JP2001115028A - 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 - Google Patents
膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜Info
- Publication number
- JP2001115028A JP2001115028A JP2000051136A JP2000051136A JP2001115028A JP 2001115028 A JP2001115028 A JP 2001115028A JP 2000051136 A JP2000051136 A JP 2000051136A JP 2000051136 A JP2000051136 A JP 2000051136A JP 2001115028 A JP2001115028 A JP 2001115028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- group
- compound
- bis
- monovalent organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料と
して、比誘電率特性および機械的強度に優れたシリカ系
膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化
合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一
般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくと
も1種のシラン化合物を、シラン化合物1モルに対して
0.1モル以上のアルカリ性化合物の存在下で加水分解
し、縮合した加水分解縮合物 Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c・・・・ (3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶
媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
して、比誘電率特性および機械的強度に優れたシリカ系
膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化
合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一
般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくと
も1種のシラン化合物を、シラン化合物1モルに対して
0.1モル以上のアルカリ性化合物の存在下で加水分解
し、縮合した加水分解縮合物 Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c・・・・ (3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶
媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、比誘電率特性および機械的強度に優れ
たシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物に関する。
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、比誘電率特性および機械的強度に優れ
たシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、CVD法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ(SiO2 )膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、S
OG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機SOGと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間
絶縁膜が開発されている。しかしながら、半導体素子な
どのさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体
間の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低
比誘電率でかつクラック耐性に優れる層間絶縁膜材料が
求められるようになっている。
膜として、CVD法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ(SiO2 )膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、S
OG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機SOGと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間
絶縁膜が開発されている。しかしながら、半導体素子な
どのさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体
間の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低
比誘電率でかつクラック耐性に優れる層間絶縁膜材料が
求められるようになっている。
【0003】低比誘電率の材料としては、アンモニアの
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物(特開平5−263045、同5−315
319)や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液(特開平11−340219、同11−34022
0)が提案されているが、これらの方法で得られる材料
はいずれも比誘電率が2.5を超えるものであり、半導
体素子などの高集積化、多層化には不十分であった。
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物(特開平5−263045、同5−315
319)や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液(特開平11−340219、同11−34022
0)が提案されているが、これらの方法で得られる材料
はいずれも比誘電率が2.5を超えるものであり、半導
体素子などの高集積化、多層化には不十分であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低誘電
性に優れかつ機械的強度が改良されたシリカ系被膜を得
ることができる膜形成用組成物、その製造方法および該
組成物から得られるシリカ系膜を提供することを目的と
する。
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低誘電
性に優れかつ機械的強度が改良されたシリカ系被膜を得
ることができる膜形成用組成物、その製造方法および該
組成物から得られるシリカ系膜を提供することを目的と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)下記一
般式(1)で表される化合物(以下「化合物(1)」と
もいう)、下記一般式(2)で表される化合物(以下
「化合物(2)」ともいう)および下記一般式(3)で
表される化合物(以下「化合物(3)」ともいう)の群
から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をシラン化
合物1モルに対して0.1モル以上のアルカリ性化合物
の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物(以下
「(A)加水分解縮合物」ともいう) Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶
媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物に関す
る。次に、本発明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布
し、加熱することを特徴とする膜の形成方法に関する。
次に、本発明は、上記膜の形成方法によって得られるシ
リカ系膜に関する。
般式(1)で表される化合物(以下「化合物(1)」と
もいう)、下記一般式(2)で表される化合物(以下
「化合物(2)」ともいう)および下記一般式(3)で
表される化合物(以下「化合物(3)」ともいう)の群
から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をシラン化
合物1モルに対して0.1モル以上のアルカリ性化合物
の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物(以下
「(A)加水分解縮合物」ともいう) Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶
媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物に関す
る。次に、本発明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布
し、加熱することを特徴とする膜の形成方法に関する。
次に、本発明は、上記膜の形成方法によって得られるシ
リカ系膜に関する。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明において、(A)加水分解
縮合物とは、上記化合物(1)〜(3)の群から選ばれ
た少なくとも1種の加水分解物およびその縮合物もしく
はいずれか一方である。ここで、(A)成分における加
水分解物とは、上記(A)成分を構成する化合物(1)
〜(3)に含まれるR1 O−基,R2 O−基,R4 O−
基およびR5 O−基のすべてが加水分解されている必要
はなく、例えば、1個だけが加水分解されているもの、
2個以上が加水分解されているものあるいはこれらの混
合物であってもよい。また、(A)成分における縮合物
は、(A)成分を構成する化合物(1)〜(3)の加水
分解物のシラノール基が縮合してSi−O−Si結合を
形成したものであるが、本発明では、シラノール基がす
べて縮合している必要はなく、僅かな一部のシラノール
基が縮合したもの、縮合の程度が異なっているものの混
合物などをも包含した概念である。
縮合物とは、上記化合物(1)〜(3)の群から選ばれ
た少なくとも1種の加水分解物およびその縮合物もしく
はいずれか一方である。ここで、(A)成分における加
水分解物とは、上記(A)成分を構成する化合物(1)
〜(3)に含まれるR1 O−基,R2 O−基,R4 O−
基およびR5 O−基のすべてが加水分解されている必要
はなく、例えば、1個だけが加水分解されているもの、
2個以上が加水分解されているものあるいはこれらの混
合物であってもよい。また、(A)成分における縮合物
は、(A)成分を構成する化合物(1)〜(3)の加水
分解物のシラノール基が縮合してSi−O−Si結合を
形成したものであるが、本発明では、シラノール基がす
べて縮合している必要はなく、僅かな一部のシラノール
基が縮合したもの、縮合の程度が異なっているものの混
合物などをも包含した概念である。
【0007】(A)加水分解縮合物 (A)加水分解縮合物は、上記化合物(1)〜(3)の
群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を特定量
のアルカリ性化合物の存在下に、加水分解、縮合して得
られる。 化合物(1);上記一般式(1)において、RおよびR
1 の1価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式(1)において、Rは1価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜
5であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式(1)において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を特定量
のアルカリ性化合物の存在下に、加水分解、縮合して得
られる。 化合物(1);上記一般式(1)において、RおよびR
1 の1価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式(1)において、Rは1価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜
5であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式(1)において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
【0008】化合物(1)の具体例としては、トリメト
キシシラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキ
シシラン、トリ−iso−プロポキシシラン、トリ−n
−ブトキシシラン、トリ−sec−ブトキシシラン、ト
リ−tert−ブトキシシラン、トリフェノキシシラ
ン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキ
シシラン、フルオロトリ−n−プロポキシシラン、フル
オロトリ−iso−プロポキシシラン、フルオロトリ−
n−ブトキシシラン、フルオロトリ−sec−ブトキシ
シラン、フルオロトリ−tert−ブトキシシラン、フ
ルオロトリフェノキシシランなど;
キシシラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキ
シシラン、トリ−iso−プロポキシシラン、トリ−n
−ブトキシシラン、トリ−sec−ブトキシシラン、ト
リ−tert−ブトキシシラン、トリフェノキシシラ
ン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキ
シシラン、フルオロトリ−n−プロポキシシラン、フル
オロトリ−iso−プロポキシシラン、フルオロトリ−
n−ブトキシシラン、フルオロトリ−sec−ブトキシ
シラン、フルオロトリ−tert−ブトキシシラン、フ
ルオロトリフェノキシシランなど;
【0009】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メ
チルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n
−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチル
トリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブト
キシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−s
ec−ブトキシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピル
トリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラ
ン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プ
ロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピル
トリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec
−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブト
キシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、i−
プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキ
シシラン、i−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、
i−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、i−プ
ロピルトリ−n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−
sec−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−tert
−ブトキシシラン、i−プロピルトリフェノキシシラ
ン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエ
トキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラ
ン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−
ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−s
ec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブ
トキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、se
c−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチルトリエ
トキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシ
シラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシ
ラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、s
ec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec
−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−
ブチル−トリフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキ
シシラン、t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチル
トリ−n−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso
−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシ
ラン、t−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−
ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、t−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ
−sec−ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;
トキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メ
チルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n
−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチル
トリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブト
キシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−s
ec−ブトキシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピル
トリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラ
ン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プ
ロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピル
トリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec
−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブト
キシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、i−
プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキ
シシラン、i−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、
i−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、i−プ
ロピルトリ−n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−
sec−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−tert
−ブトキシシラン、i−プロピルトリフェノキシシラ
ン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエ
トキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラ
ン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−
ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−s
ec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブ
トキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、se
c−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチルトリエ
トキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシ
シラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシ
ラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、s
ec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec
−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−
ブチル−トリフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキ
シシラン、t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチル
トリ−n−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso
−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシ
ラン、t−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−
ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、t−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ
−sec−ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;
【0010】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−te
rt−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、
ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ
−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−
プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロ
ポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブト
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシ
シラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ
−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−
ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−sec−ブチルジメト
キシシラン、ジ−sec−ブチルジエトキシシラン、ジ
−sec−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−sec−
ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−tert−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−tert−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−プロポキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−iso−プロポキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−tert−ブトキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−n−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−sec−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−tert−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど;を挙げることができる。
トキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−te
rt−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、
ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ
−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−
プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロ
ポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブト
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシ
シラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ
−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−
ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−sec−ブチルジメト
キシシラン、ジ−sec−ブチルジエトキシシラン、ジ
−sec−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−sec−
ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−tert−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−tert−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−プロポキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−iso−プロポキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−tert−ブトキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−n−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−sec−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−tert−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど;を挙げることができる。
【0011】化合物(1)として好ましい化合物は、メ
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−is
o−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用して
もよい。
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−is
o−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用して
もよい。
【0012】化合物(2);上記一般式(2)におい
て、R2 で表される1価の有機基としては、先の一般式
(1)と同様な有機基を挙げることができる。化合物
(2)の具体例としては、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テ
トラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキ
シラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−t
ert−ブトキシシラン、テトラフェノキシシランなど
が挙げられる。
て、R2 で表される1価の有機基としては、先の一般式
(1)と同様な有機基を挙げることができる。化合物
(2)の具体例としては、テトラメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テ
トラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキ
シラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−t
ert−ブトキシシラン、テトラフェノキシシランなど
が挙げられる。
【0013】化合物(3);上記一般式(3)におい
て、R3 〜R6 で表される1価の有機基としては、先の
一般式(1)と同様な有機基を挙げることができる。化
合物(3)のうち一般式(3)におけるR7 が酸素原子
の化合物としては、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキ
サエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキシジシロキサ
ン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−メチル
ジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−
3−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタ
フェノキシ−3−メチルジシロキサン、1,1,1,
3,3−ペンタメトキシ−3−エチルジシロキサン、
1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−エチルジシ
ロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3
−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメ
トキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,1,3,
3−ペンタエトキシ−3−フェニルジシロキサン、1,
1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3−フェニルジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−
ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキ
シ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−
テトラフェノキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジエチルジ
シロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3
−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェ
ノキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,
3−テトラメトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジフェ
ニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ
−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3−トリ
メトキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,
1,3−トリエトキシ−1,3,3−トリメチルジシロ
キサン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−ト
リメチルジシロキサン、1,1,3−トリメトキシ−
1,3,3−トリエチルジシロキサン、、1,1,3−
トリエトキシ−1,3,3−トリエチルジシロキサ
ン、、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリ
エチルジシロキサン、、1,1,3−トリメトキシ−
1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,1,3−
トリエトキシ−1,3,3−トリフェニルジシロキサ
ン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリフ
ェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テト
ラエチルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,
3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジフェノ
キシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、
1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニル
ジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−
テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−
1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサンなどを挙
げることができる。
て、R3 〜R6 で表される1価の有機基としては、先の
一般式(1)と同様な有機基を挙げることができる。化
合物(3)のうち一般式(3)におけるR7 が酸素原子
の化合物としては、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキ
サエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキシジシロキサ
ン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−メチル
ジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−
3−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタ
フェノキシ−3−メチルジシロキサン、1,1,1,
3,3−ペンタメトキシ−3−エチルジシロキサン、
1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−エチルジシ
ロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3
−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメ
トキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,1,3,
3−ペンタエトキシ−3−フェニルジシロキサン、1,
1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3−フェニルジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−
ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキ
シ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−
テトラフェノキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、
1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジエチルジ
シロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3
−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェ
ノキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,
3−テトラメトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジフェ
ニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ
−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3−トリ
メトキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,
1,3−トリエトキシ−1,3,3−トリメチルジシロ
キサン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−ト
リメチルジシロキサン、1,1,3−トリメトキシ−
1,3,3−トリエチルジシロキサン、、1,1,3−
トリエトキシ−1,3,3−トリエチルジシロキサ
ン、、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリ
エチルジシロキサン、、1,1,3−トリメトキシ−
1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,1,3−
トリエトキシ−1,3,3−トリフェニルジシロキサ
ン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリフ
ェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テト
ラエチルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,
3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジフェノ
キシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、
1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニル
ジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−
テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−
1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサンなどを挙
げることができる。
【0014】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジ
フェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシ
ロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジ
フェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシ
ロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。
【0015】また、一般式(3)において、dが0の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,
2,2−ペンタメトキシ−2−メチルジシラン、1,
1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−メチルジシラ
ン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−メチ
ルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2
−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキ
シ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタ
フェノキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2
−ペンタメトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,
1,2,2−ペンタエトキシ−2−フェニルジシラン、
1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−フェニル
ジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−
ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−
1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラフ
ェノキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2
−テトラメトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,
1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジエチルジシラ
ン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジエ
チルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,
2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラエト
キシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−
テトラフェノキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,
1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラ
ン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチ
ルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2
−トリメチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−
1,2,2−トリエチルジシラン、、1,1,2−トリ
エトキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、、1,
1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリエチルジシ
ラン、、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリ
フェニルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,
2,2−トリフェニルジシラン、、1,1,2−トリフ
ェノキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,2
−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラ
ン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−
テトラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジエトキシ−
1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジフ
ェノキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、
1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラフェニル
ジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テト
ラフェニルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,
2,2−ペンタメトキシ−2−メチルジシラン、1,
1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−メチルジシラ
ン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−メチ
ルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2
−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキ
シ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタ
フェノキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2
−ペンタメトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,
1,2,2−ペンタエトキシ−2−フェニルジシラン、
1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−フェニル
ジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−
ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−
1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラフ
ェノキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2
−テトラメトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,
1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジエチルジシラ
ン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジエ
チルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,
2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラエト
キシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−
テトラフェノキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,
1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラ
ン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチ
ルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2
−トリメチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−
1,2,2−トリエチルジシラン、、1,1,2−トリ
エトキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、、1,
1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリエチルジシ
ラン、、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリ
フェニルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,
2,2−トリフェニルジシラン、、1,1,2−トリフ
ェノキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,2
−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラ
ン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−
テトラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジエトキシ−
1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジフ
ェノキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、
1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラフェニル
ジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テト
ラフェニルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。
【0016】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2−テトラメト
キシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テ
トラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,
2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラ
ン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テ
トラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。
ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2−テトラメト
キシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テ
トラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,
2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラ
ン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テ
トラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。
【0017】さらに、一般式(3)において、R7 が−
(CH2 )n −で表される基の化合物としては、ビス
(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシ
リル)メタン、ビス(トリ−n−プロポキシシリル)メ
タン、ビス(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、ビ
ス(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−
sec−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−t−ブ
トキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメト
キシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)
−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジ−n−
プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−n−プロポキ
シシリル)メタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシ
リル)−1−(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、
1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−
n−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−sec−ブト
キシメチルシリル)−1−(トリ−sec−ブトキシシ
リル)メタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)
−1−(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ
メトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)
エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリ
エトキシシリル)エタン、1−(ジ−n−プロポキシメ
チルシリル)−2−(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−2−
(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−n
−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−n−ブトキシ
シリル)エタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシ
リル)−2−(トリ−sec−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−2−(ト
リ−t−ブトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメ
チルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)
メタン、ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)メタ
ン、ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)メタン、
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−t−ブトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビ
ス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ
−n−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジ−i−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2
−ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)エタン、
1,2−ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,2
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(トリ-t- ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
3−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
4−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ンなど挙げることができる。
(CH2 )n −で表される基の化合物としては、ビス
(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシ
リル)メタン、ビス(トリ−n−プロポキシシリル)メ
タン、ビス(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、ビ
ス(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−
sec−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−t−ブ
トキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメト
キシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)
−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジ−n−
プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−n−プロポキ
シシリル)メタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシ
リル)−1−(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、
1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−
n−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−sec−ブト
キシメチルシリル)−1−(トリ−sec−ブトキシシ
リル)メタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)
−1−(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ
メトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)
エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリ
エトキシシリル)エタン、1−(ジ−n−プロポキシメ
チルシリル)−2−(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−2−
(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−n
−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−n−ブトキシ
シリル)エタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシ
リル)−2−(トリ−sec−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−2−(ト
リ−t−ブトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメ
チルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)
メタン、ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)メタ
ン、ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)メタン、
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−t−ブトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビ
ス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ
−n−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジ−i−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2
−ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)エタン、
1,2−ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,2
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(トリ-t- ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
3−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
4−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ンなど挙げることができる。
【0018】これらのうち、ビス(トリメトキシシリ
ル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,
2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス
(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチ
ルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−
(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリ
ル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−
(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチ
ルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、ビス
(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシ
メチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチ
ルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベ
ンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス
(トリエトキシシリル)ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。
ル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,
2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス
(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチ
ルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−
(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリ
ル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−
(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチ
ルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、ビス
(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシ
メチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチ
ルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベ
ンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス
(トリエトキシシリル)ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。
【0019】本発明において、(A)成分を構成する化
合物(1)〜(3)としては、上記化合物(1)、
(2)および(3)の1種もしくは2種以上を用いるこ
とができる。
合物(1)〜(3)としては、上記化合物(1)、
(2)および(3)の1種もしくは2種以上を用いるこ
とができる。
【0020】なお、上記(A)成分を構成する化合物
(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシラ
ン化合物を加水分解、縮合させる際に、R1 O−基,R
2 O−基,R4 O−基およびR5 O−基の総量1モル当
たり、5〜50モルの水を用いることが好ましく、7〜
30モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水
の量が5モルより少ない場合は、十分な比誘電率と弾性
率が得られない場合があり、一方、50モルより多い場
合は、加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲ
ル化が生じる場合がある。
(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシラ
ン化合物を加水分解、縮合させる際に、R1 O−基,R
2 O−基,R4 O−基およびR5 O−基の総量1モル当
たり、5〜50モルの水を用いることが好ましく、7〜
30モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水
の量が5モルより少ない場合は、十分な比誘電率と弾性
率が得られない場合があり、一方、50モルより多い場
合は、加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲ
ル化が生じる場合がある。
【0021】本発明の(A)加水分解縮合物を製造する
に際しては、上記化合物(1)〜(3)の群から選ばれ
た少なくとも1種のシラン化合物を加水分解、縮合させ
る際に、特定量のアルカリ性化合物を用いることが特徴
である。本発明においてはアルカリ性化合物を特定量以
上用いることにより、低比誘電率でかつ高弾性率である
シリカ系膜を得ることができる。本発明で使用すること
のできるアルカリ性化合物としては、アンモニア(アン
モニア水溶液を含む)、有機アミン、アルカリ性無機化
合物が挙げられるが、本発明においてはアンモニアおよ
び有機アミンが好ましい。本発明において有機アミンと
しては、アルキルアミン、アルカノールアミン、アリー
ルアミンなどを挙げることができる。本発明で使用する
ことのできるアルキルアミンとしては、メチルアミン、
エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシ
ルアミン、オクチルアミン、N,N−ジメチルアミン、
N,N−ジエチルアミン、N,N−ジプロピルアミン、
N,N−ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミンなど
の炭素数1〜4のアルキル基を有する化合物、メトキシ
メチルアミン、メトキシエチルアミン、メトキシプロピ
ルアミン、メトキシブチルアミン、エトキシメチルアミ
ン、エトキシエチルアミン、エトキシプロピルアミン、
エトキシブチルアミン、プロポキシメチルアミン、プロ
ポキシエチルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロ
ポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシ
エチルアミン、ブトキシプロピルアミン、ブトキシブチ
ルアミンなどのアルコキシ基を有する化合物などを挙げ
ることができる。アルカノールアミンとしては、メタノ
ールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、
ブタノールアミン、N−メチルメタノールアミン、N−
エチルメタノールアミン、N−プロピルメタノールアミ
ン、N−ブチルメタノールアミン、N−メチルエタノー
ルアミン、N−エチルエタノールアミン、N−プロピル
エタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N−
メチルプロパノールアミン、N−エチルプロパノールア
ミン、N−プロピルプロパノールアミン、N−ブチルプ
ロパノールアミン、N−メチルブタノールアミン、N−
エチルブタノールアミン、N−プロピルブタノールアミ
ン、N−ブチルブタノールアミン、N,N−ジメチルメ
タノールアミン、N,N−ジエチルメタノールアミン、
N,N−ジプロピルメタノールアミン、N,N−ジブチ
ルメタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミ
ン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジプ
ロピルエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノール
アミン、N,N−ジメチルプロパノールアミン、N,N
−ジエチルプロパノールアミン、N,N−ジプロピルプ
ロパノールアミン、N,N−ジブチルプロパノールアミ
ン、N,N−ジメチルブタノールアミン、N,N−ジエ
チルブタノールアミン、N,N−ジプロピルブタノール
アミン、N,N−ジブチルブタノールアミン、N−メチ
ルジメタノールアミン、N−エチルジメタノールアミ
ン、N−プロピルジメタノールアミン、N−ブチルジメ
タノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−
エチルジエタノールアミン、N−プロピルジエタノール
アミン、N−ブチルジエタノールアミン、N−メチルジ
プロパノールアミン、N−エチルジプロパノールアミ
ン、N−プロピルジプロパノールアミン、N−ブチルジ
プロパノールアミン、N−メチルジブタノールアミン、
N−エチルジブタノールアミン、N−プロピルジブタノ
ールアミン、N−ブチルジブタノールアミン、N−(ア
ミノメチル)メタノールアミン、N−(アミノメチル)
エタノールアミン、N−(アミノメチル)プロパノール
アミン、N−(アミノメチル)ブタノールアミン、N−
(アミノエチル)メタノールアミン、N−(アミノエチ
ル)エタノールアミン、N−(アミノエチル)プロパノ
ールアミン、N−(アミノエチル)ブタノールアミン、
N−(アミノプロピル)メタノールアミン、N−(アミ
ノプロピル)エタノールアミン、N−(アミノプロピ
ル)プロパノールアミン、N−(アミノプロピル)ブタ
ノールアミン、N−(アミノブチル)メタノールアミ
ン、N−(アミノブチル)エタノールアミン、N−(ア
ミノブチル)プロパノールアミン、N−(アミノブチ
ル)ブタノールアミンなどを挙げることができる。また
アリールアミンとしてはアニリンなどを挙げることがで
きる。さらに有機アミンとしてテトラメチルアンモニウ
ムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイド
ロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサ
イド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テ
トラメチルエチレンジアミン、テトラエチルエチレンジ
アミン、テトラプロピルエチレンジアミン、テトラブチ
ルエチレンジアミン、メチルアミノメチルアミン、メチ
ルアミノエチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、
メチルアミノブチルアミン、エチルアミノメチルアミ
ン、エチルアミノエチルアミン、エチルアミノプロピル
アミン、エチルアミノブチルアミン、プロピルアミノメ
チルアミン、プロピルアミノエチルアミン、プロピルア
ミノプロピルアミン、プロピルアミノブチルアミン、ブ
チルアミノメチルアミン、ブチルアミノエチルアミン、
ブチルアミノプロピルアミン、ブチルアミノブチルアミ
ン、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピ
ペリジン、ピコリン、モルホリン、メチルモルホリン、
ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジア
ザビシクロウンデセンなど挙げることができる。
に際しては、上記化合物(1)〜(3)の群から選ばれ
た少なくとも1種のシラン化合物を加水分解、縮合させ
る際に、特定量のアルカリ性化合物を用いることが特徴
である。本発明においてはアルカリ性化合物を特定量以
上用いることにより、低比誘電率でかつ高弾性率である
シリカ系膜を得ることができる。本発明で使用すること
のできるアルカリ性化合物としては、アンモニア(アン
モニア水溶液を含む)、有機アミン、アルカリ性無機化
合物が挙げられるが、本発明においてはアンモニアおよ
び有機アミンが好ましい。本発明において有機アミンと
しては、アルキルアミン、アルカノールアミン、アリー
ルアミンなどを挙げることができる。本発明で使用する
ことのできるアルキルアミンとしては、メチルアミン、
エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシ
ルアミン、オクチルアミン、N,N−ジメチルアミン、
N,N−ジエチルアミン、N,N−ジプロピルアミン、
N,N−ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミンなど
の炭素数1〜4のアルキル基を有する化合物、メトキシ
メチルアミン、メトキシエチルアミン、メトキシプロピ
ルアミン、メトキシブチルアミン、エトキシメチルアミ
ン、エトキシエチルアミン、エトキシプロピルアミン、
エトキシブチルアミン、プロポキシメチルアミン、プロ
ポキシエチルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロ
ポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシ
エチルアミン、ブトキシプロピルアミン、ブトキシブチ
ルアミンなどのアルコキシ基を有する化合物などを挙げ
ることができる。アルカノールアミンとしては、メタノ
ールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、
ブタノールアミン、N−メチルメタノールアミン、N−
エチルメタノールアミン、N−プロピルメタノールアミ
ン、N−ブチルメタノールアミン、N−メチルエタノー
ルアミン、N−エチルエタノールアミン、N−プロピル
エタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N−
メチルプロパノールアミン、N−エチルプロパノールア
ミン、N−プロピルプロパノールアミン、N−ブチルプ
ロパノールアミン、N−メチルブタノールアミン、N−
エチルブタノールアミン、N−プロピルブタノールアミ
ン、N−ブチルブタノールアミン、N,N−ジメチルメ
タノールアミン、N,N−ジエチルメタノールアミン、
N,N−ジプロピルメタノールアミン、N,N−ジブチ
ルメタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミ
ン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジプ
ロピルエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノール
アミン、N,N−ジメチルプロパノールアミン、N,N
−ジエチルプロパノールアミン、N,N−ジプロピルプ
ロパノールアミン、N,N−ジブチルプロパノールアミ
ン、N,N−ジメチルブタノールアミン、N,N−ジエ
チルブタノールアミン、N,N−ジプロピルブタノール
アミン、N,N−ジブチルブタノールアミン、N−メチ
ルジメタノールアミン、N−エチルジメタノールアミ
ン、N−プロピルジメタノールアミン、N−ブチルジメ
タノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、N−
エチルジエタノールアミン、N−プロピルジエタノール
アミン、N−ブチルジエタノールアミン、N−メチルジ
プロパノールアミン、N−エチルジプロパノールアミ
ン、N−プロピルジプロパノールアミン、N−ブチルジ
プロパノールアミン、N−メチルジブタノールアミン、
N−エチルジブタノールアミン、N−プロピルジブタノ
ールアミン、N−ブチルジブタノールアミン、N−(ア
ミノメチル)メタノールアミン、N−(アミノメチル)
エタノールアミン、N−(アミノメチル)プロパノール
アミン、N−(アミノメチル)ブタノールアミン、N−
(アミノエチル)メタノールアミン、N−(アミノエチ
ル)エタノールアミン、N−(アミノエチル)プロパノ
ールアミン、N−(アミノエチル)ブタノールアミン、
N−(アミノプロピル)メタノールアミン、N−(アミ
ノプロピル)エタノールアミン、N−(アミノプロピ
ル)プロパノールアミン、N−(アミノプロピル)ブタ
ノールアミン、N−(アミノブチル)メタノールアミ
ン、N−(アミノブチル)エタノールアミン、N−(ア
ミノブチル)プロパノールアミン、N−(アミノブチ
ル)ブタノールアミンなどを挙げることができる。また
アリールアミンとしてはアニリンなどを挙げることがで
きる。さらに有機アミンとしてテトラメチルアンモニウ
ムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイド
ロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサ
イド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テ
トラメチルエチレンジアミン、テトラエチルエチレンジ
アミン、テトラプロピルエチレンジアミン、テトラブチ
ルエチレンジアミン、メチルアミノメチルアミン、メチ
ルアミノエチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、
メチルアミノブチルアミン、エチルアミノメチルアミ
ン、エチルアミノエチルアミン、エチルアミノプロピル
アミン、エチルアミノブチルアミン、プロピルアミノメ
チルアミン、プロピルアミノエチルアミン、プロピルア
ミノプロピルアミン、プロピルアミノブチルアミン、ブ
チルアミノメチルアミン、ブチルアミノエチルアミン、
ブチルアミノプロピルアミン、ブチルアミノブチルアミ
ン、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピ
ペリジン、ピコリン、モルホリン、メチルモルホリン、
ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジア
ザビシクロウンデセンなど挙げることができる。
【0022】これらのアルカリ性化合物は、1種あるい
は2種以上を同時に使用してもよい。本発明においてア
ルカリ性化合物としては、アルキルアミンを用いるとシ
リカ系膜の基板への密着性の点からより好ましい。本発
明において、アルカリ性化合物の使用量は前記化合物
(1)〜(3)の合計1モルに対して0.1モル以上、
好ましくは0.5モル以上、特に好ましくは0.9モル
以上である。本発明においてアルカリ性化合物の使用量
の上限は特に制限ないが、シラン化合物1モルに対し
て、通常10モル未満である。
は2種以上を同時に使用してもよい。本発明においてア
ルカリ性化合物としては、アルキルアミンを用いるとシ
リカ系膜の基板への密着性の点からより好ましい。本発
明において、アルカリ性化合物の使用量は前記化合物
(1)〜(3)の合計1モルに対して0.1モル以上、
好ましくは0.5モル以上、特に好ましくは0.9モル
以上である。本発明においてアルカリ性化合物の使用量
の上限は特に制限ないが、シラン化合物1モルに対し
て、通常10モル未満である。
【0023】このようにして得られる(A)加水分解縮
合物の慣性半径は、GPC(屈折率,粘度,光散乱測
定)法による慣性半径で、好ましくは5〜50nm、さ
らに好ましくは8〜40nm、特に好ましくは9〜20
nmである。加水分解縮合物の慣性半径が5〜50nm
であると得られるシリカ系膜の比誘電率、弾性率および
膜の均一性に特に優れるものとできる。また、このよう
にして得られる(A)加水分解縮合物は、粒子状の形態
をとっていないことにより、基板状への塗布性が優れる
という特徴を有している。粒子状の形態をとっていない
ことは、例えば透過型電子顕微鏡観察(TEM)により
確認される。
合物の慣性半径は、GPC(屈折率,粘度,光散乱測
定)法による慣性半径で、好ましくは5〜50nm、さ
らに好ましくは8〜40nm、特に好ましくは9〜20
nmである。加水分解縮合物の慣性半径が5〜50nm
であると得られるシリカ系膜の比誘電率、弾性率および
膜の均一性に特に優れるものとできる。また、このよう
にして得られる(A)加水分解縮合物は、粒子状の形態
をとっていないことにより、基板状への塗布性が優れる
という特徴を有している。粒子状の形態をとっていない
ことは、例えば透過型電子顕微鏡観察(TEM)により
確認される。
【0024】なお、(A)成分中、各成分を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物(2)は、化合物
(1)〜(3)の総量中、5〜75重量%、好ましくは
10〜70重量%、さらに好ましくは15〜70重量%
である。また、化合物(1)および/または(3)は、
化合物(1)〜(3)の総量中、95〜25重量%、好
ましくは90〜30重量%、さらに好ましくは85〜3
0重量%である。化合物(2)が、化合物(1)〜
(3)の総量中、5〜75重量%であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物(1)〜(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4 O
−基およびR5 O−基が100%加水分解してSiOH
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、(A)成分としては、得られる組
成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物(1)およ
び化合物(2)の加水分解縮合物であることが好まし
い。
解縮合物に換算したときに、化合物(2)は、化合物
(1)〜(3)の総量中、5〜75重量%、好ましくは
10〜70重量%、さらに好ましくは15〜70重量%
である。また、化合物(1)および/または(3)は、
化合物(1)〜(3)の総量中、95〜25重量%、好
ましくは90〜30重量%、さらに好ましくは85〜3
0重量%である。化合物(2)が、化合物(1)〜
(3)の総量中、5〜75重量%であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物(1)〜(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4 O
−基およびR5 O−基が100%加水分解してSiOH
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、(A)成分としては、得られる組
成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物(1)およ
び化合物(2)の加水分解縮合物であることが好まし
い。
【0025】さらに、(A)加水分解縮合物では、化合
物(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシ
ラン化合物を、アルキルアミンの存在下に加水分解・縮
合して、加水分解縮合物とし、好ましくはその慣性半径
を5〜50nmとなすが、その後、組成物のpHを7以
下に調整することが好ましい。pHを調整する方法とし
ては、 pH調整剤を添加する方法、 常圧または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒を留
去する方法、 窒素、アルゴンなどのガスをバブリングすることによ
り、組成物中からアルカリ触媒を除去する方法、 イオン交換樹脂により、組成物中からアルカリ触媒を
除く方法、 などが挙げられる。これらの方法は、それぞれ、組み合
わせて用いてもよい。
物(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシ
ラン化合物を、アルキルアミンの存在下に加水分解・縮
合して、加水分解縮合物とし、好ましくはその慣性半径
を5〜50nmとなすが、その後、組成物のpHを7以
下に調整することが好ましい。pHを調整する方法とし
ては、 pH調整剤を添加する方法、 常圧または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒を留
去する方法、 窒素、アルゴンなどのガスをバブリングすることによ
り、組成物中からアルカリ触媒を除去する方法、 イオン交換樹脂により、組成物中からアルカリ触媒を
除く方法、 などが挙げられる。これらの方法は、それぞれ、組み合
わせて用いてもよい。
【0026】ここで、上記pH調整剤としては、無機酸
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、イタコン酸、シトラ
コン酸、メサコン酸、クロトン酸、グルタル酸などを挙
げることができる。
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、イタコン酸、シトラ
コン酸、メサコン酸、クロトン酸、グルタル酸などを挙
げることができる。
【0027】上記pH調整剤による組成物のpHは、7
以下、好ましくは1〜6に調整される。このように、加
水分解縮合物の慣性半径を5〜50nmとなしたのち、
上記pH調整剤により上記範囲内にpHを調整すること
により、得られる組成物の貯蔵安定性が向上するという
効果が得られる。pH調整剤の使用量は、組成物のpH
が上記範囲内となる量であり、その使用量は、適宜選択
される。
以下、好ましくは1〜6に調整される。このように、加
水分解縮合物の慣性半径を5〜50nmとなしたのち、
上記pH調整剤により上記範囲内にpHを調整すること
により、得られる組成物の貯蔵安定性が向上するという
効果が得られる。pH調整剤の使用量は、組成物のpH
が上記範囲内となる量であり、その使用量は、適宜選択
される。
【0028】(B)有機溶媒 本発明の膜形成用組成物は、(A)成分を、通常、
(B)有機溶媒に溶解または分散してなる。この(B)
有機溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、
アミド系溶媒、エステル系溶媒および非プロトン系溶媒
の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。ここ
で、アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノ
ール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタ
ノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メ
チルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノ
ール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2
−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エ
チルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタノール
−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、s
ec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−
ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、sec−
ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、
sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシ
ルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチ
ルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロ
ヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコ
ールなどのモノアルコール系溶媒;
(B)有機溶媒に溶解または分散してなる。この(B)
有機溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、
アミド系溶媒、エステル系溶媒および非プロトン系溶媒
の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。ここ
で、アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノ
ール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタ
ノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メ
チルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノ
ール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2
−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エ
チルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタノール
−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、s
ec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−
ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、sec−
ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、
sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシ
ルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチ
ルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロ
ヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコ
ールなどのモノアルコール系溶媒;
【0029】エチレングリコール、1,2−プロピレン
グリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,
4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−
2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
グリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,
4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−
2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
【0030】これらアルコールのうち、n−プロパノー
ル、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノー
ル、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタ
ノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、s
ec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシ
ブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノー
ル、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチル
エーテルなどが好ましい。
ル、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノー
ル、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタ
ノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、s
ec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシ
ブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノー
ル、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチル
エーテルなどが好ましい。
【0031】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−
n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチ
ルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−
ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、2,
4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5
−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−
オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナ
ンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,
2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、
1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時
に使用してもよい。
エチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−
n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチ
ルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−
ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、2,
4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5
−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−
オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナ
ンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,
2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、
1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時
に使用してもよい。
【0032】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、N
−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、
N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオン
アミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリ
ン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジ
ン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジ
ン、N−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用し
てもよい。
−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、
N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオン
アミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリ
ン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジ
ン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジ
ン、N−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用し
てもよい。
【0033】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブ
チル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸
3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エ
チルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、1
種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。非プロト
ン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキ
シド、N,N,N´,N´−テトラエチルスルファミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、N−メチルモルホ
ロン、N−メチルピロール、N−エチルピロール、N−
メチル−Δ3 −ピロリン、N−メチルピペリジン、N−
エチルピペリジン、N,N−ジメチルピペラジン、N−
メチルイミダゾール、N−メチル−4−ピペリドン、N
−メチル−2−ピペリドン、N−メチル−2−ピロリド
ン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3
−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノンな
どを挙げることができる。以上の(B)有機溶媒は、1
種あるいは2種以上を混合して使用することができる。
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブ
チル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸
3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エ
チルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、1
種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。非プロト
ン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキ
シド、N,N,N´,N´−テトラエチルスルファミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、N−メチルモルホ
ロン、N−メチルピロール、N−エチルピロール、N−
メチル−Δ3 −ピロリン、N−メチルピペリジン、N−
エチルピペリジン、N,N−ジメチルピペラジン、N−
メチルイミダゾール、N−メチル−4−ピペリドン、N
−メチル−2−ピペリドン、N−メチル−2−ピロリド
ン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3
−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノンな
どを挙げることができる。以上の(B)有機溶媒は、1
種あるいは2種以上を混合して使用することができる。
【0034】本発明の膜形成用組成物は、(A)成分を
構成する化合物(1)〜(3)を加水分解および/また
は縮合する際に、同様の溶媒を使用することができる。
構成する化合物(1)〜(3)を加水分解および/また
は縮合する際に、同様の溶媒を使用することができる。
【0035】具体的には、化合物(1)〜(3)を溶解
させた溶媒中に水または溶媒で希釈した水を断続的ある
いは連続的に添加する。この際、アルカリ性化合物は溶
媒中に予め添加しておいてもよいし、水添加時に水中に
溶解あるいは分散させておいてもよい。この際の反応温
度としては、通常、0〜100℃、好ましくは15〜9
0℃である。
させた溶媒中に水または溶媒で希釈した水を断続的ある
いは連続的に添加する。この際、アルカリ性化合物は溶
媒中に予め添加しておいてもよいし、水添加時に水中に
溶解あるいは分散させておいてもよい。この際の反応温
度としては、通常、0〜100℃、好ましくは15〜9
0℃である。
【0036】その他の添加剤 本発明の膜形成用組成物には、界面活性剤、さらにコロ
イド状シリカ、コロイド状アルミナなどの成分を添加し
てもよい。
イド状シリカ、コロイド状アルミナなどの成分を添加し
てもよい。
【0037】本発明に用いられる界面活性剤としては特
に制限はないが、例えば、シリコーン系界面活性剤、カ
チオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン
系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、
アクリル系界面活性剤などが挙げられ、これらは、1種
単独であるいは2種以上を併用することができる。界面
活性剤としては、シリコーン系、ノニオン系、フッ素
系、アクリル系界面活性剤が好ましく、なかでも成膜性
に優れ、金属腐食性ガスが発生しないことから、シリコ
ーン系界面活性剤が特に好ましい。
に制限はないが、例えば、シリコーン系界面活性剤、カ
チオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン
系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、
アクリル系界面活性剤などが挙げられ、これらは、1種
単独であるいは2種以上を併用することができる。界面
活性剤としては、シリコーン系、ノニオン系、フッ素
系、アクリル系界面活性剤が好ましく、なかでも成膜性
に優れ、金属腐食性ガスが発生しないことから、シリコ
ーン系界面活性剤が特に好ましい。
【0038】ここで、シリコーン系界面活性剤として
は、特に制限はないが、例えば、ジメチルポリシロキサ
ン−ポリオキシアルキレン共重合体を挙げることができ
る。シリコーン系界面活性剤の市販品としては、オルガ
ノシロキサンポリマーKP341〔信越化学工業(株)
製〕、SH7PA、SH21PA、SH28PA、SH
30PA、ST94PA(いずれも東レ・ダウコーニン
グ・シリコーン製)などを挙げることができる。
は、特に制限はないが、例えば、ジメチルポリシロキサ
ン−ポリオキシアルキレン共重合体を挙げることができ
る。シリコーン系界面活性剤の市販品としては、オルガ
ノシロキサンポリマーKP341〔信越化学工業(株)
製〕、SH7PA、SH21PA、SH28PA、SH
30PA、ST94PA(いずれも東レ・ダウコーニン
グ・シリコーン製)などを挙げることができる。
【0039】また、カチオン系界面活性剤としては、ア
ルキルアミン塩、第4級アンモニウム塩、ポリオキシア
ルキルアミンなどが挙げられる。さらに、アニオン系界
面活性剤としては、脂肪酸塩、高級アルコール硫酸塩、
アルキルベンゼンスルホン酸塩、ジフェニルエーテルジ
スルホン酸塩、ジアルキルジスルホサクシネート、アル
キルホスフェート塩、ポリオキシエチレンサルフェート
塩などが挙げられる。
ルキルアミン塩、第4級アンモニウム塩、ポリオキシア
ルキルアミンなどが挙げられる。さらに、アニオン系界
面活性剤としては、脂肪酸塩、高級アルコール硫酸塩、
アルキルベンゼンスルホン酸塩、ジフェニルエーテルジ
スルホン酸塩、ジアルキルジスルホサクシネート、アル
キルホスフェート塩、ポリオキシエチレンサルフェート
塩などが挙げられる。
【0040】さらに、ノニオン系界面活性剤としては、
特に制限はないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシ
エチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオク
チルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテ
ル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエ
チレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアル
キルエステル類;ソルビタン脂肪酸エステル類;脂肪酸
変性ポリオキシエチレン類;ポリオキシエチレン−ポリ
オキシプロピレンブロック共重合体などを挙げることが
できる。
特に制限はないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシ
エチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオク
チルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテ
ル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエ
チレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアル
キルエステル類;ソルビタン脂肪酸エステル類;脂肪酸
変性ポリオキシエチレン類;ポリオキシエチレン−ポリ
オキシプロピレンブロック共重合体などを挙げることが
できる。
【0041】さらに、両性界面活性剤としては、特に制
限はないが、先に挙げたアニオン系界面活性剤、カチオ
ン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤の2つ以上が組
み合わされた構造のものが挙げられる。
限はないが、先に挙げたアニオン系界面活性剤、カチオ
ン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤の2つ以上が組
み合わされた構造のものが挙げられる。
【0042】フッ素系界面活性剤としては、例えば1,
1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−
テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)
エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,
2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロ
ロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフ
ロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ
デカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンア
ミド)プロピル]- N,N′−ジメチル−N−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル
−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖および側鎖の
少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフル
オロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面
活性剤を挙げることができる。
1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−
テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)
エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,
2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロ
ロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフ
ロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ
デカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンア
ミド)プロピル]- N,N′−ジメチル−N−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル
−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖および側鎖の
少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフル
オロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面
活性剤を挙げることができる。
【0043】フッ素系界面活性剤の市販品としては、メ
ガファックF142D、同F172、同F173、同F
183〔以上、大日本インキ化学工業(株)製〕、エフ
トップEF301、同303、同352〔新秋田化成
(株)製〕、フロラードFC−430、同FC−431
〔住友スリーエム(株)製〕、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−
102、同SC−103、同SC−104、同SC−1
05、同SC−106〔旭硝子(株)製〕、BM−10
00、BM−1100〔裕商(株)製〕、NBX−15
〔(株)ネオス〕などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックF172,BM−1000,BM−11
00,NBX−15が特に好ましい。
ガファックF142D、同F172、同F173、同F
183〔以上、大日本インキ化学工業(株)製〕、エフ
トップEF301、同303、同352〔新秋田化成
(株)製〕、フロラードFC−430、同FC−431
〔住友スリーエム(株)製〕、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−
102、同SC−103、同SC−104、同SC−1
05、同SC−106〔旭硝子(株)製〕、BM−10
00、BM−1100〔裕商(株)製〕、NBX−15
〔(株)ネオス〕などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックF172,BM−1000,BM−11
00,NBX−15が特に好ましい。
【0044】本発明で使用することのできるアクリル系
界面活性剤としては、(メタ)アクリル酸系共重合体な
どを挙げることができ、ポリフローNo. 57,95〔共
栄社油脂化学工業(株)製〕などの名称で市販されてい
るものを挙げることができる。
界面活性剤としては、(メタ)アクリル酸系共重合体な
どを挙げることができ、ポリフローNo. 57,95〔共
栄社油脂化学工業(株)製〕などの名称で市販されてい
るものを挙げることができる。
【0045】コロイド状シリカとは、例えば、高純度の
無水ケイ酸を上記親水性有機溶媒に分散した分散液であ
り、通常、平均粒径が5〜30nm、好ましくは10〜
20nm、固形分濃度が10〜40重量%程度のもので
ある。このような、コロイド状シリカとしては、例え
ば、日産化学工業(株)製、メタノールシリカゾルおよ
びイソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業(株)
製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナと
しては、日産化学工業(株)製のアルミナゾル520、
同100、同200;川研ファインケミカル(株)製の
アルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、同132な
どが挙げられる。
無水ケイ酸を上記親水性有機溶媒に分散した分散液であ
り、通常、平均粒径が5〜30nm、好ましくは10〜
20nm、固形分濃度が10〜40重量%程度のもので
ある。このような、コロイド状シリカとしては、例え
ば、日産化学工業(株)製、メタノールシリカゾルおよ
びイソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業(株)
製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナと
しては、日産化学工業(株)製のアルミナゾル520、
同100、同200;川研ファインケミカル(株)製の
アルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、同132な
どが挙げられる。
【0046】膜形成用組成物の調製方法 本発明の膜形成用組成物を調製するに際しては、例え
ば、溶媒中化合物(1)〜(3)を混合して、水を連続
的または断続的に添加して、加水分解し、縮合し、
(A)成分を調製したのち、これに(B)成分を添加す
ればよく、特に限定されない。
ば、溶媒中化合物(1)〜(3)を混合して、水を連続
的または断続的に添加して、加水分解し、縮合し、
(A)成分を調製したのち、これに(B)成分を添加す
ればよく、特に限定されない。
【0047】本発明の組成物の調製方法の具体例として
は、下記〜の方法などを挙げることができる。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)、アルカ
リ性化合物および(B)有機溶媒からなる混合物に、所
定量の水を加えて、加水分解・縮合反応を行う方法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)、アルカ
リ性化合物および(B)有機溶媒からなる混合物に、所
定量の水を連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解、縮合反応う方法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)および
(B)有機溶媒からなる混合物に、所定量の水およびア
ルカリ性化合物を加えて、加水分解・縮合反応を行う方
法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)および
(B)成分からなる混合物に、所定量の水およびアルカ
リ性化合物を連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解、縮合反応を行なう方法。
は、下記〜の方法などを挙げることができる。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)、アルカ
リ性化合物および(B)有機溶媒からなる混合物に、所
定量の水を加えて、加水分解・縮合反応を行う方法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)、アルカ
リ性化合物および(B)有機溶媒からなる混合物に、所
定量の水を連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解、縮合反応う方法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)および
(B)有機溶媒からなる混合物に、所定量の水およびア
ルカリ性化合物を加えて、加水分解・縮合反応を行う方
法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)および
(B)成分からなる混合物に、所定量の水およびアルカ
リ性化合物を連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解、縮合反応を行なう方法。
【0048】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、2〜30重量%であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が2〜30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記(B)有機溶媒による希釈によって行われる。
全固形分濃度は、好ましくは、2〜30重量%であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が2〜30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記(B)有機溶媒による希釈によって行われる。
【0049】本発明の組成物を用いて膜を形成するに
は、まず本発明の組成物を基板に塗布し、塗膜を形成す
る。ここで、本発明の組成物を塗布することができる基
板としては、半導体、ガラス、セラミックス、金属など
が挙げられる。また、塗布方法としては、スピンコー
ト、ディッピング、ローラーブレードなどが挙げられ
る。本発明の組成物は、特にシリコンウエハ、SiO2
ウエハ、SiNウエハなどの上に塗布され、絶縁膜とす
ることに適している。
は、まず本発明の組成物を基板に塗布し、塗膜を形成す
る。ここで、本発明の組成物を塗布することができる基
板としては、半導体、ガラス、セラミックス、金属など
が挙げられる。また、塗布方法としては、スピンコー
ト、ディッピング、ローラーブレードなどが挙げられ
る。本発明の組成物は、特にシリコンウエハ、SiO2
ウエハ、SiNウエハなどの上に塗布され、絶縁膜とす
ることに適している。
【0050】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、1回塗
りで厚さ0.05〜1.5μm程度、2回塗りでは厚さ
0.1〜3μm程度の塗膜を形成することができる。形
成する塗膜の厚さは、通常、0.2〜20μmである。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブ
ン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気
としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空
下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうこ
とができる。また、上記の(A)成分の硬化速度を制御
するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、
空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができ
る。このようにして得られる本発明のシリカ系膜は、膜
密度が、通常、0.35〜1.2g/cm3 、好ましく
は0.4〜1.1g/cm3 、さらに好ましくは0.5
〜1.0g/cm3 である。膜密度が0.35g/cm
3 未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一方、1.2
g/cm3 を超えると低比誘電率が得られない。また、
本発明のシリカ系膜は、BJH法による細孔分布測定に
おいて、10nm以上の空孔が認められず、微細配線間
の層間絶縁膜材料として好ましい。さらに、本発明のシ
リカ系膜は、吸水性が低い点に特徴を有し、例えば、塗
膜を127℃、2.5atm、100%RHの環境に1
時間放置した場合、放置後の塗膜のIRスペクトル観察
からは塗膜への水の吸着は認められない。この吸水性
は、本発明における膜形成用組成物に用いられる化合物
(1)のテトラアルコキシシラン類の量により、調整す
ることができる。さらに、本発明のシリカ系膜の比誘電
率は、低比誘電率であり、通常、2.5〜1.2、好ま
しくは2.4〜1.2である。
りで厚さ0.05〜1.5μm程度、2回塗りでは厚さ
0.1〜3μm程度の塗膜を形成することができる。形
成する塗膜の厚さは、通常、0.2〜20μmである。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブ
ン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気
としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空
下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうこ
とができる。また、上記の(A)成分の硬化速度を制御
するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、
空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができ
る。このようにして得られる本発明のシリカ系膜は、膜
密度が、通常、0.35〜1.2g/cm3 、好ましく
は0.4〜1.1g/cm3 、さらに好ましくは0.5
〜1.0g/cm3 である。膜密度が0.35g/cm
3 未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一方、1.2
g/cm3 を超えると低比誘電率が得られない。また、
本発明のシリカ系膜は、BJH法による細孔分布測定に
おいて、10nm以上の空孔が認められず、微細配線間
の層間絶縁膜材料として好ましい。さらに、本発明のシ
リカ系膜は、吸水性が低い点に特徴を有し、例えば、塗
膜を127℃、2.5atm、100%RHの環境に1
時間放置した場合、放置後の塗膜のIRスペクトル観察
からは塗膜への水の吸着は認められない。この吸水性
は、本発明における膜形成用組成物に用いられる化合物
(1)のテトラアルコキシシラン類の量により、調整す
ることができる。さらに、本発明のシリカ系膜の比誘電
率は、低比誘電率であり、通常、2.5〜1.2、好ま
しくは2.4〜1.2である。
【0051】本発明の低密度膜は、絶縁性に優れ、塗布
膜の均一性、誘電特性、塗膜の耐クラック性、塗膜の表
面硬度に優れることから、LSI、システムLSI、D
RAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなど
の半導体素子用層間絶縁膜、半導体素子の表面コート膜
などの保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素
子用の保護膜や絶縁防止膜などの用途に有用である。
膜の均一性、誘電特性、塗膜の耐クラック性、塗膜の表
面硬度に優れることから、LSI、システムLSI、D
RAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなど
の半導体素子用層間絶縁膜、半導体素子の表面コート膜
などの保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素
子用の保護膜や絶縁防止膜などの用途に有用である。
【0052】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量%であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量%であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。
【0053】慣性半径 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー(GPC)(屈折率,粘度,光散乱測定)法により測
定した。試料溶液:シラン化合物の加水分解縮合物を、
固形分濃度が0.25%となるように、10mMのLi
Brを含むメタノールで希釈し、GPC(屈折率,粘
度,光散乱測定)用試料溶液とした。 装置:東ソー(株)製、GPCシステム モデル GP
C−8020 東ソー(株)製、カラム Alpha5000/300
0 ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル T−60 デュアルメーター キャリア溶液:10mMのLiBrを含むメタノール キャリア送液速度:1ml/min カラム温度:40℃比誘電率 得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パタ
ーンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該
サンプルを周波数100kHzの周波数で、横河・ヒュ
ーレットパッカード(株)製、HP16451B電極お
よびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いて
CV法により当該塗膜の比誘電率を測定した。弾性率(ヤング率 ) 得られた膜を、ナノインデンターXP(ナノインスツル
メント社製)を用いて、連続剛性測定法により測定し
た。
ー(GPC)(屈折率,粘度,光散乱測定)法により測
定した。試料溶液:シラン化合物の加水分解縮合物を、
固形分濃度が0.25%となるように、10mMのLi
Brを含むメタノールで希釈し、GPC(屈折率,粘
度,光散乱測定)用試料溶液とした。 装置:東ソー(株)製、GPCシステム モデル GP
C−8020 東ソー(株)製、カラム Alpha5000/300
0 ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル T−60 デュアルメーター キャリア溶液:10mMのLiBrを含むメタノール キャリア送液速度:1ml/min カラム温度:40℃比誘電率 得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パタ
ーンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該
サンプルを周波数100kHzの周波数で、横河・ヒュ
ーレットパッカード(株)製、HP16451B電極お
よびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いて
CV法により当該塗膜の比誘電率を測定した。弾性率(ヤング率 ) 得られた膜を、ナノインデンターXP(ナノインスツル
メント社製)を用いて、連続剛性測定法により測定し
た。
【0054】実施例1 40%メチルアミン水溶液6g、超純水228gおよび
エタノール570gの混合溶液中に、メチルトリメトキ
シシラン13.6g(完全加水分解縮合物換算6.7
g)とテトラエトキシシラン20.9g(完全加水分解
縮合物6g)を加えて、60℃で2時間反応させたの
ち、プロピレングリコールモノプロピルエーテル200
gを加え、その後、減圧下で全溶液量116gとなるま
で濃縮し、その後、酢酸の10%プロピレングリコール
モノプロピルエーテル溶液10gを添加し、固形分含有
量10%の組成物溶液を得た。得られた組成物溶液中の
加水分解縮合物の慣性は12nmであった。 実施例2 実施例1において40%メチルアミン水溶液6gのかわ
りに25%アンモニア水溶液98gを用いた以外は実施
例1と同様にして固形分含有量10%の組成物溶液を得
た。得られた組成物溶液中の加水分解縮合物の慣性は1
4nmであった。 実施例3 40%メチルアミン水溶液27g、超純水137gおよ
びエタノール342gの混合溶液中に、メチルトリメト
キシシラン13.6g(完全加水分解縮合物換算6.7
g)とテトラエトキシシラン28.7g(完全加水分解
縮合物6g)を加えて、60℃で2時間反応させたの
ち、プロピレングリコールモノプロピルエーテル200
gを加え、その後、減圧下で全溶液量116gとなるま
で濃縮し、その後、酢酸の10%プロピレングリコール
モノプロピルエーテル溶液10gを添加し、固形分含有
量10%の組成物溶液を得た。得られた組成物溶液中の
加水分解縮合物の慣性は26nmであった。
エタノール570gの混合溶液中に、メチルトリメトキ
シシラン13.6g(完全加水分解縮合物換算6.7
g)とテトラエトキシシラン20.9g(完全加水分解
縮合物6g)を加えて、60℃で2時間反応させたの
ち、プロピレングリコールモノプロピルエーテル200
gを加え、その後、減圧下で全溶液量116gとなるま
で濃縮し、その後、酢酸の10%プロピレングリコール
モノプロピルエーテル溶液10gを添加し、固形分含有
量10%の組成物溶液を得た。得られた組成物溶液中の
加水分解縮合物の慣性は12nmであった。 実施例2 実施例1において40%メチルアミン水溶液6gのかわ
りに25%アンモニア水溶液98gを用いた以外は実施
例1と同様にして固形分含有量10%の組成物溶液を得
た。得られた組成物溶液中の加水分解縮合物の慣性は1
4nmであった。 実施例3 40%メチルアミン水溶液27g、超純水137gおよ
びエタノール342gの混合溶液中に、メチルトリメト
キシシラン13.6g(完全加水分解縮合物換算6.7
g)とテトラエトキシシラン28.7g(完全加水分解
縮合物6g)を加えて、60℃で2時間反応させたの
ち、プロピレングリコールモノプロピルエーテル200
gを加え、その後、減圧下で全溶液量116gとなるま
で濃縮し、その後、酢酸の10%プロピレングリコール
モノプロピルエーテル溶液10gを添加し、固形分含有
量10%の組成物溶液を得た。得られた組成物溶液中の
加水分解縮合物の慣性は26nmであった。
【0055】比較例1 (1)実施例1(1)において 40%メチルアミン水
溶液6gの代わりに25%アンモニア水溶液1gを用い
た以外は、参考例1と同様の操作を行ない、固形分含有
量10%の組成物溶液を得た。得られた組成物溶液中の
加水分解縮合物の慣性は8nmであった。 膜の形成 上記実施例1〜3および比較例1で得られた組成物を、
8インチシリコンウエハ上にスピンコート法により塗布
し、大気中80℃で5分間、次いで窒素下200℃で5
分間加熱したのち、さらに真空下で340℃、360
℃、380℃の順でそれぞれ30分間ずつ加熱し、さら
に真空下425℃で1時間加熱し、無色透明のシリカ系
膜を形成した。得られたシリカ系膜について前述の評価
を行った。結果を表1に示す。
溶液6gの代わりに25%アンモニア水溶液1gを用い
た以外は、参考例1と同様の操作を行ない、固形分含有
量10%の組成物溶液を得た。得られた組成物溶液中の
加水分解縮合物の慣性は8nmであった。 膜の形成 上記実施例1〜3および比較例1で得られた組成物を、
8インチシリコンウエハ上にスピンコート法により塗布
し、大気中80℃で5分間、次いで窒素下200℃で5
分間加熱したのち、さらに真空下で340℃、360
℃、380℃の順でそれぞれ30分間ずつ加熱し、さら
に真空下425℃で1時間加熱し、無色透明のシリカ系
膜を形成した。得られたシリカ系膜について前述の評価
を行った。結果を表1に示す。
【0056】
【表1】
【0057】
【発明の効果】本発明によれば、低誘電性に優れかつ機
械的強度の改良されたシリカ系膜が形成可能な膜形成用
組成物を提供することができる。
械的強度の改良されたシリカ系膜が形成可能な膜形成用
組成物を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // C09D 183/04 C09D 183/04 183/14 183/14
Claims (7)
- 【請求項1】 (A)下記一般式(1)で表される化
合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一
般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくと
も1種のシラン化合物を、シラン化合物1モルに対して
0.1モル以上のアルカリ性化合物の存在下で加水分解
し、縮合した加水分解縮合物 Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c・・・・ (3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶
媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。 - 【請求項2】 アルカリ性化合物がシラン化合物1モル
に対して0.5モル以上であることを特徴とする請求項
1記載の膜形成用組成物。 - 【請求項3】 アルカリ性化合物がアンモニアおよび有
機アミンからなる群より選ばれることを特徴とする請求
項1記載の膜形成用組成物。 - 【請求項4】 有機アミンがアルキルアミン、アルカノ
ールアミンおよびアリールアミンであることを特徴とす
る請求項3記載の膜形成用組成物。 - 【請求項5】 有機溶媒中、下記一般式(1)で表され
る化合物、下記一般式(2)で表される化合物、および
下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少
なくとも1種のシラン化合物をシラン化合物1モルに対
して0.1モル以上のアルカリ性化合物の存在下で加水
分解し、縮合することを特徴とする膜形成用組成物の製
造方法。 Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c ・ ・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕 - 【請求項6】 請求項1〜4項記載の膜形成用組成物
を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜の形成方
法。 - 【請求項7】 請求項6記載の膜の形成方法によって
得られるシリカ系膜。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000051136A JP2001115028A (ja) | 1999-08-12 | 2000-02-28 | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
US09/791,619 US6413647B1 (en) | 2000-02-28 | 2001-02-26 | Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film |
EP20010104721 EP1127929B1 (en) | 2000-02-28 | 2001-02-26 | Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film |
DE60138327T DE60138327D1 (de) | 2000-02-28 | 2001-02-26 | Zusammensetzung zur Filmerzeugung, Verfahren zur Filmerzeugung und Filme auf Basis von Siliciumoxid |
KR1020010009913A KR100710789B1 (ko) | 2000-02-28 | 2001-02-27 | 막 형성용 조성물, 막 형성 방법 및 실리카계 막 |
TW90104459A TWI290573B (en) | 2000-02-28 | 2001-02-27 | Composition for film formation and method of film formation |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-228498 | 1999-08-12 | ||
JP22849899 | 1999-08-12 | ||
JP2000051136A JP2001115028A (ja) | 1999-08-12 | 2000-02-28 | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001115028A true JP2001115028A (ja) | 2001-04-24 |
Family
ID=26528287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000051136A Abandoned JP2001115028A (ja) | 1999-08-12 | 2000-02-28 | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001115028A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004359953A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | シロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜 |
US7119354B2 (en) | 2003-04-09 | 2006-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film |
US7126208B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7132473B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7205338B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-04-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7239018B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-07-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming a porous film prepared by hydrolysis and condensation of an alkoxysilane using a trialkylmethylammonium hydroxide catalyst |
US7332446B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-02-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film and semiconductor device |
US7341775B2 (en) | 2002-11-13 | 2008-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7357961B2 (en) | 2003-04-09 | 2008-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
KR100890321B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2009-03-26 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 적층체, 적층체의 형성 방법, 절연막 및 반도체용 기판 |
-
2000
- 2000-02-28 JP JP2000051136A patent/JP2001115028A/ja not_active Abandoned
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100890321B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2009-03-26 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 적층체, 적층체의 형성 방법, 절연막 및 반도체용 기판 |
US7126208B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7132473B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7341775B2 (en) | 2002-11-13 | 2008-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7205338B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-04-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
US7239018B2 (en) | 2003-03-10 | 2007-07-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming a porous film prepared by hydrolysis and condensation of an alkoxysilane using a trialkylmethylammonium hydroxide catalyst |
US7332446B2 (en) | 2003-03-27 | 2008-02-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film and semiconductor device |
US7119354B2 (en) | 2003-04-09 | 2006-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film |
US7357961B2 (en) | 2003-04-09 | 2008-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device |
JP2004359953A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | シロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100710789B1 (ko) | 막 형성용 조성물, 막 형성 방법 및 실리카계 막 | |
JP5110239B2 (ja) | 有機シリカ系膜の形成方法、膜形成用組成物 | |
JP2001354904A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JPWO2005108469A1 (ja) | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 | |
JP3906916B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜形成方法および膜 | |
JP4662000B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜 | |
JP2005159033A (ja) | 膜形成用組成物およびその製造方法 | |
JP2001115028A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP4158001B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 | |
JP2003064305A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP4022802B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜 | |
JP4862217B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2005179587A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2004059738A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP4101989B2 (ja) | ポリオルガノシロキサン系組成物の製造方法、ポリオルガノシロキサン系組成物、および膜 | |
JP4572444B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001254052A (ja) | 膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001294809A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP4678080B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001354901A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001294811A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2002285085A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001354903A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001335745A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001329218A (ja) | シリコーン含有組成物および膜形成用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050517 |