JPH09120984A - 雰囲気分離型基板処理装置 - Google Patents
雰囲気分離型基板処理装置Info
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- JPH09120984A JPH09120984A JP27775895A JP27775895A JPH09120984A JP H09120984 A JPH09120984 A JP H09120984A JP 27775895 A JP27775895 A JP 27775895A JP 27775895 A JP27775895 A JP 27775895A JP H09120984 A JPH09120984 A JP H09120984A
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Abstract
ができる雰囲気分離型基板処理装置を提供する。 【解決手段】 塗布側処理部群120Xと現像側処理部
群120Yとの間に隔壁901が配置されて、塗布側処
理部群120Xの塗布処理空間SPXと現像側処理部群
120Yの現像処理空間SPYとが仕切られて雰囲気が
分離される。また、搬送路130HYに搬送路130H
Xと隣接して基板受渡し手段として機能する内部インタ
ーフェースIFAが配置され、この内部インターフェー
スIFAを介して両処理空間SPX,SPYの間での半
導体ウエハの受渡しが行われる。
Description
を施す第1処理部群と、前記第1処理部群に設けられた
第1搬送路に沿って基板を搬送する第1搬送手段と、前
記第1処理と異なる第2処理を基板に施す第2処理部群
と、前記第2処理部群に設けられた第2搬送路に沿って
基板を搬送する第2搬送手段と、を備え、前記第1およ
び第2処理の少なくとも一方の処理が薬液を使用して基
板に所定の処理を施す基板処理装置、特に第1および第
2処理部群との間で雰囲気分離する雰囲気分離型基板処
理装置に関する。
置用ガラス基板などの基板に対してはレジスト塗布やそ
れに関連する処理など、種々の表面処理が行われ、それ
ら一連の処理を自動的に行う半導体処理装置が使用され
ている。そして、これら一連の処理を効率的に行わせる
ために多くの技術が開発されている。例えば、特開平5
−178416号公報では、基板にレジスト液を塗布す
る塗布側処理部群と、基板に対して現像処理を施す現像
側処理部群とを備え、両処理部群の間で基板の受渡しを
行って一連の処理を行う装置が開示されている。
置の概要を示す構成図である。この基板処理装置では、
塗布側処理部群120Xは、基板にレジスト液を塗布す
る処理部として機能するスピンコータSCと、それに対
応するホットプレートHPやクールプレートCPなどの
処理部により構成されている。またこの塗布側処理部群
120Xでは、搬送ロボットTR1が移動自在に配置さ
れており、この搬送ロボットTR1により処理部SC,
HP,CPの間で基板を搬送しながら、基板へのレジス
ト膜の形成が行われる。一方、現像側処理部群120Y
は、基板に現像液を供給して現像処理する処理部として
機能するスピンデベロッパSDと、それに対応するホッ
トプレートHPやクールプレートCPなどの処理部によ
り構成されている。またこの現像側処理部群120Yで
は、別の搬送ロボットTR2が移動自在に配置されてお
り、この搬送ロボットTR2により処理部SD,HP,
CPの間で基板を搬送しながら、基板の現像処理が行わ
れる。また、これらの処理部群120X,120Yの間
に待機台120Zが配置されており、2つの搬送ロボッ
トTR1,TR2が待機台120Zにアクセスして両処
理部群120X,120Yの間での基板の受渡しを行
う。なお、説明の便宜から、この基板処理装置を「第1
従来例」と称するとともに、次に説明する基板処理装置
を「第2従来例」と称する。
を設けて塗布側および現像側処理部群120X,120
Yの間での基板の受渡しを行っているが、待機台120
Zを設ける代わりに、図12に示すように、両処理部群
120X,120YのホットプレートHP,HPの間に
基板受渡し手段となる内部インターフェースIFを設
け、この内部インターフェースIFを介して両処理部群
120X,120Yの間での基板の受渡しを行うように
してもよく、このような構成を有する基板処理装置(第
2従来例)も従来より知られている。
部群120X,120Yのうち一方の処理部群の中を搬
送されている時に、他方の処理部群の雰囲気が一方の処
理部群側に混入すると、その雰囲気の影響を受けて種々
の問題が生じる。特に、最近のレジスト材料は雰囲気に
敏感であり、例えば塗布側処理部群120Xにおいてレ
ジスト液がすでに塗布された基板を搬送している最中に
アルカリ雰囲気が混入すると、レジスト液の感度などの
特性が変化するという問題が生じる。
120X,120Yの間に隔壁を設ければよいが、上記
第1および第2従来例ではそれぞれ特有の問題がある。
Zに隔壁を設けることで両処理部群120X,120Y
の雰囲気を分離することができるが、待機台120Zを
設けたことで装置が大型化し、フットプリントが大きい
という問題がある。
第1従来例に比べて小さいものの、搬送ロボットTR
1,TR2が両処理部群120X,120Yのホットプ
レートHP,HPの間に配置された内部インターフェー
スIFにアクセスするためには、搬送ロボットTR1,
TR2の搬送アーム(図示省略)を斜め方向に伸ばす必
要がある。このため、搬送アームと干渉しないように両
処理部群120X,120Yの間に隔壁を設ける必要が
あり、両処理部群120X,120Yを完全に雰囲気分
離することはできず、雰囲気の混入による問題を十分に
解消することができない。
20Xと現像側処理部群120Yとの間における雰囲気
の混入について説明したが、薬液の種類および処理内容
の組み合わせはこれに限定されるものではなく、相互に
異なる薬液を使用する2つの処理部群の間では、雰囲気
の混入により同様の問題が生じるので、完全な雰囲気分
離が望まれる。また、一方の処理部群がレジスト液や現
像液などの薬液を使用しない場合であっても、他方の処
理部群で薬液が使用されると、他方の処理部群(薬液使
用)から一方の処理部群側(薬液不使用)に雰囲気が混
入すると、上記と同様の問題が生じるので、同じく完全
な雰囲気分離が望まれる。
なされたものであり、小型で、しかも確実な雰囲気分離
を行うことができる雰囲気分離型基板処理装置を提供す
ることを目的とする。
(a)基板に第1処理を施す第1処理部群と、(b)前
記第1処理部群に設けられた第1搬送路に沿って基板を
搬送する第1搬送手段と、(c)前記第1処理と異なる
第2処理を基板に施す第2処理部群と、(d)前記第2
処理部群に設けられた第2搬送路に沿って基板を搬送す
る第2搬送手段と、を備え、前記第1および第2処理の
少なくとも一方の処理が薬液を使用して基板に所定の処
理を施す雰囲気分離型基板処理装置であって、上記目的
を達成するため、(e)前記第1および第2処理部群の
間に配置されて、前記第1処理部群による基板の第1処
理空間と、前記第2処理部群による基板の第2処理空間
とを仕切って雰囲気分離する隔壁と、(f)前記第1お
よび第2搬送路のうちの一方の搬送路に他方の搬送路と
隣接して、あるいは前記第1および第2搬送路を橋渡す
ように配置されて、前記第1および第2処理空間の間で
基板を受渡す基板受渡し手段と、をさらに備えている。
(f)において、前記第1および第2処理空間に面して
搬入出口をそれぞれ設け、しかも各搬入出口に基板の搬
入出に応じて開閉動作するシャッター機構を設けてい
る。
(a)を、(a−1)基板に対して熱処理を行う第1熱
処理部と、(a−2)基板に第1薬液を塗布する塗布部
と、(a−3)前記第1熱処理部と前記塗布部との間で
基板を非熱状態で受渡す第1受渡し部と、で構成してい
る。また、前記第1搬送手段(b)を、(b−1)前記
第1熱処理部と前記第1受渡し部との間で基板を搬送す
る第1搬送機構と、(b−2)前記塗布部と前記第1受
渡し部との間で基板を搬送する第2搬送機構と、で構成
している。また、前記第2処理部群(c)を、(c−
1)基板に対して熱処理を行う第2熱処理部と、(c−
2)基板に第2薬液を供給し、現像処理する現像部と、
(c−3)前記第2熱処理部と前記現像部との間で基板
を非熱状態で受渡す第2受渡し部と、で構成している。
さらに、前記第2搬送手段(d)を、(d−1)前記第
2熱処理部と前記第2受渡し部との間で基板を搬送する
第3搬送機構と、(d−2)前記現像部と前記第2受渡
し部との間で基板を搬送する第4搬送機構と、で構成し
ている。
び第2搬送路のうちの一方の搬送路に他方の搬送路と隣
接して、あるいは第1および第2搬送路を橋渡すように
配置されており、この基板受渡し手段を介して第1およ
び第2処理空間の間で基板の受渡しが行われる。したが
って、第1および第2処理部群の間に基板の受渡しのた
めの専用スペースが不要となる。しかも、第1および第
2処理部群の間に隙間を生じさせることなく、両処理部
群の間に隔壁を設け、確実に雰囲気分離することができ
る。
れにシャッター機構が設けられ、一方の処理部群の雰囲
気が他方の処理部群に混入するのを防止し、両処理部群
の雰囲気分離をより確実なものとする。
かる雰囲気分離型基板処理装置100の外観斜視図であ
り、後述する各図との方向関係を明確にするために、X
YZ直角座標軸が示されている。また、図2はこの装置
100の概念的平面配置図である。
スト液を塗布する塗布側処理部群120Xと、半導体ウ
エハに対して現像処理を施す現像側処理部群120Yと
を備えており、これらの処理部群120X,120Yは
隔壁901を挟んでX方向に直列に接続されている。こ
のように隔壁901を設けたことで、塗布側処理部群1
20Xと現像側処理部群120Yとが仕切られ、その結
果、塗布側処理部群120Xで塗布処理を行う塗布処理
空間SPXと現像側処理部群120Yで現像処理を行う
現像処理空間SPYとに空間的に分離される。
(−X方向側)に塗布側処理部群120Xと隣接してイ
ンデクサIDが配置されている。このインデクサIDに
は、ロボット101が設けられており、半導体ウエハの
ロットが収容されたカセット(図示省略)がインデクサ
ID上に搬入されると、カセットから順次に半導体ウエ
ハを取り出して、塗布側処理部群120X側に搬出す
る。こうしてインデクサIDから搬出された半導体ウエ
ハは、後述するようにして処理部群120X,120Y
に含まれる各処理部に循環搬送され、それらの処理部に
おいて一連の処理を受けて、再度インデクサID側に搬
送される。すると、ロボット101が一連の処理を受け
た半導体ウエハを受け取り、カセットに戻す。
(X方向側)に現像側処理部群120Yと隣接して循環
搬送の途中で半導体ウエハを外部装置、例えばステッパ
ーとの間での受渡しを行うべく一時的に載置するための
基板載置台としての外部インターフェースIFBが設け
られている。
のスピンコータSC1,SC2がX方向に沿って並列配
置されるとともに、この並列体(2台のスピンコータ)
と一定間隔だけ離隔してY方向にホットプレートやクー
ルプレートなどからなる処理部集合体110Xが並列体
と対向配置されている。
ある。この処理部集合体110Xは、図3に示すよう
に、複数の処理部を多段多列とした積層構造となってお
り、ホットプレート(熱処理部)HP1,HP2の積層
配列やクールプレート(冷却部)CP1,CP2を含ん
でいる。なお、クールプレートCP1の上には非熱状態
(加熱機構によって加熱されていない状態)とされたイ
ンターフェースIF1が積層されており、塗布側処理部
群120XにおいてスピンコータSC1,SC2とホッ
トプレートHP1,HP2との間で半導体ウエハを受渡
す位置となる。
布側処理部群120Xでは、低温ロボットTC1がスピ
ンコータSC1,SC2と処理部集合体110Xとの間
に設けられた搬送路130CXに沿ってX方向に移動自
在に配置されており、非熱状態の処理部、つまりクール
プレートCP1、インターフェースIF1およびスピン
コータSC1,SC2にアクセス可能となっている。こ
のため、この低温ロボットTC1によって、これらの非
熱状態の処理部(クールプレートCP1、インターフェ
ースIF1およびスピンコータSC1,SC2)の間で
半導体ウエハを搬送することができる。
高温ロボットTH1が処理部集合体110Xの背面側
(Y方向側)でX方向に伸びる搬送路130HXに沿っ
て移動自在に配置されており、非熱状態のインターフェ
ースIF1、クールプレートCP1,CP2および熱処
理部であるホットプレートHP1,HP2にアクセス可
能となっている。このため、この高温ロボットTH1に
よって、これらの処理部(インターフェースIF、クー
ルプレートCP1,CP2およびホットプレートHP
1,HP2)の間で半導体ウエハを搬送可能となってい
る。
導体ウエハを搬送するための搬送手段を「高温ロボッ
ト」と「低温ロボット」に分けているが、1台の搬送ロ
ボットにより塗布側処理部群120X内で半導体ウエハ
を処理部の間で搬送することは可能であるが、このよう
に複数のロボットTC1,TH1を設けた場合、以下に
説明する特有の効果が得られる。
トなどの熱処理部とクールプレートなどの非熱処理部と
のいずれにもアクセスする場合について考えてみる。こ
の場合、熱処理部で暖められた搬送ロボットのハンドが
非熱状態に保つべき処理部(以下「非熱処理部」とい
う)に差し入れられるだけでなく、常温状態を保つべき
段階にある半導体ウエハをその暖められたハンドで保持
することになったり、あるいはまた、暖められた半導体
ウエハからの熱輻射等によって、他の半導体ウエハおよ
び非熱処理部の温度が部分的に上昇し、その結果として
処理の熱的安定性を阻害する原因となる。これに対し、
この実施形態のように高温ロボットTH1と低温ロボッ
トTC1とに分離すると、熱処理部にアクセスすること
によって高温になった高温ロボットがスピンコータSC
1,SC2などの非熱処理部にアクセスすることがなく
なり、非熱処理部における熱的安定性が確保され、半導
体ウエハへの一連の処理を安定して行わせることができ
る。
クセスしなければならないとすると、装置全体としての
スループットが低下してしまうが、上記のように2つの
ロボットTC1,TH1を設けたことで、半導体ウエハ
の搬送効率を高くすることができ、その結果として装置
全体としてのスループットを向上させることができる。
に沿って見た断面図である。ただし、ロボットTH1,
TC1の双方が図4に現れるように、これらロボットT
H1,TC1の位置は、それらの並進可能な範囲で図2
および図3とはずらせた位置に描かれている。
ホットプレートHP1,HP1の積層構造を有してお
り、その下にインターフェースIF1とクールプレート
CP1との積層構造が配置されている様子が明示されて
いる。ホットプレートHP1,HP1のそれぞれのウエ
ハ出し入れ口115はY方向すなわち高温ロボットTH
1の搬送路130HXに向かう方向にのみ開口してい
る。これは図3の処理部集合体110Xに含まれる他の
処理部においても同様である。
入れ口145はインターフェースIF1およびクールプ
レートCP1のそれぞれにおいて、高温ロボットTH1
および低温ロボットTC1のそれぞれの搬送路130H
X,130CXの双方に開口するよう設けられている。
これは、インターフェースIF1およびクールプレート
CP1は高温ロボットTH1および低温ロボットTC1
のいずれからもアクセスされるためである。これらウエ
ハ出し入れ口115,145におけるウエハの出し入れ
の向きが、図4において水平方向の双方向矢印で示され
ている。
ットTH1は、ボールネジ、モータ、ガイド等よりなる
ロボット駆動機構135Hによって搬送路130HX上
を並進するとともに上下方向に昇降する(図4の垂直方
向の双方向矢印)ように構成されている。また、互いに
独立して進退可能なハンド131,132がウエハ出し
入れ口115(145)を介して各処理部やインターフ
ェースIF1にアクセスし、半導体ウエハの取り出しや
載置動作を行う。低温ロボットTC1も同様の構成を有
しているが、この低温ロボットTC1のロボット駆動機
構135Cは、更にθ方向への旋回自由度をも有してい
る点で高温ロボットTH1と異なる。
ぼ同一の構成を有している。すなわち、装置手前側(−
Y方向側)に3台のスピンデベロッパSD1〜SD3が
X方向に並列配置されており、この並列体(スピンデベ
ロッパSD1〜SD3)の背面側(Y方向側)に、搬送
路130CYに沿って移動自在な低温ロボットTC2
と、ホットプレートHP3,HP4、クールプレートC
P3,CP4、インターフェースIF3およびエッジ露
光部EEW1,EEW2を図3に示すように積層構成し
てなる処理部集合体110Yと、搬送路130HYに沿
って移動自在な高温ロボットTH2とが、この順序で配
置されている。なお、高温および低温ロボットTH2,
TC2の構成はそれぞれロボットTH1,TC1と同一
であるため、ここでは、その説明を省略する。
は、図2に示すように、塗布側処理部群120Xと隣接
する位置に塗布側および現像側処理部群120X,12
0Yとの間で半導体ウエハの受渡しを行うための内部イ
ンターフェースIFAが設けられている。この内部イン
ターフェースIFAの塗布側処理部群120X側および
現像側処理部群120Y側には、半導体ウエハの搬入出
口921,922(図1)がそれぞれ設けられており、
これらの搬入出口921,922を介して内部インター
フェースIFAとの間での半導体ウエハの搬入および搬
出を行うことができるようになっている。また、各搬入
出口921,922には、シャッター機構(図示省略)
がそれぞれ設けられており、各高温ロボットTH1,T
H2が内部インターフェースIFAにアクセスする時の
み、対応するシャッターのみが開き、それ以外において
は両シャッターとも閉じた状態のままである。したがっ
て、両シャッターが同時に開くことはなく、その結果、
隔壁901で仕切られた両処理空間SPX,SPYは完
全に隔離された状態となり、例えば塗布側処理部群12
0X側の雰囲気が現像側処理部群120Y側に流入す
る、また逆方向の流入をより確実に防止することができ
る。
側処理部群120Yの上方位置にはフィルタシステム9
10が配置されている。このフィルタシステム910
は、パーティクルを除去するためのフィルタ911と、
溶剤やアルカリ酸を除去するためのケミカルフィルタ9
12a,912b,912cと、ファン913a,91
3b,913cとで構成されている。図5に示すよう
に、フィルタ911上には、ケミカルフィルタ912a
とファン913aが積み重ねられており、ファン913
aがケミカルフィルタ912aに向けて風を吹き付け、
フィルタ912a,911を通過して空気中の微量アル
カリ物質などが除去された風がダウンフローとして現像
側処理部群120Yの現像処理空間SPYに送り込まれ
る。また、ケミカルフィルタ912aおよびファン91
3aに隣接して残りのケミカルフィルタ912b,91
2cおよびファン913b,913cがフィルタ911
上に配置され、ダウンフローを現像側処理部群120Y
の空間に送り込んでいる。したがって、現像側処理部群
120Yの現像処理空間SPYはアルカリ物質フリーの
雰囲気となる。しかも、この空間は塗布側処理部群12
0Xの空間と完全に隔離されて塗布側処理部群120X
側に存在するアルカリ物質の流入を防止しているので、
常にアルカリ物質フリーの状態でウエハの現像処理を行
うことができる。その結果、空気中のアルカリ物質に敏
感な化型増幅型フォトレジストを良好に処理することが
できる。
作 次に、上記のように構成された雰囲気分離型基板処理装
置100の動作について図6および図7を参照しながら
説明する。この実施形態の装置100は、各半導体ウエ
ハについて次のようなシーケンスでプロセス処理を行わ
せる。
部; (7)ホットプレートHP3によるベーク; (8)クールプレートCP3による冷却; (9)スピンデベロッパSDによるレジスト液の現像; (10)ホットプレートHP4によるポストベーク; (11)クールプレートCP4による冷却. 以下、このシーケンスを「シーケンス例SCE」と呼ぶ
ことにする。
処理シーケンスを実現するための半導体ウエハの循環搬
送および受渡しのフロー図である。一方、図7はこのフ
ロー図に対応するタイミング図であって、「S1〜S
7」は循環搬送の個々の段階(ステップ)に相当し、こ
の7ステップで循環搬送の1周期が完了する。また、左
列の「ID」「HP1」などは図2および図3における
要素に対応する。図6および図7における各線および記
号の意味は「凡例」に示す通りである。なお、これらの
図はすべて循環搬送が定常状態になった後のものであ
る。
および「SD」はそれぞれ「EEW1,EEW2」と、
「SC1,SC2」と、「SD1〜SD3」との総称で
ある。図3に示されているようにホットプレートHP1
〜HP4およびクールプレートCP1〜CP4はそれぞ
れ複数台あり、エッジ露光部EEWも2台(EEW1,
EEW2)あり、スピンコータSCも2台(SC1,S
C2)あり、スピンデベロッパSDも3台(SD1,S
D2,SD3)ある。これらは順次に搬送されてくる半
導体ウエハを順次に複数台に振り分けて処理するための
ものである。
述した「シーケンス例SCE」に沿って各処理部に順次
に移載されていることはこの図6から容易に確認でき
る。
0XにおいてホットプレートHP1などの処理部の間を
巡回して半導体ウエハを順次に移載し、インデクサID
に戻ることになる。また、クールプレートCP1におい
ては半導体ウエハを低温ロボットTC1に受渡す。この
低温ロボットTC1はクールプレートCP1で受け取っ
た半導体ウエハをスピンコータSCに搬送し、次の搬送
サイクルにおいてその半導体ウエハをインターフェース
IF1へ移載する。次の搬送サイクルまで待つのは、ス
ピンコータSCおよびスピンデベロッパSDにおけるウ
エハ処理を実行した後でなければスピンコータSCやス
ピンデベロッパSDから取り出すことができないためで
ある。
ては、次のようにして高温ロボットTH1,TH2と内
部インターフェースIFAとの間のウエハの受渡しが行
われる。まず、現像側処理部群120Y側のシャッター
を閉じたままで塗布側処理部群120X側のシャッター
のみを開く。そして、高温ロボットTH1によって内部
インターフェースIFA内のウエハを取り出した後、塗
布側処理部群120X側のウエハを内部インターフェー
スIFAのピンの上に載置する。こうしてウエハの受渡
しが完了すると、塗布側処理部群120X側にシャッタ
ーを閉じる。それに続いて、塗布側処理部群120X側
のシャッターを閉じたままで現像側処理部群120Y側
のシャッターのみを開く。そして、高温ロボットTH2
によって内部インターフェースIFA内のウエハを取り
出した後、現像側処理部群120Y側のウエハを内部イ
ンターフェースIFAのピンの上に載置する。
ボットTH2は、現像側処理部群120Yでホットプレ
ートHP3などの処理部の間をを巡回して半導体ウエハ
を順次に移載し、内部インターフェースIFAに戻る。
また、外部インターフェースIFBにおいては、半導体
ウエハを外部装置、例えばステッパに受渡し、クールプ
レートCP3においては半導体ウエハを低温ロボットT
C2に受渡す。この低温ロボットTC2はクールプレー
トCP3で受け取った半導体ウエハをスピンデベロッパ
SDに搬送し、次の搬送サイクルにおいてその半導体ウ
エハをインターフェースIF2へ移載する。
果 以上のように、この実施形態の装置100によれば、塗
布側処理部群120Xと現像側処理部群120Yとの間
に隔壁901を配置することで塗布側処理部群120X
の塗布処理空間SPXと現像側処理部群120Yの現像
処理空間SPYとを仕切って雰囲気分離するとともに、
搬送路130HYに搬送路130HXと隣接して基板受
渡し手段として機能する内部インターフェースIFAを
配置し、この内部インターフェースIFAを介して両処
理空間SPX,SPYの間でのウエハの受渡し行うよう
にしているので、処理部群120X,120Yの間にウ
エハの受渡しのための専用スペースが不要となり、装置
のコンパクト化を図ることができ、しかも処理部群12
0X,120Yの間に隙間を生じさせることなく、両処
理部群120X,120Yの間に隔壁901を設けるこ
とができ、確実に雰囲気分離することができる。
フェースIFAにおいて、塗布処理空間SPXおよび現
像処理空間SPYに面して搬入出口921,922をそ
れぞれ設け、しかも各搬入出口921,922に基板の
搬入出に応じて開閉動作するシャッター機構を設けてい
るので、両処理部群120X,120Yをより確実に雰
囲気分離することができる。
X,120Yともに、各処理部群120X,120Yに
おいて半導体ウエハを搬送する搬送手段を高温ロボット
と低温ロボットで構成しているが、各処理部群120
X,120Yでの搬送手段を単一のロボットで構成して
もよい。また、上記実施形態では、現像側処理部群12
0Y側の搬送路に内部インターフェースIFAを設けて
いるが、塗布側処理部群120X側の搬送路に設けても
よい。
布側処理部群120Xにおいて搬送路130Xに沿って
X方向に移動自在な搬送ロボットTR1を設ける一方、
現像側処理部群120Yにおいて搬送路130Yに沿っ
てX方向に移動自在な搬送ロボットTR2を設けた雰囲
気分離型基板処理装置200においては、内部インター
フェースIFAを塗布側処理部群120Xの搬送路13
0Xにおいて現像側処理部群120Yと隣接する位置に
配置することで、上記実施形態と同様の効果が得られ
る。
位置は、両処理部群120X,120Yの搬送路130
X,130Yの一方に限定されるものではなく、図10
に示すように、両搬送路130X,130Yを橋渡しす
るように配置してもよい。このことは、上記実施形態に
おいても、同様であり、搬送路130HX,130HY
を橋渡しするように内部インターフェースIFAを設け
てもよい。
なく、液晶表示装置用ガラス基板など精密電子機器用の
種々の基板なども対象とすることができる。処理部の構
成はその基板の処理に必要とされる内容に応じて適宜に
変更可能である。
および第2処理部群の間に隔壁を配置することで第1処
理部群の第1処理空間と前記第2処理部群の第2処理空
間とを仕切って雰囲気分離するとともに、第1および第
2搬送路のうちの一方の搬送路に他方の搬送路と隣接し
て、あるいは前記第1および第2搬送路を橋渡すように
基板受渡し手段を配置し、この基板受渡し手段を介して
第1および第2処理空間の間での基板の受渡しを行うよ
うにしているので、第1および第2処理部群の間に基板
受渡しのための専用スペースが不要となり、装置のコン
パクト化を図ることができ、しかも第1および第2処理
部群の間に隙間を生じさせることなく、両処理部群の間
に隔壁を設けることができ、確実に雰囲気分離すること
ができる。
び第2処理空間に面して搬入出口をそれぞれ設け、しか
も各搬入出口に基板の搬入出に応じて開閉動作するシャ
ッター機構を設けているので、両処理部群をより確実に
雰囲気分離することができる。
板処理装置の外観斜視図である。
断面図である。
タシステムを示す部分切欠斜視図である。
よび受渡しのフロー図である。
る。
基板処理装置の外観斜視図である。
気分離型基板処理装置の概念的平面配置図である。
である。
である。
HX,130HY 搬送路 901 隔壁 921,922 搬入出口 IFA 内部インターフェース(基板受渡し手段) SPX 塗布処理空間 SPY 現像処理空間 TC1,TC2 低温ロボット(第1搬送機構) TH1,TH2 高温ロボット(第2搬送機構) TR1,TR2 搬送ロボット(搬送手段)
Claims (3)
- 【請求項1】 (a)基板に第1処理を施す第1処理部
群と、(b)前記第1処理部群に設けられた第1搬送路
に沿って基板を搬送する第1搬送手段と、(c)前記第
1処理と異なる第2処理を基板に施す第2処理部群と、
(d)前記第2処理部群に設けられた第2搬送路に沿っ
て基板を搬送する第2搬送手段と、を備え、前記第1お
よび第2処理の少なくとも一方の処理が薬液を使用して
基板に所定の処理を施す基板処理装置において、 (e)前記第1および第2処理部群の間に配置されて、
前記第1処理部群による基板の第1処理空間と、前記第
2処理部群による基板の第2処理空間とを仕切って雰囲
気分離する隔壁と、 (f)前記第1および第2搬送路のうちの一方の搬送路
に他方の搬送路と隣接して、あるいは前記第1および第
2搬送路を橋渡すように配置されて、前記第1および第
2処理空間の間で基板を受渡す基板受渡し手段と、をさ
らに備えたことを特徴とする雰囲気分離型基板処理装
置。 - 【請求項2】 前記基板受渡し手段(f)には、前記第
1および第2処理空間に面して搬入出口がそれぞれ設け
られ、しかも各搬入出口に基板の搬入出に応じて開閉動
作するシャッター機構が設けられた請求項1記載の雰囲
気分離型基板処理装置。 - 【請求項3】 前記第1処理部群(a)は、 (a−1)基板に対して熱処理を行う第1熱処理部と、 (a−2)基板に第1薬液を塗布する塗布部と、 (a−3)前記第1熱処理部と前記塗布部との間で基板
を非熱状態で受渡す第1受渡し部と、を備え、 前記第1搬送手段(b)は、 (b−1)前記第1熱処理部と前記第1受渡し部との間
で基板を搬送する第1搬送機構と、 (b−2)前記塗布部と前記第1受渡し部との間で基板
を搬送する第2搬送機構と、を備え、 前記第2処理部群(c)は、 (c−1)基板に対して熱処理を行う第2熱処理部と、 (c−2)基板に第2薬液を供給し、現像処理する現像
部と、 (c−3)前記第2熱処理部と前記現像部との間で基板
を非熱状態で受渡す第2受渡し部と、を備え、 前記第2搬送手段(d)は、 (d−1)前記第2熱処理部と前記第2受渡し部との間
で基板を搬送する第3搬送機構と、 (d−2)前記現像部と前記第2受渡し部との間で基板
を搬送する第4搬送機構と、を備えた請求項1記載の雰
囲気分離型基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27775895A JP3665116B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 雰囲気分離型基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27775895A JP3665116B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 雰囲気分離型基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09120984A true JPH09120984A (ja) | 1997-05-06 |
JP3665116B2 JP3665116B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=17587930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27775895A Expired - Lifetime JP3665116B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 雰囲気分離型基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3665116B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001110701A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
KR20200083236A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 |
KR20210065876A (ko) * | 2019-11-27 | 2021-06-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP27775895A patent/JP3665116B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20200083236A (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 |
KR20210065876A (ko) * | 2019-11-27 | 2021-06-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 |
US12035576B2 (en) | 2019-11-27 | 2024-07-09 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate transporting method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3665116B2 (ja) | 2005-06-29 |
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