JP2001107259A - 置換型無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 - Google Patents
置換型無電解金めっき液及び無電解金めっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ニッケル又はニッケル合金の表面に、薄膜状
の金めっき層を直接形成しても、はんだボール等のはん
だ部材のシェア強度の熱履歴に因る低下を可及的に小さ
くし得る手段を提供する。 【解決手段】 ニッケルの表面に、無電解金めっきを施
す置換型無電解金めっき液において、該無電解金めっき
液に、直鎖状のアルキルアミンとしてテトラエチレンパ
ンタミン、ニッケル又はニッケル合金の還元剤としてヒ
ドラジン１水和物、及び金源としてのシアン化金カリウ
ムが配合されていることを特徴とする。
の金めっき層を直接形成しても、はんだボール等のはん
だ部材のシェア強度の熱履歴に因る低下を可及的に小さ
くし得る手段を提供する。 【解決手段】 ニッケルの表面に、無電解金めっきを施
す置換型無電解金めっき液において、該無電解金めっき
液に、直鎖状のアルキルアミンとしてテトラエチレンパ
ンタミン、ニッケル又はニッケル合金の還元剤としてヒ
ドラジン１水和物、及び金源としてのシアン化金カリウ
ムが配合されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は置換型無電解金めっ
き液及び無電解金めっき方法に関し、更に詳細にはニッ
ケル又はニッケル合金の表面に無電解金めっきを施す置
換型無電解金めっき液及び無電解金めっき方法に関す
る。
き液及び無電解金めっき方法に関し、更に詳細にはニッ
ケル又はニッケル合金の表面に無電解金めっきを施す置
換型無電解金めっき液及び無電解金めっき方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、図６に示す様に、回路
基板１０の一面側に設けられた、外部接続用端子搭載パ
ッドとしてのボール状端子搭載パッド１２，１２・・
に、外部接続端子用のボール状端子としてのはんだボー
ル１４，１４・・が配設された半導体装置、いわゆるＢ
ＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置
１６がある。このＢＧＡ型半導体装置１６では、ボール
状端子搭載パッド１２，１２・・は、搭載された半導体
素子２０とワイヤボンディングされて電気的に接続され
た導体パターン２２，２２・・の端部に形成されてい
る。この様に、ボール状端子搭載パッド１２，１２・・
の各々に、はんだボール１４を配設するには、図７
（ａ）に示す様に、導体パターン２２の端部に形成され
た銅から成るボール状端子搭載パッド１２の表面に、電
解ニッケルめっき又は無電解ニッケルめっきによってニ
ッケル又はニッケル合金から成るニッケル層２４を形成
し、更にニッケル層２４の表面に無電解金めっきによっ
て厚さ０．１μｍ以下の薄膜状の金めっき層２６を形成
する。この薄膜状の金めっき層２６は、ニッケル層２４
の表面の酸化防止を図り、良好なはんだ付け性を確保す
るためである。次いで、薄膜状の金めっき層２６の表面
の所定個所に、はんだボールを載置してリフローするこ
とによって、図７（ｂ）に示す様に、はんだボール１４
と金めっき層２６との接合部にはんだと金との共晶合金
を形成し、はんだボール１４をボール状端子搭載パッド
１２の表面に形成したニッケル層２４に固着できる。
基板１０の一面側に設けられた、外部接続用端子搭載パ
ッドとしてのボール状端子搭載パッド１２，１２・・
に、外部接続端子用のボール状端子としてのはんだボー
ル１４，１４・・が配設された半導体装置、いわゆるＢ
ＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置
１６がある。このＢＧＡ型半導体装置１６では、ボール
状端子搭載パッド１２，１２・・は、搭載された半導体
素子２０とワイヤボンディングされて電気的に接続され
た導体パターン２２，２２・・の端部に形成されてい
る。この様に、ボール状端子搭載パッド１２，１２・・
の各々に、はんだボール１４を配設するには、図７
（ａ）に示す様に、導体パターン２２の端部に形成され
た銅から成るボール状端子搭載パッド１２の表面に、電
解ニッケルめっき又は無電解ニッケルめっきによってニ
ッケル又はニッケル合金から成るニッケル層２４を形成
し、更にニッケル層２４の表面に無電解金めっきによっ
て厚さ０．１μｍ以下の薄膜状の金めっき層２６を形成
する。この薄膜状の金めっき層２６は、ニッケル層２４
の表面の酸化防止を図り、良好なはんだ付け性を確保す
るためである。次いで、薄膜状の金めっき層２６の表面
の所定個所に、はんだボールを載置してリフローするこ
とによって、図７（ｂ）に示す様に、はんだボール１４
と金めっき層２６との接合部にはんだと金との共晶合金
を形成し、はんだボール１４をボール状端子搭載パッド
１２の表面に形成したニッケル層２４に固着できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リフローし
て得られた直後のはんだボール１４とボール状端子搭載
パッド１２の表面に形成したニッケル層２４との固着強
度（シェア強度）は、実用に供し得る程度の値を呈す
る。しかし、ボール状端子搭載パッド１２に固着したは
んだボール１４に熱履歴を加えた場合、例えばボール状
端子搭載パッド１２に固着したはんだボール１４に、所
定条件下で加熱（２２０℃、４５秒間）した後、直ちに
室温に冷却する熱履歴を加えた場合、はんだボール１４
のシェア強度が急激に低下することが判明した。かかる
熱履歴に因るはんだボール１４のシェア強度の急激な低
下は、ニッケル層２４と薄膜状の金めっき層２６との間
にパラジウムめっき層を形成することによって防止でき
る。
て得られた直後のはんだボール１４とボール状端子搭載
パッド１２の表面に形成したニッケル層２４との固着強
度（シェア強度）は、実用に供し得る程度の値を呈す
る。しかし、ボール状端子搭載パッド１２に固着したは
んだボール１４に熱履歴を加えた場合、例えばボール状
端子搭載パッド１２に固着したはんだボール１４に、所
定条件下で加熱（２２０℃、４５秒間）した後、直ちに
室温に冷却する熱履歴を加えた場合、はんだボール１４
のシェア強度が急激に低下することが判明した。かかる
熱履歴に因るはんだボール１４のシェア強度の急激な低
下は、ニッケル層２４と薄膜状の金めっき層２６との間
にパラジウムめっき層を形成することによって防止でき
る。
【０００４】しかし、ニッケル層２４と薄膜状の金めっ
き層２６との間に、パラジウムめっき層を形成すること
は、製造工程を複雑化する。しかも、パラジウムは高価
な金属であるため、製造工程の複雑化と相俟って製品の
製造コストを高くする。このため、パラジウムめっき層
を形成することなくニッケル層２４の表面に、薄膜状の
金めっき層２６を直接形成しても、ニッケル層２４に固
着されたはんだボール１４のシェア強度は、熱履歴に因
る低下を可及的に小さくし得る手段の提供が望まれてい
る。そこで、本発明の課題は、ニッケル又はニッケル合
金の表面に、薄膜状の金めっき層を直接形成しても、は
んだボール等のはんだボールのシェア強度の熱履歴に因
る低下を可及的に小さくし得る手段を提供することにあ
る。
き層２６との間に、パラジウムめっき層を形成すること
は、製造工程を複雑化する。しかも、パラジウムは高価
な金属であるため、製造工程の複雑化と相俟って製品の
製造コストを高くする。このため、パラジウムめっき層
を形成することなくニッケル層２４の表面に、薄膜状の
金めっき層２６を直接形成しても、ニッケル層２４に固
着されたはんだボール１４のシェア強度は、熱履歴に因
る低下を可及的に小さくし得る手段の提供が望まれてい
る。そこで、本発明の課題は、ニッケル又はニッケル合
金の表面に、薄膜状の金めっき層を直接形成しても、は
んだボール等のはんだボールのシェア強度の熱履歴に因
る低下を可及的に小さくし得る手段を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、先ず、ニッ
ケル又はニッケル合金の表面（以下、単にニッケル表面
と称することがある）に固着されたはんだボールのシェ
ア強度の熱履歴に因る低下原因を調査すべく、ニッケル
表面に置換型無電解金めっきによって薄膜状の金めっき
層を直接形成した後、薄膜状の金めっき層を剥離してニ
ッケル表面の状態を電子顕微鏡によって観察したとこ
ろ、はんだボールのシェア強度が熱履歴によって大きく
低下する水準では、ニッケル表面が荒れていること、及
びはんだボールのシェア強度の熱履歴に因る低下が少な
い水準では、薄膜状の金めっき層を剥離したニッケル表
面の荒れが比較的少ないことが判明した。また、かかる
ニッケル表面の荒れの程度は、置換型無電解金めっきに
よって薄膜状の金めっき層を形成する際に、用いた置換
型無電解金めっき液によって異なることも併せて判明し
た。このため、本発明者は、薄膜状の金めっき層を剥離
したニッケル表面の荒れを比較的少なくし得る置換型無
電解金めっき液について検討を重ねた結果、直鎖状のア
ルキルアミンとしてテトラエチレンペンタミンと、ニッ
ケル又はニッケル合金の還元剤として次亜リン酸塩と、
金源としてのシアン化金塩とを含有する置換型無電解金
めっき液を用いることによって、無電解金めっきによっ
てニッケル表面に形成した薄膜状の金めっき層を剥離し
ても、ニッケル表面の荒れを可及的に少なくできること
を知り、本発明に到達した。
ケル又はニッケル合金の表面（以下、単にニッケル表面
と称することがある）に固着されたはんだボールのシェ
ア強度の熱履歴に因る低下原因を調査すべく、ニッケル
表面に置換型無電解金めっきによって薄膜状の金めっき
層を直接形成した後、薄膜状の金めっき層を剥離してニ
ッケル表面の状態を電子顕微鏡によって観察したとこ
ろ、はんだボールのシェア強度が熱履歴によって大きく
低下する水準では、ニッケル表面が荒れていること、及
びはんだボールのシェア強度の熱履歴に因る低下が少な
い水準では、薄膜状の金めっき層を剥離したニッケル表
面の荒れが比較的少ないことが判明した。また、かかる
ニッケル表面の荒れの程度は、置換型無電解金めっきに
よって薄膜状の金めっき層を形成する際に、用いた置換
型無電解金めっき液によって異なることも併せて判明し
た。このため、本発明者は、薄膜状の金めっき層を剥離
したニッケル表面の荒れを比較的少なくし得る置換型無
電解金めっき液について検討を重ねた結果、直鎖状のア
ルキルアミンとしてテトラエチレンペンタミンと、ニッ
ケル又はニッケル合金の還元剤として次亜リン酸塩と、
金源としてのシアン化金塩とを含有する置換型無電解金
めっき液を用いることによって、無電解金めっきによっ
てニッケル表面に形成した薄膜状の金めっき層を剥離し
ても、ニッケル表面の荒れを可及的に少なくできること
を知り、本発明に到達した。
【０００６】すなわち、本発明は、ニッケル又はニッケ
ル合金の表面に、無電解金めっきを施す置換型無電解金
めっき液において、該置換型無電解金めっき液に、直鎖
状のアルキルアミン、ニッケル又はニッケル合金の還元
剤、及び金源としてのシアン化金塩が配合されているこ
とを特徴とする置換型無電解金めっき液にある。また、
本発明は、ニッケル又はニッケル合金の表面に、置換型
無電解金めっき液を用いて無電解金めっきを施す際に、
該置換型無電解金めっき液として、直鎖状のアルキルア
ミン、ニッケル又はニッケル合金の還元剤、及び金源と
してのシアン化金塩が配合されている置換型無電解金め
っき液を用いることを特徴とする無電解金めっき方法に
ある。かかる本発明において、直鎖状のアルキルアミン
として、トリエチレンテトラミン又はテトラエチレンペ
ンタミンを用い、且つ還元剤として、次亜リン酸塩又は
ヒドラジン化合物を用いることが好ましい。更に、無電
解金めっきを施す部位を、電子部品を搭載する回路基板
に形成した導体パターンのニッケル又はニッケル合金か
ら成る表面とすることによって、導体パターンに固着さ
れた外部接続端子としてのはんだボールの耐熱性が良好
な電子装置を得ることができる。
ル合金の表面に、無電解金めっきを施す置換型無電解金
めっき液において、該置換型無電解金めっき液に、直鎖
状のアルキルアミン、ニッケル又はニッケル合金の還元
剤、及び金源としてのシアン化金塩が配合されているこ
とを特徴とする置換型無電解金めっき液にある。また、
本発明は、ニッケル又はニッケル合金の表面に、置換型
無電解金めっき液を用いて無電解金めっきを施す際に、
該置換型無電解金めっき液として、直鎖状のアルキルア
ミン、ニッケル又はニッケル合金の還元剤、及び金源と
してのシアン化金塩が配合されている置換型無電解金め
っき液を用いることを特徴とする無電解金めっき方法に
ある。かかる本発明において、直鎖状のアルキルアミン
として、トリエチレンテトラミン又はテトラエチレンペ
ンタミンを用い、且つ還元剤として、次亜リン酸塩又は
ヒドラジン化合物を用いることが好ましい。更に、無電
解金めっきを施す部位を、電子部品を搭載する回路基板
に形成した導体パターンのニッケル又はニッケル合金か
ら成る表面とすることによって、導体パターンに固着さ
れた外部接続端子としてのはんだボールの耐熱性が良好
な電子装置を得ることができる。
【０００７】本発明に係る置換型無電解金めっき液を用
いた無電解金めっきによって、ニッケル又はニッケル合
金から成る表面（以下、単にニッケル表面と称すること
がある）に薄膜状の金めっき層を形成し、更にこの薄膜
状の金めっき層の所定個所に載置しリフローして固着し
たはんだボール等のはんだボールに対し、所定条件下で
加熱（例えば２２０℃、４５秒間の加熱）した後、直ち
に室温に冷却する熱履歴を加えても、かかる熱履歴によ
って低下するはんだボールの固着強度（シェア強度）は
極めて小さい。この様に、本発明に係る置換型無電解金
めっき液を用いることによって、はんだボール等のはん
だ部材の固着強度（シェア強度）の熱履歴に因る低下を
極めて少なくできる理由については未だ十分に解明され
ていないが、次のように考えることができる。つまり、
本発明に係る置換型無電解金めっき液を用いてニッケル
表面に形成した薄膜状の金めっき層を剥離し、そのニッ
ケル表面を電子顕微鏡で観察したところ、ニッケル表面
は無電解金めっき前と略同等の状態にある。このため、
はんだボール等のはんだ部材は、リフローによってニッ
ケル表面に密着できる結果、熱履歴に因る低下を極めて
少なくできるものと考えられる。
いた無電解金めっきによって、ニッケル又はニッケル合
金から成る表面（以下、単にニッケル表面と称すること
がある）に薄膜状の金めっき層を形成し、更にこの薄膜
状の金めっき層の所定個所に載置しリフローして固着し
たはんだボール等のはんだボールに対し、所定条件下で
加熱（例えば２２０℃、４５秒間の加熱）した後、直ち
に室温に冷却する熱履歴を加えても、かかる熱履歴によ
って低下するはんだボールの固着強度（シェア強度）は
極めて小さい。この様に、本発明に係る置換型無電解金
めっき液を用いることによって、はんだボール等のはん
だ部材の固着強度（シェア強度）の熱履歴に因る低下を
極めて少なくできる理由については未だ十分に解明され
ていないが、次のように考えることができる。つまり、
本発明に係る置換型無電解金めっき液を用いてニッケル
表面に形成した薄膜状の金めっき層を剥離し、そのニッ
ケル表面を電子顕微鏡で観察したところ、ニッケル表面
は無電解金めっき前と略同等の状態にある。このため、
はんだボール等のはんだ部材は、リフローによってニッ
ケル表面に密着できる結果、熱履歴に因る低下を極めて
少なくできるものと考えられる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係る置換型無電解金めっ
き液には、直鎖状のアルキルアミン、及びニッケル又は
ニッケル合金の還元剤が配合されていることが肝要であ
る。かかる直鎖状のアルキルアミンとしては、エチレン
ジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレントリア
ミン、テトラエチレンペンタミンを好ましく使用でき
る。特に、トリエチレントリアミン、テトラエチレンペ
ンタミンが好ましい。更に、この直鎖状のアルキルアミ
ンと併用するニッケル又はニッケル合金の還元剤として
は、亜硫酸カリウム、次亜リン酸塩、ヒドラジン化合物
が好ましく、特に次亜リン酸塩、ヒドラジン化合物を好
ましい。かかる次亜リン酸塩としては、次亜リン酸ナト
リウム等の次亜リン酸のアルカリ塩を挙げることがで
き、ヒドラジン化合物としては、具体的にはヒドラジン
１水和物を挙げることができる。この様な直鎖状のアル
キルアミンの添加量、及びニッケル又はニッケル合金の
還元剤の添加量は、直鎖状のアルキルアミンが０．１〜
１００ｍｌ／リットル、ニッケル又はニッケル合金の還
元剤の添加量が０．０１〜５０ｇ／リットルとすること
が好ましい。かかる直鎖状のアルキルアミン、及びニッ
ケル又はニッケル合金の還元剤に加えて、金源としてシ
アン化金塩が配合されている。かかるシアン化金塩とし
ては、シアン化金カリウムを好適に用いることができ
る。このシアン化金塩の添加量は、０．１〜２０ｇ／リ
ットルとすることが好ましい。その他には、市販されて
いる置換型無電解金めっき液に配合されている配合剤、
例えばクエン酸、クエン酸アンモニウム等の緩衝剤、エ
チレンジアミン四酢酸カリウム（ＥＤＴＡ）等の錯化剤
を配合できる。
き液には、直鎖状のアルキルアミン、及びニッケル又は
ニッケル合金の還元剤が配合されていることが肝要であ
る。かかる直鎖状のアルキルアミンとしては、エチレン
ジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレントリア
ミン、テトラエチレンペンタミンを好ましく使用でき
る。特に、トリエチレントリアミン、テトラエチレンペ
ンタミンが好ましい。更に、この直鎖状のアルキルアミ
ンと併用するニッケル又はニッケル合金の還元剤として
は、亜硫酸カリウム、次亜リン酸塩、ヒドラジン化合物
が好ましく、特に次亜リン酸塩、ヒドラジン化合物を好
ましい。かかる次亜リン酸塩としては、次亜リン酸ナト
リウム等の次亜リン酸のアルカリ塩を挙げることがで
き、ヒドラジン化合物としては、具体的にはヒドラジン
１水和物を挙げることができる。この様な直鎖状のアル
キルアミンの添加量、及びニッケル又はニッケル合金の
還元剤の添加量は、直鎖状のアルキルアミンが０．１〜
１００ｍｌ／リットル、ニッケル又はニッケル合金の還
元剤の添加量が０．０１〜５０ｇ／リットルとすること
が好ましい。かかる直鎖状のアルキルアミン、及びニッ
ケル又はニッケル合金の還元剤に加えて、金源としてシ
アン化金塩が配合されている。かかるシアン化金塩とし
ては、シアン化金カリウムを好適に用いることができ
る。このシアン化金塩の添加量は、０．１〜２０ｇ／リ
ットルとすることが好ましい。その他には、市販されて
いる置換型無電解金めっき液に配合されている配合剤、
例えばクエン酸、クエン酸アンモニウム等の緩衝剤、エ
チレンジアミン四酢酸カリウム（ＥＤＴＡ）等の錯化剤
を配合できる。
【０００９】本発明に係る置換型無電解金めっき液は、
ニッケル又はニッケル合金の表面に無電解金めっきによ
って金めっき層を形成する際に使用される。この様に、
表面がニッケル又はニッケル合金によって形成された部
材としては、ニッケル又はニッケル合金によって形成さ
れた金属部材は勿論のこと、銅等の金属材の表面に無電
解めっき又は電解めっきによって、ニッケル又はニッケ
ル合金から成るニッケル層を形成した部材も含む。特
に、半導体素子又は半導体装置等を搭載する回路基板上
に形成された導体パターンに、本発明に係る置換型無電
解めっき液によって金めっき層を形成することによっ
て、後述するように導体パターンに固着された外部接続
端子としてのはんだボールの熱履歴に因る固着強度（シ
ェア強度）の低下を可及的に小さくでき、最終的に得ら
れる半導体装置の信頼性を向上できる。この導体パター
ンは、銅等によって形成された導体パターンの表面に、
電解めっき又は無電解めっきによってニッケル又はニッ
ケル合金から成るニッケル層が形成されているからであ
る。この様な、ニッケル又はニッケル合金の表面（ニッ
ケル表面）に本発明に係る置換肩無電解金めっき液を用
いて無電解金めっきする際には、市販されている無電解
金めっき液と略同一条件を採用できる。但し、ニッケル
表面に形成する薄膜状の金めっき層は、通常、ニッケル
表面の酸化防止を主目的とするため、金めっき層の厚さ
は、略０．１μｍ以下である。このため、部材表面にニ
ッケル層が形成されている場合は、薄膜状の金めっき層
の厚さはニッケル層の厚さよりも薄い。
ニッケル又はニッケル合金の表面に無電解金めっきによ
って金めっき層を形成する際に使用される。この様に、
表面がニッケル又はニッケル合金によって形成された部
材としては、ニッケル又はニッケル合金によって形成さ
れた金属部材は勿論のこと、銅等の金属材の表面に無電
解めっき又は電解めっきによって、ニッケル又はニッケ
ル合金から成るニッケル層を形成した部材も含む。特
に、半導体素子又は半導体装置等を搭載する回路基板上
に形成された導体パターンに、本発明に係る置換型無電
解めっき液によって金めっき層を形成することによっ
て、後述するように導体パターンに固着された外部接続
端子としてのはんだボールの熱履歴に因る固着強度（シ
ェア強度）の低下を可及的に小さくでき、最終的に得ら
れる半導体装置の信頼性を向上できる。この導体パター
ンは、銅等によって形成された導体パターンの表面に、
電解めっき又は無電解めっきによってニッケル又はニッ
ケル合金から成るニッケル層が形成されているからであ
る。この様な、ニッケル又はニッケル合金の表面（ニッ
ケル表面）に本発明に係る置換肩無電解金めっき液を用
いて無電解金めっきする際には、市販されている無電解
金めっき液と略同一条件を採用できる。但し、ニッケル
表面に形成する薄膜状の金めっき層は、通常、ニッケル
表面の酸化防止を主目的とするため、金めっき層の厚さ
は、略０．１μｍ以下である。このため、部材表面にニ
ッケル層が形成されている場合は、薄膜状の金めっき層
の厚さはニッケル層の厚さよりも薄い。
【００１０】本発明に係る置換型無電解金めっき液を用
い、例えば図７に示す様に、ボール状端子搭載パッド１
２に形成したニッケル層２４の表面に、薄膜状の金めっ
き層２６を形成した後、この薄膜状の金めっき層２６を
剥離してニッケル層２６の表面を電子顕微鏡で観察する
と、その表面は薄膜状の金めっき層の形成前と同程度で
ある。更に、薄膜状の金めっき層２６の所定個所に、は
んだボール１４を載置してリフローすることによって、
はんだボール１４と薄膜状の金めっき層２６との接合部
にはんだと金との共晶合金を形成し、はんだボール１４
をニッケル層２４に強固に固着できる。しかも、はんだ
ボール１４の固着強度は、所定条件下で加熱（例えば２
２０℃、４５秒間の加熱）した後、直ちに室温に冷却す
る熱履歴を加えても、熱履歴によって低下する固着強度
は極めて小さい。一方、本発明に係る置換型無電解金め
っき液に配合されている直鎖状のアルキルアミン及び／
又はニッケル又はニッケル合金の還元剤が配合されてい
ない置換型無電解金めっき液を用い、同様にしてニッケ
ル層２４の表面に薄膜状の金めっき層２６を形成した場
合、この薄膜状の金めっき層２６を剥離してニッケル層
２４の表面を電子顕微鏡で観察すると、その表面は薄膜
状の金めっき層２６の形成前よりも荒れているものであ
った。更に、はんだボール１４とニッケル層２４との固
着強度は、本発明に係る置換型無電解金めっき液を用い
た場合のはんだボール１４とニッケル層２４との固着強
度に比較して低い。しかも、はんだボール１４の固着強
度は、熱履歴を受けることによって急激に低下する。
い、例えば図７に示す様に、ボール状端子搭載パッド１
２に形成したニッケル層２４の表面に、薄膜状の金めっ
き層２６を形成した後、この薄膜状の金めっき層２６を
剥離してニッケル層２６の表面を電子顕微鏡で観察する
と、その表面は薄膜状の金めっき層の形成前と同程度で
ある。更に、薄膜状の金めっき層２６の所定個所に、は
んだボール１４を載置してリフローすることによって、
はんだボール１４と薄膜状の金めっき層２６との接合部
にはんだと金との共晶合金を形成し、はんだボール１４
をニッケル層２４に強固に固着できる。しかも、はんだ
ボール１４の固着強度は、所定条件下で加熱（例えば２
２０℃、４５秒間の加熱）した後、直ちに室温に冷却す
る熱履歴を加えても、熱履歴によって低下する固着強度
は極めて小さい。一方、本発明に係る置換型無電解金め
っき液に配合されている直鎖状のアルキルアミン及び／
又はニッケル又はニッケル合金の還元剤が配合されてい
ない置換型無電解金めっき液を用い、同様にしてニッケ
ル層２４の表面に薄膜状の金めっき層２６を形成した場
合、この薄膜状の金めっき層２６を剥離してニッケル層
２４の表面を電子顕微鏡で観察すると、その表面は薄膜
状の金めっき層２６の形成前よりも荒れているものであ
った。更に、はんだボール１４とニッケル層２４との固
着強度は、本発明に係る置換型無電解金めっき液を用い
た場合のはんだボール１４とニッケル層２４との固着強
度に比較して低い。しかも、はんだボール１４の固着強
度は、熱履歴を受けることによって急激に低下する。
【００１１】ところで、特開平６−１４５９９７号公報
には、本発明に係る無電解めっき液に似た組成の無電解
金めっき液が記載されているが、この公報に記載された
無電解金めっき液は自己還元型無電解金めっき液であ
り、本発明に係る置換型無電解金めっき液とは別異のも
のである。つまり、本発明に係る置換型無電解金めっき
液は、ニッケル又はニッケル合金から成るニッケル表面
のニッケル原子を金原子に置換するため、ニッケル表面
のニッケル原子が金に置換された後には、実質的に金め
っき層を厚くすることはできない。従って、置換型無電
解金めっき液によって形成される金めっき層の厚さは、
０．１μｍ程度である。これに対し、自己還元型無電解
金めっき液によれば、金を還元する還元剤が配合されて
いるため、めっき液中に金が存在している限り金めっき
層を厚くすることができる。このことは、前記公報の図
面の図１に示されている如く、１時間程度のめっき時間
で金めっき層の厚さを１μｍ以上とすることができるこ
とからも明らかである。以下、実施例によって本発明を
更に詳細に説明する。
には、本発明に係る無電解めっき液に似た組成の無電解
金めっき液が記載されているが、この公報に記載された
無電解金めっき液は自己還元型無電解金めっき液であ
り、本発明に係る置換型無電解金めっき液とは別異のも
のである。つまり、本発明に係る置換型無電解金めっき
液は、ニッケル又はニッケル合金から成るニッケル表面
のニッケル原子を金原子に置換するため、ニッケル表面
のニッケル原子が金に置換された後には、実質的に金め
っき層を厚くすることはできない。従って、置換型無電
解金めっき液によって形成される金めっき層の厚さは、
０．１μｍ程度である。これに対し、自己還元型無電解
金めっき液によれば、金を還元する還元剤が配合されて
いるため、めっき液中に金が存在している限り金めっき
層を厚くすることができる。このことは、前記公報の図
面の図１に示されている如く、１時間程度のめっき時間
で金めっき層の厚さを１μｍ以上とすることができるこ
とからも明らかである。以下、実施例によって本発明を
更に詳細に説明する。
【００１２】
【実施例】実施例１ ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装
置用の樹脂回路基板に形成された、銅から成る導体パタ
ーンの全面に無電解ニッケルめっきによって厚さ５μｍ
のニッケル層を形成した後、導体パターンに形成された
ランド径が０．６ｍｍのボール状端子搭載パッドに形成
されたニッケル層の表面に、置換型無電解金めっき液に
よって厚さ０．０６μｍの薄膜状の金めっき層を形成し
た。かかる置換型無電解金めっき液の組成及びそのめっ
き条件を下記に示す。 めっき液組成 クエン酸 ２０ｇ／リットル クエン酸アンモニウム １０ｇ／リットル エチレンジアミン １０ｍｌ／リットル ＥＤＴＡ １ｇ／リットル 亜硫酸カリウム ４０ｇ／リットル シアン化金カリウム ３ｇ／リットル めっき条件 ８５℃、２０分 上記めっき液組成では、直鎖状のアルキルアミンとして
エチレンジアミンを用い、ニッケル又はニッケル合金の
還元剤として亜硫酸カリウムを用いた。更に、金源のシ
アン化金塩としてシアン化金カリウムを用いた。
置用の樹脂回路基板に形成された、銅から成る導体パタ
ーンの全面に無電解ニッケルめっきによって厚さ５μｍ
のニッケル層を形成した後、導体パターンに形成された
ランド径が０．６ｍｍのボール状端子搭載パッドに形成
されたニッケル層の表面に、置換型無電解金めっき液に
よって厚さ０．０６μｍの薄膜状の金めっき層を形成し
た。かかる置換型無電解金めっき液の組成及びそのめっ
き条件を下記に示す。 めっき液組成 クエン酸 ２０ｇ／リットル クエン酸アンモニウム １０ｇ／リットル エチレンジアミン １０ｍｌ／リットル ＥＤＴＡ １ｇ／リットル 亜硫酸カリウム ４０ｇ／リットル シアン化金カリウム ３ｇ／リットル めっき条件 ８５℃、２０分 上記めっき液組成では、直鎖状のアルキルアミンとして
エチレンジアミンを用い、ニッケル又はニッケル合金の
還元剤として亜硫酸カリウムを用いた。更に、金源のシ
アン化金塩としてシアン化金カリウムを用いた。
【００１３】次いで、ボール状端子搭載パッドに、ボー
ル径が０．７６ｍｍのはんだボールを載置してリフロー
し、ボール状端子搭載パッドの表面層を形成するニッケ
ル層の表面にはんだボールを固着した。この固着したは
んだボールの固着強度（ボールシェア強度）を、ボール
シェア試験装置（イマダ株式会社製の「ＤＰＲＳＸ−２
Ｔ」）を用いて測定した。このボールシェア試験装置を
用いたはんだボールの固着強度の測定は、ボール状端子
搭載パッドに固着した２０個のはんだボールについて測
定し、その結果、はんだボールのボールシェア強度の平
均が１．８１ｋｇ（最高値１．９４ｋｇ、最低値１．７
４ｋｇ）であった。更に、ボール状端子搭載パッドに固
着した２０個のはんだボールを、２２０℃で４５秒間加
熱した後、直ちに室温に冷却する熱履歴を加えた。かか
る熱履歴を加えた後の２０個の各はんだボールのシェア
強度は、平均が１．７２ｋｇ（最高値１．８２ｋｇ、最
低値１．６２ｋｇ）であった。
ル径が０．７６ｍｍのはんだボールを載置してリフロー
し、ボール状端子搭載パッドの表面層を形成するニッケ
ル層の表面にはんだボールを固着した。この固着したは
んだボールの固着強度（ボールシェア強度）を、ボール
シェア試験装置（イマダ株式会社製の「ＤＰＲＳＸ−２
Ｔ」）を用いて測定した。このボールシェア試験装置を
用いたはんだボールの固着強度の測定は、ボール状端子
搭載パッドに固着した２０個のはんだボールについて測
定し、その結果、はんだボールのボールシェア強度の平
均が１．８１ｋｇ（最高値１．９４ｋｇ、最低値１．７
４ｋｇ）であった。更に、ボール状端子搭載パッドに固
着した２０個のはんだボールを、２２０℃で４５秒間加
熱した後、直ちに室温に冷却する熱履歴を加えた。かか
る熱履歴を加えた後の２０個の各はんだボールのシェア
強度は、平均が１．７２ｋｇ（最高値１．８２ｋｇ、最
低値１．６２ｋｇ）であった。
【００１４】実施例２〜８及び比較例１〜３ 実施例１において、置換型無電解金めっき液に直鎖状の
アルキルアミンとして用いたエチレンジアミン及び／又
はニッケル又はニッケル合金の還元剤として用いた亜硫
酸カリウムを下記の〔表１〕に示すように代えた他は、
実施例１と同様にしてはんだボールのシェア強度を測定
した。更に、実施例１と同様に、ボール状端子搭載パッ
ドに固着した各はんだボールに熱履歴を加えた後のはん
だボールのシェア強度も測定した。測定したはんだボー
ルのシェア強度の測定値を下記に示す〔表１〕に併せて
示した。
アルキルアミンとして用いたエチレンジアミン及び／又
はニッケル又はニッケル合金の還元剤として用いた亜硫
酸カリウムを下記の〔表１〕に示すように代えた他は、
実施例１と同様にしてはんだボールのシェア強度を測定
した。更に、実施例１と同様に、ボール状端子搭載パッ
ドに固着した各はんだボールに熱履歴を加えた後のはん
だボールのシェア強度も測定した。測定したはんだボー
ルのシェア強度の測定値を下記に示す〔表１〕に併せて
示した。
【表１】 〔表１〕から明らかな様に、実施例２〜８では、比較例
１〜３に比較して、はんだボール固着直後のはんだボー
ルのシェア強度が高く、しかも熱履歴後のはんだボール
シャア強度の低下が極めて低いことが判る。
１〜３に比較して、はんだボール固着直後のはんだボー
ルのシェア強度が高く、しかも熱履歴後のはんだボール
シャア強度の低下が極めて低いことが判る。
【００１５】実施例７ ＢＧＡ型半導体装置用の樹脂回路基板に形成された、銅
から成る導体パターンの全面に無電解ニッケルめっきに
よって厚さ５μｍのニッケル層を形成した。このニッケ
ル層の表面の電子顕微鏡写真（倍率５０００倍）を図２
に示す。次いで、導体パターンに形成されたランド径が
０．６ｍｍのボール状端子搭載パッドに形成されたニッ
ケル層の表面に、実施例６の置換型無電解金めっき液に
よって厚さ０．０６μｍの薄膜状の金めっき層を形成し
た。形成した薄膜状の金めっき層の電子顕微鏡写真（倍
率２００００倍）を図１（ａ）に示す。その後、形成し
た薄膜状の金めっき層を剥離液として「エンストリップ
Ａｕ７８」（メルテックス社製）を用いて剥離し、露出
したニッケル層の表面の電子顕微鏡写真（倍率５０００
倍）を図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）と図２との比較か
ら、実施例６の置換型無電解金めっき液を用いることに
よって、ニッケル層の表面を荒すことなく薄膜状の金め
っき層を形成できる。
から成る導体パターンの全面に無電解ニッケルめっきに
よって厚さ５μｍのニッケル層を形成した。このニッケ
ル層の表面の電子顕微鏡写真（倍率５０００倍）を図２
に示す。次いで、導体パターンに形成されたランド径が
０．６ｍｍのボール状端子搭載パッドに形成されたニッ
ケル層の表面に、実施例６の置換型無電解金めっき液に
よって厚さ０．０６μｍの薄膜状の金めっき層を形成し
た。形成した薄膜状の金めっき層の電子顕微鏡写真（倍
率２００００倍）を図１（ａ）に示す。その後、形成し
た薄膜状の金めっき層を剥離液として「エンストリップ
Ａｕ７８」（メルテックス社製）を用いて剥離し、露出
したニッケル層の表面の電子顕微鏡写真（倍率５０００
倍）を図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）と図２との比較か
ら、実施例６の置換型無電解金めっき液を用いることに
よって、ニッケル層の表面を荒すことなく薄膜状の金め
っき層を形成できる。
【００１６】これに対し、比較例１の置換型無電解金め
っき液を用いて形成した薄膜状の金めっき層の電子顕微
鏡写真（倍率２００００倍）を図３（ａ）に示す。図３
（ａ）と図１（ａ）との比較から、比較例１の置換型無
電解金めっき液を用いて形成した薄膜状の金めっき層で
は、実施例６の置換型無電解金めっき液を用いて形成し
た金めっき層に比較して、粗い結晶が生成されているこ
とが判る。また、比較例１の置換型無電解金めっき液を
用いて形成した薄膜状の金めっき層を剥離して露出した
ニッケル層の表面の電子顕微鏡写真（倍率２００００
倍）を図３（ｂ）に示す。図３（ｂ）と図１（ｂ）との
比較から、比較例１の置換型無電解金めっき液を用いる
ことによって、実施例６の置換型無電解金めっき液を用
いた場合に比較して、ニッケル層の表面を荒しているこ
とが判る。
っき液を用いて形成した薄膜状の金めっき層の電子顕微
鏡写真（倍率２００００倍）を図３（ａ）に示す。図３
（ａ）と図１（ａ）との比較から、比較例１の置換型無
電解金めっき液を用いて形成した薄膜状の金めっき層で
は、実施例６の置換型無電解金めっき液を用いて形成し
た金めっき層に比較して、粗い結晶が生成されているこ
とが判る。また、比較例１の置換型無電解金めっき液を
用いて形成した薄膜状の金めっき層を剥離して露出した
ニッケル層の表面の電子顕微鏡写真（倍率２００００
倍）を図３（ｂ）に示す。図３（ｂ）と図１（ｂ）との
比較から、比較例１の置換型無電解金めっき液を用いる
ことによって、実施例６の置換型無電解金めっき液を用
いた場合に比較して、ニッケル層の表面を荒しているこ
とが判る。
【００１７】実施例９ 実施例６及び比較例１によって形成したボール状端子搭
載パッドの表面層をオージェ（Ａｕｇｅｒ）分光法によ
って測定した結果を図４及び図５に示す。図４は実施例
６によって形成したボール状端子搭載パッドの表面層の
分析結果であり、図５は比較例１によって形成したボー
ル状端子搭載パッドの表面層の分析結果である。図４及
び図５において、横軸はボール状端子搭載パッドの表面
からの深さであり、縦軸はボール状端子搭載パッドの表
面からの所定深さに存在する金属量を示す。図４に示す
実施例６によって形成したボール状端子搭載パッドの表
面層では、薄膜状の金めっき層の表面にニッケルが存在
しないが、図５に示す比較例１によって形成したボール
状端子搭載パッドの表面層では、金めっき層の表面にニ
ッケルが存在している。このため、比較例１のボール状
端子搭載パッドのはんだ付け性は、実施例６のボール状
端子搭載パッドのはんだ付け性よりも劣る。
載パッドの表面層をオージェ（Ａｕｇｅｒ）分光法によ
って測定した結果を図４及び図５に示す。図４は実施例
６によって形成したボール状端子搭載パッドの表面層の
分析結果であり、図５は比較例１によって形成したボー
ル状端子搭載パッドの表面層の分析結果である。図４及
び図５において、横軸はボール状端子搭載パッドの表面
からの深さであり、縦軸はボール状端子搭載パッドの表
面からの所定深さに存在する金属量を示す。図４に示す
実施例６によって形成したボール状端子搭載パッドの表
面層では、薄膜状の金めっき層の表面にニッケルが存在
しないが、図５に示す比較例１によって形成したボール
状端子搭載パッドの表面層では、金めっき層の表面にニ
ッケルが存在している。このため、比較例１のボール状
端子搭載パッドのはんだ付け性は、実施例６のボール状
端子搭載パッドのはんだ付け性よりも劣る。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る置換型無電解金めっき液を
用いた無電解金めっきによって、ニッケル表面に薄膜状
の金めっき層を形成し、更にこの薄膜状の金めっき層の
所定個所に載置しリフローして固着したはんだボール
に、所定条件下で加熱（例えば２２０℃、４５秒間の加
熱）した後、直ちに室温に冷却する熱履歴を加えても、
熱履歴によって低下するはんだボールの固着強度（シェ
ア強度）は極めて小さい。このため、例えば、半導体装
置用の回路基板上に形成された導体パターンのボール状
端子搭載パッドに、本発明に係る置換型無電解金めっき
液を用いて薄膜状の金めっき層を形成すると、外部接続
端子としてのはんだボールをリフローによってボール状
端子搭載パッドに固着することによって、固着された外
部接続端子の耐熱性が良好な半導体装置を得ることがで
き、半導体装置の信頼性を向上できる。
用いた無電解金めっきによって、ニッケル表面に薄膜状
の金めっき層を形成し、更にこの薄膜状の金めっき層の
所定個所に載置しリフローして固着したはんだボール
に、所定条件下で加熱（例えば２２０℃、４５秒間の加
熱）した後、直ちに室温に冷却する熱履歴を加えても、
熱履歴によって低下するはんだボールの固着強度（シェ
ア強度）は極めて小さい。このため、例えば、半導体装
置用の回路基板上に形成された導体パターンのボール状
端子搭載パッドに、本発明に係る置換型無電解金めっき
液を用いて薄膜状の金めっき層を形成すると、外部接続
端子としてのはんだボールをリフローによってボール状
端子搭載パッドに固着することによって、固着された外
部接続端子の耐熱性が良好な半導体装置を得ることがで
き、半導体装置の信頼性を向上できる。
【図１】本発明に係る置換型無電解金めっき液を用いて
ニッケル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層の表面
の電子顕微鏡写真、及びこの薄膜状の金めっき層を剥離
して露出したニッケル層の表面の電子顕微鏡写真であ
る。
ニッケル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層の表面
の電子顕微鏡写真、及びこの薄膜状の金めっき層を剥離
して露出したニッケル層の表面の電子顕微鏡写真であ
る。
【図２】薄膜状の金めっき層を形成する前のニッケル層
表面の電子顕微鏡写真である。
表面の電子顕微鏡写真である。
【図３】従来の置換型無電解金めっき液を用いてニッケ
ル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層の表面の電子
顕微鏡写真、及びこの薄膜状の金めっき層を剥離して露
出したニッケル層の表面の電子顕微鏡写真である。
ル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層の表面の電子
顕微鏡写真、及びこの薄膜状の金めっき層を剥離して露
出したニッケル層の表面の電子顕微鏡写真である。
【図４】本発明に係る置換型無電解金めっき液を用いて
ニッケル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層を、オ
ージェ分光法によって測定した結果を示すグラフであ
る。
ニッケル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層を、オ
ージェ分光法によって測定した結果を示すグラフであ
る。
【図５】従来の置換型無電解金めっき液を用いてニッケ
ル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層を、オージェ
分光法によって測定した結果を示すグラフである。
ル層の表面に形成した薄膜状の金めっき層を、オージェ
分光法によって測定した結果を示すグラフである。
【図６】半導体装置の一例を説明するための断面図であ
る。
る。
【図７】半導体装置の外部接続端子として用いたはんだ
ボールの固着の状態を説明するための部分断面図であ
る。
ボールの固着の状態を説明するための部分断面図であ
る。
１０ 回路基板 １２ ボール状端子搭載パッド １４ はんだボール ２０ 半導体素子 ２２ 導体パターン ２４ ニッケル層 ２６ 金めっき層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年２月２日（２０００．２．２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】本発明に係る置換型無電解金めっき液は、
ニッケル又はニッケル合金の表面に無電解金めっきによ
って金めっき層を形成する際に使用される。この様に、
表面がニッケル又はニッケル合金によって形成された部
材としては、ニッケル又はニッケル合金によって形成さ
れた金属部材は勿論のこと、銅等の金属材の表面に無電
解めっき又は電解めっきによって、ニッケル又はニッケ
ル合金から成るニッケル層を形成した部材も含む。特
に、半導体素子又は半導体装置等を搭載する回路基板上
に形成された導体パターンに、本発明に係る置換型無電
解めっき液によって金めっき層を形成することによっ
て、後述するように導体パターンに固着された外部接続
端子としてのはんだボールの熱履歴に因る固着強度（シ
ェア強度）の低下を可及的に小さくでき、最終的に得ら
れる半導体装置の信頼性を向上できる。この導体パター
ンは、銅等によって形成された導体パターンの表面に、
電解めっき又は無電解めっきによってニッケル又はニッ
ケル合金から成るニッケル層が形成されているからであ
る。この様な、ニッケル又はニッケル合金の表面（ニッ
ケル表面）に本発明に係る置換型無電解金めっき液を用
いて無電解金めっきする際には、市販されている無電解
金めっき液と略同一条件を採用できる。但し、ニッケル
表面に形成する薄膜状の金めっき層は、通常、ニッケル
表面の酸化防止を主目的とするため、金めっき層の厚さ
は、略０．１μｍ以下である。このため、部材表面にニ
ッケル層が形成されている場合は、薄膜状の金めっき層
の厚さはニッケル層の厚さよりも薄い。
ニッケル又はニッケル合金の表面に無電解金めっきによ
って金めっき層を形成する際に使用される。この様に、
表面がニッケル又はニッケル合金によって形成された部
材としては、ニッケル又はニッケル合金によって形成さ
れた金属部材は勿論のこと、銅等の金属材の表面に無電
解めっき又は電解めっきによって、ニッケル又はニッケ
ル合金から成るニッケル層を形成した部材も含む。特
に、半導体素子又は半導体装置等を搭載する回路基板上
に形成された導体パターンに、本発明に係る置換型無電
解めっき液によって金めっき層を形成することによっ
て、後述するように導体パターンに固着された外部接続
端子としてのはんだボールの熱履歴に因る固着強度（シ
ェア強度）の低下を可及的に小さくでき、最終的に得ら
れる半導体装置の信頼性を向上できる。この導体パター
ンは、銅等によって形成された導体パターンの表面に、
電解めっき又は無電解めっきによってニッケル又はニッ
ケル合金から成るニッケル層が形成されているからであ
る。この様な、ニッケル又はニッケル合金の表面（ニッ
ケル表面）に本発明に係る置換型無電解金めっき液を用
いて無電解金めっきする際には、市販されている無電解
金めっき液と略同一条件を採用できる。但し、ニッケル
表面に形成する薄膜状の金めっき層は、通常、ニッケル
表面の酸化防止を主目的とするため、金めっき層の厚さ
は、略０．１μｍ以下である。このため、部材表面にニ
ッケル層が形成されている場合は、薄膜状の金めっき層
の厚さはニッケル層の厚さよりも薄い。
Claims (7)
- 【請求項１】 ニッケル又はニッケル合金の表面に無電
解金めっきを施す置換型無電解金めっき液において、 該置換型無電解金めっき液に、直鎖状のアルキルアミ
ン、ニッケル又はニッケル合金の還元剤、及び金源とし
てのシアン化金塩が配合されていることを特徴とする置
換型無電解金めっき液。 - 【請求項２】 直鎖状のアルキルアミンが、トリエチレ
ンテトラミン又はテトラエチレンペンタミンである請求
項１記載の置換型無電解金めっき液。 - 【請求項３】 還元剤が、次亜リン酸塩又はヒドラジン
化合物である請求項１又は請求項２記載の置換型無電解
金めっき液。 - 【請求項４】 ニッケル又はニッケル合金の表面に、置
換型無電解金めっき液を用いて無電解金めっきを施す際
に、 該置換型無電解金めっき液として、直鎖状のアルキルア
ミン、ニッケル又はニッケル合金の還元剤、及び金源と
してのシアン化金塩が配合されている置換型無電解金め
っき液を用いることを特徴とする無電解金めっき方法。 - 【請求項５】 直鎖状のアルキルアミンとして、トリエ
チレンテトラミン又はテトラエチレンペンタミンを用い
る請求項４記載の無電解金めっき方法。 - 【請求項６】 還元剤として、次亜リン酸塩又はヒドラ
ジン化合物を用いる請求項４又は請求項５記載の無電解
金めっき方法。 - 【請求項７】 無電解金めっきを施す部位を、電子部品
を搭載する回路基板に形成した導体パターンのニッケル
又はニッケル合金から成る表面とする請求項４〜６のい
ずれか一項記載の無電解金めっき方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP31869499A JP3466521B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 置換型無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
| US09/677,468 US6398856B1 (en) | 1999-10-04 | 2000-10-02 | Substitutional electroless gold plating solution, electroless gold plating method and semiconductor device |
| KR1020000057869A KR20010067278A (ko) | 1999-10-04 | 2000-10-02 | 치환형 무전해 금도금 용액, 무전해 금도금 방법 및반도체 장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31869499A JP3466521B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | 置換型無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001107259A true JP2001107259A (ja) | 2001-04-17 |
| JP3466521B2 JP3466521B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=18101976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100892301B1 (ko) | 2007-04-23 | 2009-04-08 | 한화석유화학 주식회사 | 환원 및 치환금도금 방법을 이용한 도전볼 제조 |
| KR101733119B1 (ko) * | 2014-08-25 | 2017-05-08 | 고지마 가가쿠 야쿠힌 가부시키가이샤 | 환원형 무전해 금도금액 및 그 도금액을 이용한 무전해 금도금 방법 |
| JP2017222891A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 上村工業株式会社 | 皮膜形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3482402B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2003-12-22 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 置換金メッキ液 |
| JP3892730B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2007-03-14 | 関東化学株式会社 | 無電解金めっき液 |
| AU2003301573A1 (en) | 2002-10-22 | 2004-05-13 | Nihon Koujundo Kagaku Co., Ltd. | Substitution type electroless gold plating bath |
| KR100720895B1 (ko) * | 2005-07-05 | 2007-05-22 | 제일모직주식회사 | 농도 구배를 갖는 이종(異種) 복합 금속층이 형성된 전도성미립자, 그 제조방법 및 이를 이용한 이방 전도성 접착제조성물 |
| CN102286736A (zh) * | 2011-08-29 | 2011-12-21 | 深圳市化讯应用材料有限公司 | 一种置换型化学镀金液 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6299477A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解金めつき液 |
| US4985076A (en) * | 1989-11-03 | 1991-01-15 | General Electric Company | Autocatalytic electroless gold plating composition |
| JP3148428B2 (ja) | 1992-11-13 | 2001-03-19 | 関東化学株式会社 | 無電解金めっき液 |
| DE69224914T2 (de) * | 1992-11-25 | 1998-10-22 | Kanto Kagaku | Stromloses goldbeschichtungsbad |
| JP3302512B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2002-07-15 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解金めっき液 |
| JP3331261B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2002-10-07 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解金めっき液 |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP31869499A patent/JP3466521B2/ja not_active Ceased
-
2000
- 2000-10-02 KR KR1020000057869A patent/KR20010067278A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-02 US US09/677,468 patent/US6398856B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-03 TW TW089120556A patent/TW589400B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339609A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP4674120B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-04-20 | 京セラＳｌｃテクノロジー株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
| KR100892301B1 (ko) | 2007-04-23 | 2009-04-08 | 한화석유화학 주식회사 | 환원 및 치환금도금 방법을 이용한 도전볼 제조 |
| KR101733119B1 (ko) * | 2014-08-25 | 2017-05-08 | 고지마 가가쿠 야쿠힌 가부시키가이샤 | 환원형 무전해 금도금액 및 그 도금액을 이용한 무전해 금도금 방법 |
| JP2017222891A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 上村工業株式会社 | 皮膜形成方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| TW589400B (en) | 2004-06-01 |
| US6398856B1 (en) | 2002-06-04 |
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|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |