JP2001181089A - 薄膜積層体、強誘電体薄膜素子およびそれらの製造方法 - Google Patents
薄膜積層体、強誘電体薄膜素子およびそれらの製造方法Info
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- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｓｉ基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強
誘電体薄膜を形成させうる機能を持つ下地金属薄膜およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】単結晶Ｓｉ基板と、単結晶Ｓｉ基板上にエ
ピタキシャル成長したＭｇＯバッファ層と、ＭｇＯバッ
ファ層上にエピタキシャル成長したＩｒまたはＲｈから
なる金属薄膜とを有してなる薄膜積層体を形成する。
誘電体薄膜を形成させうる機能を持つ下地金属薄膜およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】単結晶Ｓｉ基板と、単結晶Ｓｉ基板上にエ
ピタキシャル成長したＭｇＯバッファ層と、ＭｇＯバッ
ファ層上にエピタキシャル成長したＩｒまたはＲｈから
なる金属薄膜とを有してなる薄膜積層体を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｉ基板を用いた
強誘電体薄膜素子、例えば、ＤＲＡＭや強誘電体ＲＡＭ
（ＦｅＲＡＭ）用のキャパシタや、焦電素子、マイクロ
アクチュエーター、薄膜キャパシタ、小型圧電素子等に
応用が可能な薄膜積層体およびそれらの製造方法に関
し、詳しくは、Ｓｉ基板上にバッファ層を介してエピタ
キシャル成長させた金属薄膜およびその製造方法に関す
る。
強誘電体薄膜素子、例えば、ＤＲＡＭや強誘電体ＲＡＭ
（ＦｅＲＡＭ）用のキャパシタや、焦電素子、マイクロ
アクチュエーター、薄膜キャパシタ、小型圧電素子等に
応用が可能な薄膜積層体およびそれらの製造方法に関
し、詳しくは、Ｓｉ基板上にバッファ層を介してエピタ
キシャル成長させた金属薄膜およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、（Ｂ
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3（以下、ＢＳＴと略称する）、Ｐｂ
ＴｉＯ3、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3（以下、ＰＺＴと略称する）、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3（以下、ＰＬＺＴと略称する）、Ｐｂ
（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3等の誘電体・強誘電体をＳｉ基板上
へ薄膜形成する技術が盛んに研究されている。
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3（以下、ＢＳＴと略称する）、Ｐｂ
ＴｉＯ3、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3（以下、ＰＺＴと略称する）、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ3（以下、ＰＬＺＴと略称する）、Ｐｂ
（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3等の誘電体・強誘電体をＳｉ基板上
へ薄膜形成する技術が盛んに研究されている。
【０００３】とりわけ、残留分極の大きなＰＺＴ、ＰＬ
ＺＴ等のＰｂ系ペロブスカイト型強誘電体をエピタキシ
ャル成長させることができれば、自発分極を一方向に揃
えることができ、より大きな分極値とスイッチング特性
を実現することができる。これにより、高密度記録媒体
としての応用可能性も飛躍的に高まるため、Ｓｉ基板上
に結晶性の良好な強誘電体薄膜を形成する手法の確立が
強く望まれている。
ＺＴ等のＰｂ系ペロブスカイト型強誘電体をエピタキシ
ャル成長させることができれば、自発分極を一方向に揃
えることができ、より大きな分極値とスイッチング特性
を実現することができる。これにより、高密度記録媒体
としての応用可能性も飛躍的に高まるため、Ｓｉ基板上
に結晶性の良好な強誘電体薄膜を形成する手法の確立が
強く望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のよう
に、自発分極を膜厚方向の一方向にそろえる用途の場
合、Ｓｉ基板上に強誘電体薄膜を上下から金属薄膜（電
極層）で挟み込んだいわゆるＭＦＭ（金属−強誘電体−
金属）構造が一般的に用いられている。しかしながら、
この構造においては以下に述べる理由から強誘電体薄膜
の結晶性を向上させることが難しく、いまだ十分に満足
のゆく結晶性を有する強誘電体薄膜が得られていない。
に、自発分極を膜厚方向の一方向にそろえる用途の場
合、Ｓｉ基板上に強誘電体薄膜を上下から金属薄膜（電
極層）で挟み込んだいわゆるＭＦＭ（金属−強誘電体−
金属）構造が一般的に用いられている。しかしながら、
この構造においては以下に述べる理由から強誘電体薄膜
の結晶性を向上させることが難しく、いまだ十分に満足
のゆく結晶性を有する強誘電体薄膜が得られていない。
【０００５】すなわち、Ｓｉ基板上に形成する金属薄膜
（下部電極）として、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属
材料を用いると、該下部電極上に強誘電体薄膜を形成す
る際に金属薄膜と強誘電体薄膜との界面に金属酸化膜が
形成される。また、上述の金属材料はＳｉ基板との間で
相互拡散が生じやすく、Ｓｉ基板上に半導体素子等が形
成されている場合には、その特性を変化させる恐れがあ
る。
（下部電極）として、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属
材料を用いると、該下部電極上に強誘電体薄膜を形成す
る際に金属薄膜と強誘電体薄膜との界面に金属酸化膜が
形成される。また、上述の金属材料はＳｉ基板との間で
相互拡散が生じやすく、Ｓｉ基板上に半導体素子等が形
成されている場合には、その特性を変化させる恐れがあ
る。
【０００６】また、金属薄膜としてＰｔを用いる手法も
考えられる。Ｐｔは大気中でも酸化されにくく、かつＰ
ＺＴやＰＬＺＴ、ＢＳＴ等の強誘電体とも格子整合しや
すいという利点を有している。しかし、ＰｔはＳｉやＰ
ｂ等の元素と化合物を形成しやすいという性質を有して
いるため、Ｓｉ基板上に形成された半導体素子の特性を
変化させたり、Ｐｂを含有する強誘電体と界面において
化合物を形成し、上に形成される強誘電体薄膜の結晶性
を劣化させる恐れがあった。また、Ｐｔ薄膜の粒界を通
じて酸素が下層に拡散する現象も見られ、Ｐｔ自体は酸
化されにくいものの、例えば半導体素子等、Ｐｔ薄膜の
下層に位置する素子や膜の特性に悪影響を与える恐れが
あった。
考えられる。Ｐｔは大気中でも酸化されにくく、かつＰ
ＺＴやＰＬＺＴ、ＢＳＴ等の強誘電体とも格子整合しや
すいという利点を有している。しかし、ＰｔはＳｉやＰ
ｂ等の元素と化合物を形成しやすいという性質を有して
いるため、Ｓｉ基板上に形成された半導体素子の特性を
変化させたり、Ｐｂを含有する強誘電体と界面において
化合物を形成し、上に形成される強誘電体薄膜の結晶性
を劣化させる恐れがあった。また、Ｐｔ薄膜の粒界を通
じて酸素が下層に拡散する現象も見られ、Ｐｔ自体は酸
化されにくいものの、例えば半導体素子等、Ｐｔ薄膜の
下層に位置する素子や膜の特性に悪影響を与える恐れが
あった。
【０００７】この点、面心立方構造を有するＩｒやＲｈ
は、Ｐｔと同様に導電率が高く、またＰｔに比べて加工
が容易である上、酸素の拡散バリア機能を有しており、
酸素がＩｒ薄膜を通過して下層に拡散するという現象は
生じない。また、他元素と反応を起しにくいので、Ｐｔ
を用いたときのような半導体素子の特性の変化や強誘電
体薄膜の結晶性の劣化といった問題を抑制することがで
きる。
は、Ｐｔと同様に導電率が高く、またＰｔに比べて加工
が容易である上、酸素の拡散バリア機能を有しており、
酸素がＩｒ薄膜を通過して下層に拡散するという現象は
生じない。また、他元素と反応を起しにくいので、Ｐｔ
を用いたときのような半導体素子の特性の変化や強誘電
体薄膜の結晶性の劣化といった問題を抑制することがで
きる。
【０００８】このように、Ｉｒ、Ｒｈは結晶性の良好な
強誘電体薄膜を作製するための電極層として好適な材料
であるといえる。しかしながら、Ｓｉ基板上にＩｒ、Ｒ
ｈ薄膜を形成する場合、従来の方法ではエピタキシャル
成長をさせることは困難であった。例えば、中村等はＰ
ＺＴ薄膜キャパシタの電極としてＩｒ薄膜をＳｉＯ2／
Ｓｉ基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法を用い
て形成したが（Jpn.J.Appl.Phys. Vol.34 (1995),518
4）、得られたＩｒ薄膜はエピタキシャル膜にはなら
ず、（１１１）優先配向膜であった。また、堀井等はＹ
ＳＺ／Ｓｉ基板上にＩｒ薄膜をスパッタリング法により
形成したが（第４５回応用物理学関係連合講演会（199
8）、講演予稿集29a−Zf−11）、（１００）と（１１
１）配向が混在する膜しか得られていなかった。
強誘電体薄膜を作製するための電極層として好適な材料
であるといえる。しかしながら、Ｓｉ基板上にＩｒ、Ｒ
ｈ薄膜を形成する場合、従来の方法ではエピタキシャル
成長をさせることは困難であった。例えば、中村等はＰ
ＺＴ薄膜キャパシタの電極としてＩｒ薄膜をＳｉＯ2／
Ｓｉ基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法を用い
て形成したが（Jpn.J.Appl.Phys. Vol.34 (1995),518
4）、得られたＩｒ薄膜はエピタキシャル膜にはなら
ず、（１１１）優先配向膜であった。また、堀井等はＹ
ＳＺ／Ｓｉ基板上にＩｒ薄膜をスパッタリング法により
形成したが（第４５回応用物理学関係連合講演会（199
8）、講演予稿集29a−Zf−11）、（１００）と（１１
１）配向が混在する膜しか得られていなかった。
【０００９】そこで本発明は、Ｓｉ基板上に結晶性の良
好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を
持つ下地金属薄膜およびその製造方法を提供することを
目的とする。
好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を
持つ下地金属薄膜およびその製造方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を重ねた結果、Ｓｉ基板上にバッファ層としてＭｇＯ層
を介在して形成することにより、面心立方構造を有する
ＩｒやＲｈをＳｉ基板上にエピタキシャル成長させうる
ことを見出し本発明を完成させるに至った。
を重ねた結果、Ｓｉ基板上にバッファ層としてＭｇＯ層
を介在して形成することにより、面心立方構造を有する
ＩｒやＲｈをＳｉ基板上にエピタキシャル成長させうる
ことを見出し本発明を完成させるに至った。
【００１１】すなわち、Ｓｉ基板上にＩｒやＲｈをエピ
タキシャル成長させるためには、適切なバッファ層を選
ぶことが重要なポイントであることに着目した。ＭｇＯ
の格子長は０．４２１ｎｍであり、ＭｇＯはＳｉ基板上
でエピタキシャル成長する。一方、面心立方構造を有す
るＩｒは格子長が０．３８４ｎｍで、Ｒｈは格子長が
０．３７２ｎｍであり、ＭｇＯの格子長と非常に近似し
ているため、ＭｇＯ膜上にＩｒやＲｈをエピタキシャル
成長させることが可能である。
タキシャル成長させるためには、適切なバッファ層を選
ぶことが重要なポイントであることに着目した。ＭｇＯ
の格子長は０．４２１ｎｍであり、ＭｇＯはＳｉ基板上
でエピタキシャル成長する。一方、面心立方構造を有す
るＩｒは格子長が０．３８４ｎｍで、Ｒｈは格子長が
０．３７２ｎｍであり、ＭｇＯの格子長と非常に近似し
ているため、ＭｇＯ膜上にＩｒやＲｈをエピタキシャル
成長させることが可能である。
【００１２】また、ＭｇＯ薄膜をエピタキシャルＩｒ薄
膜やエピタキシャルＲｈ薄膜形成のためのバッファ層と
して用いる場合、ＭｇＯ薄膜の結晶性のみならず、その
表面が高い平坦性を有するものであることが望ましい。
この点につき実験を重ねた結果、３５０〜９００℃の成
膜温度において１．０〜２．０ｎｍ／分の成膜速度でＭ
ｇＯバッファ層を形成することにより、エピタキシャル
Ｉｒ薄膜やエピタキシャルＲｈ薄膜を形成するために十
分な平坦性（具体的には表面平均粗さが１．５ｎｍ以
下）を実現しうることを見出した。
膜やエピタキシャルＲｈ薄膜形成のためのバッファ層と
して用いる場合、ＭｇＯ薄膜の結晶性のみならず、その
表面が高い平坦性を有するものであることが望ましい。
この点につき実験を重ねた結果、３５０〜９００℃の成
膜温度において１．０〜２．０ｎｍ／分の成膜速度でＭ
ｇＯバッファ層を形成することにより、エピタキシャル
Ｉｒ薄膜やエピタキシャルＲｈ薄膜を形成するために十
分な平坦性（具体的には表面平均粗さが１．５ｎｍ以
下）を実現しうることを見出した。
【００１３】また、Ｉｒ薄膜やＲｈ薄膜を結晶性の良好
な強誘電体薄膜形成のための下部電極として用いる場
合、Ｉｒ薄膜やＲｈ薄膜の結晶性のみならず、その表面
も高い平坦性を有するものであることが望ましい。この
点につき実験を行った結果、５００〜９００℃の成膜温
度において１．０〜２．０ｎｍ／分の成膜速度でＩｒ電
極層やＲｈ電極層を形成することにより、結晶性の良好
な強誘電体薄膜を形成するために十分な平坦性（具体的
には表面平均粗さが１．５ｎｍ以下）を実現しうること
を見出した。
な強誘電体薄膜形成のための下部電極として用いる場
合、Ｉｒ薄膜やＲｈ薄膜の結晶性のみならず、その表面
も高い平坦性を有するものであることが望ましい。この
点につき実験を行った結果、５００〜９００℃の成膜温
度において１．０〜２．０ｎｍ／分の成膜速度でＩｒ電
極層やＲｈ電極層を形成することにより、結晶性の良好
な強誘電体薄膜を形成するために十分な平坦性（具体的
には表面平均粗さが１．５ｎｍ以下）を実現しうること
を見出した。
【００１４】
【発明の実施の形態】［第１実施例］本実施例では、本
発明の薄膜積層体を用いて構成した薄膜キャパシタ、お
よびその製造方法について、図１を用いて説明する。
発明の薄膜積層体を用いて構成した薄膜キャパシタ、お
よびその製造方法について、図１を用いて説明する。
【００１５】図１は本実施例の薄膜キャパシタ１０の構
造を示す断面図である。図において、１はＳｉ基板、２
はＳｉ基板１上にエピタキシャル成長したバッファ層で
あるＭｇＯ薄膜、３はＭｇＯ薄膜２上にエピタキシャル
成長した薄膜キャパシタの下部電極となるＩｒ薄膜、４
はＩｒ薄膜３上にエピタキシャル成長したＰＺＴ薄膜、
５はＰＺＴ薄膜４上に形成され薄膜キャパシタの上部電
極となるＰｔ薄膜をそれぞれ示している。
造を示す断面図である。図において、１はＳｉ基板、２
はＳｉ基板１上にエピタキシャル成長したバッファ層で
あるＭｇＯ薄膜、３はＭｇＯ薄膜２上にエピタキシャル
成長した薄膜キャパシタの下部電極となるＩｒ薄膜、４
はＩｒ薄膜３上にエピタキシャル成長したＰＺＴ薄膜、
５はＰＺＴ薄膜４上に形成され薄膜キャパシタの上部電
極となるＰｔ薄膜をそれぞれ示している。
【００１６】次に、上述の薄膜キャパシタ１０の製造方
法について説明する。まず、Ｓｉ基板１として直径２イ
ンチのＳｉ（００１）単結晶基板を用意する。このＳｉ
基板にアセトン、エタノール等の有機溶媒中で超音波洗
浄を施し、ＨＦ：Ｈ2Ｏ：エタノール＝１：１：１０の
溶液中に浸漬し、Ｓｉ基板表面の酸化膜を除去する。
法について説明する。まず、Ｓｉ基板１として直径２イ
ンチのＳｉ（００１）単結晶基板を用意する。このＳｉ
基板にアセトン、エタノール等の有機溶媒中で超音波洗
浄を施し、ＨＦ：Ｈ2Ｏ：エタノール＝１：１：１０の
溶液中に浸漬し、Ｓｉ基板表面の酸化膜を除去する。
【００１７】次いで、レーザー蒸着装置（Pulsed Laser
Deposition（ＰＬＤ）装置）を用いて、基板上に表１
にまとめた条件で厚さ約５０ｎｍのＭｇＯ薄膜２を形成
する。得られるＭｇＯ薄膜２はエピタキシャル膜とな
る。このとき、成膜装置内の酸素圧力が１０-5Ｔｏｒｒ
台でもＭｇＯ薄膜がエピタキシャル成長することが確認
されているが、より結晶性の高いＭｇＯ薄膜を得て、そ
の上に形成されるＩｒ薄膜の結晶配向性を向上させるた
めには、圧力を１０-6Ｔｏｒｒ台以下とすることが望ま
しい。また、使用するＭｇ金属ターゲットの純度は９
９．９％以上であることが望ましい。さらに、ターゲッ
トには焼結体ＭｇＯターゲットを用いることもでき、そ
の際の焼結体ＭｇＯの相対密度は９０％以上、より好ま
しくは９５％以上であることが望ましい。
Deposition（ＰＬＤ）装置）を用いて、基板上に表１
にまとめた条件で厚さ約５０ｎｍのＭｇＯ薄膜２を形成
する。得られるＭｇＯ薄膜２はエピタキシャル膜とな
る。このとき、成膜装置内の酸素圧力が１０-5Ｔｏｒｒ
台でもＭｇＯ薄膜がエピタキシャル成長することが確認
されているが、より結晶性の高いＭｇＯ薄膜を得て、そ
の上に形成されるＩｒ薄膜の結晶配向性を向上させるた
めには、圧力を１０-6Ｔｏｒｒ台以下とすることが望ま
しい。また、使用するＭｇ金属ターゲットの純度は９
９．９％以上であることが望ましい。さらに、ターゲッ
トには焼結体ＭｇＯターゲットを用いることもでき、そ
の際の焼結体ＭｇＯの相対密度は９０％以上、より好ま
しくは９５％以上であることが望ましい。
【００１８】
【表１】
【００１９】さらに、ＭｇＯ薄膜の形成後、酸素の供給
を止め１０分間以上の排気を行いバックグラウンドの圧
力を２×１０-7Ｔｏｒｒにし、成膜に使用するターゲッ
トを変更する。次に、成長室の圧力を圧力調節バルブを
用いて２×１０-6Ｔｏｒｒに設定し、上記ＭｇＯ薄膜を
バッファ層として、表２にまとめた条件で厚さ約１００
ｎｍのＩｒ薄膜３を形成する。このとき、Ｉｒの格子長
はＭｇＯの格子長と非常に近い値をしており、得られる
Ｉｒ薄膜３はＭｇＯ薄膜上にエピタキシャル成長する。
また、使用するＩｒ金属ターゲットの純度は９９．９％
以上であることが望ましい。
を止め１０分間以上の排気を行いバックグラウンドの圧
力を２×１０-7Ｔｏｒｒにし、成膜に使用するターゲッ
トを変更する。次に、成長室の圧力を圧力調節バルブを
用いて２×１０-6Ｔｏｒｒに設定し、上記ＭｇＯ薄膜を
バッファ層として、表２にまとめた条件で厚さ約１００
ｎｍのＩｒ薄膜３を形成する。このとき、Ｉｒの格子長
はＭｇＯの格子長と非常に近い値をしており、得られる
Ｉｒ薄膜３はＭｇＯ薄膜上にエピタキシャル成長する。
また、使用するＩｒ金属ターゲットの純度は９９．９％
以上であることが望ましい。
【００２０】
【表２】
【００２１】なお、上述のＭｇＯ薄膜２とＩｒ薄膜３
は、同一の成膜装置において、形成する薄膜に対応した
ターゲットを切り換えることにより連続的に成膜した。
は、同一の成膜装置において、形成する薄膜に対応した
ターゲットを切り換えることにより連続的に成膜した。
【００２２】このようにして得られたエピタキシャルＩ
ｒ薄膜３上にＰＺＴ薄膜を形成することにより、エピタ
キシャル成長したＰＺＴ薄膜４が得られる。このＰＺＴ
薄膜４上に薄膜キャパシタ１０の上部電極として例えば
Ｐｔ薄膜５を蒸着等の手法により成膜することにより、
薄膜キャパシタ１０を形成することができる。
ｒ薄膜３上にＰＺＴ薄膜を形成することにより、エピタ
キシャル成長したＰＺＴ薄膜４が得られる。このＰＺＴ
薄膜４上に薄膜キャパシタ１０の上部電極として例えば
Ｐｔ薄膜５を蒸着等の手法により成膜することにより、
薄膜キャパシタ１０を形成することができる。
【００２３】ここで、上述の方法によって得られた薄膜
キャパシタ１０の各薄膜の結晶性、表面平坦性について
の分析結果について説明する。まず、Ｓｉ基板上に形成
したＩｒ／ＭｇＯ積層体のＸＲＤ回折パターンを図２に
示す。この図から明らかなように、基板のＳｉ（００
１）に起因するピークの他には、ＭｇＯ（００２）とＩ
ｒ（００２）のピークみが検出されており、各薄膜が
（００１）配向して形成されていることがわかる（Ｍｇ
Ｏの回折強度がＩｒよりも弱いので、縦軸のスケールを
２０倍に拡大したものを図中に示した）。すなわち、膜
成長方向の配向関係はＩｒ（００１）／／ＭｇＯ（００
１）／／Ｓｉ（００１）となっている。
キャパシタ１０の各薄膜の結晶性、表面平坦性について
の分析結果について説明する。まず、Ｓｉ基板上に形成
したＩｒ／ＭｇＯ積層体のＸＲＤ回折パターンを図２に
示す。この図から明らかなように、基板のＳｉ（００
１）に起因するピークの他には、ＭｇＯ（００２）とＩ
ｒ（００２）のピークみが検出されており、各薄膜が
（００１）配向して形成されていることがわかる（Ｍｇ
Ｏの回折強度がＩｒよりも弱いので、縦軸のスケールを
２０倍に拡大したものを図中に示した）。すなわち、膜
成長方向の配向関係はＩｒ（００１）／／ＭｇＯ（００
１）／／Ｓｉ（００１）となっている。
【００２４】また、ＭｇＯ薄膜とＩｒ薄膜の膜面内での
配向性を確認するために、それぞれの（２２０）面の極
点図解析を行った。結果を図３に示す。図から理解でき
るように、４回対称のピークが得られており、ＭｇＯ薄
膜、Ｉｒ薄膜ともにエピタキシャル成長していることが
わかる。なお、高速反射電子回折（ＲＨＥＥＤ）のその
場観察より、Ｓｉ基板、ＭｇＯ薄膜およびＩｒ薄膜の面
内配向関係は、Ｉｒ［１００］／／ＭｇＯ［１００］／
／Ｓｉ［１００］であることが確認できた。
配向性を確認するために、それぞれの（２２０）面の極
点図解析を行った。結果を図３に示す。図から理解でき
るように、４回対称のピークが得られており、ＭｇＯ薄
膜、Ｉｒ薄膜ともにエピタキシャル成長していることが
わかる。なお、高速反射電子回折（ＲＨＥＥＤ）のその
場観察より、Ｓｉ基板、ＭｇＯ薄膜およびＩｒ薄膜の面
内配向関係は、Ｉｒ［１００］／／ＭｇＯ［１００］／
／Ｓｉ［１００］であることが確認できた。
【００２５】なお、従来技術との比較のために、本実施
例のＩｒ薄膜に相当する部分をＰｔに置き換えた比較例
を作製した。Ｐｔ薄膜部分以外の薄膜構成および成膜条
件は第１実施例のものと同一である。Ｐｔ薄膜の作製
は、純度９９．９パーセント以上のＰｔ金属ターゲット
を用いたＲＦスパッタリング法により行った。この比較
例のＰｔ薄膜部分と第１実施例のＩｒ薄膜部分の比較結
果を以下の表３にまとめる。
例のＩｒ薄膜に相当する部分をＰｔに置き換えた比較例
を作製した。Ｐｔ薄膜部分以外の薄膜構成および成膜条
件は第１実施例のものと同一である。Ｐｔ薄膜の作製
は、純度９９．９パーセント以上のＰｔ金属ターゲット
を用いたＲＦスパッタリング法により行った。この比較
例のＰｔ薄膜部分と第１実施例のＩｒ薄膜部分の比較結
果を以下の表３にまとめる。
【００２６】
【表３】
【００２７】上述の表３から理解されるように、本実施
例のＩｒ薄膜の方が比較例のＰｔ薄膜に比べて結晶性が
良好であり（（００２）ピークの半値幅が小さい点か
ら）、かつ表面がより平坦で緻密な結晶薄膜が得られて
いることがわかる。なお、（００２）ピークの半値幅は
ＸＲＤのロッキングカーブから求めた。また、表面平均
粗さは、ＡＦＭを用いて薄膜表面５μｍ×５μｍの面積
について測定したものである。この比較例のＰｔ薄膜と
第１実施例のＩｒ薄膜のそれぞれの表面ＡＦＭ像を図４
に示す。この図からも確認できるように、比較例のもの
は凹凸があって比較的粗であるのに対し、本実施例のも
のは表面が平坦でより緻密であることがわかる。
例のＩｒ薄膜の方が比較例のＰｔ薄膜に比べて結晶性が
良好であり（（００２）ピークの半値幅が小さい点か
ら）、かつ表面がより平坦で緻密な結晶薄膜が得られて
いることがわかる。なお、（００２）ピークの半値幅は
ＸＲＤのロッキングカーブから求めた。また、表面平均
粗さは、ＡＦＭを用いて薄膜表面５μｍ×５μｍの面積
について測定したものである。この比較例のＰｔ薄膜と
第１実施例のＩｒ薄膜のそれぞれの表面ＡＦＭ像を図４
に示す。この図からも確認できるように、比較例のもの
は凹凸があって比較的粗であるのに対し、本実施例のも
のは表面が平坦でより緻密であることがわかる。
【００２８】なお、上述の実施例ではＳｉ（００１）基
板を用いたが、これに限らずＳｉ（１１１）、Ｓｉ（１
１０）等の基板を使用してもよい。また、上述の実施例
ではPulsed Laser Deposition（ＰＬＤ）装置を用いて
ＭｇＯ薄膜とＩｒ薄膜を形成したが、これに限らず、イ
オンビーム蒸着法、イオンビームスパッタリング法、電
子ビーム蒸着法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、
および化学蒸着法（ＣＶＤ法）等の方法を用いて薄膜を
形成してもよい。
板を用いたが、これに限らずＳｉ（１１１）、Ｓｉ（１
１０）等の基板を使用してもよい。また、上述の実施例
ではPulsed Laser Deposition（ＰＬＤ）装置を用いて
ＭｇＯ薄膜とＩｒ薄膜を形成したが、これに限らず、イ
オンビーム蒸着法、イオンビームスパッタリング法、電
子ビーム蒸着法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、
および化学蒸着法（ＣＶＤ法）等の方法を用いて薄膜を
形成してもよい。
【００２９】また、本実施例においては、エピタキシャ
ル成長させたＩｒ薄膜上に、エピタキシャル成長させた
ＰＺＴ薄膜を形成したが、これに限らず、１軸以上の高
い配向性を有する誘電体薄膜や強誘電体薄膜を同様に形
成することが可能となる。
ル成長させたＩｒ薄膜上に、エピタキシャル成長させた
ＰＺＴ薄膜を形成したが、これに限らず、１軸以上の高
い配向性を有する誘電体薄膜や強誘電体薄膜を同様に形
成することが可能となる。
【００３０】さらに、本実施例においては、エピタキシ
ャル成長させたＩｒ薄膜を薄膜キャパシタ１０の下部電
極として用いた例を示したが、エピタキシャル成長した
Ｉｒ／ＭｇＯ／Ｓｉ基板という構造を有する薄膜積層体
は、薄膜キャパシタ以外の強誘電体薄膜素子、例えばＤ
ＲＡＭや強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ）用のキャパシタ
や、焦電素子、マイクロアクチュエーター、小型圧電素
子等の電極膜等の用途に使用することも可能である。
ャル成長させたＩｒ薄膜を薄膜キャパシタ１０の下部電
極として用いた例を示したが、エピタキシャル成長した
Ｉｒ／ＭｇＯ／Ｓｉ基板という構造を有する薄膜積層体
は、薄膜キャパシタ以外の強誘電体薄膜素子、例えばＤ
ＲＡＭや強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ）用のキャパシタ
や、焦電素子、マイクロアクチュエーター、小型圧電素
子等の電極膜等の用途に使用することも可能である。
【００３１】［第２実施例］本発明の第２実施例は、第
１実施例のＩｒ薄膜３に相当する部分をＲｈ薄膜に置き
換えた点が特徴である。Ｒｈ薄膜の形成にあたっては純
度９９．９％以上のＲｈ金属ターゲットを使用した。そ
の他の薄膜の構成および成膜条件については、第１実施
例のそれと変るところはないのでその説明を省略する。
１実施例のＩｒ薄膜３に相当する部分をＲｈ薄膜に置き
換えた点が特徴である。Ｒｈ薄膜の形成にあたっては純
度９９．９％以上のＲｈ金属ターゲットを使用した。そ
の他の薄膜の構成および成膜条件については、第１実施
例のそれと変るところはないのでその説明を省略する。
【００３２】Ｉｒ薄膜をＲｈ薄膜に変えた本実施例にお
いても、Ｘ線回折による分析の結果、Ｒｈ薄膜がエピタ
キシャル成長していることが確認された。また、本実施
例のＲｈ薄膜の表面状態をＡＦＭにより観察したとこ
ろ、その表面は平坦かつ緻密な膜になっていることが確
認された。
いても、Ｘ線回折による分析の結果、Ｒｈ薄膜がエピタ
キシャル成長していることが確認された。また、本実施
例のＲｈ薄膜の表面状態をＡＦＭにより観察したとこ
ろ、その表面は平坦かつ緻密な膜になっていることが確
認された。
【００３３】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように、Ｓｉ
基板上にバッファ層としてエピタキシャルＭｇＯ層を介
在させ、ＭｇＯ層上に面心立方構造を有するＩｒやＲｈ
金属薄膜を形成した薄膜積層構造を採用することによ
り、Ｓｉ基板上に結晶性、表面平坦性の良好なエピタキ
シャル金属薄膜を形成することができる。また、このエ
ピタキシャル金属薄膜上には、１軸以上の高い配向性を
有する強誘電体等の機能性薄膜を形成することが可能と
なる。
基板上にバッファ層としてエピタキシャルＭｇＯ層を介
在させ、ＭｇＯ層上に面心立方構造を有するＩｒやＲｈ
金属薄膜を形成した薄膜積層構造を採用することによ
り、Ｓｉ基板上に結晶性、表面平坦性の良好なエピタキ
シャル金属薄膜を形成することができる。また、このエ
ピタキシャル金属薄膜上には、１軸以上の高い配向性を
有する強誘電体等の機能性薄膜を形成することが可能と
なる。
【００３４】また、ＩｒやＲｈは酸素の拡散や他元素と
の反応を起しにくい。従って、Ｓｉ基板上に強誘電体薄
膜素子を形成する場合に、エピタキシャル成長したＩｒ
薄膜やＲｈ薄膜を強誘電体薄膜素子の下部電極として用
いれば、Ｓｉ基板上に形成された半導体素子等の特性に
変化を与えず、かつ結晶性の良好な強誘電体薄膜を形成
可能になる。
の反応を起しにくい。従って、Ｓｉ基板上に強誘電体薄
膜素子を形成する場合に、エピタキシャル成長したＩｒ
薄膜やＲｈ薄膜を強誘電体薄膜素子の下部電極として用
いれば、Ｓｉ基板上に形成された半導体素子等の特性に
変化を与えず、かつ結晶性の良好な強誘電体薄膜を形成
可能になる。
【図１】本発明の第１実施例で形成された薄膜キャパシ
タの構造を示す断面図である。
タの構造を示す断面図である。
【図２】第１実施例で得られた薄膜積層体のＸ線回折結
果である。
果である。
【図３】第１実施例のＭｇＯ薄膜とＩｒ薄膜の膜面内で
の配向性を示す極点図解析結果である。
の配向性を示す極点図解析結果である。
【図４】第１実施例のＩｒ薄膜と比較例のＰｔ薄膜それ
ぞれの表面を示すＡＦＭ像である。
ぞれの表面を示すＡＦＭ像である。
１ Ｓｉ基板 ２ ＭｇＯ薄膜 ３ Ｉｒ薄膜 ４ ＰＺＴ薄膜 ５ Ｐｔ薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/8242 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｚ 21/8247 Ｈ０１Ｇ 4/06 １０２ 29/788 29/792 41/18 // Ｈ０１Ｇ 4/33
Claims (10)
- 【請求項１】単結晶Ｓｉ基板と、単結晶Ｓｉ基板上にエ
ピタキシャル成長したＭｇＯバッファ層と、ＭｇＯバッ
ファ層上にエピタキシャル成長したＩｒまたはＲｈから
なる金属薄膜とを有してなる薄膜積層体。 - 【請求項２】単結晶Ｓｉ基板と、単結晶Ｓｉ基板上にエ
ピタキシャル成長したＭｇＯバッファ層と、ＭｇＯバッ
ファ層上にエピタキシャル成長したＩｒまたはＲｈから
なる金属薄膜と、金属薄膜上に配向成長した強誘電体薄
膜と、強誘電体薄膜上に形成された上部電極とを有して
なる強誘電体薄膜素子。 - 【請求項３】前記単結晶Ｓｉ基板と前記ＭｇＯバッファ
層の結晶学的関係が、ＭｇＯ（００１）／／Ｓｉ（００
１）、面内方位ＭｇＯ［１００］／／Ｓｉ［１００］で
あることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
薄膜積層体または強誘電体薄膜素子。 - 【請求項４】前記単結晶Ｓｉ基板と前記ＭｇＯバッファ
層と前記金属薄膜の結晶学的関係が、金属薄膜（００
１）／／ＭｇＯ（００１）／／Ｓｉ（００１）、面内方
位金属薄膜［１００］／／ＭｇＯ［１００］／／Ｓｉ
［１００］であることを特徴とする請求項１または請求
項２に記載の薄膜積層体または強誘電体薄膜素子。 - 【請求項５】前記ＭｇＯバッファ層は、表面平均粗さが
１．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求
項２、請求項３または請求項４に記載の薄膜積層体また
は強誘電体薄膜素子。 - 【請求項６】前記金属薄膜は、表面平均粗さが１．５ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１、請求項２、請
求項３、請求項４または請求項５に記載の薄膜積層体ま
たは強誘電体薄膜素子。 - 【請求項７】単結晶Ｓｉ基板上にＭｇＯバッファ層をエ
ピタキシャル成長させる工程と、ＭｇＯバッファ層上に
ＩｒまたはＲｈからなる金属薄膜をエピタキシャル成長
させる工程とを有してなる薄膜積層体の製造方法。 - 【請求項８】単結晶Ｓｉ基板上にＭｇＯバッファ層をエ
ピタキシャル成長させる工程と、ＭｇＯバッファ層上に
ＩｒまたはＲｈからなる金属薄膜をエピタキシャル成長
させる工程と、金属薄膜上に強誘電体薄膜を配向成長さ
せる工程と、強誘電体薄膜上に上部電極を形成する工程
とを有してなる強誘電体薄膜素子の製造方法。 - 【請求項９】前記ＭｇＯバッファ層は、３５０〜９００
℃の成膜温度、および１．０〜２．０ｎｍ／分の成膜速
度で形成されたことを特徴とする請求項７または請求項
８に記載の薄膜積層体の製造方法または強誘電体薄膜素
子の製造方法。 - 【請求項１０】前記金属薄膜は、５００〜９００℃の成
膜温度、および１．０〜２．０ｎｍ／分の成膜速度で形
成されたことを特徴とする請求項７、請求項８または請
求項９に記載の薄膜積層体の製造方法または強誘電体薄
膜素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37486499A JP3608459B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 薄膜積層体、強誘電体薄膜素子およびそれらの製造方法 |
| US09/745,224 US6465825B2 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-21 | Thin film multilayered structure, ferroelectric thin film element, and manufacturing method of the same |
| DE10064002A DE10064002A1 (de) | 1999-12-28 | 2000-12-21 | Vielschicht-Dünnschichtstruktur, ferroelektrisches Dünnschichtelement und Verfahren zur Herstellung derselben |
| KR10-2000-0083752A KR100396179B1 (ko) | 1999-12-28 | 2000-12-28 | 박막 다층체, 강유전체 박막 소자 및 이들의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37486499A JP3608459B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 薄膜積層体、強誘電体薄膜素子およびそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001181089A true JP2001181089A (ja) | 2001-07-03 |
| JP3608459B2 JP3608459B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=18504562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37486499A Expired - Fee Related JP3608459B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 薄膜積層体、強誘電体薄膜素子およびそれらの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6465825B2 (ja) |
| JP (1) | JP3608459B2 (ja) |
| KR (1) | KR100396179B1 (ja) |
| DE (1) | DE10064002A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004048639A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等 |
| WO2004036607A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-04-29 | Fujitsu Limited | 薄膜キャパシタとその製造方法 |
| JP2004221622A (ja) * | 2002-01-08 | 2004-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法 |
| JP2008060599A (ja) * | 2007-10-22 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェット記録装置、ならびに強誘電体素子の製造方法 |
| WO2016076273A1 (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ、複合電子部品およびコンデンサの製造方法 |
| CN116083848A (zh) * | 2022-09-30 | 2023-05-09 | 西安电子科技大学 | 一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165351A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR101041843B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2011-06-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8557352B2 (en) | 2006-06-20 | 2013-10-15 | Tdk Corporation | Method of making a metal oxide film, laminates and electronic devices |
| US8766341B2 (en) * | 2009-10-20 | 2014-07-01 | The Regents Of The University Of California | Epitaxial growth of single crystalline MgO on germanium |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797296A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向性薄膜形成基板およびその作製方法 |
| JPH08264735A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Samsung Electron Co Ltd | 強誘電性キャパシタ |
| JPH1117126A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 強誘電体膜の堆積方法および強誘電体キャパシタ素子 |
| JPH11511903A (ja) * | 1995-04-26 | 1999-10-12 | サイメトリックス コーポレイション | 誘電性コンデンサ用底部電極構造およびその作製方法 |
| JPH11297966A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-10-29 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電体薄膜素子及びその製造方法 |
| JP2000286396A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Yamaha Corp | 強誘電体メモリ及び強誘電体メモリの製造方法 |
| JP2001085624A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜積層体、薄膜キャパシタ、およびその製造方法 |
| JP2002519864A (ja) * | 1998-06-30 | 2002-07-02 | 松下電器産業株式会社 | 平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのｄｃスパッタリングプロセス |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3888341T2 (de) * | 1987-12-26 | 1994-09-01 | Sumitomo Electric Industries | Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm. |
| WO1994020295A1 (en) * | 1993-03-12 | 1994-09-15 | Neocera, Inc. | Superconducting films on alkaline earth fluoride substrates with multiple buffer layers |
| KR19990053224A (ko) * | 1997-12-23 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 메모리 장치의 캐패시터 및 그 제조방법 |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37486499A patent/JP3608459B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-12-21 DE DE10064002A patent/DE10064002A1/de not_active Ceased
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- 2000-12-28 KR KR10-2000-0083752A patent/KR100396179B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797296A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向性薄膜形成基板およびその作製方法 |
| JPH08264735A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Samsung Electron Co Ltd | 強誘電性キャパシタ |
| JPH11511903A (ja) * | 1995-04-26 | 1999-10-12 | サイメトリックス コーポレイション | 誘電性コンデンサ用底部電極構造およびその作製方法 |
| JPH1117126A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 強誘電体膜の堆積方法および強誘電体キャパシタ素子 |
| JPH11297966A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-10-29 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電体薄膜素子及びその製造方法 |
| JP2002519864A (ja) * | 1998-06-30 | 2002-07-02 | 松下電器産業株式会社 | 平滑電極および向上されたメモリ保持性を有する薄膜強誘電体キャパシタを製造するためのｄｃスパッタリングプロセス |
| JP2000286396A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Yamaha Corp | 強誘電体メモリ及び強誘電体メモリの製造方法 |
| JP2001085624A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜積層体、薄膜キャパシタ、およびその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221622A (ja) * | 2002-01-08 | 2004-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法 |
| JP2004048639A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等 |
| WO2004036607A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-04-29 | Fujitsu Limited | 薄膜キャパシタとその製造方法 |
| US7326989B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-02-05 | Fujitsu Limited | Thin film capacitor and its manufacture method |
| CN100437849C (zh) * | 2002-08-29 | 2008-11-26 | 富士通株式会社 | 薄膜电容器及其制造方法 |
| JP2008060599A (ja) * | 2007-10-22 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェット記録装置、ならびに強誘電体素子の製造方法 |
| WO2016076273A1 (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ、複合電子部品およびコンデンサの製造方法 |
| CN116083848A (zh) * | 2022-09-30 | 2023-05-09 | 西安电子科技大学 | 一种双层薄膜材料及制备方法、铁电存储器 |
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