JP2001155314A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供すること。 【構成】 磁気抵抗効果素子3と、この磁気抵抗効果素
子3上をマスクしながら該磁気抵抗効果素子3の両端に
一対の電極4とを設ける磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
において、前記磁気抵抗効果素子3の上面に再生トラッ
ク幅を規定する保護絶縁膜5を設けた後に電極4を設け
たもの。この保護絶縁膜5は、表面を絶縁した金属膜又
は半導体膜で形成することができる。
Description
記憶装置に好適な磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係
り、特に再生トラック幅を規定することができる磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
気抵抗効果(MR)型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
膜の電気抵抗が磁気ディスクからの磁化によって変化す
る現象を利用した再生用の磁気ヘッドであり、通常は書
き込み用のインダクティブ型磁気ヘッドと組み合わせた
MR・インダクティブ複合磁気ヘッドとして使用されて
いる。この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、磁性体か
ら成る下部磁気シ−ルド及び上部磁気シ−ルドの間に、
磁気抵抗効果膜/磁気抵抗効果膜にバイアスを加えるた
めのバイアス膜/磁気抵抗効果膜の磁区を制御するため
の磁区制御膜を含む磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効
果素子を挟んで電流を供給する電極とを配置し、磁気抵
抗効果膜にバイアス膜からの横方向バイアス及び電極か
らの検出電流を印加しながら磁気ディスク上を相対移動
することによって、磁気ディスクからの磁界により変化
する磁気抵抗効果膜に流れる検出電流の抵抗値変化を検
出してデータの再生を行なうものである。
トラック幅は、前記電極に挟まれる電極間の幅(中心能
動領域)によって規定されており、従来の磁気ヘッドに
おいては充分に長い磁気抵抗効果素子の左右端上に電極
を積層して前記電極間幅を決定していたが、近年の磁気
ヘッドにおいては短い磁気抵抗効果素子の両端を電極が
左右から挟みこむことにより前記電極間幅を決定するも
のが採用されている。
ら挟みこむことにより前記電極間幅、即ち中心能動領域
を決定する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、例えば特
開平3−125311号公報に記載されている。
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前述及び図2に示す如
く多層の磁気抵抗効果素子3の両端に電極4を設け、電
極4の先端間の寸法L1により再生トラック幅である中
心能動領域を決定するものであるが、実際の製造工程に
おいては磁気抵抗効果素子3を設けた後に該素子3上を
マスクして電極4をスパッタリングした場合、図2
(b)の如く電極4の端部4aが磁気抵抗効果素子3の
両端上部に回りこんで形成されるため、前記中心能動領
域の寸法L1がL2の如く短く形成されるため、再生トラ
ック幅が制御不能に変化してしまうと言う不具合を招い
ていた。特に電極材料として比抵抗の小さい材料、例え
ばAuを構成材料の一部に用いた場合は、特に信号を再
生するトラック幅の変動が起こりやすいという不具合を
生じることが判った。
合を除去することであり、中心能動領域である再生トラ
ック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドを提供することである。また再生トラ
ック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
本発明は、磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜上をマ
スクしながら該磁気抵抗効果膜の両端に形成される一対
の電極とを備える磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラッ
ク幅を規定する表面を絶縁した半導体膜を設けたことを
第1の特徴とする。前記保護絶縁膜は、磁気抵抗効果膜
上を保護及び絶縁する機能をもつものである。
ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラ
ック幅を規定する保護絶縁膜を設けたことにより、磁気
抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にして、再生
トラックの幅を所定値にすることができる。
抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前記保護膜を表面を絶縁し
た金属膜又は半導体膜で形成することによって、磁気ヘ
ッド製造工程において磁気抵抗効果膜の酸化を防止する
こともできる。
ヘッドの一実施例を図面を参照して説明する。図1は本
実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの詳細構造
を示す図、図3及び図4は本磁気ヘッドの製造方法を説
明するための図である。
施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの構成を示す
図である。本磁気ヘッドは、図示しないスライダ及び絶
縁膜上に設けた下部シールド膜1及び下部絶縁膜2と、
該下部絶縁膜2上に多層の磁気抵抗効果素子3/該磁気
抵抗効果素子3の両端に配置した一対の電極4/該磁気
抵抗効果素子3上に本実施例の特徴である保護絶縁膜5
とを設け、これら保護絶縁膜5及び電極4上に上部絶縁
膜6及び上部シールド膜7を積層する様に構成してい
る。
縁された材料から成り、磁気抵抗効果素子3の中心能動
領域の寸法L1(図2参照)を決定する寸法、且つ前記
電極4と磁気抵抗効果素子3を上部で絶縁する様に配置
されている。従って、本実施例による磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドは、前述した電極4のスパッタリング工程
において電極材料の素子3両端上への回りこみが生じた
場合であっても、保護絶縁膜5が電極材料の磁気抵抗効
果素子3両端上部との接触を阻止するため、磁気抵抗効
果素子3の中心能動領域の寸法L1を規定することがで
きる。
効果膜/スペーサ膜及びバイアス膜等の多層膜により構
成され、電極4は前記磁気抵抗効果素子3をセンサーと
して働かせるために電流を供給するためだけでなく、磁
気抵抗効果素子3を構成する膜の磁区を安定化するため
に設けられる硬磁性膜等を用いた磁区制御層等を積層し
て構成される。また上部シールド膜7上には、書き込み
用のインダクティブヘッドや素子を保護する絶縁膜等
(これらは図示せず)が形成され、これらすべてにより
MR・インダクティブ複合磁気ヘッドを構成するもので
ある。
製造工程を図3及び図4を参照して説明する。
気ヘッドの製造工程は、図3(a)に示すごとく、磁気
抵抗効果素子3を構成するための下部絶縁膜2上にバイ
アス膜31/スぺーサ膜32及び磁気抵抗効果膜33を
順次積層し、次いで本実施例による保護絶縁膜5を設け
る。次に図3(b)の様に磁気抵抗効果素子3部分を残
すためのマスクを形成するホトレジストパターン34を
形成する。このホトレジストパターン34は、下部のレ
ジストパターン幅が上部のレジストパターン幅より狭い
2層の段差付レジストパターンが望ましい。このレジス
トパターン34の下部に段差を付ける理由は、リフトオ
フによるパターン形成を容易にするため、及び後述する
磁気抵抗効果素子3の両端が傾斜する台形状にして電極
4との接触面積を増やして導通を確保するためである。
また、前記2層の段差付きレジストパターンでなく、単
層のレジストパターンを用いてもプロセスマージンが狭
くなるものの使用することができる。
4をマスクとしてイオンビームエッチングを行なうこと
により、図3(c)の如く、前記パターン34によりマ
スクした箇所を除くバイアス膜31/スぺーサ膜32/
磁気抵抗効果膜33/保護絶縁膜5を除去して台形状の
保護絶縁膜5及び磁気抵抗効果素子3を形成する。
ジストパターン34をそのまま利用してリフトオフ法に
より電極4の膜を積層する。このとき磁気抵抗効果素子
3に接する電極4の端部は、前記レジストパターン34
下部の段差によって、保護絶縁膜5の両端に侵入する形
状が構成される。次いで本実施例による製造方法は、ホ
トレジスト34上に積層した膜4をホトレジストを溶解
する溶剤により除去すると共に、ホトレジスト34を剥
離することによって、図4(e)に示す如く保護絶縁膜
5を持つ磁気抵抗効果素子3及び該磁気抵抗効果素子3
の両端に接する電極4を形成することができる。
は、上面が保護絶縁膜5により電極4との電気的接触を
阻止しているため、磁気抵抗効果素子3の中心能動領域
の寸法L1(図2参照)を確保して再生トラック幅を規
定することができる。次いで本製造方法は、これら保護
絶縁膜5及び電極4上に上部絶縁膜6及び上部シールド
膜7を積層することによって磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドを形成する。
は、例えば、アルミナ/ジルコニア/二酸化珪素/五酸
化タンタル/ガラス膜等の絶縁膜、あるいは、これらの
絶縁膜の混合又は多層膜を用いることが出来る。また、
保護絶縁膜5は、前記絶縁膜に限られるものではなくタ
ンタル膜やチタン膜等の金属膜を使用することもでき
る。これら金属膜自体は、導電性であるが膜の作製工程
中に大気中に放置する/積極的に酸素プラズマ処理/チ
ッ化処理等を加えることにより、表面を酸化或いはチッ
化等させて絶縁体とすることによって、保護絶縁膜とし
て用いることもできる。また同様にシリコン等の半導体
膜を使用することもできる。更に前記実施例において、
図3(a)に示した磁気抵抗効果膜33の形成直後に連
続して保護絶縁膜5を形成すると、該保護絶縁膜5が磁
気抵抗効果膜33の表面の酸化防止膜として働き、これ
により磁気抵抗効果素子の特性を安定化することもでき
る。即ち、磁気抵抗効果膜33が薄膜磁気ヘッド作製プ
ロセス中に特性が変化するのを防止することができる。
果型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に前記電
極の再生トラック幅を規定する保護膜を設けたことによ
り、磁気抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にし
て、再生トラックの幅を所定値にすることができる。
ヘッドは、前記保護膜を表面を絶縁した金属膜又は半導
体膜で形成することによって、磁気ヘッド製造工程にお
いて磁気抵抗効果膜の酸化を防止することもできる。
気ヘッドの構成を示す図。
の図。
明するための図。
明するための図。
果素子、4:電極、5:保護絶縁膜、6:上部絶縁膜、
7:上部シ−ルド膜、31:バイアス膜、32:スペ−
サ膜、33:磁気抵抗効果膜、34:ホトレジスト。
Claims (1)
- 【請求項1】磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上を
マスクしながら該磁気抵抗効果膜の両端に形成される一
対の電極とを備える磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラ
ック幅を規定する表面を絶縁した膜を設けたことを特徴
とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000302837A JP3612479B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP4347894A Division JPH07254113A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001155314A true JP2001155314A (ja) | 2001-06-08 |
JP3612479B2 JP3612479B2 (ja) | 2005-01-19 |
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ID=18784122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000302837A Expired - Lifetime JP3612479B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3612479B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006057379A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Alps Electric Co., Ltd. | 薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ |
CN100403049C (zh) * | 2003-06-02 | 2008-07-16 | 财团法人电气磁气材料研究所 | 薄膜磁传感器及其制造方法 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000302837A patent/JP3612479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
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CN100403049C (zh) * | 2003-06-02 | 2008-07-16 | 财团法人电气磁气材料研究所 | 薄膜磁传感器及其制造方法 |
WO2006057379A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Alps Electric Co., Ltd. | 薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ |
JP2006156661A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ |
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JP3612479B2 (ja) | 2005-01-19 |
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