JPH09318552A - 物質の結晶方向を検出する方法及びその装置 - Google Patents
物質の結晶方向を検出する方法及びその装置Info
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- JPH09318552A JPH09318552A JP13373296A JP13373296A JPH09318552A JP H09318552 A JPH09318552 A JP H09318552A JP 13373296 A JP13373296 A JP 13373296A JP 13373296 A JP13373296 A JP 13373296A JP H09318552 A JPH09318552 A JP H09318552A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハの表面に光を照射して反射した
光の受光量によって結晶方向を自動的に検出でき、半導
体ウェハ加工ラインの自動化を図ることができる方法及
び装置を提供することである。 【解決手段】 投光器２から角度Θ1が１０°＜Θ1＜３
０°の範囲でＧａＡｓ半導体ウェハ１の表面に光９を当
てると、その表面の凹凸が一定の規則性を有するため、
その反射光１０は一定の角度Θ2（４５°＜Θ2＜１３５
°）のところで検出できる。かかる検出された反射光１
０の強弱の差が最も大きい位置、即ち、最も強い反射光
１０の場合の光検知セット１４の位置によって求められ
る方向と、最も弱い反射光１０場合の光検知セット１４
の位置によって求められる方向が、ＧａＡｓ半導体ウェ
ハ１の結晶方向となる。
光の受光量によって結晶方向を自動的に検出でき、半導
体ウェハ加工ラインの自動化を図ることができる方法及
び装置を提供することである。 【解決手段】 投光器２から角度Θ1が１０°＜Θ1＜３
０°の範囲でＧａＡｓ半導体ウェハ１の表面に光９を当
てると、その表面の凹凸が一定の規則性を有するため、
その反射光１０は一定の角度Θ2（４５°＜Θ2＜１３５
°）のところで検出できる。かかる検出された反射光１
０の強弱の差が最も大きい位置、即ち、最も強い反射光
１０の場合の光検知セット１４の位置によって求められ
る方向と、最も弱い反射光１０場合の光検知セット１４
の位置によって求められる方向が、ＧａＡｓ半導体ウェ
ハ１の結晶方向となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物質の結晶方向を
検出する方法及びその装置に関し、特に、化合物半導体
ウェハの結晶方向を検出する方法及びその装置に関す
る。
検出する方法及びその装置に関し、特に、化合物半導体
ウェハの結晶方向を検出する方法及びその装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、結晶にはある種の対称性があ
り、一定の結晶方向と常に同じ角度をなす２つの面が得
られることが知られている。また、ＧａＡｓ半導体ウェ
ハ等の半導体ウェハでは、その薄片試料作製などの場合
にウェハの結晶方向の検出が重要となっている。例え
ば、ＧａＡｓ半導体ウェハでレーザダイオードを製造す
るにあたりメサエッチを利用する場合にＧａＡｓ半導体
ウェハの結晶方向（＜０１１＞方向と＜０１Ｔ＞方向）
が厳密に区別される必要がある。かかる結晶方向を一般
にメサ方向という。以下、＜０１Ｔ＞のＴはバー１ある
いは反転１を意味する。
り、一定の結晶方向と常に同じ角度をなす２つの面が得
られることが知られている。また、ＧａＡｓ半導体ウェ
ハ等の半導体ウェハでは、その薄片試料作製などの場合
にウェハの結晶方向の検出が重要となっている。例え
ば、ＧａＡｓ半導体ウェハでレーザダイオードを製造す
るにあたりメサエッチを利用する場合にＧａＡｓ半導体
ウェハの結晶方向（＜０１１＞方向と＜０１Ｔ＞方向）
が厳密に区別される必要がある。かかる結晶方向を一般
にメサ方向という。以下、＜０１Ｔ＞のＴはバー１ある
いは反転１を意味する。
【０００３】この半導体ウェハのメサ方向は、一般にエ
ッチング法といわれる方法で検出することができる。か
かるエッチング法においては、結晶方向の検出をする半
導体ウェハとかかる半導体ウェハを腐食する腐食剤（エ
ッチング液）と顕微鏡によって、半導体ウェハの結晶方
向を検出することとなる。
ッチング法といわれる方法で検出することができる。か
かるエッチング法においては、結晶方向の検出をする半
導体ウェハとかかる半導体ウェハを腐食する腐食剤（エ
ッチング液）と顕微鏡によって、半導体ウェハの結晶方
向を検出することとなる。
【０００４】図３に、従来からの半導体ウェハのエッチ
ングによる結晶方向の検出方法を表わす流れ図を示す。
かかるエッチング法は、腐食法とも呼ばれ、例えば、結
晶の方向が容易に解るようにＧａＡｓ半導体結晶に予め
マーキング等の異形状処理を施しておき（ステップ２
０）、かかるＧａＡｓ半導体結晶をＧａＡｓ半導体ウェ
ハにスライスし（ステップ３０）、かかるＧａＡｓ半導
体ウェハの１枚を例えば水酸化カリュウム（ＫＯＨ）等
の腐食剤で処理して（ステップ４０）、その結晶転位な
どを選択的にエッチさせてエッチピットを出し（ステッ
プ５０）、かかるエッチピットの方向を顕微鏡で見るこ
とによりＧａＡｓ半導体ウェハのメサ方向を検出する
（ステップ６０）こととなる。
ングによる結晶方向の検出方法を表わす流れ図を示す。
かかるエッチング法は、腐食法とも呼ばれ、例えば、結
晶の方向が容易に解るようにＧａＡｓ半導体結晶に予め
マーキング等の異形状処理を施しておき（ステップ２
０）、かかるＧａＡｓ半導体結晶をＧａＡｓ半導体ウェ
ハにスライスし（ステップ３０）、かかるＧａＡｓ半導
体ウェハの１枚を例えば水酸化カリュウム（ＫＯＨ）等
の腐食剤で処理して（ステップ４０）、その結晶転位な
どを選択的にエッチさせてエッチピットを出し（ステッ
プ５０）、かかるエッチピットの方向を顕微鏡で見るこ
とによりＧａＡｓ半導体ウェハのメサ方向を検出する
（ステップ６０）こととなる。
【０００５】図４に、ＧａＡｓ半導体ウェハ１の結晶の
メサ方向を示す。かかるエッチングパターン（結晶模
様）８は、＜００１＞方向に短く、＜０１Ｔ＞方向に長
い模様となっている。
メサ方向を示す。かかるエッチングパターン（結晶模
様）８は、＜００１＞方向に短く、＜０１Ｔ＞方向に長
い模様となっている。
【０００６】また、ＧａＡｓ半導体ウェハをアンモニア
系のエッチング液等でエッチングすると、スライス加工
面やラップ加工面では特有の微小凹凸模様のエッチング
パターンが出ることとなる。これを顕微鏡で４００倍程
度に拡大して見ることにより、ＧａＡｓ半導体ウェハの
メサ方向を知ることができることとなる。
系のエッチング液等でエッチングすると、スライス加工
面やラップ加工面では特有の微小凹凸模様のエッチング
パターンが出ることとなる。これを顕微鏡で４００倍程
度に拡大して見ることにより、ＧａＡｓ半導体ウェハの
メサ方向を知ることができることとなる。
【０００７】このようにして、従来の顕微鏡によるエッ
チング方法によって、化合物半導体ウェハの結晶方向が
検出されていた。
チング方法によって、化合物半導体ウェハの結晶方向が
検出されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示したような従来のエッチング方法によれば、半導体ウ
ェハの特有の微小凹凸模様のエッチングパターンを顕微
鏡で目視しているため、半導体ウェハのメサ方向を検出
する場合には、かかるメサ方向の検出が自動化できない
という問題があった。
示したような従来のエッチング方法によれば、半導体ウ
ェハの特有の微小凹凸模様のエッチングパターンを顕微
鏡で目視しているため、半導体ウェハのメサ方向を検出
する場合には、かかるメサ方向の検出が自動化できない
という問題があった。
【０００９】また、特に半導体ウェハの製造加工の途中
でメサ方向を検出する場合には、半導体ウェハの特有の
微小凹凸模様のエッチングパターンを顕微鏡で目視して
いるため、かかるメサ方向の検出が自動化できず製造加
工を中断するなどの場合が生じ、生産性が悪くなるとい
う問題があった。
でメサ方向を検出する場合には、半導体ウェハの特有の
微小凹凸模様のエッチングパターンを顕微鏡で目視して
いるため、かかるメサ方向の検出が自動化できず製造加
工を中断するなどの場合が生じ、生産性が悪くなるとい
う問題があった。
【００１０】従って、本発明の目的は、半導体ウェハの
製造時において半導体ウェハのメサ方向を自動的に検出
でき、半導体ウェハ加工ラインの自動化を図ることがで
きる生産性の高い低コストの半導体ウェハの結晶メサ方
向の検出方法及びその装置を提供することである。
製造時において半導体ウェハのメサ方向を自動的に検出
でき、半導体ウェハ加工ラインの自動化を図ることがで
きる生産性の高い低コストの半導体ウェハの結晶メサ方
向の検出方法及びその装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、半導体ウェハの表面に光を照射し
て光を反射させ、その反射した光の受光量を測定し、そ
の受光量によって半導体ウェハの結晶方向を検出する方
法を提供する。
目的を実現するため、半導体ウェハの表面に光を照射し
て光を反射させ、その反射した光の受光量を測定し、そ
の受光量によって半導体ウェハの結晶方向を検出する方
法を提供する。
【００１２】また、前記目的を実現するため、半導体ウ
ェハの表面に光を照射する投光手段と、反射した光を受
けてその受光量を測定する受光手段と、受光量によって
半導体ウェハの結晶方向を検出する結晶方向検出手段と
を有する半導体ウェハの結晶方向の検出装置を提供す
る。
ェハの表面に光を照射する投光手段と、反射した光を受
けてその受光量を測定する受光手段と、受光量によって
半導体ウェハの結晶方向を検出する結晶方向検出手段と
を有する半導体ウェハの結晶方向の検出装置を提供す
る。
【００１３】即ち、本発明の半導体ウェハの結晶方向の
検出方法及びその装置は、半導体ウェハの結晶のメサ方
向の検出を反射光の受光量の差によることとしたので、
半導体ウェハの製造時において半導体ウェハのメサ方向
を自動的に検出でき、半導体ウェハ加工ラインの自動化
を図ることができるようにしたものである。
検出方法及びその装置は、半導体ウェハの結晶のメサ方
向の検出を反射光の受光量の差によることとしたので、
半導体ウェハの製造時において半導体ウェハのメサ方向
を自動的に検出でき、半導体ウェハ加工ラインの自動化
を図ることができるようにしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の半導体ウェハの結晶
メサ方向の検出方法及びその装置を詳細に説明する。
メサ方向の検出方法及びその装置を詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の実施の一形態を示す。この
装置は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１と、投光器２と受光器
３から成る光検知セット１４から成っている。
装置は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１と、投光器２と受光器
３から成る光検知セット１４から成っている。
【００１６】かかるＧａＡｓ半導体ウェハ１は、エッチ
ング処理が施され、その表面に微細な凹凸（模様）を有
することとなっている。また、この表面の凹凸は、一定
の規則性を有する形状となっている（図４参照）。
ング処理が施され、その表面に微細な凹凸（模様）を有
することとなっている。また、この表面の凹凸は、一定
の規則性を有する形状となっている（図４参照）。
【００１７】また、投光器２は、ＧａＡｓ半導体ウェハ
１に対して角度Θ1で設置され、受光器３は、ＧａＡｓ
半導体ウェハ１に対して角度Θ2で設置されている。
１に対して角度Θ1で設置され、受光器３は、ＧａＡｓ
半導体ウェハ１に対して角度Θ2で設置されている。
【００１８】ここで、一般には表面に微細な凹凸がある
光反射面に光を当てるとその反射光は色々な方向に散乱
することとなるが、かかる本発明の構成で、投光器２か
ら角度Θ1が１０°＜Θ1＜３０°の範囲でＧａＡｓ半導
体ウェハ１の表面に光９を当てると、その表面の凹凸が
一定の規則性を有するため、その反射光１０は一定の角
度Θ2（４５°＜Θ2＜１３５°）のところで検出できる
こととなる。
光反射面に光を当てるとその反射光は色々な方向に散乱
することとなるが、かかる本発明の構成で、投光器２か
ら角度Θ1が１０°＜Θ1＜３０°の範囲でＧａＡｓ半導
体ウェハ１の表面に光９を当てると、その表面の凹凸が
一定の規則性を有するため、その反射光１０は一定の角
度Θ2（４５°＜Θ2＜１３５°）のところで検出できる
こととなる。
【００１９】かかる検出された反射光１０の強弱の差が
最も大きい位置、即ち、最も強い反射光１０の場合の光
検知セット１４の位置によって求められる方向（＜０１
１＞）と、最も弱い反射光１０の場合の光検知セット１
４の位置によって求められる方向（＜０１Ｔ＞）が、Ｇ
ａＡｓ半導体ウェハの結晶メサ方向となる。
最も大きい位置、即ち、最も強い反射光１０の場合の光
検知セット１４の位置によって求められる方向（＜０１
１＞）と、最も弱い反射光１０の場合の光検知セット１
４の位置によって求められる方向（＜０１Ｔ＞）が、Ｇ
ａＡｓ半導体ウェハの結晶メサ方向となる。
【００２０】図２に、本発明の別の実施の一形態を示
す。この装置は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１と、投光器２
と受光器３から成る光検知セット１４と、投光器４と受
光器５から成る光検知セット１５と、２本の信号線１３
と、信号比較器６と、出力信号線７から成っている。
す。この装置は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１と、投光器２
と受光器３から成る光検知セット１４と、投光器４と受
光器５から成る光検知セット１５と、２本の信号線１３
と、信号比較器６と、出力信号線７から成っている。
【００２１】検査試料がＧａＡｓ半導体ウェハ１である
場合には、反射光の強弱の差が最大となる結晶方向が垂
直（９０°）であることが解っているため、ＧａＡｓ半
導体ウェハ１の表面上でそれぞれ直行するＸ−Ｙ軸上の
Ｘ軸上に光検知セット１４を設置し、Ｙ軸上に光検知セ
ット１５を設置する。かかる光検知セット１４、１５の
それぞれの２つの投光器２、４は、ＧａＡｓ半導体ウェ
ハ１に対して角度Θ1（Θ1＝１０°）で設置され、２つ
の受光器３、５は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１に対して角
度Θ2（Θ2＝１００°）で設置されている。更に、投光
器２と投光器４は、夫々の出射光９及び出射光１１がＧ
ａＡｓ半導体ウェハ１表面の一点Ａの位置で夫々反射す
るように設置されている。
場合には、反射光の強弱の差が最大となる結晶方向が垂
直（９０°）であることが解っているため、ＧａＡｓ半
導体ウェハ１の表面上でそれぞれ直行するＸ−Ｙ軸上の
Ｘ軸上に光検知セット１４を設置し、Ｙ軸上に光検知セ
ット１５を設置する。かかる光検知セット１４、１５の
それぞれの２つの投光器２、４は、ＧａＡｓ半導体ウェ
ハ１に対して角度Θ1（Θ1＝１０°）で設置され、２つ
の受光器３、５は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１に対して角
度Θ2（Θ2＝１００°）で設置されている。更に、投光
器２と投光器４は、夫々の出射光９及び出射光１１がＧ
ａＡｓ半導体ウェハ１表面の一点Ａの位置で夫々反射す
るように設置されている。
【００２２】また、受光器３及び受光器５には夫々信号
線１３が接続されており、信号線１３の他端には信号比
較器６が接続されている。かかる信号比較器６の信号出
力側に信号線７が接続されている。
線１３が接続されており、信号線１３の他端には信号比
較器６が接続されている。かかる信号比較器６の信号出
力側に信号線７が接続されている。
【００２３】ここで、投光器２からの出射光９は、Ｇａ
Ａｓ半導体ウェハ１表面上の点Ａで反射し、その反射光
１０は受光器３に入射することとなる。また、同様に、
投光器４からの出射光１１は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１
表面上の点Ａで反射し、その反射光１２は受光器５に入
射することとなる。
Ａｓ半導体ウェハ１表面上の点Ａで反射し、その反射光
１０は受光器３に入射することとなる。また、同様に、
投光器４からの出射光１１は、ＧａＡｓ半導体ウェハ１
表面上の点Ａで反射し、その反射光１２は受光器５に入
射することとなる。
【００２４】また、２つの光検知セット１４、１５はそ
の相対角度αを直角（α＝９０°）に保ち、出射光が常
に点Ａで反射するようにその位置を変化させる。
の相対角度αを直角（α＝９０°）に保ち、出射光が常
に点Ａで反射するようにその位置を変化させる。
【００２５】ここで、各位置での受光器３、５によって
検知された反射光１０、１２の受光量に比例した信号
が、２つの信号線１３を通じて信号比較器６に入力され
る。
検知された反射光１０、１２の受光量に比例した信号
が、２つの信号線１３を通じて信号比較器６に入力され
る。
【００２６】かかる２つの入力信号を信号比較器６によ
って比較し、その差が最大となる位置で、２つの光検知
セットの出力のどちらが大きいか（又は、小さいか）を
決定し、メサ方向検出信号を出力信号線７から出力する
ようになっている。
って比較し、その差が最大となる位置で、２つの光検知
セットの出力のどちらが大きいか（又は、小さいか）を
決定し、メサ方向検出信号を出力信号線７から出力する
ようになっている。
【００２７】以上のような半導体ウェハの結晶メサ方向
の検出装置の構成により、特に、メサ方向の検知方法を
反射光の受光量の差による検知方法としたので、半導体
ウェハの製造時において半導体ウェハのメサ方向を自動
的に検出でき、半導体ウェハ加工ラインの自動化を図る
ことができるようになった。
の検出装置の構成により、特に、メサ方向の検知方法を
反射光の受光量の差による検知方法としたので、半導体
ウェハの製造時において半導体ウェハのメサ方向を自動
的に検出でき、半導体ウェハ加工ラインの自動化を図る
ことができるようになった。
【００２８】以上、本発明の形態例を示したが、図２に
おいて、２つの光検知セット１４、１５の相対角度αを
直角（α＝９０°）に保ち、出射光が常に点Ａで反射す
るようにその位置を変化させる場合に、かかる２つの光
検知セット１４、１５を回転移動させる場合と、ＧａＡ
ｓ半導体ウェハ１を点Ａを中心に回転させる場合のどち
らでもよい。
おいて、２つの光検知セット１４、１５の相対角度αを
直角（α＝９０°）に保ち、出射光が常に点Ａで反射す
るようにその位置を変化させる場合に、かかる２つの光
検知セット１４、１５を回転移動させる場合と、ＧａＡ
ｓ半導体ウェハ１を点Ａを中心に回転させる場合のどち
らでもよい。
【００２９】また、光検知セットを１つとして、ＧａＡ
ｓ半導体ウェハ１を回転させることによって、反射光の
受光量が最大点となる位置と最少となる位置を検知する
ことによってメサ方向を検出することもできる。
ｓ半導体ウェハ１を回転させることによって、反射光の
受光量が最大点となる位置と最少となる位置を検知する
ことによってメサ方向を検出することもできる。
【００３０】更に、結晶方向を検出する物質は、その表
面の凹凸に方向性があれば半導体ウェハには限られず、
また、結晶の方向性のパターンによっては図２の角度α
を適宜変化させて対応させることができる。
面の凹凸に方向性があれば半導体ウェハには限られず、
また、結晶の方向性のパターンによっては図２の角度α
を適宜変化させて対応させることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明の物質の結晶方
向の検出方法及びその装置によれば、結晶方向の検知方
法を反射光の受光量の差による検知方法としたので、特
に、半導体ウェハの製造時において半導体ウェハのメサ
方向を自動的に検出でき、半導体ウェハ加工ラインの自
動化を図ることができるようになった。
向の検出方法及びその装置によれば、結晶方向の検知方
法を反射光の受光量の差による検知方法としたので、特
に、半導体ウェハの製造時において半導体ウェハのメサ
方向を自動的に検出でき、半導体ウェハ加工ラインの自
動化を図ることができるようになった。
【図１】本発明による半導体ウェハの結晶メサ方向の検
出装置の実施の一形態を示す概略図
出装置の実施の一形態を示す概略図
【図２】本発明による半導体ウェハの結晶メサ方向の検
出装置の実施の一形態を示す概略図
出装置の実施の一形態を示す概略図
【図３】従来の方法による半導体ウェハの結晶メサ方向
の検出方法の流れ図
の検出方法の流れ図
【図４】半導体ウェハの結晶のエッチングパターンを示
した図
した図
１ ＧａＡｓ半導体ウェハ ２ 投光器 ３ 受光器 ４ 投光器 ５ 受光器 ６ 信号比較器 ７ 信号線 ８ エッチングパターン ９ 光 １０ 反射光 １１ 光 １２ 反射光 １３ 信号線 １４ 光検知セット １５ 光検知セット
Claims (4)
- 【請求項１】物質の結晶方向を検出する方法において、 前記物質の表面に光を照射して反射させ、 前記反射した光を受けてその受光量を測定し、 前記受光量によって物質の結晶方向を検出することを特
徴とする結晶方向検出方法。 - 【請求項２】物質の結晶方向を検出する方法において、 前記物質の表面に光を照射して反射させ、 前記反射した光を受けてその受光量を測定し、 前記光を照射する方向を変化させ、 前記光の照射の方向により変化する受光量を比較して前
記結晶方向を検出することを特徴とする結晶方向検出方
法。 - 【請求項３】物質の結晶方向を検出する装置において、 前記物質の表面に光を照射する投光手段と、 前記反射した光を受けてその受光量を測定する受光手段
と、 前記受光量によって物質の結晶方向を検出する結晶方向
検出手段とを有する結晶方向検出装置。 - 【請求項４】物質の結晶方向を検出する装置において、 前記物質の表面に光を照射する投光手段と、 前記反射した光を受けてその受光量を測定する受光手段
と、 前記投光手段及び前記受光手段の前記物質に対する方向
を変える方向移動手段と、 前記受光手段に接続され、前記方向移動手段によって変
化する受光量を比較して前記結晶方向を決定する受光量
比較手段と、を有する結晶方向検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13373296A JPH09318552A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 物質の結晶方向を検出する方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13373296A JPH09318552A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 物質の結晶方向を検出する方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09318552A true JPH09318552A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15111627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13373296A Pending JPH09318552A (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 物質の結晶方向を検出する方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09318552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095816A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| CN103151283A (zh) * | 2013-02-26 | 2013-06-12 | 常州天合光能有限公司 | 一种多晶硅片晶向的检测方法及检测装置 |
-
1996
- 1996-05-28 JP JP13373296A patent/JPH09318552A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095816A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP4670562B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-04-13 | 住友電気工業株式会社 | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| CN103151283A (zh) * | 2013-02-26 | 2013-06-12 | 常州天合光能有限公司 | 一种多晶硅片晶向的检测方法及检测装置 |
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