JP2000219965A - スパッタ装置用磁気回路 - Google Patents
スパッタ装置用磁気回路Info
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- JP2000219965A JP2000219965A JP11024665A JP2466599A JP2000219965A JP 2000219965 A JP2000219965 A JP 2000219965A JP 11024665 A JP11024665 A JP 11024665A JP 2466599 A JP2466599 A JP 2466599A JP 2000219965 A JP2000219965 A JP 2000219965A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の磁気回路を改良して、ターゲット表面
における磁場の高さを飛躍的に向上させたマグネトロン
スパッタ装置用磁気回路を提供する。 【解決手段】 ターゲット裏面に配置した磁石の磁気回
路によってターゲット表面から、磁力線が弧状を描く漏
れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路
において、内側磁石１と、これと逆向きの磁化方向を有
し内側磁石１を取囲む外側磁石２と、内側磁石１と外側
磁石２との間に配置され、これら両磁石の磁化方向と直
交する方向に磁化された水平磁石６と、これらの磁石を
挟んでターゲット４と対向して配設されたヨーク３とか
ら構成され、該水平磁石６として保磁力ｉＨｃが残留磁
化Ｂｒより高い永久磁石を用いるかまたは該水平磁石６
を水平に分割してターゲット側部分のみに保磁力ｉＨｃ
が残留磁化Ｂｒより高い永久磁石を用いる。
における磁場の高さを飛躍的に向上させたマグネトロン
スパッタ装置用磁気回路を提供する。 【解決手段】 ターゲット裏面に配置した磁石の磁気回
路によってターゲット表面から、磁力線が弧状を描く漏
れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路
において、内側磁石１と、これと逆向きの磁化方向を有
し内側磁石１を取囲む外側磁石２と、内側磁石１と外側
磁石２との間に配置され、これら両磁石の磁化方向と直
交する方向に磁化された水平磁石６と、これらの磁石を
挟んでターゲット４と対向して配設されたヨーク３とか
ら構成され、該水平磁石６として保磁力ｉＨｃが残留磁
化Ｂｒより高い永久磁石を用いるかまたは該水平磁石６
を水平に分割してターゲット側部分のみに保磁力ｉＨｃ
が残留磁化Ｂｒより高い永久磁石を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の配線層の
形成などに用いられるマグネトロンスパッタ装置のター
ゲット磁場印加用磁気回路に関する。
形成などに用いられるマグネトロンスパッタ装置のター
ゲット磁場印加用磁気回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マグネトロンスパッタ装置用磁気
回路は、一例を挙げると図５のように形成されている。
内側磁石１は、ターゲット側をＮ極またはＳ極として垂
直方向に着磁された円柱型永久磁石である。この内側磁
石１を取り囲むように外側磁石２が配置されている。外
側磁石２は、内側磁石１と逆向きの磁化方向を有するリ
ング型永久磁石である。さらに、内側磁石１、外側磁石
２を挟んでヨーク（継鉄）３とターゲット４が対向して
配設され、磁気回路が形成される。ヨーク３は、内側磁
石１と外側磁石２の磁束を通すことで磁気回路の効率を
高め、表面磁場の強さを高めている。なお、図において
白ぬき矢印は磁化の方向を示し、黒矢印は磁束の流れ方
向を示している。
回路は、一例を挙げると図５のように形成されている。
内側磁石１は、ターゲット側をＮ極またはＳ極として垂
直方向に着磁された円柱型永久磁石である。この内側磁
石１を取り囲むように外側磁石２が配置されている。外
側磁石２は、内側磁石１と逆向きの磁化方向を有するリ
ング型永久磁石である。さらに、内側磁石１、外側磁石
２を挟んでヨーク（継鉄）３とターゲット４が対向して
配設され、磁気回路が形成される。ヨーク３は、内側磁
石１と外側磁石２の磁束を通すことで磁気回路の効率を
高め、表面磁場の強さを高めている。なお、図において
白ぬき矢印は磁化の方向を示し、黒矢印は磁束の流れ方
向を示している。
【０００３】このような構成からなる磁気回路をターゲ
ット４の裏面に配置することにより、ターゲット表面か
ら磁力線が弧を描いて漏れ磁場、すなわち表面磁場５を
発生する。実用に際しては、この表面磁場に加えて、磁
場と直交する向きに電場を与えることにより、ターゲッ
ト上方で発生したプラズマ中の電子は、サイクロイド運
動を行い表面磁場の中に閉じ込められる。その結果、電
子はアルゴンイオンの発生を増進させ、プラズマ密度が
高まりスパッタ効率が上がる。
ット４の裏面に配置することにより、ターゲット表面か
ら磁力線が弧を描いて漏れ磁場、すなわち表面磁場５を
発生する。実用に際しては、この表面磁場に加えて、磁
場と直交する向きに電場を与えることにより、ターゲッ
ト上方で発生したプラズマ中の電子は、サイクロイド運
動を行い表面磁場の中に閉じ込められる。その結果、電
子はアルゴンイオンの発生を増進させ、プラズマ密度が
高まりスパッタ効率が上がる。
【０００４】しかしながら、近年ますます半導体製品の
高密度化は進み、さらなる配線の微細化が求められてい
る。このような状況のなかで、スパッタ装置の成膜性能
をなお一層向上させる必要がある。これに対する一つの
方法は、成膜する基板とターゲット間の距離を伸ばして
ターゲット粒子の指向性を高めることである。指向性を
高められたスパッタ粒子が基板に対してより垂直に進入
することができ、基板上の微細な溝にも十分な成膜が行
なえる。ターゲット粒子の指向性を高めるためにはター
ゲット粒子同士または他の浮遊粒子との衝突頻度を下げ
る必要があり、このためにスパッタ装置内の雰囲気圧を
より低圧にする必要がある。しかし、雰囲気圧を下げる
とプラズマ密度が低下して放電が不安定になる。そこ
で、ターゲット表面の磁場をより高くすることによりプ
ラズマ密度を上げることが考えられる。また、ターゲッ
ト表面の磁場を高くすることは、ターゲット厚を大きく
することができターゲットの長寿命化が図れる。
高密度化は進み、さらなる配線の微細化が求められてい
る。このような状況のなかで、スパッタ装置の成膜性能
をなお一層向上させる必要がある。これに対する一つの
方法は、成膜する基板とターゲット間の距離を伸ばして
ターゲット粒子の指向性を高めることである。指向性を
高められたスパッタ粒子が基板に対してより垂直に進入
することができ、基板上の微細な溝にも十分な成膜が行
なえる。ターゲット粒子の指向性を高めるためにはター
ゲット粒子同士または他の浮遊粒子との衝突頻度を下げ
る必要があり、このためにスパッタ装置内の雰囲気圧を
より低圧にする必要がある。しかし、雰囲気圧を下げる
とプラズマ密度が低下して放電が不安定になる。そこ
で、ターゲット表面の磁場をより高くすることによりプ
ラズマ密度を上げることが考えられる。また、ターゲッ
ト表面の磁場を高くすることは、ターゲット厚を大きく
することができターゲットの長寿命化が図れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、配線
のより一層の微細化の要求に応えるには、さらに指向性
を高めたスパッタ装置が必要であり、そのためには発生
磁場がより高い磁気回路が必要である。本発明は、従来
の磁気回路を改良して、ターゲット表面における磁場の
高さを飛躍的に向上させたマグネトロンスパッタ装置用
磁気回路を提供するものである。
のより一層の微細化の要求に応えるには、さらに指向性
を高めたスパッタ装置が必要であり、そのためには発生
磁場がより高い磁気回路が必要である。本発明は、従来
の磁気回路を改良して、ターゲット表面における磁場の
高さを飛躍的に向上させたマグネトロンスパッタ装置用
磁気回路を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のマグネトロンス
パッタ装置用磁気回路は、ターゲット裏面に配置した磁
石の磁気回路によってターゲット表面から、磁力線が弧
状を描く漏れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置
用磁気回路において、内側磁石と、これと逆向きの磁化
方向を有し内側磁石を取囲む外側磁石と、内側磁石と外
側磁石との間に配置され、これら両磁石の磁化方向と直
交する方向に磁化された水平磁石と、これらの磁石を挟
んでターゲットと対向して配設されたヨークとから構成
され、該水平磁石として保磁力ｉＨｃが残留磁化Ｂｒよ
り高い永久磁石を用いるかまたは該水平磁石を水平に分
割してターゲット側部分のみに保磁力ｉＨｃが残留磁化
Ｂｒより高い永久磁石を用いることを特徴としている。
また、磁石とヨークに、冷媒を流すための貫通孔を設け
て磁石を冷却することもできる。貫通孔の数は１に限定
されず、必要に応じ適宜設定すればよく、また、内側磁
石、外側磁石、水平磁石のいずれに設けてもよい。
パッタ装置用磁気回路は、ターゲット裏面に配置した磁
石の磁気回路によってターゲット表面から、磁力線が弧
状を描く漏れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置
用磁気回路において、内側磁石と、これと逆向きの磁化
方向を有し内側磁石を取囲む外側磁石と、内側磁石と外
側磁石との間に配置され、これら両磁石の磁化方向と直
交する方向に磁化された水平磁石と、これらの磁石を挟
んでターゲットと対向して配設されたヨークとから構成
され、該水平磁石として保磁力ｉＨｃが残留磁化Ｂｒよ
り高い永久磁石を用いるかまたは該水平磁石を水平に分
割してターゲット側部分のみに保磁力ｉＨｃが残留磁化
Ｂｒより高い永久磁石を用いることを特徴としている。
また、磁石とヨークに、冷媒を流すための貫通孔を設け
て磁石を冷却することもできる。貫通孔の数は１に限定
されず、必要に応じ適宜設定すればよく、また、内側磁
石、外側磁石、水平磁石のいずれに設けてもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のスパッタ装置用磁
気回路について詳細に説明する。図１に本発明の磁気回
路の一例を示す。本発明のスパッタ装置用磁気回路は、
磁化方向が互いに逆向きで垂直方向に着磁された円柱形
状を有する内側磁石１とリング形状を有する外側磁石２
との間の空間に、これら両磁石の磁化方向に対して垂直
な水平方向に磁化されたリング形状を有する水平磁石６
を配置し、さらに強磁性（鉄系材料）のヨーク３を配置
して構成され、ターゲット４表面から表面磁場５を発生
する。この水平磁石６からの磁束は表面磁場５と同じ向
きであり、このため水平磁石６が無い場合に比べて、表
面磁場５の強さは高くなる。
気回路について詳細に説明する。図１に本発明の磁気回
路の一例を示す。本発明のスパッタ装置用磁気回路は、
磁化方向が互いに逆向きで垂直方向に着磁された円柱形
状を有する内側磁石１とリング形状を有する外側磁石２
との間の空間に、これら両磁石の磁化方向に対して垂直
な水平方向に磁化されたリング形状を有する水平磁石６
を配置し、さらに強磁性（鉄系材料）のヨーク３を配置
して構成され、ターゲット４表面から表面磁場５を発生
する。この水平磁石６からの磁束は表面磁場５と同じ向
きであり、このため水平磁石６が無い場合に比べて、表
面磁場５の強さは高くなる。
【０００８】内側磁石１、外側磁石２には、他の永久磁
石に比べて残留磁化の高い希土類永久磁石を用いるのが
望ましく、中でもより残留磁化の高い種類の希土類永久
磁石を用いれば、表面磁場をより高くすることができ
る。しかし、水平磁石６には、内側磁石１と外側磁石２
から強い逆磁場７が作用しており、保磁力の小さい磁石
を用いると逆磁場の作用によって不可逆減磁を起こす可
能性がある。これを防ぐためには、保磁力ｉＨｃの値が
残留磁化Ｂｒの値よりも大きい高保磁力タイプの永久磁
石を水平磁石として用いるとよい。つまり、水平磁石に
用いる永久磁石の保磁力ｉＨｃの値及び残留磁化Ｂｒの
値がｉＨｃ：Ａ（Ｏｅ）、Ｂｒ：Ｂ（Ｇ）において、Ａ
＞Ｂとなるように設定することが重要である。
石に比べて残留磁化の高い希土類永久磁石を用いるのが
望ましく、中でもより残留磁化の高い種類の希土類永久
磁石を用いれば、表面磁場をより高くすることができ
る。しかし、水平磁石６には、内側磁石１と外側磁石２
から強い逆磁場７が作用しており、保磁力の小さい磁石
を用いると逆磁場の作用によって不可逆減磁を起こす可
能性がある。これを防ぐためには、保磁力ｉＨｃの値が
残留磁化Ｂｒの値よりも大きい高保磁力タイプの永久磁
石を水平磁石として用いるとよい。つまり、水平磁石に
用いる永久磁石の保磁力ｉＨｃの値及び残留磁化Ｂｒの
値がｉＨｃ：Ａ（Ｏｅ）、Ｂｒ：Ｂ（Ｇ）において、Ａ
＞Ｂとなるように設定することが重要である。
【０００９】例えば、磁気回路の寸法にもよるが、逆磁
場は高いところで約１０ｋＧ以上に達しており、このよ
うな場所では保磁力ｉＨｃが１１ｋＯｅ以上であること
が望ましい。このため水平磁石には、保磁力ｉＨｃの値
が残留磁化Ｂｒの値よりも大きい高保磁力タイプの磁石
を用いるとよい。磁石の保磁力と残留磁化の間にはトレ
ードオフの関係があり、水平磁石には残留磁化を下げて
でも高保磁力タイプの磁石を用いる必要がある。強い逆
磁場が作用しない内側磁石１、外側磁石２には、保磁力
が小さく残留磁化の高い磁石を用いればよい。
場は高いところで約１０ｋＧ以上に達しており、このよ
うな場所では保磁力ｉＨｃが１１ｋＯｅ以上であること
が望ましい。このため水平磁石には、保磁力ｉＨｃの値
が残留磁化Ｂｒの値よりも大きい高保磁力タイプの磁石
を用いるとよい。磁石の保磁力と残留磁化の間にはトレ
ードオフの関係があり、水平磁石には残留磁化を下げて
でも高保磁力タイプの磁石を用いる必要がある。強い逆
磁場が作用しない内側磁石１、外側磁石２には、保磁力
が小さく残留磁化の高い磁石を用いればよい。
【００１０】水平磁石６に作用する逆磁場７は、主に水
平磁石６のターゲット４側よりの部分に作用しているた
め、このターゲット４側よりの部分のみを保磁力の高い
磁石に置き換える方法も考えられる。つまり、図２に示
す様に、水平磁石６を水平に２分割して、逆磁場が強く
作用する部分６ａに高保磁力タイプの磁石を、他方の部
分６ｂには残留磁化の高い磁石を用いれば、図１の例の
ように水平磁石６を一体物とする場合に比べて、さらに
表面磁場の強さを高くすることができる。磁石６ａと６
ｂの体積比を必ずしも１：１とする必要はなく、内側磁
石１や外側磁石２の寸法で決まる逆磁場７の分布を考慮
して、不可逆減磁を起こす恐れのある部分のみに高保磁
力タイプの磁石を用いればよい。
平磁石６のターゲット４側よりの部分に作用しているた
め、このターゲット４側よりの部分のみを保磁力の高い
磁石に置き換える方法も考えられる。つまり、図２に示
す様に、水平磁石６を水平に２分割して、逆磁場が強く
作用する部分６ａに高保磁力タイプの磁石を、他方の部
分６ｂには残留磁化の高い磁石を用いれば、図１の例の
ように水平磁石６を一体物とする場合に比べて、さらに
表面磁場の強さを高くすることができる。磁石６ａと６
ｂの体積比を必ずしも１：１とする必要はなく、内側磁
石１や外側磁石２の寸法で決まる逆磁場７の分布を考慮
して、不可逆減磁を起こす恐れのある部分のみに高保磁
力タイプの磁石を用いればよい。
【００１１】スパッタ中のターゲット４はかなりの高温
になるが、磁石は熱に弱いため、ターゲット４近傍に配
置する磁気回路には冷却が望ましい。この磁気回路の冷
却に冷却水等の冷媒を用いる場合、磁気回路内に１つも
しくは複数の貫通孔を設け、この貫通孔に冷媒を流して
やることにより冷却効率を上げることができる。例え
ば、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、２つの冷媒用貫通
孔８が磁石６ａ、６ｂとヨーク３を貫通して設け、冷媒
９を供給している。なお、図２（ｂ）は同図（ａ）の矢
視線Ａの方向から見た平面図である。この貫通孔８にヨ
ーク側からターゲット側に向けて冷媒９を通すことによ
り、磁気回路を内部から効率的に冷却することができ
る。ただし、希土類Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石は、材質的に錆
びやすいため十分な防錆コーティングが必要である。
になるが、磁石は熱に弱いため、ターゲット４近傍に配
置する磁気回路には冷却が望ましい。この磁気回路の冷
却に冷却水等の冷媒を用いる場合、磁気回路内に１つも
しくは複数の貫通孔を設け、この貫通孔に冷媒を流して
やることにより冷却効率を上げることができる。例え
ば、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、２つの冷媒用貫通
孔８が磁石６ａ、６ｂとヨーク３を貫通して設け、冷媒
９を供給している。なお、図２（ｂ）は同図（ａ）の矢
視線Ａの方向から見た平面図である。この貫通孔８にヨ
ーク側からターゲット側に向けて冷媒９を通すことによ
り、磁気回路を内部から効率的に冷却することができ
る。ただし、希土類Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石は、材質的に錆
びやすいため十分な防錆コーティングが必要である。
【００１２】このように、従来の磁気回路では空間とな
っていた部分に水平磁石を配置し、さらに、この水平磁
石を分割してターゲット側磁石に保磁力ｉＨｃの値が残
留磁化Ｂｒの値よりも高い高保磁力タイプの磁石を用い
ることで、ターゲット表面磁場の強さを飛躍的に向上さ
せることができた。
っていた部分に水平磁石を配置し、さらに、この水平磁
石を分割してターゲット側磁石に保磁力ｉＨｃの値が残
留磁化Ｂｒの値よりも高い高保磁力タイプの磁石を用い
ることで、ターゲット表面磁場の強さを飛躍的に向上さ
せることができた。
【００１３】
【実施例】（実施例１）本発明の実施例を図３を用いて
説明する。使用した磁石はＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石で
あり、ターゲット側水平磁石６ａには高保磁力タイプの
Ｎ４２Ｈ（残留磁化Ｂｒ＝１２．９ｋＧ、保磁力ｉＨｃ
＝１７．０ｋＯｅ、信越化学工業社製）を、また内側磁
石１、外側磁石２およびヨーク側水平磁石６ｂには高残
留磁化タイプのＮ４８（残留磁化Ｂｒ＝１３．８ｋＧ、
保磁力ｉＨｃ＝１１．５ｋＯｅ、信越化学工業社製）を
用いた。また、ヨーク３の材質はＳＵＳ４３０とした。
説明する。使用した磁石はＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石で
あり、ターゲット側水平磁石６ａには高保磁力タイプの
Ｎ４２Ｈ（残留磁化Ｂｒ＝１２．９ｋＧ、保磁力ｉＨｃ
＝１７．０ｋＯｅ、信越化学工業社製）を、また内側磁
石１、外側磁石２およびヨーク側水平磁石６ｂには高残
留磁化タイプのＮ４８（残留磁化Ｂｒ＝１３．８ｋＧ、
保磁力ｉＨｃ＝１１．５ｋＯｅ、信越化学工業社製）を
用いた。また、ヨーク３の材質はＳＵＳ４３０とした。
【００１４】（比較例１）比較のために、水平磁石がな
い以外は、実施例１と同じ構成からなる磁石を作製し
た。
い以外は、実施例１と同じ構成からなる磁石を作製し
た。
【００１５】これらの実施例、比較例の磁石について、
磁石表面から上方に離れた位置でのターゲット表面と平
行な磁場を測定し、この結果を図４に示した。横軸は磁
石表面から垂直方向への距離ｚであり、縦軸は磁場の水
平（ｒ方向）成分である。なお、実施例１の磁気回路
は、比較例１の従来型の磁気回路とエロージョン領域が
同じ位置になるように、内側磁石、外側磁石および水平
磁石の体積比が調整されている。図４中の実線は、実施
例１の磁気回路の表面磁場分布曲線であり、点線は、比
較例１の磁気回路の表面磁場分布曲線である。図４から
明らかな様に、水平磁場Ｂの値は、従来型の比較例１の
磁気回路に比べて、本発明の実施例１ではｚ＝１１ｍｍ
付近で約１．７倍に上昇している。
磁石表面から上方に離れた位置でのターゲット表面と平
行な磁場を測定し、この結果を図４に示した。横軸は磁
石表面から垂直方向への距離ｚであり、縦軸は磁場の水
平（ｒ方向）成分である。なお、実施例１の磁気回路
は、比較例１の従来型の磁気回路とエロージョン領域が
同じ位置になるように、内側磁石、外側磁石および水平
磁石の体積比が調整されている。図４中の実線は、実施
例１の磁気回路の表面磁場分布曲線であり、点線は、比
較例１の磁気回路の表面磁場分布曲線である。図４から
明らかな様に、水平磁場Ｂの値は、従来型の比較例１の
磁気回路に比べて、本発明の実施例１ではｚ＝１１ｍｍ
付近で約１．７倍に上昇している。
【００１６】
【発明の効果】上記したように、本発明の磁気回路は、
従来の磁気回路に比べて表面磁場の強さを飛躍的に高め
ることができた。
従来の磁気回路に比べて表面磁場の強さを飛躍的に高め
ることができた。
【図１】 本発明のマグネトロンスパッタ装置用磁気回
路の断面図である。
路の断面図である。
【図２】 本発明のマグネトロンスパッタ装置用磁気回
路の他の例を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の
矢視線Ａの方向から見た平面図である。
路の他の例を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の
矢視線Ａの方向から見た平面図である。
【図３】 本発明のマグネトロンスパッタ装置用磁気回
路の実施例を説明する断面図である。
路の実施例を説明する断面図である。
【図４】 磁気回路から得られる表面磁場の径方向分布
を示す図である。
を示す図である。
【図５】 従来のマグネトロンスパッタ装置用磁気回路
の断面図である。
の断面図である。
【符号の説明】 １． 内側磁石 ２． 外側磁石 ３． ヨーク ４． ターゲット ５． 表面磁場 ６． 水平磁石 ７． 逆磁場 ８． 貫通孔 ９． 冷媒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飛田 輝昭 福井県武生市北府２丁目１番５号 信越化 学工業株式会社磁性材料研究所内 (72)発明者 佐保田 毅 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 近藤 智保 静岡県裾野市須山1220−14 日本真空技術 株式会社富士裾野工場内 Ｆターム(参考） 4K029 BD02 DC40 DC43 4M104 DD39 HH13
Claims (2)
- 【請求項１】 ターゲット裏面に配置した磁石の磁気回
路によってターゲット表面から、磁力線が弧状を描く漏
れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路
において、内側磁石と、これと逆向きの磁化方向を有し
内側磁石を取囲む外側磁石と、内側磁石と外側磁石との
間に配置され、これら両磁石の磁化方向と直交する方向
に磁化された水平磁石と、これらの磁石を挟んでターゲ
ットと対向して配設されたヨークとから構成され、該水
平磁石として保磁力ｉＨｃが残留磁化Ｂｒより高い永久
磁石を用いるかまたは該水平磁石を水平に分割してター
ゲット側部分のみに保磁力ｉＨｃが残留磁化Ｂｒより高
い永久磁石を用いることを特徴とするマグネトロンスパ
ッタ装置用磁気回路。 - 【請求項２】 磁石とヨークに、冷媒を流すための貫通
孔を設ける請求項１に記載のマグネトロンスパッタ装置
用磁気回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024665A JP2000219965A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | スパッタ装置用磁気回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024665A JP2000219965A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | スパッタ装置用磁気回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000219965A true JP2000219965A (ja) | 2000-08-08 |
Family
ID=12144449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11024665A Pending JP2000219965A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | スパッタ装置用磁気回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000219965A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088511A (ja) * | 2006-12-20 | 2007-04-05 | Neomax Co Ltd | 磁気回路の製造方法 |
| WO2007043476A1 (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Tohoku University | マグネトロンスパッタ装置 |
| EP2450937A2 (en) | 2010-11-05 | 2012-05-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Magnetic circuit for sputtering apparatus |
| US8729997B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Dipole-ring magnetic circuit |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11024665A patent/JP2000219965A/ja active Pending
Cited By (8)
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