JPH10261689A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH10261689A JPH10261689A JP6521897A JP6521897A JPH10261689A JP H10261689 A JPH10261689 A JP H10261689A JP 6521897 A JP6521897 A JP 6521897A JP 6521897 A JP6521897 A JP 6521897A JP H10261689 A JPH10261689 A JP H10261689A
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Abstract
響を受けることが十分に防止された基板処理装置を提供
することである。 【解決手段】 基板処理装置は、鉛直方向に延びる隔壁
200で仕切られた2つの処理空間A,Bを有する。各
処理空間A,Bは複数の階層を含む。処理空間Aには露
光前の処理を行う複数の処理ユニットが配置される。処
理空間Bには露光後の処理を行う複数の処理ユニットが
配置される。処理空間Aには搬送ユニット11が配置さ
れ、処理空間Bには搬送ユニット21が配置される。受
け渡し室SHが処理空間Aと処理空間Bとにわたって配
置されている。受け渡し室SH内には処理空間Aの搬送
ユニット11との間および処理空間Bの搬送ユニット2
1との間で基板の受け渡しを行う受け渡しユニット31
が設けられる。
Description
を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。
基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス
基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置
が用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロ
セスでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々を
ユニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理
装置が用いられている。
平面図である。図17の基板処理装置は、2つの搬送領
域a,bを備える。正面側には基板にフォトレジスト等
の処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット(スピン
コータ)SCおよび基板に現像処理を行う回転式現像ユ
ニット(スピンデベロッパ)SDが並設されている。ま
た、搬送領域aと搬送領域bとの間には、基板に密着強
化処理を行う密着強化ユニットAH、基板に加熱処理を
行う加熱ユニット(ホットプレート)HPおよび基板に
冷却処理を行う冷却ユニット(クーリングプレート)C
Pがそれぞれ複数段に配置されている。
送するとともに回転式塗布ユニットSCおよび回転式現
像ユニットSDに対して基板の搬入および搬出を行う搬
送ユニットTR1が設けられている。また、搬送領域b
には、基板を矢印Sの方向に搬送するとともに密着強化
ユニットAH、加熱ユニットHPおよび冷却ユニットC
Pに対して基板の搬入および搬出を行う搬送ユニットT
R2が設けられている。
収納するとともに基板の搬入および搬出を行う搬入搬出
装置(インデクサ)INDが配置されている。搬入搬出
装置INDは、基板を収納する複数のカセット10およ
び基板の搬入および搬出を行う搬送ユニット61を備え
る。搬送ユニット61は、矢印Uの方向に移動し、カセ
ット10から基板を取り出して搬送領域bの搬送ユニッ
トTR2に渡し、一連の処理が施された基板を搬送領域
bの搬送ユニットTR2から受け取ってカセット10に
戻す。
装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し装置(イン
タフェース)IFが設けられている。ここでは、外部の
装置として露光装置STが配置されている。受け渡し装
置IFは、搬送ユニット62を備える。搬送ユニット6
2は、矢印Uの方向に移動し、搬送領域bの搬送ユニッ
トTR2から受け取った基板を露光装置STに渡し、露
光装置STから受け取った基板を搬送領域bの搬送ユニ
ットTR2に渡す。
理の一例を説明する。まず、カセット10から取り出さ
れた基板に密着強化ユニットAHで密着強化処理を行
う。密着強化処理では、次の工程で塗布されるフォトレ
ジストと基板との間の密着性を強化するために、密着強
化剤としてHMDS(ヘキサメチレンジシラザン)が基
板上に塗布される。
て冷却ユニットCPで冷却処理を行った後、回転式塗布
ユニットSCでフォトレジストを塗布し、加熱ユニット
HPで加熱処理を行い、冷却ユニットCPで冷却処理を
行った後、露光装置STに搬送する。
クスポージャベークを行った後、回転式現像ユニットS
Dで現像処理を行い、加熱ユニットHPで加熱処理を行
い、冷却ユニットCPで冷却処理を行った後、カセット
10に収納する。その後、その基板に対して他の装置に
おいてエッチング処理が行われる。
の高集積化を図るために、微細パターンの形成が可能な
高感度の化学増幅型レジストが用いられるようになって
いる。この化学増幅型レジストは、ベース樹脂、酸発生
剤および溶剤からなり、露光処理の際に、レーザ光を受
けると、酸発生剤から酸が発生し、この酸がベース樹脂
と反応してレジストパターンを形成する。
に触れると、化学触媒反応が停止する。そのため、露光
装置STによる露光後に、化学増幅型レジストが雰囲気
中のアンモニア成分にさらされると、露光により生成さ
れた酸が中和され、露光パターンが消失したり、露光精
度が損なわれる。
化処理では、上記のようにHMDSが密着強化剤として
用いられる。このHMDSは水分と接触するとアンモニ
ア(アルカリ成分)を発生する性質を有する。したがっ
て、密着強化ユニットAHから外部に漏洩したHMDS
が空気中の水分と接触すると、アンモニアが発生する。
板が密着強化ユニットAHの近くを通過すると、アンモ
ニア成分により露光パターンの消失または露光精度の低
下が起こるという問題がある。
入搬出装置INDの搬送ユニット61および受け渡し装
置IFの搬送ユニット62に加えて、各処理ユニットに
対して基板の搬入および搬出を行うために搬送ユニット
TR1,TR2が設けられている。これにより、基板処
理装置の設置面積(フットプリント)が大きくなるとい
う問題がある。
搬送領域aが基板処理装置の中央部に設けられているの
で、搬送ユニットTR1の保守を行うためには、周囲の
処理ユニットを取り外さなくてはならない。それによ
り、搬送ユニットTR1の保守を簡単に行うことができ
ないという問題がある。
に他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止された
基板処理装置を提供することである。
互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に防止さ
れ、かつ設置面積の低減化が可能な基板処理装置を提供
することである。
処理が互いに他方の雰囲気の影響を受けることが十分に
防止され、かつ保守を容易に行うことが可能な基板処理
装置を提供することである。
発明に係る基板処理装置は、互いに雰囲気が遮断された
第1および第2の処理空間を備え、第1の処理空間と第
2の処理空間とにわたる受け渡し室が設けられ、受け渡
し室内には、第1の処理空間と第2の処理空間との間で
基板の受け渡しを行う受け渡し手段が設けられ、第1の
処理空間には、基板に所定の処理を行う1または複数の
第1の処理部、および第1の処理部と受け渡し手段との
間で基板を搬送する第1の搬送手段が設けられ、第2の
処理空間には、基板に所定の処理を行う1または複数の
第2の処理部、および第2の処理部と受け渡し手段との
間で基板を搬送する第2の搬送手段が設けられたもので
ある。
1の処理空間および第2の処理空間の雰囲気が互いに遮
断され、第1の処理空間と第2の処理空間とにわたる受
け渡し室内に受け渡し手段が設けられているので、第1
の処理部の雰囲気と第2の処理部の雰囲気とが互いに影
響を及ぼすことなく、第1の処理空間と第2の処理空間
との間で基板を受け渡すことができる。
囲気の影響を受けることを十分に防止しつつ、異なる処
理間で基板の受け渡しを行うことができる。その結果、
一連の基板処理を高い品質を保ちつつ効率的に行うこと
が可能となる。
発明に係る基板処理装置の構成において、第1の処理空
間には、処理前および処理後の基板を収容する基板収納
部が設けられるとともに、第1の搬送手段は、基板収納
部との間で基板の搬入および搬出を行い、第2の処理空
間には外部との間で基板の受け渡しを行うための中間受
け渡し部が設けられるとともに、第2の搬送手段は、中
間受け渡し部との間で基板の受け渡しを行うようにした
ものである。
間、基板収納部と受け渡し手段との間、および第1の処
理部と受け渡し手段との間で基板の受け渡しを行うこと
ができ、中間受け渡し部と第2の処理部との間、中間受
け渡し部と受け渡し手段との間、および第2の処理部と
受け渡し手段との間で基板の受け渡しを行うことができ
る。
加えて別の搬送手段を設けることなく、基板収納部、第
1の処理部、中間受け渡し部および第2の処理部の間で
任意の手順で基板を搬送することができる。
よび第2の発明に係る基板処理装置の構成において、第
1の処理部は、基板に露光前の処理を行い、第2の処理
部は、基板に露光後の処理を行うものである。
第1の処理部で露光前の基板処理を行い、処理された基
板を受け渡し室を通して第2の処理空間に送り、第2の
処理空間の外部に配置された露光装置に渡すことができ
る。そして、露光装置から受け取った基板に第2の処理
部で露光後の基板処理を行い、処理された基板を受け渡
し室を通して第1の処理空間に送り、基板を収納するこ
とができる。
基板処理とを互いに他方の雰囲気の影響を受けることな
く効率的に行うことができる。
たは第2の発明に係る基板処理装置の構成において、第
1の処理部は、第1の洗浄液を用いた第1の洗浄処理を
行い、第2の処理部は、第2の洗浄液を用いた第2の洗
浄処理を行うものである。
浄処理と第2の洗浄液を用いた第2の洗浄処理とを互い
に他方の雰囲気の影響を受けることなく効率的に行うこ
とができる。
第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第1の処理空間および第2の処理空間は水平方向に
並設され、受け渡し室は、第1の処理空間と第2の処理
空間とにわたって水平方向に配置されたものである。
間とが水平方向に分離されているので、互いに他方の雰
囲気の影響を受けることを十分に防止することが可能と
なる。
発明に係る基板処理装置の構成において、第1の処理部
は、第2の処理空間と反対側の面に第1の搬送手段と基
板の受け渡しを行うための基板出入口を有し、第2の処
理部は、第1の処理空間と反対側の面に第2の搬送手段
と基板の受け渡しを行うための基板出入口を有するもの
である。
2の処理部の基板出入口とが互いに反対側の面に設けら
れているので、第1および第2の処理部に対して基板を
搬入および搬出する際に、他方の処理空間の雰囲気が処
理部内に侵入することを十分に防止することが可能とな
る。
第6のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第1および第2の処理空間は、それぞれ上下方向に
配置された複数の階層を備え、第1の処理空間の下側の
階層に配置される第1の処理部は、所定の処理液を用い
て基板の処理を行う処理部であり、第1の処理空間の上
側の階層に配置される第1の処理部は、基板に対して温
度処理を行う処理部であり、第2の処理空間の下側の階
層に配置される第2の処理部は、所定の処理液を用いて
基板の処理を行う処理部であり、第2の処理空間の上側
の階層に配置される第2の処理部は、基板に対して温度
処理を行う処理部であるものである。
側の階層の処理部で所定の処理液を用いて基板の処理を
行い、第1および第2の処理空間の上側の階層の処理部
で基板に対して温度処理を行う。このように、複数の処
理部が処理機能別に階層的に配置されているので、設置
面積を低減できる。
理部が下側の階層に配置されているので、液漏れ等が生
じた場合に他の処理部への影響が少なく、また処理の状
態を目視で確認することができる。
第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第1の処理空間および第2の処理空間は上下方向に
積層され、受け渡し室は、第1の処理空間と第2の処理
空間とにわたって上下方向に配置されたものである。
下方向に積層されているので、設置面積を低減できる。
第8のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、受け渡し室は、第1の処理空間および第2の処理空
間の外部に面するように配設されたものである。
処理空間の外部に面しているので、受け渡し室の保守を
容易に行うことができる。
ける基板処理装置の斜視図、図2は図1の基板処理装置
の矢印P方向の側面図、図3は図1の基板処理装置の矢
印Q方向の側面図である。また、図4は図2および図3
におけるX−X線断面図、図5は図2および図3におけ
るY−Y線断面図である。さらに、図6、図7、図8、
図9および図10は図4および図5におけるそれぞれZ
1−Z1線断面図、Z2−Z2線断面図、Z3−Z3線
断面図、Z4−Z4線断面図およびZ5−Z5線断面図
である。
隔壁(仕切り)200で仕切られた2つの処理空間A,
Bを有する。これらの処理空間A,Bは、下から上へ順
に配置された第1の階層S1、第2の階層S2、第3の
階層S3、第4の階層S4および第5の階層S5を含
む。
学系ユニットCH1,CH2がそれぞれ配置されてい
る。化学系ユニットCH1,CH2は、各種処理液(薬
液)、廃液、ポンプおよび排気系を収納する。
フォトレジスト等の処理液の塗布処理を行う複数の回転
式塗布ユニット(スピンコータ)SCが隔壁200に沿
って配置されている。処理空間Bの第2の階層S2に
は、基板に現像処理を行う複数の回転式現像ユニット
(スピンデベロッパ)SDが隔壁200に沿って配置さ
れている。
A(Ultra Low Penetration Air )フィルタ、化学吸着
フィルタ等のフィルタ41およびファン42からなる複
数の空気調整ユニットFF1が隔壁200に沿って配置
されている(図4参照)。処理空間Bの第3の階層S3
には、ULPAフィルタ、化学吸着フィルタ等のフィル
タ51およびファン52からなる複数の空気調整ユニッ
トFF2が隔壁200に沿って配置されている(図4参
照)。
には、受け渡し室(シャトル)SHが処理空間Aと処理
空間Bとにわたって配置されている。
には、基板に冷却処理を行う複数の冷却ユニット(クー
リングプレート)CP、基板に加熱処理を行う複数の加
熱ユニット(ホットプレート)HPおよび基板に密着強
化処理を行う複数の密着強化ユニットAHが隔壁200
に沿って複数段に配置されている(図2参照)。
には、複数の冷却ユニット(クーリングプレート)C
P、複数の加熱ユニット(ホットプレート)HP、基板
に露光後加熱処理(ポストエクスクロージャベーク)を
行う複数のベークユニット(ベークプレート)PEBお
よび周辺露光処理を行う周辺露光ユニット(エッジ露光
ユニット)EEWが隔壁200に沿って1段または複数
段に配置されている(図3参照)。
布ユニットSCに対して処理液の供給、廃液の排出およ
び排気を行い、化学系ユニットCH2は、上部の回転式
現像ユニットSDに対して処理液の供給、廃液の排出お
よび排気を行う。また、空気調整ユニットFF1は、温
度および湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式塗
布ユニットSCに供給して回転式塗布ユニットSCの雰
囲気を調整し、空気調整ユニットFF2は、温度および
湿度が調整された清浄な空気を下部の回転式現像ユニッ
トSDに供給して回転式現像ユニットSDの雰囲気を調
整する。
却ユニットCP,加熱ユニットHPおよび密着強化ユニ
ットAHは、隔壁200と反対側の面に基板の出し入れ
のための開口部100を有する(図2参照)。各開口部
100には、シャッタ(図示せず)が開閉自在に設けら
れている。処理空間Bの回転式現像ユニットSD、冷却
ユニットCP、加熱ユニットHP、ベークユニットPE
Bおよび周辺露光ユニットEEWは、隔壁200と反対
側の面に基板の出し入れのための開口部100を有す
る。各開口部100には、シャッタ(図示せず)が開閉
自在に設けられている。
ける隔壁200と反対側の面および処理空間Bにおける
隔壁200と反対側の面にそれぞれ基板の出し入れのた
めの開口100を有する。これらの開口部100にも、
シャッタ(図示せず)が開閉自在に設けられている。図
4に示すように、受け渡し室SH内には、受け渡しユニ
ット31が矢印Hの方向に移動可能に設けられている。
には、基板を収納する基板収納部INDが配置されてい
る。基板収納部INDは、基板を収納する複数のカセッ
ト10を備える。基板収納部INDの前には、搬送ユニ
ット11が配置されている。搬送ユニット11は、上下
方向および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周り
で回動可能に構成され、カセット10、受け渡し室SH
内の受け渡しユニット31および処理空間A内の各処理
ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
には、外部の装置との間で基板の受け渡しを行う中間受
け渡し部(インタフェース)IFが配置されている。本
実施例では、外部の装置として、露光装置STが処理空
間Bに隣接するように配置されている。中間受け渡し部
IFは、露光装置STとの間で、露光前の基板と露光後
の基板とを受け渡すためのものであり、露光装置STと
の間で基板の受け渡しを行う図示しない搬送ユニットを
有する。また、中間受け渡し部IFの前には、搬送ユニ
ット21が配置される。搬送ユニット21は、上下方向
および水平方向に移動可能かつ鉛直方向の軸の周りで回
動可能に構成され、中間受け渡し部IF、受け渡し室S
H内の受け渡しユニット31および処理空間B内の各処
理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
基板収納部INDの上部、受け渡し室SHの上部および
中間受け渡し部IFの上部には、フィルタおよびファン
からなる空気調整ユニットFF3が配置されている。
間に相当し、処理空間Bが第2の処理空間に相当する。
また、回転式塗布ユニットSC、冷却ユニットCP、加
熱ユニットHPおよび密着強化ユニットAHが第1の処
理部に相当し、回転式現像ユニットSH、冷却ユニット
CP、加熱ユニットHP、ベークユニットPEBおよび
周辺露光ユニットEEWが第2の処理部に相当する。さ
らに、受け渡しユニット31が受け渡し手段に相当し、
搬送ユニット11が第1の搬送手段に相当し、搬送ユニ
ット21が第2の搬送手段に相当する。
ット31との基板の受け渡し方法を示す平面図であり、
(a)は受け渡し前の状態を示し、(b)は受け渡し後
の状態を示す。
1は、基板Wを保持する保持アーム(基板保持部)12
を有する。一方、受け渡しユニット31は、受け渡し台
32を有する。受け渡し台32上には、複数の基板保持
ピン33が取り付けられている。
1への基板の受け渡し時には、基板Wを保持する保持ア
ーム12が受け渡しユニット31の受け渡し台32上に
前進し、基板Wを基板保持ピン33間に載置して後退す
る。逆に、受け渡しユニット31から搬送ユニット11
への基板の受け渡し時には、保持アーム12が受け渡し
台32上の基板保持ピン33間に保持された基板Wの下
部に進入し、基板Wを保持して後退する。
受け渡し室SH内の受け渡しユニット31との間の基板
の受け渡しも、上記と同様に行われる。
受け渡しユニット31との受け渡し、および搬送ユニッ
ト21と受け渡しユニット31との受け渡しを受け渡し
室SH内にて行うようにしているが、例えば、搬送ユニ
ット11と受け渡しユニット31の受け渡しにおいて
は、受け渡し室SHを出た処理空間A内で行うようにし
てもよく、また、搬送ユニット21と受け渡しユニット
31の受け渡しにおいては、受け渡し室SHを出た処理
空間B内で行うようにしてもよい。
る。図12は図1の基板処理装置における処理の一例を
示す図である。
カセット10から基板を取り出し、密着強化ユニットA
Hに順次搬送する。これらの密着強化ユニットAHで
は、密着強化剤としてHMDS(ヘキサメチレンジシラ
ザン)を用いて基板に密着強化処理が行われる。次に、
搬送ユニット11は、密着強化処理が行われた基板を冷
却ユニットCPに順次搬送する。冷却ユニットCPで
は、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット
11は、冷却処理が行われた基板を回転式塗布ユニット
SCに順次搬送する。回転式塗布ユニットSCでは、基
板にフォトレジスト塗布処理が行われる。
トが塗布された基板を加熱ユニットHPに順次搬送す
る。加熱ユニットHPでは、基板に加熱処理が行われ
る。さらに、搬送ユニット11は、加熱処理が行われた
基板を冷却ユニットCPに順次搬送する。冷却ユニット
CPでは、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユ
ニット11は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室S
H内の受け渡しユニット31に渡す。
1から渡された基板を処理空間Aの側から処理空間Bの
側へ搬送する。処理空間Bの搬送ユニット21は、受け
渡し室SH内の受け渡しユニット31から基板を受け取
り、その基板を中間受け渡し部IFに搬送する。そし
て、中間受け渡し部IFの図示しない搬送ユニットによ
り基板を露光装置STに搬送する。露光装置STでは、
基板に露光処理が行われる。
露光処理の終了した基板を露光装置STから受け取る。
そして、搬送ユニット21は、中間受け渡し部IF上か
ら基板を受け取り、その基板を周辺露光ユニットEEW
に搬送する。周辺露光ユニットEEWでは、基板に周辺
露光が行われる。次に、搬送ユニット21は、周辺露光
が行われた基板をベークユニットPEBに順次搬送す
る。ベークユニットPEBでは、露光後ベーク処理が行
われる。次に、搬送ユニット21は、露光後ベーク処理
が行われた基板を冷却ユニットCPに順次搬送する。冷
却ユニットCPでは、基板に冷却処理が行われる。さら
に、搬送ユニット21は、冷却処理が行われた基板を回
転式現像ユニットSDに順次搬送する。回転式現像ユニ
ットSDでは、基板に現像処理が行われる。
行われた基板を加熱ユニットHPに順次搬送する。加熱
ユニットHPでは、基板に加熱処理が行われる。さら
に、搬送ユニット21は、加熱処理が行われた基板を冷
却ユニットCPに順次搬送する。冷却ユニットCPで
は、基板に冷却処理が行われる。その後、搬送ユニット
21は、冷却処理が行われた基板を受け渡し室SH内の
受け渡しユニット31に渡す。
Bの側から処理空間Aの側へ搬送する。処理空間Aの搬
送ユニット11は、受け渡し室SH内の受け渡しユニッ
ト31から基板を受け取り、その基板をカセット10に
収納する。
の処理を行う処理部が2つ示されているところでは、ス
ループットを向上させるために同一の処理が並行してな
される。そして、搬送ユニット11および21は、その
並行して処理がなされている処理部に対し、循環搬送の
交互に基板の受け渡しを行うように搬送を行っていく。
は、露光前の基板処理が処理空間Aで行われ、露光後の
基板処理が処理空間Bで行われ、処理空間Aの雰囲気と
処理空間Bの雰囲気とが互いに遮断されているので、露
光後の基板が露光前の処理で発生するアルカリ成分の影
響を受けることがない。したがって、一連の基板処理を
高い品質を保ちつつ効率的に行うことが可能となる。
00により水平方向に分離されているので、これらの処
理空間A,Bが互いに他方から雰囲気の影響を受けるこ
とが十分に防止される。
口部100と処理空間Bの各処理ユニットの開口部10
0とが互いに反対側の面に設けられているので、各処理
ユニットに対して基板を搬入および搬出する際に処理ユ
ニット内に他方の雰囲気が侵入することが十分に防止さ
れる。
的に配置されているので、フットプリント(設置面積)
が低減される。
式現像ユニットSDの直上にそれぞれ空気調整ユニット
FF1,FF2が配置されているので、回転式塗布処理
および回転式現像処理の雰囲気を効率的に良好に保つこ
とができる。また、回転式塗布ユニットSCおよび回転
式現像ユニットSDの直下にそれぞれ化学系ユニットC
H1,CH2が配置されているので、単純な配管構造で
処理液の供給、廃液の排出および排気を効率的に行うこ
とができる。
式現像ユニットSDが中間層に配置されているので、回
転式塗布処理および回転式現像処理の状態を目視により
容易に確認することができる。
転式現像ユニットSDの上部に空気調整ユニットFF
1,FF2を介して冷却ユニットCP、加熱ユニットH
P等の温度処理ユニットが配置されているので、下部の
回転式塗布ユニットSCおよび回転式現像ユニットSD
と上部の温度処理ユニットとが互いに他方からの熱およ
び雰囲気の影響を受けにくい。
転式現像ユニットSDが下部の同一階層に平面的に配置
されているので、液漏れ等が生じた場合に他の処理ユニ
ットへの影響が少ない。
31が受け渡し室SH内で水平方向に移動可能に構成さ
れているが、受け渡し室SHの長さが短い場合には、受
け渡しユニット31が受け渡し室SHの中央部12に固
定されていてもよい。この場合には、搬送ユニット1
1,21の保持アーム12が受け渡し室SH内に進入し
て受け渡しユニット31上に基板を載置し、あるいは受
け渡しユニット31上に保持された基板を受け取る。
板処理装置の縦断面図であり、図14は図13における
W−W線断面図である。
る隔壁200で分離された2つの処理空間A,Bを有す
る。処理空間A,Bは、下から上へ順に配置された第1
の階層S1、第2の階層S2、第3の階層S3、第4の
階層S4および第5の階層S5を含む。
れぞれ化学系ユニットCH1,CH2が配置されてい
る。処理空間Aの第2の階層S2には、第1の洗浄液を
用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット
(スピンスクラバ)SW1が隔壁200に沿って配置さ
れ、処理空間Bの第2の階層S2には、第2の洗浄液を
用いて基板に洗浄処理を行う複数の回転式洗浄ユニット
(スピンスクラバ)SW2が隔壁200に沿って配置さ
れている。第1の洗浄液はアンモニアおよび過酸化水素
水であり、第2の洗浄液は塩酸および過酸化水素水であ
る。
れぞれ空気調整ユニットFF1,FF2が配置されてい
る。処理空間A,Bの第4の階層S4には、処理空間A
と処理空間Bとにわたる受け渡し室SHが配置されてい
る。受け渡し室SHには、第1の実施例と同様に、受け
渡しユニット31が水平方向に移動可能に設けられてい
る。
には、第1の実施例と同様に基板収納部INDが配置さ
れている。基板収納部INDは、複数のカセット10を
備える。
11が配置されている。搬送ユニット11は、上下方向
および水平方向に移動可能に設けられ、受け渡し室SH
内の受け渡しユニット31および処理空間Aの各処理ユ
ニットとの間で基板の受け渡しを行う。
には、搬送ユニット21を備える。搬送ユニット21
は、上下方向および水平方向に移動可能に設けられ、受
け渡し室SH内の受け渡しユニット31および処理空間
Bの各処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。
気調整ユニットFF3が配置されている。この基板処理
装置においても、処理空間Aの各処理ユニットの開口部
100と処理空間Bの各処理ユニットの開口部100と
が互いに反対側の面に設けられている。
理の一例を示す図である。図15(a)の処理では、ま
ず、処理空間Aの搬送ユニット11がカセット10から
基板を取り出し、回転式洗浄ユニットSW1に順次搬送
する。回転式洗浄ユニットSW1では、基板に第1の洗
浄液を用いた洗浄処理が行われる。次に、搬送ユニット
11は、洗浄処理が行われた基板を受け渡し室SH内の
受け渡しユニット31に渡す。
処理空間Aの側から処理空間Bの側へ搬送する。処理空
間Bの搬送ユニット21は、受け渡し室SH内の受け渡
しユニット31から基板を受け取り、その基板を回転式
洗浄ユニットSW2に順次搬送する。回転式洗浄ユニッ
トSW2では、基板に第2の洗浄液を用いた洗浄処理が
行われる。その後、基板搬送ユニット21は、洗浄処理
が行われた基板を受け渡し室SH内の受け渡しユニット
31に渡す。
空間Bの側から処理空間Aの側へ搬送する。処理空間A
の搬送ユニット11は、受け渡し室SH内の受け渡しユ
ニット31から基板を受け取り、カセット10に収納す
る。
Aの搬送ユニット11がカセット10から基板を取り出
し、一方の回転式洗浄ユニットSW1に搬送し、洗浄さ
れた基板を他方の回転式洗浄ユニットSW1に搬送す
る。その後、搬送ユニット11は、洗浄された基板を受
け渡し室SH内の受け渡しユニット31に渡す。受け渡
しユニット31は、渡された基板を処理空間Aの側から
処理空間Bの側へ搬送する。
し室SH内の受け渡しユニット31から基板を受け取
り、その基板を一方の回転式洗浄ユニットSW2に搬送
し、洗浄された基板を他方の回転式洗浄ユニットSW2
に搬送する。その後、搬送ユニット21は、洗浄された
基板を受け渡し室SH内の受け渡しユニット31に渡
す。受け渡しユニット31は、渡された基板を処理空間
Bの側から処理空間Aの側へ搬送する。処理空間Aの搬
送ユニット11は、受け渡し室SH内の受け渡しユニッ
ト31から基板を受け取り、その基板をカセット10に
収納する。
の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Aで行われ、第2
の洗浄液を用いた洗浄処理が処理空間Bで行われ、処理
空間Aの雰囲気と処理空間Bの雰囲気とが互いに遮断さ
れているので、各洗浄処理が他方の洗浄処理の雰囲気の
影響を受けない。
板処理装置を示す図であり、(a)および(b)はそれ
ぞれ前方側および後方側における縦断面図であり、
(c)および(d)はそれぞれ下部側および上部側にお
ける横断面図である。
る隔壁200で分離された2つの処理空間A,Bを備え
る。すなわち、処理空間A,Bは上下方向に積層されて
いる。
トSC、積層された冷却ユニットCP、加熱ユニットH
P、密着強化ユニットAHが水平方向に並設されてい
る。処理空間Bには、複数の回転式現像ユニットSD、
積層された冷却ユニットCP、加熱ユニットHP、ベー
クユニットPEBが水平方向に並設されている。また、
処理空間Aには基板収納部IND1が配置され、処理空
間Bには基板収納部IND2が配置されている。処理空
間Aには、第1の実施例と同様に、搬送ユニット(図示
せず)を備える。処理空間Bも、第1の実施例と同様に
搬送ユニット(図示せず)を備える。
る受け渡し室SHが上下方向に配置されている。また、
受け渡し室SHを挟んで処理空間Aと反対側の位置に露
光装置STとの間で基板の受け渡しを行う中間受け渡し
部IFが配置されている。受け渡し室SH内には、受け
渡しユニット(図示せず)が上下方向に移動可能に設け
られている。
基板収納部IND1側に基板の出し入れのための開口部
100を有する。また、回転式現像ユニットSDは、中
間受け渡し部IFの側に基板の出し入れのための開口部
100を有する。
空間Bの側および中間受け渡し部IFの側にそれぞれ基
板の出し入れのための開口部100を有する。
納部IND1,IND2を処理空間AおよびBのそれぞ
れに備えているので、塗布処理を処理空間Aの側で、ま
た現像処理を処理空間Bの側で個別に行うことができ
る。
て行うに際しては、基板は次のような経路をたどる。ま
ず、処理空間Aの搬送ユニットにより基板収納部IND
1から取り出された基板は、処理空間Aで順次搬送が行
われ、塗布処理がなされた後、受け渡し室SHの受け渡
しユニットに受け渡される。受け渡しユニットは、受け
取った基板を中間受け渡し部IFに搬送する。そして、
中間受け渡し部IFと外部の露光装置STとの間で基板
の受け渡しが行われ、露光処理後の基板は受け渡し室S
Hの受け渡しユニットまで戻される。再び基板を受け取
った受け渡しユニットは、受け渡し室SHを上昇し、処
理空間Bの搬送ユニットに基板を受け渡す。処理空間B
の搬送ユニットにより、基板は処理空間B内を順次搬送
され現像処理が行われて、受け渡し室SH内の受け渡し
ユニットに受け渡される。その後、受け渡しユニット
は、下降し、処理空間A内の搬送ユニットに基板を搬送
する。そして、処理空間A内の搬送ユニットが、基板を
基板収納部IND1に収納する。
処理空間Aで行われ、現像処理が処理空間Bで行われ、
処理空間Aと処理空間Bとが互いに遮断されているの
で、各処理が互いに他方の処理の雰囲気の影響を受ける
ことがない。また、処理空間A,Bが上下方向に積層さ
れているので、設置面積(フットプリント)が低減され
る。
斜視図である。
る。
る。
ある。
ある。
ある。
る。
である。
ニットの受け渡し台を示す平面図である。
す図である。
の縦断面図である。
す図である。
の前方側の縦断面図、後方側の縦断面図、下部側の横断
面図および上部側の横断面図である。
る。
Claims (9)
- 【請求項1】 互いに雰囲気が遮断された第1および第
2の処理空間を備え、 前記第1の処理空間と前記第2の処理空間とにわたる受
け渡し室が設けられ、 前記受け渡し室内には、前記第1の処理空間と前記第2
の処理空間との間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段
が設けられ、 前記第1の処理空間には、基板に所定の処理を行う1ま
たは複数の第1の処理部、および前記第1の処理部と前
記受け渡し手段との間で基板を搬送する第1の搬送手段
が設けられ、 前記第2の処理空間には、基板に所定の処理を行う1ま
たは複数の第2の処理部、および前記第2の処理部と前
記受け渡し手段との間で基板を搬送する第2の搬送手段
が設けられたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 前記第1の処理空間には、処理前および
処理後の基板を収容する基板収納部が設けられるととも
に、 前記第1の搬送手段は、前記基板収納部との間で基板の
搬入および搬出を行い、 前記第2の処理空間には外部との間で基板の受け渡しを
行うための中間受け渡し部が設けられるとともに、 前記第2の搬送手段は、前記中間受け渡し部との間で基
板の受け渡しを行うことを特徴とする請求項1記載の基
板処理装置。 - 【請求項3】 前記第1の処理部は、基板に露光前の処
理を行い、前記第2の処理部は、基板に露光後の処理を
行うことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理
装置。 - 【請求項4】 前記第1の処理部は、第1の洗浄液を用
いた第1の洗浄処理を行い、前記第2の処理部は、第2
の洗浄液を用いた第2の洗浄処理を行うことを特徴とす
る請求項1または2記載の基板処理装置。 - 【請求項5】 前記第1の処理空間および前記第2の処
理空間は水平方向に並設され、前記受け渡し室は、前記
第1の処理空間と前記第2の処理空間とにわたって水平
方向に配置されたことを特徴とする請求項1〜4のいず
れかに記載の基板処理装置。 - 【請求項6】 前記第1の処理部は、前記第2の処理空
間と反対側の面に前記第1の搬送手段と基板の受け渡し
を行うための基板出入口を有し、 前記第2の処理部は、前記第1の処理空間と反対側の面
に前記第2の搬送手段と基板の受け渡しを行うための基
板出入口を有することを特徴とする請求項5記載の基板
処理装置。 - 【請求項7】 前記第1および第2の処理空間は、それ
ぞれ上下方向に配置された複数の階層を備え、 前記第1の処理空間の下側の階層に配置される前記第1
の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処
理部であり、前記第1の処理空間の上側の階層に配置さ
れる前記第1の処理部は、基板に対して温度処理を行う
処理部であり、 前記第2の処理空間の下側の階層に配置される前記第2
の処理部は、所定の処理液を用いて基板の処理を行う処
理部であり、前記第2の処理空間の上側の階層に配置さ
れる前記第2の処理部は、基板に対して温度処理を行う
処理部であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか
に記載の基板処理装置。 - 【請求項8】 前記第1の処理空間および前記第2の処
理空間は上下方向に積層され、前記受け渡し室は、前記
第1の処理空間と前記第2の処理空間とにわたって上下
方向に配置されたことを特徴とする請求項1〜4のいず
れかに記載の基板処理装置。 - 【請求項9】 前記受け渡し室は、前記第1の処理空間
および前記第2の処理空間の外部に面するように配設さ
れたことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の
基板処理装置。
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- 1997-03-19 JP JP6521897A patent/JP4080021B2/ja not_active Expired - Fee Related
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