JP3612479B2 - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3612479B2 JP3612479B2 JP2000302837A JP2000302837A JP3612479B2 JP 3612479 B2 JP3612479 B2 JP 3612479B2 JP 2000302837 A JP2000302837 A JP 2000302837A JP 2000302837 A JP2000302837 A JP 2000302837A JP 3612479 B2 JP3612479 B2 JP 3612479B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetoresistive
- magnetic head
- thin film
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、磁気ディスク装置等の記憶装置に好適な磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係り、特に再生トラック幅を規定することができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に磁気ディスク装置に適用される磁気抵抗効果(MR)型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果膜の電気抵抗が磁気ディスクからの磁化によって変化する現象を利用した再生用の磁気ヘッドであり、通常は書き込み用のインダクティブ型磁気ヘッドと組み合わせたMR・インダクティブ複合磁気ヘッドとして使用されている。この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、磁性体から成る下部磁気シ−ルド及び上部磁気シ−ルドの間に、磁気抵抗効果膜/磁気抵抗効果膜にバイアスを加えるためのバイアス膜/磁気抵抗効果膜の磁区を制御するための磁区制御膜を含む磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を挟んで電流を供給する電極とを配置し、磁気抵抗効果膜にバイアス膜からの横方向バイアス及び電極からの検出電流を印加しながら磁気ディスク上を相対移動することによって、磁気ディスクからの磁界により変化する磁気抵抗効果膜に流れる検出電流の抵抗値変化を検出してデータの再生を行なうものである。
【0003】
この磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの再生トラック幅は、前記電極に挟まれる電極間の幅(中心能動領域)によって規定されており、従来の磁気ヘッドにおいては充分に長い磁気抵抗効果素子の左右端上に電極を積層して前記電極間幅を決定していたが、近年の磁気ヘッドにおいては短い磁気抵抗効果素子の両端を電極が左右から挟みこむことにより前記電極間幅を決定するものが採用されている。
【0004】
この様に磁気抵抗効果素子の両端を左右から挟みこむことにより前記電極間幅、即ち中心能動領域を決定する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、例えば特開平3−125311号公報に記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来技術による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前述及び図2に示す如く多層の磁気抵抗効果素子3の両端に電極4を設け、電極4の先端間の寸法L1により再生トラック幅である中心能動領域を決定するものであるが、実際の製造工程においては磁気抵抗効果素子3を設けた後に該素子3上をマスクして電極4をスパッタリングした場合、図2(b)の如く電極4の端部4aが磁気抵抗効果素子3の両端上部に回りこんで形成されるため、前記中心能動領域の寸法L1がL2の如く短く形成されるため、再生トラック幅が制御不能に変化してしまうと言う不具合を招いていた。特に電極材料として比抵抗の小さい材料、例えばAuを構成材料の一部に用いた場合は、特に信号を再生するトラック幅の変動が起こりやすいという不具合を生じることが判った。
【0006】
本発明の目的は、前記従来技術による不具合を除去することであり、中心能動領域である再生トラック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供することである。また再生トラック幅を任意の値に規定することができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法として、絶縁膜上にバイアス膜、スペーサ膜及び磁気抵抗効果膜を積層して、この磁気抵抗効果膜上に保護絶縁膜を設け、保護絶縁膜上にマスクを形成するホトレジストパターンを形成し、記レジストパターンが形成されていない保護絶縁膜及び前記磁気抵抗効果素子の部分をエッチングで除去し、レジストパターンを利用して電極を積層し、電極のうち、レジストパターン上に積層した電極を除去してレジストパターンを除去する。
【0008】
【作用】
本発明の製造方法によって製造された磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に電極の再生トラック幅を規定する保護絶縁膜を設けたことにより、磁気抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にして、再生トラックの幅を所定値にすることができる。
【0010】
【実施例】
以下、本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの一実施例を図面を参照して説明する。図1は本実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの詳細構造を示す図、図3及び図4は本磁気ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【0011】
図1は、磁気ディスク浮上面から見た本実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの構成を示す図である。本磁気ヘッドは、図示しないスライダ及び絶縁膜上に設けた下部シールド膜1及び下部絶縁膜2と、該下部絶縁膜2上に多層の磁気抵抗効果素子3/該磁気抵抗効果素子3の両端に配置した一対の電極4/該磁気抵抗効果素子3上に本実施例の特徴である保護絶縁膜5とを設け、これら保護絶縁膜5及び電極4上に上部絶縁膜6及び上部シールド膜7を積層する様に構成している。
【0012】
前記保護絶縁膜5は、少なくとも表面が絶縁された材料から成り、磁気抵抗効果素子3の中心能動領域の寸法L1(図2参照)を決定する寸法、且つ前記電極4と磁気抵抗効果素子3を上部で絶縁する様に配置されている。従って、本実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前述した電極4のスパッタリング工程において電極材料の素子3両端上への回りこみが生じた場合であっても、保護絶縁膜5が電極材料の磁気抵抗効果素子3両端上部との接触を阻止するため、磁気抵抗効果素子3の中心能動領域の寸法L1を規定することができる。
【0013】
尚、前記磁気抵抗効果素子3は、磁気抵抗効果膜/スペーサ膜及びバイアス膜等の多層膜により構成され、電極4は前記磁気抵抗効果素子3をセンサーとして働かせるために電流を供給するためだけでなく、磁気抵抗効果素子3を構成する膜の磁区を安定化するために設けられる硬磁性膜等を用いた磁区制御層等を積層して構成される。また上部シールド膜7上には、書き込み用のインダクティブヘッドや素子を保護する絶縁膜等(これらは図示せず)が形成され、これらすべてによりMR・インダクティブ複合磁気ヘッドを構成するものである。
【0014】
次に前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程を図3及び図4を参照して説明する。
【0015】
まず本実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程は、図3(a)に示すごとく、磁気抵抗効果素子3を構成するための下部絶縁膜2上にバイアス膜31/スぺーサ膜32及び磁気抵抗効果膜33を順次積層し、次いで本実施例による保護絶縁膜5を設ける。次に図3(b)の様に磁気抵抗効果素子3部分を残すためのマスクを形成するホトレジストパターン34を形成する。このホトレジストパターン34は、下部のレジストパターン幅が上部のレジストパターン幅より狭い2層の段差付レジストパターンが望ましい。このレジストパターン34の下部に段差を付ける理由は、リフトオフによるパターン形成を容易にするため、及び後述する磁気抵抗効果素子3の両端が傾斜する台形状にして電極4との接触面積を増やして導通を確保するためである。また、前記2層の段差付きレジストパターンでなく、単層のレジストパターンを用いてもプロセスマージンが狭くなるものの使用することができる。
【0016】
次いで前記2層のホトレジストパターン34をマスクとしてイオンビームエッチングを行なうことにより、図3(c)の如く、前記パターン34によりマスクした箇所を除くバイアス膜31/スぺーサ膜32/磁気抵抗効果膜33/保護絶縁膜5を除去して台形状の保護絶縁膜5及び磁気抵抗効果素子3を形成する。
【0017】
更に、図4(d)の如く前記2層のホトレジストパターン34をそのまま利用してリフトオフ法により電極4の膜を積層する。このとき磁気抵抗効果素子3に接する電極4の端部は、前記レジストパターン34下部の段差によって、保護絶縁膜5の両端に侵入する形状が構成される。次いで本実施例による製造方法は、ホトレジスト34上に積層した膜4をホトレジストを溶解する溶剤により除去すると共に、ホトレジスト34を剥離することによって、図4(e)に示す如く保護絶縁膜5を持つ磁気抵抗効果素子3及び該磁気抵抗効果素子3の両端に接する電極4を形成することができる。
【0018】
この様に形成された磁気抵抗効果素子3は、上面が保護絶縁膜5により電極4との電気的接触を阻止しているため、磁気抵抗効果素子3の中心能動領域の寸法L1(図2参照)を確保して再生トラック幅を規定することができる。次いで本製造方法は、これら保護絶縁膜5及び電極4上に上部絶縁膜6及び上部シールド膜7を積層することによって磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成する。
【0019】
本実施例による保護絶縁膜5の例としては、例えば、アルミナ/ジルコニア/二酸化珪素/五酸化タンタル/ガラス膜等の絶縁膜、あるいは、これらの絶縁膜の混合又は多層膜を用いることが出来る。また、保護絶縁膜5は、前記絶縁膜に限られるものではなくタンタル膜やチタン膜等の金属膜を使用することもできる。これら金属膜自体は、導電性であるが膜の作製工程中に大気中に放置する/積極的に酸素プラズマ処理/チッ化処理等を加えることにより、表面を酸化或いはチッ化等させて絶縁体とすることによって、保護絶縁膜として用いることもできる。また同様にシリコン等の半導体膜を使用することもできる。更に前記実施例において、図3(a)に示した磁気抵抗効果膜33の形成直後に連続して保護絶縁膜5を形成すると、該保護絶縁膜5が磁気抵抗効果膜33の表面の酸化防止膜として働き、これにより磁気抵抗効果素子の特性を安定化することもできる。即ち、磁気抵抗効果膜33が薄膜磁気ヘッド作製プロセス中に特性が変化するのを防止することができる。
【0020】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果膜の上面に前記電極の再生トラック幅を規定する保護膜を設けたことにより、磁気抵抗効果膜に電流を供給される間隔を一定にして、再生トラックの幅を所定値にすることができる。
【0021】
また本発明による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、前記保護膜を表面を絶縁した金属膜又は半導体膜で形成することによって、磁気ヘッド製造工程において磁気抵抗効果膜の酸化を防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの構成を示す図。
【図2】磁気抵抗効果素子部の断面構造を説明するための図。
【図3】本実施例による磁気抵抗効果膜の製造工程を説明するための図。
【図4】本実施例による磁気抵抗効果膜の製造工程を説明するための図。
【符号の説明】
1:下部シ−ルド膜、2:下部絶縁膜、3:磁気抵抗効果素子、4:電極、5:保護絶縁膜、6:上部絶縁膜、7:上部シ−ルド膜、31:バイアス膜、32:スペ−サ膜、33:磁気抵抗効果膜、34:ホトレジスト。
Claims (2)
- 磁気抵抗効果膜の全上面にタンタル膜あるいはチタン膜を形成する工程と、
前記タンタル膜あるいはチタン膜の表面を酸化あるいはチッ化する工程と、
前記タンタル膜あるいはチタン膜上に再生トラック幅を規定するホトレジストパターンを形成する工程と、
前記ホトレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、前記ホトレジストパターンの形成されていない前記タンタル膜あるいはチタン膜及び磁気抵抗効果膜を除去する工程と、
電極の膜を積層する工程と、
前記ホトレジストパターン及びホトレジストパターン上に積層した電極の膜を除去する工程と、
を含む磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記ホトレジストパターンは、下部のレジストパターン幅が上部のレジストパターン幅より狭い2層の段差付きである請求項1に記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000302837A JP3612479B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000302837A JP3612479B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4347894A Division JPH07254113A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001155314A JP2001155314A (ja) | 2001-06-08 |
JP3612479B2 true JP3612479B2 (ja) | 2005-01-19 |
Family
ID=18784122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000302837A Expired - Lifetime JP3612479B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3612479B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363157A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 |
JP4953569B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2012-06-13 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 薄膜磁気抵抗素子並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000302837A patent/JP3612479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001155314A (ja) | 2001-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4221114B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH0676625A (ja) | 多層構造の誘電体部材およびその形成方法 | |
JPH0536032A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド及びその製造方法 | |
JP2000331315A5 (ja) | ||
KR970012332A (ko) | 자기저항효과헤드와 그 제조방법 및 자기기록/재생장치 | |
JP3612479B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP3593497B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH07254113A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
JP2731506B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
US6717779B2 (en) | Magnetoresistive head and manufacturing method therefor | |
JPH11177161A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
JPH0383213A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
KR20020076107A (ko) | 터널 자기저항 효과형 자기 헤드 및 그 제조 방법 | |
JPH11181564A (ja) | アルミナの成膜方法及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JP3677582B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2886783B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH04188418A (ja) | 複合薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP3538343B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP3638565B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
JPH0554336A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
JP2001256614A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH0660328A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH0714125A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 | |
JPS592965B2 (ja) | ジキテイコウハクマクヘツドノ セイゾウホウホウ | |
JPH07192225A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071029 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 8 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 8 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |