JP2000216208A - 外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハの外観検査おいてパーティクル
とＣＯＰ（擬似パーティクル）の弁別を高スループット
にて実現する。 【解決手段】 ウェハ１に、複数の測定用レーザ３およ
び４を、ＣＯＰおよびパーティクルの各々に対して検出
感度（反射／散乱光Ａ、Ｂの発生光量）の異なる入射角
度θ１（パーティクルおよびＣＯＰの双方を検出）およ
び入射角度θ２（パーティクルのみ検出）で交互にパル
ス状に照射しつつ走査し、光検出器１５および判定部１
２では、各々の検出結果の組み合わせから、測定用レー
ザ３および４の双方で検出された欠陥はパーティクルと
判定し、測定用レーザ３では検出され測定用レーザ４で
は不検出の欠陥はＣＯＰと判定することで、検出欠陥
が、付着異物等のパーティクルか、ウェハ１の表面に形
成されたピット等のＣＯＰかを、１回の走査で弁別しつ
つ外観検査を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は外観検査技術および
半導体装置の製造技術に係わり、特に半導体ウェハ等の
表面状態を検査する外観検査工程等に適用して有効な技
術に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、ＳｉのＣＺ結晶ウェハを、Ｓ
Ｃ−１（アンモニアと過酸化水素水の混合液）液等で洗
浄すると、表面欠陥測定機によって0.１〜0.２μｍのあ
たかも粒子が存在するかのように計数される微小ピット
（窪み）が現れることが知られている。後述のような通
常の光散乱方式の装置では、付着異物等の実粒子（パー
ティクル）と区別できないこのような擬似粒子は、ＣＯ
Ｐ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔ
ｉｃｌｅ）と呼ばれている。

【０００３】現在、使用されているウェハ外観検査装置
では主にＡｒまたはＨｅ−Ｎｅレーザを１台搭載し、１
方向から、ウェハにレーザを照射させ、その散乱光を検
出器で検知し、ウェハに付着するパーティクルやピット
の散乱光をウェハの散乱光と分離することにより、ウェ
ハ上に付着するパーティクルやピットの大きさ、個数を
定量化する構造となっている。

【０００４】この技術を利用している装置として、日立
電子株式会社製のレーザ表面検査装置ＬＳ−６５００や
ＡＤＥ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｃｏｒｐｏ
ｒａｔｉｏｎ製のＷａｆｅｒ Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ
Ｓｙｓｔｅｍｓ ＷＩＳ−ＣＲ８２を始めとし、その他
にも多数同様な装置が存在する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】レーザを１方向からウ
ェハに照射させる従来法ではパーティクルとピットの両
方を検出してしまい両者を区別できない、という技術的
課題がある。この技術的課題を解決する手法として、レ
ーザ照射角度を垂直方向で照射して全面測定した後、照
射角度を斜角にし、再度、全面測定し、垂直方向から照
射した結果と斜角方向から照射した結果の差からパーテ
ィクルとＣＯＰ等のピットを分離する技術が確立されて
いる。このレーザ照射角度を変えることの可能な機能を
持つ装置として日立電子株式会社製のＬＳ−６５００等
がある。

【０００６】しかし、ＬＳ−６５００等はレーザ発振器
を１台しか搭載していないため、パーティクルとＣＯＰ
等のピットを分離するためには照射角度を変えて同一ウ
ェハを２回測定しなければならず、外観検査工程の所要
時間が必要以上に長くなりスループットが低下する、い
う他の技術的課題を生じてしまう。

【０００７】半導体装置の製造工程では、随所でウェハ
の外観検査が必要となるため、外観検査工程のスループ
ットの低下が半導体装置の製造工程全体のスループット
に与える影響は大きい。

【０００８】本発明の目的は、１回の測定で対象物の異
なる種類の欠陥を区別して検出することが可能な外観検
査技術を提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、外観検査工程におけ
るスループットを向上させることが可能な外観検査技術
を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、半導体装置の製造工
程における歩留りおよびスループットを向上させること
が可能な半導体装置の製造技術を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１３】本発明の外観検査技術では、対象物の表面
に対して少なくとも二つの第１および第２のレーザを照
射した時に、対象物の第１および第２のレーザの各々の
照射部位から発生する散乱光の光量の大小を検出するこ
とで、対象物の表面に存在する欠陥の種別を弁別するも
のである。

【００１４】より具体的には、一例として下記の構造を
もつことを特徴とする。すなわち、測定用レーザとして
２台の発振器を設け、異なる照射角度でレーザをウェハ
に照射させる。一方の発振器はウェハに対しほぼ垂直方
向に照射角度が設定され、パーティクルとＣＯＰ等のピ
ットの両方で散乱光を発生させる角度からレーザを照射
する。他方の発振器はウェハに対して傾斜した照射角度
が設定され、この傾斜した発振器から照射されるレーザ
は、垂直方向から照射したレーザに比べてＣＯＰ等のピ
ットでは散乱光が少なくなるように設置する。

【００１５】また、照射するレーザはいずれもパルス発
振とし、レーザ発振タイミングをずらし、一つのレーザ
がウェハに照射中はもう一方のレーザは発振しないよう
にするものとする。レーザの照射領域は始めに発振され
たレーザが照射している領域に対し、次に照射されるレ
ーザの照射領域はウェハの走査方向に発振タイミングが
ずれている時間分だけ、進んだ領域を照射させ、これを
交互に繰り返す。

【００１６】すなわち、発振タイミングのずれの時間を
Δｔ、ウェハのスキャン速度をｖ、１台のレーザが照射
している領域Ｓ１とすると、照射しているレーザがＯＦ
Ｆとなり、もう一方のレーザが照射される領域Ｓ２は、
領域Ｓ１からスキャン速度ｖでΔｔだけ移動した位置に
設定され、この領域Ｓ１および領域Ｓ２に対するレーザ
照射を２台のレーザで交互に繰り返す。

【００１７】この照射角度を変えたレーザにより同一箇
所を測定した時の検出数の差を求める。両者の結果で検
出数の少ないものがパーティクル数であり、多い結果と
少ない結果の差がＣＯＰ等のピットの個数として検出さ
れる。

【００１８】これにより本発明ではウェハを１回測定す
ることにより、ウェハに付着するパーティクルとＣＯＰ
等のピットを分離することが可能である。

【００１９】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体ウェハの外観検査に上述のような外観検査技術を
適用するものである。これにより、半導体ウェハの外観
検査における付着異物やＣＯＰ等の欠陥の検査精度が向
上し、これら欠陥に起因する歩留り低下が回避されて歩
留り向上が達成されるとともに、外観検査の所要時間の
短縮による半導体装置の製造工程でのスループットの向
上が達成される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。

【００２１】図１は、本発明の一実施の形態である外観
検査方法を実施する外観検査装置の構成の一例を示す概
念図である。

【００２２】測定対象のウェハ１はステージ２に載置さ
れており、このステージ２は、回転モータ２ａおよびリ
ニアモータ２ｂに支持され、テーブルドライバ１６にて
回転モータ２ａおよびリニアモータ２ｂを同期して制御
することにより、回転モータ２ａによる回転移動と、リ
ニアモータ２ｂによる直線移動とを組み合わせた変位が
可能になっており、後述のような測定用レーザにてウェ
ハ１の表面を螺線状に走査する。

【００２３】ステージ２の上方には、発振タイミング制
御部１１にて制御され、ステージ２上のウェハ１の表面
に対した異なる入射角度θ１および入射角度θ２を持つ
二つのレーザ光源１３およびレーザ光源１４が設けられ
ており、ウェハ１に対して異なる２方向から、たとえば
パーティクルおよびＣＯＰ等のピットを検出するための
測定用レーザ３（測定用レーザａ）と、パーティクルを
検出するための測定用レーザ４（測定用レーザｂ）を照
射する。

【００２４】また、ステージ２の上方には、光検出器１
５が設けられており、ウェハ１における測定用レーザａ
および測定用レーザｂの照射部位から発生する、反射光
および散乱光の少なくとも一方からなる反射／散乱光Ａ
および反射／散乱光Ｂが検出される。光検出器１５にて
検出された反射／散乱光Ａおよび反射／散乱光Ｂの光量
は、判定部１２にて、それぞれ別の所定の閾値と比較さ
れ、パーティクルやピットの有無が判定され、判定結果
は、全体を制御する主制御部１０に入力され、必要に応
じて、記憶装置１０ａの検査結果テーブル２０に記録さ
れる。

【００２５】なお、図１の例では、一つの光検出器１５
を測定用レーザａおよびｂの反射／散乱光ＡおよびＢの
検出に共通に用いる例を示しているが、複数の光検出器
１５を異なる位置に設けて反射／散乱光ＡおよびＢを別
の光検出器１５にて検出するようにしてもよい。また、
判定部１２および主制御部１０は別に設けているが、一
体としてもよい。また、判定部１２および主制御部１０
は専用のハードウェアで構成してもよい、汎用のマイク
ロプロセッサの制御プログラムとして実装してもよい。

【００２６】測定用レーザａは、ウェハ１の表面に対し
てほぼ垂直な入射角度θ１で照射され、測定用レーザｂ
は、ウェハ１の表面に対して、たとえば２０度以下に傾
斜した入射角度θ２で照射される。

【００２７】このような照射角度に設定すると、図５に
示されるように、ほぼ垂直な入射角度θ１を持つ測定用
レーザａは、ウェハ１上のパーティクルおよびピットの
いずれにおいても大きく反射／散乱され、反射／散乱光
Ａの光量は、パーティクルおよびピットの両方で大きく
なる。従って、判定部１２においてパーティクルおよび
ピットの各々で検出される反射／散乱光Ａの光量以下に
閾値を設定することにより、測定用レーザａにて、パー
ティクルおよびピットの両方を検出することが可能にな
る。

【００２８】一方、図５に示されるように、ウェハ１の
表面に対して傾斜した入射角度θ２で照射される測定用
レーザｂの反射／散乱光Ｂの光量は、ウェハ１の表面に
突出して存在するパーティクルでは大きくなるが、凹形
のピットでは小さくなる。従って、判定部１２において
パーティクルおよびピットの各々の場合の反射／散乱光
Ｂの光量の中間に閾値を設定するこにより、測定用レー
ザｂでは、パーティクルのみを検出することが可能にな
る。

【００２９】ここで使用する２台のレーザ光源１３およ
びレーザ光源１４はいずれもパルス発振とし、図３の線
図に示されるように、発振タイミング制御部１１からの
タイミング制御信号１１ａおよび１１ｂにより、各々の
発振タイミングをずらし、測定用レーザａがウェハ１に
照射中には測定用レーザｂの発振がＯＦＦとなって測定
用レーザｂはウェハ１に照射されず、測定用レーザｂが
ウェハ１に照射中には測定用レーザａの発振がＯＦＦと
なって測定用レーザａはウェハ１に照射されないように
する。また、判定部１２は、このタイミング制御信号１
１ａおよび１１ｂに同期して判定動作を行う。

【００３０】図２は、本実施の形態における、ウェハ１
に対する測定用レーザａおよび測定用レーザｂの照射方
法の一例を示す平面図である。本実施の形態では２台の
パルス発振の測定用レーザａおよび測定用レーザｂの発
振タイミングをずらすことによって１回の測定でパーテ
ィクルとＣＯＰ等のピットを分類させるため、それぞれ
のレーザ照射領域を以下に示すように設定する。

【００３１】測定用レーザｂがＯＦＦのときの測定用レ
ーザａの照射領域が５（Ｓ１）、測定用レーザａがＯＦ
Ｆのときの測定用レーザｂの照射領域が６（Ｓ２）とな
るようにする。すなわち、測定用レーザａとｂのレーザ
発振タイミングのずれ時間をΔｔ、ウェハ１のスキャン
速度をｖとすると、測定用レーザａが照射領域５を照射
した場合、次に照射される測定用レーザｂが照射される
照射領域６は照射領域５からスキャン速度ｖでΔｔだけ
進んだ領域となるようにする。この状態で、ステージ２
の回転および直線変位を組み合わせた螺線状の走査を行
い、ウェハ１の全域を測定する。

【００３２】なお、テーブルドライバ１６の制御にて、
回転モータ２ａによるステージ２の回転速度を、リニア
モータ２ｂによる直線変位に従って変化させることによ
り、ウェハ１の測定用レーザａおよびｂの照射部位の周
方向の線速度を一定にすることで、測定用レーザａとｂ
のレーザ発振タイミングのずれ時間Δｔを一定にしたま
まで、均一な検出精度での測定用レーザａとｂによるウ
ェハ１の全域の螺線状の走査が可能になる。

【００３３】以下、本実施の形態の外観検査方法および
装置の作用の一例を説明する。

【００３４】まず、ウェハ１を支持したステージ２を回
転モータ２ａで回転させつつ、リニアモータ２ｂで径方
向に直線変位させることで、走査方向に上述のように距
離（Δｔ×スキャン速度ｖ）だけずれた位置に測定用レ
ーザａおよびｂを交互に照射することによる螺線状の走
査を開始する。この走査中、判定部１２は、発振タイミ
ング制御部１１から得られるタイミング制御信号１１ａ
およびタイミング制御信号１１ｂに同期して光検出器１
５にて検出された測定用レーザａおよびｂの各々の反射
／散乱光ＡおよびＢの光量の大小を上述のように設定さ
れた閾値と比較することにより、測定用レーザａによる
検出欠陥（パーティクルまたはＣＯＰ）および測定用レ
ーザｂによる検出欠陥（パーティクルのみ）の各々の検
出信号を主制御部１０に出力し、主制御部１０は、測定
用レーザａによる検出結果をＮ１および測定用レーザｂ
による検出結果をＮ２として各々の検出数を個別に累積
する。

【００３５】そして、ウェハ１の１回の走査終了後、主
制御部１０は、Ｎ１−Ｎ２をＣＯＰの検出数として出力
し、Ｎ２をパーティクルの検出数として記憶装置１０ａ
の検査結果テーブル２０に記録する。このように、１回
の走査にて、パーティクルおよびＣＯＰの個数を個別に
測定することができる。

【００３６】また、この他に、以下のように、走査中に
個々の欠陥の種別を個別に判定しながら検査を行うこと
もできる。

【００３７】測定用レーザａおよびｂによる上述のよう
なウェハ１の走査中に、判定部１２は、たとえば図４の
フローチャートおよび図６に例示されるような論理に
て、発振タイミング制御部１１から得られるタイミング
制御信号１１ａおよびタイミング制御信号１１ｂに同期
して、測定用レーザａおよびｂの反射／散乱光Ａおよび
Ｂの各々の検出光量の大小による判定を行う。

【００３８】すなわち、測定用レーザａで欠陥検出有り
かを判定し（ステップ１０１）、検出有りの場合には、
さらに測定用レーザｂで欠陥検出有りかを判定し（ステ
ップ１０２）、有りの場合には、図６のケースIII に該
当するので、欠陥はパーティクルであると判定され、パ
ーティクルの検出信号が主制御部１０に伝達され（ステ
ップ１０３）、主制御部１０は、このパーティクル検出
情報を、必要に応じてテーブルドライバ１６から得られ
るその時の走査位置、すなわちウェハ１内での検出座標
とともに記憶装置１０ａの検査結果テーブル２０に記録
する。

【００３９】一方、ステップ１０２で、測定用レーザｂ
では検出されなかった場合には、図６のケースIVに該当
し、当該欠陥はＣＯＰと判定され、ＣＯＰの検出信号が
主制御部１０に伝達され（ステップ１０４）、主制御部
１０は、このＣＯＰ検出情報を、必要に応じてテーブル
ドライバ１６から得られるその時の走査位置、すなわち
ウェハ１内での検出座標とともに記憶装置１０ａの検査
結果テーブル２０に記録する。

【００４０】なお、ステップ１０１で欠陥が不検出の場
合には、図６のケースＩおよびケースIIのいずれかに該
当するが、ケースＩでは欠陥無しなので特別な動作は行
われない。また、ケースIIの場合はあり得ないので、こ
のケースIIの出現の有無は、外観検査装置のエラー検出
（ケースIIが出現する場合にエラーと判定する）や感度
調整に応用することができる。

【００４１】この判定処理を、ウェハ１の全域を測定用
レーザａとｂにて１回走査する間に実行することで、ウ
ェハ１におけるパーティクルとＣＯＰを区別した欠陥の
有無（個数）や位置等の外観検査結果を得ることが可能
になる。

【００４２】また、ウェハ１の全域を１回走査するだけ
で外観検査が完了するため、従来のように、パーティク
ルおよびＣＯＰの各々の個別検出のために複数回の走査
を行う場合に比較して、外観検査工程でのスループット
を大幅に向上させることが可能になる。

【００４３】上述の説明では、測定用レーザａおよびｂ
の照射タイミングをずらすことで、両者の検査結果を分
離する技術を例示したが、測定用レーザａおよび測定用
レーザｂとして異なる波長のレーザを用い、光検出器１
５の側では、各々の反射／散乱光Ａおよび反射／散乱光
Ｂを、当該波長を選択的に透過させるフィルタを通して
検出することで、両者の検査結果を弁別することも本発
明に含まれる。この異なる波長のレーザを用いる場合に
は、必ずしも照射タイミングおよび位置をずらす必要は
なく、ウェハ１の同一部位への連続照射で並行して結果
判定を行うことができる。

【００４４】次に、上述のような本発明の外観検査技術
を半導体装置の製造工程に適用した本発明の半導体装置
の製造方法の一例を図７のフローチャート等を参照して
説明する。

【００４５】ウェハプロセスでは、洗浄にて除去が可能
なパーティクル等の付着異物の他に、素材となるＣＺ結
晶ウェハの表面におけるＣＯＰ（ピット）の存在が、そ
の上に形成されるウェハプロセスの品質を劣化させ、歩
留り低下の一因となる。そこで、ウェハプロセスの素材
に供されるＣＺウェハの表面の、洗浄では除去できない
ＣＯＰの個数を所定の値以下に管理する必要がある。

【００４６】そこで、このウェハプロセス前のウェハ１
のＣＯＰの検査に、上述のような本発明の外観検査技術
を応用すると、工程全体のスループットの向上を期待で
きる。

【００４７】まず、単結晶引上げ（ＣＺ）法にてＳｉ等
の半導体の単結晶インゴットを製造し（ステップ２０
１）、この単結晶インゴットをスライスしてウェハを作
り（ステップ２０２）、このウェハの表面を鏡面研磨す
る（ステップ２０３）。

【００４８】その後、まず、ＲＣＡ洗浄等の方法で研磨
ウェハの洗浄を行った後（ステップ２０４）、上述のよ
うな本発明の外観検査方法および装置を用いた外観検査
を行う（ステップ２０５）。

【００４９】そして、ステップ２０５の外観検査の結果
から、ＣＯＰの数が、所定の規定値以下か否かを判定す
る（ステップ２０６）。ここで規定以上と判定された場
合には、当該ウェハ１はウェハプロセスに使用不可と判
定され、除外される（ステップ２１２）。一方、ＣＯＰ
の数が規定値以下の場合には、さらにパーティクル等の
付着異物の数が所定の規定値以下か否かを判定し（ステ
ップ２０７）、付着異物の数が規定値よりも多い場合に
は、再度、ステップ２０４以下の洗浄および外観検査工
程に戻される。

【００５０】一方、ステップ２０７で付着異物の数が規
定値よりも少ないと判定されたウェハ１は、周知のフォ
トリソグラフィによる回路パターン形成等を行うウェハ
プロセスに供され、所定の半導体回路パターンが形成さ
れた後（ステップ２０８）、ウェハ１をペレット毎に分
割するダイシング工程（ステップ２０９）、ペレットボ
ンディングやワイヤボンディング等のボンディング工程
（ステップ２１０）、ペレットの封止を行うパッケージ
ング工程（ステップ２１１）、等を経て、所望の半導体
装置として出荷される。

【００５１】このように、本実施の形態の半導体装置の
製造方法によれば、ＣＯＰをパーティクル等の異物から
弁別して検査する必要のある外観検査工程で、１回の走
査でウェハ１におけるＣＯＰの数をパーティクルとは別
に正確に検査できるので、ＣＯＰの数等の正確な検査結
果を迅速に得ることが可能となり、半導体装置の製造工
程における歩留りおよびスループットが向上する。

【００５２】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５３】たとえば、上述の実施の形態の説明では、
パーティクルおよびＣＯＰに対する検出感度に差異を持
たせる方法として二つの測定用レーザの照射角度を異な
らせる場合について説明したが、検出感度に差異を持た
せることが可能な他の方法を採用してもよい。

【００５４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５５】本発明の外観検査方法によれば、１回の測
定で対象物の異なる種類の欠陥を区別して検出すること
ができる、という効果が得られる。

【００５６】また、本発明の外観検査方法によれば、外
観検査工程におけるスループットを向上させることがで
きる、という効果が得られる。

【００５７】また、本発明の外観検査装置によれば、１
回の測定で対象物の異なる種類の欠陥を区別して検出す
ることができる、という効果が得られる。

【００５８】また、本発明の外観検査装置によれば、外
観検査工程におけるスループットを向上させることがで
きる、という効果が得られる。

【００５９】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
半導体装置の製造工程における歩留りおよびスループッ
トを向上させることができる、という効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である外観検査方法を実
施する外観検査装置の構成の一例を示す概念図である。

【図２】本発明の一実施の形態である外観検査方法を実
施する外観検査装置の作用の一例を示す平面図である。

【図３】本発明の一実施の形態である外観検査方法を実
施する外観検査装置の作用の一例を示す線図である。

【図４】本発明の一実施の形態である外観検査方法を実
施する外観検査装置の判定論理の作用の一例を示すフロ
ーチャートである。

【図５】本発明の一実施の形態である外観検査方法を実
施する外観検査装置の判定論理の作用の一例を示す説明
図である。

【図６】本発明の一実施の形態である外観検査方法を実
施する外観検査装置の判定論理の作用の一例を示す説明
図である。

【図７】本発明の一実施の形態である外観検査方法を実
施する外観検査装置を採用した半導体装置の製造方法の
一例を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１ ウェハ ２ ステージ ２ａ 回転モータ ２ｂ リニアモータ ３ 測定用レーザ（ａ） ４ 測定用レーザ（ｂ） ５ 測定用レーザ（ａ）の照射領域 ６ 測定用レーザ（ｂ）の照射領域 １０ 主制御部 １０ａ 記憶装置 １１ 発振タイミング制御部 １１ａ タイミング制御信号 １１ｂ タイミング制御信号 １２ 判定部 １３ レーザ光源 １４ レーザ光源 １５ 光検出器 １６ テーブルドライバ ２０ 検査結果テーブル Ａ 測定用レーザ（ａ）の反射／散乱光 Ｂ 測定用レーザ（ｂ）の反射／散乱光 θ１ 測定用レーザ（ａ）の照射角度 θ２ 測定用レーザ（ｂ）の照射角度

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AB01 AB02 AB07 BA01 BA08 BA10 CA02 CB01 CB05 CC07 DA07 EA14 EB01 EB02 EC01 4M106 AA01 BA05 CA19 CA41 CB19 DB03 DB08 DB09 DB15 DB21 DJ18 DJ20

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対象物の表面に対して少なくとも二つの
   第１および第２のレーザを照射した時に当該対象物の当
   該第１および第２のレーザの各々の照射部位から発生す
   る散乱光の光量の大小を検出することで、前記対象物の
   表面に存在する欠陥の種別を弁別することを特徴とする
   外観検査方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の外観検査方法において、
   前記対象物に対して、前記第１および第２のレーザを互
   いに異なる入射角度で照射することを特徴とする外観検
   査方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の外観検査方法に
   おいて、前記第１および第２のレーザを、異なるタイミ
   ングのパルス状に交互に前記対象物に照射するととも
   に、前記照射部位を、前記第１および第２のレーザによ
   る前記対象物の走査方向にずらすことで、前記第１およ
   び第２のレーザの各々の照射部位から発生する散乱光の
   光量の大小を個別に検出する方法、 または、前記第１および第２のレーザとして互いに異な
   る複数の波長のレーザを用い、波長の異なる前記第１お
   よび第２のレーザの前記照射部位から発生する前記波長
   の異なる前記散乱光を、当該波長を選択的に透過または
   遮断するフィルタを通して選択的に検出することで、前
   記第１および第２のレーザの各々の照射部位から発生す
   る散乱光の光量の大小を個別に検出する方法、 のいずれかの方法を用いることを特徴とする外観検査方
   法。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の外観検査方
   法において、前記欠陥は、前記対象物の表面に付着した
   粒子、および前記対象物の表面に形成されたピットのい
   ずれかであり、前記対象物の表面に対してほぼ垂直な前
   記入射角度で照射される前記第１のレーザにて前記粒子
   および前記ピットの双方を検出し、前記対象物の表面に
   対して傾斜した前記入射角度で照射される前記第２のレ
   ーザにて前記粒子のみを選択的に検出するようにし、前
   記第１および第２のレーザによる前記欠陥の検出結果の
   組み合わせから、前記欠陥が前記粒子および前記ピット
   のいずれであるかを弁別することを特徴とする外観検査
   方法。
5. 【請求項５】 対象物の表面に対して少なくとも二つの
   第１および第２のレーザを照射する複数のレーザ源と、 支持した前記対象物を前記レーザ源に対して相対的に移
   動させることにより、前記第１および第２のレーザによ
   る前記対象物の走査を行わせる検査台と、 前記対象物の当該第１および第２のレーザの各々の照射
   部位から発生する散乱光を検出する光検出器と、 前記光検出器にて検出された前記散乱光の光量の大小に
   基づいて前記対象物の表面に存在する欠陥の種別を弁別
   する判定論理と、 を備えたことを特徴とする外観検査装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の外観検査装置において、 前記対象物に対して、前記第１および第２のレーザが互
   いに異なる入射角度を持つように複数の前記レーザ源が
   配置されていることを特徴とする外観検査装置。
7. 【請求項７】 請求項５または６記載の外観検査装置に
   おいて、 前記レーザ源は、前記第１および第２のレーザが、異な
   るタイミングのパルス状に交互に前記対象物に照射され
   るように異なるタイミングでパルス発振するとともに、
   前記照射部位は、前記第１および第２のレーザによる前
   記対象物の走査方向にずらして設定され、前記光検出器
   は、複数の前記レーザ源の各々の前記パルス発振に同期
   して前記第１および第２のレーザの各々の照射部位から
   発生する散乱光の光量の大小を個別に検出する構成、 または、複数の前記レーザ源の各々は、互いに異なる波
   長の前記第１および第２のレーザを発振し、前記光検出
   器は、波長の異なる前記第１および第２のレーザの前記
   照射部位から発生する前記波長の異なる前記散乱光を、
   当該波長を選択的に透過または遮断するフィルタを通し
   て選択的に検出することで、前記第１および第２のレー
   ザの各々の照射部位から発生する散乱光を個別に検出す
   る構成、 のいずれかの構成を備えたことを特徴とする外観検査装
   置。
8. 【請求項８】 請求項５，６または７記載の外観検査装
   置において、前記欠陥は、前記対象物の表面に付着した
   粒子、および前記対象物の表面に形成されたピットのい
   ずれかであり、前記対象物の表面に対してほぼ垂直な前
   記入射角度で照射される前記第１のレーザにて前記粒子
   および前記ピットの双方を検出し、前記対象物の表面に
   対して傾斜した前記入射角度で照射される前記第２のレ
   ーザにて前記粒子のみを選択的に検出し、前記判定論理
   は、前記第１および第２のレーザによる前記欠陥の検出
   結果の組み合わせから、前記欠陥が前記粒子および前記
   ピットのいずれであるかを弁別することを特徴とする外
   観検査装置。
9. 【請求項９】 半導体ウェハに回路パターンを形成する
   半導体装置の製造方法であって、 前記半導体ウェハの外観検査に、請求項１，２，３また
   は４記載の外観検査方法、または請求項５，６，７また
   は８記載の外観検査装置を用いることを特徴とする半導
   体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
    であって、 前記外観検査は、ウェハプロセスに供される研磨ウェハ
    における付着異物および研磨ウェハの表面に存在するピ
    ットを弁別して検査する外観検査であることを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。