JPH10261689A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所定の異なる処理が互いに他方の雰囲気の影
響を受けることが十分に防止された基板処理装置を提供
することである。 【解決手段】 基板処理装置は、鉛直方向に延びる隔壁
２００で仕切られた２つの処理空間Ａ，Ｂを有する。各
処理空間Ａ，Ｂは複数の階層を含む。処理空間Ａには露
光前の処理を行う複数の処理ユニットが配置される。処
理空間Ｂには露光後の処理を行う複数の処理ユニットが
配置される。処理空間Ａには搬送ユニット１１が配置さ
れ、処理空間Ｂには搬送ユニット２１が配置される。受
け渡し室ＳＨが処理空間Ａと処理空間Ｂとにわたって配
置されている。受け渡し室ＳＨ内には処理空間Ａの搬送
ユニット１１との間および処理空間Ｂの搬送ユニット２
１との間で基板の受け渡しを行う受け渡しユニット３１
が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定の処理
を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶ガラス表示用ガラス
基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス
基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置
が用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロ
セスでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々を
ユニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理
装置が用いられている。

【０００３】図１７は従来の基板処理装置の一例を示す
平面図である。図１７の基板処理装置は、２つの搬送領
域ａ，ｂを備える。正面側には基板にフォトレジスト等
の処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット（スピン
コータ）ＳＣおよび基板に現像処理を行う回転式現像ユ
ニット（スピンデベロッパ）ＳＤが並設されている。ま
た、搬送領域ａと搬送領域ｂとの間には、基板に密着強
化処理を行う密着強化ユニットＡＨ、基板に加熱処理を
行う加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび基板に
冷却処理を行う冷却ユニット（クーリングプレート）Ｃ
Ｐがそれぞれ複数段に配置されている。

【０００４】搬送領域ａには、基板を矢印Ｓの方向に搬
送するとともに回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現
像ユニットＳＤに対して基板の搬入および搬出を行う搬
送ユニットＴＲ１が設けられている。また、搬送領域ｂ
には、基板を矢印Ｓの方向に搬送するとともに密着強化
ユニットＡＨ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣ
Ｐに対して基板の搬入および搬出を行う搬送ユニットＴ
Ｒ２が設けられている。

【０００５】この基板処理装置の一端部側には、基板を
収納するとともに基板の搬入および搬出を行う搬入搬出
装置（インデクサ）ＩＮＤが配置されている。搬入搬出
装置ＩＮＤは、基板を収納する複数のカセット１０およ
び基板の搬入および搬出を行う搬送ユニット６１を備え
る。搬送ユニット６１は、矢印Ｕの方向に移動し、カセ
ット１０から基板を取り出して搬送領域ｂの搬送ユニッ
トＴＲ２に渡し、一連の処理が施された基板を搬送領域
ｂの搬送ユニットＴＲ２から受け取ってカセット１０に
戻す。

【０００６】この基板処理装置の他端部側には、外部の
装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し装置（イン
タフェース）ＩＦが設けられている。ここでは、外部の
装置として露光装置ＳＴが配置されている。受け渡し装
置ＩＦは、搬送ユニット６２を備える。搬送ユニット６
２は、矢印Ｕの方向に移動し、搬送領域ｂの搬送ユニッ
トＴＲ２から受け取った基板を露光装置ＳＴに渡し、露
光装置ＳＴから受け取った基板を搬送領域ｂの搬送ユニ
ットＴＲ２に渡す。

【０００７】ここで、図１７の基板処理装置における処
理の一例を説明する。まず、カセット１０から取り出さ
れた基板に密着強化ユニットＡＨで密着強化処理を行
う。密着強化処理では、次の工程で塗布されるフォトレ
ジストと基板との間の密着性を強化するために、密着強
化剤としてＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラザン）が基
板上に塗布される。

【０００８】次に、密着強化処理が行われた基板に対し
て冷却ユニットＣＰで冷却処理を行った後、回転式塗布
ユニットＳＣでフォトレジストを塗布し、加熱ユニット
ＨＰで加熱処理を行い、冷却ユニットＣＰで冷却処理を
行った後、露光装置ＳＴに搬送する。

【０００９】露光装置ＳＴで露光された基板にポストエ
クスポージャベークを行った後、回転式現像ユニットＳ
Ｄで現像処理を行い、加熱ユニットＨＰで加熱処理を行
い、冷却ユニットＣＰで冷却処理を行った後、カセット
１０に収納する。その後、その基板に対して他の装置に
おいてエッチング処理が行われる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体デバイス
の高集積化を図るために、微細パターンの形成が可能な
高感度の化学増幅型レジストが用いられるようになって
いる。この化学増幅型レジストは、ベース樹脂、酸発生
剤および溶剤からなり、露光処理の際に、レーザ光を受
けると、酸発生剤から酸が発生し、この酸がベース樹脂
と反応してレジストパターンを形成する。

【００１１】この化学増幅型レジストは、アルカリ成分
に触れると、化学触媒反応が停止する。そのため、露光
装置ＳＴによる露光後に、化学増幅型レジストが雰囲気
中のアンモニア成分にさらされると、露光により生成さ
れた酸が中和され、露光パターンが消失したり、露光精
度が損なわれる。

【００１２】一方、密着強化ユニットＡＨによる密着強
化処理では、上記のようにＨＭＤＳが密着強化剤として
用いられる。このＨＭＤＳは水分と接触するとアンモニ
ア（アルカリ成分）を発生する性質を有する。したがっ
て、密着強化ユニットＡＨから外部に漏洩したＨＭＤＳ
が空気中の水分と接触すると、アンモニアが発生する。

【００１３】このため、露光装置ＳＴによる露光後の基
板が密着強化ユニットＡＨの近くを通過すると、アンモ
ニア成分により露光パターンの消失または露光精度の低
下が起こるという問題がある。

【００１４】また、上記の従来の基板処理装置では、搬
入搬出装置ＩＮＤの搬送ユニット６１および受け渡し装
置ＩＦの搬送ユニット６２に加えて、各処理ユニットに
対して基板の搬入および搬出を行うために搬送ユニット
ＴＲ１，ＴＲ２が設けられている。これにより、基板処
理装置の設置面積（フットプリント）が大きくなるとい
う問題がある。

【００１５】さらに、上記の従来の基板処理装置では、
搬送領域ａが基板処理装置の中央部に設けられているの
で、搬送ユニットＴＲ１の保守を行うためには、周囲の
処理ユニットを取り外さなくてはならない。それによ
り、搬送ユニットＴＲ１の保守を簡単に行うことができ
ないという問題がある。

【００１６】本発明の目的は、所定の異なる処理が互い
に他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止された
基板処理装置を提供することである。

【００１７】本発明の他の目的は、所定の異なる処理が
互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止さ
れ、かつ設置面積の低減化が可能な基板処理装置を提供
することである。

【００１８】本発明のさらに他の目的は、所定の異なる
処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に
防止され、かつ保守を容易に行うことが可能な基板処理
装置を提供することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、互いに雰囲気が遮断された
第１および第２の処理空間を備え、第１の処理空間と第
２の処理空間とにわたる受け渡し室が設けられ、受け渡
し室内には、第１の処理空間と第２の処理空間との間で
基板の受け渡しを行う受け渡し手段が設けられ、第１の
処理空間には、基板に所定の処理を行う１または複数の
第１の処理部、および第１の処理部と受け渡し手段との
間で基板を搬送する第１の搬送手段が設けられ、第２の
処理空間には、基板に所定の処理を行う１または複数の
第２の処理部、および第２の処理部と受け渡し手段との
間で基板を搬送する第２の搬送手段が設けられたもので
ある。

【００２０】本発明に係る基板処理装置においては、第
１の処理空間および第２の処理空間の雰囲気が互いに遮
断され、第１の処理空間と第２の処理空間とにわたる受
け渡し室内に受け渡し手段が設けられているので、第１
の処理部の雰囲気と第２の処理部の雰囲気とが互いに影
響を及ぼすことなく、第１の処理空間と第２の処理空間
との間で基板を受け渡すことができる。

【００２１】したがって、異なる処理が互いに他方の雰
囲気の影響を受けることを十分に防止しつつ、異なる処
理間で基板の受け渡しを行うことができる。その結果、
一連の基板処理を高い品質を保ちつつ効率的に行うこと
が可能となる。

【００２２】第２の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、第１の処理空
間には、処理前および処理後の基板を収容する基板収納
部が設けられるとともに、第１の搬送手段は、基板収納
部との間で基板の搬入および搬出を行い、第２の処理空
間には外部との間で基板の受け渡しを行うための中間受
け渡し部が設けられるとともに、第２の搬送手段は、中
間受け渡し部との間で基板の受け渡しを行うようにした
ものである。

【００２３】この場合、基板収納部と第１の処理部との
間、基板収納部と受け渡し手段との間、および第１の処
理部と受け渡し手段との間で基板の受け渡しを行うこと
ができ、中間受け渡し部と第２の処理部との間、中間受
け渡し部と受け渡し手段との間、および第２の処理部と
受け渡し手段との間で基板の受け渡しを行うことができ
る。

【００２４】したがって、第１および第２の搬送手段に
加えて別の搬送手段を設けることなく、基板収納部、第
１の処理部、中間受け渡し部および第２の処理部の間で
任意の手順で基板を搬送することができる。

【００２５】第３の発明に係る基板処理装置は、第１お
よび第２の発明に係る基板処理装置の構成において、第
１の処理部は、基板に露光前の処理を行い、第２の処理
部は、基板に露光後の処理を行うものである。

【００２６】この場合、第１の処理空間において基板に
第１の処理部で露光前の基板処理を行い、処理された基
板を受け渡し室を通して第２の処理空間に送り、第２の
処理空間の外部に配置された露光装置に渡すことができ
る。そして、露光装置から受け取った基板に第２の処理
部で露光後の基板処理を行い、処理された基板を受け渡
し室を通して第１の処理空間に送り、基板を収納するこ
とができる。

【００２７】これにより、露光前の基板処理と露光後に
基板処理とを互いに他方の雰囲気の影響を受けることな
く効率的に行うことができる。

【００２８】第４の発明に係る基板処理装置は、第１ま
たは第２の発明に係る基板処理装置の構成において、第
１の処理部は、第１の洗浄液を用いた第１の洗浄処理を
行い、第２の処理部は、第２の洗浄液を用いた第２の洗
浄処理を行うものである。

【００２９】この場合、第１の洗浄液を用いた第１の洗
浄処理と第２の洗浄液を用いた第２の洗浄処理とを互い
に他方の雰囲気の影響を受けることなく効率的に行うこ
とができる。

【００３０】第５の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第４のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第１の処理空間および第２の処理空間は水平方向に
並設され、受け渡し室は、第１の処理空間と第２の処理
空間とにわたって水平方向に配置されたものである。

【００３１】この場合、第１の処理空間と第２の処理空
間とが水平方向に分離されているので、互いに他方の雰
囲気の影響を受けることを十分に防止することが可能と
なる。

【００３２】第６の発明に係る基板処理装置は、第５の
発明に係る基板処理装置の構成において、第１の処理部
は、第２の処理空間と反対側の面に第１の搬送手段と基
板の受け渡しを行うための基板出入口を有し、第２の処
理部は、第１の処理空間と反対側の面に第２の搬送手段
と基板の受け渡しを行うための基板出入口を有するもの
である。

【００３３】この場合、第１の処理部の基板出入口と第
２の処理部の基板出入口とが互いに反対側の面に設けら
れているので、第１および第２の処理部に対して基板を
搬入および搬出する際に、他方の処理空間の雰囲気が処
理部内に侵入することを十分に防止することが可能とな
る。

【００３４】第７の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第６のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第１および第２の処理空間は、それぞれ上下方向に
配置された複数の階層を備え、第１の処理空間の下側の
階層に配置される第１の処理部は、所定の処理液を用い
て基板の処理を行う処理部であり、第１の処理空間の上
側の階層に配置される第１の処理部は、基板に対して温
度処理を行う処理部であり、第２の処理空間の下側の階
層に配置される第２の処理部は、所定の処理液を用いて
基板の処理を行う処理部であり、第２の処理空間の上側
の階層に配置される第２の処理部は、基板に対して温度
処理を行う処理部であるものである。

【００３５】この場合、第１および第２の処理空間の下
側の階層の処理部で所定の処理液を用いて基板の処理を
行い、第１および第２の処理空間の上側の階層の処理部
で基板に対して温度処理を行う。このように、複数の処
理部が処理機能別に階層的に配置されているので、設置
面積を低減できる。

【００３６】また、処理液を用いて基板の処理を行う処
理部が下側の階層に配置されているので、液漏れ等が生
じた場合に他の処理部への影響が少なく、また処理の状
態を目視で確認することができる。

【００３７】第８の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第４のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第１の処理空間および第２の処理空間は上下方向に
積層され、受け渡し室は、第１の処理空間と第２の処理
空間とにわたって上下方向に配置されたものである。

【００３８】この場合、第１および第２の処理空間が上
下方向に積層されているので、設置面積を低減できる。

【００３９】第９の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第８のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、受け渡し室は、第１の処理空間および第２の処理空
間の外部に面するように配設されたものである。

【００４０】この場合、受け渡し室が第１および第２の
処理空間の外部に面しているので、受け渡し室の保守を
容易に行うことができる。

【００４１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例にお
ける基板処理装置の斜視図、図２は図１の基板処理装置
の矢印Ｐ方向の側面図、図３は図１の基板処理装置の矢
印Ｑ方向の側面図である。また、図４は図２および図３
におけるＸ−Ｘ線断面図、図５は図２および図３におけ
るＹ−Ｙ線断面図である。さらに、図６、図７、図８、
図９および図１０は図４および図５におけるそれぞれＺ
１−Ｚ１線断面図、Ｚ２−Ｚ２線断面図、Ｚ３−Ｚ３線
断面図、Ｚ４−Ｚ４線断面図およびＺ５−Ｚ５線断面図
である。

【００４２】図１の基板処理装置は、鉛直方向に延びる
隔壁（仕切り）２００で仕切られた２つの処理空間Ａ，
Ｂを有する。これらの処理空間Ａ，Ｂは、下から上へ順
に配置された第１の階層Ｓ１、第２の階層Ｓ２、第３の
階層Ｓ３、第４の階層Ｓ４および第５の階層Ｓ５を含
む。

【００４３】処理空間Ａ，Ｂの第１の階層Ｓ１には、化
学系ユニットＣＨ１，ＣＨ２がそれぞれ配置されてい
る。化学系ユニットＣＨ１，ＣＨ２は、各種処理液（薬
液）、廃液、ポンプおよび排気系を収納する。

【００４４】処理空間Ａの第２の階層Ｓ２には、基板に
フォトレジスト等の処理液の塗布処理を行う複数の回転
式塗布ユニット（スピンコータ）ＳＣが隔壁２００に沿
って配置されている。処理空間Ｂの第２の階層Ｓ２に
は、基板に現像処理を行う複数の回転式現像ユニット
（スピンデベロッパ）ＳＤが隔壁２００に沿って配置さ
れている。

【００４５】処理空間Ａの第３の階層Ｓ３には、ＵＬＰ
Ａ（Ultra Low Penetration Air ）フィルタ、化学吸着
フィルタ等のフィルタ４１およびファン４２からなる複
数の空気調整ユニットＦＦ１が隔壁２００に沿って配置
されている（図４参照）。処理空間Ｂの第３の階層Ｓ３
には、ＵＬＰＡフィルタ、化学吸着フィルタ等のフィル
タ５１およびファン５２からなる複数の空気調整ユニッ
トＦＦ２が隔壁２００に沿って配置されている（図４参
照）。

【００４６】処理空間Ａ，Ｂの第４の階層Ｓ４の正面側
には、受け渡し室（シャトル）ＳＨが処理空間Ａと処理
空間Ｂとにわたって配置されている。

【００４７】処理空間Ａの第４の階層Ｓ４の残りの領域
には、基板に冷却処理を行う複数の冷却ユニット（クー
リングプレート）ＣＰ、基板に加熱処理を行う複数の加
熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび基板に密着強
化処理を行う複数の密着強化ユニットＡＨが隔壁２００
に沿って複数段に配置されている（図２参照）。

【００４８】処理空間Ｂの第４の階層Ｓ４の残りの領域
には、複数の冷却ユニット（クーリングプレート）Ｃ
Ｐ、複数の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰ、基板
に露光後加熱処理（ポストエクスクロージャベーク）を
行う複数のベークユニット（ベークプレート）ＰＥＢお
よび周辺露光処理を行う周辺露光ユニット（エッジ露光
ユニット）ＥＥＷが隔壁２００に沿って１段または複数
段に配置されている（図３参照）。

【００４９】化学系ユニットＣＨ１は、上部の回転式塗
布ユニットＳＣに対して処理液の供給、廃液の排出およ
び排気を行い、化学系ユニットＣＨ２は、上部の回転式
現像ユニットＳＤに対して処理液の供給、廃液の排出お
よび排気を行う。また、空気調整ユニットＦＦ１は、温
度および湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式塗
布ユニットＳＣに供給して回転式塗布ユニットＳＣの雰
囲気を調整し、空気調整ユニットＦＦ２は、温度および
湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式現像ユニッ
トＳＤに供給して回転式現像ユニットＳＤの雰囲気を調
整する。

【００５０】処理空間Ａの回転式塗布ユニットＳＣ、冷
却ユニットＣＰ，加熱ユニットＨＰおよび密着強化ユニ
ットＡＨは、隔壁２００と反対側の面に基板の出し入れ
のための開口部１００を有する（図２参照）。各開口部
１００には、シャッタ（図示せず）が開閉自在に設けら
れている。処理空間Ｂの回転式現像ユニットＳＤ、冷却
ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰ、ベークユニットＰＥ
Ｂおよび周辺露光ユニットＥＥＷは、隔壁２００と反対
側の面に基板の出し入れのための開口部１００を有す
る。各開口部１００には、シャッタ（図示せず）が開閉
自在に設けられている。

【００５１】また、受け渡し室ＳＨは、処理空間Ａにお
ける隔壁２００と反対側の面および処理空間Ｂにおける
隔壁２００と反対側の面にそれぞれ基板の出し入れのた
めの開口１００を有する。これらの開口部１００にも、
シャッタ（図示せず）が開閉自在に設けられている。図
４に示すように、受け渡し室ＳＨ内には、受け渡しユニ
ット３１が矢印Ｈの方向に移動可能に設けられている。

【００５２】処理空間Ａの隔壁２００と反対側の端部側
には、基板を収納する基板収納部ＩＮＤが配置されてい
る。基板収納部ＩＮＤは、基板を収納する複数のカセッ
ト１０を備える。基板収納部ＩＮＤの前には、搬送ユニ
ット１１が配置されている。搬送ユニット１１は、上下
方向および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周り
で回動可能に構成され、カセット１０、受け渡し室ＳＨ
内の受け渡しユニット３１および処理空間Ａ内の各処理
ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。

【００５３】処理空間Ｂの隔壁２００と反対側の端部側
には、外部の装置との間で基板の受け渡しを行う中間受
け渡し部（インタフェース）ＩＦが配置されている。本
実施例では、外部の装置として、露光装置ＳＴが処理空
間Ｂに隣接するように配置されている。中間受け渡し部
ＩＦは、露光装置ＳＴとの間で、露光前の基板と露光後
の基板とを受け渡すためのものであり、露光装置ＳＴと
の間で基板の受け渡しを行う図示しない搬送ユニットを
有する。また、中間受け渡し部ＩＦの前には、搬送ユニ
ット２１が配置される。搬送ユニット２１は、上下方向
および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周りで回
動可能に構成され、中間受け渡し部ＩＦ、受け渡し室Ｓ
Ｈ内の受け渡しユニット３１および処理空間Ｂ内の各処
理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。

【００５４】処理空間Ａ，Ｂの第５の階層Ｓ５における
基板収納部ＩＮＤの上部、受け渡し室ＳＨの上部および
中間受け渡し部ＩＦの上部には、フィルタおよびファン
からなる空気調整ユニットＦＦ３が配置されている。

【００５５】本実施例では、処理空間Ａが第１の処理空
間に相当し、処理空間Ｂが第２の処理空間に相当する。
また、回転式塗布ユニットＳＣ、冷却ユニットＣＰ、加
熱ユニットＨＰおよび密着強化ユニットＡＨが第１の処
理部に相当し、回転式現像ユニットＳＨ、冷却ユニット
ＣＰ、加熱ユニットＨＰ、ベークユニットＰＥＢおよび
周辺露光ユニットＥＥＷが第２の処理部に相当する。さ
らに、受け渡しユニット３１が受け渡し手段に相当し、
搬送ユニット１１が第１の搬送手段に相当し、搬送ユニ
ット２１が第２の搬送手段に相当する。

【００５６】図１１は搬送ユニット１１と受け渡しユニ
ット３１との基板の受け渡し方法を示す平面図であり、
（ａ）は受け渡し前の状態を示し、（ｂ）は受け渡し後
の状態を示す。

【００５７】図１１に示すように、基板搬送ユニット１
１は、基板Ｗを保持する保持アーム（基板保持部）１２
を有する。一方、受け渡しユニット３１は、受け渡し台
３２を有する。受け渡し台３２上には、複数の基板保持
ピン３３が取り付けられている。

【００５８】搬送ユニット１１から受け渡しユニット３
１への基板の受け渡し時には、基板Ｗを保持する保持ア
ーム１２が受け渡しユニット３１の受け渡し台３２上に
前進し、基板Ｗを基板保持ピン３３間に載置して後退す
る。逆に、受け渡しユニット３１から搬送ユニット１１
への基板の受け渡し時には、保持アーム１２が受け渡し
台３２上の基板保持ピン３３間に保持された基板Ｗの下
部に進入し、基板Ｗを保持して後退する。

【００５９】なお、処理空間Ｂ内の搬送ユニット２１と
受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１との間の基板
の受け渡しも、上記と同様に行われる。

【００６０】なお、本実施例では、搬送ユニット１１と
受け渡しユニット３１との受け渡し、および搬送ユニッ
ト２１と受け渡しユニット３１との受け渡しを受け渡し
室ＳＨ内にて行うようにしているが、例えば、搬送ユニ
ット１１と受け渡しユニット３１の受け渡しにおいて
は、受け渡し室ＳＨを出た処理空間Ａ内で行うようにし
てもよく、また、搬送ユニット２１と受け渡しユニット
３１の受け渡しにおいては、受け渡し室ＳＨを出た処理
空間Ｂ内で行うようにしてもよい。

【００６１】次に、図１の基板処理装置の動作を説明す
る。図１２は図１の基板処理装置における処理の一例を
示す図である。

【００６２】まず、処理空間Ａの搬送ユニット１１が、
カセット１０から基板を取り出し、密着強化ユニットＡ
Ｈに順次搬送する。これらの密着強化ユニットＡＨで
は、密着強化剤としてＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラ
ザン）を用いて基板に密着強化処理が行われる。次に、
搬送ユニット１１は、密着強化処理が行われた基板を冷
却ユニットＣＰに順次搬送する。冷却ユニットＣＰで
は、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット
１１は、冷却処理が行われた基板を回転式塗布ユニット
ＳＣに順次搬送する。回転式塗布ユニットＳＣでは、基
板にフォトレジスト塗布処理が行われる。

【００６３】次に、搬送ユニット１１は、フォトレジス
トが塗布された基板を加熱ユニットＨＰに順次搬送す
る。加熱ユニットＨＰでは、基板に加熱処理が行われ
る。さらに、搬送ユニット１１は、加熱処理が行われた
基板を冷却ユニットＣＰに順次搬送する。冷却ユニット
ＣＰでは、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユ
ニット１１は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室Ｓ
Ｈ内の受け渡しユニット３１に渡す。

【００６４】受け渡しユニット３１は、搬送ユニット１
１から渡された基板を処理空間Ａの側から処理空間Ｂの
側へ搬送する。処理空間Ｂの搬送ユニット２１は、受け
渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取
り、その基板を中間受け渡し部ＩＦに搬送する。そし
て、中間受け渡し部ＩＦの図示しない搬送ユニットによ
り基板を露光装置ＳＴに搬送する。露光装置ＳＴでは、
基板に露光処理が行われる。

【００６５】露光処理の終了後、受け渡し装置ＩＦは、
露光処理の終了した基板を露光装置ＳＴから受け取る。
そして、搬送ユニット２１は、中間受け渡し部ＩＦ上か
ら基板を受け取り、その基板を周辺露光ユニットＥＥＷ
に搬送する。周辺露光ユニットＥＥＷでは、基板に周辺
露光が行われる。次に、搬送ユニット２１は、周辺露光
が行われた基板をベークユニットＰＥＢに順次搬送す
る。ベークユニットＰＥＢでは、露光後ベーク処理が行
われる。次に、搬送ユニット２１は、露光後ベーク処理
が行われた基板を冷却ユニットＣＰに順次搬送する。冷
却ユニットＣＰでは、基板に冷却処理が行われる。さら
に、搬送ユニット２１は、冷却処理が行われた基板を回
転式現像ユニットＳＤに順次搬送する。回転式現像ユニ
ットＳＤでは、基板に現像処理が行われる。

【００６６】その後、搬送ユニット２１は、現像処理が
行われた基板を加熱ユニットＨＰに順次搬送する。加熱
ユニットＨＰでは、基板に加熱処理が行われる。さら
に、搬送ユニット２１は、加熱処理が行われた基板を冷
却ユニットＣＰに順次搬送する。冷却ユニットＣＰで
は、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット
２１は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室ＳＨ内の
受け渡しユニット３１に渡す。

【００６７】受け渡しユニット３１は、基板を処理空間
Ｂの側から処理空間Ａの側へ搬送する。処理空間Ａの搬
送ユニット１１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニッ
ト３１から基板を受け取り、その基板をカセット１０に
収納する。

【００６８】図１２において、ＡＨ、ＣＰ、ＳＣ等同一
の処理を行う処理部が２つ示されているところでは、ス
ループットを向上させるために同一の処理が並行してな
される。そして、搬送ユニット１１および２１は、その
並行して処理がなされている処理部に対し、循環搬送の
交互に基板の受け渡しを行うように搬送を行っていく。

【００６９】このように、本実施例の基板処理装置で
は、露光前の基板処理が処理空間Ａで行われ、露光後の
基板処理が処理空間Ｂで行われ、処理空間Ａの雰囲気と
処理空間Ｂの雰囲気とが互いに遮断されているので、露
光後の基板が露光前の処理で発生するアルカリ成分の影
響を受けることがない。したがって、一連の基板処理を
高い品質を保ちつつ効率的に行うことが可能となる。

【００７０】また、処理空間Ａと処理空間Ｂとが隔壁２
００により水平方向に分離されているので、これらの処
理空間Ａ，Ｂが互いに他方から雰囲気の影響を受けるこ
とが十分に防止される。

【００７１】さらに、処理空間Ａの各処理ユニットの開
口部１００と処理空間Ｂの各処理ユニットの開口部１０
０とが互いに反対側の面に設けられているので、各処理
ユニットに対して基板を搬入および搬出する際に処理ユ
ニット内に他方の雰囲気が侵入することが十分に防止さ
れる。

【００７２】また、複数の処理ユニットが機能別に階層
的に配置されているので、フットプリント（設置面積）
が低減される。

【００７３】特に、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転
式現像ユニットＳＤの直上にそれぞれ空気調整ユニット
ＦＦ１，ＦＦ２が配置されているので、回転式塗布処理
および回転式現像処理の雰囲気を効率的に良好に保つこ
とができる。また、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転
式現像ユニットＳＤの直下にそれぞれ化学系ユニットＣ
Ｈ１，ＣＨ２が配置されているので、単純な配管構造で
処理液の供給、廃液の排出および排気を効率的に行うこ
とができる。

【００７４】また、回転式塗布ユニットＳＣおよび回転
式現像ユニットＳＤが中間層に配置されているので、回
転式塗布処理および回転式現像処理の状態を目視により
容易に確認することができる。

【００７５】さらに、回転式塗布ユニットＳＣおよび回
転式現像ユニットＳＤの上部に空気調整ユニットＦＦ
１，ＦＦ２を介して冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨ
Ｐ等の温度処理ユニットが配置されているので、下部の
回転式塗布ユニットＳＣおよび回転式現像ユニットＳＤ
と上部の温度処理ユニットとが互いに他方からの熱およ
び雰囲気の影響を受けにくい。

【００７６】しかも、回転式塗布ユニットＳＣおよび回
転式現像ユニットＳＤが下部の同一階層に平面的に配置
されているので、液漏れ等が生じた場合に他の処理ユニ
ットへの影響が少ない。

【００７７】なお、上記実施例では、受け渡しユニット
３１が受け渡し室ＳＨ内で水平方向に移動可能に構成さ
れているが、受け渡し室ＳＨの長さが短い場合には、受
け渡しユニット３１が受け渡し室ＳＨの中央部１２に固
定されていてもよい。この場合には、搬送ユニット１
１，２１の保持アーム１２が受け渡し室ＳＨ内に進入し
て受け渡しユニット３１上に基板を載置し、あるいは受
け渡しユニット３１上に保持された基板を受け取る。

【００７８】図１３は本発明の第２の実施例における基
板処理装置の縦断面図であり、図１４は図１３における
Ｗ−Ｗ線断面図である。

【００７９】図１３の基板処理装置は、鉛直方向に延び
る隔壁２００で分離された２つの処理空間Ａ，Ｂを有す
る。処理空間Ａ，Ｂは、下から上へ順に配置された第１
の階層Ｓ１、第２の階層Ｓ２、第３の階層Ｓ３、第４の
階層Ｓ４および第５の階層Ｓ５を含む。

【００８０】処理空間Ａ，Ｂの第１の階層Ｓ１には、そ
れぞれ化学系ユニットＣＨ１，ＣＨ２が配置されてい
る。処理空間Ａの第２の階層Ｓ２には、第１の洗浄液を
用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット
（スピンスクラバ）ＳＷ１が隔壁２００に沿って配置さ
れ、処理空間Ｂの第２の階層Ｓ２には、第２の洗浄液を
用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット
（スピンスクラバ）ＳＷ２が隔壁２００に沿って配置さ
れている。第１の洗浄液はアンモニアおよび過酸化水素
水であり、第２の洗浄液は塩酸および過酸化水素水であ
る。

【００８１】処理空間Ａ，Ｂの第３の階層Ｓ３には、そ
れぞれ空気調整ユニットＦＦ１，ＦＦ２が配置されてい
る。処理空間Ａ，Ｂの第４の階層Ｓ４には、処理空間Ａ
と処理空間Ｂとにわたる受け渡し室ＳＨが配置されてい
る。受け渡し室ＳＨには、第１の実施例と同様に、受け
渡しユニット３１が水平方向に移動可能に設けられてい
る。

【００８２】処理空間Ａの隔壁２００と反対側の端部側
には、第１の実施例と同様に基板収納部ＩＮＤが配置さ
れている。基板収納部ＩＮＤは、複数のカセット１０を
備える。

【００８３】基板収納部ＩＮＤの前には、搬送ユニット
１１が配置されている。搬送ユニット１１は、上下方向
および水平方向に移動可能に設けられ、受け渡し室ＳＨ
内の受け渡しユニット３１および処理空間Ａの各処理ユ
ニットとの間で基板の受け渡しを行う。

【００８４】処理空間Ｂの隔壁２００と反対側の端部側
には、搬送ユニット２１を備える。搬送ユニット２１
は、上下方向および水平方向に移動可能に設けられ、受
け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１および処理空間
Ｂの各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。

【００８５】搬送空間Ａ，Ｂの第５の階層Ｓ５には、空
気調整ユニットＦＦ３が配置されている。この基板処理
装置においても、処理空間Ａの各処理ユニットの開口部
１００と処理空間Ｂの各処理ユニットの開口部１００と
が互いに反対側の面に設けられている。

【００８６】図１５は図１３の基板処理装置における処
理の一例を示す図である。図１５（ａ）の処理では、ま
ず、処理空間Ａの搬送ユニット１１がカセット１０から
基板を取り出し、回転式洗浄ユニットＳＷ１に順次搬送
する。回転式洗浄ユニットＳＷ１では、基板に第１の洗
浄液を用いた洗浄処理が行われる。次に、搬送ユニット
１１は、洗浄処理が行われた基板を受け渡し室ＳＨ内の
受け渡しユニット３１に渡す。

【００８７】受け渡しユニット３１は、渡された基板を
処理空間Ａの側から処理空間Ｂの側へ搬送する。処理空
間Ｂの搬送ユニット２１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡
しユニット３１から基板を受け取り、その基板を回転式
洗浄ユニットＳＷ２に順次搬送する。回転式洗浄ユニッ
トＳＷ２では、基板に第２の洗浄液を用いた洗浄処理が
行われる。その後、基板搬送ユニット２１は、洗浄処理
が行われた基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット
３１に渡す。

【００８８】搬送ユニット３１は、渡された基板を処理
空間Ｂの側から処理空間Ａの側へ搬送する。処理空間Ａ
の搬送ユニット１１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユ
ニット３１から基板を受け取り、カセット１０に収納す
る。

【００８９】図１５（ｂ）の処理では、まず、処理空間
Ａの搬送ユニット１１がカセット１０から基板を取り出
し、一方の回転式洗浄ユニットＳＷ１に搬送し、洗浄さ
れた基板を他方の回転式洗浄ユニットＳＷ１に搬送す
る。その後、搬送ユニット１１は、洗浄された基板を受
け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡す。受け渡
しユニット３１は、渡された基板を処理空間Ａの側から
処理空間Ｂの側へ搬送する。

【００９０】処理空間Ｂの搬送ユニット２１は、受け渡
し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１から基板を受け取
り、その基板を一方の回転式洗浄ユニットＳＷ２に搬送
し、洗浄された基板を他方の回転式洗浄ユニットＳＷ２
に搬送する。その後、搬送ユニット２１は、洗浄された
基板を受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニット３１に渡
す。受け渡しユニット３１は、渡された基板を処理空間
Ｂの側から処理空間Ａの側へ搬送する。処理空間Ａの搬
送ユニット１１は、受け渡し室ＳＨ内の受け渡しユニッ
ト３１から基板を受け取り、その基板をカセット１０に
収納する。

【００９１】本実施例の基板処理装置においては、第１
の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Ａで行われ、第２
の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Ｂで行われ、処理
空間Ａの雰囲気と処理空間Ｂの雰囲気とが互いに遮断さ
れているので、各洗浄処理が他方の洗浄処理の雰囲気の
影響を受けない。

【００９２】図１６は本発明の第３の実施例における基
板処理装置を示す図であり、（ａ）および（ｂ）はそれ
ぞれ前方側および後方側における縦断面図であり、
（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ下部側および上部側にお
ける横断面図である。

【００９３】図１６の基板処理装置は、水平方向に延び
る隔壁２００で分離された２つの処理空間Ａ，Ｂを備え
る。すなわち、処理空間Ａ，Ｂは上下方向に積層されて
いる。

【００９４】処理空間Ａには、複数の回転式塗布ユニッ
トＳＣ、積層された冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨ
Ｐ、密着強化ユニットＡＨが水平方向に並設されてい
る。処理空間Ｂには、複数の回転式現像ユニットＳＤ、
積層された冷却ユニットＣＰ、加熱ユニットＨＰ、ベー
クユニットＰＥＢが水平方向に並設されている。また、
処理空間Ａには基板収納部ＩＮＤ１が配置され、処理空
間Ｂには基板収納部ＩＮＤ２が配置されている。処理空
間Ａには、第１の実施例と同様に、搬送ユニット（図示
せず）を備える。処理空間Ｂも、第１の実施例と同様に
搬送ユニット（図示せず）を備える。

【００９５】さらに、処理空間Ａと処理空間Ｂとにわた
る受け渡し室ＳＨが上下方向に配置されている。また、
受け渡し室ＳＨを挟んで処理空間Ａと反対側の位置に露
光装置ＳＴとの間で基板の受け渡しを行う中間受け渡し
部ＩＦが配置されている。受け渡し室ＳＨ内には、受け
渡しユニット（図示せず）が上下方向に移動可能に設け
られている。

【００９６】処理空間Ａの回転式塗布ユニットＳＣは、
基板収納部ＩＮＤ１側に基板の出し入れのための開口部
１００を有する。また、回転式現像ユニットＳＤは、中
間受け渡し部ＩＦの側に基板の出し入れのための開口部
１００を有する。

【００９７】受け渡し室ＳＨは、処理空間Ａの側、処理
空間Ｂの側および中間受け渡し部ＩＦの側にそれぞれ基
板の出し入れのための開口部１００を有する。

【００９８】本実施例の基板処理装置によれば、基板収
納部ＩＮＤ１，ＩＮＤ２を処理空間ＡおよびＢのそれぞ
れに備えているので、塗布処理を処理空間Ａの側で、ま
た現像処理を処理空間Ｂの側で個別に行うことができ
る。

【００９９】また、塗布処理から現像処理までを一連し
て行うに際しては、基板は次のような経路をたどる。ま
ず、処理空間Ａの搬送ユニットにより基板収納部ＩＮＤ
１から取り出された基板は、処理空間Ａで順次搬送が行
われ、塗布処理がなされた後、受け渡し室ＳＨの受け渡
しユニットに受け渡される。受け渡しユニットは、受け
取った基板を中間受け渡し部ＩＦに搬送する。そして、
中間受け渡し部ＩＦと外部の露光装置ＳＴとの間で基板
の受け渡しが行われ、露光処理後の基板は受け渡し室Ｓ
Ｈの受け渡しユニットまで戻される。再び基板を受け取
った受け渡しユニットは、受け渡し室ＳＨを上昇し、処
理空間Ｂの搬送ユニットに基板を受け渡す。処理空間Ｂ
の搬送ユニットにより、基板は処理空間Ｂ内を順次搬送
され現像処理が行われて、受け渡し室ＳＨ内の受け渡し
ユニットに受け渡される。その後、受け渡しユニット
は、下降し、処理空間Ａ内の搬送ユニットに基板を搬送
する。そして、処理空間Ａ内の搬送ユニットが、基板を
基板収納部ＩＮＤ１に収納する。

【０１００】本実施例の基板処理装置では、塗布処理が
処理空間Ａで行われ、現像処理が処理空間Ｂで行われ、
処理空間Ａと処理空間Ｂとが互いに遮断されているの
で、各処理が互いに他方の処理の雰囲気の影響を受ける
ことがない。また、処理空間Ａ，Ｂが上下方向に積層さ
れているので、設置面積（フットプリント）が低減され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における基板処理装置の
斜視図である。

【図２】図１における矢印Ｐ方向の側面図である。

【図３】図１における矢印Ｑ方向の側面図である。

【図４】図２および図３におけるＸ−Ｘ線断面図であ
る。

【図５】図２および図３におけるＹ−Ｙ線断面図であ
る。

【図６】図４および図５におけるＺ１−Ｚ１線断面図で
ある。

【図７】図４および図５におけるＺ２−Ｚ２線断面図で
ある。

【図８】図４および図５におけるＺ３−Ｚ３線断面図で
ある。

【図９】図４および図５におけるＺ４−Ｚ４断面図であ
る。

【図１０】図４および図５におけるＺ５−Ｚ５線断面図
である。

【図１１】搬送ユニットの保持アームおよび受け渡しユ
ニットの受け渡し台を示す平面図である。

【図１２】図１の基板処理装置における処理の一例を示
す図である。

【図１３】本発明の第２の実施例における基板処理装置
の縦断面図である。

【図１４】図１３におけるＷ−Ｗ線断面図である。

【図１５】図１３の基板処理装置における処理の例を示
す図である。

【図１６】本発明の第３の実施例における基板処理装置
の前方側の縦断面図、後方側の縦断面図、下部側の横断
面図および上部側の横断面図である。

【図１７】従来の基板処理装置の一例を示す平面図であ
る。

【符号の説明】

Ａ，Ｂ 処理空間 ＣＨ１，ＣＨ２ 化学系ユニット ＳＣ 回転式塗布ユニット ＳＤ 回転式現像ユニット ＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３ 空気調整ユニット ＣＰ 冷却ユニット ＨＰ 加熱ユニット ＡＨ 密着強化ユニット ＰＥＢ ベークユニット ＥＥＷ 周辺露光ユニット ＳＨ 受け渡し室 ＩＮＤ，ＩＮＤ１，ＩＮＤ２ 基板収納部 ＩＦ 中間受け渡し部 １１，２１ 搬送ユニット ３１ 受け渡しユニット １０ カセット １００ 開口部 ２００ 隔壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 讓一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに雰囲気が遮断された第１および第
   ２の処理空間を備え、 前記第１の処理空間と前記第２の処理空間とにわたる受
   け渡し室が設けられ、 前記受け渡し室内には、前記第１の処理空間と前記第２
   の処理空間との間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段
   が設けられ、 前記第１の処理空間には、基板に所定の処理を行う１ま
   たは複数の第１の処理部、および前記第１の処理部と前
   記受け渡し手段との間で基板を搬送する第１の搬送手段
   が設けられ、 前記第２の処理空間には、基板に所定の処理を行う１ま
   たは複数の第２の処理部、および前記第２の処理部と前
   記受け渡し手段との間で基板を搬送する第２の搬送手段
   が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の処理空間には、処理前および
   処理後の基板を収容する基板収納部が設けられるととも
   に、 前記第１の搬送手段は、前記基板収納部との間で基板の
   搬入および搬出を行い、 前記第２の処理空間には外部との間で基板の受け渡しを
   行うための中間受け渡し部が設けられるとともに、 前記第２の搬送手段は、前記中間受け渡し部との間で基
   板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項１記載の基
   板処理装置。
3. 【請求項３】 前記第１の処理部は、基板に露光前の処
   理を行い、前記第２の処理部は、基板に露光後の処理を
   行うことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理
   装置。
4. 【請求項４】 前記第１の処理部は、第１の洗浄液を用
   いた第１の洗浄処理を行い、前記第２の処理部は、第２
   の洗浄液を用いた第２の洗浄処理を行うことを特徴とす
   る請求項１または２記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記第１の処理空間および前記第２の処
   理空間は水平方向に並設され、前記受け渡し室は、前記
   第１の処理空間と前記第２の処理空間とにわたって水平
   方向に配置されたことを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記第１の処理部は、前記第２の処理空
   間と反対側の面に前記第１の搬送手段と基板の受け渡し
   を行うための基板出入口を有し、 前記第２の処理部は、前記第１の処理空間と反対側の面
   に前記第２の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基
   板出入口を有することを特徴とする請求項５記載の基板
   処理装置。
7. 【請求項７】 前記第１および第２の処理空間は、それ
   ぞれ上下方向に配置された複数の階層を備え、 前記第１の処理空間の下側の階層に配置される前記第１
   の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処
   理部であり、前記第１の処理空間の上側の階層に配置さ
   れる前記第１の処理部は、基板に対して温度処理を行う
   処理部であり、 前記第２の処理空間の下側の階層に配置される前記第２
   の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処
   理部であり、前記第２の処理空間の上側の階層に配置さ
   れる前記第２の処理部は、基板に対して温度処理を行う
   処理部であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
   に記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記第１の処理空間および前記第２の処
   理空間は上下方向に積層され、前記受け渡し室は、前記
   第１の処理空間と前記第２の処理空間とにわたって上下
   方向に配置されたことを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記受け渡し室は、前記第１の処理空間
   および前記第２の処理空間の外部に面するように配設さ
   れたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の
   基板処理装置。