JP2000514937A - 転送された可撓性集積回路 - Google Patents

転送された可撓性集積回路

Info

Publication number
JP2000514937A
JP2000514937A JP10506154A JP50615498A JP2000514937A JP 2000514937 A JP2000514937 A JP 2000514937A JP 10506154 A JP10506154 A JP 10506154A JP 50615498 A JP50615498 A JP 50615498A JP 2000514937 A JP2000514937 A JP 2000514937A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
circuit
integrated circuit
flexible
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP10506154A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000514937A5 (ja
Inventor
ブ,ドウイ―フアチ
デイングル,ブレンダ
チエオング,ヌグエ・ケイ
ジヤコブセン,ジエフリー
フアン,ジヨン・シー・シー
Original Assignee
コピン・コーポレーシヨン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コピン・コーポレーシヨン filed Critical コピン・コーポレーシヨン
Publication of JP2000514937A publication Critical patent/JP2000514937A/ja
Publication of JP2000514937A5 publication Critical patent/JP2000514937A5/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5387Flexible insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68359Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 種々の用途を有する高度に可撓性をもった超薄型の装置をつくるために、高密度パッケージを必要とする電子装置に使用される集積回路が製作される。この可撓性回路は表面の寸法が最大数cmであり、厚さは数μである。これらの回路は、VLSI回路をシリコンのウエーファーから取り外し、用途に特有な基板の上に該回路を取り付ける工程を含む転送法を使用して製作される。

Description

【発明の詳細な説明】 転送された可撓性集積回路 関連明細書 本出願は1996年7月11日付けの米国特許願08/680,210号の一 部をなす継続出願である。該米国特許願は参考のために添付されている。 本発明の背景 現在集積回路の技術においては、携帯性をもたせるため柔軟な形の高密度パッ ケージが以前にも増して必要とされている。ノート型コンピュータ、ポケットベ ル、およびセル式電話などのような消費者向けの電子機器では、空間および重量 の制限のため、機器を交換する場合の相互間の連結を少なくし集積度を大きくす ることが要求される。 大部分の集積回路は半導体のウエーファーの上につくられ、チップ装着具、即 ちパッケージを使用してプリント回路板に取り付けられる。他の興味ある分野は 通常多重チップ・モジュール(MCM)と呼ばれるものをつくることにより装置 の密度を改善する技術に関するものであった。多重チップ・モジュールにおいて は、共通の基板の上で高密度の装置が互いに連結されている。 興味ある他の分野はパッシブ(passive)な素子並びに集積回路を可撓 性材料の上に置いていわゆる「可撓性回路」をつくる技術に関する分野である。 しかし現状では、これらの装置は単に可撓性支持材料の上に配置された別々の非 可撓性回路か、または一般に「可撓性ケーブ ル」と称される可撓性材料の上または内部の簡単な配線を含んでいるに過ぎない 。可撓性のある運動を行ない得る回路素子は金属の相互連結装置に限られている 。 形が著しく縮小された回路素子を必要とする、もっと複雑な電子システムに適 合した回路の製作法を改善することが、現在もなお引き続き要望されている。 本発明の概要 本発明は薄膜回路転送技術を用い極めて可撓性の高い集積回路を製造する方法 に関する。特に本発明によれば、可撓性の支持材料の上に転送されたミクロンま たはサブミクロンの範囲の大きさををもつ薄膜集積回路装置が提供される。本発 明によって得られる極めて薄い回路は、回路の一体性を保ちながら、曲げる運動 およびそのような運動から生じる引っ張りおよび圧縮応力を許容することができ る。本発明方法を用いると、ディスプレー、検出器、相互連結素子、多重チップ ・モジュール、通信機器、PCMCIAカード、およびICカード装置、並びに プロセッサーおよびメモリーを含む多くの用途をもった複雑な形に適合するアク チブ(active)な集積回路の素子が製造できる。 集積回路は伝統的に単結晶のシリコンのような半導体材料および砒化ガリウム のような種々のIII−V族材料から製造される。しかし単結晶のシリコンはか たく脆い材料であり、この材料を用いてつくられる集積回路のチップは、降伏強 さおよび寿命を最大にするために、高度の剛性をもったチップ装着具または回路 板の上に取り付けて各チップにかかる機械的応力または他の力を防ぐようにする 。単結晶のシリコンは引っ張りの降伏強さが6.9×1010dyne/cm3、 ヤング率が1.9 ×1012dyne/cm2である。シリコンは典型的には室温において割れるこ とにより降伏を起こすが、金属は通常非弾性変形によって降伏を起こす。即ち集 積回路に使用される結晶性材料は一般に可撓性回路の用途に十分適していると考 えられていない。 本発明によれば、可撓性基板の上に単一の集積回路をつくるように相互に連結 された半導体材料の連続したおよび/または間隔を置いて配置された区域を製造 することによりこの問題が解決される。半導体材料の間隔を置いて配置された区 域は可撓性基板の上に適当な寸法で分離されてつくられ、一つまたはそれ以上の 軸に沿って回路を実質的に曲げることができるように材料で相互に連結されてい る。半導体素子の間の間隔の大きさ、支持用の基板の可撓性、および半導体素子 の間を連結する材料の可撓性により、回路の機能を失うことなく回路を曲げ得る 運動の範囲が決定される。さらに厚さが100μより、好ましくは10μより薄 い半導体連続材料の薄いフィルムは、その薄いフィルムでつくられた回路の面内 において100μより小さい回路素子が曲率半径最大1インチ(2.54cm) の曲げ運動をしても回路としての挙動を保持し得るほど十分な可撓性をもってい る。本発明の回路では、多くの用途において所望の可撓性を得るための最低の曲 率半径は少なくとも10インチ(25.4cm)、好ましくは少なくとも5イン チ(12.7cm)である。 好適な具体化例においては単一転送法が使用されるが、この方法では絶縁され たシリコン基板の上につくられた単結晶のシリコン(SOI)の内部に、薄い可 撓性をもった集積回路素子がつくられる。この回路を被覆層で覆った後、ガラス のような第2の基板に転送する。第2の基板は接触面に接着層が備えられ、基板 と接着層との間には銅のフィルムの ような分離層またはエッチング停止層が存在している。次に被覆層が接着層と接 合するように集積回路を第2の基板に転送する。次いでシリコン基板を除去し、 シリコンのウエーファー上の絶縁層として使用できる酸化シリコンの層を露出さ せる。次に酸化シリコンの層の一部を除去し、集積回路の接点を露出させ、さら に集積回路を処理する。同様に分離層の所で第2の基板を剥がし、特定の用途に 応じて厚さの範囲が0.1〜100μまたはそれ以上に亙る回路構造物を得る。 大部分の用途に対しては、転送された構造物の厚さは20μより薄いことが好適 である。多くのCMOS回路の用途に対しては、シリコンのフィルムは0.3〜 1.5μの範囲の厚さをもつことが好ましい。最終構造物では、銅のような分離 層を構造物の内部に残し、支持、電気的遮蔽、熱制御および/または接地に使用 することができ、或いは別法としてこれを取り去ることができる。第2の基板を 取り除いた場合回路は容易に曲る接着層で支えられる。次いで装置を完成させ、 密封し、それぞれ必要な外部の連結子または接合パッドを取り付けまたは露出さ せる。 接着剤はTraconまたはEP−112のような市販のエポキシド、または 中に窒化アルミニウム粒子が懸濁されたEP−30ANのような熱伝導性エポキ シ剤であることができる。ここで使用される接着層は最高75μまたはそれ以上 の種々の厚さをもっていることができる。 他の好適具体化例においては、中間の基板に回路を転送した後、これを第3の 基板に転送する二重転送法を用いる。この好適具体化例においては、可撓性のあ る集積回路をつくった後、これを被覆層で覆う。集積回路を含むこの構造物を次 に第2の基板に転送し、被覆層と接着層とを接合する。剥離層および/またはエ ッチング停止材として作用する無定 形シリコンの薄層、または他の分離層を第2の基板と接着層との間に入れる。シ リコン基板を取外し酸化シリコンの層の平らな表面を露出させる。第2の基板に 中間的な支持物を取り付けた後、この回路を剥離可能な第3の層または可撓性を もった用途に特有な基板に転送する前。 用途に特有な基板はプラスティックスまたはテフロン材料のような高度の可撓 性をもった材料であることができる。最終的な基板は、分離層のない第2の接着 層を取り付けることにより回路を受けるようにつくられている。次いで回路を第 2の基板から最終基板へと、二酸化シリコンの平らな表面が第2の接着層と接合 するように転送する。随時二酸化シリコンの層をさらに処理して装置を製造およ び/または単結晶のシリコン層と連結した後、第2の基板に転送することができ る。得られた構造物をフッ化水素酸(HF)のような酸性溶液に浸漬してガラス のような第2の基板を除去する。このような溶液は、同時に最終基板および分離 層、例えばテフロン、銅または無定形シリコンに影響を与えずに、ガラスまたは 他の基板を除去する手段を与える。 別法として、単一または二重転送法のいずれにおいても、露出した周辺の区域 または分離層の周りの環状の輪の部分に沿って接着層に直接接合した基板に対す る分離層自身の接着性を減少させることができる。構造を分割(dicing) することは回路を分離する役目をする。この時回路は分離層で基板に緩く接着い ているだけである。事実、製造中構造物の中に生じる固有の応力により、分割後 構造物に曲げまたは積層剥離が起こり、構造物は簡単に基板から持ち上げること ができる。 銅の層は一つの基板と接着剤との間に分離層をつくるのに用いることができる 。分離層は厚さが100〜1000Åであることがことが好ま しい。接着層の厚さは75μより薄いことが好適である。本発明の単一層の可撓 性回路の全体の厚さは100μより薄いことが好適である。しかし用途に依存し て全体の厚さは10〜100μの範囲に亙ることができる。 他の好適具体化例では、可撓性構造物を2層またはそれ以上の層にして積層化 して使用する。各可撓性構造物は片面または両面に回路がつくられているか、お よび/または三次元の回路構造物の内部で回路が連結された異なった層に使用す ることができる。異なった回路層は異なった程度の剛性をもち、それによって装 置の製作の最終段階において得られる積層回路構造物は所望の程度の可撓性をも つことができる。単一層および多重層の回路装置は装置の一つの軸に沿った可撓 性が装置の他の一つまたはそれ以上の軸に沿った可撓性よりも大きくなるような 形をしていることができる。これは回路素子自身の可撓性が或る特定の軸に沿っ て大きくなっているか、或いは特定の用途においては或る特定の軸に沿って可撓 性が大きいことが必要とされるためである。集積回路の半導体の区域の間の空間 の大きさおよびその方向は、異なった軸に沿って要求される可撓性の差に適合す るように設計することができる。これらの層は、一つまたはそれ以上の選ばれた 軸に沿った回路の折り曲げに対する耐久性を増加させまたは最大にするのに使用 することができる。 本発明により製造された回路は、電池で動作する多くの用途に対して低電力で 動作する素子を含んでいることができる。このような低電力システムは1997 年6月27日付けのJacobsen等の米国特許願 号に詳細に記 載されている。この特許願は1997年5月9日付けの米国特許願08/853 ,630号の継続出願であり、これ らの明細書の全内容は参考のために添付されている。 本発明の上記特徴、および部品の構成および組み合わせの種々の新規詳細点を 含む他の特徴を、添付図面を参照して次に詳細に説明し、添付特許請求の範囲に 掲げる。本明細書に記載された特定の具体化例は例示のためにだけ示されたもの であり、本発明を限定するものではないことを了解されたい。本発明の原理およ び特徴は本発明の範囲を逸脱することなく種々のまた複数の具体化例に使用する ことができる。 添付図面の簡単な説明 図1A〜1Dは本発明の可撓性をもった集積回路を製造するための好適な単一 転送法を示す。 図2は本発明の単一転送法で製造して得られた可撓性回路の構造物を示す。 図3A〜3Cは本発明の可撓性をもった集積回路を製造する好適な二重転送法 を示す。 図4は本発明の二重転送法で製造して得られた可撓性回路の構造物を示す。 図5A〜5Eは本発明方法によりプラスティックス基板の上に可撓性をもった 集積回路を製作する好適な単一転送法を示す。 図6A〜6Eは本発明方法によりプラスティックス基板の上に可撓性をもった 集積回路を製作する種々の形の好適な二重転送法を示す。 図7は本発明方法により製作された一連のインバーターを示す。 図8は図5に示したインバーター・チェーンに付属した時間遅延を示すグラフ である。 図9は本発明方法で製造された種々の形の可撓性回路を装着した装置 の露出図である。 図10A〜10Bは可撓性の通信回路が取り付けられたICカード(スマート ・カード)を示す。 図11は本発明によって製造された可撓性回路を示す。 図12は少なくとも3個のアクチブおよび/またはパッシブな回路素子の層を 有する積層化された可撓性回路を示す。 図13は行および列が集積回路から成る可撓性をもった能動のマトリックス回 路の模式図である。 図14は図13の回路に使用される可撓性をもった液晶ディスプレーの断面図 である。 図15A〜15Eは互いに連結された多重層回路構造物を製作する工程の順序 を示す。 図15Fは互いに連結された多重層回路の他の具体化例を示す。 図15G〜15Hは本発明による他の好適な転送法を示す。 好適具体化例の詳細な説明 図1A〜1Dに好適方法が示されているが、この中には単一転送法により可撓 性回路を製作する工程が含まれている。図1Aは絶縁体上のシリコン(SOI) 構造物を示す。この構造物では二酸化シリコンの層102の上に載せられた単結 晶のシリコンの薄膜108がシリコン基板100の上に配置されている。好適な 具体化例においては、二酸化シリコンの層は厚さが0.05〜5μ、好ましくは 0.1〜1μである。高性能の集積回路を製作する上におけるSOI材料の利点 は米国特許5,377,031号、同5,258,325号および同5,376 ,561号に記載されている。これらはすべて参考のために添付した。 転送には絶縁されたシリコンのエピタクシー・ウエーファーを用いることが好 ましい。この種の材料は先ず標準的なチョクラルスキー(Czochralsk i)ウエーファーの上に厚い高品質の熱的酸化物を成長させることによりつくら れる。この酸化物の上に高純度のポリシリコンの層を沈着させ、次いで酸化物の キャッピング層を沈着させる。次に帯融精製再結晶法を用いポリシリコンを単結 晶のシリコンの変える。その結果絶縁性のSiO2層の上に載せられた薄い高品 質のSi層が得られる。SOI材料を製造する他の方法にはSIMOX法または 接合ウエーファー法が含まれる。 図1Bはシリコン層108またはGaAsのような他の半導体材料を用い集積 回路装置を製作する工程を示す。これらの装置は金属酸化物−半導体電界効果ト ランジスター(MOSFET)、CMOS回路の発光ダイオード(LED)、光 電池、他のアクチブな装置、およびそれとパッシブな素子とを組み合わせてつく られた装置のようなアクチブな素子を含むことができる。GaAsの装置、特に LEDを制作するシステムおよび方法は米国特許5,300,788号に記載さ れている。その全内容は参考のために添付されている。装置の素子103は例え ば金属メッキされた導線109に連結され、ついで被覆層104で被覆されて保 護されている。被覆層は二酸化シリコンまたは窒化シリコンであり、厚さは0. 5〜2μの範囲であることが好ましい。好適具体化例においては二酸化シリコン 層、該装置および被覆層を組み合わせた厚さは10μよりも薄いことが好適であ る。 集積回路内部の個々の装置素子103は或る与えられた軸に沿った断面の寸法 10をもっている。これらの素子103はその用途に依存して 同一または相異なった幾何学的形状および大きさをもっていることができる。回 路の内部の個々の素子103は或る与えられた軸に沿って同一または相異なった 間隔20、30で分離されている。個々の結晶素子103はいずれの方向におい ても大きさが100μより小さいことができる。回路の素子103の間の間隔2 0、30により回路の可撓性区域を多くすることができる。この用途に対する目 的のためには装置の各素子103の断面積は該素子がその下にある支持面を覆う 表面積である。一般に装置の素子103の表面積は数平方ミクロン乃至数千平方 ミクロンの範囲(例えば1μm2〜10000μm2)である。或る与えられた素 子の厚さが厚いほど得られた回路の可撓性は小さくなる。 図1Cはガラスのような第2の基板107、分離層106、および接着層10 5を示す。分離層は銅のような金属のフィルムまたは箔であることができる。好 適具体化例においては、分離層106はまた腐食停止材としての役目をし、接着 層105を保護しながら以後ガラスの基板の腐食を行なうことができる。好まし くは接着層105は厚さが15μよりも薄く、分離層は3000Åよりも薄い厚 さをもっている。しかし接着層105は特定の用途に依存して最大3ミルの厚さ をもつことができる。図1Cに示されているように、アクチブな回路素子103 を支えている基板100は接着層105および介在する分離層106で第2の基 板107に固定されている。この単一転送法においては薄いフィルムのシリコン の回路を直接目的とする基板107に転送することができる。この基板は分離層 をもたないプラスティックスまたは他の変形可能な材料であることができる。 好適具体化例においては、分離層106の周辺部の周りで基板107 の縁111が接着層105と直接接着している。この具体化例においては全体の 構造物を分割する際に基板107は分離層から剥がされる。周囲の連結区域の幅 はウエーファーの大きさおよび使用するウエーファーの区域に依存して変えるこ とができる。一般にこの連結区域は幅が1.0〜10mmであり、6インチのウ エーファーに対しては5〜8mmが好適である。これよりも大きなウエーファー または或る形状の装置に対しては、連結区域はウエーファーの中心にある円形部 分かまたは他の対称的なパターンをなしているか、連結区域のパターンは各ウエ ーファーの上にある個々の装置の周りおよびその間でつくらることができる。 図1Dにおいては、第2の基板107へ転送された装置103は接着層107 で分離層106に接合されていることが判る。一次基板100は上記特許に記載 された持ち上げるだけで取り去る方法またはエッチング法により除去され、二酸 化シリコンの層102が露出されている。好適具体化例においては、基板107 から層106を単に剥ぎ取ることにより分離層106の所で第2の基板107が 除去される。 基板を除去する種々の方法の中には、化学的および/または機械的な持ち上げ るだけで取り去る方法が含まれる。この特定の例においては図1Cの構造物を線 A−AおよびB−Bに沿って四角に分割する。区域111に沿って回路を基板1 07に固定するための接着剤はこの部分には存在しないから、分離層106は容 易に基板107から剥がれ、図1Dの可撓性をもった集積回路120が得られる 。 図2においては、さらに処理および/または外部への連結を行なう目的で、分 割して基板107を取り去る前に、二酸化シリコンの層102の一部140をエ ッチングしてアクチブな回路装置103の第2の側面 130を露出させるために随時介在させて行なわれる工程が示されている。第2 の側面に対する処理は透過型または反射型のアクチブなマトリックス・ディスプ レーに対する光遮蔽材をつくるか、または種々の回路の用途に対する相互連結部 材をつくる操作を含むことができる。反射型または透過型のディスプレーは周囲 の光を使用することができる。次いで第2の側面を密封し、この装置を特定の用 途のために取り付けることができる。この構造物を密封するのに用いられる誘電 体材料を適当な強度および厚さで被覆し、可撓性の構造物に対して応力を放出さ せ或いはこれに剛性を賦与し、また熱吸収部をつくり或いは接地を行なうことが できる。アクチブな回路層を可撓構造の中心に配置し、回路層およびそれに付随 した相互連結部材にかかる応力を、かなりの折り曲げ範囲に亙り装置の限界最低 曲率半径まで減少させることができる。この装置の限界最低曲率半径は回路の種 類と複雑さに依存している。 図3A〜3Cは薄膜可撓性集積回路を製作する本発明の他の具体化例を示す。 特にこれらの図は、薄膜回路を中間の即ち転送用の基板に転送した後、用途に特 定の基板に転送する二重転送法を示している。図3Aにおいては、図1A〜1C の工程で説明したようにして集積回路装置303を基板300の上につくる。前 と同じようにこの薄い初期構造物はシリコン基板300を含み、その上に二酸化 シリコンの層302、回路素子303および被覆層304がつくられている。図 3Aにおいては回路が中間の基板307に転送されるのが示されている。典型的 には中間の基板307はガラスである。この場合もこの回路は接着剤305で分 離層306に接合され、この具体化例では分離層は無定形シリコンであり、これ が中間の基板307に取り付けられている。 図3Bにおいては、上記の持ち上げて剥がす方法により基板300を取り除く 。残った構造物は裏面処理および恐らくは用途に特有な基板に対する第2の転送 がを行なえる状態にある。図3Cは可撓性の回路を所望の最終製品に搭載するの に使用することができるテフロンまたはプラスティックスのような可撓性の基板 310を示す。接着層308は最終基板310を積層構造物に接合するのに使用 される。次にこの組み合わせ構造物をエッチングして任意の一時的なまたは望ま しくない基板層を剥がす。この具体化例においてはエッチング法により中間の基 板307を除去することができる。HF溶液はガラスのような材料を腐食するが 、銅、無定形シリコンまたはテフロンのような他の材料には影響を与えない。図 4は、随時接着剤305および分離層306を取り除き、回路素子303の区域 320を露出させ、外部の連結を含む処理を行なうことができることを示してい る。 図5A〜5Dは、単一転送法を用いてプラスティックス上に可撓性の回路をつ くる好適な具体化例を示す。他の具体化例と同様に、この方法は図5Aに示すよ うに、二酸化シリコンの層502の上に載った単結晶のシリコンの薄膜をシリコ ン基板501の上でつくることによって開始される。アクチブおよびパッシブな 素子を含む集積回路503をシリコンの層を用いてつくり、被覆層504を回路 素子503の上に被覆して保護する。図5Bでは、回路503に接合するための 接着層506が取り付けられたプラスティックスの薄層505がつくられること が示されている。図5Aの回路は分割して別々の成分にし、次にこれを拾い上げ て配置する方法を用い可撓性の基板505に転送することができる。プラスティ ックス層505の厚さは数μのプラスティックス・フィルム程 度の厚さ、或いは0.1〜2mm程度のクレジット・カードの厚さであることが できる。図5Bに示すプラスティックス基板505の可撓性は、高度に可撓性を もった状態から半剛性をもった状態に亙ることができる。シリコン基板の上の回 路503は被覆層504が接着層506に接合するようにプラスティックス基板 505に転送される。図5Dにおいてはシリコン基板501を前述の持ち上げる 方法で剥がし、二酸化シリコンの層502の一部を除去してアクチブな回路素子 503を露出させる。 別法として二酸化シリコン層502の上につくられた集積回路を接着剤を用い ずに直接プラスティックス層505に転送することができる。この具体化例を図 5Eに示すが、この場合プラスティックス基板505は被覆層504に取り付け られている。プラスティックス層505を接着するには、構造物を約150℃に 加熱してプラスティックスを半ば熔融させ、これを被覆層の表面に接合すること により行なうことができる。 図6Aから6Eでは、集積回路603をつくり、上記二重転送法を用いてプラ スティックス基板に転送する他の好適具体化例が示されている。他の具体化例と 同じように図6Aにおいては、この方法はシリコン基板601、およびその上に つくられたSiO2層602の上に延びたシリコンの薄層を用いて始められ、次 いで装置603および被覆層604をつくる。図6Bは転送基板605を示し、 また分離層606が接着層607によって被覆されていることを示している。図 6Dは互いに接合された図6Aおよび図6Bの素子を示す。図6Dは基板601 を除去した後接着層608でSiO2層602に接合されたプラスティックス基 板609の薄層を示す。図6Eは直ぐ使用できる形の可撓性回路を示す。この場 合中間の基板605はエッチングされており、無定形シリコンの ような分離層606、およびエポキシ層607は必要に応じ剥がされている。 本発明方法によってつくられた可撓性回路の性能は、図7に示すようなインバ ーター・チェーン400の時間遅延特性を調べることにより定量化することがで きる。図7は高電圧または低電圧のいずれかの入力電圧(Vin)401が入力さ れる1000個のインバーター・チェーンを示す。図7の回路を本明細書に説明 されているようなSOIウエーファーで製作し、銅箔に転送する。この箔とその 上に取り付けられた回路を、構造物の曲率半径が1cmより小さくなるように曲 げてロールにし、次いで平らにして試験する。試験装置は、出力電圧(Vout) 406を測定して出力レスポンスが得られるまでの遅延時間を決定するように配 置されている。図8において、遅延時間501は供給電圧(VDD)に関して減少 しており、この回路は曲げてロールにした後でも正常に動作することが判る。 図9では一般に可撓性回路を種々の形で装着する際の考察が示されている。図 9はラップトップの手で持ち運べるコンピューターのようなハウジング901か ら成る装置を示す。このシステムは広い範囲の外部装置およびI/O装置を支持 するのに極めて適したパッケージ化された内部成分を含んでいる。 典型的にはこの装置900は、本発明方法に従って製作された可撓性回路板9 04の内部につくられた中央処理装置919によりコントロールされる。この回 路板904は一般にマイクロプロセッサー919とメモリー918から成ってい る。装置900は必要に応じ多重処理を行なうための複数の補助回路板923を 含んでいることができる。回路板9 04および補助回路板923は直接インターフェース924および例えばケーブ ル905によるような可撓性インターフェースの両方に連結されている。従来法 のケーブルと異なり、ケーブル905はデータの流れの制御および他のインター フェース操作を助けるアクチブな素子を含む本発明方法に従ってつくられた可撓 性の回路906を含んでいる。装置900は一般に、電池920、および電力制 御機能を行ないまたこの装置の他の特徴に対するインターフェースとなる別の回 路板921を具備したサブシャーシ908をさらに含んでいる。 装置900はさらに二次ハウジング911を支持する可撓性部材922を含ん でる。二次ハウジング911は折り畳んで主ハウジング901またはスタンドの 上部の上に配置できることが判るであろう。二次ハウジング911は平らなパネ ルのディスプレー・ユニット913およびそれに付随したドライバー回路912 を含み、該回路912は該ディスプレー913の背面に直接積層化されたアクチ ブな素子をもっている。ディスプレー913は他のケーブル909を通して連絡 し、前と同様にケーブル909は該ケーブル909の内部につくられた可撓性を もった多重回路を支持することができる。図9に示したディスプレーはバックラ イト付きのアクチブまたはパッシブな液晶ディスプレー、または米国特許5,3 77,031号および同5,206,749号記載の放射型ディスプレーのいず れかであることができる。該米国特許は参考のために添付されている。これらの 装置にはポケットベル、電話、カード・リーダーまたは他の個人用通信装置また はディスプレー装置が含まれる。 この装置は内部または外部のI/O装置、例えばキーボードまたはキーパッド 917により制御することができる。装置900はさらに広い 範囲の外部装置、例えば導線903によってボード903、904に連結され、 それぞれアクチブな回路を含む可撓性のカード902を支持することができる。 本発明方法でつくられるような種々の形で可撓性の回路を装着すると、図9に示 すような装置に対し極めて高密度の収納性および携帯性が得られる。 さらに他の具体化例においては、図10A〜10Bに示すようなアクチブな通 信素子を有するICカード1000がつくられる。これらのカードはクレジット ・カードと同じ寸法(即ち約3×3/8×2−1/8インチ、または約85.6 ×53.98×0.76mm)および材料をもち、また超薄型のディスプレー・ パネル1001を含んでいることができる。一般にこれらのカードは各辺の大き さによる表面積が4500〜5000mm2、厚さが0.5〜1mmの範囲にあ る。図10A〜10Bにおいては、カード1000はディスプレー・パネル10 01の下方にあるマイクロプロセッサー1005およびメモリー1006によっ てコントロールされ、電池1007によって電源を供給できることが判る。ディ スプレー1001はアクチブなディスプレー素子を有する平らな回路駆動板10 04によって駆動される。これらのカードはポケットまたは財布の中に入れて運 ばれ、曲げたり落したりした後でも性能に劣化を生じることなく動作する。同様 に腕時計、ポケットベルおよび電話を可撓性回路およびディスプレー・ウインド ーに装着し、テレビ電話的な通信機能を持たせることができる。このカードはま た磁気ストリップ(magnetic strip)または磁気コイルをもって いることができる。この回路はインターフェースとしてコイルの片側に取り付け ることができる。 本明細書に説明した可撓性回路は、国際標準化機構(ISO)、国際電気標準 会議(IEC)および米国規格協会(ANSI)の標準および指針に従うICカ ードの製作に使用することができる。これらに関する出版物は米国ニューヨーク 、11 West 42nd Street、NY10036のANSI、およ びスイス、ジュネーヴのISOから入手できる。 接触型並びに無接触型の集積回路カードに関するISO/IEC 7816− 1〜7816−7およびISO/IEC 10536を含むこれらの標準、並び にその改定版はその全文を参考のために添付した。このようなカードに対する物 理的特性はISO 7816/1に記載されており、これらの特性には曲げおよ び捩り特性が含まれている。二つの短い辺を曲げた場合、長い辺(85.6cm )の中央は毎分30回の曲げ速度で少なくとも250回2cmほど曲げられなけ ればならない。二つの長い辺を固定した場合には、短い辺(53.98cm)の 中点は同じ速度、同じ回数で1cmだけ曲げられなければならない。このカード は1000回曲げた後もなお電気的な機能を果たさなければならない。即ち4つ の位置の各々で250回曲げた場合にも標準に合致しなければならない。捩りに 対しては、共通の中心軸の周りに二つの短い方の辺を互いに±15°だけ回転さ せても機能を失わないことが要求される。本明細書に記載された可撓性回路は容 易にこの標準を満たすか、またはこの標準を超えている。 可撓性回路および相互連結部材は、コンピュータの用途、特に空間および重量 の制約により空間を公称通りに使用できることが要求されるノート型およびサブ ノート型のパッケージの用途に対して重要である。本 発明の可撓性回路はパソコン用の著しく薄く軽量の携帯型部品を提供する。例え ば、マイクロプロセッサーを含む集積回路をノート型またはサブノート型のディ スプレー・パネルの上に直接製作することができ、キーボードのシャーシは格納 装置および他のI/O装置のような周辺装置のハウジングとしてだけ考えればよ い。他の態様においては、キーボードのスロットを通して受け取り得る標準のP CMCIAカードは可撓性の基板の上に製作された多重メモリーおよびモデム装 置を含むことができる。前に説明したようにメモリーおよびプロセッサーを含む 他の構成要素のホストを、アナログ型およびディジタル型の両方とも、可撓性の 基板上に製作してさらにパーソナル・コンピュータの大きさおよび全体としての 重さを減少させることができる。 この装置はカード・リーダーまたは他のICカード・インターフェース装置と して使用することができ、この場合ディスプレーを使用してカード上の情報また はカードに格納すべき情報を表示する。 他の用途には電荷結合素子および画像装置が含まれる。例えば、電子回路への 光学的信号を受け取るための光入力を含む光学的放射検出用アレイをカードの内 部につくることができ、これらのアレイはカードの誘電体材料を使用して信号を カードの片側から他の側へと伝達する導波管としての機能を果たす。 図11には曲率半径ρの円弧に沿って曲げられる厚さ1110を有する本発明 に従ってつくられた可撓性回路が示されている。このような平らな構造物を曲げ る場合、曲った上側の表面1100上の材料には張力がかかり、この曲面に適合 するために上側の表面は延びなければならない。下側の表面1102の材料は圧 縮される。ある与えられた曲率半径 に対して材料が厚くなるほど、これらの二つの表面の所での応力が大きくなる。 アクチブな素子1104を含む層は、この構造物が曲げられた場合、張力および 圧縮力が最小になるように構造物の内部に位置している。相互結合部材1106 、1108を含む層は大きな可撓性をもち、従って破壊を起こすことなく大きな 値の張力および圧縮力に適合するような位置をとることができる。 図12には第1のアクチブな回路の層1202および第2のアクチブな回路の 層1204を有する積層化された可撓性回路構造物1200が示されている。こ れらの層はそれぞれn個の絶縁層1206および1208をもつようにつくられ ている。アクチブな層は層間相互結合部材1212およびルーティング(rou ting)相互結合部材1214を用いて相互に連結されていることができ、こ れらの後者は1個またはそれ以上の随時存在するルーティング層1210の中に つくることができる。これらの多重層回路およびそれからつくられた装置を製作 する方法は1995年9月19日付け米国特許願08/531,177号、19 94年9月29日付け同08/315,027号および米国特許5,376,5 61号に詳細に記載されている。これらの文献はすべて参考のために添付されて いる。好適具体化例においては、アクチブな回路の層1202および1204は 、例えば図11の接着層1105の反対側にある素子1104のように、単一の 接着層の反対側に取り付けることができる。この具体化例においては回路を取り 付ける絶縁用の酸化物は外側即ち回路構造物の方を向いている。各回路の支持用 の基板を同時にまたは順次取り除くことができる。これによって両側にある酸化 物の層を通してまたはその層の上で同時にまたは順次処理を行なうことができる 。 この積層化した回路構造物を次ぎに密封し、可撓性をもった形のアクチブな多重 層回路にすることができる。 これらの積層化した構造物を非常に薄くつくり、比較的厚い積層構造物の中に 入れた場合実質的に曲るようにすることができる。図12の回路は回路に関して 比較的厚くすることができるプラスティックス層(図示せず)の内部に密封する ことができる。磁気ストリップまたは光学的な入出力素子をこの装置の中に導入 し、内部プロセッサーおよびデータ入出力のプログラミングを行なうことができ る。 図13にはアクチブなマトリックス回路1300が示されているが、これは列 方向のドライバー1304および行方向のドライバー1306から成る集積回路 の中に20,000以上のトランジスターを使用して製作されたものである。本 発明方法で製作された場合、この構造物は回路の性能を損なうことなく、例えば 軸1308の周りで曲げて曲率半径が1インチの幾何学的形状にすることができ る。 図13のような可撓性をもったアクチブなマトリックスを用いて液晶ディスプ レーのような透過光の光弁をつくることができる。このようなディスプレー14 00の断面図を図14に示す。この好適具体化例においては、アクチブなマトリ ックス回路1402は接着剤1404で可撓性の随時透過性をもったプラスティ ックス・フィルム1406に取り付けられている。回路1402の反対側には可 撓性の固体の液晶材料1408、例えば重合体を分散させた液晶材料が、回路と 対向電極1410、例えばプラスティックス基板1412の上につくられた酸化 錫インジウムの薄いフィルムとの間に配置されている。 本発明の他の好適具体化例を図15A〜15Eに示す。図15Aおよ び15Bは、塊状の半導体ウエーファーまたは図示のような絶縁体の上にシリコ ンが載せられた(SOI)構造物を用いて製作されたトランジスター回路150 0をつくるための、第1のシリコン基板1502上の工程順序を示している。酸 化物層1508およびLTO層1510で分離されたトランジスター1504を 含む単結晶のシリコン材料の中に回路をつくることができる。各トランジスター 1504の電源即ちドレーン区域はメッキされた接触パッド1506を有してい る。接触パッド1506は図15Bに示すような金属の突起または柱1512を つくるのに適した位置にあり、またそれに適した幾何学的形状をもっている。こ の柱状構造物1512はフォトレジストを沈着させそれでパターンをつくりパッ ド1506を露出させてつくられる。開口部は金属で充填し、溶媒を用いてフォ トレジストを取り去る。 第2の回路1520は図15Cに示すように第2のウエーファー1522の上 方につくられる。トランジスター1528は、SOI構造物を生じるように絶縁 酸化物層1524の上にある単結晶のシリコンフィルム1526の中につくられ る。この構造物は横に延びたメッキされた接触パッド1530をもっている。回 路1520を可撓性の基板1532に転送し図15Dに示すようにエッチング1 534によって基板1522を取り去った後、接触区域の下側にある絶縁体の区 域およびLTO区域を取り除くことができる。 これらの区域を取り去った後、図15Bおよび15Dの構造物を並べ、接着層 1540を用いて接合し図15Eに示すような多重層回路構造物をつくることが できる。基板1502を取り除き、装置を密封し可撓性をもった多重レベル回路 装置をつくることができる。 他の好適具体化例においては、上方の回路はカメラに対する固体センサー・ア レイを含んでいることができる。このセンサー・アレイまたは検出器アレイは6 40×480から最高1024×1024またはそれ以上の高画像分解能をもつ ピクセル電極のアレイを含んでいる。CMOS画像センサーの構造および製作に 関するこれ以上の詳細点はFossumの「CMOS画像センサー:チップ上の 電子カメラ」と題するIEDM、17〜20頁(1995年)の論文に記載され ている。その全文は参考のため添付されている。これらのCMOSのアクチブな ピクセル・センサー装置は3〜5ボルトの範囲で動作し、必要操作電力が低く、 完全なビデオ出力を与える。ピクセル・アレイ全体に対しマイクロレーン・アレ イ(microlene array)を使用して光学的な充填因子を改善する ことができる。本発明においてはセンサーをコントロールするのに積層化した下 方にある回路を使用するから、センサーのピクセル電極の面内における表面積に 対する回路の要求が減少するから、検出器の光学的な孔を大きくすることができ る。 図15Fに転送された集積回路1600の他の具体化例を示す。この具体化例 においては、第1の回路1614は基板1602の上または上方につくられてい る。前述のように他の基板の上につくられた第2の回路は単一転送法または二重 転送法によって基板1602に転送される。第2の回路は絶縁区域(LTO)1 608によって分離された回路素子1620を含み、接着層1604で基板16 02に接合された絶縁層1606の上に位置している。不動態化層1610は接 触パッド1616、1618を露出するための開口部を規定している。メッキ層 1612を沈着させ、これによって第1の回路1614を第2の回路素子162 0 に連結する。この場合層は側壁区域1622の上を延びている。切断を生ぜずに メッキを側壁1622の所まで延長するためには、側壁は好ましくは約5μ以下 の厚さをもっている。接着剤が約1μの厚さをもっている場合、全体としての側 壁の高さが3〜4μの範囲となるためには、回路素子1620は2〜3μの厚さ をもっていることが好ましい。 図15G〜15Hには転送された集積回路構造物を製作する他の好適方法が示 されている。この構造物1650は回路層1658を有し、その絶縁区域165 6は絶縁用酸化物層1654およびシリコン基板1652に亙って延びている。 不動態化層1665の上にアルミニウム層1660がつくられ、接着剤1662 を用い転送基板1666および介在する銅の層1664をアルミニウム層166 0の表面に接合する。 図15Hに示すように、基板1652を除去した後、酸化物層1654を開い て相互連結部材1682と、パッド1680の露出面および基板1672上の第 2の回路または他の多重チップ・モジュールへの接合との間を接触させる。次に 基板1666を銅の剥離層1664に沿って機械的に取り除くか、または停止材 として銅1660を使用して基板1666をエッチングする。次に銅の層166 4および接着剤1662を除去し、図15Hの構造物1670を得る。 同等物 当業界の専門家は、通常行われる実験を使用しないでも、上記に説明した本発 明の特定の具体化例に対する多くの同等物に関して知識を得ることができ、或い はこれを確認することができよう。これらおよび他のすべての同等物は下記特許 請求の範囲に包含されるものとする。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】平成10年8月12日(1998.8.12) 【補正内容】 請求の範囲 1.可撓性をもった基板; 絶縁層の上につくられた可撓性をもった薄膜集積回路;および 該薄膜集積回路および該絶縁層を該可撓性をもった基板に接合する接着層から 成ることを特徴とする集積回路カード装置。 2.薄膜集積回路は、基板が曲げられる運動をする際に該薄膜集積回路が該 基板の形に合致するような20μより薄い厚さをもっていることを特徴とする請 求項1記載の装置。 3.該集積回路はメモリーおよびプロセッサーを含んでいることを特徴とす る請求項1記載の装置。 4.該可撓性をもった基板は矩形の形をし、厚さが0.5〜1mmの重合体 材料から成っていることを特徴とする請求項1記載の装置。 5.複数の接点が露出した被覆層をさらに含むことを特徴とする請求項1記 載の装置。 6.基板の上に取り付けられた無線のインターフェースをさらに含むことを 特徴とする請求項1記載の装置。 7.基板全体に亙って延びた絶縁層の上に薄膜の半導体層ををつくり; この薄膜の半導体層で集積回路を製作し; この集積回路および絶縁層を基板から可撓性材料へと転送し、この際該集積回 路は可撓性をもった集積回路をつくる複数の間隔を置いて相互に連結された半導 体区域を有することを特徴とする可撓性をもった回路装置を製作する方法。 8.さらに可撓性をもった集積回路を密封材で密封することを特徴 とする請求項7記載の方法。 9.さらに可撓性をもった集積回路でアクチブなマトリックス液晶ディスプ レーをつくる工程を含む請求項7記載の方法。 10.該転送工程はさらに接着層を用いて集積回路を第2の基板に接着させ、 半導体基板の一部を除去し、第2の基板を集積回路から剥がす工程を含むことを 特徴とする請求項7記載の方法。 11.半導体基板は絶縁体の上にシリコンが載せられた構造体がシリコン基板 の上に存在するものであることを特徴とする請求項7記載の方法。 12.該可撓性材料は重合体材料であることを特徴とする請求項7記載の方法 。 13.集積回路の該転送工程はさらに集積回路の露出した第2の側を装置で処 理する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。 14.基板の上に半導体材料で基板をつくり; 該半導体材料を有する集積回路を製作し; 分離層で基板から分離された接着層を有する第2の基板をつくり; 集積回路が接着層に接着するように該基板から第2の基板へと集積回路を転送 し; 半導体材料の一部を取り去ってその中の集積回路を露出させ; 分離層の所で第2の基板を取り去り可撓性の集積回路をつくることを特徴とす る薄い可撓性回路装置の製作法。 15.さらに銅を含む分離層をつくる工程を含むことを特徴とする請求項14 記載の方法。 16.分離層をつくる該工程は厚さが700Åより薄い銅の層をつく る工程を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。 17.厚さが15μより薄い接着層をつくる工程をさらに含むことを特徴とす る請求項14記載の方法。 18.厚さが4μより薄い可撓性集積回路をつくる工程をさらに含むことを特 徴とする請求項14記載の方法。 19.絶縁層上の半導体材料; 該半導体材料で製作された集積回路; 該集積回路を密封する被覆層;および 該集積回路に接着した可撓性の支持層から成ることを特徴とする可撓性回路。 20.該支持層が銅であることを特徴とする請求項19の回路。 21.該支持層がテフロンであることを特徴とする請求項19の回路。 22.該支持層がプラスティックスであることを特徴とする請求項19の回路 。 23.該回路はメモリー付きのICカードから成ることを特徴とする請求項1 9の回路。 24.該回路はデータ・プロセッサーから成ることを特徴とする請求項19の 回路。 25.さらに該回路と外部送信源またはカード・リーダーとの間にアンテナ・ インターフェースを含むことを特徴とする請求項19の回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チエオング,ヌグエ・ケイ アメリカ合衆国マサチユセツツ州02171ク インシー・シヤロンロード31 (72)発明者 ジヤコブセン,ジエフリー アメリカ合衆国カリフオルニア州95023ホ リスター・トラビストレイル501 (72)発明者 フアン,ジヨン・シー・シー アメリカ合衆国マサチユセツツ州02167チ エスナツトヒル・ウエストロクスバリーパ ークウエイ881

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.可撓性をもった基板; 可撓性をもった薄膜集積回路;および 該薄膜集積回路を該可撓性をもった基板に接合する接着層から成ることを特徴 とする集積回路カード装置。 2.薄膜集積回路は、基板が曲げられる運動をする際に該薄膜集積回路が該 基板の形に合致するような厚さをもっていることを特徴とする請求項1記載の装 置。 3.該集積回路はメモリーおよびプロセッサーを含んでいることを特徴とす る請求項1記載の装置。 4.該可撓性をもった基板は矩形の形をし、厚さが0.5〜1mmの重合体 材料から成っていることを特徴とする請求項1記載の装置。 5.複数の接点が露出した被覆層をさらに含むことを特徴とする請求項1記 載の装置。 6.基板の上に取り付けられた無線のインターフェースをさらに含むことを 特徴とする請求項1記載の装置。 7.半導体基板ををつくり; この半導体基板で集積回路を製作し; この集積回路を基板から可撓性材料へと転送し、この際該集積回路は可撓性を もった集積回路をつくる複数の間隔を置いて相互に連結された半導体区域を有す ることを特徴とする可撓性をもった回路装置を製作する方法。 8.さらに可撓性をもった集積回路を密封材で密封することを特徴とする請 求項7記載の方法。 9.さらに可撓性をもった集積回路でアクチブなマトリックス液晶ディスプ レーをつくる工程を含む請求項7記載の方法。 10.該転送工程はさらに接着層を用いて集積回路を第2の基板に接着させ、 半導体基板の一部を除去し、第2の基板を集積回路から剥がす工程を含むことを 特徴とする請求項7記載の方法。 11.半導体基板は絶縁体の上にシリコンが載せられた構造体がシリコン基板 の上に存在するものであることを特徴とする請求項7記載の方法。 12.該可撓性材料は重合体材料であることを特徴とする請求項7記載の方法 。 13.集積回路の該転送工程はさらに集積回路の露出した第2の側を装置で処 理する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。 14.基板の上に半導体材料で基板をつくり; 該半導体材料を有する集積回路を製作し; 分離層で基板から分離された接着層を有する第2の基板をつくり; 集積回路が接着層に接着するように該基板から第2の基板へと集積回路を転送 し; 半導体材料の一部を取り去ってその中の集積回路を露出させ; 分離層の所で第2の基板を取り去り可撓性の集積回路をつくることを特徴とす る薄い可撓性回路装置の製作法。 15.さらに銅を含む分離層をつくる工程を含むことを特徴とする請求項14 記載の方法。 16.分離層をつくる該工程は厚さが700Åより薄い銅の層をつくる工程を 含むことを特徴とする請求項15記載の方法。 17.厚さが15μより薄い接着層をつくる工程をさらに含むことを特徴とす る請求項14記載の方法。 18.厚さが4μより薄い可撓性集積回路をつくる工程をさらに含むことを特 徴とする請求項14記載の方法。 19.半導体材料; 該半導体材料で製作された集積回路; 該集積回路を密封する被覆層;および 該集積回路に接着した可撓性の支持層から成ることを特徴とする可撓性回路。 20.該支持層が銅であることを特徴とする請求項19の回路。 21.該支持層がテフロンであることを特徴とする請求項19の回路。 22.該支持層がプラスティックスであることを特徴とする請求項19の回路 。 23.該回路はメモリー付きのICカードから成ることを特徴とする請求項1 9の回路。 24.該回路はデータ・プロセッサーから成ることを特徴とする請求項19の 回路。 25.さらに該回路と外部送信源またはカード・リーダーとの間にアンテナ・ インターフェースを含むことを特徴とする請求項19の回路。
JP10506154A 1996-07-11 1997-07-11 転送された可撓性集積回路 Ceased JP2000514937A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/680,210 1996-07-11
US08/680,210 US6027958A (en) 1996-07-11 1996-07-11 Transferred flexible integrated circuit
PCT/US1997/012044 WO1998002921A1 (en) 1996-07-11 1997-07-11 Transferred flexible integrated circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000514937A true JP2000514937A (ja) 2000-11-07
JP2000514937A5 JP2000514937A5 (ja) 2005-02-10

Family

ID=24730192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10506154A Ceased JP2000514937A (ja) 1996-07-11 1997-07-11 転送された可撓性集積回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6027958A (ja)
EP (1) EP0958607A1 (ja)
JP (1) JP2000514937A (ja)
WO (1) WO1998002921A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100380A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Icカード
US7652359B2 (en) 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
KR101486201B1 (ko) 2012-12-12 2015-01-26 하나 마이크론(주) 유연 집적회로 소자 및 이의 제조 방법
KR20150134759A (ko) * 2014-05-23 2015-12-02 하나 마이크론(주) 집적회로 소자 패키지, 이를 포함하는 와이어 본딩 타입의 집적회로 소자 패키지 및 플립 본딩 타입의 집적회로 소자 패키지
JP2018503547A (ja) * 2014-12-29 2018-02-08 タクトテク オーユー 電子回路を収容するための多層構造および関連する製造方法

Families Citing this family (340)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268237B1 (en) * 1995-04-03 2001-07-31 Aptek Industries, Inc. Stress-free silicon wafer and a die or chip made therefrom and method
US6559825B2 (en) 1996-10-31 2003-05-06 Kopin Corporation Display system for wireless pager
US6545654B2 (en) 1996-10-31 2003-04-08 Kopin Corporation Microdisplay for portable communication systems
US6677936B2 (en) 1996-10-31 2004-01-13 Kopin Corporation Color display system for a camera
US5915167A (en) * 1997-04-04 1999-06-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure memory
US6551857B2 (en) 1997-04-04 2003-04-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure integrated circuits
US6914196B2 (en) 1998-01-09 2005-07-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Reel-deployed printed circuit board
KR100272737B1 (ko) * 1998-01-09 2001-01-15 윤종용 릴인쇄회로기판및그를이용한칩온보드패키지
JP3359910B2 (ja) * 1998-01-22 2002-12-24 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン マイクロシステム及びマイクロシステムを製造する方法
EP0942392A3 (en) * 1998-03-13 2000-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Chip card
US6307751B1 (en) * 1998-06-01 2001-10-23 Wearlogic, Inc. Flexible circuit assembly
US20020167500A1 (en) * 1998-09-11 2002-11-14 Visible Techknowledgy, Llc Smart electronic label employing electronic ink
US6924781B1 (en) * 1998-09-11 2005-08-02 Visible Tech-Knowledgy, Inc. Smart electronic label employing electronic ink
US6246010B1 (en) 1998-11-25 2001-06-12 3M Innovative Properties Company High density electronic package
EP1041620A3 (en) * 1999-04-02 2005-01-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of transferring ultrathin substrates and application of the method to the manufacture of a multi-layer thin film device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US6617671B1 (en) 1999-06-10 2003-09-09 Micron Technology, Inc. High density stackable and flexible substrate-based semiconductor device modules
FR2795199B1 (fr) * 1999-06-15 2001-10-26 Gemplus Card Int Dispositif et procede de fabrication de dispositifs comprenant au moins une puce montee sur un support
FR2795201B1 (fr) * 1999-06-15 2001-08-31 Gemplus Card Int Dispositif et procede de fabrication de dispositifs electroniques comportant au moins une puce fixee sur un support
JP2001144389A (ja) * 1999-11-10 2001-05-25 Fujikura Ltd フレキシブルプリント基板
DE10004891C2 (de) * 2000-02-04 2002-10-31 Astrium Gmbh Fokalfläche und Detektor für optoelektronische Bildaufnahmesysteme, Herstellungsverfahren und optoelektronisches Bildaufnahmesystem
JP2001267578A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
US7893435B2 (en) * 2000-04-18 2011-02-22 E Ink Corporation Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough
JP2003531487A (ja) 2000-04-18 2003-10-21 イー−インク コーポレイション 薄膜トランジスタを製造するためのプロセス
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6816147B2 (en) * 2000-08-17 2004-11-09 E Ink Corporation Bistable electro-optic display, and method for addressing same
JP4491948B2 (ja) * 2000-10-06 2010-06-30 ソニー株式会社 素子実装方法および画像表示装置の製造方法
US20020090980A1 (en) * 2000-12-05 2002-07-11 Wilcox Russell J. Displays for portable electronic apparatus
EP1461802A4 (en) * 2001-02-07 2008-10-01 Visible Tech Knowledgy Llc INTELLIGENT ELECTRONIC LABEL WITH ELECTRONIC DYE
DE10106836B4 (de) * 2001-02-14 2009-01-22 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung aus einem flächigen Substrat
FR2823012B1 (fr) * 2001-04-03 2004-05-21 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert selectif d'au moins un element d'un support initial sur un support final
DE10122324A1 (de) 2001-05-08 2002-11-14 Philips Corp Intellectual Pty Flexible integrierte monolithische Schaltung
JP5057619B2 (ja) * 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2003045901A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
US7387913B2 (en) * 2001-08-08 2008-06-17 Jsr Corporation 3D optoelectronic micro system
FR2830681A1 (fr) * 2001-10-09 2003-04-11 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une couche mince comprenant tout ou partie de composant(s) et ou de circuit(s)
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
IL161808A0 (en) * 2001-11-07 2005-11-20 Axalto Sa A method of manufacturing a plurality of assemblies
JP3898077B2 (ja) * 2001-11-13 2007-03-28 株式会社フジクラ フレキシブルプリント配線板の製造方法
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP3727587B2 (ja) 2001-12-28 2005-12-14 シャープ株式会社 半導体装置の実装方法
US6797891B1 (en) 2002-03-18 2004-09-28 Applied Micro Circuits Corporation Flexible interconnect cable with high frequency electrical transmission line
US7336139B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-26 Applied Micro Circuits Corporation Flexible interconnect cable with grounded coplanar waveguide
US6867668B1 (en) 2002-03-18 2005-03-15 Applied Micro Circuits Corporation High frequency signal transmission from the surface of a circuit substrate to a flexible interconnect cable
US8847696B2 (en) * 2002-03-18 2014-09-30 Qualcomm Incorporated Flexible interconnect cable having signal trace pairs and ground layer pairs disposed on opposite sides of a flexible dielectric
DE10214847A1 (de) * 2002-04-04 2003-10-23 Diehl Munitionssysteme Gmbh Flexibler dünner Schaltungsaufbau
TWI232560B (en) * 2002-04-23 2005-05-11 Sanyo Electric Co Semiconductor device and its manufacture
US7223672B2 (en) * 2002-04-24 2007-05-29 E Ink Corporation Processes for forming backplanes for electro-optic displays
EP1497867A2 (en) 2002-04-24 2005-01-19 E Ink Corporation Electronic displays
US7190008B2 (en) 2002-04-24 2007-03-13 E Ink Corporation Electro-optic displays, and components for use therein
FR2839199B1 (fr) 2002-04-30 2005-06-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats avec detachement d'un support temporaire, et substrat associe
US7649674B2 (en) * 2002-06-10 2010-01-19 E Ink Corporation Electro-optic display with edge seal
TWI229435B (en) * 2002-06-18 2005-03-11 Sanyo Electric Co Manufacture of semiconductor device
US7399683B2 (en) * 2002-06-18 2008-07-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2004071737A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Shinko Electric Ind Co Ltd 筐体形成体およびこれを用いた電子機器
JP2004119015A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004119016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
TWI227550B (en) * 2002-10-30 2005-02-01 Sanyo Electric Co Semiconductor device manufacturing method
US20040099926A1 (en) * 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
US20170052422A1 (en) * 2002-11-26 2017-02-23 E Ink Corporation Flexible electronic circuits and displays
JP4101643B2 (ja) * 2002-12-26 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7327022B2 (en) * 2002-12-30 2008-02-05 General Electric Company Assembly, contact and coupling interconnection for optoelectronics
WO2004061961A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-22 Massachusetts Institute Of Technology Multi-layer integrated semiconductor structure having an electrical shielding portion
US7064055B2 (en) * 2002-12-31 2006-06-20 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface
US7436050B2 (en) * 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
JP4526771B2 (ja) * 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2004312666A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
JP4401181B2 (ja) 2003-08-06 2010-01-20 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7566001B2 (en) 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card
ATE505032T1 (de) * 2003-09-03 2011-04-15 Visible Tech Knowledgy Inc Elektronisch aktualisierbares label und display
US20050178498A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Au Optronics Corporation Method for sealing electroluminescence display devices
US20050196604A1 (en) * 2004-03-05 2005-09-08 Unifoil Corporation Metallization process and product produced thereby
FR2871291B1 (fr) * 2004-06-02 2006-12-08 Tracit Technologies Procede de transfert de plaques
WO2006000049A1 (en) * 2004-06-25 2006-01-05 The Very Small Particle Company Pty Ltd Method for producing fine-grained particles
US8716592B2 (en) * 2004-07-12 2014-05-06 Quanex Ig Systems, Inc. Thin film photovoltaic assembly method
FR2876219B1 (fr) * 2004-10-06 2006-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede d'elaboration de structures empilees mixtes, a zones isolantes diverses et/ou zones de conduction electrique verticale localisees.
TWI256694B (en) * 2004-11-19 2006-06-11 Ind Tech Res Inst Structure with embedded active components and manufacturing method thereof
US20090008792A1 (en) * 2004-11-19 2009-01-08 Industrial Technology Research Institute Three-dimensional chip-stack package and active component on a substrate
DE102005000655A1 (de) * 2005-01-04 2006-07-13 Robert Bosch Gmbh Bilderfassungseinrichtung
US7300824B2 (en) * 2005-08-18 2007-11-27 James Sheats Method of packaging and interconnection of integrated circuits
JP2009512485A (ja) * 2005-10-19 2009-03-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 径方向アプリケーションに対する2次元超音波トランスデューサ及び方法
CN101305456B (zh) * 2005-11-11 2011-01-12 皇家飞利浦电子股份有限公司 制造多个半导体器件和载体衬底的方法
CN100592513C (zh) * 2005-11-11 2010-02-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 芯片组件和制造芯片组件的方法
WO2007058096A1 (ja) 2005-11-18 2007-05-24 Nec Corporation 実装基板および電子機器
US7759167B2 (en) * 2005-11-23 2010-07-20 Imec Method for embedding dies
TWI324800B (en) * 2005-12-28 2010-05-11 Sanyo Electric Co Method for manufacturing semiconductor device
US7551448B2 (en) * 2006-01-31 2009-06-23 Cryovac, Inc. Electronic device having improved electrical connection
US8835941B2 (en) * 2006-02-09 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same
ATE471572T1 (de) * 2006-04-07 2010-07-15 Koninkl Philips Electronics Nv Elastisch verformbare integrierte schaltung
JP4897882B2 (ja) * 2006-07-05 2012-03-14 アリゾナ ボード オブ リージェンツ ア ボディー コーポレート アクティング オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 硬質担体を基板に暫定的に取り付ける方法
US7445959B2 (en) * 2006-08-25 2008-11-04 Infineon Technologies Ag Sensor module and method of manufacturing same
JP2010508620A (ja) * 2006-09-12 2010-03-18 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 所定のパターンを表示するために有用なエレクトロルミネセントディスプレイ
WO2008047619A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Nec Corporation Dispositif à substrats de circuit et dispositif à module de substrats de circuit
JP4292424B2 (ja) * 2006-11-15 2009-07-08 セイコーエプソン株式会社 配線基板およびその製造方法、並びに電子機器
WO2009099425A2 (en) 2008-02-07 2009-08-13 Qd Vision, Inc. Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods
KR101071325B1 (ko) * 2008-08-05 2011-10-07 재단법인서울대학교산학협력재단 정렬된 나노구조물을 구비한 회로 기판 및 그 제조 방법
US8178787B2 (en) 2008-08-26 2012-05-15 Snu R&Db Foundation Circuit board including aligned nanostructures
US8247699B2 (en) * 2008-09-30 2012-08-21 Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. Flex circuit assembly with a dummy trace between two signal traces
TWI505410B (zh) * 2008-12-30 2015-10-21 Ind Tech Res Inst 應用於軟性電子元件之基板結構及其製造方法
US20100177076A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 Metrologic Instruments, Inc. Edge-lit electronic-ink display device for use in indoor and outdoor environments
US8234507B2 (en) 2009-01-13 2012-07-31 Metrologic Instruments, Inc. Electronic-ink display device employing a power switching mechanism automatically responsive to predefined states of device configuration
US20100177750A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 Metrologic Instruments, Inc. Wireless Diplay sensor communication network
US20100177080A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-15 Metrologic Instruments, Inc. Electronic-ink signage device employing thermal packaging for outdoor weather applications
US8457013B2 (en) 2009-01-13 2013-06-04 Metrologic Instruments, Inc. Wireless dual-function network device dynamically switching and reconfiguring from a wireless network router state of operation into a wireless network coordinator state of operation in a wireless communication network
TWI419091B (zh) * 2009-02-10 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US8258810B2 (en) 2010-09-30 2012-09-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US20110031997A1 (en) * 2009-04-14 2011-02-10 NuPGA Corporation Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8405420B2 (en) * 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US7986042B2 (en) 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8754533B2 (en) * 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8395191B2 (en) * 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8384426B2 (en) 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9711407B2 (en) * 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US8362482B2 (en) * 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
TWI390280B (zh) * 2009-05-27 2013-03-21 Au Optronics Corp 觸控面板顯示器與觸控顯示裝置
US9496227B2 (en) 2009-07-15 2016-11-15 Qualcomm Incorporated Semiconductor-on-insulator with back side support layer
US9390974B2 (en) 2012-12-21 2016-07-12 Qualcomm Incorporated Back-to-back stacked integrated circuit assembly and method of making
EP2937898A1 (en) 2009-07-15 2015-10-28 Silanna Semiconductor U.S.A., Inc. Semiconductor-on-insulator with backside heat dissipation
US9466719B2 (en) 2009-07-15 2016-10-11 Qualcomm Incorporated Semiconductor-on-insulator with back side strain topology
US8921168B2 (en) 2009-07-15 2014-12-30 Silanna Semiconductor U.S.A., Inc. Thin integrated circuit chip-on-board assembly and method of making
US8294159B2 (en) 2009-10-12 2012-10-23 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8691663B2 (en) * 2009-11-06 2014-04-08 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods of manipulating stressed epistructures
JP5717961B2 (ja) * 2009-12-24 2015-05-13 日本メクトロン株式会社 フレキシブル回路基板の製造方法
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8298875B1 (en) 2011-03-06 2012-10-30 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
DE102010016780B4 (de) 2010-05-04 2021-08-12 Cicor Management AG Verfahren zur Herstellung einer flexiblen Schaltungsanordnung
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9082881B1 (en) 2010-10-04 2015-07-14 American Semiconductor, Inc. Semiconductor on polymer substrate
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US8283215B2 (en) 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
JP6029262B2 (ja) * 2011-04-26 2016-11-24 日本メクトロン株式会社 フレキシブル回路体
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US20130229776A1 (en) * 2011-12-23 2013-09-05 Wisconsin Alumni Research Foundation High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits
US8736048B2 (en) * 2012-02-16 2014-05-27 International Business Machines Corporation Flexible heat sink with lateral compliance
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
WO2014092248A1 (ko) * 2012-12-12 2014-06-19 하나마이크론(주) 유연 집적 회로 소자 패키지들을 구비하는 메모리 카드 시스템들 및 메모리 카드 시스템들의 제조 방법들
JP6083225B2 (ja) * 2012-12-13 2017-02-22 ソニー株式会社 カード、情報処理装置および情報処理プログラム
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9733428B2 (en) * 2013-02-04 2017-08-15 American Semiconductor, Inc. Flexible 3-D photonic device
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
JP6125317B2 (ja) * 2013-05-09 2017-05-10 東京応化工業株式会社 モールド材の処理方法及び構造体の製造方法
KR102033787B1 (ko) * 2013-06-05 2019-10-17 에스케이하이닉스 주식회사 플렉시블 적층 패키지
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
EP3085082B1 (en) 2013-12-17 2020-04-29 Marsupial Holdings Inc. Integrated microoptic imager, processor, and display
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
FR3019374A1 (fr) 2014-03-28 2015-10-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation et de transfert de couches
US20150342069A1 (en) * 2014-05-20 2015-11-26 Freescale Semiconductor, Inc. Housing for electronic devices
KR102222484B1 (ko) 2014-05-27 2021-03-04 에스케이하이닉스 주식회사 윙부를 가지는 플렉시블 적층 패키지
DE202014103821U1 (de) * 2014-07-09 2014-09-09 Carmen Diegel Flexible elektrische Leiterstruktur
US9515181B2 (en) 2014-08-06 2016-12-06 Qualcomm Incorporated Semiconductor device with self-aligned back side features
US10297572B2 (en) * 2014-10-06 2019-05-21 Mc10, Inc. Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits
CN104393014B (zh) * 2014-10-22 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、柔性显示面板和显示装置
CN104536170B (zh) * 2015-01-04 2017-03-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 去除集成电路的方法及装置
US10062838B2 (en) * 2015-03-31 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Co-fired passive integrated circuit devices
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
US10515981B2 (en) 2015-09-21 2019-12-24 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with memory
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US12016181B2 (en) 2015-10-24 2024-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
KR20170060372A (ko) * 2015-11-24 2017-06-01 에스케이하이닉스 주식회사 휘어진 칩을 이용한 플렉서블 패키지
EP3206229B1 (en) 2016-02-09 2020-10-07 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Methods of manufacturing flexible electronic devices
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US10083911B2 (en) * 2017-02-08 2018-09-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
CN106920779B (zh) 2017-03-09 2019-09-06 三星半导体(中国)研究开发有限公司 柔性半导体封装件的组合结构及其运输方法
KR102538704B1 (ko) * 2018-12-04 2023-06-01 에스케이하이닉스 주식회사 플렉시블 브리지 다이를 포함한 스택 패키지
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
KR102674087B1 (ko) * 2019-09-06 2024-06-12 에스케이하이닉스 주식회사 전자기간섭 차폐층을 포함하는 반도체 패키지
KR20220030415A (ko) * 2020-08-31 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법
US11416081B1 (en) * 2021-09-08 2022-08-16 Tactotek Oy Integral 3D structure for creating UI, related device and methods of manufacture and use

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381095A (ja) * 1986-09-25 1988-04-11 株式会社リコー Icチツプの実装方法
JPH02154232A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 Nec Corp 液晶表示基板とその製造方法
JPH0387299A (ja) * 1989-08-31 1991-04-12 Sharp Corp Icカード
JPH06504139A (ja) * 1990-12-31 1994-05-12 コピン・コーポレーシヨン 表示パネル用の単結晶シリコン配列素子
JPH0799267A (ja) * 1993-08-04 1995-04-11 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH07202147A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Canon Inc 半導体装置
JPH08111360A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6703014A (ja) * 1967-02-25 1968-08-26
US4313995A (en) * 1976-11-08 1982-02-02 Fortin Laminating Corporation Circuit board and method for producing same
US4219596A (en) * 1977-11-07 1980-08-26 Avery International Corporation Matrix free thin labels
EP0015100B1 (en) * 1979-02-26 1983-08-17 National Research Development Corporation Method of incorporating a distributed microwave circuit element in a microwave integrated circuit
DE3036260A1 (de) * 1980-09-26 1982-04-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von elektrischen kontakten an einer silizium-solarzelle
US4980016A (en) * 1985-08-07 1990-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing electric circuit board
JPH0679878B2 (ja) * 1985-09-24 1994-10-12 カシオ計算機株式会社 Icカ−ド
EP0243507B1 (en) * 1985-10-31 1992-03-11 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Flexible laminate for printed circuit board and process for its production
JPH06101616B2 (ja) * 1986-02-21 1994-12-12 名幸電子工業株式会社 導体回路板の製造方法
FR2599893B1 (fr) * 1986-05-23 1996-08-02 Ricoh Kk Procede de montage d'un module electronique sur un substrat et carte a circuit integre
US4918811A (en) * 1986-09-26 1990-04-24 General Electric Company Multichip integrated circuit packaging method
JP2642663B2 (ja) * 1988-03-10 1997-08-20 ヤマハ発動機株式会社 めっき型熱電対
US4847146A (en) * 1988-03-21 1989-07-11 Hughes Aircraft Company Process for fabricating compliant layer board with selectively isolated solder pads
US5354695A (en) * 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
US4924589A (en) * 1988-05-16 1990-05-15 Leedy Glenn J Method of making and testing an integrated circuit
US5103557A (en) * 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5095401A (en) * 1989-01-13 1992-03-10 Kopin Corporation SOI diaphragm sensor
US5017255A (en) * 1989-01-23 1991-05-21 Clyde D. Calhoun Method of transferring an inorganic image
US4980034A (en) * 1989-04-04 1990-12-25 Massachusetts Institute Of Technology High-density, multi-level interconnects, flex circuits, and tape for TAB
US5155068A (en) * 1989-08-31 1992-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing an IC module for an IC card whereby an IC device and surrounding encapsulant are thinned by material removal
US6067062A (en) * 1990-09-05 2000-05-23 Seiko Instruments Inc. Light valve device
US5347154A (en) * 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
US5256562A (en) * 1990-12-31 1993-10-26 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5376561A (en) * 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
JPH04240762A (ja) * 1991-01-24 1992-08-28 Seiko Instr Inc 積層型半導体装置の製造方法
JP2794960B2 (ja) * 1991-02-19 1998-09-10 松下電器産業株式会社 焼結導体配線基板とその製造方法
KR970001735B1 (en) * 1991-04-05 1997-02-14 Sharp Kk A liquid crystal display device and a liquid crystal display system using the liquid crystal display device
US5276590A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 International Business Machines Corporation Flex circuit electronic cards
FR2684801B1 (fr) * 1991-12-06 1997-01-24 Picogiga Sa Procede de realisation de composants semiconducteurs, notamment sur gaas ou inp, avec recuperation du substrat par voie chimique.
US5420055A (en) * 1992-01-22 1995-05-30 Kopin Corporation Reduction of parasitic effects in floating body MOSFETs
DK0725939T3 (da) * 1992-03-13 1999-11-15 Kopin Corp Skærmsystem til anbringelse på hovedet
JP2821830B2 (ja) * 1992-05-14 1998-11-05 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体薄膜素子その応用装置および半導体薄膜素子の製造方法
US5375041A (en) * 1992-12-02 1994-12-20 Intel Corporation Ra-tab array bump tab tape based I.C. package
US5689136A (en) * 1993-08-04 1997-11-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and fabrication method
US5310451A (en) * 1993-08-19 1994-05-10 International Business Machines Corporation Method of forming an ultra-uniform silicon-on-insulator layer
US5399231A (en) * 1993-10-18 1995-03-21 Regents Of The University Of California Method of forming crystalline silicon devices on glass
US5395481A (en) * 1993-10-18 1995-03-07 Regents Of The University Of California Method for forming silicon on a glass substrate
US5414276A (en) * 1993-10-18 1995-05-09 The Regents Of The University Of California Transistors using crystalline silicon devices on glass
US5488012A (en) * 1993-10-18 1996-01-30 The Regents Of The University Of California Silicon on insulator with active buried regions
US5373627A (en) * 1993-11-23 1994-12-20 Grebe; Kurt R. Method of forming multi-chip module with high density interconnections
US5391257A (en) * 1993-12-10 1995-02-21 Rockwell International Corporation Method of transferring a thin film to an alternate substrate
US5663075A (en) * 1994-07-14 1997-09-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating backside illuminated FET optical receiver with gallium arsenide species
DE4433833A1 (de) * 1994-09-22 1996-03-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen integrierten Schaltung unter Erreichung hoher Systemausbeuten
US5527741A (en) * 1994-10-11 1996-06-18 Martin Marietta Corporation Fabrication and structures of circuit modules with flexible interconnect layers
WO1996036072A2 (en) * 1995-05-10 1996-11-14 Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a device, by which method a substrate with semiconductor element and conductor tracks is glued to a support body with metallization
US5674758A (en) * 1995-06-06 1997-10-07 Regents Of The University Of California Silicon on insulator achieved using electrochemical etching
US5656552A (en) * 1996-06-24 1997-08-12 Hudak; John James Method of making a thin conformal high-yielding multi-chip module

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381095A (ja) * 1986-09-25 1988-04-11 株式会社リコー Icチツプの実装方法
JPH02154232A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 Nec Corp 液晶表示基板とその製造方法
JPH0387299A (ja) * 1989-08-31 1991-04-12 Sharp Corp Icカード
JPH06504139A (ja) * 1990-12-31 1994-05-12 コピン・コーポレーシヨン 表示パネル用の単結晶シリコン配列素子
JPH0799267A (ja) * 1993-08-04 1995-04-11 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH07202147A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Canon Inc 半導体装置
JPH08111360A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7652359B2 (en) 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
US8268702B2 (en) 2002-12-27 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking-account system using the IC card
JP2005100380A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Icカード
KR101486201B1 (ko) 2012-12-12 2015-01-26 하나 마이크론(주) 유연 집적회로 소자 및 이의 제조 방법
KR20150134759A (ko) * 2014-05-23 2015-12-02 하나 마이크론(주) 집적회로 소자 패키지, 이를 포함하는 와이어 본딩 타입의 집적회로 소자 패키지 및 플립 본딩 타입의 집적회로 소자 패키지
KR101634765B1 (ko) 2014-05-23 2016-06-28 하나 마이크론(주) 집적회로 소자 패키지, 이를 포함하는 와이어 본딩 타입의 집적회로 소자 패키지 및 플립 본딩 타입의 집적회로 소자 패키지
JP2018503547A (ja) * 2014-12-29 2018-02-08 タクトテク オーユー 電子回路を収容するための多層構造および関連する製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6027958A (en) 2000-02-22
EP0958607A1 (en) 1999-11-24
WO1998002921A1 (en) 1998-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000514937A (ja) 転送された可撓性集積回路
US7939831B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100332285B1 (ko) 반도체장치 및 제조방법
US8218105B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device
US9324676B2 (en) Packaged microelectronic devices and methods for manufacturing packaged microelectronic devices
US5986341A (en) Semiconductor device
US20050236623A1 (en) Semiconductor device
US7015559B2 (en) Method and system for electrically coupling a chip to chip package
KR20040060781A (ko) 반도체 장치 및 그의 제작방법
JP3878288B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20060252230A1 (en) Method of fabricating wafer level package
JP2970411B2 (ja) 半導体装置
CN100448104C (zh) 堆叠芯片柔性组件
US10438895B1 (en) Flexible micro-module
US20040124486A1 (en) Image sensor adapted for reduced component chip scale packaging
CN1849036B (zh) 薄型电路板及薄型电路板的制造方法
JP4731809B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP4059072B2 (ja) バンプ構造、半導体チップ、半導体チップの実装方法、電子デバイスおよび電子機器
JP5245029B2 (ja) 半導体装置
JP3350405B2 (ja) 半導体装置
CN113496961A (zh) 指纹识别芯片封装结构及其制作方法
CN115172180A (zh) 水平辐射方向的天线封装结构及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040510

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060912

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060915

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060915

A313 Final decision of rejection without a dissenting response from the applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A313

Effective date: 20070205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070306