JP5077752B2 - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
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Description
(1)必要な漏洩磁場と平行な方向の磁化方向をもつ永久磁石を左右対称に配置し、磁気回路を構成するので、磁気回路の磁気抵抗は大幅に低下し、永久磁石の磁束を有効に利用する(効率的に閉じこめに必要な磁場を発生する)ことができる。
(2)不活性ガスを閉じこめる領域を閉じた空間とするために必要な磁束密度成分と平行な方向に磁化方向をもつ永久磁石を使用するので、効率的に閉じこめに必要な磁場を発生することができる。
(3)レーストラック状の磁場を発生させる永久磁石の各磁極面にヨークが接触しており、永久磁石からの漏洩磁束が低減されるので、従来よりも少ない量の永久磁石で所定の磁場強度を得ることができる。
図1に示すマグネトロンスパッタリング装置(以下単にスパッタリング装置という。)は、真空ポンプに連通する真空排気口と不活性ガスを導入するガス導入管(いずれも不図示)を有する真空容器2の内部(中央部)に、磁石ユニット3が設置され、磁石ユニット3の両側に一対のターゲット4a、4bが配置されるとともに、各ターゲットの表面に電界を発生させる電界発生手段5a(5b)が設置されている。また成膜時には、真空容器2の内部には、各ターゲットの表面に対向するように基板6a、6bが配置される。電界発生手段5a(5b)は、ターゲット4a(4b)の裏面に配置されたカソード電極51a(51b)と、基板6a(6b)のターゲット4a(4b)と反対側に配置されたアノード電極52a(52b)と、両電極に電圧を印加する高周波電源53a(53b)を含む。また磁石ユニット3は後述するように、中央ヨークと外周ヨークと永久磁石を組み合わせた磁気回路構造を有し、各ターゲット4a(4b)の表面にレーストラック状のトンネル状磁場を発生するように構成されている。
図2に示すスパッタリング装置は、図1において、真空容器2の内部を一対の遮蔽板21a、21bで仕切り、これらの間に真空部から隔離されたチャンバー20を形成し、そこに磁石ユニット3を配置した構造を有する。この構造によれば、磁石ユニット3が真空室から隔離されるので、磁石ユニット3の耐久性を向上することができる。
図3に示すスパッタリング装置は、図1において、磁石ユニット3をスライド機構7a、7bを介して真空容器1内に支持するとともに、単一の高周波電源53を使用し、この電源にカソード電極51a(51b)とアノード電極52a(52b)を接続した構造を有する。スライド機構7a(7b)は、磁石ユニット3の両端(上端面及び下端面)に固定されたリニアガイド71と真空容器2の内面に固定されたスライドベース72の間に滑り軸受73を介装したものである。このスライド機構7a(7b)を設けることにより、磁石ユニット3をターゲットの表面に沿って移動できるので、磁石ユニットを真空容器1の内部に容易に設置することができる。
図4に示すスパッタリング装置は、図3において、真空容器2の内部を一対の遮蔽板21a、21bで仕切り、これらの間に真空部から隔離されたチャンバー20を形成し、そこに磁石ユニット3を配置した構造である。この構造によれば、スライド機構7a(7b)を設けることにより、磁石ユニット3をターゲットの表面に沿って移動できるので、磁石ユニットを真空容器1の内部に容易に設置することができることに加えて、磁石ユニット3が真空容器から隔離されるので、磁石ユニット3の損傷が防止される。
本発明のスパッタリング装置においては、例えば図5に示す磁石ユニット3を使用することができる。この磁石ユニット3は、ターゲットの裏面側に所定間隔をおいて配置されるもので、強磁性体(鉄鋼材料等)からなり、両端部が円弧状に形成された平板状の中央ヨーク31と、強磁性体(鉄鋼材料等)からなり、このヨークを取り囲むように設置された長円形状の外周ヨーク32を有する。図6も参照すると、直線部(長さLa)には、中央ヨーク31と外周ヨーク32との間に形成された長方形状の空間に、水平方向{ターゲットの表面に平行に磁化された複数のブロック状(直方体状)の直線部用永久磁石33が設置されている。各直線部用永久磁石33は、同極性の磁極、例えばN極が中央ヨーク2に向くように設置されている。
Claims (4)
- 真空容器と、その内部に所定間隔をおいて設置された一対のターゲットと、前記一対のターゲット間に設置されるとともに前記各ターゲットの表面に沿ってトンネル状の漏洩磁場を発生させる磁石ユニットと、前記漏洩磁場と直交する方向に電界を発生させる電界発生手段と、前記漏洩磁場と前記電界により発生したレーストラック状のプラズマにより薄膜が形成される一対の基板とを備え、前記磁石ユニットは、強磁性体からなる平板状の中央ヨークと、前記中央ヨークを取り囲む様に設置された強磁性体からなる長円形状の外周ヨークと、前記中央ヨークと前記外周ヨークとの間に形成された長方形状の空間に設置された複数の直線部用永久磁石と、前記中央ヨークと前記外周ヨークとの間で且つ中央ヨークの両端部側に形成された円弧状空間に設置された複数のコーナー部用永久磁石を有し、前記直線部用永久磁石と前記コーナー部用永久磁石は前記ターゲットの表面に平行に磁化されるとともに前記中央ヨークに同極性の磁極が向くように設置された磁気回路を構成し、前記各ターゲットの表面に対向する前記磁気回路の両面において前記漏洩磁場を発生し、さらに、前記中央ヨークと前記外周ヨークと前記直線部用永久磁石及び前記コーナー部用永久磁石の前記ターゲットの表面に垂直な方向の各厚さは、前記中央ヨーク及び前記外周ヨークが前記直線部用永久磁石及びコーナー部用永久磁石よりも厚く且つ前記コーナー部用永久磁石が前記直線部用永久磁石より薄いとともに、前記直線部用永久磁石及び前記コーナー部用磁石が前記中央ヨーク及び前記外周ヨークから突出しないように設置されていることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記真空容器の内部にそれから隔離されたチャンバーを設置し、前記チャンバーの内部に前記磁石ユニットを収容したことを特徴とする請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記磁石ユニットは、各ターゲットと対向する側の面に非磁性体からなる保護カバーを設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記電界発生手段は、前記各ターゲットを支持するカソード電極と、前記各基板を介して前記カソード電極と対向するアノード電極と、前記各ターゲットに高周波電圧を印加する1個又は2個の電源を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリング装置。
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