JPH07254113A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH07254113A JPH07254113A JP4347894A JP4347894A JPH07254113A JP H07254113 A JPH07254113 A JP H07254113A JP 4347894 A JP4347894 A JP 4347894A JP 4347894 A JP4347894 A JP 4347894A JP H07254113 A JPH07254113 A JP H07254113A
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- magnetic head
- magnetoresistive
- magnetoresistive effect
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生トラック幅を一定に確保することができ
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供すること。 【構成】 磁気抵抗効果素子３と、この磁気抵抗効果素
子３上をマスクしながら該磁気抵抗効果素子３の両端に
一対の電極４とを設ける磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
において、前記磁気抵抗効果素子３の上面に再生トラッ
ク幅を規定する保護絶縁膜５を設けた後に電極４を設け
たもの。この保護絶縁膜５は、表面を絶縁した金属膜又
は半導体膜で形成することができる。
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供すること。 【構成】 磁気抵抗効果素子３と、この磁気抵抗効果素
子３上をマスクしながら該磁気抵抗効果素子３の両端に
一対の電極４とを設ける磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
において、前記磁気抵抗効果素子３の上面に再生トラッ
ク幅を規定する保護絶縁膜５を設けた後に電極４を設け
たもの。この保護絶縁膜５は、表面を絶縁した金属膜又
は半導体膜で形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等の
記憶装置に好適な磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係
り、特に再生トラック幅を規定することができる磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
記憶装置に好適な磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係
り、特に再生トラック幅を規定することができる磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に磁気ディスク装置に適用される磁
気抵抗効果（ＭＲ）型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
膜の電気抵抗が磁気ディスクからの磁化によって変化す
る現象を利用した再生用の磁気ヘッドであり、通常は書
き込み用のインダクティブ型磁気ヘッドと組み合わせた
ＭＲ・インダクティブ複合磁気ヘッドとして使用されて
いる。この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、磁性体か
ら成る下部磁気シ−ルド及び上部磁気シ−ルドの間に、
磁気抵抗効果膜／磁気抵抗効果膜にバイアスを加えるた
めのバイアス膜／磁気抵抗効果膜の磁区を制御するため
の磁区制御膜を含む磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効
果素子を挟んで電流を供給する電極とを配置し、磁気抵
抗効果膜にバイアス膜からの横方向バイアス及び電極か
らの検出電流を印加しながら磁気ディスク上を相対移動
することによって、磁気ディスクからの磁界により変化
する磁気抵抗効果膜に流れる検出電流の抵抗値変化を検
出してデータの再生を行なうものである。
気抵抗効果（ＭＲ）型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
膜の電気抵抗が磁気ディスクからの磁化によって変化す
る現象を利用した再生用の磁気ヘッドであり、通常は書
き込み用のインダクティブ型磁気ヘッドと組み合わせた
ＭＲ・インダクティブ複合磁気ヘッドとして使用されて
いる。この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、磁性体か
ら成る下部磁気シ−ルド及び上部磁気シ−ルドの間に、
磁気抵抗効果膜／磁気抵抗効果膜にバイアスを加えるた
めのバイアス膜／磁気抵抗効果膜の磁区を制御するため
の磁区制御膜を含む磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効
果素子を挟んで電流を供給する電極とを配置し、磁気抵
抗効果膜にバイアス膜からの横方向バイアス及び電極か
らの検出電流を印加しながら磁気ディスク上を相対移動
することによって、磁気ディスクからの磁界により変化
する磁気抵抗効果膜に流れる検出電流の抵抗値変化を検
出してデータの再生を行なうものである。
【０００３】この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの再生
トラック幅は、前記電極に挟まれる電極間の幅（中心能
動領域）によって規定されており、従来の磁気ヘッドに
おいては充分に長い磁気抵抗効果素子の左右端上に電極
を積層して前記電極間幅を決定していたが、近年の磁気
ヘッドにおいては短い磁気抵抗効果素子の両端を電極が
左右から挟みこむことにより前記電極間幅を決定するも
のが採用されている。
トラック幅は、前記電極に挟まれる電極間の幅（中心能
動領域）によって規定されており、従来の磁気ヘッドに
おいては充分に長い磁気抵抗効果素子の左右端上に電極
を積層して前記電極間幅を決定していたが、近年の磁気
ヘッドにおいては短い磁気抵抗効果素子の両端を電極が
左右から挟みこむことにより前記電極間幅を決定するも
のが採用されている。
【０００４】この様に磁気抵抗効果素子の両端を左右か
ら挟みこむことにより前記電極間幅、即ち中心能動領域
を決定する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、例えば特
開平３−１２５３１１号公報に記載されている。
ら挟みこむことにより前記電極間幅、即ち中心能動領域
を決定する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、例えば特
開平３−１２５３１１号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術による磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前述及び図２に示す如
く多層の磁気抵抗効果素子３の両端に電極４を設け、電
極４の先端間の寸法Ｌ1により再生トラック幅である中
心能動領域を決定するものであるが、実際の製造工程に
おいては磁気抵抗効果素子３を設けた後に該素子３上を
マスクして電極４をスパッタリングした場合、図２
（ｂ）の如く電極４の端部４ａが磁気抵抗効果素子３の
両端上部に回りこんで形成されるため、前記中心能動領
域の寸法Ｌ1がＬ2の如く短く形成されるため、再生トラ
ック幅が制御不能に変化してしまうと言う不具合を招い
ていた。特に電極材料として比抵抗の小さい材料、例え
ばＡｕを構成材料の一部に用いた場合は、特に信号を再
生するトラック幅の変動が起こりやすいという不具合を
生じることが判った。
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前述及び図２に示す如
く多層の磁気抵抗効果素子３の両端に電極４を設け、電
極４の先端間の寸法Ｌ1により再生トラック幅である中
心能動領域を決定するものであるが、実際の製造工程に
おいては磁気抵抗効果素子３を設けた後に該素子３上を
マスクして電極４をスパッタリングした場合、図２
（ｂ）の如く電極４の端部４ａが磁気抵抗効果素子３の
両端上部に回りこんで形成されるため、前記中心能動領
域の寸法Ｌ1がＬ2の如く短く形成されるため、再生トラ
ック幅が制御不能に変化してしまうと言う不具合を招い
ていた。特に電極材料として比抵抗の小さい材料、例え
ばＡｕを構成材料の一部に用いた場合は、特に信号を再
生するトラック幅の変動が起こりやすいという不具合を
生じることが判った。
【０００６】本発明の目的は、前記従来技術による不具
合を除去することであり、中心能動領域である再生トラ
ック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドを提供することである。また再生トラ
ック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
合を除去することであり、中心能動領域である再生トラ
ック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドを提供することである。また再生トラ
ック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜上をマ
スクしながら該磁気抵抗効果膜の両端に形成される一対
の電極とを備える磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラッ
ク幅を規定する保護絶縁膜を設けたことを第１の特徴と
する。前記保護絶縁膜は、磁気抵抗効果膜上を保護及び
絶縁する機能を持つものである。
本発明は、磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜上をマ
スクしながら該磁気抵抗効果膜の両端に形成される一対
の電極とを備える磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラッ
ク幅を規定する保護絶縁膜を設けたことを第１の特徴と
する。前記保護絶縁膜は、磁気抵抗効果膜上を保護及び
絶縁する機能を持つものである。
【０００８】また本発明は、前記保護膜を表面を絶縁し
た金属膜で形成することを第２の特徴とし、前記保護膜
を表面を絶縁した半導体膜で形成することを第３の特徴
とする。
た金属膜で形成することを第２の特徴とし、前記保護膜
を表面を絶縁した半導体膜で形成することを第３の特徴
とする。
【０００９】
【作用】前記第１の特徴による磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラ
ック幅を規定する保護絶縁膜を設けたことにより、磁気
抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にして、再生
トラックの幅を所定値にすることができる。
ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラ
ック幅を規定する保護絶縁膜を設けたことにより、磁気
抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にして、再生
トラックの幅を所定値にすることができる。
【００１０】また前記第１及び第２の特徴による磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前記保護膜を表面を絶縁し
た金属膜又は半導体膜で形成することによって、磁気ヘ
ッド製造工程において磁気抵抗効果膜の酸化を防止する
こともできる。
抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前記保護膜を表面を絶縁し
た金属膜又は半導体膜で形成することによって、磁気ヘ
ッド製造工程において磁気抵抗効果膜の酸化を防止する
こともできる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの一実施例を図面を参照して説明する。図１は本
実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの詳細構造
を示す図、図３及び図４は本磁気ヘッドの製造方法を説
明するための図である。図１は、磁気ディスク浮上面か
ら見た本実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
構成を示す図である。本磁気ヘッドは、図示しないスラ
イダ及び絶縁膜上に設けた下部シールド膜１及び下部絶
縁膜２と、該下部絶縁膜２上に多層の磁気抵抗効果素子
３／該磁気抵抗効果素子３の両端に配置した一対の電極
４／該磁気抵抗効果素子３上に本実施例の特徴である保
護絶縁膜５とを設け、これら保護絶縁膜５及び電極４上
に上部絶縁膜６及び上部シールド膜７を積層する様に構
成している。
ヘッドの一実施例を図面を参照して説明する。図１は本
実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの詳細構造
を示す図、図３及び図４は本磁気ヘッドの製造方法を説
明するための図である。図１は、磁気ディスク浮上面か
ら見た本実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
構成を示す図である。本磁気ヘッドは、図示しないスラ
イダ及び絶縁膜上に設けた下部シールド膜１及び下部絶
縁膜２と、該下部絶縁膜２上に多層の磁気抵抗効果素子
３／該磁気抵抗効果素子３の両端に配置した一対の電極
４／該磁気抵抗効果素子３上に本実施例の特徴である保
護絶縁膜５とを設け、これら保護絶縁膜５及び電極４上
に上部絶縁膜６及び上部シールド膜７を積層する様に構
成している。
【００１２】前記保護絶縁膜５は、少なくとも表面が絶
縁された材料から成り、磁気抵抗効果素子３の中心能動
領域の寸法Ｌ1（図２参照）を決定する寸法、且つ前記
電極４と磁気抵抗効果素子３を上部で絶縁する様に配置
されている。従って、本実施例による磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドは、前述した電極４のスパッタリング工程
において電極材料の素子３両端上への回りこみが生じた
場合であっても、保護絶縁膜５が電極材料の磁気抵抗効
果素子３両端上部との接触を阻止するため、磁気抵抗効
果素子３の中心能動領域の寸法Ｌ1を規定することがで
きる。
縁された材料から成り、磁気抵抗効果素子３の中心能動
領域の寸法Ｌ1（図２参照）を決定する寸法、且つ前記
電極４と磁気抵抗効果素子３を上部で絶縁する様に配置
されている。従って、本実施例による磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドは、前述した電極４のスパッタリング工程
において電極材料の素子３両端上への回りこみが生じた
場合であっても、保護絶縁膜５が電極材料の磁気抵抗効
果素子３両端上部との接触を阻止するため、磁気抵抗効
果素子３の中心能動領域の寸法Ｌ1を規定することがで
きる。
【００１３】尚、前記磁気抵抗効果素子３は、磁気抵抗
効果膜／スペーサ膜及びバイアス膜等の多層膜により構
成され、電極４は前記磁気抵抗効果素子３をセンサーと
して働かせるために電流を供給するためだけでなく、磁
気抵抗効果素子３を構成する膜の磁区を安定化するため
に設けられる硬磁性膜等を用いた磁区制御層等を積層し
て構成される。また上部シールド膜７上には、書き込み
用のインダクティブヘッドや素子を保護する絶縁膜等
（これらは図示せず）が形成され、これらすべてにより
ＭＲ・インダクティブ複合磁気ヘッドを構成するもので
ある。
効果膜／スペーサ膜及びバイアス膜等の多層膜により構
成され、電極４は前記磁気抵抗効果素子３をセンサーと
して働かせるために電流を供給するためだけでなく、磁
気抵抗効果素子３を構成する膜の磁区を安定化するため
に設けられる硬磁性膜等を用いた磁区制御層等を積層し
て構成される。また上部シールド膜７上には、書き込み
用のインダクティブヘッドや素子を保護する絶縁膜等
（これらは図示せず）が形成され、これらすべてにより
ＭＲ・インダクティブ複合磁気ヘッドを構成するもので
ある。
【００１４】次に前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
製造工程を図３及び図４を参照して説明する。まず本実
施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程
は、図３（ａ）に示すごとく、磁気抵抗効果素子３を構
成するための下部絶縁膜２上にバイアス膜３１／スぺー
サ膜３２及び磁気抵抗効果膜３３を順次積層し、次いで
本実施例による保護絶縁膜５を設ける。次に図３（ｂ）
の様に磁気抵抗効果素子３部分を残すためのマスクを形
成するホトレジストパターン３４を形成する。このホト
レジストパターン３４は、下部のレジストパターン幅が
上部のレジストパターン幅より狭い２層の段差付レジス
トパターンが望ましい。このレジストパターン３４の下
部に段差を付ける理由は、リフトオフによるパターン形
成を容易にするため、及び後述する磁気抵抗効果素子３
の両端が傾斜する台形状にして電極４との接触面積を増
やして導通を確保するためである。また、前記２層の段
差付きレジストパターンでなく、単層のレジストパター
ンを用いてもプロセスマージンが狭くなるものの使用す
ることができる。
製造工程を図３及び図４を参照して説明する。まず本実
施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程
は、図３（ａ）に示すごとく、磁気抵抗効果素子３を構
成するための下部絶縁膜２上にバイアス膜３１／スぺー
サ膜３２及び磁気抵抗効果膜３３を順次積層し、次いで
本実施例による保護絶縁膜５を設ける。次に図３（ｂ）
の様に磁気抵抗効果素子３部分を残すためのマスクを形
成するホトレジストパターン３４を形成する。このホト
レジストパターン３４は、下部のレジストパターン幅が
上部のレジストパターン幅より狭い２層の段差付レジス
トパターンが望ましい。このレジストパターン３４の下
部に段差を付ける理由は、リフトオフによるパターン形
成を容易にするため、及び後述する磁気抵抗効果素子３
の両端が傾斜する台形状にして電極４との接触面積を増
やして導通を確保するためである。また、前記２層の段
差付きレジストパターンでなく、単層のレジストパター
ンを用いてもプロセスマージンが狭くなるものの使用す
ることができる。
【００１５】次いで前記２層のホトレジストパターン３
４をマスクとしてイオンビームエッチングを行なうこと
により、図３（ｃ）の如く、前記パターン３４によりマ
スクした箇所を除くバイアス膜３１／スぺーサ膜３２／
磁気抵抗効果膜３３／保護絶縁膜５を除去して台形状の
保護絶縁膜５及び磁気抵抗効果素子３を形成する。
４をマスクとしてイオンビームエッチングを行なうこと
により、図３（ｃ）の如く、前記パターン３４によりマ
スクした箇所を除くバイアス膜３１／スぺーサ膜３２／
磁気抵抗効果膜３３／保護絶縁膜５を除去して台形状の
保護絶縁膜５及び磁気抵抗効果素子３を形成する。
【００１６】更に、図４（ｄ）の如く前記２層のホトレ
ジストパターン３４をそのまま利用してリフトオフ法に
より電極４の膜を積層する。このとき磁気抵抗効果素子
３に接する電極４の端部は、前記レジストパターン３４
下部の段差によって、保護絶縁膜５の両端に侵入する形
状が構成される。次いで本実施例による製造方法は、ホ
トレジスト３４上に積層した膜４をホトレジストを溶解
する溶剤により除去すると共に、ホトレジスト３４を剥
離することによって、図４（ｅ）に示す如く保護絶縁膜
５を持つ磁気抵抗効果素子３及び該磁気抵抗効果素子３
の両端に接する電極４を形成することができる。
ジストパターン３４をそのまま利用してリフトオフ法に
より電極４の膜を積層する。このとき磁気抵抗効果素子
３に接する電極４の端部は、前記レジストパターン３４
下部の段差によって、保護絶縁膜５の両端に侵入する形
状が構成される。次いで本実施例による製造方法は、ホ
トレジスト３４上に積層した膜４をホトレジストを溶解
する溶剤により除去すると共に、ホトレジスト３４を剥
離することによって、図４（ｅ）に示す如く保護絶縁膜
５を持つ磁気抵抗効果素子３及び該磁気抵抗効果素子３
の両端に接する電極４を形成することができる。
【００１７】この様に形成された磁気抵抗効果素子３
は、上面が保護絶縁膜５により電極４との電気的接触を
阻止しているため、磁気抵抗効果素子３の中心能動領域
の寸法Ｌ1（図２参照）を確保して再生トラック幅を規
定することができる。次いで本製造方法は、これら保護
絶縁膜５及び電極４上に上部絶縁膜６及び上部シールド
膜７を積層することによって磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドを形成する。
は、上面が保護絶縁膜５により電極４との電気的接触を
阻止しているため、磁気抵抗効果素子３の中心能動領域
の寸法Ｌ1（図２参照）を確保して再生トラック幅を規
定することができる。次いで本製造方法は、これら保護
絶縁膜５及び電極４上に上部絶縁膜６及び上部シールド
膜７を積層することによって磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドを形成する。
【００１８】本実施例による保護絶縁膜５の例として
は、例えば、アルミナ／ジルコニア／二酸化珪素／五酸
化タンタル／ガラス膜等の絶縁膜、あるいは、これらの
絶縁膜の混合又は多層膜を用いることが出来る。また、
保護絶縁膜５は、前記絶縁膜に限られるものではなくタ
ンタル膜やチタン膜等の金属膜を使用することもでき
る。これら金属膜自体は、導電性であるが膜の作製工程
中に大気中に放置する／積極的に酸素プラズマ処理／チ
ッ化処理等を加えることにより、表面を酸化或いはチッ
化等させて絶縁体とすることによって、保護絶縁膜とし
て用いることもできる。また同様にシリコン等の半導体
膜を使用することもできる。更に前記実施例において、
図３（ａ）に示した磁気抵抗効果膜３３の形成直後に連
続して保護絶縁膜５を形成すると、該保護絶縁膜５が磁
気抵抗効果膜３３の表面の酸化防止膜として働き、これ
により磁気抵抗効果素子の特性を安定化することもでき
る。即ち、磁気抵抗効果膜３３が薄膜磁気ヘッド作製プ
ロセス中に特性が変化するのを防止することができる。
は、例えば、アルミナ／ジルコニア／二酸化珪素／五酸
化タンタル／ガラス膜等の絶縁膜、あるいは、これらの
絶縁膜の混合又は多層膜を用いることが出来る。また、
保護絶縁膜５は、前記絶縁膜に限られるものではなくタ
ンタル膜やチタン膜等の金属膜を使用することもでき
る。これら金属膜自体は、導電性であるが膜の作製工程
中に大気中に放置する／積極的に酸素プラズマ処理／チ
ッ化処理等を加えることにより、表面を酸化或いはチッ
化等させて絶縁体とすることによって、保護絶縁膜とし
て用いることもできる。また同様にシリコン等の半導体
膜を使用することもできる。更に前記実施例において、
図３（ａ）に示した磁気抵抗効果膜３３の形成直後に連
続して保護絶縁膜５を形成すると、該保護絶縁膜５が磁
気抵抗効果膜３３の表面の酸化防止膜として働き、これ
により磁気抵抗効果素子の特性を安定化することもでき
る。即ち、磁気抵抗効果膜３３が薄膜磁気ヘッド作製プ
ロセス中に特性が変化するのを防止することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた如く本発明による磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に前記電
極の再生トラック幅を規定する保護膜を設けたことによ
り、磁気抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にし
て、再生トラックの幅を所定値にすることができる。
果型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に前記電
極の再生トラック幅を規定する保護膜を設けたことによ
り、磁気抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にし
て、再生トラックの幅を所定値にすることができる。
【００２０】また本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドは、前記保護膜を表面を絶縁した金属膜又は半導
体膜で形成することによって、磁気ヘッド製造工程にお
いて磁気抵抗効果膜の酸化を防止することもできる。
ヘッドは、前記保護膜を表面を絶縁した金属膜又は半導
体膜で形成することによって、磁気ヘッド製造工程にお
いて磁気抵抗効果膜の酸化を防止することもできる。
【図１】本発明の一実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの構成を示す図。
気ヘッドの構成を示す図。
【図２】磁気抵抗効果素子部の断面構造を説明するため
の図。
の図。
【図３】本実施例による磁気抵抗効果膜の製造工程を説
明するための図。
明するための図。
【図４】本実施例による磁気抵抗効果膜の製造工程を説
明するための図。
明するための図。
１：下部シ−ルド膜、２：下部絶縁膜、３：磁気抵抗効
果素子、４：電極、５：保護絶縁膜、６：上部絶縁膜、
７：上部シ−ルド膜、３１：バイアス膜、３２：スペ−
サ膜、３３：磁気抵抗効果膜、３４：ホトレジスト。
果素子、４：電極、５：保護絶縁膜、６：上部絶縁膜、
７：上部シ−ルド膜、３１：バイアス膜、３２：スペ−
サ膜、３３：磁気抵抗効果膜、３４：ホトレジスト。
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上
をマスクしながら該磁気抵抗効果膜の両端に形成される
一対の電極とを備える磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生ト
ラック幅を規定する保護絶縁膜を設けたことを特徴とす
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記保護絶縁膜が表面を絶縁した金属膜
であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記保護絶縁膜が表面を絶縁した半導体
膜であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347894A JPH07254113A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347894A JPH07254113A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000302837A Division JP3612479B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254113A true JPH07254113A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12664836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4347894A Pending JPH07254113A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254113A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0836712A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Ｍｒ型磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6721140B2 (en) * | 2000-11-22 | 2004-04-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same and thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| JP2019151048A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | ブラザー工業株式会社 | 液体吐出ヘッド及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP4347894A patent/JPH07254113A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0836712A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Ｍｒ型磁気ヘッド及びその製造方法 |
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| US11325381B2 (en) | 2018-03-05 | 2022-05-10 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head and method of producing liquid discharge head |
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