JP2001013876A - 表示用パネルの製造方法 - Google Patents
表示用パネルの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示性能を損なう基板裏面の傷の発生を極力
防止することのできる表示用パネルの製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 液晶表示パネル１の製造方法は、表示デ
バイスの形成以前に、傷を発生させるシリコンなどのゴ
ミもしくはアルミナなどの基板保持具よりも、硬度の高
い透明薄膜で基板裏面を被覆する。例えば、ビッカース
硬度２０００kgf/mm2の窒化シリコン膜や２７００kgf/m
m2の炭素薄膜をこの透明硬質薄膜として用いることがで
きる。このように透明硬質薄膜で基板裏面を保護して、
製造過程において発生する透明基板２の裏面の傷の発生
を抑制したため、傷の除去のための研磨を行なう必要が
なく、研磨によるパネルの破損や表示不良を起こすこと
がない。また、研磨工程及び研磨時に表示デバイスを保
護するための膜を形成する工程が不要となり、工程数の
増加を抑えることができる。
防止することのできる表示用パネルの製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 液晶表示パネル１の製造方法は、表示デ
バイスの形成以前に、傷を発生させるシリコンなどのゴ
ミもしくはアルミナなどの基板保持具よりも、硬度の高
い透明薄膜で基板裏面を被覆する。例えば、ビッカース
硬度２０００kgf/mm2の窒化シリコン膜や２７００kgf/m
m2の炭素薄膜をこの透明硬質薄膜として用いることがで
きる。このように透明硬質薄膜で基板裏面を保護して、
製造過程において発生する透明基板２の裏面の傷の発生
を抑制したため、傷の除去のための研磨を行なう必要が
なく、研磨によるパネルの破損や表示不良を起こすこと
がない。また、研磨工程及び研磨時に表示デバイスを保
護するための膜を形成する工程が不要となり、工程数の
増加を抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示用パネルの製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より広く採用されている一般的な液
晶表示パネル５１を図８に示す。
晶表示パネル５１を図８に示す。
【０００３】同図において、液晶表示パネル５１は、一
対の透明基板５２，５３を、接着性シール材５４及びス
ペーサ５５・・を介して貼り合わせ、各透明基板５２，
５３の間にネマティック液晶５６を封入することにより
構成されている。
対の透明基板５２，５３を、接着性シール材５４及びス
ペーサ５５・・を介して貼り合わせ、各透明基板５２，
５３の間にネマティック液晶５６を封入することにより
構成されている。
【０００４】一方の基板５２上には、遮光用のブラック
マトリクス５７がマトリクス状にパターン形成され、こ
の第１のブラックマトリクス５７により、一方の基板５
２が非表示領域５８（第１のブラックマトリクス５７が
存在し光を透過させないところ）と表示領域５９（第１
のブラックマトリクス５７が存在しないところ）とに区
画されてる。
マトリクス５７がマトリクス状にパターン形成され、こ
の第１のブラックマトリクス５７により、一方の基板５
２が非表示領域５８（第１のブラックマトリクス５７が
存在し光を透過させないところ）と表示領域５９（第１
のブラックマトリクス５７が存在しないところ）とに区
画されてる。
【０００５】表示領域５９の上には、ＩＴＯからなる第
１の透明電極６０がマトリクス状に形成されている。第
１の透明電極６０は、マトリクス状に配置された図示し
ない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に接続され、このＴＦ
Ｔを介して第１の透明電極６０への印加電圧が制御され
る。
１の透明電極６０がマトリクス状に形成されている。第
１の透明電極６０は、マトリクス状に配置された図示し
ない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に接続され、このＴＦ
Ｔを介して第１の透明電極６０への印加電圧が制御され
る。
【０００６】第１の透明電極６０の上にはポリイミドか
らなる第１の配向膜６１が形成されている。この第１の
配向膜６１の表面には、液晶分子を所定方向に配向させ
るため配向処理（ラビング処理）が施されている。
らなる第１の配向膜６１が形成されている。この第１の
配向膜６１の表面には、液晶分子を所定方向に配向させ
るため配向処理（ラビング処理）が施されている。
【０００７】他方の基板５３上には、第１のブラックマ
トリクス５７に対応する位置に、第２のブラックマトリ
クス６２がマトリクス状にパターン形成され、その上に
は、第１の透明電極６０の対向電極としての第２の透明
電極（ＩＴＯ）６３が形成されている。
トリクス５７に対応する位置に、第２のブラックマトリ
クス６２がマトリクス状にパターン形成され、その上に
は、第１の透明電極６０の対向電極としての第２の透明
電極（ＩＴＯ）６３が形成されている。
【０００８】第２の透明電極６３の上には第２の配向膜
（ポリイミド）６４が形成されている。この第２の配向
膜６４の形成方法は第１の配向膜６１と同様である。
（ポリイミド）６４が形成されている。この第２の配向
膜６４の形成方法は第１の配向膜６１と同様である。
【０００９】このような液晶表示パネル５１にあって
は、透明基板５２上にＴＦＴ、ＩＴＯ、絶縁膜等の表示
デバイスを形成する過程において、透明基板５２の裏面
（表示デバイスの形成面とは反対側の面）に傷が付きや
すい。
は、透明基板５２上にＴＦＴ、ＩＴＯ、絶縁膜等の表示
デバイスを形成する過程において、透明基板５２の裏面
（表示デバイスの形成面とは反対側の面）に傷が付きや
すい。
【００１０】この傷は、主に透明基板と基板保持台もし
くは基板搬送治具との間にゴミが入り、基板の硬度がゴ
ミの硬度と同等以下の場合に発生する。表示用パネルを
製造する無塵室におけるゴミは、４６％が人体分泌物、
８％が無塵衣などの繊維片、４％が拭き取り材片、１２
％がレジスト片、３０％がプラスチック、シリコンや石
英などの基板片、及び表示デバイス形成に用いる材料か
ら生成された固体片である。
くは基板搬送治具との間にゴミが入り、基板の硬度がゴ
ミの硬度と同等以下の場合に発生する。表示用パネルを
製造する無塵室におけるゴミは、４６％が人体分泌物、
８％が無塵衣などの繊維片、４％が拭き取り材片、１２
％がレジスト片、３０％がプラスチック、シリコンや石
英などの基板片、及び表示デバイス形成に用いる材料か
ら生成された固体片である。
【００１１】透明基板材料としてはプラスチック、ガラ
ス、石英が用いられ、それぞれ硬度は、３００〜５０
０、５００〜６００、８００kgf/mm2である。ゴミのう
ち硬度が基板材料と同等以上のものは、基板や表示デバ
イス形成に用いる材料から生成された固体片であるプラ
スチック、ガラス、石英、シリコンの破片である。それ
ぞれ硬度は、３００〜５００、５００〜６００、８０
０、１２００kgf/mm2である。したがって、基板がガラ
スもしくは石英の場合には、ゴミがガラス、石英、シリ
コンの場合に傷が発生し、基板がプラスチックの場合に
はこれらに加えて、ゴミがプラスチックの場合にも、傷
が発生する。
ス、石英が用いられ、それぞれ硬度は、３００〜５０
０、５００〜６００、８００kgf/mm2である。ゴミのう
ち硬度が基板材料と同等以上のものは、基板や表示デバ
イス形成に用いる材料から生成された固体片であるプラ
スチック、ガラス、石英、シリコンの破片である。それ
ぞれ硬度は、３００〜５００、５００〜６００、８０
０、１２００kgf/mm2である。したがって、基板がガラ
スもしくは石英の場合には、ゴミがガラス、石英、シリ
コンの場合に傷が発生し、基板がプラスチックの場合に
はこれらに加えて、ゴミがプラスチックの場合にも、傷
が発生する。
【００１２】また、稀には製造装置の動作にずれが生
じ、基板裏面が基板保持台もしくは基板搬送治具と擦れ
た時に、透明基板の硬度が基板保持台もしくは基板搬送
治具の硬度と同等以下の場合にも傷が生じる。基板保持
台及び基板搬送治具材料としてはステンレス、プラスチ
ック、アルミナが用いられ、それぞれ硬度は、１８０、
３００〜５００、２７００kgf/mm2である。そこで、石
英基板及びガラス基板ではアルミナと擦れた場合、プラ
スチック基板ではアルミナ、及びプラスチックと擦れた
場合に傷が生じる。
じ、基板裏面が基板保持台もしくは基板搬送治具と擦れ
た時に、透明基板の硬度が基板保持台もしくは基板搬送
治具の硬度と同等以下の場合にも傷が生じる。基板保持
台及び基板搬送治具材料としてはステンレス、プラスチ
ック、アルミナが用いられ、それぞれ硬度は、１８０、
３００〜５００、２７００kgf/mm2である。そこで、石
英基板及びガラス基板ではアルミナと擦れた場合、プラ
スチック基板ではアルミナ、及びプラスチックと擦れた
場合に傷が生じる。
【００１３】この傷は表示画面に映って表示不良の原因
になり、パネルの製造歩留まりを低下させていた。特
に、プロジェクター用として用いられる液晶表示パネル
では、基板の傷が画面に拡大投影されるため、深刻な不
良原因となる。
になり、パネルの製造歩留まりを低下させていた。特
に、プロジェクター用として用いられる液晶表示パネル
では、基板の傷が画面に拡大投影されるため、深刻な不
良原因となる。
【００１４】そこで、従来では、基板を研磨してこの傷
を除去することが行われている。この研磨工程は、透明
基板５２，５３を貼り合わせる以前に実施する方法と、
貼り合わせて液晶表示パネル５１を完成させた後に実施
する方法がある。
を除去することが行われている。この研磨工程は、透明
基板５２，５３を貼り合わせる以前に実施する方法と、
貼り合わせて液晶表示パネル５１を完成させた後に実施
する方法がある。
【００１５】
【発明を解決しようとする課題】液晶表示パネル５１を
完成させた後に、傷を修復するものであっては、傷を除
去するために透明基板５２の全面を研磨しようとする
と、研磨作業時に使用する薬品によって液晶のシール部
が劣化する恐れがあるので、これを極力回避するため
に、基板における傷が付いている箇所のみを部分的に研
磨するようにしている。その結果、パネルの一部分に圧
力が加わることになり、パネルが破損しやすいと共に、
透明基板５２の裏面の仕上がり状態にムラができて表示
不良の原因になる問題がある。
完成させた後に、傷を修復するものであっては、傷を除
去するために透明基板５２の全面を研磨しようとする
と、研磨作業時に使用する薬品によって液晶のシール部
が劣化する恐れがあるので、これを極力回避するため
に、基板における傷が付いている箇所のみを部分的に研
磨するようにしている。その結果、パネルの一部分に圧
力が加わることになり、パネルが破損しやすいと共に、
透明基板５２の裏面の仕上がり状態にムラができて表示
不良の原因になる問題がある。
【００１６】また、透明基板を貼り合わせる前に傷を修
復するものであっては、研磨作業時に表示デバイスが形
成された基板表面側が研磨装置に接触するため、表示デ
バイスが損傷する恐れがある。このため、表示デバイス
の保護膜を形成した後に研磨する必要があり、工程数が
成膜、研磨の最低２工程増える問題がある。
復するものであっては、研磨作業時に表示デバイスが形
成された基板表面側が研磨装置に接触するため、表示デ
バイスが損傷する恐れがある。このため、表示デバイス
の保護膜を形成した後に研磨する必要があり、工程数が
成膜、研磨の最低２工程増える問題がある。
【００１７】本発明は、表示用パネルの製造方法に関
し、斯かる問題点を解消することをその目的とする。
し、斯かる問題点を解消することをその目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明における
表示用パネルの製造方法は、少なくとも透明基板の表示
デバイスを形成しない面側(裏面）に、製造工程の初期
の段階で、製造工程において傷を発生させるゴミよりも
硬度が高い透明硬質薄膜を形成することを要旨とする。
表示用パネルの製造方法は、少なくとも透明基板の表示
デバイスを形成しない面側(裏面）に、製造工程の初期
の段階で、製造工程において傷を発生させるゴミよりも
硬度が高い透明硬質薄膜を形成することを要旨とする。
【００１９】透明基板に傷をつけるゴミは、基板や表示
デバイス形成に用いる材料から生成された固体片である
プラスチック、ガラス、石英、シリコンの破片である。
これらのうち、硬度が最も高いものはシリコンで、ビッ
カース硬度は１２００kgf/mm 2であるから、前記透明硬
質薄膜の硬度は１２００kgf/mm2以上である必要があ
る。例えば、硬度が２０００kgf/mm2の窒化シリコン膜
がプラズマCVD法により形成でき、１２００kgf/mm2以上
で且つ透明であるため、上記透明硬質薄膜として用いる
ことができる。
デバイス形成に用いる材料から生成された固体片である
プラスチック、ガラス、石英、シリコンの破片である。
これらのうち、硬度が最も高いものはシリコンで、ビッ
カース硬度は１２００kgf/mm 2であるから、前記透明硬
質薄膜の硬度は１２００kgf/mm2以上である必要があ
る。例えば、硬度が２０００kgf/mm2の窒化シリコン膜
がプラズマCVD法により形成でき、１２００kgf/mm2以上
で且つ透明であるため、上記透明硬質薄膜として用いる
ことができる。
【００２０】このように傷を発生させるゴミよりも硬度
の高い膜で基板裏面を被覆することで、傷が入ることを
ほぼ防止することができる。したがって、傷を除去する
工程を行なう必要がなく、この工程で発生しやすいパネ
ルの破損及び裏面の仕上がり状態のムラによる表示不良
発生数を低減することができる。また、この膜は透明で
あるため除去する必要がなく工程数の増加は１工程で済
み、研磨を行なう場合の保護膜形成と研磨の２工程増に
比べ、工程の増加数を低減することができる。
の高い膜で基板裏面を被覆することで、傷が入ることを
ほぼ防止することができる。したがって、傷を除去する
工程を行なう必要がなく、この工程で発生しやすいパネ
ルの破損及び裏面の仕上がり状態のムラによる表示不良
発生数を低減することができる。また、この膜は透明で
あるため除去する必要がなく工程数の増加は１工程で済
み、研磨を行なう場合の保護膜形成と研磨の２工程増に
比べ、工程の増加数を低減することができる。
【００２１】請求項２の発明における表示用パネルの製
造方法は、請求項１の発明において、前記透明硬質薄膜
の形成を、表示デバイスの形成以前に行なう。こうする
ことで、傷を防止することのできる工程が増加し、より
効果的となる。
造方法は、請求項１の発明において、前記透明硬質薄膜
の形成を、表示デバイスの形成以前に行なう。こうする
ことで、傷を防止することのできる工程が増加し、より
効果的となる。
【００２２】請求項３の発明における表示用パネルの製
造方法は、請求項１又は２の発明において、前記透明硬
質薄膜にビッカース硬度２７００kgf/mm2以上の薄膜を
使用することを要旨とする。表示用パネル製造装置の基
板が接触する部材（基板保持具）のうち、一般に最も硬
度が高いものは、ビッカース硬度２７００kgf/mm2のア
ルミナであり、それよりも高い硬度の透明硬質薄膜で被
覆することで、傷の発生を完全に防止することができ
る。
造方法は、請求項１又は２の発明において、前記透明硬
質薄膜にビッカース硬度２７００kgf/mm2以上の薄膜を
使用することを要旨とする。表示用パネル製造装置の基
板が接触する部材（基板保持具）のうち、一般に最も硬
度が高いものは、ビッカース硬度２７００kgf/mm2のア
ルミナであり、それよりも高い硬度の透明硬質薄膜で被
覆することで、傷の発生を完全に防止することができ
る。
【００２３】例えば、硬度が２７００kgf/mm2以上の透
明炭素薄膜が、プラズマCVD法などで形成でき、硬度が
基板保持具の硬度よりも高く、前記透明硬質膜として用
いることができる。
明炭素薄膜が、プラズマCVD法などで形成でき、硬度が
基板保持具の硬度よりも高く、前記透明硬質膜として用
いることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明を具体化したアクティブマ
トリクス型液晶表示パネル１の製造方法を図１〜図７に
示す工程断面図に従って説明する。
トリクス型液晶表示パネル１の製造方法を図１〜図７に
示す工程断面図に従って説明する。
【００２５】工程１（図１参照）：透明ガラス基板２の
上に、プラズマＣＶＤ法により透明でかつ硬度の高い窒
化シリコン膜３を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法
によりＮＨ3／ＳｉＨ4ガス流量比が１〜３、基板温度が
２００℃以上、圧力が５〜５０Ｐａ、ＲＦパワー密度が
１〜３Ｗ／ｃｍ2の条件で形成すれば、透明で硬度が２
０００kgf/mm2以上の窒化シリコン膜が得られる。この
窒化シリコン膜３が、本発明における「透明硬質薄膜」
に相当する。
上に、プラズマＣＶＤ法により透明でかつ硬度の高い窒
化シリコン膜３を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法
によりＮＨ3／ＳｉＨ4ガス流量比が１〜３、基板温度が
２００℃以上、圧力が５〜５０Ｐａ、ＲＦパワー密度が
１〜３Ｗ／ｃｍ2の条件で形成すれば、透明で硬度が２
０００kgf/mm2以上の窒化シリコン膜が得られる。この
窒化シリコン膜３が、本発明における「透明硬質薄膜」
に相当する。
【００２６】工程２（図２参照）：透明ガラス基板２の
上下を反対にし、透明ガラス基板２の上に多結晶シリコ
ン薄膜４を形成する。この多結晶シリコン薄膜４は、プ
ラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いて形成しても良
く、また、非晶質シリコンを固相成長法や溶融再結晶化
法などを用いて多結晶化しても良い。また、多結晶シリ
コンに代えて、非晶質シリコンをそのまま用いても良
い。
上下を反対にし、透明ガラス基板２の上に多結晶シリコ
ン薄膜４を形成する。この多結晶シリコン薄膜４は、プ
ラズマＣＶＤ法、スパッタ法などを用いて形成しても良
く、また、非晶質シリコンを固相成長法や溶融再結晶化
法などを用いて多結晶化しても良い。また、多結晶シリ
コンに代えて、非晶質シリコンをそのまま用いても良
い。
【００２７】工程３（図３参照）：多結晶シリコン薄膜
４をパターニングした後、その上にゲート酸化膜５とゲ
ート電極６とを順に形成し、更に、イオン注入法及び熱
拡散法を用いて多結晶シリコン薄膜４にソース領域７及
びドレイン領域８を形成することにより、透明ガラス基
板２の上に複数の薄膜トランジスタ９を形成する。
４をパターニングした後、その上にゲート酸化膜５とゲ
ート電極６とを順に形成し、更に、イオン注入法及び熱
拡散法を用いて多結晶シリコン薄膜４にソース領域７及
びドレイン領域８を形成することにより、透明ガラス基
板２の上に複数の薄膜トランジスタ９を形成する。
【００２８】工程４（図４参照）：全面に、プラズマＣ
ＶＤ法を用いてシリコン酸化膜１０（膜厚；５００ｎ
ｍ）を形成した後、このシリコン酸化膜１０に、ソース
領域７に通じるコンタクトホール１１とドレイン領域８
に通じるコンタクトホール１２とを形成する。
ＶＤ法を用いてシリコン酸化膜１０（膜厚；５００ｎ
ｍ）を形成した後、このシリコン酸化膜１０に、ソース
領域７に通じるコンタクトホール１１とドレイン領域８
に通じるコンタクトホール１２とを形成する。
【００２９】工程５（図５参照）：シリコン酸化膜１０
の上に、スパッタ法を用いて、アルミニウム合金製のド
レイン電極１３とＩＴＯ（Indium Tin Oxide）製の透明
電極１４とを形成する。ドレイン電極１３はコンタクト
ホール１２を介してドレイン領域７に接続し、透明電極
１４はコンタクトホール１２を介してソース領域７に接
続する。
の上に、スパッタ法を用いて、アルミニウム合金製のド
レイン電極１３とＩＴＯ（Indium Tin Oxide）製の透明
電極１４とを形成する。ドレイン電極１３はコンタクト
ホール１２を介してドレイン領域７に接続し、透明電極
１４はコンタクトホール１２を介してソース領域７に接
続する。
【００３０】工程６（図６参照）：透明電極１４を含む
基板の全面に高分子有機材料（本実施形態ではポリイミ
ド）を塗布し、更に熱処理して高分子有機材料を硬化さ
せることにより配向膜１７を形成する。
基板の全面に高分子有機材料（本実施形態ではポリイミ
ド）を塗布し、更に熱処理して高分子有機材料を硬化さ
せることにより配向膜１７を形成する。
【００３１】そして、液晶分子を所定方向に配向させる
ために、配向膜１７の表面を配向処理する。この配向処
理は、以下の手法のいずれかを用いる。
ために、配向膜１７の表面を配向処理する。この配向処
理は、以下の手法のいずれかを用いる。
【００３２】（ラビング法）：膜表面を、ナイロンやレ
ーヨン等からなるラビング布で一定方向に機械的にラビ
ングする（擦る）。
ーヨン等からなるラビング布で一定方向に機械的にラビ
ングする（擦る）。
【００３３】（紫外線照射法）：膜表面に、偏光紫外線
を照射する。
を照射する。
【００３４】（溝形状転写法）：膜表面に、表面に微小
な凹凸を有するアクリル製の転写板を圧着させる。
な凹凸を有するアクリル製の転写板を圧着させる。
【００３５】以上の工程１〜工程６により、液晶表示パ
ネル１の片側であるＴＦＴ基板１８を完成させる。
ネル１の片側であるＴＦＴ基板１８を完成させる。
【００３６】工程７（図７参照）：液晶表示パネル１の
他方の基板である対向電極基板１９には、Ｃｒ製のブラ
ックマトリクス２０をマトリクス状にパターン形成し、
その上に、透明電極１３の対向電極としてのＩＴＯ製透
明電極２１を形成する。更に透明電極２１の上には配向
膜２２を形成する。この配向膜２２の形成方法は配向膜
１７と同様である。
他方の基板である対向電極基板１９には、Ｃｒ製のブラ
ックマトリクス２０をマトリクス状にパターン形成し、
その上に、透明電極１３の対向電極としてのＩＴＯ製透
明電極２１を形成する。更に透明電極２１の上には配向
膜２２を形成する。この配向膜２２の形成方法は配向膜
１７と同様である。
【００３７】その後は、通常の手法により、ＴＦＴ基板
１８に、図示しない接着性シール材を介して対向電極基
板１９を貼り合わせた後、液晶２３を基板間に注入し、
封止用樹脂（図示しない）で封止する。
１８に、図示しない接着性シール材を介して対向電極基
板１９を貼り合わせた後、液晶２３を基板間に注入し、
封止用樹脂（図示しない）で封止する。
【００３８】以上の通り、本実施形態における液晶表示
パネル１の製造方法にあっては、製造過程において発生
する透明基板２の裏面の傷の発生を抑制したため、傷の
除去のための研磨を行なう必要がなく、研磨による表示
不良や部材の劣化を起こすことがない。また、研磨及び
研磨時に表示デバイスを保護する膜の形成を行なわない
ため、工程数の増加を抑えることができる。
パネル１の製造方法にあっては、製造過程において発生
する透明基板２の裏面の傷の発生を抑制したため、傷の
除去のための研磨を行なう必要がなく、研磨による表示
不良や部材の劣化を起こすことがない。また、研磨及び
研磨時に表示デバイスを保護する膜の形成を行なわない
ため、工程数の増加を抑えることができる。
【００３９】以上の実施形態にあっては以下の通り変形
しても良く、その場合であっても同様の作用効果を奏す
ることができる。
しても良く、その場合であっても同様の作用効果を奏す
ることができる。
【００４０】（１）表示デバイス（本実施形態では薄膜
トランジスタ９）の形成前であれば、透明硬質薄膜（窒
化シリコン膜３）の形成以前に他の工程を行なっても良
い。透明硬質薄膜形成工程で使用するガスや熱、特にプ
ラズマＣＶＤ法を用いる場合にはプラズマにより、表示
デバイスが損傷を受ける可能性がある。また、一般に薄
膜形成装置では成膜時または搬送時に、成膜しない面を
保持するため、裏面に透明硬質薄膜を形成する工程では
表示デバイス形成面が基板保持具と接する。表示デバイ
スは凹凸を形成することから、基板保持具と接する際に
表示デバイスが損傷する可能性が高い。したがって、透
明硬質薄膜を表示デバイス形成前に形成することにより
表示デバイスの損傷を防止することができる。
トランジスタ９）の形成前であれば、透明硬質薄膜（窒
化シリコン膜３）の形成以前に他の工程を行なっても良
い。透明硬質薄膜形成工程で使用するガスや熱、特にプ
ラズマＣＶＤ法を用いる場合にはプラズマにより、表示
デバイスが損傷を受ける可能性がある。また、一般に薄
膜形成装置では成膜時または搬送時に、成膜しない面を
保持するため、裏面に透明硬質薄膜を形成する工程では
表示デバイス形成面が基板保持具と接する。表示デバイ
スは凹凸を形成することから、基板保持具と接する際に
表示デバイスが損傷する可能性が高い。したがって、透
明硬質薄膜を表示デバイス形成前に形成することにより
表示デバイスの損傷を防止することができる。
【００４１】尚、透明硬質薄膜は、できるだけ初期の工
程で形成することが望ましい。
程で形成することが望ましい。
【００４２】（２）透明硬質薄膜としてビッカース硬度
２７００kgf/mm2以上の薄膜を形成すれば、基板と接触
する製造装置材料の硬度より高いため、ゴミによる傷だ
けではなく、装置の基板保持部との接触による傷も防止
でき、より効果的である。この薄膜として、例えば、プ
ラズマＣＶＤ法により、Ｈ2／Ｃ2Ｈ4ガス流量比が０．
１〜０．５、基板温度が１００℃以上、圧力が５〜５０
Ｐａ、ＲＦパワー密度が２〜４Ｗ／ｃｍ2の条件で硬度
が２７００kgf/mm2以上の透明炭素薄膜が形成できる。
２７００kgf/mm2以上の薄膜を形成すれば、基板と接触
する製造装置材料の硬度より高いため、ゴミによる傷だ
けではなく、装置の基板保持部との接触による傷も防止
でき、より効果的である。この薄膜として、例えば、プ
ラズマＣＶＤ法により、Ｈ2／Ｃ2Ｈ4ガス流量比が０．
１〜０．５、基板温度が１００℃以上、圧力が５〜５０
Ｐａ、ＲＦパワー密度が２〜４Ｗ／ｃｍ2の条件で硬度
が２７００kgf/mm2以上の透明炭素薄膜が形成できる。
【００４３】（３）基板裏面にだけでなく基板両面に透
明硬質薄膜を形成しても良い。
明硬質薄膜を形成しても良い。
【００４４】（４）透明基板として石英基板もしくはプ
ラスチック基板を用いても良い。
ラスチック基板を用いても良い。
【００４５】（５）薄膜トランジスタ９として、ゲート
電極６が多結晶シリコン薄膜４の上に位置するトップゲ
ート型を採用したが、ゲート電極が多結晶シリコン膜の
下に位置するボトムゲート型のＴＦＴを採用しても良
い。
電極６が多結晶シリコン薄膜４の上に位置するトップゲ
ート型を採用したが、ゲート電極が多結晶シリコン膜の
下に位置するボトムゲート型のＴＦＴを採用しても良
い。
【００４６】（６）単純マトリクス型の液晶表示パネル
に適用する。
に適用する。
【００４７】（７）対向電極基板に透明硬質薄膜を形成
しても良い。対向電極基板や単純マトリクス型の透明基
板にも、電極や配線は形成される。透明硬質薄膜を形成
することで、これらの工程における傷の発生を防止する
ことができる。
しても良い。対向電極基板や単純マトリクス型の透明基
板にも、電極や配線は形成される。透明硬質薄膜を形成
することで、これらの工程における傷の発生を防止する
ことができる。
【００４８】
【発明の効果】本発明にあっては、基板の裏面に傷が生
じないよう、製造工程の初期の段階で基板の裏面を透明
硬質薄膜で被覆することで、傷の除去工程である研磨工
程で発生しやすい表示不良や表示用パネル部材の劣化を
起こすことがない。また、工程数の増加を成膜１工程に
抑え、研磨を行なう場合の研磨及び研磨時に表示デバイ
スを保護する膜の形成の２工程増加に比べ、工程の増加
数を低減することができる。
じないよう、製造工程の初期の段階で基板の裏面を透明
硬質薄膜で被覆することで、傷の除去工程である研磨工
程で発生しやすい表示不良や表示用パネル部材の劣化を
起こすことがない。また、工程数の増加を成膜１工程に
抑え、研磨を行なう場合の研磨及び研磨時に表示デバイ
スを保護する膜の形成の２工程増加に比べ、工程の増加
数を低減することができる。
【図１】本発明を具体化した実施形態における液晶表示
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
【図２】本発明を具体化した実施形態における液晶表示
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
【図３】本発明を具体化した実施形態における液晶表示
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
【図４】本発明を具体化した実施形態における液晶表示
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
【図５】本発明を具体化した実施形態における液晶表示
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
【図６】本発明を具体化した実施形態における液晶表示
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
【図７】本発明を具体化した実施形態における液晶表示
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
パネルの製造プロセスを示す概略断面図である。
【図８】従来例における液晶表示パネルの断面図であ
る。
る。
１ 液晶表示パネル ２ 透明ガラス基板 ３ 窒化シリコン薄膜 ９ 薄膜トランジスタ １０ シリコン酸化膜 １４ 透明電極 １７ 配向膜 １８ ＴＦＴ基板 １９ 対向電極基板 ２３ 液晶
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも透明基板の貼り合わせ面と反
対の面に、製造工程の初期の段階で、ビッカース硬度が
１２００kgf/mm2以上の透明硬質薄膜を形成することを
特徴とした表示用パネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記透明硬質薄膜を表示デバイスの形成
以前に形成することを特徴とした請求項１に記載の表示
用パネルの製造方法。 - 【請求項３】 前記透明硬質薄膜のビッカース硬度が２
７００kgf/mm2以上であることを特徴とした請求項１又
は２に記載の表示用パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18412599A JP2001013876A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 表示用パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18412599A JP2001013876A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 表示用パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001013876A true JP2001013876A (ja) | 2001-01-19 |
Family
ID=16147823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18412599A Pending JP2001013876A (ja) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 表示用パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001013876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7868966B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-01-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a transparent plate disposed on both sides of the liquid crystal panel |
| WO2016036750A1 (en) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | Sung Wung Yeom | Applying a coating to a substrate; composite structures formed by application of a coating |
-
1999
- 1999-06-29 JP JP18412599A patent/JP2001013876A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7868966B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-01-11 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a transparent plate disposed on both sides of the liquid crystal panel |
| US8692952B2 (en) | 2004-04-30 | 2014-04-08 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a transparent plate disposed on both sides of the liquid crystal panel |
| WO2016036750A1 (en) * | 2014-09-02 | 2016-03-10 | Sung Wung Yeom | Applying a coating to a substrate; composite structures formed by application of a coating |
| CN107107096A (zh) * | 2014-09-02 | 2017-08-29 | 廉盛雄 | 在基底上施加涂层；通过施加涂层形成的复合结构 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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