JPH09120984A

JPH09120984A - 雰囲気分離型基板処理装置

Info

Publication number: JPH09120984A
Application number: JP27775895A
Authority: JP
Inventors: Yoshimitsu Fukutomi; 義光福冨; Yoshiji Oka; 義二岡
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-10-25
Filing date: 1995-10-25
Publication date: 1997-05-06
Anticipated expiration: 2015-10-25
Also published as: JP3665116B2

Abstract

(57)【要約】【課題】小型で、しかも確実な雰囲気分離を行うこと
ができる雰囲気分離型基板処理装置を提供する。【解決手段】塗布側処理部群１２０Ｘと現像側処理部
群１２０Ｙとの間に隔壁９０１が配置されて、塗布側処
理部群１２０Ｘの塗布処理空間ＳＰＸと現像側処理部群
１２０Ｙの現像処理空間ＳＰＹとが仕切られて雰囲気が
分離される。また、搬送路１３０ＨＹに搬送路１３０Ｈ
Ｘと隣接して基板受渡し手段として機能する内部インタ
ーフェースＩＦＡが配置され、この内部インターフェー
スＩＦＡを介して両処理空間ＳＰＸ，ＳＰＹの間での半
導体ウエハの受渡しが行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、基板に第１処理
を施す第１処理部群と、前記第１処理部群に設けられた
第１搬送路に沿って基板を搬送する第１搬送手段と、前
記第１処理と異なる第２処理を基板に施す第２処理部群
と、前記第２処理部群に設けられた第２搬送路に沿って
基板を搬送する第２搬送手段と、を備え、前記第１およ
び第２処理の少なくとも一方の処理が薬液を使用して基
板に所定の処理を施す基板処理装置、特に第１および第
２処理部群との間で雰囲気分離する雰囲気分離型基板処
理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように半導体ウエハや液晶表示装
置用ガラス基板などの基板に対してはレジスト塗布やそ
れに関連する処理など、種々の表面処理が行われ、それ
ら一連の処理を自動的に行う半導体処理装置が使用され
ている。そして、これら一連の処理を効率的に行わせる
ために多くの技術が開発されている。例えば、特開平５
−１７８４１６号公報では、基板にレジスト液を塗布す
る塗布側処理部群と、基板に対して現像処理を施す現像
側処理部群とを備え、両処理部群の間で基板の受渡しを
行って一連の処理を行う装置が開示されている。

【０００３】図１１は上記公報に開示された基板処理装
置の概要を示す構成図である。この基板処理装置では、
塗布側処理部群１２０Ｘは、基板にレジスト液を塗布す
る処理部として機能するスピンコータＳＣと、それに対
応するホットプレートＨＰやクールプレートＣＰなどの
処理部により構成されている。またこの塗布側処理部群
１２０Ｘでは、搬送ロボットＴＲ１が移動自在に配置さ
れており、この搬送ロボットＴＲ１により処理部ＳＣ，
ＨＰ，ＣＰの間で基板を搬送しながら、基板へのレジス
ト膜の形成が行われる。一方、現像側処理部群１２０Ｙ
は、基板に現像液を供給して現像処理する処理部として
機能するスピンデベロッパＳＤと、それに対応するホッ
トプレートＨＰやクールプレートＣＰなどの処理部によ
り構成されている。またこの現像側処理部群１２０Ｙで
は、別の搬送ロボットＴＲ２が移動自在に配置されてお
り、この搬送ロボットＴＲ２により処理部ＳＤ，ＨＰ，
ＣＰの間で基板を搬送しながら、基板の現像処理が行わ
れる。また、これらの処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙの間
に待機台１２０Ｚが配置されており、２つの搬送ロボッ
トＴＲ１，ＴＲ２が待機台１２０Ｚにアクセスして両処
理部群１２０Ｘ，１２０Ｙの間での基板の受渡しを行
う。なお、説明の便宜から、この基板処理装置を「第１
従来例」と称するとともに、次に説明する基板処理装置
を「第２従来例」と称する。

【０００４】また、上記第１従来例では待機台１２０Ｚ
を設けて塗布側および現像側処理部群１２０Ｘ，１２０
Ｙの間での基板の受渡しを行っているが、待機台１２０
Ｚを設ける代わりに、図１２に示すように、両処理部群
１２０Ｘ，１２０ＹのホットプレートＨＰ，ＨＰの間に
基板受渡し手段となる内部インターフェースＩＦを設
け、この内部インターフェースＩＦを介して両処理部群
１２０Ｘ，１２０Ｙの間での基板の受渡しを行うように
してもよく、このような構成を有する基板処理装置（第
２従来例）も従来より知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板が処理
部群１２０Ｘ，１２０Ｙのうち一方の処理部群の中を搬
送されている時に、他方の処理部群の雰囲気が一方の処
理部群側に混入すると、その雰囲気の影響を受けて種々
の問題が生じる。特に、最近のレジスト材料は雰囲気に
敏感であり、例えば塗布側処理部群１２０Ｘにおいてレ
ジスト液がすでに塗布された基板を搬送している最中に
アルカリ雰囲気が混入すると、レジスト液の感度などの
特性が変化するという問題が生じる。

【０００６】この問題を解消するためには、両処理部群
１２０Ｘ，１２０Ｙの間に隔壁を設ければよいが、上記
第１および第２従来例ではそれぞれ特有の問題がある。

【０００７】すなわち、第１従来例では、待機台１２０
Ｚに隔壁を設けることで両処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙ
の雰囲気を分離することができるが、待機台１２０Ｚを
設けたことで装置が大型化し、フットプリントが大きい
という問題がある。

【０００８】一方、第２従来例では、フットプリントは
第１従来例に比べて小さいものの、搬送ロボットＴＲ
１，ＴＲ２が両処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙのホットプ
レートＨＰ，ＨＰの間に配置された内部インターフェー
スＩＦにアクセスするためには、搬送ロボットＴＲ１，
ＴＲ２の搬送アーム（図示省略）を斜め方向に伸ばす必
要がある。このため、搬送アームと干渉しないように両
処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙの間に隔壁を設ける必要が
あり、両処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙを完全に雰囲気分
離することはできず、雰囲気の混入による問題を十分に
解消することができない。

【０００９】なお、上記においては、塗布側処理部群１
２０Ｘと現像側処理部群１２０Ｙとの間における雰囲気
の混入について説明したが、薬液の種類および処理内容
の組み合わせはこれに限定されるものではなく、相互に
異なる薬液を使用する２つの処理部群の間では、雰囲気
の混入により同様の問題が生じるので、完全な雰囲気分
離が望まれる。また、一方の処理部群がレジスト液や現
像液などの薬液を使用しない場合であっても、他方の処
理部群で薬液が使用されると、他方の処理部群（薬液使
用）から一方の処理部群側（薬液不使用）に雰囲気が混
入すると、上記と同様の問題が生じるので、同じく完全
な雰囲気分離が望まれる。

【００１０】この発明は、上記の問題を解決するために
なされたものであり、小型で、しかも確実な雰囲気分離
を行うことができる雰囲気分離型基板処理装置を提供す
ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、
（ａ）基板に第１処理を施す第１処理部群と、（ｂ）前
記第１処理部群に設けられた第１搬送路に沿って基板を
搬送する第１搬送手段と、（ｃ）前記第１処理と異なる
第２処理を基板に施す第２処理部群と、（ｄ）前記第２
処理部群に設けられた第２搬送路に沿って基板を搬送す
る第２搬送手段と、を備え、前記第１および第２処理の
少なくとも一方の処理が薬液を使用して基板に所定の処
理を施す雰囲気分離型基板処理装置であって、上記目的
を達成するため、（ｅ）前記第１および第２処理部群の
間に配置されて、前記第１処理部群による基板の第１処
理空間と、前記第２処理部群による基板の第２処理空間
とを仕切って雰囲気分離する隔壁と、（ｆ）前記第１お
よび第２搬送路のうちの一方の搬送路に他方の搬送路と
隣接して、あるいは前記第１および第２搬送路を橋渡す
ように配置されて、前記第１および第２処理空間の間で
基板を受渡す基板受渡し手段と、をさらに備えている。

【００１２】請求項２の発明は、前記基板受渡し手段
（ｆ）において、前記第１および第２処理空間に面して
搬入出口をそれぞれ設け、しかも各搬入出口に基板の搬
入出に応じて開閉動作するシャッター機構を設けてい
る。

【００１３】請求項３の発明は、前記第１処理部群
（ａ）を、（ａ−１）基板に対して熱処理を行う第１熱
処理部と、（ａ−２）基板に第１薬液を塗布する塗布部
と、（ａ−３）前記第１熱処理部と前記塗布部との間で
基板を非熱状態で受渡す第１受渡し部と、で構成してい
る。また、前記第１搬送手段（ｂ）を、（ｂ−１）前記
第１熱処理部と前記第１受渡し部との間で基板を搬送す
る第１搬送機構と、（ｂ−２）前記塗布部と前記第１受
渡し部との間で基板を搬送する第２搬送機構と、で構成
している。また、前記第２処理部群（ｃ）を、（ｃ−
１）基板に対して熱処理を行う第２熱処理部と、（ｃ−
２）基板に第２薬液を供給し、現像処理する現像部と、
（ｃ−３）前記第２熱処理部と前記現像部との間で基板
を非熱状態で受渡す第２受渡し部と、で構成している。
さらに、前記第２搬送手段（ｄ）を、（ｄ−１）前記第
２熱処理部と前記第２受渡し部との間で基板を搬送する
第３搬送機構と、（ｄ−２）前記現像部と前記第２受渡
し部との間で基板を搬送する第４搬送機構と、で構成し
ている。

【００１４】この発明では、基板受渡し手段が第１およ
び第２搬送路のうちの一方の搬送路に他方の搬送路と隣
接して、あるいは第１および第２搬送路を橋渡すように
配置されており、この基板受渡し手段を介して第１およ
び第２処理空間の間で基板の受渡しが行われる。したが
って、第１および第２処理部群の間に基板の受渡しのた
めの専用スペースが不要となる。しかも、第１および第
２処理部群の間に隙間を生じさせることなく、両処理部
群の間に隔壁を設け、確実に雰囲気分離することができ
る。

【００１５】また、基板受渡し手段の搬入出口のそれぞ
れにシャッター機構が設けられ、一方の処理部群の雰囲
気が他方の処理部群に混入するのを防止し、両処理部群
の雰囲気分離をより確実なものとする。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態にか
かる雰囲気分離型基板処理装置１００の外観斜視図であ
り、後述する各図との方向関係を明確にするために、Ｘ
ＹＺ直角座標軸が示されている。また、図２はこの装置
１００の概念的平面配置図である。

【００１７】Ａ．全体構成この装置１００は、半導体ウエハ（基板）に対してレジ
スト液を塗布する塗布側処理部群１２０Ｘと、半導体ウ
エハに対して現像処理を施す現像側処理部群１２０Ｙと
を備えており、これらの処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙは
隔壁９０１を挟んでＸ方向に直列に接続されている。こ
のように隔壁９０１を設けたことで、塗布側処理部群１
２０Ｘと現像側処理部群１２０Ｙとが仕切られ、その結
果、塗布側処理部群１２０Ｘで塗布処理を行う塗布処理
空間ＳＰＸと現像側処理部群１２０Ｙで現像処理を行う
現像処理空間ＳＰＹとに空間的に分離される。

【００１８】また、現像側処理部群１２０Ｙの反対側
（−Ｘ方向側）に塗布側処理部群１２０Ｘと隣接してイ
ンデクサＩＤが配置されている。このインデクサＩＤに
は、ロボット１０１が設けられており、半導体ウエハの
ロットが収容されたカセット（図示省略）がインデクサ
ＩＤ上に搬入されると、カセットから順次に半導体ウエ
ハを取り出して、塗布側処理部群１２０Ｘ側に搬出す
る。こうしてインデクサＩＤから搬出された半導体ウエ
ハは、後述するようにして処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙ
に含まれる各処理部に循環搬送され、それらの処理部に
おいて一連の処理を受けて、再度インデクサＩＤ側に搬
送される。すると、ロボット１０１が一連の処理を受け
た半導体ウエハを受け取り、カセットに戻す。

【００１９】一方、塗布側処理部群１２０Ｘの反対側
（Ｘ方向側）に現像側処理部群１２０Ｙと隣接して循環
搬送の途中で半導体ウエハを外部装置、例えばステッパ
ーとの間での受渡しを行うべく一時的に載置するための
基板載置台としての外部インターフェースＩＦＢが設け
られている。

【００２０】Ｂ．塗布側処理部群１２０Ｘの構成塗布側処理部群１２０Ｘでは、図２に示すように、２台
のスピンコータＳＣ１，ＳＣ２がＸ方向に沿って並列配
置されるとともに、この並列体（２台のスピンコータ）
と一定間隔だけ離隔してＹ方向にホットプレートやクー
ルプレートなどからなる処理部集合体１１０Ｘが並列体
と対向配置されている。

【００２１】図３は処理部集合体の概念的正面配置図で
ある。この処理部集合体１１０Ｘは、図３に示すよう
に、複数の処理部を多段多列とした積層構造となってお
り、ホットプレート（熱処理部）ＨＰ１，ＨＰ２の積層
配列やクールプレート（冷却部）ＣＰ１，ＣＰ２を含ん
でいる。なお、クールプレートＣＰ１の上には非熱状態
（加熱機構によって加熱されていない状態）とされたイ
ンターフェースＩＦ１が積層されており、塗布側処理部
群１２０ＸにおいてスピンコータＳＣ１，ＳＣ２とホッ
トプレートＨＰ１，ＨＰ２との間で半導体ウエハを受渡
す位置となる。

【００２２】次に、図２に戻って説明を続ける。この塗
布側処理部群１２０Ｘでは、低温ロボットＴＣ１がスピ
ンコータＳＣ１，ＳＣ２と処理部集合体１１０Ｘとの間
に設けられた搬送路１３０ＣＸに沿ってＸ方向に移動自
在に配置されており、非熱状態の処理部、つまりクール
プレートＣＰ１、インターフェースＩＦ１およびスピン
コータＳＣ１，ＳＣ２にアクセス可能となっている。こ
のため、この低温ロボットＴＣ１によって、これらの非
熱状態の処理部（クールプレートＣＰ１、インターフェ
ースＩＦ１およびスピンコータＳＣ１，ＳＣ２）の間で
半導体ウエハを搬送することができる。

【００２３】また、この低温ロボットＴＣ１とは別に、
高温ロボットＴＨ１が処理部集合体１１０Ｘの背面側
（Ｙ方向側）でＸ方向に伸びる搬送路１３０ＨＸに沿っ
て移動自在に配置されており、非熱状態のインターフェ
ースＩＦ１、クールプレートＣＰ１，ＣＰ２および熱処
理部であるホットプレートＨＰ１，ＨＰ２にアクセス可
能となっている。このため、この高温ロボットＴＨ１に
よって、これらの処理部（インターフェースＩＦ、クー
ルプレートＣＰ１，ＣＰ２およびホットプレートＨＰ
１，ＨＰ２）の間で半導体ウエハを搬送可能となってい
る。

【００２４】このように、この実施形態においては、半
導体ウエハを搬送するための搬送手段を「高温ロボッ
ト」と「低温ロボット」に分けているが、１台の搬送ロ
ボットにより塗布側処理部群１２０Ｘ内で半導体ウエハ
を処理部の間で搬送することは可能であるが、このよう
に複数のロボットＴＣ１，ＴＨ１を設けた場合、以下に
説明する特有の効果が得られる。

【００２５】まず、１台の搬送ロボットがホットプレー
トなどの熱処理部とクールプレートなどの非熱処理部と
のいずれにもアクセスする場合について考えてみる。こ
の場合、熱処理部で暖められた搬送ロボットのハンドが
非熱状態に保つべき処理部（以下「非熱処理部」とい
う）に差し入れられるだけでなく、常温状態を保つべき
段階にある半導体ウエハをその暖められたハンドで保持
することになったり、あるいはまた、暖められた半導体
ウエハからの熱輻射等によって、他の半導体ウエハおよ
び非熱処理部の温度が部分的に上昇し、その結果として
処理の熱的安定性を阻害する原因となる。これに対し、
この実施形態のように高温ロボットＴＨ１と低温ロボッ
トＴＣ１とに分離すると、熱処理部にアクセスすること
によって高温になった高温ロボットがスピンコータＳＣ
１，ＳＣ２などの非熱処理部にアクセスすることがなく
なり、非熱処理部における熱的安定性が確保され、半導
体ウエハへの一連の処理を安定して行わせることができ
る。

【００２６】また、１台の搬送ロボットで各処理部にア
クセスしなければならないとすると、装置全体としての
スループットが低下してしまうが、上記のように２つの
ロボットＴＣ１，ＴＨ１を設けたことで、半導体ウエハ
の搬送効率を高くすることができ、その結果として装置
全体としてのスループットを向上させることができる。

【００２７】図４は、図２および図３に示したＶ−Ｖ線
に沿って見た断面図である。ただし、ロボットＴＨ１，
ＴＣ１の双方が図４に現れるように、これらロボットＴ
Ｈ１，ＴＣ１の位置は、それらの並進可能な範囲で図２
および図３とはずらせた位置に描かれている。

【００２８】図４においては、処理部集合体１１０Ｘが
ホットプレートＨＰ１，ＨＰ１の積層構造を有してお
り、その下にインターフェースＩＦ１とクールプレート
ＣＰ１との積層構造が配置されている様子が明示されて
いる。ホットプレートＨＰ１，ＨＰ１のそれぞれのウエ
ハ出し入れ口１１５はＹ方向すなわち高温ロボットＴＨ
１の搬送路１３０ＨＸに向かう方向にのみ開口してい
る。これは図３の処理部集合体１１０Ｘに含まれる他の
処理部においても同様である。

【００２９】また、図４に示されるように、ウエハ出し
入れ口１４５はインターフェースＩＦ１およびクールプ
レートＣＰ１のそれぞれにおいて、高温ロボットＴＨ１
および低温ロボットＴＣ１のそれぞれの搬送路１３０Ｈ
Ｘ，１３０ＣＸの双方に開口するよう設けられている。
これは、インターフェースＩＦ１およびクールプレート
ＣＰ１は高温ロボットＴＨ１および低温ロボットＴＣ１
のいずれからもアクセスされるためである。これらウエ
ハ出し入れ口１１５，１４５におけるウエハの出し入れ
の向きが、図４において水平方向の双方向矢印で示され
ている。

【００３０】さらに、同図からわかるように、高温ロボ
ットＴＨ１は、ボールネジ、モータ、ガイド等よりなる
ロボット駆動機構１３５Ｈによって搬送路１３０ＨＸ上
を並進するとともに上下方向に昇降する（図４の垂直方
向の双方向矢印）ように構成されている。また、互いに
独立して進退可能なハンド１３１，１３２がウエハ出し
入れ口１１５（１４５）を介して各処理部やインターフ
ェースＩＦ１にアクセスし、半導体ウエハの取り出しや
載置動作を行う。低温ロボットＴＣ１も同様の構成を有
しているが、この低温ロボットＴＣ１のロボット駆動機
構１３５Ｃは、更にθ方向への旋回自由度をも有してい
る点で高温ロボットＴＨ１と異なる。

【００３１】Ｃ．現像側処理部群１２０Ｙの構成現像側処理部群１２０Ｙは塗布側処理部群１２０Ｘとほ
ぼ同一の構成を有している。すなわち、装置手前側（−
Ｙ方向側）に３台のスピンデベロッパＳＤ１〜ＳＤ３が
Ｘ方向に並列配置されており、この並列体（スピンデベ
ロッパＳＤ１〜ＳＤ３）の背面側（Ｙ方向側）に、搬送
路１３０ＣＹに沿って移動自在な低温ロボットＴＣ２
と、ホットプレートＨＰ３，ＨＰ４、クールプレートＣ
Ｐ３，ＣＰ４、インターフェースＩＦ３およびエッジ露
光部ＥＥＷ１，ＥＥＷ２を図３に示すように積層構成し
てなる処理部集合体１１０Ｙと、搬送路１３０ＨＹに沿
って移動自在な高温ロボットＴＨ２とが、この順序で配
置されている。なお、高温および低温ロボットＴＨ２，
ＴＣ２の構成はそれぞれロボットＴＨ１，ＴＣ１と同一
であるため、ここでは、その説明を省略する。

【００３２】Ｄ．内部インターフェースＩＦＡの構成現像側処理部群１２０Ｙの搬送路１３０ＨＹにおいて
は、図２に示すように、塗布側処理部群１２０Ｘと隣接
する位置に塗布側および現像側処理部群１２０Ｘ，１２
０Ｙとの間で半導体ウエハの受渡しを行うための内部イ
ンターフェースＩＦＡが設けられている。この内部イン
ターフェースＩＦＡの塗布側処理部群１２０Ｘ側および
現像側処理部群１２０Ｙ側には、半導体ウエハの搬入出
口９２１，９２２（図１）がそれぞれ設けられており、
これらの搬入出口９２１，９２２を介して内部インター
フェースＩＦＡとの間での半導体ウエハの搬入および搬
出を行うことができるようになっている。また、各搬入
出口９２１，９２２には、シャッター機構（図示省略）
がそれぞれ設けられており、各高温ロボットＴＨ１，Ｔ
Ｈ２が内部インターフェースＩＦＡにアクセスする時の
み、対応するシャッターのみが開き、それ以外において
は両シャッターとも閉じた状態のままである。したがっ
て、両シャッターが同時に開くことはなく、その結果、
隔壁９０１で仕切られた両処理空間ＳＰＸ，ＳＰＹは完
全に隔離された状態となり、例えば塗布側処理部群１２
０Ｘ側の雰囲気が現像側処理部群１２０Ｙ側に流入す
る、また逆方向の流入をより確実に防止することができ
る。

【００３３】Ｅ．フィルタシステム９１０の構成この基板処理装置１００では、図１に示すように、現像
側処理部群１２０Ｙの上方位置にはフィルタシステム９
１０が配置されている。このフィルタシステム９１０
は、パーティクルを除去するためのフィルタ９１１と、
溶剤やアルカリ酸を除去するためのケミカルフィルタ９
１２ａ，９１２ｂ，９１２ｃと、ファン９１３ａ，９１
３ｂ，９１３ｃとで構成されている。図５に示すよう
に、フィルタ９１１上には、ケミカルフィルタ９１２ａ
とファン９１３ａが積み重ねられており、ファン９１３
ａがケミカルフィルタ９１２ａに向けて風を吹き付け、
フィルタ９１２ａ，９１１を通過して空気中の微量アル
カリ物質などが除去された風がダウンフローとして現像
側処理部群１２０Ｙの現像処理空間ＳＰＹに送り込まれ
る。また、ケミカルフィルタ９１２ａおよびファン９１
３ａに隣接して残りのケミカルフィルタ９１２ｂ，９１
２ｃおよびファン９１３ｂ，９１３ｃがフィルタ９１１
上に配置され、ダウンフローを現像側処理部群１２０Ｙ
の空間に送り込んでいる。したがって、現像側処理部群
１２０Ｙの現像処理空間ＳＰＹはアルカリ物質フリーの
雰囲気となる。しかも、この空間は塗布側処理部群１２
０Ｘの空間と完全に隔離されて塗布側処理部群１２０Ｘ
側に存在するアルカリ物質の流入を防止しているので、
常にアルカリ物質フリーの状態でウエハの現像処理を行
うことができる。その結果、空気中のアルカリ物質に敏
感な化型増幅型フォトレジストを良好に処理することが
できる。

【００３４】Ｆ．雰囲気分離型基板処理装置１００の動
作次に、上記のように構成された雰囲気分離型基板処理装
置１００の動作について図６および図７を参照しながら
説明する。この実施形態の装置１００は、各半導体ウエ
ハについて次のようなシーケンスでプロセス処理を行わ
せる。

【００３５】(1)ホットプレートＨＰ１によるベーク； (2)クールプレートＣＰ１による冷却； (3)スピンコータＳＣによるレジスト液の回転塗布； (4)ホットプレートＨＰ２によるベーク； (5)クールプレートＣＰ２による冷却； (6)エッジ露部ＥＥＷ１（ＥＥＷ２）によるエッジ露光
部； (7)ホットプレートＨＰ３によるベーク； (8)クールプレートＣＰ３による冷却； (9)スピンデベロッパＳＤによるレジスト液の現像； (10)ホットプレートＨＰ４によるポストベーク； (11)クールプレートＣＰ４による冷却．以下、このシーケンスを「シーケンス例ＳＣＥ」と呼ぶ
ことにする。

【００３６】図６はこの装置１００においてこのような
処理シーケンスを実現するための半導体ウエハの循環搬
送および受渡しのフロー図である。一方、図７はこのフ
ロー図に対応するタイミング図であって、「Ｓ１〜Ｓ
７」は循環搬送の個々の段階（ステップ）に相当し、こ
の７ステップで循環搬送の１周期が完了する。また、左
列の「ＩＤ」「ＨＰ１」などは図２および図３における
要素に対応する。図６および図７における各線および記
号の意味は「凡例」に示す通りである。なお、これらの
図はすべて循環搬送が定常状態になった後のものであ
る。

【００３７】これらの図における「ＥＥＷ」、「ＳＣ」
および「ＳＤ」はそれぞれ「ＥＥＷ１，ＥＥＷ２」と、
「ＳＣ１，ＳＣ２」と、「ＳＤ１〜ＳＤ３」との総称で
ある。図３に示されているようにホットプレートＨＰ１
〜ＨＰ４およびクールプレートＣＰ１〜ＣＰ４はそれぞ
れ複数台あり、エッジ露光部ＥＥＷも２台（ＥＥＷ１，
ＥＥＷ２）あり、スピンコータＳＣも２台（ＳＣ１，Ｓ
Ｃ２）あり、スピンデベロッパＳＤも３台（ＳＤ１，Ｓ
Ｄ２，ＳＤ３）ある。これらは順次に搬送されてくる半
導体ウエハを順次に複数台に振り分けて処理するための
ものである。

【００３８】まず、図６を参照する。半導体ウエハが既
述した「シーケンス例ＳＣＥ」に沿って各処理部に順次
に移載されていることはこの図６から容易に確認でき
る。

【００３９】高温ロボットＴＨ１は塗布側処理部群１２
０ＸにおいてホットプレートＨＰ１などの処理部の間を
巡回して半導体ウエハを順次に移載し、インデクサＩＤ
に戻ることになる。また、クールプレートＣＰ１におい
ては半導体ウエハを低温ロボットＴＣ１に受渡す。この
低温ロボットＴＣ１はクールプレートＣＰ１で受け取っ
た半導体ウエハをスピンコータＳＣに搬送し、次の搬送
サイクルにおいてその半導体ウエハをインターフェース
ＩＦ１へ移載する。次の搬送サイクルまで待つのは、ス
ピンコータＳＣおよびスピンデベロッパＳＤにおけるウ
エハ処理を実行した後でなければスピンコータＳＣやス
ピンデベロッパＳＤから取り出すことができないためで
ある。

【００４０】また、内部インターフェースＩＦＡにおい
ては、次のようにして高温ロボットＴＨ１，ＴＨ２と内
部インターフェースＩＦＡとの間のウエハの受渡しが行
われる。まず、現像側処理部群１２０Ｙ側のシャッター
を閉じたままで塗布側処理部群１２０Ｘ側のシャッター
のみを開く。そして、高温ロボットＴＨ１によって内部
インターフェースＩＦＡ内のウエハを取り出した後、塗
布側処理部群１２０Ｘ側のウエハを内部インターフェー
スＩＦＡのピンの上に載置する。こうしてウエハの受渡
しが完了すると、塗布側処理部群１２０Ｘ側にシャッタ
ーを閉じる。それに続いて、塗布側処理部群１２０Ｘ側
のシャッターを閉じたままで現像側処理部群１２０Ｙ側
のシャッターのみを開く。そして、高温ロボットＴＨ２
によって内部インターフェースＩＦＡ内のウエハを取り
出した後、現像側処理部群１２０Ｙ側のウエハを内部イ
ンターフェースＩＦＡのピンの上に載置する。

【００４１】こうして半導体ウエハを受け取った高温ロ
ボットＴＨ２は、現像側処理部群１２０Ｙでホットプレ
ートＨＰ３などの処理部の間をを巡回して半導体ウエハ
を順次に移載し、内部インターフェースＩＦＡに戻る。
また、外部インターフェースＩＦＢにおいては、半導体
ウエハを外部装置、例えばステッパに受渡し、クールプ
レートＣＰ３においては半導体ウエハを低温ロボットＴ
Ｃ２に受渡す。この低温ロボットＴＣ２はクールプレー
トＣＰ３で受け取った半導体ウエハをスピンデベロッパ
ＳＤに搬送し、次の搬送サイクルにおいてその半導体ウ
エハをインターフェースＩＦ２へ移載する。

【００４２】Ｇ．雰囲気分離型基板処理装置１００の効
果以上のように、この実施形態の装置１００によれば、塗
布側処理部群１２０Ｘと現像側処理部群１２０Ｙとの間
に隔壁９０１を配置することで塗布側処理部群１２０Ｘ
の塗布処理空間ＳＰＸと現像側処理部群１２０Ｙの現像
処理空間ＳＰＹとを仕切って雰囲気分離するとともに、
搬送路１３０ＨＹに搬送路１３０ＨＸと隣接して基板受
渡し手段として機能する内部インターフェースＩＦＡを
配置し、この内部インターフェースＩＦＡを介して両処
理空間ＳＰＸ，ＳＰＹの間でのウエハの受渡し行うよう
にしているので、処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙの間にウ
エハの受渡しのための専用スペースが不要となり、装置
のコンパクト化を図ることができ、しかも処理部群１２
０Ｘ，１２０Ｙの間に隙間を生じさせることなく、両処
理部群１２０Ｘ，１２０Ｙの間に隔壁９０１を設けるこ
とができ、確実に雰囲気分離することができる。

【００４３】さらに、上記実施形態では、内部インター
フェースＩＦＡにおいて、塗布処理空間ＳＰＸおよび現
像処理空間ＳＰＹに面して搬入出口９２１，９２２をそ
れぞれ設け、しかも各搬入出口９２１，９２２に基板の
搬入出に応じて開閉動作するシャッター機構を設けてい
るので、両処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙをより確実に雰
囲気分離することができる。

【００４４】Ｈ．変形例上記実施形態では、塗布側および現像側処理部群１２０
Ｘ，１２０Ｙともに、各処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙに
おいて半導体ウエハを搬送する搬送手段を高温ロボット
と低温ロボットで構成しているが、各処理部群１２０
Ｘ，１２０Ｙでの搬送手段を単一のロボットで構成して
もよい。また、上記実施形態では、現像側処理部群１２
０Ｙ側の搬送路に内部インターフェースＩＦＡを設けて
いるが、塗布側処理部群１２０Ｘ側の搬送路に設けても
よい。

【００４５】例えば、図８および図９に示すように、塗
布側処理部群１２０Ｘにおいて搬送路１３０Ｘに沿って
Ｘ方向に移動自在な搬送ロボットＴＲ１を設ける一方、
現像側処理部群１２０Ｙにおいて搬送路１３０Ｙに沿っ
てＸ方向に移動自在な搬送ロボットＴＲ２を設けた雰囲
気分離型基板処理装置２００においては、内部インター
フェースＩＦＡを塗布側処理部群１２０Ｘの搬送路１３
０Ｘにおいて現像側処理部群１２０Ｙと隣接する位置に
配置することで、上記実施形態と同様の効果が得られ
る。

【００４６】また、内部インターフェースＩＦＡの配設
位置は、両処理部群１２０Ｘ，１２０Ｙの搬送路１３０
Ｘ，１３０Ｙの一方に限定されるものではなく、図１０
に示すように、両搬送路１３０Ｘ，１３０Ｙを橋渡しす
るように配置してもよい。このことは、上記実施形態に
おいても、同様であり、搬送路１３０ＨＸ，１３０ＨＹ
を橋渡しするように内部インターフェースＩＦＡを設け
てもよい。

【００４７】さらに、基板としては半導体ウエハだけで
なく、液晶表示装置用ガラス基板など精密電子機器用の
種々の基板なども対象とすることができる。処理部の構
成はその基板の処理に必要とされる内容に応じて適宜に
変更可能である。

【００４８】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、第１
および第２処理部群の間に隔壁を配置することで第１処
理部群の第１処理空間と前記第２処理部群の第２処理空
間とを仕切って雰囲気分離するとともに、第１および第
２搬送路のうちの一方の搬送路に他方の搬送路と隣接し
て、あるいは前記第１および第２搬送路を橋渡すように
基板受渡し手段を配置し、この基板受渡し手段を介して
第１および第２処理空間の間での基板の受渡しを行うよ
うにしているので、第１および第２処理部群の間に基板
受渡しのための専用スペースが不要となり、装置のコン
パクト化を図ることができ、しかも第１および第２処理
部群の間に隙間を生じさせることなく、両処理部群の間
に隔壁を設けることができ、確実に雰囲気分離すること
ができる。

【００４９】また、基板受渡し手段において、第１およ
び第２処理空間に面して搬入出口をそれぞれ設け、しか
も各搬入出口に基板の搬入出に応じて開閉動作するシャ
ッター機構を設けているので、両処理部群をより確実に
雰囲気分離することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態にかかる雰囲気分離型基
板処理装置の外観斜視図である。

【図２】図１の装置の概念的平面配置図である。

【図３】処理部集合体の概念的正面配置図である。

【図４】図２および図３に示したＶ−Ｖ線に沿って見た
断面図である。

【図５】現像側処理部群の上方位置に設けられたフィル
タシステムを示す部分切欠斜視図である。

【図６】図１の装置における半導体ウエハの循環搬送お
よび受渡しのフロー図である。

【図７】図６のフロー図に対応するタイミング図であ
る。

【図８】この発明の他の実施形態にかかる雰囲気分離型
基板処理装置の外観斜視図である。

【図９】図８の装置の概念的平面配置図である。

【図１０】この発明のさらに別の実施形態にかかる雰囲
気分離型基板処理装置の概念的平面配置図である。

【図１１】基板処理装置の第１従来例を示す概略平面図
である。

【図１２】基板処理装置の第２従来例を示す概略平面図
である。

【符号の説明】１２０Ｘ塗布側処理部群１２０Ｙ現像側処理部群１３０Ｃ，１３０Ｈ，１３０ＣＸ，１３０ＣＹ，１３０
ＨＸ，１３０ＨＹ搬送路９０１隔壁９２１，９２２搬入出口ＩＦＡ内部インターフェース（基板受渡し手段）ＳＰＸ塗布処理空間ＳＰＹ現像処理空間ＴＣ１，ＴＣ２低温ロボット（第１搬送機構）ＴＨ１，ＴＨ２高温ロボット（第２搬送機構）ＴＲ１，ＴＲ２搬送ロボット（搬送手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）基板に第１処理を施す第１処理部
群と、（ｂ）前記第１処理部群に設けられた第１搬送路
に沿って基板を搬送する第１搬送手段と、（ｃ）前記第
１処理と異なる第２処理を基板に施す第２処理部群と、
（ｄ）前記第２処理部群に設けられた第２搬送路に沿っ
て基板を搬送する第２搬送手段と、を備え、前記第１お
よび第２処理の少なくとも一方の処理が薬液を使用して
基板に所定の処理を施す基板処理装置において、（ｅ）前記第１および第２処理部群の間に配置されて、
前記第１処理部群による基板の第１処理空間と、前記第
２処理部群による基板の第２処理空間とを仕切って雰囲
気分離する隔壁と、（ｆ）前記第１および第２搬送路のうちの一方の搬送路
に他方の搬送路と隣接して、あるいは前記第１および第
２搬送路を橋渡すように配置されて、前記第１および第
２処理空間の間で基板を受渡す基板受渡し手段と、をさ
らに備えたことを特徴とする雰囲気分離型基板処理装
置。
【請求項２】前記基板受渡し手段（ｆ）には、前記第
１および第２処理空間に面して搬入出口がそれぞれ設け
られ、しかも各搬入出口に基板の搬入出に応じて開閉動
作するシャッター機構が設けられた請求項１記載の雰囲
気分離型基板処理装置。
【請求項３】前記第１処理部群（ａ）は、（ａ−１）基板に対して熱処理を行う第１熱処理部と、（ａ−２）基板に第１薬液を塗布する塗布部と、（ａ−３）前記第１熱処理部と前記塗布部との間で基板
を非熱状態で受渡す第１受渡し部と、を備え、前記第１搬送手段（ｂ）は、（ｂ−１）前記第１熱処理部と前記第１受渡し部との間
で基板を搬送する第１搬送機構と、（ｂ−２）前記塗布部と前記第１受渡し部との間で基板
を搬送する第２搬送機構と、を備え、前記第２処理部群（ｃ）は、（ｃ−１）基板に対して熱処理を行う第２熱処理部と、（ｃ−２）基板に第２薬液を供給し、現像処理する現像
部と、（ｃ−３）前記第２熱処理部と前記現像部との間で基板
を非熱状態で受渡す第２受渡し部と、を備え、前記第２搬送手段（ｄ）は、（ｄ−１）前記第２熱処理部と前記第２受渡し部との間
で基板を搬送する第３搬送機構と、（ｄ−２）前記現像部と前記第２受渡し部との間で基板
を搬送する第４搬送機構と、を備えた請求項１記載の雰
囲気分離型基板処理装置。