JP2001077055A - 切削方法 - Google Patents
切削方法Info
- Publication number
- JP2001077055A JP2001077055A JP25447299A JP25447299A JP2001077055A JP 2001077055 A JP2001077055 A JP 2001077055A JP 25447299 A JP25447299 A JP 25447299A JP 25447299 A JP25447299 A JP 25447299A JP 2001077055 A JP2001077055 A JP 2001077055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- cutting blade
- semiconductor wafer
- workpiece
- arrow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 67
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/024—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with the stock carried by a movable support for feeding stock into engagement with the cutting blade, e.g. stock carried by a pivoted arm or a carriage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
形し易い金属箔を積層した被加工物、特に集積回路の配
線として上記金属箔が積層された半導体ウエーハを切削
する際にバリが生じない切削方法をを提供する。 【解決手段】 環状の切れ刃を有し所定方向に回転する
切削ブレードに対して、切削ブレードの回転軸と直交す
る方向に被加工物を相対的に移動せしめて切削を行う切
削方法であって、切削ブレードと被加工物が対向する位
置において切削ブレードの回転方向と順方向に被加工物
を相対的に移動せしめて被加工物を切削する切削工程
と、切削ブレードと被加工物が対向する位置において切
削ブレードの回転方向と逆方向に被加工物を相対的に移
動せしめて該切削工程で形成された切削溝をなぞるバリ
取り工程とを含んでいる。
Description
する切削ブレードによって被加工物を切削する切削方法
に関する。
ては、略円盤状の半導体ウエーハの表面が格子状に配列
されたストリートといわれる切断ラインによって複数個
の矩形領域に区画されており、この矩形領域の各々に所
定の回路パターンが施される。このようにして各々回路
パターンが施された複数個の矩形領域が個々に切断分離
されて、所謂半導体チップを形成する。半導体ウエーハ
の切断は、一般にダイシング装置とよばれる精密切削装
置によって施される。このダイシング装置は、環状の切
れ刃を有する切削ブレードを備え、この切削ブレードに
対して切削ブレードの回転軸と直交する方向に被加工物
を相対的に移動せしめることによって切断する。
線が設けられており、この配線には一般にアルミニュウ
ムが用いられているが、昨今、銅箔による配線が実用化
に向けて検討されている。即ち、銅は電気抵抗率が1.
7μΩ・cmと小さく、アルミニュウムの約1/2の電
気抵抗率であることから、線幅が0.15μmの配線が
可能で高集積化に対応できるとともに、クリティカル・
パスが30%以上高速化する。しかも、銅はアルミニュ
ウムに比して安価に製造できる等のメリットが大きいこ
とから、アルミニュウムに代わる配線材として注目され
ている。
れた半導体ウエーハをダイシング装置によって切削する
と、切削溝の両側にひげ状の長さ20〜50μm程度の
複数のバリが発生する。このバリが積層間およびボンデ
ィング間を短絡させ、また傷つけたりするとともに、脱
落して隣接する回路を損傷する等の不具合発生の原因と
なる。なお、上述したバリは、銅は軟らかくて粘りが強
く変形し易い性質のために発生するものと考えられる。
あり、その主たる技術課題は、銅や金、銀のように軟ら
かくて粘りが強く変形し易い金属箔を積層した被加工
物、特に集積回路の配線として上記金属箔が積層された
半導体ウエーハを切削する際にバリが生じない切削方法
を提供することにある。
決するため、本発明によれば、環状の切れ刃を有し所定
方向に回転する切削ブレードに対して、該切削ブレード
の回転軸と直交する方向に被加工物を相対的に移動せし
めて切削を行う切削方法であって、該切削ブレードと被
加工物が対向する位置において該切削ブレードの回転方
向と順方向に被加工物を相対的に移動せしめて被加工物
を切削する切削工程と、該切削ブレードと被加工物が対
向する位置において該切削ブレードの回転方向と逆方向
に被加工物を相対的に移動せしめて該切削工程で形成さ
れた切削溝をなぞるバリ取り工程と、を含む、ことを特
徴とする切削方法が提供される。
ドに対して被加工物を往復移動することにより上記切削
工程とバリ取り工程を遂行し、次に切削すべき領域に該
切削ブレードを割り出し送りした後、該被加工物を往復
移動することにより切削工程とバリ取り工程を順次遂行
する切削方法が提供される。
被加工物との相対的移動速度は、上記切削工程における
切削ブレードと被加工物との相対的移動速度より高速に
設定されていることが望ましい。
施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
るための切削装置であるダイシング装置の斜視図が示さ
れている。図1に示されたダイシング装置は、略直方体
状の装置ハウジング10を具備している。この装置ハウ
ジング10内には、図2に示す静止基台2と、該静止基
台2に切削送り方向である矢印Xで示す方向に移動可能
に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3
と、静止基台2に割り出し方向である矢印Yで示す方向
(切削送り方向である矢印Xで示す方向に垂直な方向)
に移動可能に配設されたスピンドル支持機構4と、該ス
ピンドル支持機構4に切り込み方向である矢印Zで示す
方向に移動可能に配設されたスピンドルユニット5が配
設されている。
2上に配設され複数個の取付けボルト3aによって固定
された支持台31と、該支持台31上に矢印Xで示す方
向に沿って平行に配設された2本の案内レール32、3
2と、該案内レール32、32上に矢印Xで示す方向に
移動可能に配設されたチャックテーブル33を具備して
いる。このチャックテーブル33は、案内レール32、
32上に移動可能に配設された吸着チャック支持台33
1と、該吸着チャック支持台331上に装着された吸着
チャック332を具備しており、該吸着チャック332
上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図
示しない吸引手段によって保持するようになっている。
なお、チャックテーブル機構3は、チャックテーブル3
3を2本の案内レール32、32に沿って矢印Xで示す
方向に移動させるための駆動手段34を具備している。
駆動手段34は、上記2本の案内レール32と32の間
に平行に配設された雄ネジロッド341と、該雄ネジロ
ッド341を回転駆動するためのパルスモータ342等
の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド341は、その一
端が上記支持台31に固定された軸受ブロック343に
回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモー
タ342の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連
結されている。なお、雄ネジロッド341は、チャック
テーブル33を構成する吸着チャック支持台331の中
央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロッ
クに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従っ
て、パルスモータ342によって雄ネジロッド341を
正転および逆転駆動することにより、チャックテーブル
33は案内レール32、32に沿って矢印Xで示す方向
に移動せしめられる。また、チャックテーブル機構3
は、チャックテーブル33を回転する図示しない回転機
構を具備している。
上に配設され複数個の取付けボルト4aによって固定さ
れた支持台41と、該支持台41上に矢印Yで示す方向
に沿って平行に配設された2本の案内レール42、42
と、該案内レール42、42上に矢印Yで示す方向に移
動可能に配設された可動支持基台43を具備している。
この可動支持基台43は、案内レール42、42上に移
動可能に配設された移動支持部431と、該移動支持部
431に取り付けられたスピンドル装着部432とから
なっている。スピンドル装着部432には取付けブラケ
ット433が固定されており、この取付けブラケット4
33を複数個の取付けボルト40aによって移動支持部
431に締結することにより、スピンドル装着部432
は移動支持部431に取り付けられる。また、スピンド
ル装着部432は、上記取付けブラケット433を装着
した面と反対側の面に矢印Zで示す方向に延びる2本の
案内レール432a、432aが平行に設けられてい
る。なお、スピンドル支持機構4は、可動支持基台43
を2本の案内レール42、42に沿って矢印Yで示す方
向に移動させるための駆動手段44を具備している。駆
動手段44は、上記2本の案内レール42、42の間に
平行に配設された雄ネジロッド441と、該雄ねじロッ
ド441を回転駆動するためのパルスモータ442等の
駆動源を含んでいる。雄ネジロッド441は、その一端
が上記支持台41に固定された図示しない軸受ブロック
に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモ
ータ442の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動
連結されている。なお、雄ネジロッド441は、可動支
持基台43を構成する移動支持部431の中央部下面に
突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成さ
れた貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモ
ータ442によって雄ネジロッド441を正転および逆
転駆動することにより、可動支持基台43は案内レール
42、42に沿って矢印Yで示す方向に移動せしめられ
る。
1と、該移動基台51に複数個の取付けボルト5aによ
って固定されたスピンドルホルダ52と、該スピンドル
ホルダ52に取り付けられたスピンドルハウジング53
を具備している。移動基台51は、上記スピンドル支持
機構4のスピンドル装着部432に設けられた2本の案
内レール432a、432aに摺動可能に嵌合する2本
の被案内レール51a、51aが設けられており、この
被案内レール51a、51aを上記案内レール432
a、432aに嵌合することにより、矢印Zで示す方向
に移動可能に支持される。上記スピンドルハウジング5
3の先端部には、切削ブレード54が回転自在に装着さ
れている。この切削ブレード54は、図3に示すように
図示しない回転駆動機構によって回転駆動される回転ス
ピンドル56に装着されている。切削ブレード54は、
環状の基台541と、該基台541の外周に設けられた
環状の切れ刃542とからなっており、回転スピンドル
56の先端部に取り付けられた図示しない固定フランジ
の工具装着部に嵌合し、その後挟持フランジ58を固定
フランジの工具装着部に螺合することにより、固定フラ
ンジと挟持フランジ58によって挟持されて装着され
る。なお、スピンドルユニット5は、移動基台51を2
本の案内レール432a、432aに沿って矢印Zで示
す方向に移動させるための駆動手段55を具備してい
る。駆動手段55は、上記駆動手段34および44と同
様に案内レール432a、432aの間に配設された雄
ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動
するためのパルスモータ552等の駆動源を含んでお
り、パルスモータ552によって図示しない雄ネジロッ
ドを正転および逆転駆動することにより、スピンドルユ
ニット5を案内レール432a、432aに沿って矢印
Zで示す方向に移動せしめる。
に被加工物である半導体ウエーハ11をストックするカ
セット12と、被加工物搬出手段13と、被加工物搬送
手段14と、洗浄手段15と、洗浄搬送手段16、およ
び顕微鏡やCCDカメラ等で構成されるアライメント手
段17を具備している。なお、半導体ウエーハ11は、
フレーム111にテープ112によって装着されてお
り、フレーム111に装着された状態で上記カセット1
2に収容される。また、カセット12は、図示しない昇
降手段によって上下に移動可能に配設されたカセットテ
ーブル121上に載置される。次に、上述したダイシン
グ装置の加工処理動作について簡単に説明する。カセッ
ト12の所定位置に収容されたフレーム111に装着さ
れた状態の半導体ウエーハ11(以下、フレーム111
に装着された状態の半導体ウエーハ11を単に半導体ウ
エーハ11という)は、図示しない昇降手段によってカ
セットテーブル121が上下動することにより搬出位置
に位置付けられる。次に、被加工物搬出手段13が進退
作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ11
を被加工物載置領域18に搬出する。被加工物載置領域
18に搬出された半導体ウエーハ11は、被加工物搬送
手段14の旋回動作によって上記チャックテーブル機構
3を構成するチャックテーブル33の吸着チャック33
2上に搬送され、該吸着チャック332に吸引保持され
る。このようにして半導体ウエーハ11を吸引保持した
チャックテーブル33は、案内レール32、32に沿っ
てアライメント手段17の直下まで移動せしめられる。
チャックテーブル33がアライメント手段17の直下に
位置付けられると、アライメント手段17によって半導
体ウエーハ11に形成されている切断ラインが検出さ
れ、精密位置合わせ作業が行われる。その後、半導体ウ
エーハ11を吸引保持したチャックテーブル33を切削
送り方向である矢印Xで示す方向(切削ブレード54の
回転軸と直交する方向)に移動することにより、チャッ
クテーブル33に保持された半導体ウエーハ11は切削
ブレード54の厚さ20μm程度の切れ刃542により
所定の切断ラインに沿って切断される。即ち、切削ブレ
ード54は割り出し方向である矢印Yで示す方向および
切り込み方向である矢印Zで示す方向に移動調整されて
位置決めされたスピンドルユニット5に装着され、回転
駆動されているので、チャックテーブル33を切削ブレ
ード54の下側に沿って切削送り方向に移動することに
より、チャックテーブル33に保持された半導体ウエー
ハ11は切削ブレード54の切れ刃542により所定の
切断ラインに沿って切断され、半導体チップに分割され
る。分割された半導体チップは、テープ112の作用に
よってバラバラにはならず、フレーム111に装着され
た半導体ウエーハ11の状態が維持されている。このよ
うにして半導体ウエーハ11の切断が終了した後、半導
体ウエーハ11を保持したチャックテーブル33は、最
初に半導体ウエーハ11を吸引保持した位置に戻され、
ここで半導体ウエーハ11の吸引保持を解除する。次
に、半導体ウエーハ11は、洗浄搬送手段16によって
洗浄手段15に搬送され、ここで洗浄される。このよう
にして洗浄された半導体ウエーハ11は、被加工物搬送
手段14によって被加工物載置領域18に搬出される。
そして、半導体ウエーハ11は、被加工物搬出手段13
によってカセット12の所定位置に収納される。
箔が積層された半導体ウエーハを切削する方法につい
て、図4および図5を参照して説明する。本発明による
切削方法は、切削工程とバリ取り工程とからなってい
る。先ず、切削工程について図4を参照して説明する。
切削工程においては、切削ブレード54を割り出し方向
である矢印Y(図2参照)で示す方向に移動調整して位
置決めした後、例えば切削すべき半導体ウエーハ11の
厚さが100μmである場合、切削ブレード54の高さ
(切削ブレード54の最下点の高さ)が半導体ウエーハ
11の上面から100μmプラスα切り込むように切り
込み方向である矢印Z1で示す方向に移動調整し、切削
ブレード54がテープ112に僅かに接触する状態にな
るように位置付ける。そして、切削ブレード54を図4
において矢印で示す方向に例えば30000rpmの回
転速度で回転しつつ、チャックテーブル33即ち半導体
ウエーハ11を切削ブレード54の回転方向に順ずる方
向となる矢印X1で示す切削送り方向に60mm/se
cの移動速度で図4において2点鎖線で示す切削終了位
置まで移動することにより、半導体ウエーハ11は所定
の切断ラインに沿って切断される。この切削工程におい
ては、切削ブレード54の回転方向と半導体ウエーハ1
1の送り方向との関係は、切削ブレード54と被加工物
である半導体ウエーハ11が対向する位置において切削
ブレード54の回転方向と順方向に半導体ウエーハ11
が移動される。なお、切削工程は従来の切削と実質的に
同じである。このようにして、切削された半導体ウエー
ハ11の切削溝Sの両側切断面には、図6で示すように
ひげ状の長さ20〜50μm程度の複数のバリ110が
発生する。このバリ110は半導体ウエーハ11に積層
された銅箔が切削ブレード54によって切断される際に
生ずるバリである。本発明による切削方法は、切削工程
において発生した上記バリ110を除去するためのバリ
取り工程を含んでいる。
て説明する。従来の切削方法においては、上述したよう
にして切削工程が終了したら、切削ブレード54を上方
に退避させてから、チャックテーブル33即ち半導体ウ
エーハ11を図4において実線で示す位置に戻し、更に
切削ブレード54をY軸方向に所定量割り出し送りし
て、上記切削工程を繰り返し実行するが、本発明におけ
る切削方法はバリ取り工程を遂行する。バリ取り工程
は、上述したようにして切削工程が終了し、半導体ウエ
ーハ11が切削終了位置(図4において2点鎖線で示す
位置、図5において実線で示す位置)に位置付けられた
ら、半導体ウエーハ11を図5において実線で示す位置
から切削ブレード54の回転方向に逆らう方向となる矢
印X2で示す送り方向に移動することにより、上記切削
工程で形成された切削溝をなぞる。このとき、切削ブレ
ード54の回転方向は上記切削工程と同じである。従っ
て、切削ブレード54の回転方向と半導体ウエーハ11
の送り方向との関係は、切削ブレード54と被加工物で
ある半導体ウエーハ11が対向する位置において切削ブ
レード54の回転方向と逆方向に半導体ウエーハ11が
送られることになる。なお、バリ取り工程において半導
体ウエーハ11の矢印X2で示す方法への移動速度は、
上記切削工程における半導体ウエーハ11の矢印X1で
示す方法への移動速度より高速であることが望ましく、
図示の実施形態においては120mm/secに設定さ
れている。また、半導体ウエーハ11の矢印X2で示す
方法への移動時に、切削ブレード54をZ2方向に僅か
に上昇させてもよい。このようにして、半導体ウエーハ
11が図5において実線で示す位置から2点鎖線で示す
スタート位置に移動することにより、バリ取り工程が終
了する。このバリ取り工程を実施し、上記切削工程で形
成された切削溝を切削ブレード54によってなぞること
により、図7で示すように切削工程において切削溝Sの
両側切断面に発生した上記ひげ状のバリ110が除去さ
れる。本発明者の実験によると、切削ブレード54の回
転速度が20000〜35000rpm特に30000
rpm、切削工程における半導体ウエーハ11の送り速
度が10〜60mm/s特に60mm/s、バリ取り工
程における半導体ウエーハ11の送り速度が60〜12
0mm/s特に120mm/sの切削条件において良好
な結果が得られた。
ら、切削ブレード54を次に切削すべき領域に割り出し
送り(図2において矢印Y方向)するとともに、切り込
み送り(図2において矢印Z1方向)した後、上述した
切削工程およびバリ取り工程を順次遂行することによ
り、半導体ウエーハ11に形成された複数個の切断ライ
ンについて切削加工をすることができる。切削ブレード
54を切り込み方向である矢印Z1で示す方向に移動調
整した後における、チャックテーブル33即ち半導体ウ
エーハ11の切削送り方向である矢印Xで示す方向への
移動および切削ブレード54の割り出し送りである矢印
Yで示す方向への移動を示すと図8に示す通りである。
即ち、切削ブレード54の切り込み調整した後は、チャ
ックテーブル33即ち半導体ウエーハ11を矢印X1で
示す方向に移動して切削工程を遂行し、次にチャックテ
ーブル33即ち半導体ウエーハ11を矢印X2で示す方
向に移動してバリ取り工程を遂行する。そして、バリ取
り工程が終了したら切削ブレード54を割り出し送りで
ある矢印Y1で示す方向に移動調整して、上記切削工程
およびバリ取り工程を順次遂行する。なお、バリ取り工
程において切削ブレード54をZ2方向に僅かに上昇さ
せて遂行する場合には、切削工程終了後に切削ブレード
54をZ2方向に移動調整する工程が追加される。
(X方向の送り)をチャックテーブル33即ち半導体ウ
エーハ11側で行う例を示したが、切削ブレード54を
切削送りしてもよい。ここで、切削工程終了後に切削ブ
レード54をZ2方向に移動調整する工程を含む切削ブ
レード54の動きを、図9を参照して説明する。切削ブ
レード54を切り込み方向である矢印Z1で示す方向に
移動調整した後は、切削ブレード54を矢印X1で示す
方向に移動して切削工程を遂行し、次に切削ブレード5
4を切れ刃542の外周縁が半導体ウエーハ11に積層
された最下層の銅箔に接する位置までZ2方向に移動調
整した後、切削ブレード54を矢印X2で示す方向に移
動してバリ取り工程を順次遂行する。バリ取り工程が終
了したら切削ブレード54を割り出し送りである矢印Y
1で示す方向に移動調整するとともに、切削ブレード5
4を切り込み送り方向である矢印Z1で示す方向に移動
調整して、上記切削工程およびバリ取り工程を順次遂行
する。
工物として銅箔が積層された半導体ウエーハを用いた例
を示したが、本発明による切削方向は銅箔と同様な問題
が生ずる金、銀等が積層された被加工物にも有効に利用
できる。また、本発明による切削方向は、半導体ウエー
ハに限らず、銅等が積層されたセラミックス、フェライ
ト、ガラス、ヒートシンク材等の被加工物においても有
効に利用できる。
成されているので、次の作用効果を奏する。
と、該切削工程で形成された切削溝をなぞるバリ取り工
程とを含むので、切削工程において発生したバリを除去
することができる。特に、バリ取り工程における切削ブ
レードと被加工物との相対的移動速度を、切削工程にお
ける切削ブレードと被加工物との相対的移動速度より高
速に設定することにより、切削工程において発生したバ
リを確実に除去することができる。
置であるダイシング装置の斜視図。
ルユニットの要部斜視図。
説明図。
示す説明図。
て切削された被加工物の切断面の拡大図。
遂行された被加工物の切断面の拡大図。
加工物および切削ブレードの動きを示す説明図。
切削ブレードの動きを示す説明図。
Claims (3)
- 【請求項1】 環状の切れ刃を有し所定方向に回転する
切削ブレードに対して、該切削ブレードの回転軸と直交
する方向に被加工物を相対的に移動せしめて切削を行う
切削方法であって、 該切削ブレードと被加工物が対向する位置において該切
削ブレードの回転方向と順方向に被加工物を相対的に移
動せしめて被加工物を切削する切削工程と、 該切削ブレードと被加工物が対向する位置において該切
削ブレードの回転方向と逆方向に被加工物を相対的に移
動せしめて該切削工程で形成された切削溝をなぞるバリ
取り工程と、を含む、 ことを特徴とする切削方法。 - 【請求項2】 所定方向に回転する該切削ブレードに対
して該被加工物を往復移動することにより該切削工程と
該バリ取り工程を遂行し、次に切削すべき領域に該切削
ブレードを割り出し送りした後、該被加工物を往復移動
することにより該切削工程と該バリ取り工程を順次遂行
する、請求項1記載の切削方法。 - 【請求項3】 該バリ取り工程における該切削ブレード
と被加工物との相対的移動速度は、該切削工程における
該切削ブレードと被加工物との相対的移動速度より高速
に設定されている、請求項1又2は記載の切削方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25447299A JP4394210B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 切削方法 |
SG200004967A SG85728A1 (en) | 1999-09-08 | 2000-08-30 | Cutting method |
TW089117823A TW460967B (en) | 1999-09-08 | 2000-08-31 | Cutting method |
DE10043212A DE10043212B4 (de) | 1999-09-08 | 2000-09-01 | Schneidverfahren |
US09/655,722 US6346034B1 (en) | 1999-09-08 | 2000-09-05 | Cutting method |
KR1020000053387A KR100563484B1 (ko) | 1999-09-08 | 2000-09-08 | 절삭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25447299A JP4394210B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 切削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077055A true JP2001077055A (ja) | 2001-03-23 |
JP4394210B2 JP4394210B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=17265526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25447299A Expired - Lifetime JP4394210B2 (ja) | 1999-09-08 | 1999-09-08 | 切削方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6346034B1 (ja) |
JP (1) | JP4394210B2 (ja) |
KR (1) | KR100563484B1 (ja) |
DE (1) | DE10043212B4 (ja) |
SG (1) | SG85728A1 (ja) |
TW (1) | TW460967B (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347464A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物に形成された電極の加工方法 |
JP2006041261A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | バリ除去方法,ダイシング方法 |
US7056768B2 (en) | 2003-07-16 | 2006-06-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Cutting method and method of manufacturing semiconductor device |
JP2010114294A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Apic Yamada Corp | 切断方法及び切断装置 |
JP2010123603A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
JP2012081584A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-04-26 | Nippon Light Metal Co Ltd | 溝入れ加工方法 |
JP2013120856A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割方法 |
KR20150084645A (ko) * | 2014-01-14 | 2015-07-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 절삭 방법 |
KR20150108310A (ko) | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 절삭 방법 |
KR20180123637A (ko) * | 2017-05-09 | 2018-11-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 방법 |
CN114714414A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-08 | 上海伊川水塑料制品有限公司 | 一种聚全氟乙丙烯管材加工用切割装置 |
KR20240031903A (ko) | 2022-09-01 | 2024-03-08 | 가부시기가이샤 디스코 | 패키지 기판의 분할 방법 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6826986B2 (en) * | 2001-05-05 | 2004-12-07 | Ah Beng Lim | Bi-directional singulation system and method |
JP2002359211A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削機 |
JP3857118B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2006-12-13 | 富士通株式会社 | レジンダイヤモンドブレード及び該ブレードを使用した光導波路の製造方法 |
KR100411807B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2003-12-24 | 동부전자 주식회사 | 멀티 웨이퍼 절삭장치 |
JP4323129B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2009-09-02 | 株式会社ディスコ | 板状物の搬送機構 |
KR100674440B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2007-01-25 | 주식회사 파이컴 | 프로브 카드 제조 방법 및 장치 |
CN101901740B (zh) * | 2009-05-27 | 2011-10-19 | 台湾暹劲股份有限公司 | 一种电子元件切割剥料机及其方法 |
DE102012016238B4 (de) | 2012-08-16 | 2020-01-02 | GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) | Verfahren zur Beseitigung von elektrischen Kurzschlüssen und Diagnosegerät |
JP6144107B2 (ja) * | 2013-05-09 | 2017-06-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの切削方法 |
JP6501530B2 (ja) * | 2015-01-21 | 2019-04-17 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6486710B2 (ja) | 2015-02-23 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2016192494A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP6887313B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-06-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN114227949B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-03-15 | 西安空间无线电技术研究所 | 一种磁性基材的物理切割方法 |
KR102592506B1 (ko) * | 2023-06-27 | 2023-10-23 | 주식회사 별랑 | 피가공물의 보호비닐 끝단부 트림방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4688540A (en) * | 1984-12-27 | 1987-08-25 | Disco Abrasive Systems, Ltd. | Semiconductor wafer dicing machine |
JPH0574932A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法 |
JP2883257B2 (ja) * | 1993-03-15 | 1999-04-19 | ローム株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-09-08 JP JP25447299A patent/JP4394210B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-30 SG SG200004967A patent/SG85728A1/en unknown
- 2000-08-31 TW TW089117823A patent/TW460967B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-01 DE DE10043212A patent/DE10043212B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-05 US US09/655,722 patent/US6346034B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-08 KR KR1020000053387A patent/KR100563484B1/ko active IP Right Grant
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7056768B2 (en) | 2003-07-16 | 2006-06-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Cutting method and method of manufacturing semiconductor device |
JP2005347464A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物に形成された電極の加工方法 |
JP4542375B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2010-09-15 | 株式会社ディスコ | 板状物に形成された電極の加工方法 |
JP2006041261A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | バリ除去方法,ダイシング方法 |
JP4540421B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-09-08 | 株式会社ディスコ | ダイシング方法 |
JP2010114294A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Apic Yamada Corp | 切断方法及び切断装置 |
JP2010123603A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
JP2013120856A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割方法 |
JP2012081584A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-04-26 | Nippon Light Metal Co Ltd | 溝入れ加工方法 |
JP2015133425A (ja) * | 2014-01-14 | 2015-07-23 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
KR20150084645A (ko) * | 2014-01-14 | 2015-07-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 절삭 방법 |
KR102163438B1 (ko) * | 2014-01-14 | 2020-10-08 | 가부시기가이샤 디스코 | 절삭 방법 |
KR20150108310A (ko) | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 절삭 방법 |
US9349647B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-05-24 | Disco Corporation | Cutting method |
KR20180123637A (ko) * | 2017-05-09 | 2018-11-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 방법 |
JP2018190852A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
TWI751324B (zh) * | 2017-05-09 | 2022-01-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 加工方法 |
KR102448221B1 (ko) * | 2017-05-09 | 2022-09-27 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 방법 |
CN114714414A (zh) * | 2022-04-06 | 2022-07-08 | 上海伊川水塑料制品有限公司 | 一种聚全氟乙丙烯管材加工用切割装置 |
CN114714414B (zh) * | 2022-04-06 | 2023-11-17 | 上海伊川水塑料制品有限公司 | 一种聚全氟乙丙烯管材加工用切割装置 |
KR20240031903A (ko) | 2022-09-01 | 2024-03-08 | 가부시기가이샤 디스코 | 패키지 기판의 분할 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4394210B2 (ja) | 2010-01-06 |
TW460967B (en) | 2001-10-21 |
KR100563484B1 (ko) | 2006-03-27 |
DE10043212B4 (de) | 2009-12-24 |
DE10043212A1 (de) | 2001-04-12 |
SG85728A1 (en) | 2002-01-15 |
KR20010030338A (ko) | 2001-04-16 |
US6346034B1 (en) | 2002-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001077055A (ja) | 切削方法 | |
JP5065637B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR100624931B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 분할방법 | |
JP4256214B2 (ja) | 板状物の分割装置 | |
JP2001085365A (ja) | ダイシング方法 | |
US6609965B2 (en) | Cutting blade | |
JP2023040145A (ja) | ダイシング装置及びカッターセット方法 | |
JP5378727B2 (ja) | バイト工具を備えた加工装置 | |
JP4057457B2 (ja) | フリップチップボンダー | |
JP2004319697A (ja) | 板状物に形成された電極の加工装置 | |
JP5213815B2 (ja) | 電極加工装置 | |
TW201907455A (zh) | 被加工物的切削方法 | |
JP5270481B2 (ja) | 電極加工方法 | |
KR102391848B1 (ko) | 피가공물의 가공 방법 | |
JP4590064B2 (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP6935131B2 (ja) | 板状の被加工物の切断方法 | |
JP2016213240A (ja) | 製造装置及び製造方法 | |
JP2001319897A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP2004319698A (ja) | スタッドバンプボンダー | |
JP2020009917A (ja) | 被加工物の乾燥方法及び切削装置 | |
JP4542375B2 (ja) | 板状物に形成された電極の加工方法 | |
JP2011077284A (ja) | 切削装置 | |
JP2019136861A (ja) | バイト切削方法 | |
JP2024071061A (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
JP2002118080A (ja) | 半導体プレートの分割方法および切削ブレード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091013 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4394210 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |