JP2001068738A - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板の裏面に発光半導体装置を装着する
場合においても、リフローはんだ付けはもとよりディッ
プはんだ付けあるいはフローはんだ付けを容易に行なう
ことのできる発光半導体装置を提供すること。 【解決手段】 回路基板１６に形成された貫通孔１６ａ
に発光半導体装置９の投光部８を位置させて発光半導体
装置９を回路基板１６にはんだ付けするに際し、発光半
導体装置９の基板１に突出部１ａ、またはモールド体に
埋め込み一端をモールド体から突出させた金属片により
突出部を形成し、該突出部に回路基板１６に塗布した接
着剤で発光半導体装置９を回路基板１６に仮止め固定す
る。
場合においても、リフローはんだ付けはもとよりディッ
プはんだ付けあるいはフローはんだ付けを容易に行なう
ことのできる発光半導体装置を提供すること。 【解決手段】 回路基板１６に形成された貫通孔１６ａ
に発光半導体装置９の投光部８を位置させて発光半導体
装置９を回路基板１６にはんだ付けするに際し、発光半
導体装置９の基板１に突出部１ａ、またはモールド体に
埋め込み一端をモールド体から突出させた金属片により
突出部を形成し、該突出部に回路基板１６に塗布した接
着剤で発光半導体装置９を回路基板１６に仮止め固定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に形成さ
れた貫通孔に投光部を位置させて回路基板に装着する発
光半導体装置に関するものである。
れた貫通孔に投光部を位置させて回路基板に装着する発
光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光半導体装置は、典型的には図６（平
面図）および図７（図６のＡーＡ断面図）に示す発光素
子をセラミック基板に搭載するもの（以下、基板型とい
う。）と、図９（平面図）および図１０（図９のＢーＢ
断面図）に示す発光素子をエポキシ樹脂などでモールド
したもの（以下、モールド型という。）とある。図６お
よび図７に示す基板型の発光半導体装置は、基板１の長
手方向両側に分けてその表面中央部から端部側面および
裏面にまたがって電極２および３が形成されており、一
方の電極２の表面中央部側の端部に発光素子４の一方の
電極が接続固定（ダイボンド）され、他方の電極３の表
面中央部側の端部と発光素子４の他方の電極とがワイヤ
（導線）５により電気的に接続されている。
面図）および図７（図６のＡーＡ断面図）に示す発光素
子をセラミック基板に搭載するもの（以下、基板型とい
う。）と、図９（平面図）および図１０（図９のＢーＢ
断面図）に示す発光素子をエポキシ樹脂などでモールド
したもの（以下、モールド型という。）とある。図６お
よび図７に示す基板型の発光半導体装置は、基板１の長
手方向両側に分けてその表面中央部から端部側面および
裏面にまたがって電極２および３が形成されており、一
方の電極２の表面中央部側の端部に発光素子４の一方の
電極が接続固定（ダイボンド）され、他方の電極３の表
面中央部側の端部と発光素子４の他方の電極とがワイヤ
（導線）５により電気的に接続されている。
【０００３】そして、発光素子４の周囲には、発光素子
４が発する光を図示の上方に向けて投光するように反射
体６が設置されている。反射体６で囲まれ発光素子４が
位置する空間には透明のエポキシ樹脂７が充填されてい
る。基板１に形成された各電極２および３は、発光素子
４、反射体６および透明の樹脂層７からなる投光部８か
ら延出されており、延出された電極部は回路基板に装着
する際のはんだ付け部となる。
４が発する光を図示の上方に向けて投光するように反射
体６が設置されている。反射体６で囲まれ発光素子４が
位置する空間には透明のエポキシ樹脂７が充填されてい
る。基板１に形成された各電極２および３は、発光素子
４、反射体６および透明の樹脂層７からなる投光部８か
ら延出されており、延出された電極部は回路基板に装着
する際のはんだ付け部となる。
【０００４】また、図９および図１０に示すモールド型
の発光半導体装置は、一対のリード（電気引込線）１２
および１３の一方のリード１２の一端部表面に発光素子
４の一方の電極が接続固定（ダイボンド）され、他方の
リード１３の一端部表面に発光素子４の他方の電極とが
ワイヤ（導線）５により電気的に接続されている。そし
て発光素子４の周りは透明のエポキシ樹脂１４でモール
ドされている。モールド体１４の図示の上面には上方に
向けて投光する光が集光するようにレンズ部、つまり投
光部１５とされている。各リード１２および１３の他端
はこのモールド体１４から延出されており、延出された
リード部は回路基板に装着する際のはんだ付け部とな
る。
の発光半導体装置は、一対のリード（電気引込線）１２
および１３の一方のリード１２の一端部表面に発光素子
４の一方の電極が接続固定（ダイボンド）され、他方の
リード１３の一端部表面に発光素子４の他方の電極とが
ワイヤ（導線）５により電気的に接続されている。そし
て発光素子４の周りは透明のエポキシ樹脂１４でモール
ドされている。モールド体１４の図示の上面には上方に
向けて投光する光が集光するようにレンズ部、つまり投
光部１５とされている。各リード１２および１３の他端
はこのモールド体１４から延出されており、延出された
リード部は回路基板に装着する際のはんだ付け部とな
る。
【０００５】ところで、以上のように構成された発光半
導体装置は、回路基板に装着するに際し、回路基板にた
とえば光点の配列を考慮した複数の貫通孔を形成し、各
貫通孔毎に発光半導体装置の投光部を位置させ、発光半
導体装置自体は回路基板の裏面に装着する場合がある。
この場合、基板型の発光半導体装置にあっては、図８に
示すように回路基板１６に形成した貫通孔１６ａに発光
半導体装置の投光部８を位置させ、回路基板１６の導体
回路１７に連接するはんだパターン部に予めはんだを設
けたはんだ層１８に発光半導体装置の基板１に形成され
ている電極２および３を当接させ、リフロー装置などで
はんだ層１８を溶かして接続固定するようにしている。
導体装置は、回路基板に装着するに際し、回路基板にた
とえば光点の配列を考慮した複数の貫通孔を形成し、各
貫通孔毎に発光半導体装置の投光部を位置させ、発光半
導体装置自体は回路基板の裏面に装着する場合がある。
この場合、基板型の発光半導体装置にあっては、図８に
示すように回路基板１６に形成した貫通孔１６ａに発光
半導体装置の投光部８を位置させ、回路基板１６の導体
回路１７に連接するはんだパターン部に予めはんだを設
けたはんだ層１８に発光半導体装置の基板１に形成され
ている電極２および３を当接させ、リフロー装置などで
はんだ層１８を溶かして接続固定するようにしている。
【０００６】また、モールド型の発光半導体装置におい
ても、図１１に示すように回路基板１６に形成した貫通
孔１６ａに発光半導体装置の投光部１５を位置させ、回
路基板１６の導体回路１７に連接するはんだランド部に
予めはんだを設けたはんだ層１８の上に発光半導体装置
のリード１２および１３を当接させ、リフロー装置など
ではんだ１８を溶かして接続固定するようにしている。
ても、図１１に示すように回路基板１６に形成した貫通
孔１６ａに発光半導体装置の投光部１５を位置させ、回
路基板１６の導体回路１７に連接するはんだランド部に
予めはんだを設けたはんだ層１８の上に発光半導体装置
のリード１２および１３を当接させ、リフロー装置など
ではんだ１８を溶かして接続固定するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、製品の製造
工程などの都合により、回路基板の裏面に発光半導体装
置を装着する場合でも、はんだ付けをディップはんだ付
けあるいはフローはんだ付けで行ないたいという要望が
ある。このようなはんだ付けでは発光半導体装置の電極
やリードのはんだ付け部を回路基板のはんだランド部に
位置決めし、はんだ付けが終わるまでその位置を回路基
板上で保持する必要がある。しかし、上記の従来の発光
半導体装置ではこの位置を保持することが極めて困難で
あるという問題がある。
工程などの都合により、回路基板の裏面に発光半導体装
置を装着する場合でも、はんだ付けをディップはんだ付
けあるいはフローはんだ付けで行ないたいという要望が
ある。このようなはんだ付けでは発光半導体装置の電極
やリードのはんだ付け部を回路基板のはんだランド部に
位置決めし、はんだ付けが終わるまでその位置を回路基
板上で保持する必要がある。しかし、上記の従来の発光
半導体装置ではこの位置を保持することが極めて困難で
あるという問題がある。
【０００８】本発明は、このような問題に鑑みなされた
もので、回路基板の裏面に発光半導体装置を装着する場
合においても、リフローはんだ付けはもとよりディップ
はんだ付けあるいはフローはんだ付けを容易に行なうこ
とのできる発光半導体装置を提供することを目的とす
る。
もので、回路基板の裏面に発光半導体装置を装着する場
合においても、リフローはんだ付けはもとよりディップ
はんだ付けあるいはフローはんだ付けを容易に行なうこ
とのできる発光半導体装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明
は、回路基板に形成された貫通孔に投光部を位置させて
前記回路基板に装着される発光半導体装置において、前
記発光半導体装置に前記回路基板に仮止めする仮止め用
の突部を設けたことを特徴とする。
は、回路基板に形成された貫通孔に投光部を位置させて
前記回路基板に装着される発光半導体装置において、前
記発光半導体装置に前記回路基板に仮止めする仮止め用
の突部を設けたことを特徴とする。
【００１０】請求項２に係る本発明は、発光半導体装置
が基板型である場合に、その基板に仮止め用の突部を形
成することを特徴とし、請求項３に係る本発明は、発光
半導体装置がモールド型である場合に、仮止め用の突部
をモールド体に一端を埋設し、他端が前記モールド体か
ら延出する金属片で形成することを特徴とする。
が基板型である場合に、その基板に仮止め用の突部を形
成することを特徴とし、請求項３に係る本発明は、発光
半導体装置がモールド型である場合に、仮止め用の突部
をモールド体に一端を埋設し、他端が前記モールド体か
ら延出する金属片で形成することを特徴とする。
【００１１】本発明では、発光半導体装置に仮止め用の
突部を設けているので、発光半導体装置を回路基板に装
着する場合には、この突部を利用して回路基板の所定の
位置に接着剤などで固定することができ、この固定によ
ってディップはんだ付けあるいはフローはんだ付けに際
してもはんだ付けが終わるまで発光半導体装置の電極や
リードのはんだ付け部を回路基板のはんだランド部に位
置決め保持することが可能になる。
突部を設けているので、発光半導体装置を回路基板に装
着する場合には、この突部を利用して回路基板の所定の
位置に接着剤などで固定することができ、この固定によ
ってディップはんだ付けあるいはフローはんだ付けに際
してもはんだ付けが終わるまで発光半導体装置の電極や
リードのはんだ付け部を回路基板のはんだランド部に位
置決め保持することが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図１ないし図５を参照して
本発明に係る実施形態について説明する。図１は一実施
形態に係る発光半導体装置の回路基板への装着を示す斜
視図、図２は図１に示す発光半導体装置の平面図、図３
は他の実施形態に係る発光半導体装置の回路基板への装
着を示す斜視図、図４は図３に示す発光半導体装置の平
面図、図５は図４のＣーＣ断面図である。なお、図７な
いし図１１に示すものと同一部分および対応する部分に
は同一の符号を付している。
本発明に係る実施形態について説明する。図１は一実施
形態に係る発光半導体装置の回路基板への装着を示す斜
視図、図２は図１に示す発光半導体装置の平面図、図３
は他の実施形態に係る発光半導体装置の回路基板への装
着を示す斜視図、図４は図３に示す発光半導体装置の平
面図、図５は図４のＣーＣ断面図である。なお、図７な
いし図１１に示すものと同一部分および対応する部分に
は同一の符号を付している。
【００１３】図１および図２において、９は一実施形態
の発光半導体装置で、１は基板、２および３は電極、８
は投光部であり、電極２および３並びに投光部８は、図
７に示すものと同様に構成されている。基板１には、長
手方向の中央部の両側に弧状（矩形状であってもよ
い。）に張り出した突出部１ａが一体的に形成されてい
る。突出部１ａは、回路基板１６に装着する際の仮止め
固定部となる。
の発光半導体装置で、１は基板、２および３は電極、８
は投光部であり、電極２および３並びに投光部８は、図
７に示すものと同様に構成されている。基板１には、長
手方向の中央部の両側に弧状（矩形状であってもよ
い。）に張り出した突出部１ａが一体的に形成されてい
る。突出部１ａは、回路基板１６に装着する際の仮止め
固定部となる。
【００１４】すなわち、発光半導体装置９を回路基板１
６に形成された貫通孔１６ａに投光部８を位置させて、
発光半導体装置９自体を回路基板１６の裏面に装着する
場合に回路基板１６の所定の位置、つまり発光半導体装
置９を図示しない吸引チャックなどのマウンタにより発
光半導体装置９の電極２および３を回路基板１６のはん
だランド部１８ａに合わせて搭載するとき、突出部１ａ
の表面と対向する回路基板１６の位置に接着剤１９を塗
布しておき、その接着力によって発光半導体装置９を回
路基板１６に仮止め固定する。この固定によりディップ
はんだ付けあるいはフローはんだ付けに際しても発光半
導体装置９の位置ずれを防止することができる。
６に形成された貫通孔１６ａに投光部８を位置させて、
発光半導体装置９自体を回路基板１６の裏面に装着する
場合に回路基板１６の所定の位置、つまり発光半導体装
置９を図示しない吸引チャックなどのマウンタにより発
光半導体装置９の電極２および３を回路基板１６のはん
だランド部１８ａに合わせて搭載するとき、突出部１ａ
の表面と対向する回路基板１６の位置に接着剤１９を塗
布しておき、その接着力によって発光半導体装置９を回
路基板１６に仮止め固定する。この固定によりディップ
はんだ付けあるいはフローはんだ付けに際しても発光半
導体装置９の位置ずれを防止することができる。
【００１５】図１および図２に示す実施形態の発光半導
体装置９は基板型であるが、モールド型の発光半導体装
置では、図３ないし図５に示すように構成するとよい。
すなわち、図３ないし図５において、１０は他の実施形
態の発光半導体装置で、４は発光素子、１２および１３
はリード、１４はモールド体、１５はレンズ部からなる
投光部であり、これらは図１０に示すものと同様に構成
されている。
体装置９は基板型であるが、モールド型の発光半導体装
置では、図３ないし図５に示すように構成するとよい。
すなわち、図３ないし図５において、１０は他の実施形
態の発光半導体装置で、４は発光素子、１２および１３
はリード、１４はモールド体、１５はレンズ部からなる
投光部であり、これらは図１０に示すものと同様に構成
されている。
【００１６】２０はリード１２および１３と同様の金属
片で、リード１２および１３を形成したリードフレーム
に形成されており、発光素子４の周囲をエポキシ樹脂で
モールドする際に、その一端部はリード１２および１３
とともにモールド体１４中に埋め込まれ、他端はモール
ド体１４から延出させている。金属片２０のモールド体
１４から延出している突出部は、回路基板１６に装着す
る際の仮止め固定部となる。
片で、リード１２および１３を形成したリードフレーム
に形成されており、発光素子４の周囲をエポキシ樹脂で
モールドする際に、その一端部はリード１２および１３
とともにモールド体１４中に埋め込まれ、他端はモール
ド体１４から延出させている。金属片２０のモールド体
１４から延出している突出部は、回路基板１６に装着す
る際の仮止め固定部となる。
【００１７】すなわち、発光半導体装置１０を回路基板
１６に形成された貫通孔１６ａに投光部８を位置させ
て、発光半導体装置１０自体を回路基板１６の裏面に装
着する場合に回路基板１６の所定の位置、つまり発光半
導体装置１０を図示しない吸引チャックなどのマウンタ
により発光半導体装置１０のリード１２および１３を回
路基板１６のはんだランド部１８ａに合わせて搭載する
とき、金属片２０の表面と対向する回路基板１６の位置
に接着剤１９を塗布しておき、その接着力によって発光
半導体装置１０を回路基板１６に仮止め固定する。この
固定によりディップはんだ付けあるいはフローはんだ付
けに際しても発光半導体装置１０の位置ずれを防止する
ことができる。
１６に形成された貫通孔１６ａに投光部８を位置させ
て、発光半導体装置１０自体を回路基板１６の裏面に装
着する場合に回路基板１６の所定の位置、つまり発光半
導体装置１０を図示しない吸引チャックなどのマウンタ
により発光半導体装置１０のリード１２および１３を回
路基板１６のはんだランド部１８ａに合わせて搭載する
とき、金属片２０の表面と対向する回路基板１６の位置
に接着剤１９を塗布しておき、その接着力によって発光
半導体装置１０を回路基板１６に仮止め固定する。この
固定によりディップはんだ付けあるいはフローはんだ付
けに際しても発光半導体装置１０の位置ずれを防止する
ことができる。
【００１８】なお、この実施形態では金属片２０をモー
ルド体１４から突出するようにしているが、モールド体
に突出部を形成するようにしてもよい。
ルド体１４から突出するようにしているが、モールド体
に突出部を形成するようにしてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳述したように本発明によれば、
発光半導体装置に回路基板に当接する突出部を形成して
いるので、発光半導体装置を回路基板の裏面に装着する
場合においても、はんだ付け時に回路基板に仮止めする
スペースが確保され、このスペースによって接着剤など
の固着手段の利用が図れ、ディップはんだ付けあるいは
フローはんだ付けに容易に対応することができる。また
その突出部を発光半導体装置の基板やリードフレームに
より形成すると、格別な装置を要することなく簡単に形
成することができる。
発光半導体装置に回路基板に当接する突出部を形成して
いるので、発光半導体装置を回路基板の裏面に装着する
場合においても、はんだ付け時に回路基板に仮止めする
スペースが確保され、このスペースによって接着剤など
の固着手段の利用が図れ、ディップはんだ付けあるいは
フローはんだ付けに容易に対応することができる。また
その突出部を発光半導体装置の基板やリードフレームに
より形成すると、格別な装置を要することなく簡単に形
成することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る発光半導体装置（基
板型）の回路基板への装着を示す斜視図である。
板型）の回路基板への装着を示す斜視図である。
【図２】図１に示す発光半導体装置の平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る発光半導体装置
（モールド型）の回路基板への装着を示す斜視図であ
る。
（モールド型）の回路基板への装着を示す斜視図であ
る。
【図４】図３に示す発光半導体装置の平面図である。
【図５】図４のＣーＣ断面図である。
【図６】従来の一例の発光半導体装置（基板型）の平面
図である。
図である。
【図７】図６のＡーＡ断面図である。
【図８】従来の発光半導体装置（基板型）の回路基板へ
の装着の一例を示す斜視図である。
の装着の一例を示す斜視図である。
【図９】従来の他の例の発光半導体装置（モールド型）
の平面図である。
の平面図である。
【図１０】図９のＢーＢ断面図である。
【図１１】従来の発光半導体装置（モールド型）の回路
基板への装着の他の例を示す斜視図である。
基板への装着の他の例を示す斜視図である。
１ 基板 １ａ 突出部 ２、３ 電極 ４ 発光素子 ５ ワイヤ（導線） ６ 反射体 ８、１５ 投光部 ９、１０ 発光半導体装置 １２、１３ リード １４ モールド体 １６ 回路基板 １６ａ 貫通孔 １７ 回路導体 １８ａ はんだランド部 １９ 接着剤 ２０ 金属片（突出部）
Claims (3)
- 【請求項１】 回路基板に形成された貫通孔に投光部を
位置させて前記回路基板に装着される発光半導体装置に
おいて、前記発光半導体装置に前記回路基板に仮止めす
る仮止め用の突部を設けたことを特徴とする発光半導体
装置。 - 【請求項２】 前記発光半導体装置は電極が形成された
基板に装着された発光素子を備え、前記突部は前記基板
に形成してなる請求項１に記載の発光半導体装置。 - 【請求項３】 前記発光半導体装置はモールド体からリ
ードを延出してなり、前記突部は前記モールド体に一端
を埋設し、他端が前記モールド体から延出する金属片で
ある請求項１に記載の発光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23683299A JP3864263B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23683299A JP3864263B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 発光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068738A true JP2001068738A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3864263B2 JP3864263B2 (ja) | 2006-12-27 |
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Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
| US6825894B2 (en) | 2001-05-30 | 2004-11-30 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
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| KR100850400B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2008-08-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
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