JP2839587B2 - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、LSI等の半導体集積回路のパターンをマス
クや半導体ウェハ等の試料に高速・高精度に描画するた
めの荷電ビーム描画方法に係わり、特に装置に受容可能
な描画パターンデータを高速に生成することを可能とし
た荷電ビーム描画方法に関する。

（従来の技術） 近年、LSIのパターンは益々微細かつ複雑になってお
り、このようなパターンを形成する装置として電子ビー
ム描画装置が広く用いられている。この装置を用いて所
望のパターンを描画する場合、CADを始めとするLSIのパ
ターン設計ツールを用いて作成される設計パターンデー
タを、そのままの形式で上記描画装置の描画パターンデ
ータとして供給することはできない。即ち、設計パター
ンデータで定義されているデータ体系は一般的に非常に
自由度の高いデータ体系として作成されているため、電
子ビーム描画装置に受容可能なデータ体系とするには、
以下に示すような制限を満足させなければならない。

電子ビーム描画装置で受容可能な基本図形群（台形
や矩形等）のみで構成される図形体系で定義されるこ
と。

多重露光となってパターンの形成精度を低下させて
しまう図形相互の重なりのないデータ体系で定義される
こと。

電子ビーム描画装置の描画方式に沿って所定の単位
描画領域毎に領域分割されたデータ体系で定義されてい
ること。

従って、上記設計パターンデータを例えば輪郭化処理
といった手法を用いて多重露光領域の除去を行い、その
後ビームの偏向領域により決定する固有の単位描画領域
（フレーム領域，サブフィールド領域）毎の矩形，台形
及び三角形等の基本図形群に図形分割することにより、
電子ビーム描画装置にとって受容可能な図形データ体系
とする。そして、このような図形体系のデータを基に所
望とするLSIチップに係わる描画パターンデータを生成
し、該描画パターンデータを磁気ディスクに代表される
記憶媒体に記憶させて描画に供している。

そして、描画処理工程では上記描画パターンデータを
１回のテーブル連続移動により描画し得る単位領域であ
る描画ストライプ領域（フレーム領域を所定の規則によ
り集めた領域）毎に読み出して、一時的にパターンメモ
リ部に蓄積する。このパターンメモリに蓄積されたデー
タを解読し、ビーム成形手段により形成可能な描画単位
図形（図形サイズに制限を持った矩形と形状及びサイズ
に制限を持った三角形）の集まりで所望パターンを構成
すべく図形分割を行う。その結果得られた図形データを
基にして、ビーム位置及びビームの形状を制御すると共
に、試料を載置したテーブルをＸ方向若しくはＹ方向に
連続的に移動し、描画ストライプ領域内に所望のパター
ンを描画する。

次いで、上記テーブルを連続移動方向と直交する方向
に描画ストライプ領域の幅だけステップ移動し、上記処
理を繰り返すことにより所望領域全体の描画処理が行わ
れる。なお、主偏向手段により副偏向位置を制御しなが
ら且つ副偏向手段により副偏向領域内に所望パターンを
描画する２段偏向方式では、単位描画領域（サブフィー
ルド）の集合体でフレーム領域を構成し、このフレーム
領域の集合体で描画ストライプ領域を構成しており、描
画ストライプの幅は上記主偏向手段と副偏向手段のビー
ム偏向幅で規定されている。

上述の如く描画処理に供される描画パターンデータを
生成するに際しては、LSIパターンの微細化及び高集積
化への対応策として、メモリセルのような繰り返し構造
を有するパターン領域については、繰り返しの種となる
図形パターン群とその繰り返し情報で描画パターンデー
タを構成することにより、描画パターンデータの圧縮を
はかっていた。その理由はパターン密度の微細化及び集
積度の伸長が激しいメモリデバイスのデータ変換処理に
あっては、上記繰り返し構造を利用したデータ圧縮を行
わないと計算機資源を著しく圧迫することと、データ変
換処理時間が長期化し実用的でなくなるといった観点か
ら、最早データ変換不能な状況となってしまうからであ
る。

次に、上記パターンの繰り返し構造を有効利用した従
来のデータ生成手法について説明する。LSIの設計パタ
ーンデータは、図形パターンを定義する図形情報と他の
ブロックを当該ブロックのどの位置に幾つ配置するのか
を定義するブロック参照情報から構成されるブロックデ
ータの組み合わせにより定義されている。このように図
形情報が幾つかのブロックに分散して格納される繰り返
しパターンを圧縮可能なデータ体系を階層構造を有する
データと呼んでいる。

このような形式を持った設計パターンデータを前記電
子ビーム描画装置で受容可能なデータ形式とするため、
例えば特願昭62−32719号に開示する方法により、ブロ
ック相互の重なり除去処理を行って得られたブロック群
に包含される図形パターン群を対象として、図形相互の
重なり除去及び図形の白黒反転処理を行うに際しては、
磁気ディスクを始めとする記憶媒体からブロック領域毎
に図形群を計算機のメモリに入力してブロック単位に図
形の重なり除去及び白黒反転処理や図の領域分割処理を
行って所望の描画パターンデータを生成し、該描画パタ
ーンデータを以て描画処理に供していた。

しかしながら、この種のデータ生成方法にあっては次
に示すような問題があった。即ち、階層構造を有する設
計パターンデータから上記描画パターンデータを生成す
るに際して、ブロック単位の図形演算処理及び図形分割
処理を行う場合、個々のブロック領域に包含される図形
数はばらつきが大きくブロックに包含される図形数が少
ない場合には、実際の図形演算処理や図形分割処理に要
する処理時間よりも、図形データを記憶媒体から計算機
に読み出す時間や処理した後の図形データを記憶媒体に
格納する際のオーバヘッド時間が大きくなってしまい、
これが処理の高速化を阻害していた。

また、上記図形の演算処理や分割処理に要する処理時
間は図形数の増大に伴って指数的に増加することが一般
的であり、１つのブロック領域に包含される図形数が所
定の値を越えるブロック領域に関する図形演算処理や図
形分割処理に要する処理時間が長期化してしまうという
問題があった。

このような状況から現在のデータ生成工程において
は、CADで作成される設計パターンデータから電子ビー
ム描画装置に受容可能な描画パターンデータを生成する
処理時間の高速化には制限があり、LSIの微細化及び高
集積化が進む状況下にあってデータ変換時間の長期化を
誘引しており、描画装置自体の描画スループットが向上
していくに伴って描画パターンデータの供給が追い付か
なくなる。つまり、データ変換処理が描画スループット
を制限してしまうという問題に発展することも十分考え
られ、計算機の性能向上及び拡張が常に叫ばれることに
なる。

そして、このような問題点は、電子ビーム描画装置の
稼動率を低下させると共に、LSIの生産性の低下を引き
起こすこととなり、今後LSIの急速な進歩でパターンの
微細化・集積度の向上により電子ビーム描画装置で描画
されたLSIパターンに対する信頼性及び装置の稼動率を
高める上で大きな問題となる。

（発明が解決しようとする課題） このように、階層構造を有する設計パターンデータか
らビームの形状及びビーム位置を制御してマスクやウェ
ハ等の試料に所望のパターンを描画処理するための描画
パターンデータを生成するデータ変換処理において、従
来は図形数によることなく個々のブロック単位に図形パ
ターン群に対する図形演算処理及び図形分割処理を行っ
ていた。このため、ブロック毎の図形演算及び図形分割
処理に際して図形データが格納されている記憶媒体との
データ入出力時間と上記図形処理のバランスが悪く、効
率の良い処理体系となっていなかった。

従って、データ変換時間（実際に設計パターンデータ
を入力してから描画パターンデータが出力されるまでの
時間）の長期化を招き、これが描画スループットの低下
を招くという問題に発展することが十分考えられる。ま
た、超短納期のマスク描画に際しては上記データ変換時
間に制限されると推定される。なお、上記問題は電子ビ
ーム描画方法に限ったものではなく、イオンビームを用
いたイオンビーム描画方法やレーザによるレーザ描画方
法についても同様に言えることである。

本発明は、上記事情の考慮してなされたもので、その
目的とするところは、階層構造を有する設計パターンデ
ータを所望の描画パターンデータにデータ変換する際
の、ブロック群の図形演算処理及び図形分割処理におけ
るデータの入出力と実際の図形処理とをバランスの良い
処理体系とすることができ、データ変換時間の短縮及び
描画スループットの向上をはかり得る荷電ビーム描画方
法を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、階層構造を有する設計パターンデー
タからビームの形状及びビーム位置を制御してマスクや
ウェハ等の試料に所望のLSIパターンを描画処理するた
めの描画パターンデータを生成するに際して、ブロック
群の図形演算処理及び図形分割処理におけるデータ入出
力時間と実際の図形処理時間との関係をバランスの良い
処理体系としてデータ変換の大幅な高速化を行うことに
ある。

即ち本発明は、描画すべき図形パターン情報及び他の
ブロックの参照情報から構成されるブロックデータの集
合として表現されるLSIチップの設計パターンデータか
ら、荷電ビームの形状及び描画位置を制御して試料上に
所望パターンを表現する描画パターンデータを生成し、
該描画パターンデータを基にして所望パターンを描画処
理する荷電ビーム描画方法において、前記設計パターン
データを構成しているブロック内の図形群相互の重なり
除去及び白黒反転処理等の図形演算処理及び該図形を所
定の領域毎に分割する図形分割処理を行うに際して、単
一のブロックを分割又は複数のブロックを合成して、仮
想的に１平面上に配置した図形データのグループを生成
し、且つ各グループ内の図形パターン数が略平均化され
るように各グループを生成し、各グループ毎に前記図形
演算処理及び図形分割処理を行って前記描画パターンデ
ータを生成するようにした方法である。

また本発明は、前記複数ブロックを仮想的に１平面上
に配置するに際して、各グループ内に包含される図形パ
ターンの数が所定の値以下となるようにブロックを配置
するようにし、且つ複数ブロックを仮想的に１平面上に
配置した図形データのグループ毎の図形演算処理及び図
形分割処理に際しては、それぞれ１つのCPUにより処理
され且つ上記図形データのグループ毎に複数CPUにより
並列処理するようにしてデータ変換する。

（作用） 本発明によれば、階層構造を有効利用して作成された
LSIの設計パターンデータから、ビームの形状及びビー
ム位置を制御して試料上に所望パターンを描画処理する
ための描画パターンデータを生成するに際して、図形パ
ターンが格納されている記憶媒体から実際の図形処理を
行う計算機に読み出す図形数が略最適な値となるよう幾
つかのブロック群の図形パターン若しくは所定の領域に
分割したブロック領域の図形パターン毎に上記図形処理
を行うことにより、図形の入出力時間及び図形処理時間
を略最適化することができ、データ変換処理の大幅な高
速化を行うことができる。従って、階層構造を有する設
計パターンデータから実際の描画処理に必要な描画パタ
ーンデータをデータ変換する処理時間を大幅に短縮する
ことが可能となり、その結果として荷電ビーム描画装置
の稼働率を高めると共にLSIの生産性を高めることがで
きる。また、上記荷電ビーム描画装置のデータ変換方法
は今後パターンの微細化及び高集積化が進む状況下にあ
って、描画マスクの短納期化が叫ばれる中より有効な効
果を発揮すると期待される。

（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例方法に使用した電子ビー
ム描画装置を示す概略構成図である。図中10は試料室で
あり、この試料室10内にはガラスマスク或いは半導体ウ
ェハ等の試料11を載置したテーブル12が収容されてい
る。テーブル12は、テーブル駆動回路13によりＸ方向
（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に駆動さ
れる。そして、テーブル12の移動位置はレーザー測長計
等を用いた位置回路14により測定されるものとなってい
る。

試料室10の上方には電子ビーム光学系20が配置されて
いる。この光学系20は、電子銃21,各種レンズ22〜26、
ブランキング用偏向器31,ビーム寸法可変用偏向器32,ビ
ーム走査用の主偏向器33,ビーム走査用の副偏向器34及
びビーム成形アパーチャ35,36等から構成されている。
そして、主偏向器33により所定の単位描画領域（サブフ
ィールド）に位置決めし、副偏向器34によりサブフィー
ルド内での図形描画位置の位置決めを行うと共に、ビー
ム寸法可変用偏向器32及び成形アパーチャ35,36により
ビーム形状を制御し、テーブル12を一方向に連続移動し
ながらLSIチップパターン領域を１回のテーブル連続移
動により描画可能な範囲内で集めた描画ストライプ領域
を描画処理する。つまり、LSIチップパターン領域をビ
ームの偏向幅に応じて短冊状に分割したフレーム領域を
集めた描画ストライプ領域を描画処理する。さらに、テ
ーブル12を連続移動方向に直交する方向にステップ移動
し、上記処理を繰り返して各描画ストライプ領域を順次
描画するものとなっている。

一方、制御計算機40には磁気ディスク（記憶媒体）41
が接続されており、このディスク41にLSIチップの描画
パターンデータが格納されている。磁気ディスク41から
読み出されたLSIチップの描画パターンデータは、前記
描画ストライプ領域毎にパターンメモリ（データバッフ
ァ部）42に一時的に格納される。パターンメモリ42に格
納された描画ストライプ毎の描画パターンデータ、つま
り描画位置及び基本図形データ等で構成される描画スト
ライプ情報は、データ解読部であるパターンデータデコ
ーダ43及び描画データデコーダ44により解読され、ブラ
ンキング回路45、ビーム成形器ドライバ46、主偏向器ド
ライバ47及び副偏向器ドライバ48に送られる。

即ち、パターンデータデコーダ43では上記描画ストラ
イプ領域毎の描画パターンデータを入力し、描画ストラ
イプデータとして定義されているパターンの繰り返し情
報を元に圧縮された描画図形データを展開すると共に、
該描画ストライプ領域の描画処理において描画すべき領
域か否か及び次に描画すべき領域についてサブフィール
ド毎に判断及び解読しながら、前記描画パターンデータ
に定義された描画図形データを前記成形成形アパーチャ
35,36の組み合わせにより形成可能な描画単位図形群に
図形分割して、このデータに基づいてビーム制御データ
が作成されブランキング回路45に送られる。そして、さ
らに希望するビーム寸法データが作成され、このビーム
成形のための制御データがビーム成形器ドライバ46に送
られる。次に、ビーム成形器ドライバ46から前記光学系
20のビーム寸法可変用偏向器32に所定の偏向信号が印加
され、これにより電子ビームの寸法が制御されるものと
なっている。

また、描画データデコーダ44では、上記描画ストライ
プデータに基づいてサブフィールドの位置決めデータを
解読〜作成し、主偏向器ドライバ47に送られる。そし
て、主偏向器ドライバ47から前記光学系20の主偏向器33
に所定の信号が印加され、これにより電子ビームは指定
のサブフィールド位置に偏向走査される。さらに、描画
データデコーダ44では副偏向器走査のコントロール信号
を発生し、この信号が副偏向器ドライバ48に送られる。
そして、副偏向器ドライバ48から副偏向器34に所定の副
偏向信号が印加され、これによりサブフィールド毎の描
画処理が行われるものとなっている。

次に、上記構成された装置を用いた電子ビーム描画方
法について説明する。描画処理を行うためのデータの生
成工程を示したのが第２図である。LSIのパターンは、C
ADシステムにより設計〜パターン作成（ディジタイズ処
理）され、その設計パターンデータは大型計算機を始め
とする処理能力の高いホスト計算機により、前記電子ビ
ーム描画装置の描画方式に依存した装置固有の描画パタ
ーンにデータ変換される。そして、この描画パターンデ
ータを基にして電子ビームの位置決め及びビーム形状を
制御して一連の描画処理が行われることとなる。

ここで、CADシステムによりパターン作成される設計
パターンデータは、例えば描画対象となる試料がマスク
の場合、第３図に示すように描画マスク50を構成するLS
Iサブチップ51〜55毎に独立したデータ体系となってお
り、それぞれのLSIサブチップに係わる設計パターンデ
ータは、第４図に示すように幾つかのブロックに分散し
て図形データが格納されている階層構造を有するデータ
体系となっている。

具体的には、LSIサブチップ全体を示すブロック60に
は第４図（ａ）に示す如く子ブロック61と62が配置され
ており、ブロック参照情報としては同図（ｂ）に示すよ
うな子ブロック61のアレイ配置情報と同図（ｃ）に示す
ような子ブロック62のアレイ配置情報でブロック配置情
報が構成されている。さらに、60〜62の個々のブロック
は第４図（ｄ）〜（ｆ）に示す如く図形パターンが定義
されるデータ体系となっていて、その結果として同図
（ｇ）に示すようなLSIチップが表現されている。

このような形式のLSIパターンデータを電子ビーム描
画装置で受容可能な図形データ体系とするため、ホスト
計算機で上記設計パターンデータを構成するブロックに
包含される図形パターンが互いに重畳するか否かについ
て検査及び展開処理を（例えば、特願昭62−32719号に
開示された方法により）行い、結果として第５図（ａ）
に示す如く図形パターン60a〜60hと、同図（ｂ）に示す
如くブロック61,62の参照情報で構成されるブロックデ
ータとし、さらに図形パターン61aを包含するブロック
データと、図形パターン62a,62bで構成されるブロック
データを得る。

かくして得られたそれぞれのブロックに包含されてい
る図形パターンの相互の重なり除去や白黒反転といった
図形演算及び図形分割処理を行う。この図形演算及び図
形分割処理について、以下に説明する。

第６図（ａ）に示すように１回に処理する図形数を平
均化するための３つのワークデータ（以下イベントテー
ブルと呼ぶ）を仮想的に用意する。そして、イベントテ
ーブル１にはブロック領域60に包含されている図形パタ
ーン群を２分割した領域の図形データ群を第６図（ｂ）
にように配置し、イベントテーブル２にはブロック領域
60の他方の領域に包含される図形パターン群を第６図
（ｃ）に示すように配置する。さらに、イベントテーブ
ル３にはブロック領域61と62に包含される図形パターン
を第６図（ｄ）に示すように配置しておき、それぞれの
イベントテーブルのどの位置にどのブロックを配置した
かをブロック配置テーブルに定義する。

つまり、１ブロックに包含される図形パターン数が所
定の値を越えるブロックに対しては、グループ内に包含
される図形パターンの数が所定の値以下となるように該
ブロックを分割処理してイベントテーブルに配置する。
それ以外のブロックに対しては、グループ内に包含され
る図形パターンの数が所定の値以下となるように複数ブ
ロックをイベントテーブルに配置する。

そして、イベントテーブル１に定義されたブロックの
図形パターンを１つのグループとして磁気ディスクから
図形パターンデータを入力し、該イベントテーブルに定
義された図形パターン群を対象として図形の融合処理や
スリット法と呼ばれる図形の演算方法を用いて、図形相
互の重なり除去及び図形のサブフィールド分割〜基本図
形群（矩形や台形等）への分割処理を行う。その後、上
記ブロック配置テーブルを参照しながら処理後の図形パ
ターン群をブロック単位に磁気ディスクに格納していく
という処理を、上記イベントテーブル毎に繰り返してLS
Iの設計パターンデータを構成している全てのブロック
に包含される図形パターンに対する図形演算及び図形分
割処理を行っていく。

なお、上記イベントテーブル毎の図形演算及び図形分
割処理は、個々のイベントテーブル毎に複数のCPUを搭
載した並列計算機により並列に処理することにより、よ
り一層の有効性がはかられ処理時間の大幅な高速化が実
現される。

そして、上述の処理工程を経て得られたブロック単位
の図形パターン群は、ブロックの参照情報がLSIチップ
全体を示すブロック60以外にはブロック参照がないよう
にパターンの階層構造を１レベルに制限するための展開
処理を行って（本実施例では元のデータにおいて１レベ
ルのデータ構造となっている）、第７図に示すように、
LSIチップの全体領域１をビームの主偏向幅により決定
される暫定的なフレーム領域（71〜76）に領域分割す
る。第７図において、テーブル連続移動方向は紙面左右
方向であり、テーブルステップ移動方向は紙面上下方向
とする。

そして、上記フレーム領域71〜76のフレームデータを
構築するに際しては、上述した図形処理と同様に複数の
CPUを駆使してデータ変換処理する。具体的にはフレー
ム領域71のデータ変換処理は第１のCPU、フレーム領域7
2は第２のCPU、〜、フレーム領域76は第６のCPUにて行
っていく。

次に、上記フレーム処理毎に行うデータ変換処理につ
いて説明する。上記暫定的に分割されたフレーム領域71
〜76（以下仮想フレーム領域と呼ぶ）に一部でも含まれ
るブロック領域について該ブロック領域の描画位置を上
記仮想フレーム領域の基準位置からの相対位置により定
義した位置データとアレイ属性情報から構成されるブロ
ック配置データと、該ブロック領域内の描画図形を前記
副偏向手段により偏向可能なサブフィールド領域毎にグ
ループ分けされた第８図に示すようなブロック図形デー
タから構成されるブロック描画データの集合体と該ブロ
ック領域の描画位置データにて構成するフレームデータ
を生成する。

このようにして得たフレームデータ群は磁気ディスク
41に格納される。また、上述のような複数CPUを活用し
た並列処理は１つのLSIチップのフレーム処理に限ら
ず、前記マスク50に配置されたLSIサブチップ51〜55の
間でも活用され処理の高速化をはかっている。そして、
上記磁気ディスク41に格納された描画パターンデータを
基にして、例えば“特願平１−150188号”に開示された
方法により描画処理することにより、高速・高精度な描
画を実現することができる。

かくして本実施例方法によれば、CADシステムで作成
される設計パターンデータと整合性の高い描画パターン
データを高速にデータ変換することができる。即ち、階
層構造を有するLSIの設計パターンデータからビームの
形状及びビームの描画位置を制御して所望パターンを描
画処理するために必要な描画パターンデータを生成する
に際して、図形パターンが格納されている記憶媒体から
実際の図形処理を行う計算機に読み出す図形数が略最適
な値となるよう幾つかのブロック群の図形パターン若し
くは所定の領域に分割したブロック領域の図形パターン
毎に上記図形処理を行うことにより、図形の入出力時間
及び図形処理時間の関係を略最適化することができ、デ
ータ変換時間の大幅な高速化を行うことができる。

従って本実施例方法によれば、階層構造を有する設計
パターンデータから実際の描画処理に必要な描画パター
ンデータをデータ変換する処理時間を大幅に短縮するこ
とが可能となり、その結果として荷電ビーム描画装置の
稼働率を高めると共にLSIの生産性を高めることができ
る。また、このようなデータ処理体系は近年その普及が
顕著である複数CPUを搭載した並列計算機の性能を最大
に引き出すものであり、処理時間の高速化に極めて有効
な方法となる。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記描画パターンデータを格納する手段
としては、磁気ディスクに限るものではなく磁気テープ
や半導体メモリ等のその他の記憶媒体を用いることがで
きる。また、電子ビーム描画装置の構成は第１図に何等
限定されるものではなく、適宜変更可能である。実施例
では電子ビームを例にとり説明したが、電子ビームに限
定されることなくイオンビームやレーザービーム等に対
し適用可能であり、描画方式についても主・副偏向を組
み合わせた２段偏向方式の他、１段偏向方式や３段以上
の偏向方式でもよい。さらに、可変成形ビームを用いた
ショット方式の他、楕円形ビームを用いたベクタ若しく
はラスタ方式の装置についても適用可能である。また、
記憶媒体に蓄積される描画パターンデータの図形体系は
矩形や台形等の基本図形でなく描画単位図形や多角形図
形でもよく、図形相互の重畳についてもパターンデータ
デコーダ部に図形の重なり除去や白黒反転を行う図形演
算手段を追加することにより対応可能となり、このよう
な体系のデータについても適用可能である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施するこ
とができる。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、階層構造を有す
るLSIの設計パターンデータからビームの形状及びビー
ムの描画位置を制御して所望パターンを描画処理するた
めの描画パターンデータを生成するに際して、ブロック
の分割又は合成により図形パターンデータを配置したグ
ループ毎に図形演算処理及び図形分割処理を行うことに
より、図形演算処理及び図形分割処理におけるデータの
入出力と実際の図形処理とをバランスの良い処理体系と
することができ、データ変換時間の短縮及び描画スルー
プットの向上をはかり得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図は描画パターンデータ
の生成工程を示す模式図、第３図は描画試料に配置され
るLSIチップのデータ体系を示す模式図、第４図は設計
パターンデータのデータ構造を示す模式図、第５図はブ
ロックのデータ体系を示す模式図、第６図は図形処理体
系を示す模式図、第７図はフレーム領域への仮想的な分
割を示す模式図、第８図は描画パターンデータの構造を
示す模式図である。 １〜３……イベントテーブル、 10……試料室、 11……試料、 12……テーブル、 20……電子光学系、 21……電子銃、 22〜26……レンズ、 31〜34……偏向器、 35,36……ビーム成形アパーチャ、 40……制御計算機、 41……磁気ディスク（記憶媒体）、 42……パターンメモリ、 43……パターンデータデコーダ、 44……描画データデコーダ、 45……ブランキング回路、 46〜48……偏向器ドライバ、 51〜55……LSIサブチップ、 60……ブロック、 61,62……子ブロック領域、 60a〜60h……図形パターン、 71〜76……フレーム領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−127324（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−199421（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−186428（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−204125（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−122525（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−90827（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−43419（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−162329（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−150836（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−150837（ＪＰ，Ａ) 特許2786676（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平７−105329（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平３−57608（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】描画すべき図形パターン情報及び他のブロ
   ックの参照情報から構成されるブロックデータの集合と
   して表現されるLSIチップの設計パターンデータから、
   荷電ビームの形状及び描画位置を制御して試料上に所望
   パターンを表現する描画パターンデータを生成し、該描
   画パターンデータを基にして所望パターンを描画処理す
   る荷電ビーム描画方法において、 前記設計パターンデータを構成しているブロック内の図
   形パターンに対して所定の演算を実行する図形演算処理
   及び該図形パターンを所定の領域毎に分割する図形分割
   処理を行うに際して、単一のブロックを分割又は複数の
   ブロックを合成して、仮想的に１平面上に配置した図形
   データのグループを生成し、且つ各グループ内の図形パ
   ターン数が略平均化されるように各グループを生成し、
   各グループ毎に前記図形演算処理及び図形分割処理を行
   って前記描画パターンデータを生成することを特徴とす
   る荷電ビーム描画方法。
2. 【請求項２】前記複数のブロックを合成して仮想的に１
   平面上に配置するに際して、前記グループ内に包含され
   る図形パターンの数が所定の値以下となるように複数ブ
   ロックを配置することを特徴とする請求項１記載の荷電
   ビーム描画方法。
3. 【請求項３】前記単一のブロックを分割して仮想的に１
   平面上に配置するに際して、１ブロックに包含される図
   形数が所定の値を越えるブロックに対し、前記グループ
   内の図形パターンの数が所定の値以下となるよう該ブロ
   ックを分割処理して配置することを特徴とする請求項１
   記載の荷電ビーム描画方法。
4. 【請求項４】前記グループ毎の図形演算処理及び図形分
   割処理は、それぞれ１つのCPUにより処理し且つ各グル
   ープ毎に複数CPUにより並列処理することを特徴とする
   請求項１記載の荷電ビーム描画方法。
5. 【請求項５】前記図形演算処理として、前記設計パター
   ンデータを構成しているブロック内の図形パターン相互
   の重なり除去及び白黒反転処理を行うことを特徴とする
   請求項１記載の荷電ビーム描画方法。