JPH0969210A - 磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置Info
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- JPH0969210A JPH0969210A JP7222940A JP22294095A JPH0969210A JP H0969210 A JPH0969210 A JP H0969210A JP 7222940 A JP7222940 A JP 7222940A JP 22294095 A JP22294095 A JP 22294095A JP H0969210 A JPH0969210 A JP H0969210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＭＲセンス領域の磁区制御のために反強磁性膜
又は硬質強磁性膜が用いられる磁気抵抗効果ヘッドに関
し、特性のバラツキやバルクハウゼン雑音を防止し、リ
ード電極形成直後のセンス領域のＭＲ層を保護するこ
と。 【解決手段】ＭＲ層２４のセンス領域の磁区制御のため
に使用される反強磁性膜２５又は硬質強磁性膜をセンス
領域Ｓに残し、その反強磁性膜２５又は硬質強磁性膜を
磁気的に不活性な膜厚までエッチングするか又は酸化す
ることを含む。
又は硬質強磁性膜が用いられる磁気抵抗効果ヘッドに関
し、特性のバラツキやバルクハウゼン雑音を防止し、リ
ード電極形成直後のセンス領域のＭＲ層を保護するこ
と。 【解決手段】ＭＲ層２４のセンス領域の磁区制御のため
に使用される反強磁性膜２５又は硬質強磁性膜をセンス
領域Ｓに残し、その反強磁性膜２５又は硬質強磁性膜を
磁気的に不活性な膜厚までエッチングするか又は酸化す
ることを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果ヘッドと
その製造方法に関し、より詳しくは、ＭＲセンス領域の
磁区制御のために反強磁性膜又は硬質強磁性膜が用いら
れる磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法に関する。
その製造方法に関し、より詳しくは、ＭＲセンス領域の
磁区制御のために反強磁性膜又は硬質強磁性膜が用いら
れる磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体に書き込まれた情報を読み
出すための磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘ
ッドが実用化されている。ＭＲヘッドは、パーマロイ等
の軟質強磁性膜（以下、軟磁性膜という）の磁気抵抗効
果を利用したもので、大きな再生出力が得られる。
出すための磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘ
ッドが実用化されている。ＭＲヘッドは、パーマロイ等
の軟質強磁性膜（以下、軟磁性膜という）の磁気抵抗効
果を利用したもので、大きな再生出力が得られる。
【０００３】ＭＲヘッドの基本的な製造方法は、例えば
例えば特開平７−６３３０号公報、特開平７─１４１２
５号公報に記載されている。以下に、ＭＲヘッドの製造
工程の一例を図６(a) 〜(c) を参照して説明する。ま
ず、図６(a) に示すまでの工程を説明する。基板１の上
に、軟磁性体よりなる磁化バイアス層２、磁気的アイソ
レーション層３、軟磁性体よりなるＭＲ層４を真空蒸着
により連続して形成する。磁化バイアス層２やＭＲ層４
を構成する材料として例えばNiFeがある。磁気的アイソ
レーション層３２の構成材料としてAl2O3 のような絶縁
物又はタンタル、チタンのような高抵抗金属が適用され
る。続いて、フォトリソグラフィー法によって磁化バイ
アス層２、磁気的アイソレーション層３及びＭＲ層４を
平面矩形状にパターニングする。
例えば特開平７−６３３０号公報、特開平７─１４１２
５号公報に記載されている。以下に、ＭＲヘッドの製造
工程の一例を図６(a) 〜(c) を参照して説明する。ま
ず、図６(a) に示すまでの工程を説明する。基板１の上
に、軟磁性体よりなる磁化バイアス層２、磁気的アイソ
レーション層３、軟磁性体よりなるＭＲ層４を真空蒸着
により連続して形成する。磁化バイアス層２やＭＲ層４
を構成する材料として例えばNiFeがある。磁気的アイソ
レーション層３２の構成材料としてAl2O3 のような絶縁
物又はタンタル、チタンのような高抵抗金属が適用され
る。続いて、フォトリソグラフィー法によって磁化バイ
アス層２、磁気的アイソレーション層３及びＭＲ層４を
平面矩形状にパターニングする。
【０００４】次に、図６(b) に示すように、ＭＲ層４及
び基板１の上にレジスト５を塗布した後に、レジスト５
を露光、現像してＭＲ層４のセンス領域Ｓの両側の引出
電極形成領域に開口部５ａを形成する。さらに、図６
(c) に示すように、レジスト５、ＭＲ層４及び基板の上
に、硬質強磁性膜（以下、硬磁性膜という）又は反強磁
性膜のいずれかよりなる磁区制御用磁性層６を蒸着し、
さらにその上に端子用金属膜７を蒸着する。反強磁性層
の構成材料として例えばFeMn、NiMnがあり、硬磁性膜の
構成材料として例えばCo、Cr、CoPt、CoCrPtがある。
び基板１の上にレジスト５を塗布した後に、レジスト５
を露光、現像してＭＲ層４のセンス領域Ｓの両側の引出
電極形成領域に開口部５ａを形成する。さらに、図６
(c) に示すように、レジスト５、ＭＲ層４及び基板の上
に、硬質強磁性膜（以下、硬磁性膜という）又は反強磁
性膜のいずれかよりなる磁区制御用磁性層６を蒸着し、
さらにその上に端子用金属膜７を蒸着する。反強磁性層
の構成材料として例えばFeMn、NiMnがあり、硬磁性膜の
構成材料として例えばCo、Cr、CoPt、CoCrPtがある。
【０００５】続いて、レジスト５を剥離するリフトオフ
法により、磁区制御用磁性６及び端子用金属膜７を引出
電極形成領域にのみ残す。磁区制御用磁性層６は、ＭＲ
層４のセンス領域の磁区を制御するためにセンス領域Ｓ
の両側に残され、またその上の端子用金属膜７はリード
電極として使用され。ＭＲ層４のセンス領域Ｓには、引
出電極（７）を通して電流が供給される。
法により、磁区制御用磁性６及び端子用金属膜７を引出
電極形成領域にのみ残す。磁区制御用磁性層６は、ＭＲ
層４のセンス領域の磁区を制御するためにセンス領域Ｓ
の両側に残され、またその上の端子用金属膜７はリード
電極として使用され。ＭＲ層４のセンス領域Ｓには、引
出電極（７）を通して電流が供給される。
【０００６】ところで、ＭＲ層４は成膜後に大気に曝さ
れるので、ＭＲ層４の表面には図６(a) に示すように自
然酸化膜４ａが形成される。その自然酸化膜４ａの存在
は、ＭＲ層４と磁区制御用磁性層６の交換結合を阻止す
るので、磁区制御用磁性層６を蒸着する前にイオンミリ
ング、逆スパッタリングなどにより自然酸化膜４ａを除
去するための表面クリーニング工程が実施される。
れるので、ＭＲ層４の表面には図６(a) に示すように自
然酸化膜４ａが形成される。その自然酸化膜４ａの存在
は、ＭＲ層４と磁区制御用磁性層６の交換結合を阻止す
るので、磁区制御用磁性層６を蒸着する前にイオンミリ
ング、逆スパッタリングなどにより自然酸化膜４ａを除
去するための表面クリーニング工程が実施される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そのような表面クリー
ニング処理を施すことにより、ＭＲ層４ではバルクハウ
ゼン雑音を抑止する機能をもつ交換結合磁場が大きく変
動する。このため、安定な特性をもつＭＲ素子を得るこ
とが困難になる。交換結合磁場の大きさが変動する要因
として、例えば、イオンミリングされたNiFe膜の表面に
おいて特定の結晶面をもつ結晶粒が露出し、その結晶粒
の結晶配向が変化することがあげられる。結晶配向の変
化は、イオン入射角度などのイオンミリング条件に依存
する。これらのことは、日本応用磁気学会誌、Vol.17,
No.2, pp.315-318, 1993において記載されている。
ニング処理を施すことにより、ＭＲ層４ではバルクハウ
ゼン雑音を抑止する機能をもつ交換結合磁場が大きく変
動する。このため、安定な特性をもつＭＲ素子を得るこ
とが困難になる。交換結合磁場の大きさが変動する要因
として、例えば、イオンミリングされたNiFe膜の表面に
おいて特定の結晶面をもつ結晶粒が露出し、その結晶粒
の結晶配向が変化することがあげられる。結晶配向の変
化は、イオン入射角度などのイオンミリング条件に依存
する。これらのことは、日本応用磁気学会誌、Vol.17,
No.2, pp.315-318, 1993において記載されている。
【０００８】また、そのようなＭＲ層４の表面クリーニ
ングによってＭＲ層４の膜厚が変化することも、交換結
合磁場の大きさが変動する別の重要な要因の１つであ
る。交換結合磁場の大きさがＭＲ層４の膜厚に概略反比
例することは、例えばJ. Appl.Phys., Vol.52, No.3, p
p.2471-2473, 1981に記載されている。これに対して、
特開平７−１４１２５号公報にはＭＲ層に続いて反強磁
性層を連続して形成し、ＭＲ層と反強磁性層の境界に異
物が混入することを防止する方法が記載されている。し
かし、この公報では、センス領域の反強磁性層を除去し
た後に引出電極を形成するようにしているので、引出電
極の位置ずれによって反強磁性層が露出することもあ
り、反強磁性層が酸化されて交換結合が劣化するおそれ
がある。
ングによってＭＲ層４の膜厚が変化することも、交換結
合磁場の大きさが変動する別の重要な要因の１つであ
る。交換結合磁場の大きさがＭＲ層４の膜厚に概略反比
例することは、例えばJ. Appl.Phys., Vol.52, No.3, p
p.2471-2473, 1981に記載されている。これに対して、
特開平７−１４１２５号公報にはＭＲ層に続いて反強磁
性層を連続して形成し、ＭＲ層と反強磁性層の境界に異
物が混入することを防止する方法が記載されている。し
かし、この公報では、センス領域の反強磁性層を除去し
た後に引出電極を形成するようにしているので、引出電
極の位置ずれによって反強磁性層が露出することもあ
り、反強磁性層が酸化されて交換結合が劣化するおそれ
がある。
【０００９】また、上述した工程によれば、ＭＲ層４の
センス領域Ｓの表面は、引出電極形成後に露出状態とな
るために、リード電極形成後の諸プロセスにおいて表面
酸化が進行したり磁性微粒子が付着するなど、ＭＲヘッ
ドの信頼性を低下させる諸要因の発生が避けられない。
本発明は、特性のバラツキやバルクハウゼン雑音を抑止
できるＭＲヘッドとその製造方法及び磁気記録装置を提
供することを目的とする。本発明のもう１つの目的は、
引出電極形成直後のＭＲ層のセンス領域の表面を清浄な
状態に保つことができるＭＲヘッドとその製造方法及び
磁気記録装置を提供することにある。
センス領域Ｓの表面は、引出電極形成後に露出状態とな
るために、リード電極形成後の諸プロセスにおいて表面
酸化が進行したり磁性微粒子が付着するなど、ＭＲヘッ
ドの信頼性を低下させる諸要因の発生が避けられない。
本発明は、特性のバラツキやバルクハウゼン雑音を抑止
できるＭＲヘッドとその製造方法及び磁気記録装置を提
供することを目的とする。本発明のもう１つの目的は、
引出電極形成直後のＭＲ層のセンス領域の表面を清浄な
状態に保つことができるＭＲヘッドとその製造方法及び
磁気記録装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図３
(c) に例示するように、基板２１上に形成される軟磁性
層２２と、前記軟磁性層２２上に形成される磁気的アイ
ソレーション層２３と、前記磁気的アイソレーション層
２３上に形成される磁気抵抗効果層２４と、前記磁気抵
抗効果層２４のセンス領域Ｓを覆い且つ磁気的に不活性
な厚さの反強磁性層又は磁気的に不活性な厚さの硬質強
磁性層よりなる保護膜２５ａとを有することを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘッドによって解決する。
(c) に例示するように、基板２１上に形成される軟磁性
層２２と、前記軟磁性層２２上に形成される磁気的アイ
ソレーション層２３と、前記磁気的アイソレーション層
２３上に形成される磁気抵抗効果層２４と、前記磁気抵
抗効果層２４のセンス領域Ｓを覆い且つ磁気的に不活性
な厚さの反強磁性層又は磁気的に不活性な厚さの硬質強
磁性層よりなる保護膜２５ａとを有することを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘッドによって解決する。
【００１１】または、上記した課題は、図４(c) に例示
するように、基板２１上に形成される軟磁性層２２と、
前記軟磁性層２２上に形成される磁気的アイソレーショ
ン層２３と、前記磁気的アイソレーション層２３上に形
成される磁気抵抗効果層２４と、前記磁気抵抗効果層２
４のセンス領域Ｓを覆い且つ反強磁性体の酸化物又は硬
質強磁性体の酸化物よりなる保護膜３０とを有すること
を特徴とする磁気抵抗効果ヘッドによって解決する。
するように、基板２１上に形成される軟磁性層２２と、
前記軟磁性層２２上に形成される磁気的アイソレーショ
ン層２３と、前記磁気的アイソレーション層２３上に形
成される磁気抵抗効果層２４と、前記磁気抵抗効果層２
４のセンス領域Ｓを覆い且つ反強磁性体の酸化物又は硬
質強磁性体の酸化物よりなる保護膜３０とを有すること
を特徴とする磁気抵抗効果ヘッドによって解決する。
【００１２】または、上記した課題は、図３(c) 又は図
４(c) に例示する磁気抵抗効果ヘッドと、該磁気抵抗効
果ヘッドによって磁気的情報が読み出される磁気記録媒
体とを有する磁気記録装置によって解決する。または、
上記した課題は、図１、図２に例示するように、基板１
１，２２上に軟磁性層１２，２３を形成する工程と、磁
気的アイソレーション層１３，２３を前記軟磁性層１
２，２２上に形成する工程と、磁気抵抗効果層１４，２
４を前記磁気的アイソレーション層１３，２３上に形成
する工程と、反強磁性体又は硬質強磁性体よりなる磁区
制御用磁性層１５，２５を前記磁気抵抗効果層１４，２
４上に形成する工程と、前記軟磁性層１２，２２、前記
磁気的アイソレーション層１３，２３、前記磁気抵抗効
果層１４，２４及び前記磁区制御用磁性層１５，２５を
連続的にパターニングする工程と、前記磁区制御用磁性
層１５，２５の両側寄りに１対の引出電極１７，２９を
形成する工程と、前記引出電極１７，２９を耐エッチン
グマスクに使用して前記磁区制御用磁性層１５，２５の
中央領域をエッチングにより除去して前記磁気抵抗効果
層のセンス領域Ｓを露出する工程とを有することを特徴
とす磁気抵抗効果ヘッドの製造方法によって解決する。
４(c) に例示する磁気抵抗効果ヘッドと、該磁気抵抗効
果ヘッドによって磁気的情報が読み出される磁気記録媒
体とを有する磁気記録装置によって解決する。または、
上記した課題は、図１、図２に例示するように、基板１
１，２２上に軟磁性層１２，２３を形成する工程と、磁
気的アイソレーション層１３，２３を前記軟磁性層１
２，２２上に形成する工程と、磁気抵抗効果層１４，２
４を前記磁気的アイソレーション層１３，２３上に形成
する工程と、反強磁性体又は硬質強磁性体よりなる磁区
制御用磁性層１５，２５を前記磁気抵抗効果層１４，２
４上に形成する工程と、前記軟磁性層１２，２２、前記
磁気的アイソレーション層１３，２３、前記磁気抵抗効
果層１４，２４及び前記磁区制御用磁性層１５，２５を
連続的にパターニングする工程と、前記磁区制御用磁性
層１５，２５の両側寄りに１対の引出電極１７，２９を
形成する工程と、前記引出電極１７，２９を耐エッチン
グマスクに使用して前記磁区制御用磁性層１５，２５の
中央領域をエッチングにより除去して前記磁気抵抗効果
層のセンス領域Ｓを露出する工程とを有することを特徴
とす磁気抵抗効果ヘッドの製造方法によって解決する。
【００１３】または、図３又は図４に例示するように、
基板２１上に軟磁性層２２を形成する工程と、磁気的ア
イソレーション層２３を前記軟磁性層２２上に形成する
工程と、磁気抵抗効果層２４を前記磁気的アイソレーシ
ョン層２３上に形成する工程と、反強磁性体又は硬質強
磁性体よりなる磁区制御用磁性層２５を前記磁気的アイ
ソレーション層２３上に形成する工程と、前記軟磁性層
２２、前記磁気的アイソレーション層２３、前記磁気抵
抗効果層２４及び前記磁区制御用磁性層２５を連続的に
パターニングする工程と、前記磁区制御用磁性層２５の
両側寄りの領域に耐エッチングマスクを形成する工程
と、前記耐エッチングマスクに覆われない前記磁区制御
用磁性層２５の中央領域を磁気的に不活性となる厚さに
エッチングするか該中央領域を酸化する工程とを有する
ことを特徴とす磁気抵抗効果ヘッドの製造方法によって
解決する。この場合、印加磁場に対する前記磁気抵抗効
果層の電気的、磁気的特性を監視しつつ、前記磁区制御
用磁性層のエッチング量を調整することを特徴とする。
基板２１上に軟磁性層２２を形成する工程と、磁気的ア
イソレーション層２３を前記軟磁性層２２上に形成する
工程と、磁気抵抗効果層２４を前記磁気的アイソレーシ
ョン層２３上に形成する工程と、反強磁性体又は硬質強
磁性体よりなる磁区制御用磁性層２５を前記磁気的アイ
ソレーション層２３上に形成する工程と、前記軟磁性層
２２、前記磁気的アイソレーション層２３、前記磁気抵
抗効果層２４及び前記磁区制御用磁性層２５を連続的に
パターニングする工程と、前記磁区制御用磁性層２５の
両側寄りの領域に耐エッチングマスクを形成する工程
と、前記耐エッチングマスクに覆われない前記磁区制御
用磁性層２５の中央領域を磁気的に不活性となる厚さに
エッチングするか該中央領域を酸化する工程とを有する
ことを特徴とす磁気抵抗効果ヘッドの製造方法によって
解決する。この場合、印加磁場に対する前記磁気抵抗効
果層の電気的、磁気的特性を監視しつつ、前記磁区制御
用磁性層のエッチング量を調整することを特徴とする。
【００１４】または、図２、図３、図４に例示するよう
に、前記磁区制御用磁性層２５を形成した後に、連続し
て引出電極を構成する金属層２６を前記磁区制御用磁性
層２５上に形成する工程と、前記金属層２６を介して前
記磁区制御用磁性層２５の両側寄りの領域に前記耐エッ
チングマスク又は前記引出電極２９を形成する工程と、
前記磁区制御用磁性層２５のエッチング又は酸化の前
に、前記金属層２６のうち前記耐エッチングマスク又は
前記引出電極２９に覆われない領域をエッチングにより
除去する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法によって解決する。
に、前記磁区制御用磁性層２５を形成した後に、連続し
て引出電極を構成する金属層２６を前記磁区制御用磁性
層２５上に形成する工程と、前記金属層２６を介して前
記磁区制御用磁性層２５の両側寄りの領域に前記耐エッ
チングマスク又は前記引出電極２９を形成する工程と、
前記磁区制御用磁性層２５のエッチング又は酸化の前
に、前記金属層２６のうち前記耐エッチングマスク又は
前記引出電極２９に覆われない領域をエッチングにより
除去する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッドの製造方法によって解決する。
【００１５】次に、上記した本発明の作用について説明
する。本発明によれば磁気抵抗効果（ＭＲ）層と磁区制
御用磁性層を連続して成膜した後に、磁区制御用磁性層
の両側寄りに１対の引出電極を形成し、ついで、それら
の引出電極を耐エッチングマスクに使用して磁区制御用
磁性層を除去してＭＲ層のセンス領域を露出するように
している。
する。本発明によれば磁気抵抗効果（ＭＲ）層と磁区制
御用磁性層を連続して成膜した後に、磁区制御用磁性層
の両側寄りに１対の引出電極を形成し、ついで、それら
の引出電極を耐エッチングマスクに使用して磁区制御用
磁性層を除去してＭＲ層のセンス領域を露出するように
している。
【００１６】従って、磁区制御用磁性層をＭＲ層に連続
的に成長してこれらの層の間に自然酸化物が介在した
り、磁区制御用磁性層の下のＭＲ層の膜厚が変化するこ
とがなくなる。これにより、ＭＲ層に対する反強磁性層
の交換結合磁場が安定し、バルクハウゼン雑音が抑止さ
れ、磁気抵抗効果特性も良好になる。しかも、引出電極
をマスクに使用して反強磁性層をパターニングしている
ので、引出電極の縁によってセンス領域が区画されるこ
とになり、引出電極の端部とセンス領域の端部が一致す
ることになり、これにより、反強磁性層の露出を防止す
るとともに、磁気抵抗効果素子が精度良くなる。
的に成長してこれらの層の間に自然酸化物が介在した
り、磁区制御用磁性層の下のＭＲ層の膜厚が変化するこ
とがなくなる。これにより、ＭＲ層に対する反強磁性層
の交換結合磁場が安定し、バルクハウゼン雑音が抑止さ
れ、磁気抵抗効果特性も良好になる。しかも、引出電極
をマスクに使用して反強磁性層をパターニングしている
ので、引出電極の縁によってセンス領域が区画されるこ
とになり、引出電極の端部とセンス領域の端部が一致す
ることになり、これにより、反強磁性層の露出を防止す
るとともに、磁気抵抗効果素子が精度良くなる。
【００１７】さらに、ＭＲ層と磁区制御用磁性層と電極
構成金属層を連続して成膜すると、磁区制御用磁性層の
表面の汚染が防止され、ＭＲ層に対する反強磁性層の交
換結合磁場がより一層安定し、さらに良好な磁気抵抗効
果特性が得られる。また、別の本発明によれば、磁気抵
抗効果ヘッドを構成するＭＲ層のうち中央のセンス領域
を反強磁性体層又は硬質強磁性体層で覆い、しかも反強
磁性体層又は硬質強磁性体層の膜厚を磁気的に不活性な
厚さにしている。これによれば、ＭＲ層のセンス領域が
酸化されたり汚染されることはないので、磁気抵抗効果
ヘッドの信頼性が向上する。なお、磁気的に不活性とい
うことは、磁気的に交換結合せず、磁気的な影響を与え
ないことである。
構成金属層を連続して成膜すると、磁区制御用磁性層の
表面の汚染が防止され、ＭＲ層に対する反強磁性層の交
換結合磁場がより一層安定し、さらに良好な磁気抵抗効
果特性が得られる。また、別の本発明によれば、磁気抵
抗効果ヘッドを構成するＭＲ層のうち中央のセンス領域
を反強磁性体層又は硬質強磁性体層で覆い、しかも反強
磁性体層又は硬質強磁性体層の膜厚を磁気的に不活性な
厚さにしている。これによれば、ＭＲ層のセンス領域が
酸化されたり汚染されることはないので、磁気抵抗効果
ヘッドの信頼性が向上する。なお、磁気的に不活性とい
うことは、磁気的に交換結合せず、磁気的な影響を与え
ないことである。
【００１８】このような構成は、ＭＲ層の形成に続い
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域の上にある反強磁性体層又は硬質強磁性体層
を薄層化することにより得られる。センス領域の磁区制
御は、センス領域の両側方での反強磁性体層又は硬質強
磁性体層とＭＲ層との交換結合によって行われる。
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域の上にある反強磁性体層又は硬質強磁性体層
を薄層化することにより得られる。センス領域の磁区制
御は、センス領域の両側方での反強磁性体層又は硬質強
磁性体層とＭＲ層との交換結合によって行われる。
【００１９】このように反強磁性層又は硬質強磁性体層
をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出させないことに
より、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態で保護されるの
で、信頼性に優れた磁気抵抗効果ヘッドが実現できる。
反強磁性体層又は硬質強磁性体層を薄層化する際には、
印加磁場に対するＭＲ層の磁気抵抗の変化などのよう
に、電気的、磁気的特性を監視しながら行うと、精度良
く反強磁性体層又は硬質強磁性体層の膜厚を制御でき
る。
をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出させないことに
より、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態で保護されるの
で、信頼性に優れた磁気抵抗効果ヘッドが実現できる。
反強磁性体層又は硬質強磁性体層を薄層化する際には、
印加磁場に対するＭＲ層の磁気抵抗の変化などのよう
に、電気的、磁気的特性を監視しながら行うと、精度良
く反強磁性体層又は硬質強磁性体層の膜厚を制御でき
る。
【００２０】また、さらに別の本発明によれば、磁気抵
抗効果ヘッドを構成するＭＲ層のうち中央のセンス領域
を反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物で覆ってい
る。反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物は磁気的
に不活性であるので、ＭＲ層のセンス領域が酸化された
り汚染されることはないので、磁気抵抗効果ヘッドの信
頼性が向上する。
抗効果ヘッドを構成するＭＲ層のうち中央のセンス領域
を反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物で覆ってい
る。反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物は磁気的
に不活性であるので、ＭＲ層のセンス領域が酸化された
り汚染されることはないので、磁気抵抗効果ヘッドの信
頼性が向上する。
【００２１】このような構成は、ＭＲ層の形成に続い
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域直上の反強磁性体層又は硬質強磁性体層を酸
化することにより得られる。このように反強磁性層又は
硬質強磁性体層をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出
させないことにより、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態
で保護されることになり、信頼性に優れた磁気抵抗効果
ヘッドが実現できる。
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域直上の反強磁性体層又は硬質強磁性体層を酸
化することにより得られる。このように反強磁性層又は
硬質強磁性体層をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出
させないことにより、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態
で保護されることになり、信頼性に優れた磁気抵抗効果
ヘッドが実現できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施例を
図面に基づいて説明する。 （第１の実施の形態）以下に、本発明の第１実施形態に
係るＭＲヘッドの製造工程を説明する。まず、図１(a)
に示すように、基板１１の上に、軟磁性体よりなる磁化
バイアス層１２、絶縁物又は高抵抗金属よりなる磁気的
アイソレーション層１３、軟磁性体よりなるＭＲ層１
４、反強磁性層（磁区制御用磁性層）１５をそれぞれＲ
Ｆスパッタリングにより連続して形成する。そのＲＦス
パッタリングの際には、磁化容易磁区方向に約１００Oe
の磁界を成長膜に印加して磁化バイアス層１２、ＭＲ層
１４を同じ方向に磁化する。また、反強磁性層１５は、
その下のＭＲ層１４の磁化方向を固定する状態となる。
図面に基づいて説明する。 （第１の実施の形態）以下に、本発明の第１実施形態に
係るＭＲヘッドの製造工程を説明する。まず、図１(a)
に示すように、基板１１の上に、軟磁性体よりなる磁化
バイアス層１２、絶縁物又は高抵抗金属よりなる磁気的
アイソレーション層１３、軟磁性体よりなるＭＲ層１
４、反強磁性層（磁区制御用磁性層）１５をそれぞれＲ
Ｆスパッタリングにより連続して形成する。そのＲＦス
パッタリングの際には、磁化容易磁区方向に約１００Oe
の磁界を成長膜に印加して磁化バイアス層１２、ＭＲ層
１４を同じ方向に磁化する。また、反強磁性層１５は、
その下のＭＲ層１４の磁化方向を固定する状態となる。
【００２３】なお、ＲＦスパッリングは、アルゴンガス
を導入した圧力約１０-2Torrの雰囲気で行う（以下の実
施の形態の際も同じ条件とする）。各層の具体的な材料
及び膜厚の一例を挙げると、磁化バイアス層１２は厚さ
２０nmのNi80Fe20からなり、磁気的アイソレーション層
１３は厚さ５０nmのAl2O3からなり、ＭＲ層１４は、厚
さ２０nmのNi80Fe20からなり、反強磁性層１５は、膜厚
１５nmのFe50Mn50からなる。
を導入した圧力約１０-2Torrの雰囲気で行う（以下の実
施の形態の際も同じ条件とする）。各層の具体的な材料
及び膜厚の一例を挙げると、磁化バイアス層１２は厚さ
２０nmのNi80Fe20からなり、磁気的アイソレーション層
１３は厚さ５０nmのAl2O3からなり、ＭＲ層１４は、厚
さ２０nmのNi80Fe20からなり、反強磁性層１５は、膜厚
１５nmのFe50Mn50からなる。
【００２４】なお、基板１１としては、その上面に非磁
性絶縁層、シールド層、非磁性絶縁層などが形成された
ものが使用される。このことは、第２〜第４の実施の形
態でも同様である。次に、図１(b) に示すように、レジ
ストパターンをマスクＭに使用するフォトリソグラフィ
ー法によって磁化バイアス層１２、磁気的アイソレーシ
ョン層１３、ＭＲ層１４及び磁化バイアス層１５を平面
長方形にパターニングする。この場合、長方形の長手方
向を、上記した印加磁界による磁化方向に一致させる。
性絶縁層、シールド層、非磁性絶縁層などが形成された
ものが使用される。このことは、第２〜第４の実施の形
態でも同様である。次に、図１(b) に示すように、レジ
ストパターンをマスクＭに使用するフォトリソグラフィ
ー法によって磁化バイアス層１２、磁気的アイソレーシ
ョン層１３、ＭＲ層１４及び磁化バイアス層１５を平面
長方形にパターニングする。この場合、長方形の長手方
向を、上記した印加磁界による磁化方向に一致させる。
【００２５】その後、反強磁性層１５及び基板１１の上
にレジストを塗布した後に、レジストを露光、現像して
図１(c) のようなレジストパターン１６を形成する。こ
のレジストパターン１６は、図１(c) に示すように、反
強磁性層１５のセンス領域Ｓを覆い且つセンス領域Ｓ両
側の２つのリード形成領域に開口部１６ａを有してい
る。このレジストパターン１６は、図に見られるように
周縁上部が庇状に張り出すような断面形状となってい
る。
にレジストを塗布した後に、レジストを露光、現像して
図１(c) のようなレジストパターン１６を形成する。こ
のレジストパターン１６は、図１(c) に示すように、反
強磁性層１５のセンス領域Ｓを覆い且つセンス領域Ｓ両
側の２つのリード形成領域に開口部１６ａを有してい
る。このレジストパターン１６は、図に見られるように
周縁上部が庇状に張り出すような断面形状となってい
る。
【００２６】続いて、レジストパターン１６、反強磁性
層１５及び基板１１のそれぞれの露出部分の上に、金よ
りなる低抵抗金属膜１７を蒸着により形成する。つい
で、レジストパターン１６を剥離するリフトオフ法によ
り、低抵抗金属層を２つのリード形成領域にのみ残す。
これによりパターニングされた低抵抗金属膜は、図１
(d) のようにセンス領域Ｓの両側で１対の引出電極１７
となる。ス領域Ｓの両側に形成される。２つの引出電極
１７のうち一方から他方への向きは、上記した磁化方向
と一致する。
層１５及び基板１１のそれぞれの露出部分の上に、金よ
りなる低抵抗金属膜１７を蒸着により形成する。つい
で、レジストパターン１６を剥離するリフトオフ法によ
り、低抵抗金属層を２つのリード形成領域にのみ残す。
これによりパターニングされた低抵抗金属膜は、図１
(d) のようにセンス領域Ｓの両側で１対の引出電極１７
となる。ス領域Ｓの両側に形成される。２つの引出電極
１７のうち一方から他方への向きは、上記した磁化方向
と一致する。
【００２７】次に、図１(e) に示すように、１対の引出
電極１７をマスクに使用して、アルゴン（Ar）ガスを用
いたイオンミリングにより反強磁性層（Fe50Mn50）１５
の一部を除去してＭＲ層１４のセンス領域Ｓを露出させ
る。イオンミリングの条件としては、加速電圧を１keV
、イオン電流密度を１mA／cm2 とする。なお、反強磁
性層１５のエッチングの際に引出電極１７もエッチング
されるので、予めそのエッチング量を見越して引出電極
１７を厚く形成しておく必要がある。
電極１７をマスクに使用して、アルゴン（Ar）ガスを用
いたイオンミリングにより反強磁性層（Fe50Mn50）１５
の一部を除去してＭＲ層１４のセンス領域Ｓを露出させ
る。イオンミリングの条件としては、加速電圧を１keV
、イオン電流密度を１mA／cm2 とする。なお、反強磁
性層１５のエッチングの際に引出電極１７もエッチング
されるので、予めそのエッチング量を見越して引出電極
１７を厚く形成しておく必要がある。
【００２８】これにより、磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵
抗効果素子の形成が終了する。以上のような磁気抵抗効
果素子によれば、ＭＲ層１４のセンス領域Ｓの両側にの
み反強磁性層１５をコンタクトさせる構造としているの
で、反強磁性層１５をＭＲ層１４の上に連続して形成
し、ついでそれらの層を連続してパターニングすること
が可能になった。従って、反強磁性層１５をＭＲ層１４
に続いて連続的に成長することにより、反強磁性層１５
とＭＲ層１４の間に自然酸化物が介在したり、反強磁性
層１５の下のＭＲ層１４の膜厚が変化することがなくな
る。これにより、ＭＲ層１４に対する反強磁性層１５の
交換結合磁場が安定し、バルクハウゼン雑音が抑止さ
れ、磁気抵抗効果特性も安定する。
抗効果素子の形成が終了する。以上のような磁気抵抗効
果素子によれば、ＭＲ層１４のセンス領域Ｓの両側にの
み反強磁性層１５をコンタクトさせる構造としているの
で、反強磁性層１５をＭＲ層１４の上に連続して形成
し、ついでそれらの層を連続してパターニングすること
が可能になった。従って、反強磁性層１５をＭＲ層１４
に続いて連続的に成長することにより、反強磁性層１５
とＭＲ層１４の間に自然酸化物が介在したり、反強磁性
層１５の下のＭＲ層１４の膜厚が変化することがなくな
る。これにより、ＭＲ層１４に対する反強磁性層１５の
交換結合磁場が安定し、バルクハウゼン雑音が抑止さ
れ、磁気抵抗効果特性も安定する。
【００２９】しかも、上記した工程によれば、引出電極
１７をマスクに使用して反強磁性層１５をパターニング
しているので、引出電極１７の縁によってセンス領域が
区画されることになり、引出電極１７の端部とセンス領
域の端部が一致することになる。これにより、反強磁性
層１５の露出が防止されて酸化されにくくなるとともに
磁気抵抗効果素子が精度良く形成されることになる。
１７をマスクに使用して反強磁性層１５をパターニング
しているので、引出電極１７の縁によってセンス領域が
区画されることになり、引出電極１７の端部とセンス領
域の端部が一致することになる。これにより、反強磁性
層１５の露出が防止されて酸化されにくくなるとともに
磁気抵抗効果素子が精度良く形成されることになる。
【００３０】ところで、１対の引出電極１７を介してＭ
Ｒ層１４のセンス領域Ｓに電流を流すと、ＭＲ層１４の
周囲に発生する磁界によって磁化バイアス層１２の磁化
方向は初期の状態から角度を変えることになる。そし
て、磁化方向の角度が変化した磁化バイアス層１２の周
囲に生じる磁化バイアス磁界によってＭＲ層１４の磁化
の方向が変化する。磁化バイアス層１２はＳＡＬ(soft
adjacent layer) と呼ばれる。
Ｒ層１４のセンス領域Ｓに電流を流すと、ＭＲ層１４の
周囲に発生する磁界によって磁化バイアス層１２の磁化
方向は初期の状態から角度を変えることになる。そし
て、磁化方向の角度が変化した磁化バイアス層１２の周
囲に生じる磁化バイアス磁界によってＭＲ層１４の磁化
の方向が変化する。磁化バイアス層１２はＳＡＬ(soft
adjacent layer) と呼ばれる。
【００３１】なお、引出電極１７となる低抵抗金属膜を
形成する前に、レジストパターン１６の開口部１６ａか
ら露出した反強磁性層１５の表面を逆スパッタリングで
クリーニングしてもよい。このクリーニングにより反強
磁性層１５と引出電極１７の電気的接触抵抗が低減す
る。 （第２の実施の形態）次に、本発明の第２の実施の形態
に係るＭＲヘッドとその製造工程について説明する。
形成する前に、レジストパターン１６の開口部１６ａか
ら露出した反強磁性層１５の表面を逆スパッタリングで
クリーニングしてもよい。このクリーニングにより反強
磁性層１５と引出電極１７の電気的接触抵抗が低減す
る。 （第２の実施の形態）次に、本発明の第２の実施の形態
に係るＭＲヘッドとその製造工程について説明する。
【００３２】まず、図２(a) に示すように、基板２１の
上に、軟磁性体よりなる磁化バイアス層２２、絶縁膜又
は高抵抗金属膜よりなる磁気的アイソレーション層２
３、軟磁性体よりなるＭＲ層２４、反強磁性層（磁区制
御用磁性層）２５及び第一の低抵抗金属層２６をそれぞ
れＲＦスパッタリングにより連続して形成する。第一の
低抵抗金属層２６の成長を除くＲＦスパッタリングの際
には、磁化容易磁区方向に約１００Oeの磁界を成長膜に
印加して磁化バイアス層２２、ＭＲ層２４を同じ方向に
磁化する。また、反強磁性層２５は、その下のＭＲ層２
４の磁化方向を固定する状態となる。
上に、軟磁性体よりなる磁化バイアス層２２、絶縁膜又
は高抵抗金属膜よりなる磁気的アイソレーション層２
３、軟磁性体よりなるＭＲ層２４、反強磁性層（磁区制
御用磁性層）２５及び第一の低抵抗金属層２６をそれぞ
れＲＦスパッタリングにより連続して形成する。第一の
低抵抗金属層２６の成長を除くＲＦスパッタリングの際
には、磁化容易磁区方向に約１００Oeの磁界を成長膜に
印加して磁化バイアス層２２、ＭＲ層２４を同じ方向に
磁化する。また、反強磁性層２５は、その下のＭＲ層２
４の磁化方向を固定する状態となる。
【００３３】各層の具体的な材料及び膜厚の一例を挙げ
ると、磁化バイアス層２２は厚さ２０nmのNi80Fe20から
なり、磁気的アイソレーション層２３は厚さ５０nmのAl
2O3からなり、ＭＲ層２４は厚さ２０nmのNi80Fe20から
なり、反強磁性層２５は膜厚１５nmのFe50Mn50からな
り、第一の低抵抗金属層２６は厚さ１０nmのTaからな
る。
ると、磁化バイアス層２２は厚さ２０nmのNi80Fe20から
なり、磁気的アイソレーション層２３は厚さ５０nmのAl
2O3からなり、ＭＲ層２４は厚さ２０nmのNi80Fe20から
なり、反強磁性層２５は膜厚１５nmのFe50Mn50からな
り、第一の低抵抗金属層２６は厚さ１０nmのTaからな
る。
【００３４】次に、図２(b) に示すように、レジストパ
ターンをマスクＭに使用するフォトリソグラフィー法に
よって磁化バイアス層２２から第一の低抵抗金属層２６
までの各層を平面長方形状にパターニングする。この場
合、長方形の長手方向を上記印加磁界による磁化方向に
一致させる。その後、第一の低抵抗金属層２６及び基板
２１の上にレジストを塗布した後に、レジストを露光、
現像して図２(c) のようなレジストパターン２７を形成
する。このレジストパターン２７は、図２(c) に示すよ
うに、のセンス領域Ｓの上の第一の低抵抗金属層２６を
覆い且つセンス領域Ｓ両側の２つのリード形成領域に開
口部２７ａを有している。このレジストパターン２６
は、図に見られるように周縁上部が庇状に張り出すよう
な断面形状となっている。
ターンをマスクＭに使用するフォトリソグラフィー法に
よって磁化バイアス層２２から第一の低抵抗金属層２６
までの各層を平面長方形状にパターニングする。この場
合、長方形の長手方向を上記印加磁界による磁化方向に
一致させる。その後、第一の低抵抗金属層２６及び基板
２１の上にレジストを塗布した後に、レジストを露光、
現像して図２(c) のようなレジストパターン２７を形成
する。このレジストパターン２７は、図２(c) に示すよ
うに、のセンス領域Ｓの上の第一の低抵抗金属層２６を
覆い且つセンス領域Ｓ両側の２つのリード形成領域に開
口部２７ａを有している。このレジストパターン２６
は、図に見られるように周縁上部が庇状に張り出すよう
な断面形状となっている。
【００３５】次に、引出電極となる低抵抗金属膜を形成
する前に、レジストパターン２７の開口部２７ａから露
出した第一の低抵抗金属層２６の表面を逆スパッタリン
グでクリーニングする。このクリーニングにより第一の
低抵抗金属層２６の表面の酸化物が除去されるので、次
の工程で形成される第二の低抵抗金属層２８と第一の低
抵抗金属層２６の電気的コンタクトが良好になる。な
お、第一の低抵抗金属層２６の表面をエッチングして
も、磁気抵抗効果素子の特性に悪影響を与えることはな
い。
する前に、レジストパターン２７の開口部２７ａから露
出した第一の低抵抗金属層２６の表面を逆スパッタリン
グでクリーニングする。このクリーニングにより第一の
低抵抗金属層２６の表面の酸化物が除去されるので、次
の工程で形成される第二の低抵抗金属層２８と第一の低
抵抗金属層２６の電気的コンタクトが良好になる。な
お、第一の低抵抗金属層２６の表面をエッチングして
も、磁気抵抗効果素子の特性に悪影響を与えることはな
い。
【００３６】続いて、レジストパターン２７、第一の低
抵抗金属層２６及び基板２１のそれぞれの露出部分の上
にTa／W ／Taの三層構造よりなる第二の低抵抗金属膜２
８を蒸着する。この場合、下側のTaは１０nmの厚さを有
し、上側のTaは後述するエッチングを考慮して３５nmの
厚さを有し、W は１００nmの厚さを有している。それか
ら、図２(d) に示すように、レジストパターン２７を剥
離するリフトオフ法により第二の低抵抗金属膜２８をパ
ターニングしてリード形成領域にのみ残す。
抵抗金属層２６及び基板２１のそれぞれの露出部分の上
にTa／W ／Taの三層構造よりなる第二の低抵抗金属膜２
８を蒸着する。この場合、下側のTaは１０nmの厚さを有
し、上側のTaは後述するエッチングを考慮して３５nmの
厚さを有し、W は１００nmの厚さを有している。それか
ら、図２(d) に示すように、レジストパターン２７を剥
離するリフトオフ法により第二の低抵抗金属膜２８をパ
ターニングしてリード形成領域にのみ残す。
【００３７】次に、図２(e) に示すように、パターニン
グされた第二の低抵抗金属膜２８をマスクに使用して、
アルゴン（Ar）ガスを用いたイオンミリングにより、セ
ンス領域Ｓの上にある第一の低抵抗金属膜２６と反強磁
性層（Fe50Mn50）２５を除去する。この場合、第二の低
抵抗金属膜２８のうちの上側のTa層もエッチングされて
１０nmまで薄くなる。イオンミリングは、加速電圧を１
keV 、イオン電流密度を１mA／cm2 とする。
グされた第二の低抵抗金属膜２８をマスクに使用して、
アルゴン（Ar）ガスを用いたイオンミリングにより、セ
ンス領域Ｓの上にある第一の低抵抗金属膜２６と反強磁
性層（Fe50Mn50）２５を除去する。この場合、第二の低
抵抗金属膜２８のうちの上側のTa層もエッチングされて
１０nmまで薄くなる。イオンミリングは、加速電圧を１
keV 、イオン電流密度を１mA／cm2 とする。
【００３８】これによりパターニングされた第一及び第
二の低抵抗金属膜２６，２８は１対の引出電極２９とな
って、センス領域Ｓの両側に形成される。２つの引出電
極２９のうちの一方から他方への向きは上記磁化方向と
同じになる。これにより、磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵
抗効果素子の形成が終了する。以上のような磁気抵抗効
果素子によれば、反強磁性層２５をＭＲ層２４に続いて
連続的に成長しているので、反強磁性層２５とＭＲ層２
４の間に自然酸化物が介在したり、反強磁性層２５の下
に存在するＭＲ層２４の膜厚が変化することがなくな
る。これにより、ＭＲ層２４に対する反強磁性層２５の
交換結合磁場が安定し、バルクハウゼン雑音が抑止さ
れ、磁気抵抗効果特性も安定する。
二の低抵抗金属膜２６，２８は１対の引出電極２９とな
って、センス領域Ｓの両側に形成される。２つの引出電
極２９のうちの一方から他方への向きは上記磁化方向と
同じになる。これにより、磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵
抗効果素子の形成が終了する。以上のような磁気抵抗効
果素子によれば、反強磁性層２５をＭＲ層２４に続いて
連続的に成長しているので、反強磁性層２５とＭＲ層２
４の間に自然酸化物が介在したり、反強磁性層２５の下
に存在するＭＲ層２４の膜厚が変化することがなくな
る。これにより、ＭＲ層２４に対する反強磁性層２５の
交換結合磁場が安定し、バルクハウゼン雑音が抑止さ
れ、磁気抵抗効果特性も安定する。
【００３９】しかも、上記した工程によれば、引出電極
２９と同一平面形状の第二の低抵抗金属層２８をマスク
に使用して第一の低抵抗金属層２６及び反強磁性層２５
をパターニングしているので、引出電極２９の縁によっ
てセンス領域が区画されることになり、引出電極２９を
形成するためのマージンを大きくとる必要がなくなる。
これにより、磁気抵抗効果素子の微細化が促進される。
２９と同一平面形状の第二の低抵抗金属層２８をマスク
に使用して第一の低抵抗金属層２６及び反強磁性層２５
をパターニングしているので、引出電極２９の縁によっ
てセンス領域が区画されることになり、引出電極２９を
形成するためのマージンを大きくとる必要がなくなる。
これにより、磁気抵抗効果素子の微細化が促進される。
【００４０】さらに、引出電極２９の一部を構成する第
一の低抵抗金属層２６は、反強磁性層２５の上にだけ形
成されているので、反強磁性層２５の上に連続して第一
の低抵抗金属層２６を形成しても不都合はない。従っ
て、第一の低抵抗金属層２６により反強磁性層２５の表
面が保護されるので、反強磁性層２５の表面に形成され
る自然酸化膜を除去する手間が省ける。反強磁性層２５
表面の自然酸化膜をエッチングする必要がないというこ
とは、反強磁性層２５の膜厚が減らないことを意味し、
反強磁性層２５とＭＲ層２４の交換結合がさらに良好に
なる。
一の低抵抗金属層２６は、反強磁性層２５の上にだけ形
成されているので、反強磁性層２５の上に連続して第一
の低抵抗金属層２６を形成しても不都合はない。従っ
て、第一の低抵抗金属層２６により反強磁性層２５の表
面が保護されるので、反強磁性層２５の表面に形成され
る自然酸化膜を除去する手間が省ける。反強磁性層２５
表面の自然酸化膜をエッチングする必要がないというこ
とは、反強磁性層２５の膜厚が減らないことを意味し、
反強磁性層２５とＭＲ層２４の交換結合がさらに良好に
なる。
【００４１】しかも、反強磁性層２５と引出電極２９の
電気的接触抵抗が小さくなり、打１の実施の形態よりも
高感度のＭＲ素子が実現できる。なお、耐エッチングマ
スクとして引出電極２９を使用することは引出電極２９
の間によってセンス領域Ｓを画定するので好ましいが、
磁区制御用磁性層の保護だけを達成するためには耐エッ
チングマスクとしてレジストパターンを用いてもよい。 （第３の実施の形態）上記した第２の実施の形態におい
ては、第二の低抵抗金属層３８をマスクに使用して、第
一の低抵抗金属層２６と反強磁性層２５の一部を除去し
た。しかし、反強磁性層２５を除去するとＭＲ層２４の
センス領域Ｓが露出するので、ＭＲ層２４の表面が酸化
されたり、汚染される可能性が大きくなる。
電気的接触抵抗が小さくなり、打１の実施の形態よりも
高感度のＭＲ素子が実現できる。なお、耐エッチングマ
スクとして引出電極２９を使用することは引出電極２９
の間によってセンス領域Ｓを画定するので好ましいが、
磁区制御用磁性層の保護だけを達成するためには耐エッ
チングマスクとしてレジストパターンを用いてもよい。 （第３の実施の形態）上記した第２の実施の形態におい
ては、第二の低抵抗金属層３８をマスクに使用して、第
一の低抵抗金属層２６と反強磁性層２５の一部を除去し
た。しかし、反強磁性層２５を除去するとＭＲ層２４の
センス領域Ｓが露出するので、ＭＲ層２４の表面が酸化
されたり、汚染される可能性が大きくなる。
【００４２】そこで、ＭＲ層の表面を露出させずに、Ｍ
Ｒ層の表面を保護する方法を図３(a) 〜(c) を参照して
説明する。図３(a) 〜(c) において、図２(d) と同じ符
号は同じ要素を示している。まず、図３(a) に示すよう
に、基板２１の上に磁化バイアス層２２、磁気的アイソ
レーション層２３、ＭＲ層２４、反強磁性層２５及び第
一の低抵抗金属層２６をそれぞれＲＦスパッタリングに
より連続して形成し、これらの層を平面矩形状にパター
ニングした後に、センス領域Ｓの両側に２つの第二の低
抵抗金属層２８を形成する。ここまでは、第２の実施の
形態の図２(a) 〜(d) と同じ条件と工程を経ることにな
る。
Ｒ層の表面を保護する方法を図３(a) 〜(c) を参照して
説明する。図３(a) 〜(c) において、図２(d) と同じ符
号は同じ要素を示している。まず、図３(a) に示すよう
に、基板２１の上に磁化バイアス層２２、磁気的アイソ
レーション層２３、ＭＲ層２４、反強磁性層２５及び第
一の低抵抗金属層２６をそれぞれＲＦスパッタリングに
より連続して形成し、これらの層を平面矩形状にパター
ニングした後に、センス領域Ｓの両側に２つの第二の低
抵抗金属層２８を形成する。ここまでは、第２の実施の
形態の図２(a) 〜(d) と同じ条件と工程を経ることにな
る。
【００４３】次に、図３(b) に示すように、パターニン
グされた第二の低抵抗金属層２８をマスクに使用してＭ
Ｒ層２４のセンス領域Ｓの上にある第一の低抵抗金属層
２６をイオンミリングにより除去する。パターニングさ
れた第一及び第二の低抵抗金属層２６，２８によって１
対の引出電極２９が形成される。続いて、図３(c) に示
すように、反強磁性層２５をイオンミリングして、ＭＲ
層２４との磁気的交換結合が破壊される厚さまで薄く
し、センス領域Ｓ上に残った反強磁性層２５はＭＲ層２
４の保護膜となる。
グされた第二の低抵抗金属層２８をマスクに使用してＭ
Ｒ層２４のセンス領域Ｓの上にある第一の低抵抗金属層
２６をイオンミリングにより除去する。パターニングさ
れた第一及び第二の低抵抗金属層２６，２８によって１
対の引出電極２９が形成される。続いて、図３(c) に示
すように、反強磁性層２５をイオンミリングして、ＭＲ
層２４との磁気的交換結合が破壊される厚さまで薄く
し、センス領域Ｓ上に残った反強磁性層２５はＭＲ層２
４の保護膜となる。
【００４４】それらのイオンミリングの条件は、加速電
圧を１keV 、イオン電流密度を１mA／cm2 とする。反強
磁性層２５を薄層化するためのそのようなエッチングプ
ロセスでは、磁化困難軸方向の磁場Ｈに対するＭＲ層２
４の磁気抵抗ρの変化（即ち、ρ−Ｈ曲線）を測定しな
がらエッチングを行い、ρ−Ｈ曲線の曲率が増大したと
き、即ち、ρ−Ｈ曲線の反値幅が減少した時にエッチン
グを停止させる。ρ−Ｈ曲線の曲率が増大することは、
反強磁性層２５とＭＲ層２４との交換結合が破壊され、
ＭＲ層２４の磁気感度が増大することに対応する。この
方法によれば、残留する反強磁性層２５の実質的な膜厚
を極めて高精度で制御できる。
圧を１keV 、イオン電流密度を１mA／cm2 とする。反強
磁性層２５を薄層化するためのそのようなエッチングプ
ロセスでは、磁化困難軸方向の磁場Ｈに対するＭＲ層２
４の磁気抵抗ρの変化（即ち、ρ−Ｈ曲線）を測定しな
がらエッチングを行い、ρ−Ｈ曲線の曲率が増大したと
き、即ち、ρ−Ｈ曲線の反値幅が減少した時にエッチン
グを停止させる。ρ−Ｈ曲線の曲率が増大することは、
反強磁性層２５とＭＲ層２４との交換結合が破壊され、
ＭＲ層２４の磁気感度が増大することに対応する。この
方法によれば、残留する反強磁性層２５の実質的な膜厚
を極めて高精度で制御できる。
【００４５】このように、反強磁性層の膜厚が所定の膜
厚よりも薄くなると交換結合磁場が零になることは、日
本応用磁気学会誌Vol.17, No.2, 1993や電子情報通信学
会春季全国大会誌C-428 に記載されている。以上のよう
な工程によれば、ＭＲ層２４のセンス領域Ｓの磁気的な
特性は反強磁性層２５が無い状態と同じであって、セン
ス領域Ｓ上の反強磁性層２５は保護膜としてのみ機能す
ることになる。しかも、ＭＲ層２４と反強磁性層２５は
連続して減圧雰囲気で成長されるので、ＭＲ層の表面は
清浄な状態を維持することになる。
厚よりも薄くなると交換結合磁場が零になることは、日
本応用磁気学会誌Vol.17, No.2, 1993や電子情報通信学
会春季全国大会誌C-428 に記載されている。以上のよう
な工程によれば、ＭＲ層２４のセンス領域Ｓの磁気的な
特性は反強磁性層２５が無い状態と同じであって、セン
ス領域Ｓ上の反強磁性層２５は保護膜としてのみ機能す
ることになる。しかも、ＭＲ層２４と反強磁性層２５は
連続して減圧雰囲気で成長されるので、ＭＲ層の表面は
清浄な状態を維持することになる。
【００４６】従って、センス領域Ｓの上の反強磁性層２
５を薄層化した後には、ＭＲ層２４は酸化され難くな
り、しかも、ＭＲ層２４が汚染されなくなる。しかも、
反強磁性層（磁区制御用磁性層）２５のエッチング量を
制御する方法を採用すると、ＭＲ層２４のセンス領域Ｓ
は新たな工程を加えることなく保護されるので、スルー
プットが低下することはない。
５を薄層化した後には、ＭＲ層２４は酸化され難くな
り、しかも、ＭＲ層２４が汚染されなくなる。しかも、
反強磁性層（磁区制御用磁性層）２５のエッチング量を
制御する方法を採用すると、ＭＲ層２４のセンス領域Ｓ
は新たな工程を加えることなく保護されるので、スルー
プットが低下することはない。
【００４７】なお、反強磁性層２５のエッチング量は、
交換結合磁場が零になる膜厚を予め測定しておいて、エ
ッチング速度とエッチング時間によって制御してもよ
い。また、耐エッチングマスクとして引出電極２９を使
用しているがレジストパターンを用いてもよい。 （第４の実施の形態）次に、第３の実施の態様と異なる
手段によって、ＭＲ層２４を保護するＭＲ素子構造とそ
の製造方法を図４(a) 〜(c) を参照して説明する。図４
(a) 〜(c) において、図２(d) と同じ符号は同じ要素を
示している。
交換結合磁場が零になる膜厚を予め測定しておいて、エ
ッチング速度とエッチング時間によって制御してもよ
い。また、耐エッチングマスクとして引出電極２９を使
用しているがレジストパターンを用いてもよい。 （第４の実施の形態）次に、第３の実施の態様と異なる
手段によって、ＭＲ層２４を保護するＭＲ素子構造とそ
の製造方法を図４(a) 〜(c) を参照して説明する。図４
(a) 〜(c) において、図２(d) と同じ符号は同じ要素を
示している。
【００４８】まず、図３(a) に示すように、基板２１の
上に磁化バイアス層２２、磁気的アイソレーション層２
３、ＭＲ層２４、反強磁性層２５及び第一の低抵抗金属
層２６をそれぞれＲＦスパッタリングにより連続して形
成し、これらの層を平面矩形状にパターニングした後
に、センス領域Ｓの両側に２つの第二の低抵抗金属層２
８を形成する。ここまでは、第２の実施の形態の図２
(a) 〜(d) と同じ条件と工程を経ることになる。
上に磁化バイアス層２２、磁気的アイソレーション層２
３、ＭＲ層２４、反強磁性層２５及び第一の低抵抗金属
層２６をそれぞれＲＦスパッタリングにより連続して形
成し、これらの層を平面矩形状にパターニングした後
に、センス領域Ｓの両側に２つの第二の低抵抗金属層２
８を形成する。ここまでは、第２の実施の形態の図２
(a) 〜(d) と同じ条件と工程を経ることになる。
【００４９】次に、図４(b) に示すように、パターニン
グされた第二の低抵抗金属層２８をマスクに使用してＭ
Ｒ層２４のセンス領域Ｓの上にある第一の低抵抗金属層
２６をイオンミリングにより除去する。パターニングさ
れた第一及び第二の低抵抗金属層２６，２８によって１
対の引出電極２９が形成される。イオンミリングの条件
は、加速電圧を１keV 、イオン電流密度を１mA／cm2 と
する。
グされた第二の低抵抗金属層２８をマスクに使用してＭ
Ｒ層２４のセンス領域Ｓの上にある第一の低抵抗金属層
２６をイオンミリングにより除去する。パターニングさ
れた第一及び第二の低抵抗金属層２６，２８によって１
対の引出電極２９が形成される。イオンミリングの条件
は、加速電圧を１keV 、イオン電流密度を１mA／cm2 と
する。
【００５０】その後に、引出電極２９をマスクにしてＭ
Ｒ層２４のセンス領域Ｓの上に存在する反強磁性層２５
を酸素プラズマによって酸化するとともに磁気的に不活
性の状態にして保護膜３０を形成する。酸素プラズマに
よる反強磁性層２５の酸化は、０．０５Torrの減圧雰囲
気で行われる。また、酸素プラズマは、１３．５６MHz
で１５０Ｗの高周波電力で励起される。
Ｒ層２４のセンス領域Ｓの上に存在する反強磁性層２５
を酸素プラズマによって酸化するとともに磁気的に不活
性の状態にして保護膜３０を形成する。酸素プラズマに
よる反強磁性層２５の酸化は、０．０５Torrの減圧雰囲
気で行われる。また、酸素プラズマは、１３．５６MHz
で１５０Ｗの高周波電力で励起される。
【００５１】この場合、図４(c) に示すように、第二の
低抵抗金属層２８の上層部２８ａも酸化されるので、第
２の実施の形態で引出電極２９のエッチングを考慮した
と同様に、第二の低抵抗金属層２８の上側のTaを予め厚
く形成しておけば特に不都合は生じない。ところで、セ
ンス領域Ｓ上の反強磁性層２５の酸化は完全に行われな
くても良く、第３の実施の形態において説明したように
交換結合磁場が失われるまで酸素プラズマを照射すれば
足りる。
低抵抗金属層２８の上層部２８ａも酸化されるので、第
２の実施の形態で引出電極２９のエッチングを考慮した
と同様に、第二の低抵抗金属層２８の上側のTaを予め厚
く形成しておけば特に不都合は生じない。ところで、セ
ンス領域Ｓ上の反強磁性層２５の酸化は完全に行われな
くても良く、第３の実施の形態において説明したように
交換結合磁場が失われるまで酸素プラズマを照射すれば
足りる。
【００５２】なお、第３の実施の形態において説明した
ように、センス領域Ｓでの交換結合磁場が零になるまで
反強磁性層２５を薄層化する場合にも、酸素プラズマに
よってその領域の反強磁性層２５を酸化してもよい。ま
た、図３(c) において、センス領域Ｓ上の反強磁性層２
５が容易に酸化される程度に薄い場合には、酸素を含む
雰囲気にその反強磁性層２５を放置して酸化してもよ
い。
ように、センス領域Ｓでの交換結合磁場が零になるまで
反強磁性層２５を薄層化する場合にも、酸素プラズマに
よってその領域の反強磁性層２５を酸化してもよい。ま
た、図３(c) において、センス領域Ｓ上の反強磁性層２
５が容易に酸化される程度に薄い場合には、酸素を含む
雰囲気にその反強磁性層２５を放置して酸化してもよ
い。
【００５３】なお、耐エッチングマスクとして引出電極
２９を使用しているがレジストパターンを用いてもよ
い。 （第５の実施の形態）次に、上記したＭＲ素子が適用さ
れる磁気記録装置の磁気ヘッドと磁気記録媒体の概要を
図５を参照して説明する。
２９を使用しているがレジストパターンを用いてもよ
い。 （第５の実施の形態）次に、上記したＭＲ素子が適用さ
れる磁気記録装置の磁気ヘッドと磁気記録媒体の概要を
図５を参照して説明する。
【００５４】図５において、基板４１の上には再生用ヘ
ッド４２と記録用ヘッド４３が隣設されている。再生用
ヘッドは、第１の磁気シールド層４４の上に絶縁膜（不
図示）を介して形成されたＭＲ素子４５と、ＭＲ素子４
５から引き出される引出電極（リード端子）４６と、Ｍ
Ｒ素子４５及び引出電極４６を覆う絶縁膜４７と、絶縁
膜４７上に形成された第２の磁気シールド層４８とを有
している。ＭＲ素子４５は、上記した構造のものが採用
される。
ッド４２と記録用ヘッド４３が隣設されている。再生用
ヘッドは、第１の磁気シールド層４４の上に絶縁膜（不
図示）を介して形成されたＭＲ素子４５と、ＭＲ素子４
５から引き出される引出電極（リード端子）４６と、Ｍ
Ｒ素子４５及び引出電極４６を覆う絶縁膜４７と、絶縁
膜４７上に形成された第２の磁気シールド層４８とを有
している。ＭＲ素子４５は、上記した構造のものが採用
される。
【００５５】一方、記録用ヘッド４３は、第２の磁気シ
ールド層４８と第３の磁気シールド層４９の間に絶縁層
５０を介して形成されたコイル５１を有している。第１
〜第３の磁気シールド層４４，４８，５０はそれぞれ軟
磁性体より形成され、それらのうち磁気記録媒体５２に
対向する部分には、それぞれギャップが形成されてい
る。 （その他の実施の形態）上記した反強磁性層の構成材料
としてはFeMnに替えてNiMnを使用しても同様な作用効果
が得られる。また、ＭＲ層のセンス領域の磁区を制御す
るための磁区制御用磁性層として、Co、Cr、CoPt、CoCr
Ptのような硬磁性膜を使用してもよい。
ールド層４８と第３の磁気シールド層４９の間に絶縁層
５０を介して形成されたコイル５１を有している。第１
〜第３の磁気シールド層４４，４８，５０はそれぞれ軟
磁性体より形成され、それらのうち磁気記録媒体５２に
対向する部分には、それぞれギャップが形成されてい
る。 （その他の実施の形態）上記した反強磁性層の構成材料
としてはFeMnに替えてNiMnを使用しても同様な作用効果
が得られる。また、ＭＲ層のセンス領域の磁区を制御す
るための磁区制御用磁性層として、Co、Cr、CoPt、CoCr
Ptのような硬磁性膜を使用してもよい。
【００５６】また、磁気的アイソレーション層は、ＭＲ
層と磁化バイアス層を磁気的に分離するものであり、そ
の構成材料としてAl2O3 のような絶縁物又はタンタル、
チタンのような高抵抗金属が適用される。
層と磁化バイアス層を磁気的に分離するものであり、そ
の構成材料としてAl2O3 のような絶縁物又はタンタル、
チタンのような高抵抗金属が適用される。
【００５７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ＭＲ
層と磁区制御用磁性層を連続して成膜した後に、磁区制
御用磁性層の両側寄りに１対の引出電極を形成し、つい
で、それらの引出電極を耐エッチングマスクに使用して
センス領域上の磁区制御用磁性層を除去するようにした
ので、引出電極の端部とセンス領域の端部が一致するこ
とになり、これにより、磁区制御磁性層の酸化を防止で
き、しかも磁気抵抗効果素子を精度よく形成できる。
層と磁区制御用磁性層を連続して成膜した後に、磁区制
御用磁性層の両側寄りに１対の引出電極を形成し、つい
で、それらの引出電極を耐エッチングマスクに使用して
センス領域上の磁区制御用磁性層を除去するようにした
ので、引出電極の端部とセンス領域の端部が一致するこ
とになり、これにより、磁区制御磁性層の酸化を防止で
き、しかも磁気抵抗効果素子を精度よく形成できる。
【００５８】また、ＭＲ層と磁区制御用磁性層と電極構
成金属層を連続して成膜するようにしているので、磁区
制御用磁性層の表面の汚染が防止され、ＭＲ層に対する
反強磁性層の交換結合磁場をより一層安定にすることが
でき、さらに良好な磁気抵抗効果特性が得られる。ま
た、別の本発明によれば、ＭＲ層のセンス領域を反強磁
性体層又は硬質強磁性体層で覆い、しかもセンス領域の
反強磁性体層又は硬質強磁性体層の膜厚を磁気的に不活
性な厚さにしているので、ＭＲ層のセンス領域の酸化や
汚染を防止でき、磁気抵抗効果ヘッドの信頼性を向上で
きる。
成金属層を連続して成膜するようにしているので、磁区
制御用磁性層の表面の汚染が防止され、ＭＲ層に対する
反強磁性層の交換結合磁場をより一層安定にすることが
でき、さらに良好な磁気抵抗効果特性が得られる。ま
た、別の本発明によれば、ＭＲ層のセンス領域を反強磁
性体層又は硬質強磁性体層で覆い、しかもセンス領域の
反強磁性体層又は硬質強磁性体層の膜厚を磁気的に不活
性な厚さにしているので、ＭＲ層のセンス領域の酸化や
汚染を防止でき、磁気抵抗効果ヘッドの信頼性を向上で
きる。
【００５９】このような構成は、ＭＲ層の形成に続い
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域の上にある反強磁性体層又は硬質強磁性体層
を薄層化することにより得られる。センス領域の磁区制
御は、センス領域の両側における反強磁性体層又は硬質
強磁性体層とＭＲ層との交換結合によって行われる。
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域の上にある反強磁性体層又は硬質強磁性体層
を薄層化することにより得られる。センス領域の磁区制
御は、センス領域の両側における反強磁性体層又は硬質
強磁性体層とＭＲ層との交換結合によって行われる。
【００６０】このように反強磁性層又は硬質強磁性体層
をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出させないことに
より、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態で保護されるこ
とになり、信頼性に優れた磁気抵抗効果ヘッドが実現で
きる。この場合、反強磁性体層又は硬質強磁性体層を薄
層化する際には、印加磁場に対するＭＲ層の磁気抵抗の
変化などのように、電気的、磁気的特性を監視しながら
行うと、精度良く反強磁性体層又は硬質強磁性体層の膜
厚を制御できる。
をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出させないことに
より、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態で保護されるこ
とになり、信頼性に優れた磁気抵抗効果ヘッドが実現で
きる。この場合、反強磁性体層又は硬質強磁性体層を薄
層化する際には、印加磁場に対するＭＲ層の磁気抵抗の
変化などのように、電気的、磁気的特性を監視しながら
行うと、精度良く反強磁性体層又は硬質強磁性体層の膜
厚を制御できる。
【００６１】また、さらに別の本発明によれば、磁気抵
抗効果ヘッドを構成するＭＲ層のうち中央のセンス領域
を反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物で覆ってい
る。それらの反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物
は磁気的に不活性であるので、ＭＲ層のセンス領域が酸
化されたり汚染されることはないので、磁気抵抗効果ヘ
ッドの信頼性が向上する。
抗効果ヘッドを構成するＭＲ層のうち中央のセンス領域
を反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物で覆ってい
る。それらの反強磁性体酸化物又は硬質強磁性体酸化物
は磁気的に不活性であるので、ＭＲ層のセンス領域が酸
化されたり汚染されることはないので、磁気抵抗効果ヘ
ッドの信頼性が向上する。
【００６２】このような構成は、ＭＲ層の形成に続い
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域直上の反強磁性体層又は硬質強磁性体層を酸
化することにより得られる。このように反強磁性層又は
硬質強磁性体層をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出
させないことにより、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態
で保護されることになり、信頼性に優れた磁気抵抗効果
ヘッドが実現できる。
て、センス領域の磁区を制御するための反強磁性体層又
は硬質強磁性体層をＭＲ層上に形成した後に、ＭＲ層の
センス領域直上の反強磁性体層又は硬質強磁性体層を酸
化することにより得られる。このように反強磁性層又は
硬質強磁性体層をＭＲ層上に成長した後にＭＲ層を露出
させないことにより、ＭＲ層の全ての上面は清浄な状態
で保護されることになり、信頼性に優れた磁気抵抗効果
ヘッドが実現できる。
【図１】図１(a) 〜(e) は、本発明の第１の実施の形態
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
【図２】図２(a) 〜(e) は、本発明の第２の実施の形態
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
【図３】図３(a) 〜(c) は、本発明の第３の実施の形態
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
【図４】図４(a) 〜(c) は、本発明の第４の実施の形態
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
にかかる磁気抵抗効果素子の形成工程を示す断面図であ
る。
【図５】図５は、本発明の磁気抵抗効果素子を採用する
磁気記録媒体の要部を示す断面図である。
磁気記録媒体の要部を示す断面図である。
【図６】図６(a) 〜(d) は、従来の磁気抵抗効果素子の
形成工程を示す断面図である。
形成工程を示す断面図である。
１１，２１ 基板 １２，２２ 磁化バイアス層（軟磁性層） １３，２３ 磁気的アイソレーション層 １４，２４ ＭＲ層 １５，２５ 反強磁性層（磁区制御用磁性層） １６，２７ レジストマスク １７ 低抵抗金属層（引出電極） ２６ 第一の低抵抗金属層 ２８ 第二の低抵抗金属層 ２９ 引出電極 ３０ 保護膜
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に形成される軟磁性層と、 前記軟磁性層上に形成される磁気的アイソレーション層
と、 前記磁気的アイソレーション層上に形成される磁気抵抗
効果層と、前記磁気抵抗効果層のセンス領域を覆い且つ
磁気的に不活性な厚さの反強磁性層又は磁気的に不活性
な厚さの硬質強磁性層よりなる保護膜とを有することを
特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】基板上に形成される軟磁性層と、 前記軟磁性層上に形成される磁気的アイソレーション層
と、 前記磁気的アイソレーション層上に形成される磁気抵抗
効果層と、前記磁気抵抗効果層のセンス領域を覆い且つ
反強磁性体の酸化物又は硬質強磁性体の酸化物よりなる
保護膜とを有することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載された磁気抵抗効果
ヘッドと、該磁気抵抗効果ヘッドによって磁気的情報が
読み出される磁気記録媒体とを有する磁気記録装置。 - 【請求項４】基板上に軟磁性層を形成する工程と、 磁気的アイソレーション層を前記軟磁性層上に形成する
工程と、 磁気抵抗効果層を前記磁気的アイソレーション層上に形
成する工程と、 反強磁性体又は硬質強磁性体よりなる磁区制御用磁性層
を前記磁気抵抗効果層上に形成する工程と、 前記軟磁性層、前記磁気的アイソレーション層、前記磁
気抵抗効果層及び前記磁区制御用磁性層を連続的にパタ
ーニングする工程と、 前記磁区制御用磁性層の両側寄りに１対の引出電極を形
成する工程と、 前記引出電極を耐エッチングマスクに使用して前記磁区
制御用磁性層の中央領域をエッチングにより除去して前
記磁気抵抗効果層のセンス領域を露出する工程とを有す
ることを特徴とす磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】基板上に軟磁性層を形成する工程と、 磁気的アイソレーション層を前記軟磁性層上に形成する
工程と、 磁気抵抗効果層を前記磁気的アイソレーション層上に形
成する工程と、 反強磁性体又は硬質強磁性体よりなる磁区制御用磁性層
を前記磁気的アイソレーション層上に形成する工程と、 前記軟磁性層、前記磁気的アイソレーション層、前記磁
気抵抗効果層及び前記磁区制御用磁性層を連続的にパタ
ーニングする工程と、 前記磁区制御用磁性層の両側寄りの領域に耐エッチング
マスクを形成する工程と、 前記耐エッチングマスクに覆われない前記磁区制御用磁
性層の中央領域を磁気的に不活性となる厚さにエッチン
グするか該中央領域を酸化する工程とを有することを特
徴とす磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】前記磁区制御用磁性層を形成した後に続い
て、電極を構成する金属層を前記磁区制御用磁性層上に
形成する工程と、 前記金属層を介して前記磁区制御用磁性層の両側寄りの
領域に前記耐エッチングマスク又は前記引出電極を形成
する工程と、 前記磁区制御用磁性層のエッチング又は酸化の前に、前
記金属層のうち前記耐エッチングマスク又は前記引出電
極に覆われない領域をエッチングにより除去する工程と
を含むことを特徴とする請求項４又は５記載の磁気抵抗
効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】印加磁場に対する前記磁気抵抗効果層の電
気的、磁気的特性を監視しつつ、前記磁区制御用磁性層
のエッチング量を調整することを特徴とする請求項４、
５又は６記載の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
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