JP2001100215A - 光配向液晶配向膜用組成物、光配向液晶配向膜、液晶挟持基板及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】本発明は、ラビング処理を行わずに配向機能が
得られ、耐熱性、信頼性に優れた光配向液晶配向膜用組
成物、前記光配向液晶配向膜を用いることにより、残像
現象の少ない高画質の画像が得られる液晶配向膜、液晶
挟持基板及び液晶挟持装置を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ） （式中、Ｗは４価の有機基を有し、Ｒは２価の有機基を
示す）で表わされる繰り返し単位を有し、かつ、その分
子の少なくとも片末端に、一般式（ＩＩ） （式中、Ｘは反応性炭素炭素不飽和二重結合を有する酸
無水物残基である）で表わされる基を含むポリイミドま
たはその前駆体を含有してなる光配向液晶配向膜用組成
物、光配向液晶配向膜、液晶挟持基板及び液晶表示装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶の配向を制御
する光配向液晶配向膜用組成物、光配向液晶配向膜、液
晶挟持基板及び液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置では、対向するそれ
ぞれの基板にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などからな
る透明電極を用いて、ツイスティドネマチック表示方式
に代表される表示方式を採用している。この透明電極上
には、液晶配向膜が設けられ、ポリイミド系液晶配向膜
（特開昭５５−１０１８０号公報、特開昭６３−２５９
５１５号公報等参照）が使用されている。これらは、基
板上に塗布したものを１８０〜３５０℃の範囲で乾燥、
脱水閉環させてポリイミド膜を形成し、ラビング処理を
行うことによって得られる。このラビング処理の場合、
静電気によるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の破壊による
表示不良やゴミの付着等によって発生する配向不良、な
どの問題点があるうえに、基板が大型化するにつれてラ
ビング時の過重を基板全体でコントロールすることが困
難となるため、面内が均一にラビングされない、といっ
た課題も発生してきた。

【０００３】一方、光を照射することにより、配向機能
を持たせる方法も報告されている。アゾベンゼンのフォ
トクロミックによって配向を制御する方法（Ｉｃｈｉｍ
ｕｒａ．Ｋ ， Ｌａｎｇｍｕｉｒ ，４，１２１４，
１９９８参照）が提案されているが、耐熱性、信頼性に
問題がある。一方、感光性高分子などの光重合による配
向（特開平１０−３２５９５７号公報参照）も提案され
ているが、光分解した物質が配向膜表面に吸着され、液
晶に対して悪影響を及ぼす可能性がある。またポリイミ
ド膜に光を照射し、配向させる方法（米国特許第５３１
７０８２号明細書参照）も提案されているが、高画質の
液晶表示装置を提供するものに関しては何ら言及されて
いない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
欠点を解決し、ラビング処理を行わずに配向機能が得ら
れ、耐熱性、信頼性に優れた光配向液晶配向膜用組成物
を提供するものである。また本発明は、前記光配向液晶
配向膜を用いることにより、残像現象の少ない高画質の
画像が得られる液晶配向膜、液晶挟持基板及び液晶挟持
装置を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、以下の手段を
用いるものである。すなわち、 （１） 一般式（Ｉ）

【化５】 （式中、Ｗは４価の有機基を有し、Ｒは２価の有機基を
示す）で表わされる繰り返し単位を有し、かつ、その分
子の少なくとも片末端に、一般式（ＩＩ）

【化６】 （式中、Ｘは反応性炭素炭素不飽和二重結合を有する酸
無水物残基である）で表わされる基を含むポリイミドま
たはその前駆体を含有してなる光配向液晶配向膜用組成
物。

【０００６】（２） 一般式（ＩＩ）で表される基が、

【化７】 から選択されるものである前記（１）記載の光配向液晶
配向膜用組成物。

【０００７】（３） 一般式（Ｉ）で表わされる繰り返
し単位を含むポリイミドまたはその前駆体が、Ｒの少な
くとも一部として、一般式（ＩＩＩ）

【化８】 （Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３及びＲ^４は、相互独立的に−Ｈ、−
ＣＨ_３及び−ＣＨ_２ＣＨ_３から選択される）で示される
２価の有機基を有するものである前記（１）又は（２）
記載の光配向液晶配向膜用組成物。

【０００８】（４） 一般式（Ｉ）で表わされる繰り返
し単位を含むポリイミドまたはその前駆体が、Ｗで示さ
れる４価の有機基の少なくとも一部として３，３'，
４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物残
基を含む前記（１）、（２）又は（３）記載の光配向液
晶配向膜用組成物。 （５） 一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を含む
ポリイミドまたはその前駆体が、Ｗで示される４価の有
機基として３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物残基を、全繰り返し単位の３０モル％
以上含むものである前記（４）記載の光配向液晶配向膜
用組成物。

【０００９】（６） 前記（１）〜（５）の何れかに記
載の光配向液晶配向膜用組成物を用いて得られる、ポリ
イミド層に光照射により配向機能をもたせてなる光配向
液晶配向膜。 （７） 前記（６）記載の光配向液晶配向膜を有してな
る液晶挟持基板。 （８） 前記（７）記載の光配向液晶配向膜を有してな
る液晶表示装置。

【００１０】

【発明の実態の形態】本発明の光配向液晶配向膜用組成
物は、前記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有す
るポリイミド又はポリイミド前駆体を含むものである。
ポリイミド前駆体はテトラカルボン酸二無水物とジアミ
ン化合物を好ましくは１００℃以下、より好ましくは０
〜８０℃で反応させて得られ、主にポリアミド酸の繰り
返し単位からなるが、一部イミド化していてもよく、ポ
リアミド酸とポリイミドの混合物であってもよい。ポリ
イミドは、前記ポリアミド酸をイミド閉環することによ
り得ることができる。

【００１１】本発明において用いられるポリイミド又は
ポリイミド前駆体は、反応性炭素炭素不飽和二重結合を
有する酸無水物残基を分子の少なくとも片末端に配置す
ることによって、この部位が光二量化反応で光配向する
ので、少ない光照射量でも良好な表示特性を示すことが
可能となるものである。このときに前記残基を含ませる
ために用いられる反応性炭素炭素不飽和二重結合を有す
る酸無水物としては、次式で示す残基を与えるもの、

【化９】 即ち、無水マレイン酸、５−ノルボルネン−２，３―カ
ルボン酸無水物、４−シクロヘキセン−１，２−ジカル
ボン酸無水物、無水イタコン酸が好ましいものとして挙
げられる。ポリイミド又はポリイミド前駆体の製造にお
いて、これらの酸無水物の使用量は、ジアミン成分１０
０モル％に対して１０〜５０モル％とすることが好まし
い。５０モル％を超えて配合すると十分なポリマー分子
量が得られないことから、良好な塗布性や成膜性が得ら
れないことや電圧保持率の低下の恐れがある。

【００１２】一般式（Ｉ）において、Ｗで示される４価
の有機基は、一般に、原料として使用されるテトラカル
ボン酸二無水物の、２つの酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
Ｏ−）を除いた基であり、Ｒで示される２価の有機基
は、一般に、原料として使用されるジアミン化合物の２
つのアミノ基（−ＮＨ_２）を除いた基である。本発明で
用いるポリイミド及びポリイミド前駆体は光配向液晶配
向膜用組成物の溶剤に可溶性であることが好ましい。

【００１３】本発明に用いられる、Ｒで表わされる残基
を与えるジアミン化合物としては、前記一般式（ＩＩ
Ｉ）で示される残基を与えるものを使用することが好ま
しい。これらのジアミン化合物を使用することにより、
光照射時に遷移状態への形成速度が増大するので、光反
応性が増加し、ポリイミドの光配向性に優れる。前記一
般式（ＩＩＩ）で示されるジアミン残基の割合は、全ジ
アミン残基の２０モル％以上（即ち、一般式（Ｉ）にお
いて、前記ジアミン残基Ｒを有する繰り返し単位が、全
繰り返し単位の２０モル％以上）とすることが好まし
い。即ち、ジアミン化合物として、前記一般式（ＩＩ
Ｉ）で示される残基を与えるジアミン化合物を全ジアミ
ン化合物の２０モル％以上使用することが好ましく、５
０〜１００モル％とすることがより好ましい。この量
が、２０モル未満であると良好な光配向性が得られにく
い傾向がある。

【００１４】前記一般式（ＩＩＩ）で示される残基を与
えるジアミン化合物としては、２，３，５，６−テトラ
メチル−１，４−フェニレンジアミン、２，３，５，６
−テトラエチル−１，４−フェニレンジアミン、２，
５，−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、２，
５，−ジメチル−１，３−フェニレンジアミン、２，
５，−ジエチル−１，４−フェニレンジアミン、２，
５，−ジエチル−１，３−フェニレンジアミン、１，４
−フェニレンジアミン、２，４，６−トリメチル−１，
３−フェニレンジアミン、２，４，６−トリエチル−
１，３−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジア
ミン、３，３'，５，５'−テトラメチルベンジジン、
３，３'，５，５'−テトラエチルベンジジン、ベンジジ
ンなどが挙げられ、これらは、単独でまたは２種以上を
組み合わせて用いられる。

【００１５】さらに本発明で用いることができるジアミ
ン化合物としては、ｏ−フェニレンジアミン、イソフタ
ロジルジヒドラジド、テレフタロジルジヒドラジド、
４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
３’−ジアミノジフェニルスルフィド、ビス（４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィ
ド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ス
ルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジ
アミノジフェニルエーテル、２，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
２，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジア
ミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニル
メタン、，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ヘキサフルオロプロパン、１，６−ヘキサメチレ
ンジアミン、１，８−オクタメチレンジアミン、１，１
０−デカメチレンジアミン、１，１２−ドデカメチレン
ジアミン、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒ
ドラジド、２，６−ナフトエ酸ジヒドラジド、２，４’
−ジアミノ−３−メチル−ステアリルフェニルエーテ
ル、２，４’−ジアミノ−３−メチル−ラウリルフェニ
ルエーテル、２，４’−ジアミノ−３−メチル−パルミ
チルフェニルエーテル、２，４’−ジアミノ−１−オク
チルオキシベンゼン、２，２−ビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル）オクタン、２，２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）トリデカン、２，
２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ペ
ンタデカン、ビス（４−（４−アミノベンゾイルオキ
シ）安息香酸）オクタン、ビス（４−（４−アミノベン
ゾイルオキシ）安息香酸）デカン、ビス（４−（４−ア
ミノベンゾイルオキシ）安息香酸）ドデカン、ビス（４
−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸）メチルシ
クロヘキサン、ビス（４−（４−アミノベンゾイルオキ
シ）安息香酸）メタン、ビス（４−（３−アミノベンゾ
イルオキシ）安息香酸）ブタン、ジアミノシロキサン、
１，３−ジ（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサンなどが挙げられ、これらは２
種以上を併用してもよい。

【００１６】本発明で使用する前記一般式（Ｉ）で示さ
れる繰り返し単位を有するポリイミド又はその前駆体に
おいて、Ｗで示される４価の有機基、即ちテトラカルボ
ン酸の残基、の少なくとも一部として、３，３'，４，
４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物残基を
有すると、光配向性の向上に良好な特性を示すので好ま
しい。この基の割合は、全テトラカルボン酸残基の３０
モル％以上（即ち、一般式（Ｉ）において、前記テトラ
カルボン酸残基Ｗを有する繰り返し単位が、全繰り返し
単位の３０モル％以上）であることが好ましい。これが
３０モル％未満であると、光配向性が低下する傾向にあ
る。良好な光配向性を得るためには５０〜１００モル％
であることがより好ましい。なお、この残基の量の調整
は、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物の全テトラカルボン酸二無水物に対する割合
を調製することにより行うことができる。

【００１７】その他、本発明に用いられる、Ｗで示され
る４価の有機基を与えるテトラカルボン酸二無水物とし
ては、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，４，５−ペンタンテトラカルボン酸二無水
物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラ
カルボン酸二無水物、ビシクロ（２，２，２）オクタ−
７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒ
ドロ−１−ナフタレンコハク酸二無水物、ピロメリット
酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルエ
ーテルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，
４−ジカルボキシルフェニル）ヘキサフルオロプロパン
酸二無水物、オクチルコハク酸二無水物、ドデシルコハ
ク酸二無水物、オクチルマロン酸二無水物、メチレン−
１，２−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−
５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、プロピレン−
１，３−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−
５−イソベンゾフラニル）ジエーテル、ブタン−１，４
−ビス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イ
ソベンゾフラニル）ジエーテル、ヘキサン−１，６−ビ
ス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベ
ンゾフラニル）ジエーテル、オクタン−１，８−ビス
（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベン
ゾフラニル）ジエーテル、デカン−１，１０−ビス
（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベン
ゾフラニル）ジエーテル、ドデカン−１，１２−ビス
（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベン
ゾフラニル）ジエーテル、ヘキサデカン−１，１６−ビ
ス（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベ
ンゾフラニル）ジエーテル、イコサン−１，２０−ビス
（１，３−ジヒドロ−１，３−ジオキソ−５−イソベン
ゾフラニル）ジエーテル、１，３−シクロヘキサンビス
トリメリテート酸二無水物、１，４−シクロヘキサンビ
ストリメリテート酸二無水物、１，２−シクロヘキサン
ビストリメリテート酸二無水物などが挙げられ、単独ま
たは２種類以上を併用して使用することができる。

【００１８】本発明においては、上記のジアミン化合物
のモル数の総和１．０に対して、テトラカルボン酸二無
水物のモル数の総和を０．８〜１．２の範囲にして反応
させることが好ましく、０．９〜１．１にして反応させ
ることがより好ましい。また、末端に前記一般式（Ｉ
Ｉ）を形成する酸無水物は、ジアミン化合物のモル数の
総和１．０に対して０．１〜０．５の範囲とすることが
好ましい。

【００１９】本発明のポリイミド又はその前駆体を合成
するにあたり、一般に不活性溶媒が用いられる。不活性
溶媒としては、前記の単量体の全てを溶解する必要はな
いが、生成するポリアミド酸を溶解するものが好まし
く、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、γ−カプロ
ラクトン、γ−バレロラクトン、ジメチルスルホキシ
ド、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチ
ル−プロピオンアミドなどが挙げられ、これらは２種以
上を併用してもよい。

【００２０】得られたポリアミド酸ワニスは、必要に応
じて、ポリイミドワニスとすることができる。これは、
脱水閉環反応によって行うことができる。脱水閉環反応
は、（イ）ポリアミド酸を加熱する方法、（ロ）ポリア
ミド酸に脱水剤及び脱水閉環触媒を添加し必要に応じて
加熱する方法などにより行われる。

【００２１】（イ）の加熱によって得る方法では、反応
温度を通常１００〜２００℃とされ、好ましくは１３０
〜１７０℃にされる。反応温度が１００℃未満では脱水
閉環反応が十分に進行せず、反応温度が２００℃を越え
ると熱イミド化と同時に分子量の低下がみられる。 （ロ）の方法において、脱水剤としては、例えば無水酢
酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸
無水物を用いることができる。脱水剤の使用量はポリア
ミド酸の繰り返し単位１モルに対して１〜２０モルとす
るのが好ましい。

【００２２】また脱水閉環触媒としては、例えばピリジ
ン、トリエチルアミン、コリジン、ルチジンなどの３級
アミンを用いることができる。脱水閉環触媒の使用量と
しては、脱水剤１モルに対して０．５〜１０モルとする
のが好ましい。なお、脱水閉環反応に用いられる有機溶
媒としては、ポリアミド酸の合成に用いられる有機溶媒
を挙げることができる。そして脱水閉環反応の反応温度
は通常０〜１８０℃、好ましくは５０〜１５０℃とされ
る。この時ポリイミドの他に、「ポリイミド前駆体」の
一つである「ポリイソイミド」が生成される場合があ
る。

【００２３】脱水閉環反応後のワニスは、大量の貧溶媒
中に注いで析出物を得、この析出物を洗浄後、減圧下乾
燥することによってポリイミドを得ることができる。ま
たこのポリイミドを再度有機溶媒に溶解させてポリイミ
ドワニスができる。この時の貧溶媒としては、水、メチ
ルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、１，４−ブタンジオール、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレング
リコールエチルエーテル、エチレングリコール−ｎ−プ
ロピルエーテル、エチレングリコール−ｎ−ブチルエー
テル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、
エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレ
ングリコールプロピルエーテルアセテート、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
テトラヒドロフラン、１，２−ジクロロエタン、１，４
−ジクロロブタン、トリクロロエタンなどを挙げること
ができる。これらは１種もしくは２種以上を組み合わせ
て用いられる。

【００２４】また、被印刷体への濡れ性を良くするため
の溶媒を、反応前または反応終了後に添加することもで
きる。これらの溶媒としては例えば、エチルセロソロ
ブ、エチルセロソロブアセテート、ブチルセロソロブ、
ブチルセロソロブアセテート、キシレン、トルエン、１
−エトキシ−２−アセトキシプロパン、ジイソブチルケ
トン、メチル−ｎ−ヘキシルケトンなどが挙げられる。

【００２５】ワニスとして使用される際のポリイミド又
はその前駆体のワニス中の濃度は、１〜２０重量％の範
囲とされることが好ましく、３〜１５重量％の範囲とさ
れることがより好ましい。濃度が１重量％未満である場
合には、塗布後の膜厚が薄くなってしまい、良好な膜が
得られない場合があり、２０重量％を越える場合には、
粘度が高くなってしまうため塗布特性が劣る傾向にあ
る。

【００２６】本発明の光配向液晶配向膜用組成物は、ガ
ラス基板との密着性を向上させるために、シランカップ
リング剤、チタンカップリング剤等のカップリング剤を
添加することができる。上記シランカップリング剤とし
ては例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
ブトキシシラン、γ−アミノエチルトリエトキシシラ
ン、γ−アミノエチルトリメトキシシラン、γ−アミノ
エチルトリプロポキシシラン、γ−アミノエチルトリブ
トキシシラン、γ−アミノブチルトリエトキシシラン、
γ−アミノブチルトリメトキシシラン、γ−アミノブチ
ルトリプロポキシシラン、γ−アミノブチルトリブトキ
シシランなどが挙げられ、また上記チタンカップリング
剤としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシ
チタン、γ−アミノプロピルトリメトキシチタン、γ−
アミノプロピルトリプロポキシチタン、γ−アミノプロ
ピルトリブトキシチタン、γ−アミノエチルトリエトキ
シチタン、γ−アミノエチルトリメトキシチタン、γ−
アミノエチルトリプロポキシチタン、γ−アミノエチル
トリブトキシチタン、γ−アミノブチルトリエトキシチ
タン、γ−アミノブチルトリメトキシチタン、γ−アミ
ノブチルトリプロポキシチタン、γ−アミノブチルトリ
ブトキシチタンなどが挙げられる。これらは２種以上を
併用してもよい。このときの使用量は、ポリイミド又は
その前駆体１００重量部（樹脂分）に対して、０．５〜
５重量部が好ましい。

【００２７】本発明の光配向液晶配向膜用組成物は光配
向液晶配向膜として使用されるが、その他、例えば、半
導体用絶縁膜、液晶用カラーフィルタ保護膜としての適
用も可能である。本発明の光配向液晶配向膜用組成物を
用いて光配向液晶配向膜を製造する方法（即ち、ポリイ
ミド膜形成方法）としては、スピン塗布法、浸漬法、印
刷法、吹き付け法などが挙げられるが、フォトリソグラ
フィー工程がなくパターニング形成が容易な印刷法によ
るポリイミド膜形成が好ましく、ワニスを保持しやすく
被印刷体への転写量も多いフレキソ印刷機による樹脂膜
製造がさらに好ましい。このとき用いられる被印刷体と
してはガラス基板、プラスチック基板、シリコンウエハ
などが挙げられる。

【００２８】本発明の光配向液晶配向膜用組成物がポリ
イミド前駆体を含む場合は、加熱乾燥、脱水閉環してポ
リイミド膜を形成する。その加熱温度としては１００〜
４００℃が好ましく、１２０〜２３０℃がより好まし
く、１５０〜２００℃がさらに好ましい。また加熱時間
は通常１分〜６時間、好ましくは１分〜３時間とされ
る。形成されるポリイミド膜の膜厚は、通常０．０１〜
３μｍであり、好ましくは０．０５〜１μｍである。

【００２９】本発明の光配向液晶配向膜用組成物は、ポ
リマ末端に光二量化反応が可能な炭素炭素不飽和二重結
合を有する酸無水物残基を配置することで、光配向性が
向上され、より少ない照射量で良好な表示特性を示すも
のである。この光二量化によって発生した四員環は芳香
環でないため、直流電荷が膜表面に吸着しにくく、その
ため残留直流電圧は低下し、残像現象を改良することが
できる。

【００３０】また、ポリイミド膜にカルボニル基を有す
る場合、光照射によりカルボニル基が開裂、ラジカルを
発生させ分子間結合を発生することによって、良好な光
配向が生じる。また、同時にラジカルの発生のため、液
晶中の直流電荷が配向膜表面との吸着しやすくなる。

【００３１】加えてこのラビング時の静電気やゴミの付
着等によって発生する配向不良、表示不良や基板が大型
化するにつれてラビング時の過重を基板全体でコントロ
ールすることが困難となるため、面内が均一にラビング
されない、といった課題についても改善することができ
る。

【００３２】本発明において、光照射の方法としては、
特に制限されないが、例えば、図１に示すように、基板
４上に形成された光配向液晶配向膜３に、光源１から発
せられた光を偏光フィルム２を通して偏光で照射するこ
とができる。これにより、光配向が生じる。このとき使
用される光源１としては、紫外線、紫外パルスレーザ、
エキシマレーザ、電子線などが挙げられる。また、この
とき、ステージ５の傾斜角６の角度を変えることで、液
晶の配向性やプレチルト角を制御することができる。ま
た偏光の入射角を変えて２回以上照射してもよい。

【００３３】本発明において、液晶狭持基板の構造や製
造法に特に制限はない。例えば、ＴＦＴ液晶表示装置用
の液晶狭持基板として、カラーフィルタ側のものは、よ
く研磨したガラス基板上にブラックマトリクスを作成し
た後、ストライプ状などの、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラー
フィルタを備え、ついで、そのカラーフィルタに対し
て、カラーフィルタ保護膜で表面を平坦化した後、透明
電極を形成し、最後に本発明の液晶配向膜を形成し、光
照射を行い、液晶配向能を付与した液晶狭持基板とする
ことができる。一方、ＴＦＴ側のものは、研磨したガラ
ス基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜を形成し、さらに
アモルファスシリコン、ドレイン電極、ソース電極の成
膜により、ＴＦＴを形成し、その後、無機絶縁膜、透明
電極を形成し、最後に本発明の液晶配向膜を形成した
後、光照射を行い、液晶配向能を付与して液晶狭持基板
とすることができる。

【００３４】本発明の液晶表示装置としては、前記液晶
配向膜を有すること以外特に制限されない。液晶表示装
置の構造としては、（１）表示画素、ＴＦＴ及び電極群
が基板上に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁
層を介して形成されており、前記基板により液晶層が挟
持され、前記液晶層の光学特性を変化させる偏向特性を
変化させる偏向手段を備えた液晶表示装置において、前
記液晶配向膜が前記液晶配向膜用組成物で形成されてい
る液晶表示装置、（２）画素電極が走査信号電極、映像
信号電極、画素電極、共通電極及びＴＦＴにより基板上
に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁層を介し
て配置され、前記基板により液晶層が挟持され、前記電
極群には前記液晶層に対し前記基板面と概ね平行な電界
を印加するように構成され、前記電極群は前記液晶層の
光学特性を変化させる偏向特性を変化させる偏向手段を
備えた液晶表示装置において、前記液晶配向膜が前記液
晶配向膜用組成物で形成されている液晶表示装置、など
が挙げられる。一例として、図３に、ＴＦＴ液晶表示装
置の例の模式図を示す。

【００３５】

【実施例】以下、本発明の実施の形態につき、実施例に
より詳細に説明する。 ［合成例１］温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管
を備えた４つ口セパラブルフラスコに、２，４，５，６
−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン１６．４
１４ｇ（０．１モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン１
８７．６ｇ中に溶解させ、これに３，３'，４，４'−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２９．０ｇ
（０．０９モル）を加え、室温中１５分間攪拌して反応
させた後、無水マレイン酸１．４７１ｇ（０．０１５モ
ル）を加え、少なくとも片末端に無水マレイン酸残基を
有する、濃度が２０重量％のポリアミド酸ワニスを得
た。粘度はＥ型粘度計（２５℃）において８０００ｍＰ
ａ・ｓであった。

【００３６】得られたポリアミド酸ワニスに無水酢酸３
０．８ｇ、ピリジン１２．６ｇを加え、５０℃で３時間
攪拌した。得られたポリイミドは、イオン交換水中に再
沈させた後、ろ過及びメチルアルコールで洗浄した後、
６０℃で減圧乾燥をした。ポリイミド樹脂の２重量％の
γ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加したの
ち、５重量％のポリイミドワニスとなるようにγ―ブチ
ロラクトン溶媒に再溶解させた。得られたポリイミドワ
ニスＡの粘度はＥ型粘度計（２５℃）において２５ｍＰ
ａ・ｓであった。

【００３７】［合成例２］温度計、攪拌装置、冷却管及
び窒素導入管を備えた４つ口セパラブルフラスコに、
２，４，６−トリメチル−１，３−フェニレンジアミン
１５．０１２ｇ（０．１モル）をＮ−メチル−２−ピロ
リドン１８６．０ｇ中に溶解させ、これに３，３'，
４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２
７．３８９ｇ（０．０８５モル）を加え、室温中５分間
攪拌して反応させた後、５−ノルボルネン−２，３−ジ
カルボン酸無水物４．１０４ｇ（０．０２５モル）を加
え、少なくとも片末端に５−ノルボルネン−２，３−ジ
カルボン酸残基を有する、濃度が２０重量％のポリアミ
ド酸ワニスを得た。得られたポリアミド酸ワニスの粘度
は５４００ｍＰａ・ｓであった。

【００３８】得られたポリアミド酸ワニスに無水酢酸３
０．８ｇ、ピリジン１２．６ｇを加え、５０℃で３時間
攪拌した。得られたポリイミドは、合成例１と同様な方
法で６重量％のポリイミドワニスとなるようにγ−ブチ
ロラクトンに再溶解させた。得られたポリイミドワニス
Ｂの粘度はＥ型粘度計（２５℃）において２３ｍＰａ・
ｓであった。

【００３９】［合成例３］温度計、攪拌装置、冷却管及
び窒素導入管を備えた４つ口セパラブルフラスコに、
２，４，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジ
アミン１６．４１４ｇ（０．１モル）をＮ−メチル−２
−ピロリドン１３８．３ｇ中に溶解させ、これに３，
３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物２５．７７７ｇ（０．０８モル）、室温中５分間攪拌
して反応させた後、無水マレイン酸３．９２２ｇ（０．
０４モル）を加え、少なくとも片末端に無水マレイン酸
残基を有する、濃度が２０重量％のポリアミド酸ワニス
を得た。得られたポリアミド酸ワニスの粘度は２６００
ｍＰａ・ｓであった。得られたポリアミド酸ワニスに無
水酢酸３０．８ｇ、ピリジン１２．６ｇを加え、５０℃
で３時間攪拌した。得られたポリイミドは、合成例１と
同様な方法で６重量％のポリイミドワニスとなるように
γ−ブチロラクトンに再溶解させた。得られたポリイミ
ドワニスＣの粘度は１１ｍＰａ・ｓであった。

【００４０】［合成例４］温度計、攪拌装置、冷却管及
び窒素導入管を備えた４つ口セパラブルフラスコに、
２，４，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジ
アミン８．２０７ｇ（０．０２モル）及び４，４'−ジ
アミノジフェニルエーテル１０．０１２ｇ（０．０８モ
ル）をＮ−メチル−２−ピロリドン１４７．６ｇ中に溶
解させ、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水
物４．１０４ｇ（０．０３モル）を加え、室温中１０分
間攪拌して反応させた後、これに３，３'，４，４'−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３０．６１１ｇ
（０．０３モル）、３，３’，４，４’−ビスシクロヘ
キサンテトラカルボン酸二無水物１５．３１６ｇ（０．
０５モル）を加え、室温中８時間攪拌して反応させ、少
なくとも片末端に３，３’，４，４’−ビスシクロヘキ
サンテトラカルボン酸残基を有する、濃度が２０重量％
のポリアミド酸ワニスを得た。得られたポリアミド酸ワ
ニスの粘度は５０００ｍＰａ・ｓであった。

【００４１】得られたポリアミド酸ワニスに無水酢酸３
０．８ｇ、ピリジン１２．６ｇを加え、５０℃で３時間
攪拌した。得られたポリイミドは、合成例１と同様な方
法で６重量％のポリイミドワニスとなるようにＮ−メチ
ル−２−ピロリドン／ブチルセロソルブ＝８５／１５
（重量比）混合溶媒に再溶解させた。得られたポリイミ
ドワニスＤの粘度は２０ｍＰａ・ｓであった。

【００４２】［比較合成例１］温度計、攪拌装置、冷却
管及び窒素導入管を備えた４つ口セパラブルフラスコ
に、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル２０．０２
４ｇ（０．１モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン１５
１．９ｇ中に溶解させ、これにオキシジフタル酸二無水
物３１．０２２ｇ（０．１モル）、室温中８時間反応さ
せた後、粘度調整を行い、濃度が２０重量％のポリアミ
ド酸ワニスを得た。得られたポリアミド酸ワニスＥの粘
度は１０Ｐａ・ｓであった。

【００４３】得られたポリアミド酸ワニスに無水酢酸３
０．８ｇ、ピリジン１２．６ｇを加え、５０℃で３時間
攪拌した。得られたポリイミドは、合成例１と同様な方
法で４重量％のポリイミドワニスとなるようにγ―ブチ
ロラクトンに再溶解させた。得られたポリイミドワニス
Ｅ粘度は２５ｍＰａ・ｓであった。

【００４４】［実施例１］合成例１で得られたワニスＡ
をＩＴＯ電極が形成されているガラス基板にスピン塗布
をして、８０℃２分間、２００℃３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．１μｍのポリイミド膜を得た。図１にしめ
す光配向液晶配向膜用組成物に対する光照射方法に従っ
て、光照射した。光配向液晶配向膜用組成物３を塗布し
た基板４を傾斜角１５度に配置し、ｚ軸方向からは偏光
フィルム２、 ＨＮＰ'Ｂ ＰＬＡＳＴＩＣ （ポラ
ロイド社製商品名）を使用して、低圧水銀ランプ（光源
１）を照射した。中心波長２５４ｎｍの偏光ＵＶを１Ｊ
／ｃｍ^２照射し、ポリイミド膜に配向機能を持たせた。
このように作製した２枚の基板をポリイミドの配向方向
が９０度になるように組み合わせて、周りを熱硬化性接
着剤樹脂ストラクトボントＸＮ−２１−Ｓ（三井化学
（株）製商品名）で封止し、１５０℃１時間加熱硬化し
た。セルギャップはポリマビーズを基板間に分散させ、
液晶封入状態で４μｍとした。この基板間に、ネマチッ
ク液晶ＺＬＩ−２０４２（メルク社製商品名）を真空含
浸法で注入した。液晶の相転移温度以上である１１０℃
２０分間でアイソトロピック処理を行いツイスティドネ
マチック液晶表示素子（以降ＴＮセルと省略する）を形
成した。その後２枚の偏光板Ｇ１２２０ＤＵ（日東電工
（株）製商品名）でパネルを挟み一方の偏光板の偏光透
過軸を液晶配向方向に平行とし、他方をそれと直交とし
てノーマリクローズ特性を得た。このようにして得た液
晶表示素子に電圧を加えて偏光顕微鏡で液晶配向状態を
観察したが、良好であった。また電圧保持率はソース信
号の周波数３０Ｈｚ、振幅６Ｖ、オフセット０Ｖで、１
６．５ｍｓの矩形波、ゲート信号はパルス幅３５μｓと
して評価した。２５℃の電圧保持率は、９８．４％の値
を示した。

【００４５】残留直流電圧はフリッカ消去法により測定
した。液晶表示素子に交流電圧として振幅１．５Ｖ、周
波数３０Ｈｚの方形波及びオフセット電圧１Ｖを３０分
間印加し、オフセット電圧を０Ｖにした直後に、フリッ
カを最小とする直流オフセット電圧を測定し、この値を
残留直流電圧とした。２５℃の残留直流電圧は、０．０
４Ｖを示した。

【００４６】また、光配向させたポリイミドの配向方向
が１８０度になるように基板を組み合わせて、周りを封
止した。なおセルギャップはポリエチレンテレフタレー
トフィルムを基板間に介在させ、液晶封入状態で２５μ
ｍとし、１１０℃２０分間でアイソトロピック処理を行
い、プレチルト角評価用液晶表示素子（以降アンチパラ
レルセルと省略する）とした。クリスタルローテーショ
ン法によってプレチルト角を評価したところ、０．８度
であった。ＵＶ照射量、配向性、電圧保持率、残留直流
電圧、プレチルト角の結果は、まとめて表１に示す。

【００４７】［実施例２］合成例２で得られたワニスＢ
をＩＴＯ電極が形成されているガラス基板にスピン塗布
をして、８０℃２分間、２００℃３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．１μｍのポリイミド膜を得た。実施例１と
同様にＴＮセル及びアンチパラレルセルを作製した。Ｕ
Ｖ照射量、配向性、電圧保持率、残留直流電圧、プレチ
ルト角の結果は、まとめて表１に示す。

【００４８】［実施例３］合成例３で得られたワニスＣ
をＩＴＯ電極が形成されているガラス基板にスピン塗布
をして、８０℃２分間、２００℃３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．１μｍのポリイミド膜を得た。実施例１と
同様にＴＮセル及びアンチパラレルセルを作製した。Ｕ
Ｖ照射量、配向性、電圧保持率、残留直流電圧、プレチ
ルト角の結果は、まとめて表１に示す。

【００４９】［実施例４］合成例４で得られたワニスＤ
をＩＴＯ電極が形成されているガラス基板にスピン塗布
をして、８０℃２分間、２００℃３０分間加熱処理をし
て、膜厚０．１μｍのポリイミド膜を得た。実施例１と
同様にＴＮセル及びアンチパラレルセルを作製した。Ｕ
Ｖ照射量、配向性、電圧保持率、残留直流電圧、プレチ
ルト角の結果は、まとめて表１に示す。

【００５０】［比較例１］比較合成例１で得られたワニ
スＥをＩＴＯ電極が形成されているガラス基板にスピン
塗布をして、８０℃２分間、２００℃３０分間加熱処理
をして、膜厚０．１μｍのポリイミド膜を得た。実施例
１と同様にＴＮセル及びアンチパラレルセルを作製し
た。ＵＶ照射量、配向性、電圧保持率、残留直流電圧、
プレチルト角の結果は、まとめて表１に示す。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１に示した通り、ジアミン成分１００モ
ル％に対して、酸無水物成分が１０〜５０モル％の範囲
では、特に良好な配向機能、電圧保持率、残量直流電圧
が得られた。

【００５３】［実施例５］図２は本発明の横電界ＴＦＴ
液晶表示装置の単位画素の説明図である。（１）は正面
図、（２）は（１）のａ−ａ’断面図、（３）は（１）
のｂ−ｂ’断面図である。よく研磨したガラス基板４上
にゲート絶縁膜８となるＳｉＮが形成され、さらにその
うえに、共通電極７、画素電極１０、映像信号電極９、
アモルファスシリコン１１が形成され、さらに本発明に
拘わる光配向用液晶配向膜３を順次形成して、いづれも
ストライプ状の共通電極と平行で走査信号電極１４と交
差するような構造とし、ＴＦＴ １３と金属電極群を形
成して、一方の横電界ＴＦＴ基板が形成される。基板上
の電極はいづれもアルミニウムからなるが電気抵抗の少
ないものであれば、特に材料の制約はなく、クロム、銅
などでもよい。画素数は４０（×３）×３０で、画素ピ
ッチは横方向（すなわち共通電極間）は８０μｍ、縦方
向（すなわち走査信号電極１４間）は２４０μｍであ
る。ここで共通電極の幅は１２μｍであり、隣接する共
通電極７の間隙の６８μｍよりも狭くし、高い開口率を
確保した。なお電極の高さは０．２μｍとした。なお無
機絶縁膜１２は膜厚０．１μｍ確保した。

【００５４】他方の基板には、遮光層としてカーボン微
粒子を混合したエポキシ樹脂を用い、ストライプ状の
Ｒ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフィルターを備えた。カラーフ
ィルタ上には表面を平坦化するための透明樹脂ＨＰ−１
００９（日立化成工業社製商品名）を塗布した。このよ
うにして作成した横電界方式ＴＦＴ基板及びにカラーフ
ィルター基板上に合成例１で作成したワニスＡを用いて
フレキソ印刷により樹脂膜を形成した。形成された樹脂
膜を８０℃２分間、２００℃３０分間加熱硬化を行い、
膜厚を０．２μｍのポリイミド膜とした。このポリイミ
ド膜に１ Ｊ／ｃｍ^２の光照射をして、液晶配向膜とし
た。

【００５５】この上下基板を組み合わせ、周りを熱硬化
性接着剤樹脂ストラクボンドＸＮ−２１−Ｓで封止し、
１５０℃１時間加熱硬化した。なおポリイミドの配向方
向が互いにほぼ平行でかつ印加電圧方向とのなす角度を
１５度とした。セルギャップはポリマービーズを基板間
に分散して挟持し、液晶封入状態で４．０μｍとした。
この基板間には、ネマチック液晶ＭＬＣ−２０４２（メ
ルク社製商品名）を真空含浸法で注入した。液晶ＭＬＣ
−２０４２の相転移温度以上である１１０℃２０分間熱
処理をして液晶表示素子を形成した。その後２枚の偏光
板Ｇ１２２０ＤＵでパネルを挟み、一方の偏光板の偏光
透過軸をポリマーの配向方向にほぼ平行とし、他方をそ
れに直交として、ノーマリクローズ特性を得た。配向性
は良好であった。このように作製した液晶表示装置のコ
ントラスト比は、電圧無印加状態（暗状態）での光透過
率及び光透過率が最大となる電圧下（明状態）での光透
過率を共通電極と画素電極の間の領域について測定し、
その光透過率の比からコントラスト比を求めた。この液
晶表示装置のコントラスト比の平均は３３０だった。ま
た残像の評価については、一定の図形を３０分間表示
し、表示部分を消去してから、該表示部分と非表示部分
が識別できなくなる時間を目視によって評価した。残像
が全く起こらなかったものを"５"、３０秒未満の残像が
解消されたのを"４"、３０秒以上１分以内に残像が解消
されたのを"３"、１分以上５分未満に残像が解消された
のを"２"、５分以上かかって残像が解消されたのを"１"
とした。ＵＶ照射量、配向性、コントラスト比、残像の
結果は、まとめて表２に示す。

【００５６】［実施例６］合成例２で得られたワニスＢ
を実施例５と同様の横電界ＴＦＴ基板及び対向基板にフ
レキソ印刷によって塗布をして、８０℃２分間、２００
℃３０分間加熱処理をして、膜厚０．２μｍのポリイミ
ド膜を得た。得られた挟持基板は実施例５と同様にして
横電界ＴＦＴ液晶表示装置を作製した。ＵＶ照射量、配
向性、コントラスト比の結果は、まとめて表２に示す。

【００５７】［実施例７］合成例３で得られたワニスＣ
を実施例５と同様の横電界ＴＦＴ基板及び対向基板にフ
レキソ印刷によって塗布をして、８０℃２分間、２００
℃３０分間加熱処理をして、膜厚０．２μｍのポリイミ
ド膜を得た。得られた挟持基板は実施例５と同様にして
横電界ＴＦＴ液晶表示装置を作製した。ＵＶ照射量、配
向性、コントラスト比の結果は、まとめて表２に示す。

【００５８】［実施例８］合成例３で得られたワニスＤ
を実施例５と同様の横電界ＴＦＴ基板及び対向基板にフ
レキソ印刷によって塗布をして、８０℃２分間、２００
℃３０分間加熱処理をして、膜厚０．２μｍのポリイミ
ド膜を得た。得られた挟持基板は実施例５と同様にして
横電界ＴＦＴ液晶表示装置を作製した。ＵＶ照射量、配
向性、コントラスト比の結果は、まとめて表２に示す。

【００５９】［比較例２］比較合成例１で得られたワニ
スＥを実施例９と同様の横電界ＴＦＴ基板にフレキソ印
刷によって塗布をして、８０℃２分間、２００℃３０分
間加熱処理をして、膜厚０．２μｍのポリイミド膜を得
た。得られた挟持基板は実施例９と同様にして横電界Ｔ
ＦＴ液晶表示装置を作製した。ＵＶ照射量、配向性、コ
ントラスト比の結果は、まとめて表２に示す。

【００６０】

【表２】 表２に示した通り、実施例は、いづれも良好な配向特
性、コントラスト特性及び残像特性を示した。

【００６１】

【発明の効果】本発明の光配向液晶配向膜用組成物は、
ラビング処理を行わずに配向機能が得られるだけでな
く、耐熱性、信頼性に優れ、残像現象の少ない高画質の
液晶表示装置が得られる。また、前記光配向液晶配向膜
用組成物を用いる本発明の光配向液晶配向膜、液晶狭持
基板及び液晶表示装置は、残像現象の少ない高画質の画
像が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の光照射方法の一例を示す模式図であ
る。

【図２】 横電界方式ＴＦＴ液晶表示装置の実施例及び
比較例における電極構造の説明図である。

【図３】 ＴＦＴ液晶表示装置の一例を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１…ＵＶ光源、２…偏光フィルム、３…光配向液晶配向
膜、４…基板、５…ステージ、６…傾斜角、７…共通電
極、８…ゲート絶縁膜、９…映像信号電極（ドレイン電
極）、１０…画素電極（ソース電極）、１１…アモルフ
ァスシリコン、１２…無機絶縁膜、１３…ＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）、１４…走査信号電極（ゲート電極）、
１５…偏光板、１６…ブラックマトリクス、１７…カラ
ーフィルタ、１８…液晶分子、１９…電界方向、２０…
エッチングストッパ、２１…透明電極、２２…カラーフ
ィルタ保護膜、２３…スペーサビーズ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥田 直紀 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成デュポンマイクロシステムズ株式会社山 崎開発センタ内 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HC05 HC15 KA05 MA10 MB14 5C094 AA02 AA13 AA31 AA33 AA43 BA43 DA13 EA05 EB02 ED20 FB01 FB15 GB10 JA01

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｗは４価の有機基を有し、Ｒは２価の有機基を
   示す）で表わされる繰り返し単位を有し、かつ、その分
   子の少なくとも片末端に、一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｘは反応性炭素炭素不飽和二重結合を有する酸
   無水物残基である）で表わされる基を含むポリイミドま
   たはその前駆体を含有してなる光配向液晶配向膜用組成
   物。
2. 【請求項２】一般式（ＩＩ）で表される基が、 【化３】 から選択されるものである請求項１記載の光配向液晶配
   向膜用組成物。
3. 【請求項３】一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を
   含むポリイミドまたはその前駆体が、Ｒの少なくとも一
   部として、一般式（ＩＩＩ） 【化４】 （Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３及びＲ^４は、相互独立的に−Ｈ、−
   ＣＨ_３及び−ＣＨ_２ＣＨ_３から選択される）で示される
   ２価の有機基を有するものである請求項１又は２記載の
   光配向液晶配向膜用組成物。
4. 【請求項４】一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を
   含むポリイミドまたはその前駆体が、Ｗで示される４価
   の有機基の少なくとも一部として３，３'，４，４'−ベ
   ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物残基を含む請求
   項１、２又は３記載の光配向液晶配向膜用組成物。
5. 【請求項５】一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を
   含むポリイミドまたはその前駆体が、Ｗで示される４価
   の有機基として３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテト
   ラカルボン酸二無水物残基を、全繰り返し単位の３０モ
   ル％以上含むものである請求項４記載の光配向液晶配向
   膜用組成物。
6. 【請求項６】請求項１〜５の何れかに記載の光配向液晶
   配向膜用組成物を用いて得られる、ポリイミド層に光照
   射により配向機能をもたせてなる光配向液晶配向膜。
7. 【請求項７】請求項６記載の光配向液晶配向膜を有して
   なる液晶挟持基板。
8. 【請求項８】請求項７記載の光配向液晶配向膜を有して
   なる液晶表示装置。