JP2964974B2 - 異物検査方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は異物検査方法に係わ
り、特にレーザー光を使用した半導体ウエハの検査方法
に関する。
り、特にレーザー光を使用した半導体ウエハの検査方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置の検査方法に
ついて、図４を参照して説明する。
ついて、図４を参照して説明する。
【０００３】図４（Ａ）は、異物検査装置を用いて基板
表面をレーザー光で走査することにより得られる散乱光
強度取込み波形図であり、縦軸に検出された散乱光強
度、横軸に時間（走査時間）をとり、（ａ）−（ｅ）の
５つの波形が示されている。
表面をレーザー光で走査することにより得られる散乱光
強度取込み波形図であり、縦軸に検出された散乱光強
度、横軸に時間（走査時間）をとり、（ａ）−（ｅ）の
５つの波形が示されている。
【０００４】図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の波形を任意の
散乱光の強度（各波形のピーク値、以下同様）で分類し
た結果の一例である。そして、これらの散乱光強度取込
み波形を得るための検査装置の構成図は、図２である。
散乱光の強度（各波形のピーク値、以下同様）で分類し
た結果の一例である。そして、これらの散乱光強度取込
み波形を得るための検査装置の構成図は、図２である。
【０００５】図２を参照して、レーザー３から出力され
るレーザー光１は、基板駆動部７により直進回転運動
（渦巻き状）する半導体ウエハ（以後、ウエハ、と称
す）５の表面に垂直に照射される。
るレーザー光１は、基板駆動部７により直進回転運動
（渦巻き状）する半導体ウエハ（以後、ウエハ、と称
す）５の表面に垂直に照射される。
【０００６】ウエハ５上に異物６がない場合は、ウエハ
表面に垂直に入射してきたレーザー光１は全反射し、レ
ーザー光の散乱を伴わない。よって、ウエハ表面より任
意の角度で取り付けれれている光検出器４では、光を検
出しない。
表面に垂直に入射してきたレーザー光１は全反射し、レ
ーザー光の散乱を伴わない。よって、ウエハ表面より任
意の角度で取り付けれれている光検出器４では、光を検
出しない。
【０００７】ウエハ５上に異物６がある場合は、ウエハ
表面に垂直に入射してきたレーザー光１は異物６により
散乱され、光検出器４により散乱光強度として検出され
る。レーザー光１でウエハ５全面を渦巻状に走査して得
られる散乱光の散乱光強度変化を連続的に取り込み、そ
の散乱光強度取込み波形の一部を示したのが、図４
（Ａ）である。
表面に垂直に入射してきたレーザー光１は異物６により
散乱され、光検出器４により散乱光強度として検出され
る。レーザー光１でウエハ５全面を渦巻状に走査して得
られる散乱光の散乱光強度変化を連続的に取り込み、そ
の散乱光強度取込み波形の一部を示したのが、図４
（Ａ）である。
【０００８】従来のこの種の検査装置は、各波形におい
て得られた散乱光の強度を任意のレベル（Ｌ１、Ｌ２、
Ｌ３）で類別し、散乱光の強度の大きい場合は大きい異
物、小さい場合は小さい異物として、散乱光の強度を異
物の大小に置き換えて分類していた。
て得られた散乱光の強度を任意のレベル（Ｌ１、Ｌ２、
Ｌ３）で類別し、散乱光の強度の大きい場合は大きい異
物、小さい場合は小さい異物として、散乱光の強度を異
物の大小に置き換えて分類していた。
【０００９】図４（Ａ）を元に散乱光の強度を異物の大
小で各波形を分類すると、散乱光の強度ＸがＬ１＜Ｘ＜
Ｌ２に該当する異物（Ｌ１レベル）は２ヶになる。同様
に散乱光の強度ＸがＬ２＜Ｘ＜Ｌ３に該当する異物（Ｌ
２レベル）も２ヶになる。Ｌ３レベルの異物は散乱光の
強度ＸがＬ３＜Ｘであり、０ヶである。これらの結果を
示したのが図４（Ｂ）である。
小で各波形を分類すると、散乱光の強度ＸがＬ１＜Ｘ＜
Ｌ２に該当する異物（Ｌ１レベル）は２ヶになる。同様
に散乱光の強度ＸがＬ２＜Ｘ＜Ｌ３に該当する異物（Ｌ
２レベル）も２ヶになる。Ｌ３レベルの異物は散乱光の
強度ＸがＬ３＜Ｘであり、０ヶである。これらの結果を
示したのが図４（Ｂ）である。
【００１０】従来のこの種の検査装置の場合、散乱光の
強度の大小のみで異物の大小を表現していた。その結
果、異物の種類による散乱率の違いが、散乱光の強度と
異物の大小との関係を不明確にしていた。
強度の大小のみで異物の大小を表現していた。その結
果、異物の種類による散乱率の違いが、散乱光の強度と
異物の大小との関係を不明確にしていた。
【００１１】例えば、同一状況でレーザー光を照射した
とき、散乱率の違いにより、同じ大きさでもシリコンの
破片は樹脂の破片より散乱光の強度が大きくなる。
とき、散乱率の違いにより、同じ大きさでもシリコンの
破片は樹脂の破片より散乱光の強度が大きくなる。
【００１２】よって、散乱光の強度のみでの異物の大き
さ分類を行うと、散乱率の違う異物が混在した場合、異
物の大きさでの分類が不正確になる。
さ分類を行うと、散乱率の違う異物が混在した場合、異
物の大きさでの分類が不正確になる。
【００１３】次に特開昭６２−１２１３３９号公報に
「表面欠陥検査装置」と題して開示されてある従来技術
を説明する。これは、異物が付着している基板材料の光
学的性質に依存せずに、同一基準で異物の大きさを判別
する装置である。したがって、異物種による散乱率の違
いは特に考慮されていないので、同一基準で散乱率の異
なる異物の大きさを正しく判別することが出来ない。
「表面欠陥検査装置」と題して開示されてある従来技術
を説明する。これは、異物が付着している基板材料の光
学的性質に依存せずに、同一基準で異物の大きさを判別
する装置である。したがって、異物種による散乱率の違
いは特に考慮されていないので、同一基準で散乱率の異
なる異物の大きさを正しく判別することが出来ない。
【００１４】続いて特開平４−２４５６６０号公報に
「異物検査方法」と題して開示されてある従来技術を説
明する。これは、ウエハ基板上にレーザー光を低角度で
２本直交させて異物に照射することで、異物の付着個
数、基板上の付着位置と形状を正確に検査しようとする
方法である。したがってこの従来技術においても、異物
種固有の散乱率の違いが考慮されていないので、散乱率
の異なる異物の大きさを正しく分類する事は不可能であ
る。
「異物検査方法」と題して開示されてある従来技術を説
明する。これは、ウエハ基板上にレーザー光を低角度で
２本直交させて異物に照射することで、異物の付着個
数、基板上の付着位置と形状を正確に検査しようとする
方法である。したがってこの従来技術においても、異物
種固有の散乱率の違いが考慮されていないので、散乱率
の異なる異物の大きさを正しく分類する事は不可能であ
る。
【００１５】最後に特開平５−６９２９号公報に「ウエ
ハ異物検査方法及び装置」と題して開示されてある従来
技術を説明する。これは、予め大きさの分かっている異
物にレーザー光を照射して得られた反射光と散乱光の関
係から、未知の異物の大きさを算出するものである。こ
の場合は、予め異物に対する反射光と散乱光の関係を確
認するので、散乱率の異なる異物についても、ある程度
の分類は可能であると思われる。しかしながら、基板上
に付着する異物を全て事前に確認することは無理であ
り、よって、基板上の異物を全て分類する事はできな
い。
ハ異物検査方法及び装置」と題して開示されてある従来
技術を説明する。これは、予め大きさの分かっている異
物にレーザー光を照射して得られた反射光と散乱光の関
係から、未知の異物の大きさを算出するものである。こ
の場合は、予め異物に対する反射光と散乱光の関係を確
認するので、散乱率の異なる異物についても、ある程度
の分類は可能であると思われる。しかしながら、基板上
に付着する異物を全て事前に確認することは無理であ
り、よって、基板上の異物を全て分類する事はできな
い。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来の問題点は、散乱光の強度のみで異物の大きさ分類を
行うと、散乱率の異なる異物が混在した場合、その大き
さの分類が不正確になる点である。
来の問題点は、散乱光の強度のみで異物の大きさ分類を
行うと、散乱率の異なる異物が混在した場合、その大き
さの分類が不正確になる点である。
【００１７】その理由は、従来のこの種の検査方法の場
合、散乱光の強度の大小のみで異物を表現していたか
ら、その結果、異物の種類による散乱率の違いが、散乱
光の強度と異物の大小との関係を不明確にしていたから
である。
合、散乱光の強度の大小のみで異物を表現していたか
ら、その結果、異物の種類による散乱率の違いが、散乱
光の強度と異物の大小との関係を不明確にしていたから
である。
【００１８】例えば、同一状況でレーザー光を照射した
とき、散乱率の違いにより、シリコンの破片は樹脂の破
片より散乱光の強度が大きくなる。よって、従来のこの
種の検査方法では、同じ大きさの破片でも、シリコンの
破片は樹脂の破片より大きい異物と判断してしまう。
とき、散乱率の違いにより、シリコンの破片は樹脂の破
片より散乱光の強度が大きくなる。よって、従来のこの
種の検査方法では、同じ大きさの破片でも、シリコンの
破片は樹脂の破片より大きい異物と判断してしまう。
【００１９】本発明の目的は、同一基準で散乱率の異な
る種類の異物の大きさを正しく判別できる検査方法を提
供することである。
る種類の異物の大きさを正しく判別できる検査方法を提
供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、レーザ
ー光を使用して基板表面の異物を検査する方法におい
て、前記基板表面をレーザー光で走査し、そのレーザー
光が異物に照射された時に得られる散乱光の強度および
その強度分布の幅を用いて異物を分類する異物検査方法
にある。ここで、前記基板は半導体装置の製造段階にお
ける半導体ウエハであることが好ましい。この場合、前
記異物にはシリコンの破片と樹脂の破片とを含み、前記
シリコンの破片と前記樹脂の破片とを分類することがで
きる。また、前記強度分布の幅は所定の散乱光強度レベ
ル以上の時間で示すことができる。あるいは、前記強度
分布の幅はそれぞれの波形において、（散乱光強度分布
の積分値）／（散乱光の強度：波形のピーク値）で算出
した時間で示すことができる。
ー光を使用して基板表面の異物を検査する方法におい
て、前記基板表面をレーザー光で走査し、そのレーザー
光が異物に照射された時に得られる散乱光の強度および
その強度分布の幅を用いて異物を分類する異物検査方法
にある。ここで、前記基板は半導体装置の製造段階にお
ける半導体ウエハであることが好ましい。この場合、前
記異物にはシリコンの破片と樹脂の破片とを含み、前記
シリコンの破片と前記樹脂の破片とを分類することがで
きる。また、前記強度分布の幅は所定の散乱光強度レベ
ル以上の時間で示すことができる。あるいは、前記強度
分布の幅はそれぞれの波形において、（散乱光強度分布
の積分値）／（散乱光の強度：波形のピーク値）で算出
した時間で示すことができる。
【００２１】すなわち本発明は、散乱光の強度とその強
度分布との関係は、任意の異物から出る異物固有の関係
があることに着目し、散乱光の強度とその強度分布の幅
をそれぞれ適当な値で分類するものである。
度分布との関係は、任意の異物から出る異物固有の関係
があることに着目し、散乱光の強度とその強度分布の幅
をそれぞれ適当な値で分類するものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２３】図１は本発明の第１の実施の形態の検査方
法を示す図である。図１（Ａ）は図４（Ａ）と同様に、
基板表面をレーザー光で走査し、得られる散乱光強度取
込み波形図であり、縦軸に検出された散乱光強度、横軸
に時間（走査時間）をとり、（ａ）−（ｅ）の５つの波
形が示されている。
法を示す図である。図１（Ａ）は図４（Ａ）と同様に、
基板表面をレーザー光で走査し、得られる散乱光強度取
込み波形図であり、縦軸に検出された散乱光強度、横軸
に時間（走査時間）をとり、（ａ）−（ｅ）の５つの波
形が示されている。
【００２４】すなわち、図１（Ａ）は、本発明の第１の
実施の形態の検査方法で基板表面、例えばウエハ表面を
レーザー光で走査し、得られる散乱光強度取込み波形の
概念図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の波形を任意
の散乱光の強度すなわち波形のピーク値と、その強度波
形の幅（時間）とで分類した結果の一例である。そし
て、これらの散乱光強度取込波形を得るために図２で示
す検査装置を用いることが出来る。
実施の形態の検査方法で基板表面、例えばウエハ表面を
レーザー光で走査し、得られる散乱光強度取込み波形の
概念図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の波形を任意
の散乱光の強度すなわち波形のピーク値と、その強度波
形の幅（時間）とで分類した結果の一例である。そし
て、これらの散乱光強度取込波形を得るために図２で示
す検査装置を用いることが出来る。
【００２５】レーザー光３から出力される例えば３０ｍ
Ｗのレーザー光１は、基板駆動部７により直進回転運動
（渦巻き状）するウエハ５表面に垂直に照射される。ウ
エハ５上に異物６がない場合は、ウエハ表面に垂直に入
射してきたレーザー光１は全反射し、レーザー光の散乱
を伴わない。よって、ウエハ表面より任意の角度、例え
ば３０度の角度で取り付けられている光検出器４では、
光検出しない。
Ｗのレーザー光１は、基板駆動部７により直進回転運動
（渦巻き状）するウエハ５表面に垂直に照射される。ウ
エハ５上に異物６がない場合は、ウエハ表面に垂直に入
射してきたレーザー光１は全反射し、レーザー光の散乱
を伴わない。よって、ウエハ表面より任意の角度、例え
ば３０度の角度で取り付けられている光検出器４では、
光検出しない。
【００２６】ウエハ５上に異物がある場合は、ウエハ表
面に垂直に入射してきたレーザー光１は異物６により散
乱され、ウエハ表面より任意の角度、例えば３０度の角
度で取り付けられている光検出器４により散乱光強度と
して検出される。
面に垂直に入射してきたレーザー光１は異物６により散
乱され、ウエハ表面より任意の角度、例えば３０度の角
度で取り付けられている光検出器４により散乱光強度と
して検出される。
【００２７】レーザー光１でウエハ５全面を渦巻状に走
査して得られる散乱光の散乱光強度変化を連続的に取り
組み、その散乱光強度取込波形の一部分を示したのが、
図１（Ａ）である。
査して得られる散乱光の散乱光強度変化を連続的に取り
組み、その散乱光強度取込波形の一部分を示したのが、
図１（Ａ）である。
【００２８】本発明の検査方法では、得られた散乱光の
強度（波形のピーク値）Ｘを任意のレベル（Ｌ１、Ｌ
２、Ｌ３）で類別し、さらに散乱光強度分布の幅Ｙでも
任意のレベル（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３）で類別し、２次元的
に異物を分類する。
強度（波形のピーク値）Ｘを任意のレベル（Ｌ１、Ｌ
２、Ｌ３）で類別し、さらに散乱光強度分布の幅Ｙでも
任意のレベル（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３）で類別し、２次元的
に異物を分類する。
【００２９】図１（Ａ）を元に散乱光の強度とその強度
分布の幅で異物種と大きさに分類すると、例えば散乱光
の強度がＬ１＜Ｘ＜Ｌ２、強度分布幅がＷ１＜Ｙ＜Ｗ２
に該当する異物（Ｌ１Ｗ１レベル）は１ヶになる。
分布の幅で異物種と大きさに分類すると、例えば散乱光
の強度がＬ１＜Ｘ＜Ｌ２、強度分布幅がＷ１＜Ｙ＜Ｗ２
に該当する異物（Ｌ１Ｗ１レベル）は１ヶになる。
【００３０】同様に、散乱光の強度がＬ２＜Ｘ＜Ｌ３、
強度分布幅がＷ３＜Ｙに該当する異物（Ｌ２Ｗ３レベ
ル）も１ヶになる。
強度分布幅がＷ３＜Ｙに該当する異物（Ｌ２Ｗ３レベ
ル）も１ヶになる。
【００３１】Ｌ３レベルの異物は散乱光の強度がＬ３＜
Ｘであり、０ヶである。これらの結果を示したのが図１
（Ｂ）である。
Ｘであり、０ヶである。これらの結果を示したのが図１
（Ｂ）である。
【００３２】図１（Ａ）において、例えば、シリコンの
破片から得られる散乱光強度波形はナローな波形（ｃ）
であり、樹脂のは破片から得られる散乱光強度波形はブ
ロードな波形（ｄ）である。
破片から得られる散乱光強度波形はナローな波形（ｃ）
であり、樹脂のは破片から得られる散乱光強度波形はブ
ロードな波形（ｄ）である。
【００３３】例えば、散乱光の強度をしきい値１０ｍ
Ｖ、１５ｍＶ、４０ｍＶで類別し、更に所定の散乱光強
度レベル（異物の存在が問題とならない程度の低レベ
ル）Ｌ０をクロスする波形部間の幅で規定する散乱光強
度分布の幅Ｙでも、走査している間に散乱光を検知して
いる時間のしきい値０．０５ｍ秒、０．０７ｍ秒、０．
１０ｍ秒で分類することにより、２次元的に異物を分類
する。その結果、例えば散乱光の強度Ｘが１０ｍＶ＜Ｘ
１５ｍＶ、強度分布幅Ｙが０．０５ｍ秒＜Ｙ＜０．０７
ｍ秒に該当する異物（Ｌ１Ｗ１レベル）は１ヶになる。
同様に散乱光強度が１０ｍＶ＜Ｘ１５ｍＶ、強度分布幅
が０．１ｍ秒＜Ｙに該当する異物（Ｌ２Ｗ３レベル）も
１ヶになる。Ｌ３レベルの異物は散乱光強度が４０ｍＶ
＜Ｘであり、０ヶである。これらの結果を示したのが図
１（Ｂ）である。
Ｖ、１５ｍＶ、４０ｍＶで類別し、更に所定の散乱光強
度レベル（異物の存在が問題とならない程度の低レベ
ル）Ｌ０をクロスする波形部間の幅で規定する散乱光強
度分布の幅Ｙでも、走査している間に散乱光を検知して
いる時間のしきい値０．０５ｍ秒、０．０７ｍ秒、０．
１０ｍ秒で分類することにより、２次元的に異物を分類
する。その結果、例えば散乱光の強度Ｘが１０ｍＶ＜Ｘ
１５ｍＶ、強度分布幅Ｙが０．０５ｍ秒＜Ｙ＜０．０７
ｍ秒に該当する異物（Ｌ１Ｗ１レベル）は１ヶになる。
同様に散乱光強度が１０ｍＶ＜Ｘ１５ｍＶ、強度分布幅
が０．１ｍ秒＜Ｙに該当する異物（Ｌ２Ｗ３レベル）も
１ヶになる。Ｌ３レベルの異物は散乱光強度が４０ｍＶ
＜Ｘであり、０ヶである。これらの結果を示したのが図
１（Ｂ）である。
【００３４】本発明の検査方法の場合、散乱光の強度
と、その強度分布の幅を異物の分類に利用する事で、同
一基準で散乱率の異なる異物の大きさを正しく判別する
ことができる。例えば、同一状況でレーザー光を照射し
たときの散乱率の違いにより、シリコンの破片は樹脂の
破片より散乱光強度が大きくなるが、強度分布の幅が小
さくなるので、２次元的に異物を分類すると異なるエリ
アに分類される。
と、その強度分布の幅を異物の分類に利用する事で、同
一基準で散乱率の異なる異物の大きさを正しく判別する
ことができる。例えば、同一状況でレーザー光を照射し
たときの散乱率の違いにより、シリコンの破片は樹脂の
破片より散乱光強度が大きくなるが、強度分布の幅が小
さくなるので、２次元的に異物を分類すると異なるエリ
アに分類される。
【００３５】すなわち、散乱率の違う異物が混在した場
合でも、散乱光の強度とその強度分布の幅との関係は、
任意の異物から出る異物固有の関係があるので、異物種
別に大きさを正確に分類する事が出来る。
合でも、散乱光の強度とその強度分布の幅との関係は、
任意の異物から出る異物固有の関係があるので、異物種
別に大きさを正確に分類する事が出来る。
【００３６】次に、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００３７】図３は本発明の第２の実施の形態の検査方
法を示す図である。図１（Ａ）と同様に図３（Ａ）は、
本発明の第２の実施の形態の検査方法で基板表面、例え
ばウエハ表面をレーザー光で走査し、得られる散乱光強
度取込み波形の概念図である。図３（Ｂ）は、図３
（Ａ）の波形を任意の散乱光の強度Ｘと、強度分布の積
分値を散乱光の強度（各波形のピーク値）で除すことで
算出した時間幅幅Ｙをｗ値で分類した結果の一例であ
る。そして、これらの散乱光強度取込波形を得るために
も図２で示す検査装置を用いることが出来る。
法を示す図である。図１（Ａ）と同様に図３（Ａ）は、
本発明の第２の実施の形態の検査方法で基板表面、例え
ばウエハ表面をレーザー光で走査し、得られる散乱光強
度取込み波形の概念図である。図３（Ｂ）は、図３
（Ａ）の波形を任意の散乱光の強度Ｘと、強度分布の積
分値を散乱光の強度（各波形のピーク値）で除すことで
算出した時間幅幅Ｙをｗ値で分類した結果の一例であ
る。そして、これらの散乱光強度取込波形を得るために
も図２で示す検査装置を用いることが出来る。
【００３８】すなわち、第１の実施の形態と同様の方法
で得られる散乱光の散乱光強度変化を連続的に取り組
み、その散乱光強度取込み波形の一部分を示した図３
（Ａ）において、得られた散乱光の強度（波形のピーク
値）Ｘを任意のレベル（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）で類別し、
更に散乱光強度分布の積分値（各波形（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）において、右上のハチングを付した面
積）を散乱光の強度Ｘでそれぞれ除して算出したＹ値を
任意のレベル（ｗ１、ｗ２、ｗ３）で類別し、２次元的
に異物を分類する。
で得られる散乱光の散乱光強度変化を連続的に取り組
み、その散乱光強度取込み波形の一部分を示した図３
（Ａ）において、得られた散乱光の強度（波形のピーク
値）Ｘを任意のレベル（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）で類別し、
更に散乱光強度分布の積分値（各波形（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）において、右上のハチングを付した面
積）を散乱光の強度Ｘでそれぞれ除して算出したＹ値を
任意のレベル（ｗ１、ｗ２、ｗ３）で類別し、２次元的
に異物を分類する。
【００３９】図３（Ａ）を元に散乱光の強度Ｘとその幅
値Ｙで異物の大きさを分類すると、例えば散乱光の強度
ＸがＬ１＜Ｘ＜Ｌ２、幅値Ｙがｗ１＜Ｙ＜ｗ２に該当す
る異物（Ｌ１ｗ１レベル）は１ヶになる。同様に散乱光
の強度ＸがＬ１＜Ｘ＜Ｌ２、幅値Ｙがｗ３＜Ｙに該当す
る異物（Ｌ２ｗ３レベル）も１ヶになる。Ｌ３レベルの
異物は散乱光の強度がＬ３＜Ｘであり、０ヶである。こ
れらの結果を示したのが図３（Ｂ）である。このように
ｗ値で前第１の実施の形態と同様に分類することもでき
る。
値Ｙで異物の大きさを分類すると、例えば散乱光の強度
ＸがＬ１＜Ｘ＜Ｌ２、幅値Ｙがｗ１＜Ｙ＜ｗ２に該当す
る異物（Ｌ１ｗ１レベル）は１ヶになる。同様に散乱光
の強度ＸがＬ１＜Ｘ＜Ｌ２、幅値Ｙがｗ３＜Ｙに該当す
る異物（Ｌ２ｗ３レベル）も１ヶになる。Ｌ３レベルの
異物は散乱光の強度がＬ３＜Ｘであり、０ヶである。こ
れらの結果を示したのが図３（Ｂ）である。このように
ｗ値で前第１の実施の形態と同様に分類することもでき
る。
【００４０】この第２の実施の形態は、散乱光強度波形
の積分値で分類するので波形のＳ／Ｎ比が小さい場合に
も、波形の時間幅から直接分類する第１の実施の形態よ
り、正確にｗの比較を行うことができる。
の積分値で分類するので波形のＳ／Ｎ比が小さい場合に
も、波形の時間幅から直接分類する第１の実施の形態よ
り、正確にｗの比較を行うことができる。
【００４１】一方第１の実施の形態では積分を行わない
から、第２の実施の形態より、短かい時間で異物検査を
行うことができる。
から、第２の実施の形態より、短かい時間で異物検査を
行うことができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、同
一基準で散乱率の異なる未知の異物に対しても、その大
きさを正しく判別することが出来るという効果を有す
る。例えば、ウエハ上のシリコンの破片と樹脂の破片と
を区別してそれぞれの大きさを判断することができる。
一基準で散乱率の異なる未知の異物に対しても、その大
きさを正しく判別することが出来るという効果を有す
る。例えば、ウエハ上のシリコンの破片と樹脂の破片と
を区別してそれぞれの大きさを判断することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図であり、
（Ａ）は散乱光強度取込み波形、（Ｂ）は（Ａ）を分類
した結果をそれぞれ示している。
（Ａ）は散乱光強度取込み波形、（Ｂ）は（Ａ）を分類
した結果をそれぞれ示している。
【図２】レーザー光を用いた異物検査装置の概念を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す図であり、
（Ａ）は散乱光強度取込み波形、（Ｂ）は（Ａ）を分類
した結果をそれぞれ示している。
（Ａ）は散乱光強度取込み波形、（Ｂ）は（Ａ）を分類
した結果をそれぞれ示している。
【図４】従来技術を示す図であり、（Ａ）は散乱光強度
取込み波形、（Ｂ）は（Ａ）を分類した結果をそれぞれ
示している。
取込み波形、（Ｂ）は（Ａ）を分類した結果をそれぞれ
示している。
１ レーザー光 ２ 散乱光 ３ レーザー ４ 光検出器 ５ ウエハ（基板） ６ 異物 ７ 基板駆動部
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザー光を使用して基板表面の異物を
検査する方法において、前記基板表面をレーザー光で走
査し、そのレーザー光が異物に照射された時に得られる
散乱光の強度およびその強度分布の幅を用いて異物を分
類することを特徴とする異物検査方法。 - 【請求項２】 前記基板は半導体装置の製造段階におけ
る半導体ウエハであることを特徴とする請求項１記載の
異物検査方法。 - 【請求項３】 前記異物にはシリコンの破片と樹脂の破
片とを含み、前記シリコンの破片と前記樹脂の破片とを
分類することを特徴とする請求項１もしくは請求項２記
載の異物検査方法。 - 【請求項４】 前記強度分布の幅は所定の散乱光強度レ
ベル以上の時間で示すことを特徴とする請求項１記載の
異物検査方法。 - 【請求項５】 前記強度分布の幅は（散乱光強度分布の
積分値）／（散乱光の強度）で算出することを特徴とす
る請求項１記載の異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2883397A JP2964974B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2883397A JP2964974B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 異物検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10227743A JPH10227743A (ja) | 1998-08-25 |
| JP2964974B2 true JP2964974B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=12259391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2883397A Expired - Fee Related JP2964974B2 (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964974B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5564807B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2014-08-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP2883397A patent/JP2964974B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10227743A (ja) | 1998-08-25 |
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|---|---|---|---|
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