メ
ガファックＦ１７２〔大日本インキ化学工業（株）製〕
を０．０２ｇ用いる以外は、実施例１と同様にして、組
成物溶液を調製した。得られた組成物を、８インチシリ
コンウエハ上にスピンコート法により塗布し、大気中８
０℃で５分間、次いで窒素下２００℃で５分間加熱した
のち、さらに真空下で３４０℃、３６０℃、３８０℃の
順でそれぞれ３０分間ずつ加熱し、さらに真空下４２５
℃で１時間加熱し、無色透明の膜を形成した。結果を表
１に示す。

【００７２】実施例３ シリコーン系界面活性剤の代わりに、アクリル系界面活
性剤として、ポリフローＮｏ．５７〔共栄社油脂化学工
業（株）製〕を０．０２ｇ用いる以外は、実施例１と同
様にして、組成物溶液を調製した。得られた組成物を、
８インチシリコンウエハ上にスピンコート法により塗布
し、大気中８０℃で５分間、次いで窒素下２００℃で５
分間加熱したのち、さらに真空下で３４０℃、３６０
℃、３８０℃の順でそれぞれ３０分間ずつ加熱し、さら
に真空下４２５℃で１時間加熱し、無色透明の膜を形成
した。結果を表１に示す。

【００７３】

【表１】

【００７４】

【発明の効果】本発明によれば、膜厚均一性に優れた塗
膜が形成可能で、誘電率特性、耐吸水性に優れ、またＣ
ＭＰ耐性に優れ、かつ組成物の基板への塗布性が改良さ
れた膜形成用組成物を提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 83/02 Ｃ０８Ｌ 83/02 83/04 83/04 Ｃ０９Ｄ 5/02 Ｃ０９Ｄ 5/02 7/12 7/12 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ 21/316 21/316 Ｇ (72)発明者 塩田 淳 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4F071 AA66 AA66X AA67 AA67X AA81 AA82 AE10 AF10 AF20 AF40 AH12 BA03 BB02 BC02 4J002 BG012 CH052 CP011 CP021 CP031 CP032 CP041 CP051 CP081 CP141 CP182 EB066 EC037 EC047 ED027 ED037 ED046 EE037 EE047 EH007 EH037 EH047 EH097 EH147 EH157 EN136 EP016 EP017 EU027 EU077 EU237 EV256 EW046 FD312 FD316 GH00 GQ05 4J035 AA01 AA02 AA03 BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 BA16 CA022 CA112 CA142 CA152 CA192 EB03 HA01 HA02 JA01 LB01 LB02 LB03 LB20 4J038 DL031 DL051 DL071 KA09 MA10 NA06 NA17 NA21 PB09 PC03 5F058 AA03 AA04 AA10 AC03 AF04 AG01 AH01 AH02 BF46 BH01

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合
   物、下記一般式（２）で表される化合物、および下記一
   般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくと
   も１種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分
   解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
   基、Ｒ¹ は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ² は１価の有機基を示す。） Ｒ³ _b （Ｒ⁴ Ｏ）_3-b Ｓｉ−（Ｒ⁷ ）_d −Ｓｉ（ＯＲ⁵ ）_3-c Ｒ⁶ _c ・・・・・（３) 〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価
   の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数
   を示し、Ｒ⁷ は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ
   ₂ ）_n −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数であ
   る）、ｄは０または１を示す。〕 （Ｂ）成分；界面活性剤 を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
2. 【請求項２】 （Ｂ）成分が、シリコーン系界面活性
   剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノ
   ニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活
   性剤、およびアクリル系界面活性剤の群から選ばれた少
   なくとも１種である請求項１記載の膜形成用組成物。
3. 【請求項３】 請求項１〜２いずれか１項記載の膜形成
   用組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜
   の形成方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の膜の形成方法によって得
   られる低密度化膜。