JP2002131751A - 液晶配向膜用組成物、液晶配向膜、液晶挟持基板、液晶表示装置及び横電界液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ラビング条件によらず良好な配向機能が得ら
れる液晶配向膜用組成物、前記液晶配向膜用組成物を用
い、高画質の画像を示す液晶配向膜、液晶挟持基板、液
晶挟持装置及び横電界液晶表示装置を提供するものであ
る。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し
単位を有し、その繰り返し単位の総数のうち少なくとも
一部が、Ｒとして特定の２価の有機基を有するポリイミ
ド又はその前駆体を含有してなる液晶配向膜用組成物、
この液晶配向膜用組成物から形成されるポリイミド膜
を、ラビング処理して得られる液晶配向膜、この液晶配
向膜を有してなる液晶挟持基板、この液晶挟持基板を有
してなる液晶表示装置並びに横電界液晶表示装置。 【化１】 （式中、Ｗは４価の有機基を有し、Ｒは２価の有機基を
示す）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶の配向を制御
する液晶配向膜用組成物、液晶配向膜、液晶挟持基板、
液晶表示装置及び横電界液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置では、対向するそれ
ぞれの基板にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などからな
る透明電極を用いて、ツイスティドネマチック表示方式
に代表される表示方式を採用している。この透明電極上
には、液晶配向膜が設けられ、ポリイミド系液晶配向膜
（特開昭55-10180号公報、特開昭63-259515号公報等参
照）が使用されている。これらは、基板上に塗布したも
のを１８０〜３５０℃の範囲で乾燥、脱水閉環させてポ
リイミド膜を形成し、ラビング処理を行うことによって
得られる。

【０００３】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は薄型低消費
電力のディスプレイとして、広く用いられており、その
主力はネマチック液晶を用いたツイスティドネマチック
方式（ＴＮ方式）であるが、視野角依存性が課題として
挙げられる。この課題を改善する手段として、一方の基
板に櫛歯電極を設け、基板に対して平行な横電界を印加
し表示駆動を行うインプレーンスイッチング方式（ＩＰ
Ｓ方式）の液晶表示装置（特開平6-160878号公報参照）
が提案されている。これらの液晶表示装置がさらに汎用
化していくためには、さらに高画質の画像を表示するこ
とが求められている。

【０００４】このＩＰＳ方式では櫛歯電極及び薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）の段差の影響でラビングが充分にか
からず、その部分で配向不良を発生する場合があり、ラ
ビング条件によらず良好な配向性を示す液晶配向膜材料
が切望されていた。また紫外光、レーザー光等を用いた
光液晶配向膜材料（例えば、M.Schadtら、Japanese Jour
nal of Applied Physics,31,P.2155(1992)、特開平5-34
699号公報、特開平6-281937号公報、特開平11-14995号
公報等参照）も提案されているが、紫外光やレーザー光
を使用すると膜表面の劣化も進行し、電圧保持率の低下
や残像特性の悪化等の課題が発生する。そのために光液
晶配向膜材料の実用化は困難である。

【０００５】本発明の目的は、従来技術の欠点を解決
し、ラビング条件によらず良好な配向機能が得られる液
晶配向膜用組成物を提供することにある。また本発明の
第２の目的は、前記液晶配向膜用組成物を用い、高画質
の画像を示す液晶配向膜、液晶挟持基板、液晶挟持装置
及び横電界液晶表示装置を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、 一般式
（Ｉ）

【化４】 （式中、Ｗは４価の有機基を有し、Ｒは２価の有機基を
示す）で表わされる繰り返し単位を有し、その繰り返し
単位の総数のうち少なくとも一部が、Ｒとして一般式
（II）

【化５】 又は一般式（III）

【化６】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、相互独立に、水素原
子又は−(ＣＨ₂)_n−ＣＨ ₃であり、ｎは０〜７の整数で
ある）で示される２価の有機基を有するポリイミド又は
その前駆体を含有してなる液晶配向膜用組成物に関す
る。

【０００７】また本発明は、繰り返し単位の総数のう
ち、少なくとも５０モル％が、Ｒとして一般式（II）又
は一般式（III）で示されるジアミン残基を有するもの
である前記液晶配向膜用組成物に関する。また本発明
は、繰り返し単位の総数のうち少なくとも一部が、Ｗで
示される４価の有機基としてオキシジフタル酸二無水物
残基を有するものである前記液晶配向膜用組成物に関す
る。また本発明は、繰り返し単位の総数のうち、少なく
とも３０モル％が、Ｗとしてオキシジフタル酸二無水物
残基を有するものである前記液晶配向膜用組成物に関す
る。

【０００８】また本発明は、前記の何れかに記載の液晶
配向膜用組成物から形成されるポリイミド膜を、ラビン
グ処理して得られる液晶配向膜に関する。また本発明
は、プレチルト角が２度以下である前記液晶配向膜に関
する。

【０００９】また本発明は、前記の液晶配向膜を有して
なる液晶挟持基板に関する。また本発明は、前記液晶挟
持基板を有してなる液晶表示装置に関する。さらに本発
明は、前記液晶挟持基板を有してなる横電界液晶表示装
置に関する。

【００１０】

【発明の実態の形態】本発明の液晶配向膜用組成物は、
前記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリ
イミド又はその前駆体を含むものである。ここで、ポリ
イミド前駆体とは、閉環して前記一般式（Ｉ）で示され
る繰り返し単位を有するポリイミドになりうるものを指
し、一般に、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポ
リアミド酸アミド、それらの部分イミド化物、それらの
構造が混在するポリイミド前駆体等が挙げられる。中で
も、ポリアミド酸、その一部イミド化物、それらの混合
物が好ましい。

【００１１】ポリイミド前駆体は、例えば、一般式
（Ｉ）におけるＷで示される残基を与えるテトラカルボ
ン酸二無水物とＲで示される残基を与えるジアミン化合
物を、好ましくは１００℃以下、より好ましくは８０℃
以下で反応させて得られる。この場合、主にポリアミド
酸からなるが、一部イミド化していてもよく、混合物で
あってもよい。ポリイミド及びポリイミド前駆体は液晶
配向膜用組成物の溶剤に可溶性であることが好ましい。

【００１２】本発明における組成物に用いられるポリイ
ミドは前記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有
し、そのポリイミド前駆体は、閉環により前記一般式
（Ｉ）で示される繰り返し単位となり得る繰り返し単位
を有する。一般式（Ｉ）において、Ｗで示される４価の
有機基は、一般に、原料として使用されるテトラカルボ
ン酸二無水物の、２つの酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ
−）を除いた残基であり、Ｒで示される２価の有機基
は、一般に、原料として使用されるジアミン化合物の２
つのアミノ基（−ＮＨ₂）を除いた残基である。

【００１３】本発明における組成物に用いられるポリイ
ミド又はポリイミド前駆体は、前記一般式（II）又は
（III）に示す特定の残基を与える芳香族ジアミンを使
用しているため、液晶分子に対する相互作用が増加し、
配向性向上に良好な特性を示す。中でも、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ
³及びＲ⁴のうち、少なくとも１つは−(ＣＨ₂)_n−ＣＨ₃
であることが好ましい。

【００１４】前記一般式（II）又は（III）に示す特定
の残基を与える芳香族ジアミンとしては、２，３，５，
６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン、２，
３，５，６−テトラエチル−１，４−フェニレンジアミ
ン、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、
２，５，−ジメチル−１，３−フェニレンジアミン、
２，５，−ジエチル−１，４−フェニレンジアミン、
２，５−ジエチル−１，３−フェニレンジアミン、ｐ−
フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２，
４，６−トリメチル−１，３−フェニレンジアミン、
２，４，６−トリエチル−１，３−フェニレンジアミン
などが挙げられ、良好な配向性を得るためにはこれらを
繰り返し単位総数の５０モル％以上使用することが好ま
しく、７０モル％以上とすることがより好ましい。前記
割合は材料として使用される全ジアミンに対する前記ジ
アミンの配合割合を同様にすること等で調整できる。こ
れらのジアミンは、単独で又は２種以上を組み合わせて
用いられる。

【００１５】その他、一般式（Ｉ）におけるＲで示され
る残基を与えるジアミン化合物としては、２，２′−ビ
ス（トリフルオロメチル）−ベンジジン、２，２′−ビ
ス（トリフルオロメトキシ）−ベンジジン、２−トリフ
ルオロメチル−ベンジジン、２−トリフルオロメトキシ
−ベンジジン、２，２′−ビス（ペンタフルオロエチ
ル）−ベンジジン、２，２′−ビス（ペンタフルオロエ
トキシ）−ベンジジン、２−ペンタフルオロエチル−ベ
ンジジン、２−ペンタフルオロエトキシ−ベンジジン、
２，２′−ビス（ヘプタフルオロプロパン）−ベンジジ
ン、２，２′−ビス（ヘプタフルオロプロキシ）−ベン
ジジン、２−ヘプタフルオロプロパン−ベンジジン、２
−ヘプタフルオロプロキシ−ベンジジン、２−ペンタフ
ルオロエトキシ−ベンジジン、２，２′−ビス（ヘプタ
デカフルオロオクタン）−ベンジジン、２，２′−ビス
（ヘプタデカフルオロオクタキシ）−ベンジジン、２−
ヘプタデカフルオロオクタン−ベンジジン、２−ヘプタ
デカフルオロオクタキシ−ベンジジン、２，２′−ジメ
チル−４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジア
ミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４′−
ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジ
フェニルスルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、２，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、２，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、３，４′−ジアミノジフェニルメタン、
３，３′−ジアミノジフェニルメタン、２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，
２−ビス（４−アミノフェノキシ）ヘキサフルオロプロ
パン、１，６−ヘキサメチレンジアミン、１，８−オク
タメチレンジアミン、１，１０−デカメチレンジアミ
ン、１，１２−ドデカメチレンジアミン、アゼライン酸
ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、２，６−ナフ
トエ酸ジヒドラジド、２，４′−ジアミノ−３−メチル
−ステアリルフェニルエーテル、２，４′−ジアミノ−
３−メチル−ラウリルフェニルエーテル、２，４′−ジ
アミノ−３−メチル−パルミチルフェニルエーテル、
２，４′−ジアミノ−１−オクチルオキシベンゼン、
２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）オクタン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル）トリデカン、２，２−ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル）ペンタデカン、ビス
（４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸）オク
タン、ビス（４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息
香酸）デカン、ビス（４−（４−アミノベンゾイルオキ
シ）安息香酸）ドデカン、ビス（４−（４−アミノベン
ゾイルオキシ）安息香酸）メチルシクロヘキサン、ビス
（４−（４−アミノベンゾイルオキシ）安息香酸）メタ
ン、ビス（４−（３−アミノベンゾイルオキシ）安息香
酸）ブタン、ジアミノシロキサン、１，３−ジ（３−ア
ミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロ
キサンなどが挙げられ、これらは、単独で又は２種以上
を組み合わせて用いられる。なかでも、プレチルト角を
低くし、コントラスト比を高くするためには、フッ素化
合物を有しないジアミンを使用することが好ましい。

【００１６】一方、前記一般式（Ｉ）におけるＷで示さ
れる残基を与えるテトラカルボン酸二無水物としては、
オキシジフタル酸二無水物、３，３′，４，４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４
−ブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−
ペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，
４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、１，
２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水
物、ビシクロ（２，２，２）オクタ−７−エン−２，
３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３，４−ジカ
ルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフタ
レンコハク酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシルフェニル）
ヘキサフルオロプロパン酸二無水物、オクチルコハク酸
二無水物、ドデシルコハク酸二無水物、オクチルマロン
酸二無水物、ジメチレンビストリメリテート酸二無水
物、トリメチレンビストリメリテート酸二無水物、テト
ラメチレンビストリメリテート酸二無水物、ペンタメチ
レンビストリメリテート酸二無水物、ヘキサメチレンビ
ストリメリテート酸二無水物、オクタメチレンビストリ
メリテート酸二無水物、デカメチレンビストリメリテー
ト酸二無水物、ドデカメチレンビストリメリテート酸二
無水物、ヘキサデカメチレンビストリメリテート酸二無
水物、メチレン−１，２−ビス（１，３−ジヒドロ−
１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテ
ル、プロピレン−１，３−ビス（１，３−ジヒドロ−
１，３−ジオキソ−５−イソベンゾフラニル）ジエーテ
ル、１，３−シクロヘキサンビストリメリテート酸二無
水物、１，４−シクロヘキサンビストリメリテート酸二
無水物、１，２−シクロヘキサンビストリメリテート酸
二無水物などが挙げられ、単独又は２種類以上を併用し
て使用することができる。

【００１７】これらの中では、特にオキシジフタル酸二
無水物を使用すると、配向性及びプレチルト角の安定化
に対して効果がみられるので好ましい。オキシジフタル
酸二無水物に起因するＷを有する繰り返し単位は、繰り
返し単位総数の少なくとも３０モル％とすることが上記
効果の点で好ましい。この割合は原料として使用する全
カルボン酸二無水物の少なくとも３０モル％をオキシジ
フタル酸二無水物とすることで調整できる。

【００１８】本発明においては、上記のジアミン化合物
のモル数の総和と、酸二無水物のモル数の比を好ましく
は０．８〜１．２の範囲、より好ましくは１．０にして
反応させることができる。このときに用いることができ
る不活性溶媒としては、前記の単量体の全てを溶解する
必要はないが、生成するポリアミド酸を溶解するものが
好ましく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、γ−
カプロラクトン、γ−バレロラクトン、ジメチルスルホ
キシド、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノンなどが
挙げられ、これらは２種以上を併用してもよい。

【００１９】本発明において、液晶配向膜用組成物（ワ
ニス）の固形分濃度は１〜２０重量％とすることが好ま
しく、３〜１５重量％とすることがより好ましい。濃度
が１重量％未満である場合には、塗布後の膜厚が薄くな
ってしまい、良好な膜が得られない場合があり、２０重
量％を超える場合には、粘度が高くなってしまうため塗
布特性が劣るも傾向がある。

【００２０】また、被印刷体への濡れ性を良くするため
の溶媒を、反応前又は反応終了後に添加することもでき
る。これらの溶媒としては例えば、エチルセロソロブ、
エチルセロソロブアセテート、ブチルセロソロブ、ブチ
ルセロソロブアセテート、キシレン、トルエン、１−エ
トキシ−２−アセトキシプロパン、ジイソブチルケト
ン、メチル−ｎ−ヘキシルケトンなどが挙げられる。

【００２１】本発明においては、得られたポリイミド前
駆体を含む組成物をそのまま液晶配向膜用組成物として
用いることが好ましいが、必要に応じて、閉環反応させ
たポリイミドを含む組成物として用いることができる。
閉環反応は、（イ）ポリイミド前駆体を加熱する方法、
（ロ）ポリアミド酸等のポリイミド前駆体に脱水剤及び
脱水閉環触媒を添加して閉環反応させ、必要に応じてさ
らに加熱する方法などにより行われる。

【００２２】（イ）の加熱によって得る方法では、反応
温度を好ましくは１３０〜１７０℃とされる。反応温度
が１００℃未満では脱水閉環反応が充分に進行せず、反
応温度が２００℃を超えると熱イミド化と同時に分子量
の低下がみられる。（ロ）の方法において、脱水剤とし
ては、例えば無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフ
ルオロ酢酸などの酸無水物を用いることができる。脱水
剤の使用量はポリアミド酸等のポリイミド前駆体の繰り
返し単位１モルに対して１〜２０モルとするのが好まし
い。

【００２３】また脱水閉環触媒としては、例えばピリジ
ン、トリエチルアミン、コリジン、ルチジンなどの３級
アミンを用いることができる。脱水閉環触媒の使用量と
しては、脱水剤１モルに対して０．５〜１０モルとする
のが好ましい。なお、脱水閉環反応に用いられる有機溶
媒としては、ポリアミド酸の合成に用いられる有機溶媒
を挙げることができる。

【００２４】液晶配向膜としてのポリイミド膜形成方法
としては、スピン塗布法、浸漬法、印刷法、吹き付け法
などが挙げられるが、フォトリソグラフィー工程がなく
パターニング形成が容易な印刷法によるポリイミド膜形
成が好ましく、ワニスを保持しやすく被印刷体への転写
量も多いフレキソ印刷機による樹脂膜製造がさらに好ま
しい。このとき用いられる被印刷体としてはプラスチッ
ク基板、ガラス基板、シリコンウエハなどが挙げられ
る。

【００２５】本発明の液晶配向膜用組成物は、ガラスと
の密着性を向上させるために、シランカップリング剤、
チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加するこ
とができる。

【００２６】上記カップリング剤としては例えば、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリプロポ
キシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、
γ−アミノエチルトリエトキシシラン、γ−アミノエチ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノエチルトリプロポキ
シシラン、γ−アミノエチルトリブトキシシラン、γ−
アミノブチルトリエトキシシラン、γ−アミノブチルト
リメトキシシラン、γ−アミノブチルトリプロポキシシ
ラン、γ−アミノブチルトリブトキシシラン、などが挙
げられ、また上記チタンカップリング剤としては、例え
ば、γ−アミノプロピルトリエトキシチタン、γ−アミ
ノプロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルト
リプロポキシチタン、γ−アミノプロピルトリブトキシ
チタン、γ−アミノエチルトリエトキシチタン、γ−ア
ミノエチルトリメトキシチタン、γ−アミノエチルトリ
プロポキシチタン、γ−アミノエチルトリブトキシチタ
ン、γ−アミノブチルトリエトキシチタン、γ−アミノ
ブチルトリメトキシチタン、γ−アミノブチルトリプロ
ポキシチタン、γ−アミノブチルトリブトキシチタンな
どが挙げられる。これらは２種以上を併用してもよい。
このときの使用量は、樹脂１００重量部に対して０．５
〜５重量部とすることが好ましい。

【００２７】本発明の液晶配向膜用組成物がポリイミド
前駆体を含む場合、加熱乾燥、脱水閉環してポリイミド
膜を形成する。その加熱温度としては一般に１００〜３
５０℃であり、好ましくは１１０〜２３０℃である。さ
らにプラスチック基板向けには、１２０〜１６０℃の範
囲で加熱することが好ましい。また加熱時間は通常１分
〜６時間、好ましくは１分〜３時間とされる。形成され
るポリイミド膜の膜厚は、通常０．０１〜３μｍであ
る。

【００２８】特にＩＰＳ方式液晶表示装置にて良好な表
示特性を得るためには、セルギャップを均一にする必要
があることから、櫛歯電極の段差を埋めて平坦性を上げ
ることが要望され、０．０５〜１μｍの膜厚を有してい
ることが好ましい。さらに高コントラスト比を得るため
には、ラビング処理後のプレチルト角は２度以下である
ことが好ましく、プレチルト角が１度以下であることが
より好ましい。

【００２９】本発明の液晶配向膜用組成物は、あらかじ
めＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極又は窒化珪
素のついたガラス若しくはプラスチックフィルム等の透
明基板上にスピナー、印刷機等を用いて塗布し、必要に
応じて加熱硬化処理をして樹脂膜とすることができる。

【００３０】液晶配向膜が形成される液晶表示素子用基
板としては、例えば、平滑性の良好なフロリネートガラ
スなどのガラスの他、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート等のポリエステル、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテ
ルイミド、アセチルセルロース、ポリアミノ酸エステ
ル、芳香族ポリアミド等の耐熱性樹脂、ポリスチレン、
ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、
ポリアクリルアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン等
のビニル系ポリマ、ポリフッ化ビニリデン等の含フッ素
樹脂及びそれらの変成体等から形成されたプラスチック
フィルム等を挙げることができる。

【００３１】基板上に形成されたポリイミド膜は、表面
にラビング処理を施すことによって液晶配向膜として用
いられる。以上説明したようにして得られた液晶配向膜
を有する液晶挟持基板を用いて公知の方法によって液晶
表示装置を得ることが出来る。液晶挟持基板基板間に挟
持される液晶としては、液晶表示素子のタイプによっ
て、ＴＮ、ＳＴＮ、ＴＦＴ、ＦＬＣ（強誘電性液晶）そ
れぞれに適した材料が用いられる。

【００３２】両配向膜間の間隙を確保するためにスペー
サが使用される。スペーサとしては、ガラスファイバ、
ガラスビーズ、プラスチックビーズ、アルミナやシリカ
等の金属酸化物粒子などが用いられる。

【００３３】本発明の液晶表示装置としては、前記液晶
配向膜を有すること以外特に制限されない。液晶表示装
置の構造としては、（１）表示画素、ＴＦＴ及び電極群
が基板上に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁
層を介して形成されており、前記基板により液晶層が挟
持され、前記液晶層の光学特性を変化させる偏向特性を
変化させる偏向手段を備えた液晶表示装置において、前
記液晶配向膜が前記液晶配向膜用組成物で形成されてい
る液晶表示装置、（２）画素電極が走査信号電極、映像
信号電極、画素電極、共通電極及びＴＦＴにより基板上
に構成され、前記基板上には液晶配向膜が絶縁層を介し
て配置され、前記基板により液晶層が挟持され、前記電
極群には前記液晶層に対し前記基板面と概ね平行な電界
を印加するように構成され、前記電極群は前記液晶層の
光学特性を変化させる偏向特性を変化させる偏向手段を
備えた液晶表示装置において、前記液晶配向膜が前記液
晶配向膜用組成物で形成されている液晶表示装置などが
挙げられる。

【００３４】

【実施例】以下、実施例により詳細に説明する。

【００３５】合成例１ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた４つ
口セパラブルフラスコに、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
１９２．６１ｇを加え、これにｐ−フェニレンジアミン
２６．２６ｇ（０．１モル）を溶解させた後、１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物１７．４６ｇ
（０．０７モル）、オキシジフタル酸二無水物２４．８
２ｇ（０．０３モル）を加え、室温で１６時間攪拌した
後、粘度調整を行い、１５重量％のポリアミド酸ワニス
を得た。粘度はＥ型粘度計（２５℃）において３５００
mPa・sであった。

【００３６】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の１
重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、４重量％のポリアミド酸ワニスとなるように
Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスＡの粘度は３０mP
a・sであった。

【００３７】合成例２ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた４つ
口セパラブルフラスコに、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
１３７．８０ｇを加え、これに２，３，５，６−テトラ
メチル−１，４−フェニレンジアミン８．２１ｇ（０．
０５モル）、４，４′−ジアミノジフェニルメタン９．
９１ｇ（０．０５モル）を溶解させた後、３，３′，
４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１
６．１１ｇ（０．０５モル）、オキシジフタル酸二無水
物１５．５１ｇ（０．０５モル）を加え、室温で１６時
間攪拌した後、粘度調整を行い、１５重量％のポリアミ
ド酸ワニスを得た。粘度はＥ型粘度計（２５℃）におい
て３０００mPa・sであった。

【００３８】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の１
重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、４重量％のポリアミド酸ワニスとなるように
Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスＢの粘度は２５mP
a・sであった。

【００３９】合成例３ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた４つ
口セパラブルフラスコにＮ−メチル−２−ピロリドン２
４９．７５ｇを加え、これに２，３，５，６−テトラメ
チル−１，４−フェニレンジアミン１６．４１ｇ（０．
１モル）を溶解させた後、３，３′，４，４′−ビシク
ロヘキシルテトラカルボン酸二無水物５．９４ｇ（０．
０３モル）、オキシジフタル酸二無水物２１．７２ｇ
（０．０７モル）を加え、室温で１６時間攪拌した後、
粘度調整を行い、１５重量％のポリアミド酸ワニスを得
た。粘度はＥ型粘度計（２５℃）において３０００mPa・
sであった。

【００４０】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の１
重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、４重量％のポリアミド酸ワニスとなるように
Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスＣの粘度は２５mP
a・sであった。

【００４１】合成例４ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた４つ
口セパラブルフラスコにＮ−メチル−２−ピロリドン８
５．１３ｇを加え、これに２，４，６−トリメチル−
１，３−フェニレンジアミン１５．０２ｇ（０．１モ
ル）を溶解させた後、オキシジフタル酸二無水物３１．
０２ｇ（０．１モル）を加え、室温で１６時間攪拌した
後、粘度調整を行い、１５重量％のポリアミド酸ワニス
を得た。粘度はＥ型粘度計（２５℃）において２８００
mPa・sであった。

【００４２】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の１
重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、４重量％のポリアミド酸ワニスとなるように
Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスＤの粘度は２３mP
a・sであった。

【００４３】比較合成例１ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた４つ
口セパラブルフラスコに、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
１７３．５８ｇを加え、これに４，４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル２０．０２ｇ（０．１モル）を溶解させ
た後、ピロメリット酸二無水物３１．０２ｇ（０．１モ
ル）を加え、室温で１６時間攪拌した後、粘度調整を行
い、１５重量％のポリアミド酸ワニスを得た。粘度はＥ
型粘度計（２５℃）において３５００mPa・sであった。

【００４４】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の１
重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、４重量％のポリアミド酸ワニスとなるように
Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びブチルセロソルブで希
釈した。得られたポリアミド酸ワニスＥの粘度は３０mP
a・sであった。

【００４５】比較合成例２ 温度計、攪拌装置、冷却管及び窒素導入管を備えた４つ
口セパラブルフラスコにＮ−メチル−２−ピロリドン５
０９．３２ｇを加え、これに２，２′−ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン４９．０４ｇ（０．１モル）を溶解させた後、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
１４．７１ｇ（０．０５モル）、デカメチレンビストリ
メリテート酸二無水物１４．７１ｇ（０．０５モル）を
加え、室温で１６時間攪拌した後、粘度調整を行い、１
５重量％のポリアミド酸ワニスを得た。粘度はＥ型粘度
計（２５℃）において２８００mPa・sであった。

【００４６】得られたポリアミド酸ワニスに樹脂分の１
重量％のγ−アミノプロピルトリエトキシシランを添加
したのち、４重量％のポリアミド酸ワニスとなるように
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ブチルセロソルブで希釈
した。得られたポリアミド酸ワニスＦの粘度は２３mPa・
sであった。

【００４７】実施例１ 合成例１で得られたワニスＡをＩＴＯ電極が形成されて
いるガラス基板にスピン塗布をして、ホットプレート上
で８０℃２分間、オーブンで２００℃３０分間加熱処理
をして、膜厚０．１μｍのポリイミド膜を得た。ラビン
グ処理によってポリイミドの配向方向が１８０度になる
ように基板を組み合わせて、周りを封止した。なおラビ
ング強度は、T.UchidaらがLiquid Crystal,5,p.1127-11
37(1989)に報告した計算式に基づき設定した。

【００４８】

【数１】 ラビング強度：Ｌ（mm）＝Ｎｌ（１＋２πｒｎ）／ｖ） （ただし、Ｎ：ラビング回数（回）、ｌ：ラビングロー
ルの押込み量（mm）、ｒ：ラビングロールの半径（m
m）、ｎ：ラビングロールの回転数（ｓ^-1）、ｖ：ステ
ージ移動速度（mm/s）である）

【００４９】今回はＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝７ｓ^-1、ｖ＝６mm/s、ラビング繊維：吉川化工
(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒ（レーヨン）と設定
し、Ｌ＝６５mmでラビング処理を行った。

【００５０】ラビングされたポリイミド膜には削れ、は
がれ等は認められなかった。セルギャップは液晶封入状
態で２５μｍとし、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを介在させた。この基板間にネマチック液晶ＭＬＣ−
２０４２（メルク社製商品名）を真空含浸法で注入し
た。相転移温度８０℃以上の温度である１１０℃２０分
間でアイソトロピック処理を行い、プレチルト角評価用
液晶表示素子（以降アンチパラレルセルと省略する）と
した。作成した液晶表示素子は良好な配向性であり、ク
リスタルローテーション法によってプレチルト角を評価
したところ、１．０度であった。

【００５１】次に合成例１で得られたワニスＡを電極間
幅１５μｍ、電極幅１０μｍ、電極高さ０．０５μｍの
櫛歯電極が形成されているガラス基板（下基板）及びガ
ラス基板（上基板）に膜厚０．１μｍとなるようにスピ
ン塗布をして、ホットプレート上で８０℃２分間、オー
ブンで２００℃３０分間加熱処理をしてポリイミド膜を
得た。続いてポリイミドのラビング方向が互いにほぼ平
行でかつ印加電圧方向とのなす角度を１５度として基板
を組み合わせ、周りを封止した。なおセルギャップはポ
リマービーズを基板間に分散させ、液晶封入状態で４．
５μｍとした。

【００５２】この基板間にＭＬＣ−２０４２を封入し、
相転移温度以上である１１０℃で２０分間熱処理をして
ＩＰＳ方式液晶表示素子（以降ＩＰＳ液晶セルと省略す
る）を形成した。その後２枚の偏光板Ｇ１２２０Ｄ（日
東電工(株)製商品名）でパネルを挟み、一方の偏光板の
偏光透過軸をラビング方向にほぼ平行とし、他方をそれ
に直交として、ノーマリクローズ特性を得た。液晶配向
性は良好であった。また電圧保持率は、２５℃、周期１
６．５ms、周波数３０Hz、振幅６Ｖ、オフセット０Ｖで
評価し９９．２％の値を示した。

【００５３】残留直流電圧はフリッカ消去法により測定
した。ＩＰＳ液晶セルに振幅３．０Ｖ、周波数３０Hzの
矩形波及びオフセット電圧１．０Ｖを３０分間印加し、
オフセット電圧を０Ｖにした直後にフリッカを最小とす
る電圧を測定し、この値を残留直流電圧とした。２５℃
の残留直流電圧は１２０mVであった。さらにこのＩＰＳ
液晶セルのコントラスト比は、電圧無印加状態（暗状
態）での光透過率及び光透過率が最大となる電圧下（明
状態）での光透過率を測定し、その光透過率の比からコ
ントラスト比を求めた。コントラスト比は３５０を示し
た。

【００５４】実施例２ ワニスＡを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝５ｓ^-1、ｖ＝２４mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝１２
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に
示す。

【００５５】実施例３ ワニスＡを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝１２ｓ^-1、ｖ＝２mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝３３
２mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
１に示す。

【００５６】実施例４ ワニスＢを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝７ｓ^-1、ｖ＝６mm/s、ラビング繊維：吉川化工
(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝６５mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に示
す。

【００５７】実施例５ ワニスＢを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝５ｓ^-1、ｖ＝２４mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝１２
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に
示す。

【００５８】実施例６ ワニスＢを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝１２ｓ^-1、ｖ＝２mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝３３
２mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
１に示す。

【００５９】実施例７ ワニスＣを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝７ｓ^-1、ｖ＝６mm/s、ラビング繊維：吉川化工
(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝６５mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に示
す。

【００６０】実施例８ ワニスＣを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝５ｓ^-1、ｖ＝２４mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝１２
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に
示す。

【００６１】実施例９ ワニスＣを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝１２ｓ^-1、ｖ＝２mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝３３
２mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
１に示す。

【００６２】実施例１０ ワニスＤを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝７ｓ^-1、ｖ＝６mm/s、ラビング繊維：吉川化工
(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝６５mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に示
す。

【００６３】実施例１１ ワニスＤを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝５ｓ^-1、ｖ＝２４mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝１２
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に
示す。

【００６４】実施例１２ ワニスＤを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝１２ｓ^-1、ｖ＝２mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝３３
２mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
１に示す。

【００６５】比較例１ ワニスＥを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝７ｓ^-1、ｖ＝６mm/s、ラビング繊維：吉川化工
(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝６５mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に示
す。

【００６６】比較例２ ワニスＥを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝５ｓ^-1、ｖ＝２４mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝１２
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に
示す。

【００６７】比較例３ ワニスＥを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝１２ｓ^-1、ｖ＝２mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝３３
２mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
１に示す。

【００６８】比較例４ ワニスＦを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝７ｓ^-1、ｖ＝６mm/s、ラビング繊維：吉川化工
(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝６５mm
でラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド膜
には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施例
１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶セ
ルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、残
留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に示
す。

【００６９】比較例５ ワニスＦを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝５ｓ^-1、ｖ＝２４mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝１２
mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミド
膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実施
例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液晶
セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持率、
残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表１に
示す。

【００７０】比較例６ ワニスＦを実施例１と同様に膜厚０．１μｍのポリイミ
ド膜を得た。これをＮ＝１回、ｌ＝０．４mm、ｒ＝２２
mm、ｎ＝１２ｓ^-1、ｖ＝２mm/s、ラビング繊維：吉川化
工(株)製ラビング材ＹＡ−１８−Ｒと設定し、Ｌ＝３３
２mmでラビング処理を行った。ラビングされたポリイミ
ド膜には削れ、はがれ等は認められなかった。その後実
施例１と同様の条件でアンチパラレルセル及びＩＰＳ液
晶セルを作製した。配向性、プレチルト角、電圧保持
率、残留直流電圧、コントラスト比の結果をまとめて表
１に示す。

【００７１】

【表１】

【００７２】本発明の液晶配向膜用組成物は、従来の液
晶配向膜用組成物と比較してラビング条件によらずプレ
チルト角が２度以下で安定し、また高電圧保持率、低残
留直流電圧、高コントラスト比を示すことが分かる。

【００７３】

【発明の効果】本発明の液晶配向膜用組成物は、ラビン
グ条件によらずプレチルト角が２度以下で安定し、良好
な配向機能が得られるため、特に高画質の横電界液晶表
示装置並びにこれに適した液晶配向膜、液晶狭持基板及
び横電界液晶表示装置の提供が可能である。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HB09Y HC05 HC06 HC08 MA02 MA06 MA10 MB01 4F071 AA60 AF29 AG13 AH19 BC02 4J043 PA02 PA04 PA19 QB15 QB26 QB31 RA35 SA06 SA43 SA44 SA54 SA55 SA56 SA62 SA72 SB01 SB02 TA02 TA11 TA22 TB01 TB02 UA022 UA032 UA041 UA042 UA052 UA082 UA121 UA122 UA131 UA132 UA151 UA261 UA622 UB011 UB012 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB131 UB132 UB152 UB161 UB251 UB281 UB301 UB351 VA041 VA081 VA091 WA09 XA19 YA06 YA08 ZA23 ZA51 ZB03 ZB11 ZB21

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｗは４価の有機基を有し、Ｒは２価の有機基を
   示す）で表わされる繰り返し単位を有し、その繰り返し
   単位の総数のうち少なくとも一部が、Ｒとして一般式
   （II） 【化２】 又は一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、相互独立に、水素原
   子又は−(ＣＨ₂)_n−ＣＨ ₃であり、ｎは０〜７の整数で
   ある）で示される２価の有機基を有するポリイミド又は
   その前駆体を含有してなる液晶配向膜用組成物。
2. 【請求項２】 繰り返し単位の総数のうち、少なくとも
   ５０モル％が、Ｒとして一般式（II）又は一般式（II
   I）で示されるジアミン残基を有するものである請求項
   １記載の液晶配向膜用組成物。
3. 【請求項３】 繰り返し単位の総数のうち少なくとも一
   部が、Ｗで示される４価の有機基としてオキシジフタル
   酸二無水物残基を有するものである請求項１又は２記載
   の液晶配向膜用組成物。
4. 【請求項４】 繰り返し単位の総数のうち、少なくとも
   ３０モル％が、Ｗとしてオキシジフタル酸二無水物残基
   を有するものである請求項３記載の液晶配向膜用組成
   物。
5. 【請求項５】 請求項１〜４の何れかに記載の液晶配向
   膜用組成物から形成されるポリイミド膜を、ラビング処
   理して得られる液晶配向膜。
6. 【請求項６】 プレチルト角が２度以下である請求項５
   記載の液晶配向膜。
7. 【請求項７】 請求項５又は６記載の液晶配向膜を有し
   てなる液晶挟持基板。
8. 【請求項８】 請求項７記載の液晶挟持基板を有してな
   る液晶表示装置。
9. 【請求項９】 請求項７記載の液晶挟持基板を有してな
   る横電界液晶表示装置。