JP3818631B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対して例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ(以下ウエハという)の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連の処理は、塗布/現像装置に露光装置を接続したシステムにより行われる。
【0003】
図17はこのような装置の従来例を示す平面図であり、基板例えば半導体ウエハWを25枚収納したカセットCはカセットステ−ションA1のカセットステ−ジ1に搬入される。カセットステ−ションA1には処理ステ−ションA2が接続されており、更に処理ステーションA2にはインターフェイスステーションA3を介して図示しない露光装置が接続されている。
【0004】
前記カセットステージ1上のカセットC内のウエハWは、受け渡しアーム11により取り出されて棚ユニット12の受け渡し部を介して塗布ユニット13に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエハWは、ウエハ搬送手段14→棚ユニット15の受け渡し部→インタ−フェイスステ−ションA3→露光装置の経路で搬送されて露光される。露光後のウエハWは、逆経路で処理ステ−ションA2に搬送され、塗布ユニット13の下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬送手段14→棚ユニット12の受け渡し部→カセットCの経路で搬送される。
【0005】
なお棚ユニット12,15の各棚は、加熱部、冷却部、前記ウエハWの受け渡し部、疎水化処理部等として構成されており、前記レジストの塗布の前や現像処理の前には、所定の温度でレジストの塗布等を行うために、前記棚ユニット12,15にて加熱処理と冷却処理とがこの順序で行われる。なお16は処理ステ−ションA2と露光装置との間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡しア−ムである。
【0006】
また前記処理ステーションA2は、塗布ユニット13及び現像ユニットとからなる処理領域と、ウエハ搬送手段14が配置された搬送領域とが区画されており、処理領域はクリーンルームの雰囲気が取り込まれて、所定の温度及び湿度に調整された空気が送出され、いわば高精度調整雰囲気となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで化学増幅型レジストは、露光することにより酸が生成し、この酸が加熱処理により拡散して触媒として作用し、レジスト材料の主成分であるベ−ス樹脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶化するものである。従ってこの種のレジストを用いた場合、露光後のウエハWは例えば棚ユニット15の加熱部で所定温度まで加熱された後、酸による現像液への可溶化反応(レジストの解像反応)を抑えるために同じ棚ユニット15の冷却部で所定温度まで冷却され、次いで現像ユニットにて現像液が塗布される。
【0008】
しかしながら化学増幅型レジストは、前記レジストの解像反応が室温程度の温度で進行してしまうため、露光装置→加熱部の間のウエハWの搬送の際に、当該搬送領域の温度や搬送時間の変化が現像線幅に大きな影響を与えてしまい、これらの変動に伴い、現像線幅が変化してしまうという問題があり、特にアセタール系化学増幅型レジストで顕著である。
【0009】
このため露光装置→加熱部間の搬送時間を管理し、この搬送の間のレジストの解像反応の進行の程度を揃えることにより、現像線幅の均一性を確保しようとしているが、それでもなお現像線幅にはばらつきが生じている。
【0010】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、露光後の基板をレジストの解像反応の進行を抑えた状態で加熱部に搬送し、ここで加熱処理を行うことにより、基板面内及び基板間の現像線幅の均一性を向上させる基板処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このため本発明の基板処理装置は、基板にレジスト液を塗布処理を行うための塗布処理部と、
レジスト液が塗布され、露光処理が行われた基板に対して現像処理を行うための現像処理部と、
露光処理が行われた基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させるための加熱部と、
前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑えるための冷却部と、
基板を搬送するための基板搬送手段と、を備え、
前記基板搬送手段は、上下方向に移動し、かつ鉛直軸回りに回転するように設けられた基台と、
この基台に沿って進退するように互いに上下に設けられた、基板を保持するための少なくとも2枚のアームと、
前記最上部のアームに保持された基板に対向するように、支持アームを介して設けられ、最上部のアームの上方側の、周囲が開放された空間に気体を供給するためのガス供給部と、
前記最上部のアームとその下方側のアームとの間に設けられ、前記ガス供給部からの気体が下方側のアームへ当たらないようにするための遮断板と、を具備することを特徴とする。
【0012】
ここで基板搬送手段のガス供給部には、温度調整手段により温度が調整された気体が供給されるようにしてもよいし、湿度調整手段により湿度が調整された気体が供給されるようにしてもよい。またガス供給部には、不活性ガスが供給されるものであってもよい。このようにすると、基板搬送手段により搬送される基板に対して不活性ガスを供給しているので、例えばレジスト塗布後の基板の搬送中に大気中の水分によってレジストが加水分解を起こすことや、大気中の酸素と結合してパターン解像に影響を与えること等を抑えることができる。
【0013】
さらにまた本発明の基板処理装置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板に対して処理を行う処理ステ−ションと、
処理ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、
前記インターフェイスステーションは、前記露光された基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させる加熱部と、前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑えるための冷却部と、を含み、
前記基板搬送手段はインターフェースステーションに設けられ、その最上部のアームは、露光後の基板を、露光装置から前記加熱部に搬送するものであることを特徴とする。
【0014】
前記基板搬送手段は、インターフェースステーションに設けられ、その遮断板の下方側のアームは、露光前の基板を、処理ステーションから露光装置に搬送するものとすることができる。また前記インターフェイスステーションは、レジストの解像反応の進行を抑えるようために、基板に結露が発生しないように冷却されるようにしてもよい。さらにまた前記インターフェイスステーションは、加熱部に搬送されたときの基板に付着している水分量を、露光後の基板に付着している水分量よりも少なくするように、空気よりも湿度の低いガスが供給されるようにしてもよい。
【0015】
このような発明では、露光装置から加熱部に搬送される間のレジストの解像反応の進行が抑制された状態となり、加熱部では前記解像反応の進行の程度が揃えられた基板に対して前記解像反応が同じ条件で促進されることになる。このため現像処理を行う際には、基板全体に亘って前記解像反応の進行の程度が揃えられた状態となるので、現像線幅のばらつきの発生が抑えられる。
【0016】
また前記レジストは、例えば露光により発生した酸がレジストの解像反応を進行させる化学増幅型レジストであり、ここでレジストの解像反応とは、露光することにより生成した酸がレジスト材料の主成分であるベ−ス樹脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶化するという反応である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を基板の塗布、現像装置に適用した実施の形態について説明する。図1はこの実施の形態の概略平面図、図2は内部を透視して示す概観図であって、図中S1はカセットステ−ション、S2はウエハWに対してレジストの塗布処理や現像処理等を行うための処理ステ−ション、S3はインタ−フェイスステ−ション、S4は露光装置である。
【0021】
カセットステ−ションS1は、複数の基板例えば25枚のウエハWを収納した例えば4個の基板カセットをなすウエハカセット(以下「カセット」という)22を載置する載置部をなすカセットステ−ジ21と、カセットステ−ジ21上のカセット22と処理ステ−ションS2との間でウエハWの受け渡しを行なうための受け渡し手段をなす受け渡しア−ム23とを備えている。受け渡しアーム23は、昇降自在、X,Y方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。
【0022】
また処理ステ−ションS2は、例えば2個の現像処理部をなす現像ユニットD(D1,D2)と、2個の塗布処理部をなす塗布ユニットC(C1,C2)と、例えば3個の棚ユニットR(R1,R2,R3)と、例えば1個の基板搬送手段MAと、を備えており、カセットステ−ションS1とインタ−フェイスステ−ションS3との間でウエハWの受け渡しを行うと共に、当該ステ−ションS2内ではウエハWにレジスト液を塗布する処理と、ウエハWの現像処理と、これらの処理の前後にウエハWを所定の温度に加熱し、冷却する処理と、を行うように構成されている。
【0023】
このような処理ステーションS2のレイアウトの一例について説明すると、前記受け渡しア−ム23の奥側には、例えばカセットステーションS1から奥を見て例えば右側に現像ユニットDや塗布ユニットC等を備えた処理ユニットUが2段に亘って設けられている。つまり2個の現像ユニットD1,D2が、カセットステージ21のカセットの配列方向とほぼ直交する方向に現像ユニットD1を手前側にして2個並んで配置されており、これら現像ユニットD1,D2の下段には2個の塗布ユニットC1,C2が塗布ユニットC1を手前側にして並んで設けられている。なお以降の説明では、カセットステーションS1側を手前側、露光装置S4側を奥側として述べることにする。
【0024】
またこれら処理ユニットUのカセットステーションS1から見て左側には、塗布ユニットCと現像ユニットDと棚ユニットRとの間でウエハWの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された基板搬送手段MAが設けられている。そしてこの基板搬送手段MAのカセットステーションS1側から見て手前側には棚ユニットR1、奥側には棚ユニットR2、左側には棚ユニットR3が夫々配置されている。但し図2には便宜上棚ユニットR3と基板搬送手段MAは省略してある。
前記棚ユニットR(R1,R2,R3)は、図3に棚ユニットR1、図4に棚ユニットR2を示すように、ウエハWを加熱するための加熱部31と、ウエハWを冷却するための冷却部32と、棚ユニットR1,R3においてはウエハ表面を疎水化するための疎水化部33と、棚ユニットR1においてはカセットステーションS1の受け渡しアーム23と基板搬送手段MAとの間でウエハWの受け渡しを行うための、棚ユニットR2においては後述するインターフェイスステーションS3の搬送アームAと基板搬送手段MAとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡し部34と、棚ユニットR1においてはウエハWの位置合わせを行うためのアライメント部35とが縦に配列されている。
【0025】
前記加熱部31は、例えばヒータが内蔵された加熱プレートの表面にウエハWを載置することにより、当該ウエハWが所定温度まで加熱されるように構成されており、前記冷却部32は、例えばサーモモジュールが内蔵された冷却プレ−トの表面にウエハWを載置することにより、当該ウエハWが所定温度まで冷却されるようになっている。
【0026】
前記現像ユニットDについて例えば図5に基づいて説明すると、41はカップであり、このカップ41内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャック42が設けられている。このスピンチャック42は昇降機構43により昇降自在に構成されており、カップ41の上方側に位置しているときに、前記基板搬送手段MAの後述するア−ム51との間でウエハWの受け渡しが行われる。
【0027】
このウエハWの受け渡しについては、ア−ム51上のウエハWをカップ41の上方側にてスピンチャック42がその下方側から相対的に上昇して受取り、またその逆の動作によってスピンチャック42側からア−ム51に受け渡される。44は処理液例えば現像液の吐出ノズル、45は処理液供給管、46はノズルを水平移動させる支持ア−ムである。
【0028】
前記吐出ノズル44は、例えばウエハWの直径方向に配列された多数の供給孔を備えるように構成され、スピンチャック42上のウエハWの表面に吐出ノズル44から現像液を吐出し、スピンチャック42を半回転させることによりウエハW上に現像液の液盛りが行われ、現像液の液膜が形成されるようになっている。
また塗布ユニットCは現像ユニットDとほぼ同一の構成であるが、塗布ユニットCは吐出ノズル44が例えばウエハWのほぼ中心付近に処理液例えばレジスト液を供給するように構成され、スピンチャック42上のウエハWの表面に吐出ノズル44からレジスト液を滴下し、スピンチャック42を回転させてレジスト液をウエハW上に伸展させ塗布するようになっている。
【0029】
さらにこれら処理ユニットUは空間が閉じられている。つまり例えば図5に示すように、現像ユニットD等は壁部47により他の空間から区画されていると共に、現像ユニットD1と塗布ユニットC1との間のような各部の間も仕切り壁に48より区画されており、前記壁部47の現像ユニットD1等の各部の基板搬送手段MAのアーム51に対応する位置には受け渡し口40が形成されている。
【0030】
また壁部47及び仕切り壁48により区画された各部には、不純物が除去され、所定の温度例えば現像液の塗布温度である23℃、及び所定湿度に調整された空気が送出されるようになっており、これによりこれらの領域はいわば高精度に調整された雰囲気になっている。
【0031】
つまり例えば区画された処理ユニットUには、例えば図5に示すようにフィルタユニットF1が上部側を覆うように設けられており、処理ユニットUの下部側から回収される雰囲気が工場排気系に排気される一方、一部がフィルタ装置49へと導入され、このフィルタ装置49にて清浄化された空気が、前記フィルタユニットF1を介して各部内にダウンフロ−として吹き出されるようになっている。
【0032】
前記フィルタユニットF1は、例えば空気を清浄化するためのフィルタ、化学増幅型レジストを用いる場合には、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ、吸い込みファン等を備えている。また前記フィルタ装置49は、不純物を除去するための不純物除去部や、加熱機構及び加湿機構、空気を送出する送出部等を備えている。
【0033】
例えばレジスト液として化学増幅型レジストを用いた場合には、空気中に含まれている微量なアンモニアや壁の塗料などから発生するアミンなどのアルカリ成分がレジスト表面部の酸と接触すると、後述する酸による触媒反応が抑制され、パタ−ンの形状が劣化するためアルカリ成分を除去する必要がある。このため現像処理雰囲気にアルカリ成分が入り込みことを防止する必要があるので、処理ユニットを閉じた空間とし、化学フィルタを用いて外部からのアルカリ成分の侵入を防いでいる。
【0034】
前記基板搬送手段MAは、例えば図6に示すように、ウエハWを保持するための3枚のア−ム51と、このア−ム51を進退自在に支持する基台52と、この基台52を昇降自在に支持する一対の案内レ−ル53,54と、を備えており、これら案内レ−ル53,54を回転駆動部55により回転させることにより、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【0035】
処理ステ−ションS2の隣にはインタ−フェイスステ−ションS3が接続され、このインタ−フェイスステ−ションS3の奥側には、レジスト膜が形成されたウエハWに対して露光を行うための露光部をなす露光装置S4が接続されている。インタ−フェイスステ−ションS3は、ウエハWを加熱し、その後冷却するためのCHP装置(Chilling Hot Plate Process Station)6を多段に備えた棚ユニットR4と、この棚ユニットR4と、前記処理ステ−ションS2の棚ユニットR2と、露光装置S4との間でウエハWの受け渡しを行うための搬送アームAと、を備えており、処理ステ−ションS2と露光装置S4との間でウエハWの受け渡しを行うと共に、当該ステ−ションS3内では露光後のウエハWを、レジストの解像反応の進行を抑えた状態で前記CHP装置6に搬送し、ここでレジストの解像を促進させるための加熱処理と、レジストの解像反応を停止させるための冷却処理とを行うように構成されている。
【0036】
このようなインターフェイスステーションS3のレイアウトの一例について説明すると、例えばカセットステーション側S1から奥を見て例えば左側に棚ユニットR4が設けられており、この右側に、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された搬送アームAが設けられている。
【0037】
前記CHP装置6は、例えば図7に示すように、ウエハWの搬出入口60が形成された処理室の中に、ウエハWを加熱するための加熱部をなす加熱プレ−ト61と、ウエハWを冷却するための冷却部をなす冷却プレ−ト62と、を備えており、先ずウエハWを加熱プレ−ト61に載置して所定温度まで加熱した後(図7(a))、加熱プレ−ト61からウエハWを例えば突出ピン63で持ち上げると共に、冷却プレ−ト62を搬送手段64によりウエハWの下方側の位置まで移動させてウエハWを冷却プレ−ト62に受け渡し(図7(b),(c))、その後ウエハWを載置したまま冷却プレ−ト62を加熱プレ−ト61の側方の位置まで移動させてウエハWを所定温度まで冷却するようになっており(図7(d))、この装置では加熱プレ−ト61と冷却プレ−ト62との間のウエハWの受け渡しによって加熱時間が制御されるので、オ−バ−ベ−クが防止される。
【0038】
前記搬送アームAは、ウエハWを保持するアーム56が1枚であって、このアーム56がカセットステーションS1のカセットの配列方向(Y方向)に移動自在に構成されている他は前記基板搬送手段MAと同様に構成されている。例えば搬送アームAは、回転駆動部55がY方向に設けたガイドレール57に沿って移動できるようになっており、これによりアーム56は、X,Y方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【0039】
さらにこのインターフェイスステーションS3は空間が閉じられている。つまり例えば図8及び図9に示すように、壁部71により他の空間から区画されており、前記壁部71の搬送アームAのアーム56に対応する位置には受け渡し口72が形成されている。
【0040】
そしてインターフェイスステーションS3には、例えば空気を清浄化するためのフィルタ、化学増幅型レジストを用いる場合には、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ、吸い込みファン等を備えたフィルタユニットF2が上部側を覆うように設けられており、処理ユニットUと同様に、インターフェイスステーションS3の下部側から回収される雰囲気が工場排気系に排気される一方、一部がフィルタ装置73へと導入され、このフィルタ装置73にて清浄化された空気が、前記フィルタユニットF2を介して各部内にダウンフロ−として吹き出されるようになっている。
【0041】
前記フィルタ装置73は、不純物を除去するための不純物除去部や、加熱機構及び加湿機構、空気を送出する送出部等を備えており、こうしてインターフェイスステーションS3内には、不純物が除去され、所定の温度例えばレジストの解像反応の進行を抑え、かつ結露が生じない程度の温度である10〜15℃、及び所定湿度に調整された空気が送出されるようになっている。
【0042】
またインターフェイスステーションS3では、棚ユニットR4が設けられた領域と搬送アームAが設けられた領域との間は、仕切り壁74により区画されている。この仕切り壁74には、前記CHP装置6の各ウエハWの搬出入口60に適応する位置に、ウエハWの受け渡し口75が形成されており、この例ではこれら搬出入口60及び受け渡し口75は、夫々シャッタ65,76により開閉自在に構成され、これらシャッタ65,76の開閉のタイミングは制御部77により制御されるようになっている。
【0043】
次に上述の実施の形態の作用について説明する。先ず自動搬送ロボット(あるいは作業者)により例えば25枚のウエハWを収納したカセット22がカセットステ−ジ21に搬入され、受け渡しア−ム23によりカセット22内からウエハWが取り出されて処理ステ−ションS2の棚ユニットR1の受け渡し部34に置かれる。
【0044】
このウエハWは基板搬送手段MA→棚ユニットRの疎水化部33→基板搬送手段MA→棚ユニットRの冷却部32→基板搬送手段MA→塗布ユニットCの経路で搬送され、ウエハ表面が疎水化された後、所定温度まで冷却されて温度調整が行われ、塗布ユニットCにて所定温度例えば23℃でレジスト液が塗布される。
こうしてレジスト液が塗布されたウエハWは、基板搬送手段MA→棚ユニットRの加熱部31→基板搬送手段MA→棚ユニットRの冷却部32の経路で搬送されて温度調整が行われ、続いて基板搬送手段MA→棚ユニットR2の受け渡し部34→インタ−フェイスステ−ションS3の搬送アームA→露光装置S4の経路で搬送されて、露光が行われる。
【0045】
露光後のウエハWは露光装置S4→インターフェイスステーションS3の搬送アームA→棚ユニットR4のCHP装置6の経路で搬送され、先ずCHP装置6の加熱プレート61にて所定の温度まで加熱された後、冷却プレート62により所定温度まで冷却されて温度調整が行われる。
【0046】
この際搬送アームAとCHP装置6との間は仕切り壁74で区画されているので、先ずウエハWを搬送しようとするCHP装置6のシャッタ65と、これに対応する受け渡し口75のシャッタ76とを開いて前記CHP装置6の加熱プレート61にウエハWを搬送し、次いでこれらのシャッタ65,76を閉じ、その後加熱プレート61及び冷却プレート62にて所定の処理を行う。そして再びCHP装置6のシャッタ65と、仕切り壁74のシャッタ76とを開いて搬送アームAにウエハWを受け渡した後、これらのシャッタ65,76を閉じる。
【0047】
ここで本発明では、露光装置S4からレジストの解像反応を促進させる処理を行う加熱部(加熱プレート61)までのウエハWの搬送領域を、レジストの解像反応の進行を抑え、かつ結露が生じない程度の温度例えば10〜15℃に調整することに特徴があり、そのためこの例ではインターフェイスステーションS3内を10〜15℃に調整すると共に、インターフェイスステーションS3内にCHP装置6を設けている。
【0048】
ここで化学増幅型レジストについて説明すると、このレジストは図11に示すように、主成分であるベース樹脂81と、現像液に対するベース樹脂81の溶解を抑制するための保護基82と、光酸発生剤83とを含み、少ない露光エネルギーで露光領域全体が感光する性質を有している。
【0049】
この種のレジストでは、例えば図11(a)に示すように、露光することにより光酸発生剤83から酸84が発生し、次いで図11(b)に示すように、加熱処理を行うことにより、熱エネルギーを利用して、この酸84で樹脂81から保護基82を切断し、アルカリ溶液に可溶な状態にする。次にこの酸84が別の保護基82を切断するため、この反応が連鎖反応的に生じる。続いて冷却処理を行うことによりこの連鎖反応を停止させ、この後図11(c)に示すように、現像処理にて前記連鎖反応でアルカリ溶液に可溶になった領域を除去することにより所定のパターンが形成される。ここで図11中85は基板、86はレジスト、87は所定のパターンが形成されたマスクである。
【0050】
このようなレジストでは露光により生成した酸84が触媒として作用するので、進行は遅くても露光直後からレジストの解像反応(保護基82をベース樹脂81から切断する反応)が進行する。しかしながらこの解像反応の進行速度は温度に依存し、室温よりも低く、しかも結露を発生させない程度の温度例えば10〜15℃程度の温度では進行速度がかなり遅くなり、解像反応の進行を抑えた状態となる。
【0051】
従って露光後のウエハWを加熱プレート61まで、既述のように例えば10〜15℃に調整された搬送領域内を通って搬送することにより、この搬送中のレジストの解像反応の進行は抑えられた状態となる。なお搬送領域内をウエハWの冷却温度を結露しない程度とするのは、ウエハW表面に露水が付着した場合、レジスト界面の酸(表面付近の酸)84がレジスト液中に吸収され、不均一な解像進行及び現像線幅を招くためである。
【0052】
ここでこの例ではCHP装置6の加熱プレート61にて、前記酸84で樹脂81から保護基82を切断し、アルカリ溶液に可溶な状態にするという加熱処理が行われ、冷却プレート62にて、前記連鎖反応を停止させるという冷却処理が行われる。
【0053】
こうしてCHP装置6にて所定の処理が行われたウエハWは、インターフェイスステーションS3の搬送アームA→処理ステーションS2の棚ユニットR2の受け渡し部34→基板搬送手段MA→現像ユニットDの経路で搬送され、ウエハWは現像ユニットDにて所定温度例えば現像液の塗布温度である23℃で現像処理される。
【0054】
その後ウエハWは基板搬送手段MA→棚ユニットRの加熱部31→基板搬送手段MA→棚ユニットRの冷却部32→基板搬送手段MA→棚ユニットR1の受け渡し部34→受け渡しア−ム23の経路で搬送され、一旦所定温度まで加熱された後、所定温度まで冷却されたウエハWは、受け渡し部34を介して例えば元のカセット22内に戻される。
【0055】
ここで処理ステ−ションS2では、ウエハWは順次棚ユニットR1の受け渡し部34に送られ、続いて空いている疎水化部33→棚ユニットR1,R2,R3の空いている冷却部32→空いている塗布ユニットC→棚ユニットR1,R2,R3の空いている加熱部31→棚ユニットR1,R2,R3の開いている冷却部32→インタ−フェイスステ−ションS3の経路で搬送され、また露光後のウエハWはインタ−フェイスステ−ションS3の棚ユニットR4の開いているCHP装置6→処理ステーションS2の開いている現像ユニットD→棚ユニットR1,R2,R3の開いている加熱部31→棚ユニットR1,R2,R3の開いている冷却部32→棚ユニットR1の受け渡し部34の経路で搬送されればよい。
【0056】
上述実施の形態では、露光後のウエハWを結露を生じない程度の温度に冷却した搬送領域内を通って加熱部まで搬送しているので現像線幅の均一性を高めることができる。つまり露光装置S4にて露光されたウエハWは所定の搬送領域を通って加熱部まで搬送されるが、この露光装置S4→加熱部までの搬送時間は一定であるので、この搬送の間のレジストの解像反応の進行の程度はほぼ同じである。
【0057】
この際搬送領域は、ウエハWに結露が生じない程度の温度に温度調整されており、このような温度ではレジストの解像反応の進行が抑えられるので、搬送領域内のウエハWは前記解像反応の進行がほぼ抑えられた状態にあるといえる。従ってこの状態で露光後のウエハWを次工程であるCHP装置6へ搬送するようにすれば、CHP装置6に搬送されたときのウエハWの前記解像反応の進行の程度がほぼ同じ状態になる。このため当該装置6では常に同じ状態のウエハWに対して加熱処理が行われることになるので、当該加熱処理においても前記解像反応の進行の程度が揃えられ、こうして現像線幅のばらつきの発生が抑えられ、現像線幅の均一性が高められる。
【0058】
またこの例では、インターフェイスステーションS3にCHP装置6を設けているので、インターフェイスステーションS3内が露光装置S4→加熱部までの搬送領域となる。ここでインターフェイスステーションS3の容積は処理ステーションS2よりもかなり小さく、このため露光装置S4→加熱部までの搬送領域が狭くなるので、この搬送領域を温度・湿度の調整を行う高精度調整雰囲気とすることはコスト的に有利である。
【0059】
さらにインターフェイスステーションS3内では仕切り壁74によりCHP装置6と搬送アームAとを区画しているので、搬送アームAが設けられている領域へのCHP装置6の加熱プレート61からの温度影響が抑えられ、インターフェイスステーションS3内の温湿度調整が容易となる。
【0060】
以上において本発明では、CHP装置6を多段に備えた棚ユニットR4を、図12に示すように、処理ステーションS2内に設けるようにしてもよい。この例では、前記棚ユニットR4は、カセットステーションS1から見て基板搬送手段MAの奥側の右側に設けられており、その左側に棚ユニットR2が設けられていて、基板搬送手段MAにより棚ユニットR2,R4との間でウエハWの受け渡しが行われ、また棚ユニットR2の受け渡し部34と、棚ユニットR4の各CHP装置6はインターフェイスステーションS3の搬送アームAとの間でウエハWの受け渡しが行われるように構成されている。
【0061】
そして棚ユニットR4は、例えば図13に示すように壁部81により他の空間から区画されており、前記壁部81には、基板搬送手段MAのアーム51に対応する位置と、搬送アームAのアーム56に対応する位置に受け渡し口82,83が形成されていて、これら受け渡し口82,83は夫々シャッタ84,85により開閉自在に構成されている。
【0062】
また各CHP装置6には、例えば空気を清浄化するためのフィルタ、化学増幅型レジストを用いる場合には、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ、吸い込みファン等を備えたフィルタユニットF3が上部側を覆うように設けられており、下部側から回収される雰囲気が排気される一方、一部がフィルタ装置83へと導入され、このフィルタ装置83にて清浄化された空気が、前記フィルタユニットF3を介して各部内にダウンフロ−として吹き出されるようになっている。
【0063】
前記フィルタ装置83は、不純物を除去するための不純物除去部や、加熱機構及び加湿機構、空気を送出する送出部等を備えており、こうして棚ユニットR4は内には、不純物が除去され、所定の温度及び所定湿度に調整された空気が送出されるようになっていて、これによりこの領域にはアルカリ成分が入り込めないようになっている。
【0064】
またインターフェイスステーションS3の棚ユニットR5は、露光装置S4からのウエハWを棚ユニットR4のCHP装置6に搬送する際に、ウエハWを待機させるための棚部を多段に備えており、この棚ユニットR5は搬送アームAによりアクセス可能な位置に設けられている。この例においても、インターフェイスステーションS3内は、レジストの解像反応の進行を抑え、かつ結露が生じない程度の温度例えば10〜15℃に温度調整されている。その他の構成は上述の基板処理装置と同様であり、各棚ユニットRの構成も上述と同様である。
【0065】
この例では、露光後のウエハWは、搬送アームAにより例えば棚ユニットR5の棚部に搬送され、ここでCHP装置6の加熱プレート61への搬送を待ち、搬送アームAにより所定のCHP装置6へ搬送される。この際インターフェイスステーションS3内は10〜15℃程度に温度調整されているので、露光装置S4→加熱プレート61までの搬送を、レジストの解像反応の進行を抑えた状態で行うことができ、現像処理の均一性を高めることができる。
【0066】
続いて本発明の他の例について図14に基づいて説明する。この実施の形態は、インターフェイスステーションS3内の温度調整を行う代わりに、露光装置S4からCHP装置6の加熱プレート61までのウエハWの搬送の際、レジストの解像反応の進行を抑えるために、ウエハW上に所定の雰囲気に調整された気体を供給しながら搬送を行なうというものである。
【0067】
この例では、インターフェイスステーションS3に設けられた、処理ステーションS2と露光装置S4との間でウエハWの搬送を行う搬送アームAは、例えば図14に示すように2枚のアーム91,92を備えており、上側のアーム91は露光後のウエハWをCHP装置6に搬送するための専用アーム、下側のアーム92は露光前のウエハWを処理ステーションS2から露光装置S4まで搬送するための専用アーム92として構成されている。
【0068】
前記上側アーム91の上方側には、アーム91上に支持されたウエハWに所定の雰囲気に調整された気体を供給するためのガス供給部9が設けられており、上側アーム91の下方側には、下側アーム92上に支持されたウエハWに前記所定の雰囲気に調整された気体が当たらないようにするための遮断板93が設けられている。
【0069】
前記ガス供給部9は例えば扁平な円筒形をなしており、多数のガス供給孔94を備えた円形の開口面95が前記アーム91上のウエハWと対向するように支持アーム96により前記基台52の背面(アーム51の進行方向側の背面)に取り付けられている。前記ガス供給部9の開口面95は、アーム51上に支持されたウエハWよりも大きい領域に空気を供給できる大きさに設定されている。
【0070】
このようなガス供給部9には、不純物が除去され、所定の温度例えばレジストの解像反応の進行を抑え、かつ結露を生じさせない程度の温度である10〜15℃、及び所定湿度に調整された気体例えば空気がフィルタ装置97からガス供給管98を介して供給されるようになっており、これにより当該空気がガス供給孔94を介してアーム51に保持されたウエハW上に送出されることになる。ここで前記フィルタ装置97は、不純物を除去するための不純物除去部や、加熱機構及び加湿機構、空気を送出する送出部等を備えている。また前記遮断板93は、下側アーム92上に支持されたウエハWにガス供給部からの気体が当たらないようにするために、アーム92上に支持されたウエハWよりも大きい領域を覆う大きさに設定されている。
【0071】
このような実施の形態では、搬送アームAにより露光装置S4からCHP装置6にウエハWを搬送する際、ウエハW上に結露を生じさせない程度の温度に調整された空気を供給しているので、レジストの解像反応が進行しにくい。このためレジストの解像反応の進行を抑えた状態でCHP装置6まで搬送できるので、現像ムラの発生を抑えて均一な処理を行うことができる。
【0072】
ここでこの例では、ウエハW上に供給される気体としては、空気の他、窒素等の不活性ガス、空気と不活性ガスの混合気体等を用いることができる。また露光後のウエハWを搬送するアーム91を下側に設け、露光前のウエハWを搬送するアーム92を上側に設けるようにしてもよいし、ガス供給部9を搬送アームAに一体に取り付ける構成ではなく、アーム91に保持されたウエハW上に気体を供給できるように別個に設ける構成としてもよい。
【0073】
さらにこのウエハW上に所定の温度に調整された気体を供給しながら搬送を行うという例と、上述の搬送領域自体の温度制御を行うという例とを組み合わせるようにしてもよく、この場合にはよりレジストの解像反応の進行を抑えた状態で露光後のウエハWをCHP装置6に搬送することができる。
【0074】
以上では、搬送領域等の温度制御を行うようにしたが、ウエハWに付着した水分量を制御することにより、レジストの解像反応の進行を抑えるようにしてもよい。つまりアセタール系化学増幅型レジストは、レジストの解像反応の際、45%程度の湿度が必要であり、湿度が十分でない場合には解像反応が起こりにくいという性質を有している。このため搬送領域内の湿度を例えば20%以下程度の空気より湿度が低い低湿度状態として、この中でウエハWを所定時間以上待機させることによりウエハWの付着水分量を、露光後にインターフェイスステーションS3に搬送された時にウエハWに付着していた水分量よりも少なくすれば、レジストの解像反応の進行をかなり抑えることができる。
【0075】
具体的には、インターフェイスステーションS3内やガス供給部9にフィルタ装置73等にて湿度が調整されたガスを供給するように構成すればよい。ここでインターフェイスステーションS3内等に供給されるガスとしては、空気や、窒素ガス等の不活性ガス、空気と不活性ガスとの混合気体等を用いることができる。
【0076】
さらにウエハWの搬送領域では、搬送領域の温度制御とウエハに付着した水分量の管理とを組み合わせて行うようにしてもよく、この場合にはレジストの解像反応の進行をより抑制することができるので、より高い現像線幅の均一性を確保することができる。
【0077】
またCHP装置6はインターフェイスステーションS3に限らず処理ステーションS2内に設置するようにしてもよいが、露光装置S4とCHP装置6との間の搬送領域の温度や湿度が変化しやすい場合には、搬送時間が短い程、当該搬送の際のレジストの解像反応の進行の程度が揃うので、CHP装置6はインターフェイスステーションS3内に設置することが望ましく、さらに露光装置S4の近傍に設置することが望ましい。
【0078】
更にまた、ガス供給部9は例えば図15及び図16に示すように構成してもよい。この実施の形態は、例えば図15に示すように、不活性ガスタンク100から温度調整手段及び湿度調整手段の役割を果たす調整部101を介してガス供給部9へ送られてくる不活性ガスを、開口面102(図14に示す開口面94に相当する)のガス供給孔103からアーム91上のウエハWに向けて供給するものである。ガス供給孔103は図15に示すようにアーム91の形状に対応して設けるようにしてもよいし、図16に示すようにウエハWの形状である円形に対応して設けてもよい。
【0079】
このように構成することで、露光後且つ現像前のウエハWを例えば加熱プレート61に搬送する場合に限定されず、搬送領域全体に亘って例えばレジスト塗布後のウエハWの搬送中に大気中の水分によってレジストが加水分解を起こすことや、大気中の酸素と結合してパターン解像に影響を与えること等を抑えられる。また、ウエハWを塗布ユニットCから棚ユニットRの加熱部31に搬送するときに上記の不活性ガスを供給するようにすれば、効率のよいガス供給を行うことができる。
【0080】
以上において本発明では、疎水化処理の代わりに、レジストを塗布する前にウエハWの表面に反射防止膜を形成するようにしてもよい。なお反射防止膜を形成するのは、化学増幅型のレジストを用いると露光時にレジストの下側で反射が起こるので、これを防止するためである。さらにまた本発明は、基板としてはウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板であってもよい。
【0081】
【発明の効果】
本発明によれば、基板を露光装置から加熱部までレジストの解像反応の進行を抑えた状態で搬送しているので、現像線幅の均一性の向上を図ることができる。また他の発明によれば、搬送中の基板に対する大気中の水分等による悪影響を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図2】前記塗布、現像装置を示す概観斜視図である。
【図3】前記塗布、現像装置の棚ユニット及び現像ユニットの一例を示す側面図である。
【図4】前記塗布、現像装置の棚ユニットの一例を示す側面図である。
【図5】前記現像ユニットの一例を示す断面図である。
【図6】基板搬送手段を示す断面図である。
【図7】前記棚ユニットに設けられたCHP装置を示す断面図である。
【図8】インターフェイスステーションの一例を示す斜視図である。
【図9】インターフェイスステーションの一例を示す断面図である。
【図10】CHP装置と仕切り壁の一例を示す側面図である。
【図11】化学増幅型レジストの解像反応を示す説明図である。
【図12】塗布、現像装置の他の例を示す断面図である。
【図13】CHP装置が設けられた棚ユニットの他の例を示す断面図である。
【図14】塗布、現像装置のさらに他の例を示す断面図と斜視図である。
【図15】ガス供給部の他の例を示す平面図である。
【図16】ガス供給部の更に他の例を示す平面図である。
【図17】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
S1 カセットステ−ション
S2 処理ステ−ション
S3 インタ−フェイスステ−ション
S4 露光装置
23 受け渡しア−ム
6 CHP装置
C 塗布ユニット
D 現像ユニット
R 棚ユニット
MA 基板搬送手段
A 搬送アーム
Claims (9)
- 基板にレジスト液を塗布処理を行うための塗布処理部と、
レジスト液が塗布され、露光処理が行われた基板に対して現像処理を行うための現像処理部と、
露光処理が行われた基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させるための加熱部と、
前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑えるための冷却部と、
基板を搬送するための基板搬送手段と、を備え、
前記基板搬送手段は、上下方向に移動し、かつ鉛直軸回りに回転するように設けられた基台と、
この基台に沿って進退するように互いに上下に設けられた、基板を保持するための少なくとも2枚のアームと、
前記最上部のアームに保持された基板に対向するように、支持アームを介して設けられ、最上部のアームの上方側の、周囲が開放された空間に気体を供給するためのガス供給部と、
前記最上部のアームとその下方側のアームとの間に設けられ、前記ガス供給部からの気体が下方側のアームへ当たらないようにするための遮断板と、を具備することを特徴とする基板処理装置。 - ガス供給部には、温度調整手段により温度が調整された気体が供給されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- ガス供給部には、湿度調整手段により湿度が調整された気体が供給されることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理装置。
- ガス供給部には、不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の基板処理装置。
- 複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板に対して処理を行う処理ステ−ションと、
処理ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、
前記インターフェイスステーションは、前記露光された基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させる加熱部と、前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑えるための冷却部と、を含み、
前記基板搬送手段はインターフェースステーションに設けられ、その最上部のアームは、露光後の基板を、露光装置から前記加熱部に搬送するものであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の基板処理装置。 - 前記基板搬送手段は、インターフェースステーションに設けられ、その遮断板の下方側のアームは、露光前の基板を、処理ステーションから露光装置に搬送するものであることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- 前記インターフェイスステーションは、レジストの解像反応の進行を抑えるようために、基板に結露が発生しないように冷却されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一に記載の基板処理装置。
- 前記インターフェイスステーションは、加熱部に搬送されたときの基板に付着している水分量を、露光後の基板に付着している水分量よりも少なくするように、空気よりも湿度の低いガスが供給されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一に記載の基板処理装置。
- 前記レジストは、露光により発生した酸がレジストの解像反応を進行させる化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一に記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001039655A JP3818631B2 (ja) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-38509 | 2000-02-16 | ||
JP2000038509 | 2000-02-16 | ||
JP2001039655A JP3818631B2 (ja) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001308005A JP2001308005A (ja) | 2001-11-02 |
JP3818631B2 true JP3818631B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=26585498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001039655A Expired - Fee Related JP3818631B2 (ja) | 2000-02-16 | 2001-02-16 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3818631B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4381285B2 (ja) | 2004-11-11 | 2009-12-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20070115476A (ko) * | 2006-06-02 | 2007-12-06 | 세메스 주식회사 | 베이크 장치 |
US8636458B2 (en) * | 2007-06-06 | 2014-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Integrated post-exposure bake track |
JP2013247283A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Tokyo Electron Ltd | 搬送機構、搬送方法及び処理システム |
JP5817693B2 (ja) | 2012-09-25 | 2015-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6023017B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
TWI629744B (zh) * | 2013-11-11 | 2018-07-11 | 昕芙旎雅股份有限公司 | Surrounding gas replacement device, substrate transfer device, substrate transfer system, and EFEM |
JP6263972B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2018-01-24 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 基板搬送装置、efem及び半導体製造装置 |
JP6311280B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2018-04-18 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 雰囲気置換装置、基板搬送システム及びefem |
JP6299210B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-03-28 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 基板搬送装置及びefem |
WO2016038656A1 (ja) * | 2014-09-08 | 2016-03-17 | 株式会社安川電機 | ロボットシステムおよび搬送方法 |
JP7162541B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2022-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体 |
-
2001
- 2001-02-16 JP JP2001039655A patent/JP3818631B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001308005A (ja) | 2001-11-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150623 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |