JP2002004044A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JP2002004044A JP2002004044A JP2000191381A JP2000191381A JP2002004044A JP 2002004044 A JP2002004044 A JP 2002004044A JP 2000191381 A JP2000191381 A JP 2000191381A JP 2000191381 A JP2000191381 A JP 2000191381A JP 2002004044 A JP2002004044 A JP 2002004044A
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- target
- magnet
- sputtering apparatus
- cylindrical
- cylinder
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲットの利用効率の向上を図ることがで
きるスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 ターゲット31が円筒状であり、ターゲ
ット31の外部に位置する磁石40がターゲット31の
円筒軸と同軸である円筒上に配置される。これにより、
ターゲット31の円筒軸方向と磁石40による磁界方向
とが一致することになるため、ターゲット31近傍にお
ける不活性ガスイオンの密度がほぼ均一となり、ターゲ
ット31表面の局所的な摩耗を防止することができる。
その結果、ターゲット31の利用効率の向上を図ること
ができる。
きるスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 ターゲット31が円筒状であり、ターゲ
ット31の外部に位置する磁石40がターゲット31の
円筒軸と同軸である円筒上に配置される。これにより、
ターゲット31の円筒軸方向と磁石40による磁界方向
とが一致することになるため、ターゲット31近傍にお
ける不活性ガスイオンの密度がほぼ均一となり、ターゲ
ット31表面の局所的な摩耗を防止することができる。
その結果、ターゲット31の利用効率の向上を図ること
ができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ターゲットをスパ
ッタすることにより、半導体や誘電体などの基板上に金
属や誘電体皮膜を付着させるためのスパッタリング装置
に関する。
ッタすることにより、半導体や誘電体などの基板上に金
属や誘電体皮膜を付着させるためのスパッタリング装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】プラズマを用いたスパッタリング装置で
は、ターゲット付近に磁石を配置し、磁界によってプラ
ズマ密度を高めることにより、スパッタ速度を高める方
法が広く用いられている。
は、ターゲット付近に磁石を配置し、磁界によってプラ
ズマ密度を高めることにより、スパッタ速度を高める方
法が広く用いられている。
【0003】図5は、従来のスパッタリング装置の一構
成例を示す図であり、ターゲット付近を示している。
成例を示す図であり、ターゲット付近を示している。
【0004】図5に示すように本従来例においては、不
活性ガス雰囲気中に配置されたターゲット51と、磁石
52と、陽極54とが設けられている。なお、図5にお
いて、磁束線53は磁石52によって作られた磁束線で
ある。
活性ガス雰囲気中に配置されたターゲット51と、磁石
52と、陽極54とが設けられている。なお、図5にお
いて、磁束線53は磁石52によって作られた磁束線で
ある。
【0005】以下に、上記のように構成されたスパッタ
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
【0006】ターゲット51と陽極54との間に電界を
加えると放電が発生し、この放電によって不活性ガス
(例えばアルゴン)がイオン化されてターゲット51の
近傍がプラズマ状態となる。
加えると放電が発生し、この放電によって不活性ガス
(例えばアルゴン)がイオン化されてターゲット51の
近傍がプラズマ状態となる。
【0007】すると、イオン化した不活性ガスイオン
が、ターゲット51と陽極54との間に加えられた電界
によりターゲット51に引き付けられ、ターゲット51
をスパッタし、これにより、基板(不図示)上に薄膜が
形成される。
が、ターゲット51と陽極54との間に加えられた電界
によりターゲット51に引き付けられ、ターゲット51
をスパッタし、これにより、基板(不図示)上に薄膜が
形成される。
【0008】ここで、ターゲット51と陽極54との間
に加えられた電界によってターゲット51の表面から電
子が飛び出すが、この電子は、磁束線53で示した磁界
によりローレンツ力を受け、陽極54には到達せずに図
中のA点で螺旋運動を行う。
に加えられた電界によってターゲット51の表面から電
子が飛び出すが、この電子は、磁束線53で示した磁界
によりローレンツ力を受け、陽極54には到達せずに図
中のA点で螺旋運動を行う。
【0009】このため、A点における不活性ガスイオン
密度が高くなり、B点が集中的にスパッタされることに
なる。
密度が高くなり、B点が集中的にスパッタされることに
なる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、図5
に示したスパッタリング装置においては、A点における
不活性ガスイオン密度が高くなるため、ターゲット51
上のB点のスパッタ速度が最も高くなり、B点が集中的
に摩耗されていく。
に示したスパッタリング装置においては、A点における
不活性ガスイオン密度が高くなるため、ターゲット51
上のB点のスパッタ速度が最も高くなり、B点が集中的
に摩耗されていく。
【0011】ここで、B点の摩耗が十分に進むと、ター
ゲット51上の他の部分が摩耗していなくても、そのタ
ーゲットを使用することが不可能となり、ターゲットの
利用効率が10〜20%程度になってしまうという問題
点がある。
ゲット51上の他の部分が摩耗していなくても、そのタ
ーゲットを使用することが不可能となり、ターゲットの
利用効率が10〜20%程度になってしまうという問題
点がある。
【0012】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、ターゲットの
利用効率の向上を図ることができるスパッタリング装置
を提供することを目的とする。
る問題点に鑑みてなされたものであって、ターゲットの
利用効率の向上を図ることができるスパッタリング装置
を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、不活性ガス雰囲気中に配置されたターゲッ
トと、前記ターゲットの内部に配置された磁石と、前記
ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲットとの間に
電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有し、前記
ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラズマを発
生させて前記ターゲットをスパッタするスパッタリング
装置において、前記ターゲットは、円筒状に形成され、
前記磁石は、前記ターゲットの円筒軸と同軸である円筒
上に配置されたことを特徴とする。
に本発明は、不活性ガス雰囲気中に配置されたターゲッ
トと、前記ターゲットの内部に配置された磁石と、前記
ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲットとの間に
電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有し、前記
ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラズマを発
生させて前記ターゲットをスパッタするスパッタリング
装置において、前記ターゲットは、円筒状に形成され、
前記磁石は、前記ターゲットの円筒軸と同軸である円筒
上に配置されたことを特徴とする。
【0014】また、不活性ガス雰囲気中に配置されたタ
ーゲットと、前記ターゲットの外部に配置された第1の
磁石と、前記ターゲットの内部に配置された第2の磁石
と、前記ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲット
との間に電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有
し、前記ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラ
ズマを発生させて前記ターゲットをスパッタするスパッ
タリング装置において、前記ターゲットは、円筒状に形
成され、前記第1及び第2の磁石は、前記ターゲットの
円筒軸と同軸である円筒上に配置されたことを特徴とす
る。
ーゲットと、前記ターゲットの外部に配置された第1の
磁石と、前記ターゲットの内部に配置された第2の磁石
と、前記ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲット
との間に電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有
し、前記ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラ
ズマを発生させて前記ターゲットをスパッタするスパッ
タリング装置において、前記ターゲットは、円筒状に形
成され、前記第1及び第2の磁石は、前記ターゲットの
円筒軸と同軸である円筒上に配置されたことを特徴とす
る。
【0015】また、不活性ガス雰囲気中に配置されたタ
ーゲットと、前記ターゲットの外部に配置された磁石
と、前記ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲット
との間に電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有
し、前記ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラ
ズマを発生させて前記ターゲットをスパッタするスパッ
タリング装置において、前記ターゲットは、外径が円柱
状に形成され、前記磁石は、前記ターゲットの円柱軸と
同軸である円筒上に配置されたことを特徴とする。
ーゲットと、前記ターゲットの外部に配置された磁石
と、前記ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲット
との間に電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有
し、前記ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラ
ズマを発生させて前記ターゲットをスパッタするスパッ
タリング装置において、前記ターゲットは、外径が円柱
状に形成され、前記磁石は、前記ターゲットの円柱軸と
同軸である円筒上に配置されたことを特徴とする。
【0016】また、前記ターゲットは、内部に空間を有
することを特徴とする。
することを特徴とする。
【0017】また、前記ターゲットは、円筒状に形成さ
れることを特徴とする。
れることを特徴とする。
【0018】また、前記ターゲットは、一方の開口部が
閉じられた円筒状に形成されることを特徴とする。
閉じられた円筒状に形成されることを特徴とする。
【0019】また、前記ターゲットは、円柱状に形成さ
れることを特徴とする。
れることを特徴とする。
【0020】(作用)上記のように構成された本発明に
おいては、磁石がターゲットの内部にのみ配置される場
合、或いは磁石がターゲットの内部及び外部に配置され
る場合には、ターゲットが円筒状に形成されるととも
に、磁石がターゲットの円筒軸と同軸である円筒上に配
置され、また、磁石がターゲットの外部にのみ配置され
る場合には、ターゲットの外形が円柱状に形成されると
ともに、磁石がターゲットの円柱軸と同軸である円筒上
に配置される。
おいては、磁石がターゲットの内部にのみ配置される場
合、或いは磁石がターゲットの内部及び外部に配置され
る場合には、ターゲットが円筒状に形成されるととも
に、磁石がターゲットの円筒軸と同軸である円筒上に配
置され、また、磁石がターゲットの外部にのみ配置され
る場合には、ターゲットの外形が円柱状に形成されると
ともに、磁石がターゲットの円柱軸と同軸である円筒上
に配置される。
【0021】これにより、ターゲットの円筒軸方向或い
は円柱軸方向と磁石による磁界方向とが一致することに
なるため、ターゲット近傍における不活性ガスイオンの
密度がほぼ均一となり、ターゲット表面の局所的な摩耗
が防止される。その結果、ターゲットの利用効率の向上
が図れる。
は円柱軸方向と磁石による磁界方向とが一致することに
なるため、ターゲット近傍における不活性ガスイオンの
密度がほぼ均一となり、ターゲット表面の局所的な摩耗
が防止される。その結果、ターゲットの利用効率の向上
が図れる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【0023】(第1の実施の形態)図1は、本発明のス
パッタリング装置の第1の実施の形態を示す図である。
パッタリング装置の第1の実施の形態を示す図である。
【0024】図1に示すように本形態においては、不活
性ガス雰囲気中に配置されたターゲット(不図示)が表
面に形成された円筒状のカソードボックス10と、陽極
20とが設けられており、4つの基板30に同時に薄膜
を形成することが可能である。
性ガス雰囲気中に配置されたターゲット(不図示)が表
面に形成された円筒状のカソードボックス10と、陽極
20とが設けられており、4つの基板30に同時に薄膜
を形成することが可能である。
【0025】ここで、カソードボックス10について説
明する。
明する。
【0026】図2は、図1に示したカソードボックス1
0の構成を説明するための図であり、(a)は円筒軸と
平行な面で切断した断面図、(b)は円筒軸と垂直な面
で切断した断面図である。
0の構成を説明するための図であり、(a)は円筒軸と
平行な面で切断した断面図、(b)は円筒軸と垂直な面
で切断した断面図である。
【0027】図2に示すようにカソードボックス10
は、不活性ガス雰囲気中に配置された円筒状のターゲッ
ト11と、磁石12と、バッキングプレート13と、ス
ペーサー14と、カバー15と、冷却通路16とから構
成されている。
は、不活性ガス雰囲気中に配置された円筒状のターゲッ
ト11と、磁石12と、バッキングプレート13と、ス
ペーサー14と、カバー15と、冷却通路16とから構
成されている。
【0028】磁石12は、ターゲット11の内部に、か
つターゲット11の円筒軸と同軸である円筒上に配置さ
れている。
つターゲット11の円筒軸と同軸である円筒上に配置さ
れている。
【0029】なお、磁石12は、ターゲット11の円筒
軸と同軸である円筒上に配置されていれば、円柱状の磁
石であっても、円筒状の磁石であっても良い。
軸と同軸である円筒上に配置されていれば、円柱状の磁
石であっても、円筒状の磁石であっても良い。
【0030】バッキングプレート13は、ターゲット1
1を保持するためのものである。
1を保持するためのものである。
【0031】スペーサー14は、カバー15とターゲッ
ト11及びバッキングプレート13との間を絶縁するた
めのものである。
ト11及びバッキングプレート13との間を絶縁するた
めのものである。
【0032】冷却通路16は、冷却水を流すための通路
であり、冷却通路16に流れる冷却水により磁石12を
冷却し、ターゲット11のスパッタにより発生した熱に
よって磁石12の磁化が失われるのを防ぐ。
であり、冷却通路16に流れる冷却水により磁石12を
冷却し、ターゲット11のスパッタにより発生した熱に
よって磁石12の磁化が失われるのを防ぐ。
【0033】以下に、上記のように構成されたスパッタ
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
【0034】カソードボックス10の表面に形成された
ターゲット11と陽極20との間に電界を加えると放電
が発生し、この放電によって不活性ガスがイオン化され
てターゲット11の近傍がプラズマ状態となる。
ターゲット11と陽極20との間に電界を加えると放電
が発生し、この放電によって不活性ガスがイオン化され
てターゲット11の近傍がプラズマ状態となる。
【0035】すると、イオン化した不活性ガスイオン
が、ターゲット11と陽極20との間に加えられた電界
によりターゲット11に引き付けられ、ターゲット11
をスパッタし、これにより、基板30上に薄膜が形成さ
れる。
が、ターゲット11と陽極20との間に加えられた電界
によりターゲット11に引き付けられ、ターゲット11
をスパッタし、これにより、基板30上に薄膜が形成さ
れる。
【0036】ここで、基板30上にアルミニウムの薄膜
を形成する場合には、ターゲット11として円筒状のア
ルミニウムを用い、また、不活性ガスとして、例えば、
アルゴンを用いる。
を形成する場合には、ターゲット11として円筒状のア
ルミニウムを用い、また、不活性ガスとして、例えば、
アルゴンを用いる。
【0037】本形態においては、ターゲット11が円筒
状であり、磁石12がターゲット11の円筒軸と同軸で
ある円筒上に配置されているため、ターゲット11の円
筒軸方向と磁石12による磁界方向とが一致することに
なる。
状であり、磁石12がターゲット11の円筒軸と同軸で
ある円筒上に配置されているため、ターゲット11の円
筒軸方向と磁石12による磁界方向とが一致することに
なる。
【0038】これにより、ターゲット11近傍の不活性
ガスイオン密度がほぼ均一になり、ターゲット11近傍
のプラズマ密度がほぼ均一になる。
ガスイオン密度がほぼ均一になり、ターゲット11近傍
のプラズマ密度がほぼ均一になる。
【0039】その結果、ターゲット11全表面でのスパ
ッタ速度がほぼ均一になるため、ターゲット11の局所
的な摩耗を防止することができ、ターゲット11の利用
効率の向上を図ることができる。
ッタ速度がほぼ均一になるため、ターゲット11の局所
的な摩耗を防止することができ、ターゲット11の利用
効率の向上を図ることができる。
【0040】(第2の実施の形態)図3は、本発明のス
パッタリング装置の第2の実施の形態を示す図である。
なお、同図において、図1に示したスパッタリング装置
と同様の部分については同一の符号を付した。
パッタリング装置の第2の実施の形態を示す図である。
なお、同図において、図1に示したスパッタリング装置
と同様の部分については同一の符号を付した。
【0041】図3に示すように本形態においては、不活
性ガス雰囲気中に配置された円筒状のターゲット31
と、陽極20と、ターゲット31の外部にかつターゲッ
ト31の円筒軸と同軸である円筒上に配置された磁石4
0とが設けられており、4つの基板30に対して同時に
薄膜を形成することが可能である。
性ガス雰囲気中に配置された円筒状のターゲット31
と、陽極20と、ターゲット31の外部にかつターゲッ
ト31の円筒軸と同軸である円筒上に配置された磁石4
0とが設けられており、4つの基板30に対して同時に
薄膜を形成することが可能である。
【0042】本形態は、上述した第1の実施の形態がタ
ーゲットの内部に磁石が配置された構成であるのに対し
て、ターゲットの外部に磁石が配置された点が異なるも
のである。
ーゲットの内部に磁石が配置された構成であるのに対し
て、ターゲットの外部に磁石が配置された点が異なるも
のである。
【0043】以下に、上記のように構成されたスパッタ
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
【0044】ターゲット31と陽極20との間に電界を
加えると放電が発生し、この放電によって不活性ガスが
イオン化されてターゲット31の近傍がプラズマ状態と
なる。
加えると放電が発生し、この放電によって不活性ガスが
イオン化されてターゲット31の近傍がプラズマ状態と
なる。
【0045】すると、イオン化した不活性ガスイオン
が、ターゲット31と陽極20との間に加えられた電界
によりターゲット31に引き付けられ、ターゲット31
をスパッタし、これにより、基板30上に薄膜が形成さ
れる。
が、ターゲット31と陽極20との間に加えられた電界
によりターゲット31に引き付けられ、ターゲット31
をスパッタし、これにより、基板30上に薄膜が形成さ
れる。
【0046】ここで、基板30上にアルミニウムの薄膜
を形成する場合には、ターゲット31として円筒状のア
ルミニウムを用い、また、不活性ガスとして、例えば、
アルゴンを用いる。
を形成する場合には、ターゲット31として円筒状のア
ルミニウムを用い、また、不活性ガスとして、例えば、
アルゴンを用いる。
【0047】本形態においては、ターゲット31が円筒
状であり、磁石40がターゲット31の円筒軸と同軸で
ある円筒上に配置されているため、ターゲット31の円
筒軸方向と磁石40による磁界方向とが一致することに
なる。
状であり、磁石40がターゲット31の円筒軸と同軸で
ある円筒上に配置されているため、ターゲット31の円
筒軸方向と磁石40による磁界方向とが一致することに
なる。
【0048】これにより、ターゲット31近傍の不活性
ガスイオン密度がほぼ均一になるため、ターゲット31
近傍のプラズマ密度がほぼ均一になる。
ガスイオン密度がほぼ均一になるため、ターゲット31
近傍のプラズマ密度がほぼ均一になる。
【0049】その結果、ターゲット31全表面でのスパ
ッタ速度がほぼ均一になるため、ターゲット31の局所
的な摩耗を防止することができ、ターゲット31の利用
効率の向上を図ることができる。
ッタ速度がほぼ均一になるため、ターゲット31の局所
的な摩耗を防止することができ、ターゲット31の利用
効率の向上を図ることができる。
【0050】なお、本発明においては、磁石40とし
て、円筒状の磁石を用いる構成であっても良く、また、
ターゲット31の円筒軸と同軸である円筒上に複数の円
弧状の磁石或いは複数の棒状の磁石を並べて配置する構
成であっても良い。
て、円筒状の磁石を用いる構成であっても良く、また、
ターゲット31の円筒軸と同軸である円筒上に複数の円
弧状の磁石或いは複数の棒状の磁石を並べて配置する構
成であっても良い。
【0051】また、本形態においては、ターゲットが円
筒状であるものとして説明したが、本発明においては、
磁石がターゲットの外部にのみ配置される場合には、図
6に示すように、ターゲットが円柱状であっても、一方
の開口部が閉じられた円柱状であっても良い。
筒状であるものとして説明したが、本発明においては、
磁石がターゲットの外部にのみ配置される場合には、図
6に示すように、ターゲットが円柱状であっても、一方
の開口部が閉じられた円柱状であっても良い。
【0052】図6は、図3に示したターゲット31とし
て使用可能な形状を示す図であり、(a)は円筒形状を
示す図、(b)は円柱形状を示す図、(c)は一方の開
口部が閉じられた円筒形状を示す図である。
て使用可能な形状を示す図であり、(a)は円筒形状を
示す図、(b)は円柱形状を示す図、(c)は一方の開
口部が閉じられた円筒形状を示す図である。
【0053】(第3の実施の形態)図4は、本発明のス
パッタリング装置の第3の実施の形態を示す図である。
なお、同図において、図1に示したスパッタリング装置
と同様の部分については同一の符号を付した。
パッタリング装置の第3の実施の形態を示す図である。
なお、同図において、図1に示したスパッタリング装置
と同様の部分については同一の符号を付した。
【0054】図4に示すように本形態においては、不活
性ガス雰囲気中に配置されたターゲット(不図示)が表
面に形成された円筒状のカソードボックス10と、陽極
20と、カソードボックス10表面に形成されたターゲ
ットの外部にかつ該ターゲットの円筒軸と同軸である円
筒上に配置された第1の磁石である磁石41とが設けら
れており、4つの基板30に同時に薄膜を形成すること
が可能である。
性ガス雰囲気中に配置されたターゲット(不図示)が表
面に形成された円筒状のカソードボックス10と、陽極
20と、カソードボックス10表面に形成されたターゲ
ットの外部にかつ該ターゲットの円筒軸と同軸である円
筒上に配置された第1の磁石である磁石41とが設けら
れており、4つの基板30に同時に薄膜を形成すること
が可能である。
【0055】カソードボックス10は、図2に示した構
成を備えており、不活性ガス雰囲気中に配置された円筒
状のターゲット11と、ターゲット11の内部に、かつ
ターゲット11の円筒軸と同軸である円筒上に配置され
た第2の磁石である磁石12と、バッキングプレート1
3と、スペーサー14と、カバー15と、冷却通路16
とから構成されている。
成を備えており、不活性ガス雰囲気中に配置された円筒
状のターゲット11と、ターゲット11の内部に、かつ
ターゲット11の円筒軸と同軸である円筒上に配置され
た第2の磁石である磁石12と、バッキングプレート1
3と、スペーサー14と、カバー15と、冷却通路16
とから構成されている。
【0056】なお、磁石12は、ターゲット11の円筒
軸と同軸である円筒上に配置されていれば、円柱状の磁
石であっても、円筒状の磁石であっても良い。
軸と同軸である円筒上に配置されていれば、円柱状の磁
石であっても、円筒状の磁石であっても良い。
【0057】本形態は、上述した第1の実施の形態がタ
ーゲットの内部にのみ磁石が配置された構成であるのに
対して、ターゲットの内部及び外部のそれぞれに磁石が
配置された点が異なるものである。
ーゲットの内部にのみ磁石が配置された構成であるのに
対して、ターゲットの内部及び外部のそれぞれに磁石が
配置された点が異なるものである。
【0058】以下に、上記のように構成されたスパッタ
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
リング装置におけるスパッタ処理について説明する。
【0059】カソードボックス10の表面に形成された
ターゲット11と陽極20との間に電界を加えると放電
が発生し、この放電によって不活性ガスがイオン化され
てターゲット11の近傍がプラズマ状態となる。
ターゲット11と陽極20との間に電界を加えると放電
が発生し、この放電によって不活性ガスがイオン化され
てターゲット11の近傍がプラズマ状態となる。
【0060】すると、イオン化した不活性ガスイオン
が、ターゲット11と陽極20との間に加えられた電界
によりターゲット11に引き付けられ、ターゲット11
をスパッタし、これにより、基板30上に薄膜が形成さ
れる。
が、ターゲット11と陽極20との間に加えられた電界
によりターゲット11に引き付けられ、ターゲット11
をスパッタし、これにより、基板30上に薄膜が形成さ
れる。
【0061】ここで、基板30上にアルミニウムの薄膜
を形成する場合には、ターゲット11として円筒状のア
ルミニウムを用い、また、不活性ガスとして、例えば、
アルゴンを用いる。
を形成する場合には、ターゲット11として円筒状のア
ルミニウムを用い、また、不活性ガスとして、例えば、
アルゴンを用いる。
【0062】本形態においては、ターゲット11が円筒
状であり、磁石14がターゲット11の円筒軸と同軸で
ある円筒上に配置され、磁石41がターゲット11の円
筒軸と同軸である円筒上に配置されているため、ターゲ
ット11の円筒軸方向と磁石14及び磁石41による磁
界方向とが一致することになる。
状であり、磁石14がターゲット11の円筒軸と同軸で
ある円筒上に配置され、磁石41がターゲット11の円
筒軸と同軸である円筒上に配置されているため、ターゲ
ット11の円筒軸方向と磁石14及び磁石41による磁
界方向とが一致することになる。
【0063】これにより、ターゲット11近傍の不活性
ガスイオン密度がほぼ均一になるため、ターゲット11
近傍のプラズマ密度がほぼ均一になる。
ガスイオン密度がほぼ均一になるため、ターゲット11
近傍のプラズマ密度がほぼ均一になる。
【0064】その結果、ターゲット11全表面でのスパ
ッタ速度がほぼ均一になるため、ターゲット11の局所
的な摩耗を防止することができ、ターゲット11の利用
効率の向上を図ることができる。
ッタ速度がほぼ均一になるため、ターゲット11の局所
的な摩耗を防止することができ、ターゲット11の利用
効率の向上を図ることができる。
【0065】なお、本発明においては、磁石41とし
て、円筒状の磁石を用いる構成であっても良く、また、
ターゲット11の円筒軸と同軸である円筒上に複数の円
弧状の磁石或いは複数の棒状の磁石を並べて配置する構
成であっても良い。
て、円筒状の磁石を用いる構成であっても良く、また、
ターゲット11の円筒軸と同軸である円筒上に複数の円
弧状の磁石或いは複数の棒状の磁石を並べて配置する構
成であっても良い。
【0066】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
磁石がターゲットの内部にのみ配置される場合、或いは
磁石がターゲットの内部及び外部に配置される場合に
は、ターゲットが円筒状に形成されるとともに、磁石が
ターゲットの円筒軸と同軸である円筒上に配置されるよ
うな構成とし、また、磁石がターゲットの外部にのみ配
置される場合には、ターゲットの外形が円柱状に形成さ
れるとともに、磁石がターゲットの円柱軸と同軸である
円筒上に配置されるような構成としたため、ターゲット
の円筒軸方向或いは円柱軸方向と磁石による磁界方向と
が一致することになる。
磁石がターゲットの内部にのみ配置される場合、或いは
磁石がターゲットの内部及び外部に配置される場合に
は、ターゲットが円筒状に形成されるとともに、磁石が
ターゲットの円筒軸と同軸である円筒上に配置されるよ
うな構成とし、また、磁石がターゲットの外部にのみ配
置される場合には、ターゲットの外形が円柱状に形成さ
れるとともに、磁石がターゲットの円柱軸と同軸である
円筒上に配置されるような構成としたため、ターゲット
の円筒軸方向或いは円柱軸方向と磁石による磁界方向と
が一致することになる。
【0067】これにより、ターゲット近傍における不活
性ガスイオンの密度がほぼ均一となり、ターゲット表面
の局所的な摩耗を防止することができるため、ターゲッ
トの利用効率の向上を図ることができる。
性ガスイオンの密度がほぼ均一となり、ターゲット表面
の局所的な摩耗を防止することができるため、ターゲッ
トの利用効率の向上を図ることができる。
【0068】また、半導体や誘電体などに金属や誘電体
皮膜を付着させて電子部品、光学部品などを製造する場
合、本スパッタリング装置を用いることにより製造コス
トを大幅に低減することができる。
皮膜を付着させて電子部品、光学部品などを製造する場
合、本スパッタリング装置を用いることにより製造コス
トを大幅に低減することができる。
【図1】本発明のスパッタリング装置の第1の実施の形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図2】図1に示したカソードボックスの構成を説明す
るための図であり、(a)は円筒軸と平行な面で切断し
た断面図、(b)は円筒軸と垂直な面で切断した断面図
である。
るための図であり、(a)は円筒軸と平行な面で切断し
た断面図、(b)は円筒軸と垂直な面で切断した断面図
である。
【図3】本発明のスパッタリング装置の第2の実施の形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図4】本発明のスパッタリング装置の第3の実施の形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図5】従来のスパッタリング装置の一構成例を示す図
である。
である。
【図6】図3に示したターゲットとして使用可能な形状
を示す図であり、(a)は円筒形状を示す図、(b)は
円柱形状を示す図、(c)は一方の開口部が閉じられた
円筒形状を示す図である。
を示す図であり、(a)は円筒形状を示す図、(b)は
円柱形状を示す図、(c)は一方の開口部が閉じられた
円筒形状を示す図である。
10 カソードボックス 11,31 ターゲット 12,40,41 磁石 13 バッキングプレート 14 スペーサー 15 カバー 16 冷却通路 20 陽極 30 基板
Claims (7)
- 【請求項1】 不活性ガス雰囲気中に配置されたターゲ
ットと、前記ターゲットの内部に配置された磁石と、前
記ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲットとの間
に電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有し、前
記ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラズマを
発生させて前記ターゲットをスパッタするスパッタリン
グ装置において、 前記ターゲットは、円筒状に形成され、 前記磁石は、前記ターゲットの円筒軸と同軸である円筒
上に配置されたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項2】 不活性ガス雰囲気中に配置されたターゲ
ットと、前記ターゲットの外部に配置された第1の磁石
と、前記ターゲットの内部に配置された第2の磁石と、
前記ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲットとの
間に電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有し、
前記ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラズマ
を発生させて前記ターゲットをスパッタするスパッタリ
ング装置において、 前記ターゲットは、円筒状に形成され、 前記第1及び第2の磁石は、前記ターゲットの円筒軸と
同軸である円筒上に配置されたことを特徴とするスパッ
タリング装置。 - 【請求項3】 不活性ガス雰囲気中に配置されたターゲ
ットと、前記ターゲットの外部に配置された磁石と、前
記ターゲットの周囲に配置され、前記ターゲットとの間
に電界が印加されて放電を励起させる陽極とを有し、前
記ターゲットと前記陽極との間の放電によりプラズマを
発生させて前記ターゲットをスパッタするスパッタリン
グ装置において、 前記ターゲットは、外径が円柱状に形成され、 前記磁石は、前記ターゲットの円柱軸と同軸である円筒
上に配置されたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項4】 請求項3に記載のスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットは、内部に空間を有することを特徴とす
るスパッタリング装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載のスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットは、円筒状に形成されることを特徴とす
るスパッタリング装置。 - 【請求項6】 請求項4に記載のスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットは、一方の開口部が閉じられた円筒状に
形成されることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項7】 請求項3に記載のスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットは、円柱状に形成されることを特徴とす
るスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000191381A JP2002004044A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000191381A JP2002004044A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002004044A true JP2002004044A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=18690690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000191381A Pending JP2002004044A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002004044A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009140518A2 (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable pvd |
US7993733B2 (en) | 2008-02-20 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Index modified coating on polymer substrate |
US8057649B2 (en) | 2008-05-06 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Microwave rotatable sputtering deposition |
-
2000
- 2000-06-26 JP JP2000191381A patent/JP2002004044A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7993733B2 (en) | 2008-02-20 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Index modified coating on polymer substrate |
US8679594B2 (en) | 2008-02-20 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Index modified coating on polymer substrate |
US8057649B2 (en) | 2008-05-06 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Microwave rotatable sputtering deposition |
WO2009140518A2 (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable pvd |
WO2009140518A3 (en) * | 2008-05-14 | 2010-03-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable pvd |
JP2011521107A (ja) * | 2008-05-14 | 2011-07-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マイクロ波を援用した回転可能なpvd |
US8349156B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable PVD |
KR101366125B1 (ko) | 2008-05-14 | 2014-02-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마이크로파―보조형 회전가능한 pvd |
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