JPH06258232A - ガラス基板用欠陥検査装置 - Google Patents
ガラス基板用欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH06258232A JPH06258232A JP7517693A JP7517693A JPH06258232A JP H06258232 A JPH06258232 A JP H06258232A JP 7517693 A JP7517693 A JP 7517693A JP 7517693 A JP7517693 A JP 7517693A JP H06258232 A JPH06258232 A JP H06258232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- light
- back surface
- optical system
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板の表面及び裏面に存在する微粒子
等の異物を各々個別に検出し、検出精度を高める。 【構成】 検出光をガラス基板に照射しながら走査し、
ガラス基板の表面または裏面の異物による散乱光を光学
系により検出して前記異物の数や大きさを検出するガラ
ス基板用欠陥検査装置に関する。前記検出光が、ガラス
基板Ｇの表面または裏面上の一点で交叉する第１及び第
２のレーザビームＬ1，Ｌ2からなり、光学系１４による
受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ一定の時間間隔で
ほぼ同一振幅の２つの受光パルスが発生したことを検出
してガラス基板Ｇの表面及び裏面に存在する異物を各々
検出する。
等の異物を各々個別に検出し、検出精度を高める。 【構成】 検出光をガラス基板に照射しながら走査し、
ガラス基板の表面または裏面の異物による散乱光を光学
系により検出して前記異物の数や大きさを検出するガラ
ス基板用欠陥検査装置に関する。前記検出光が、ガラス
基板Ｇの表面または裏面上の一点で交叉する第１及び第
２のレーザビームＬ1，Ｌ2からなり、光学系１４による
受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ一定の時間間隔で
ほぼ同一振幅の２つの受光パルスが発生したことを検出
してガラス基板Ｇの表面及び裏面に存在する異物を各々
検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板の表裏に存
在する微粒子（塵）やキズ等（以下、必要に応じ、これ
らをまとめて異物という）による欠陥を検出するための
ガラス基板用欠陥検査装置に関する。
在する微粒子（塵）やキズ等（以下、必要に応じ、これ
らをまとめて異物という）による欠陥を検出するための
ガラス基板用欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】発明者は、先に特願平４−３１２８６６
号としてこの種のガラス基板用欠陥検査装置を提案し
た。この検査装置は、第１の光源からガラス基板の表面
に検出光を照射し、基板の表裏面に存在する微粒子によ
る散乱光を、基板の表面側において基板の全反射の臨界
角近傍以内の範囲に配置された第１の検出用光学系によ
り検出して基板の表裏面の微粒子を欠陥として検出する
第１の発明、及び、第２の光源から、ガラス基板の表面
に基板を透過しない波長の短波長検出光を照射し、基板
の表面に存在する微粒子による散乱光を、基板の表面側
に配置された第２の検出用光学系により検出して基板表
面の微粒子を欠陥として検出する第２の発明等からなる
ものである。
号としてこの種のガラス基板用欠陥検査装置を提案し
た。この検査装置は、第１の光源からガラス基板の表面
に検出光を照射し、基板の表裏面に存在する微粒子によ
る散乱光を、基板の表面側において基板の全反射の臨界
角近傍以内の範囲に配置された第１の検出用光学系によ
り検出して基板の表裏面の微粒子を欠陥として検出する
第１の発明、及び、第２の光源から、ガラス基板の表面
に基板を透過しない波長の短波長検出光を照射し、基板
の表面に存在する微粒子による散乱光を、基板の表面側
に配置された第２の検出用光学系により検出して基板表
面の微粒子を欠陥として検出する第２の発明等からなる
ものである。
【０００３】上記検査装置において、理論的には、第１
の発明により基板の表裏面に存在する微粒子の数が、ま
た、第２の発明により基板の表面に存在する微粒子の数
が検出されるため、両者の差をとることにより、基板の
裏面のみに存在する微粒子の数を求めることができる。
の発明により基板の表裏面に存在する微粒子の数が、ま
た、第２の発明により基板の表面に存在する微粒子の数
が検出されるため、両者の差をとることにより、基板の
裏面のみに存在する微粒子の数を求めることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記第
１の発明では裏面に存在する微粒子からの散乱光が空気
の屈折率等の影響により臨界角の外部に出射してしま
い、光学系によって検出できない場合がある。また、前
記第２の発明では、短波長検出光の強度が比較的低いた
め、検出感度の点で問題があり、検出感度を上げようと
すれば光源や検出用光学系が高コスト化、大型化すると
いう問題があった。従って、基板の表裏面または表面に
存在する微粒子数の検出精度が必ずしも高いとはいえ
ず、必然的に基板の裏面に存在する微粒子数についても
正確には検出できなかった。
１の発明では裏面に存在する微粒子からの散乱光が空気
の屈折率等の影響により臨界角の外部に出射してしま
い、光学系によって検出できない場合がある。また、前
記第２の発明では、短波長検出光の強度が比較的低いた
め、検出感度の点で問題があり、検出感度を上げようと
すれば光源や検出用光学系が高コスト化、大型化すると
いう問題があった。従って、基板の表裏面または表面に
存在する微粒子数の検出精度が必ずしも高いとはいえ
ず、必然的に基板の裏面に存在する微粒子数についても
正確には検出できなかった。
【０００５】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、基板の表面及び
裏面に存在する微粒子等の異物を各々個別に直接検出可
能として、検出精度を大幅に向上させたガラス基板用欠
陥検査装置を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、基板の表面及び
裏面に存在する微粒子等の異物を各々個別に直接検出可
能として、検出精度を大幅に向上させたガラス基板用欠
陥検査装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、検出光をガラス基板に照射しながら
走査し、ガラス基板の表面または裏面の異物による散乱
光を光学系により検出して前記異物の数や大きさを検出
するガラス基板用欠陥検査装置において、前記検出光
が、ガラス基板の表面または裏面上の一点で交叉する第
１及び第２のレーザビームからなり、前記光学系による
受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ一定の時間間隔で
ほぼ同一振幅の２つの受光パルスが発生したことを検出
してガラス基板の表面及び裏面に存在する異物を各々検
出するものである。
め、第１の発明は、検出光をガラス基板に照射しながら
走査し、ガラス基板の表面または裏面の異物による散乱
光を光学系により検出して前記異物の数や大きさを検出
するガラス基板用欠陥検査装置において、前記検出光
が、ガラス基板の表面または裏面上の一点で交叉する第
１及び第２のレーザビームからなり、前記光学系による
受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ一定の時間間隔で
ほぼ同一振幅の２つの受光パルスが発生したことを検出
してガラス基板の表面及び裏面に存在する異物を各々検
出するものである。
【０００７】第２の発明は、検出光をガラス基板に照射
しながら走査し、ガラス基板の表面または裏面の異物に
よる散乱光を光学系により検出して前記異物の数や大き
さを検出するガラス基板用欠陥検査装置において、前記
検出光が、ガラス基板の表面または裏面上の一点に集束
するほぼ逆円錐状の検出光束からなり、前記光学系によ
る受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ一定のパルス幅
を有する受光パルスが発生したことを検出してガラス基
板の表面及び裏面に存在する異物を各々検出するもので
ある。
しながら走査し、ガラス基板の表面または裏面の異物に
よる散乱光を光学系により検出して前記異物の数や大き
さを検出するガラス基板用欠陥検査装置において、前記
検出光が、ガラス基板の表面または裏面上の一点に集束
するほぼ逆円錐状の検出光束からなり、前記光学系によ
る受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ一定のパルス幅
を有する受光パルスが発生したことを検出してガラス基
板の表面及び裏面に存在する異物を各々検出するもので
ある。
【０００８】第３の発明は、検出光をガラス基板に照射
しながら走査し、ガラス基板の表面または裏面の異物に
よる散乱光を光学系により検出して前記異物の数や大き
さを検出するガラス基板用欠陥検査装置において、前記
検出光が、ガラス基板の表面または裏面上の一点で交叉
する第１及び第２のレーザビームからなり、これらのレ
ーザビームのうち一方のみを用いて前記光学系により得
た受光パルスの数と、前記レーザビームの双方を用いて
前記光学系により得た受光パルスの数とに基づき、ガラ
ス基板の表面及び裏面に存在する異物を各々検出するも
のである。
しながら走査し、ガラス基板の表面または裏面の異物に
よる散乱光を光学系により検出して前記異物の数や大き
さを検出するガラス基板用欠陥検査装置において、前記
検出光が、ガラス基板の表面または裏面上の一点で交叉
する第１及び第２のレーザビームからなり、これらのレ
ーザビームのうち一方のみを用いて前記光学系により得
た受光パルスの数と、前記レーザビームの双方を用いて
前記光学系により得た受光パルスの数とに基づき、ガラ
ス基板の表面及び裏面に存在する異物を各々検出するも
のである。
【０００９】
【作用】第１の発明において、例えばガラス基板の表面
側から第１、第２のレーザビームを照射してこれらのビ
ームを表面上の一点で交叉させた場合、表面に存在する
微粒子等の異物により検出される受光パルスの振幅は大
きくなる。また、裏面に存在する異物による受光パルス
は、表面の異物による受光パルスよりも振幅が小さく、
しかもビームの交叉角度や走査速度に起因するほぼ一定
の時間間隔で２つ検出される。これらの受光パルスを弁
別することにより、表面のみに存在する異物と裏面のみ
に存在する異物とを個別に検出することができる。
側から第１、第２のレーザビームを照射してこれらのビ
ームを表面上の一点で交叉させた場合、表面に存在する
微粒子等の異物により検出される受光パルスの振幅は大
きくなる。また、裏面に存在する異物による受光パルス
は、表面の異物による受光パルスよりも振幅が小さく、
しかもビームの交叉角度や走査速度に起因するほぼ一定
の時間間隔で２つ検出される。これらの受光パルスを弁
別することにより、表面のみに存在する異物と裏面のみ
に存在する異物とを個別に検出することができる。
【００１０】第２の発明においては、例えばガラス基板
の表面側から検出光束を照射して表面上の一点に集束さ
せた場合、表面に存在する微粒子等の異物により検出さ
れる受光パルスの振幅は大きくなる。また、裏面に存在
する異物による受光パルスは、表面の異物による受光パ
ルスよりも振幅が小さく、しかもビームの交叉角度や走
査速度に起因するほぼ一定のパルス幅を有するものとな
る。これらの受光パルスを弁別することにより、表面の
みに存在する異物と裏面のみに存在する異物とを個別に
検出することができる。
の表面側から検出光束を照射して表面上の一点に集束さ
せた場合、表面に存在する微粒子等の異物により検出さ
れる受光パルスの振幅は大きくなる。また、裏面に存在
する異物による受光パルスは、表面の異物による受光パ
ルスよりも振幅が小さく、しかもビームの交叉角度や走
査速度に起因するほぼ一定のパルス幅を有するものとな
る。これらの受光パルスを弁別することにより、表面の
みに存在する異物と裏面のみに存在する異物とを個別に
検出することができる。
【００１１】第３の発明においては、例えばガラス基板
の裏面側から第１、第２のレーザビームを照射してこれ
らのビームを表面上の一点で交叉させた場合、第１及び
第２のレーザビームのうち一方のみを用いて得た受光パ
ルスの数は表面及び裏面に存在するすべての異物の数を
示し、第１、第２のレーザビーム双方を用いて得た受光
パルスの数は表面に存在する異物の数と裏面に存在する
異物の数を２倍したものとの和になる。この関係を用い
ることにより、裏面のみに存在する異物と表面のみに存
在する異物とを個別に検出することができる。
の裏面側から第１、第２のレーザビームを照射してこれ
らのビームを表面上の一点で交叉させた場合、第１及び
第２のレーザビームのうち一方のみを用いて得た受光パ
ルスの数は表面及び裏面に存在するすべての異物の数を
示し、第１、第２のレーザビーム双方を用いて得た受光
パルスの数は表面に存在する異物の数と裏面に存在する
異物の数を２倍したものとの和になる。この関係を用い
ることにより、裏面のみに存在する異物と表面のみに存
在する異物とを個別に検出することができる。
【００１２】
【実施例】以下、図に沿って本発明の実施例を説明す
る。図１は第１の発明の実施例の構成及び動作を概略的
に示したもので、まず、（ａ）において、Ｌ1，Ｌ2は第
１、第２のレーザビームであり、これらのビームがガラ
ス基板Ｇの表面上の一点で交叉するように各レーザ光源
（図示せず）が配置されている。なお、レーザビームＬ
1，Ｌ2の強度は同一とする。また、ガラス基板Ｇの厚さ
は便宜上、誇張して描かれている。
る。図１は第１の発明の実施例の構成及び動作を概略的
に示したもので、まず、（ａ）において、Ｌ1，Ｌ2は第
１、第２のレーザビームであり、これらのビームがガラ
ス基板Ｇの表面上の一点で交叉するように各レーザ光源
（図示せず）が配置されている。なお、レーザビームＬ
1，Ｌ2の強度は同一とする。また、ガラス基板Ｇの厚さ
は便宜上、誇張して描かれている。
【００１３】また、基板Ｇの上方には、光軸が基板Ｇに
直交する方向にレンズ１１，１２及びホトデテクタ１３
からなる検出用光学系１４が配置される。この光学系１
４は、周知のように微粒子を介したレーザビームの散乱
光を検出してパルス信号に変換し、この信号の数及び振
幅により微粒子の個数や大きさ（粒径）を検出するもの
である。
直交する方向にレンズ１１，１２及びホトデテクタ１３
からなる検出用光学系１４が配置される。この光学系１
４は、周知のように微粒子を介したレーザビームの散乱
光を検出してパルス信号に変換し、この信号の数及び振
幅により微粒子の個数や大きさ（粒径）を検出するもの
である。
【００１４】ここで、前記レーザ光源及び検出用光学系
１４は一体となってガラス基板Ｇの上方を二次元的に走
査し、それによってガラス基板Ｇの表裏に存在する微粒
子等の異物を検出するものであるが、ここでは、説明の
便宜上、レーザ光源及び検出用光学系１４が固定され、
ガラス基板Ｇが図示するように速度ｖにて相対的に移動
するものとして、この実施例の動作を以下に説明する。
１４は一体となってガラス基板Ｇの上方を二次元的に走
査し、それによってガラス基板Ｇの表裏に存在する微粒
子等の異物を検出するものであるが、ここでは、説明の
便宜上、レーザ光源及び検出用光学系１４が固定され、
ガラス基板Ｇが図示するように速度ｖにて相対的に移動
するものとして、この実施例の動作を以下に説明する。
【００１５】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板Ｇの表面に微粒子Ｄ1，Ｄ3があり、裏面に微粒子
Ｄ2，Ｄ4があるとする。始めに図１（ａ）の状態では、
表面の微粒子Ｄ1がビームＬ1，Ｌ2の交点にあるため、
その散乱光が光学系１４により検出されて図２のＰaで
示すような受光パルスを生じる。次に、ガラス基板Ｇが
相対的に移動して図１（ｂ）の状態になると、裏面にあ
る微粒子Ｄ2がビームＬ2のみによって検出され、図２の
Ｐbのように前記受光パルスＰaよりは振幅の小さい受光
パルスが検出される。
板Ｇの表面に微粒子Ｄ1，Ｄ3があり、裏面に微粒子
Ｄ2，Ｄ4があるとする。始めに図１（ａ）の状態では、
表面の微粒子Ｄ1がビームＬ1，Ｌ2の交点にあるため、
その散乱光が光学系１４により検出されて図２のＰaで
示すような受光パルスを生じる。次に、ガラス基板Ｇが
相対的に移動して図１（ｂ）の状態になると、裏面にあ
る微粒子Ｄ2がビームＬ2のみによって検出され、図２の
Ｐbのように前記受光パルスＰaよりは振幅の小さい受光
パルスが検出される。
【００１６】その後、図１（ｃ）の状態になると、裏面
の微粒子Ｄ2が今度は他方のビームＬ1のみによって検出
され、図２のＰcのように前記受光パルスＰbとほぼ同一
の振幅を持つ受光パルスが検出される。このとき、受光
パルスＰb，Ｐcの時間間隔Δｔは、ビームＬ1，Ｌ2の交
叉角度と走査速度（ガラス基板Ｇの相対的な移動速度）
とによって決まり、システムに固有の値である。
の微粒子Ｄ2が今度は他方のビームＬ1のみによって検出
され、図２のＰcのように前記受光パルスＰbとほぼ同一
の振幅を持つ受光パルスが検出される。このとき、受光
パルスＰb，Ｐcの時間間隔Δｔは、ビームＬ1，Ｌ2の交
叉角度と走査速度（ガラス基板Ｇの相対的な移動速度）
とによって決まり、システムに固有の値である。
【００１７】更に、図１（ｄ）の状態では裏面の微粒子
Ｄ4がビームＬ2により検出されて受光パルスＰdを生
じ、その直後の図１（ｅ）の状態では表面の微粒子Ｄ3
がビームＬ1，Ｌ2により検出されて受光パルスＰeを生
じ、図１（ｆ）の状態では裏面の微粒子Ｄ4がビームＬ1
により検出されて受光パルスＰfを生じる。ここで、図
２に示すごとく受光パルスＰd，Ｐfの時間間隔も前記同
様にΔｔであり、これらのパルスＰd，Ｐfの振幅も前記
受光パルスＰb，Ｐcとほぼ同一であることが明らかであ
る。
Ｄ4がビームＬ2により検出されて受光パルスＰdを生
じ、その直後の図１（ｅ）の状態では表面の微粒子Ｄ3
がビームＬ1，Ｌ2により検出されて受光パルスＰeを生
じ、図１（ｆ）の状態では裏面の微粒子Ｄ4がビームＬ1
により検出されて受光パルスＰfを生じる。ここで、図
２に示すごとく受光パルスＰd，Ｐfの時間間隔も前記同
様にΔｔであり、これらのパルスＰd，Ｐfの振幅も前記
受光パルスＰb，Ｐcとほぼ同一であることが明らかであ
る。
【００１８】従って、図２から明らかなように、ガラス
基板Ｇの表面にある微粒子による受光パルスは振幅が大
きく、しかも一つ一つがランダムに発生するのに対し、
ガラス基板Ｇの裏面にある微粒子による受光パルスは振
幅が小さく、しかも一対のパルスを構成する２つのパル
スは振幅がほぼ同一でその時間間隔Δｔはほぼ一定とな
る。このため、光学系１４以後の信号処理回路におい
て、例えば図２に示すような第１の弁別レベルＶr1を設
定しておき、受光パルスの信号レベルをこの弁別レベル
Ｖr1により弁別することで表面の微粒子による受光パル
スの数、すなわち表面の微粒子数を検出することがで
き、また、振幅の大きさによって微粒子の大きさを検出
することができる。
基板Ｇの表面にある微粒子による受光パルスは振幅が大
きく、しかも一つ一つがランダムに発生するのに対し、
ガラス基板Ｇの裏面にある微粒子による受光パルスは振
幅が小さく、しかも一対のパルスを構成する２つのパル
スは振幅がほぼ同一でその時間間隔Δｔはほぼ一定とな
る。このため、光学系１４以後の信号処理回路におい
て、例えば図２に示すような第１の弁別レベルＶr1を設
定しておき、受光パルスの信号レベルをこの弁別レベル
Ｖr1により弁別することで表面の微粒子による受光パル
スの数、すなわち表面の微粒子数を検出することがで
き、また、振幅の大きさによって微粒子の大きさを検出
することができる。
【００１９】更に、弁別レベルＶr1よりも低い第２の弁
別レベルＶr2を設定しておき、振幅がこのレベル以上か
つ第１の弁別レベルＶr1以下の受光パルスであって時間
間隔Δｔをおいて一対（２つ）の受光パルスが検出され
た場合には、これら一対の受光パルスが裏面の１個の微
粒子によるものと判断することができるから、第２の弁
別レベルＶr2及び時間間隔Δｔを用いてこのような一対
の受光パルスの数（受光パルス２つで微粒子１個に対応
する）を検出することにより、裏面の微粒子数を検出す
ることができる。更に、微粒子の大きさもある程度検出
可能である。
別レベルＶr2を設定しておき、振幅がこのレベル以上か
つ第１の弁別レベルＶr1以下の受光パルスであって時間
間隔Δｔをおいて一対（２つ）の受光パルスが検出され
た場合には、これら一対の受光パルスが裏面の１個の微
粒子によるものと判断することができるから、第２の弁
別レベルＶr2及び時間間隔Δｔを用いてこのような一対
の受光パルスの数（受光パルス２つで微粒子１個に対応
する）を検出することにより、裏面の微粒子数を検出す
ることができる。更に、微粒子の大きさもある程度検出
可能である。
【００２０】なお、本発明は、図３に示す他の実施例の
ように、ガラス基板Ｇの裏面の一点でレーザビーム
Ｌ1，Ｌ2が交叉するように各レーザ光源（図示せず）を
配置した場合にも同様に適用可能であり、この場合に
は、表面にある１個の微粒子（例えばＤ1）による受光
パルスが振幅が小さく、しかも時間間隔Δｔをおいて一
対検出され、裏面にある１個の微粒子（例えばＤ2）に
よる受光パルスは大きな振幅で１個検出される。この場
合の受光パルスの波形図及び弁別レベル等の設定は容易
に想像できるため、詳述を省略する。
ように、ガラス基板Ｇの裏面の一点でレーザビーム
Ｌ1，Ｌ2が交叉するように各レーザ光源（図示せず）を
配置した場合にも同様に適用可能であり、この場合に
は、表面にある１個の微粒子（例えばＤ1）による受光
パルスが振幅が小さく、しかも時間間隔Δｔをおいて一
対検出され、裏面にある１個の微粒子（例えばＤ2）に
よる受光パルスは大きな振幅で１個検出される。この場
合の受光パルスの波形図及び弁別レベル等の設定は容易
に想像できるため、詳述を省略する。
【００２１】次に、第２の発明の実施例を説明する。図
４はこの実施例の概略的な構成を示すもので、本実施例
は、光源１６からの検出光束を集光レンズ１５によりほ
ぼ逆円錐状の検出光束Ｌ3とし、この光束Ｌ3をガラス基
板Ｇの表面上の一点で集束するように照射して微粒子か
らの散乱光を光学系１４により検出するようにしたもの
である。なお、集光レンズ１５としては、その直径が大
きく、焦点距離の短いものが用いられる。
４はこの実施例の概略的な構成を示すもので、本実施例
は、光源１６からの検出光束を集光レンズ１５によりほ
ぼ逆円錐状の検出光束Ｌ3とし、この光束Ｌ3をガラス基
板Ｇの表面上の一点で集束するように照射して微粒子か
らの散乱光を光学系１４により検出するようにしたもの
である。なお、集光レンズ１５としては、その直径が大
きく、焦点距離の短いものが用いられる。
【００２２】この実施例においては、例えば図４に示す
ように基板表面に微粒子Ｄ1があり、基板裏面に微粒子
Ｄ2がある場合、図５に示すごとく、表面の微粒子Ｄ1に
よる受光パルスＰ1は振幅が大きく、裏面の微粒子Ｄ2に
よる受光パルスＰ2は検出光束Ｌ3の減衰によって振幅が
小さくなる。しかも、裏面の微粒子Ｄ2による受光パル
スＰ2は、ガラス基板Ｇの相対的な移動によって微粒子
Ｄ2がガラス基板Ｇの裏側の検出光束Ｌ3内を通過してい
る期間Δｔにわたり、そのレベルが“Ｈｉｇｈ”とな
る。つまり、パルス幅が期間Δｔである受光パルスＰ2
が得られる。
ように基板表面に微粒子Ｄ1があり、基板裏面に微粒子
Ｄ2がある場合、図５に示すごとく、表面の微粒子Ｄ1に
よる受光パルスＰ1は振幅が大きく、裏面の微粒子Ｄ2に
よる受光パルスＰ2は検出光束Ｌ3の減衰によって振幅が
小さくなる。しかも、裏面の微粒子Ｄ2による受光パル
スＰ2は、ガラス基板Ｇの相対的な移動によって微粒子
Ｄ2がガラス基板Ｇの裏側の検出光束Ｌ3内を通過してい
る期間Δｔにわたり、そのレベルが“Ｈｉｇｈ”とな
る。つまり、パルス幅が期間Δｔである受光パルスＰ2
が得られる。
【００２３】従って、図５のように第１及び第２の弁別
レベルＶr1，Ｖr2を設定し、受光パルスの信号レベルを
第１の弁別レベルＶr1により弁別することで表面の微粒
子による受光パルスの数、すなわち表面の微粒子数を検
出することができ、また、振幅の大きさによって微粒子
の大きさを検出することができる。
レベルＶr1，Ｖr2を設定し、受光パルスの信号レベルを
第１の弁別レベルＶr1により弁別することで表面の微粒
子による受光パルスの数、すなわち表面の微粒子数を検
出することができ、また、振幅の大きさによって微粒子
の大きさを検出することができる。
【００２４】更に、弁別レベルＶr1よりも低い第２の弁
別レベルＶr2を設定しておき、振幅がこのレベル以上か
つ第１の弁別レベルＶr1以下の受光パルスであってパル
ス幅がほぼΔｔである受光パルスが検出された場合に
は、この受光パルスが裏面の１個の微粒子によるものと
判断することができるから、第２の弁別レベルＶr2及び
期間Δｔを用いてこのような受光パルスの数を検出する
ことにより、裏面の微粒子数を検出することができる。
同時に、微粒子の大きさもある程度検出可能である。こ
の実施例においても、図３に示したごとくガラス基板Ｇ
の裏面の一点においてほぼ逆円錐状の検出光束Ｌ3が収
束するようにし、検出パルスの相違により表裏の微粒子
を判別することが可能である。
別レベルＶr2を設定しておき、振幅がこのレベル以上か
つ第１の弁別レベルＶr1以下の受光パルスであってパル
ス幅がほぼΔｔである受光パルスが検出された場合に
は、この受光パルスが裏面の１個の微粒子によるものと
判断することができるから、第２の弁別レベルＶr2及び
期間Δｔを用いてこのような受光パルスの数を検出する
ことにより、裏面の微粒子数を検出することができる。
同時に、微粒子の大きさもある程度検出可能である。こ
の実施例においても、図３に示したごとくガラス基板Ｇ
の裏面の一点においてほぼ逆円錐状の検出光束Ｌ3が収
束するようにし、検出パルスの相違により表裏の微粒子
を判別することが可能である。
【００２５】図６は第３の発明の実施例を概略的に示し
たものである。図において、１７は第１のレーザ光源、
１８は第２のレーザ光源、１９はこれらのレーザ光源１
７，１８及び検出用光学系１４を備えたセンサ部であ
る。このセンサ部１９は、図のａ，ｂ両方向に走査可能
である。この実施例では、これまでの実施例と異なって
センサ部１９自体が移動するものとして説明するが、前
記同様にガラス基板Ｇが移動するように構成してもよ
い。また、第１、第２のレーザビームＬ1，Ｌ2は、ガラ
ス基板Ｇの表面上の一点において交叉するようにレーザ
光源１７，１８が配置される。
たものである。図において、１７は第１のレーザ光源、
１８は第２のレーザ光源、１９はこれらのレーザ光源１
７，１８及び検出用光学系１４を備えたセンサ部であ
る。このセンサ部１９は、図のａ，ｂ両方向に走査可能
である。この実施例では、これまでの実施例と異なって
センサ部１９自体が移動するものとして説明するが、前
記同様にガラス基板Ｇが移動するように構成してもよ
い。また、第１、第２のレーザビームＬ1，Ｌ2は、ガラ
ス基板Ｇの表面上の一点において交叉するようにレーザ
光源１７，１８が配置される。
【００２６】以下、この実施例の動作を説明する。この
実施例でも、レーザ光源１７，１８を点灯して第１、第
２のレーザビームＬ1，Ｌ2を照射すれば、実質上、第１
の発明と同様になるため、ガラス基板Ｇの表裏の微粒子
を個別に検出することができる。
実施例でも、レーザ光源１７，１８を点灯して第１、第
２のレーザビームＬ1，Ｌ2を照射すれば、実質上、第１
の発明と同様になるため、ガラス基板Ｇの表裏の微粒子
を個別に検出することができる。
【００２７】また、他の検出方法として、以下の方法が
ある。すなわち、まず始めにレーザ光源１７を点灯して
第１のレーザビームＬ1のみを照射した状態でセンサ部
１９をａ方向に走査する。これにより、ガラス基板Ｇの
表裏面双方に存在する微粒子による散乱光を光学系１４
が検出し、その受光パルスから表裏に存在する微粒子の
総数を検出する。
ある。すなわち、まず始めにレーザ光源１７を点灯して
第１のレーザビームＬ1のみを照射した状態でセンサ部
１９をａ方向に走査する。これにより、ガラス基板Ｇの
表裏面双方に存在する微粒子による散乱光を光学系１４
が検出し、その受光パルスから表裏に存在する微粒子の
総数を検出する。
【００２８】次いで、レーザ光源１７，１８を点灯して
第１、第２のレーザビームＬ1，Ｌ2を照射した状態でセ
ンサ部１９をｂ方向に走査する。すると、図２において
説明したように、受光パルスの数だけに着目すれば、そ
のパルス数は（表面の微粒子数＋裏面の微粒子数×２）
となる。このため、ｂ方向の走査時における検出パルス
数からａ方向の走査時における検出パルス数を差し引け
ば、裏面に存在する微粒子数を検出することができる。
更に、この微粒子数をａ方向の走査時における検出パル
ス数から差し引けば、表面に存在する微粒子数も検出可
能である。
第１、第２のレーザビームＬ1，Ｌ2を照射した状態でセ
ンサ部１９をｂ方向に走査する。すると、図２において
説明したように、受光パルスの数だけに着目すれば、そ
のパルス数は（表面の微粒子数＋裏面の微粒子数×２）
となる。このため、ｂ方向の走査時における検出パルス
数からａ方向の走査時における検出パルス数を差し引け
ば、裏面に存在する微粒子数を検出することができる。
更に、この微粒子数をａ方向の走査時における検出パル
ス数から差し引けば、表面に存在する微粒子数も検出可
能である。
【００２９】なお、本実施例ではセンサ部１９をａ，ｂ
両方向に往復動させるようにしたが、第１のレーザ光源
のみを備えたセンサ部と第１及び第２のレーザ光源を備
えたセンサ部とを用意し、これらを同時に一方向にのみ
走査するようにしても同様の効果が得られる。この場合
には、センサ部の駆動装置の簡略化及び測定時間の高速
化を図ることができる。
両方向に往復動させるようにしたが、第１のレーザ光源
のみを備えたセンサ部と第１及び第２のレーザ光源を備
えたセンサ部とを用意し、これらを同時に一方向にのみ
走査するようにしても同様の効果が得られる。この場合
には、センサ部の駆動装置の簡略化及び測定時間の高速
化を図ることができる。
【００３０】上記実施例では、ガラス基板の欠陥として
もっぱら微粒子が存在する場合についてのみ説明した
が、本発明は表裏面のキズ等の検出に対しても適用可能
である。
もっぱら微粒子が存在する場合についてのみ説明した
が、本発明は表裏面のキズ等の検出に対しても適用可能
である。
【００３１】
【発明の効果】以上のように第１ないし第３の発明は、
ガラス基板の表面または裏面の異物による受光パルスの
振幅の相違や同一振幅パルスの時間間隔、パルス幅等に
着目して異物を検出するものであるから、表面のみに存
在する異物と裏面にのみに存在する異物とを個別に検出
でき、それらの個数や大きさを正確に測定することがで
きる。従って、従来の検査装置と比べて、検出精度の向
上が可能である。特に、第１または第２の発明では一方
向の走査のみによって表裏の異物を同時に検出できるた
め、検査の高速化が可能であると共に、装置構成が簡単
であるため小形軽量化、低コスト化を図ることができ
る。
ガラス基板の表面または裏面の異物による受光パルスの
振幅の相違や同一振幅パルスの時間間隔、パルス幅等に
着目して異物を検出するものであるから、表面のみに存
在する異物と裏面にのみに存在する異物とを個別に検出
でき、それらの個数や大きさを正確に測定することがで
きる。従って、従来の検査装置と比べて、検出精度の向
上が可能である。特に、第１または第２の発明では一方
向の走査のみによって表裏の異物を同時に検出できるた
め、検査の高速化が可能であると共に、装置構成が簡単
であるため小形軽量化、低コスト化を図ることができ
る。
【図１】第１の発明の実施例を示す概略的な説明図であ
る。
る。
【図２】図１の実施例の動作を示す受光パルスの波形図
である。
である。
【図３】第１の発明の他の実施例を示す概略的な説明図
である。
である。
【図４】第２の発明の実施例を示す概略的な説明図であ
る。
る。
【図５】図４の実施例の動作を示す受光パルスの波形図
である。
である。
【図６】第３の発明の実施例を示す概略的な説明図であ
る。
る。
１１，１２ レンズ １３ ホトデテクタ １４ 検出用光学系 １５ 集光レンズ １６ 光源 １７ 第１のレーザ光源 １８ 第２のレーザ光源 １９ センサ部 Ｌ1 第１のレーザビーム Ｌ2 第２のレーザビーム Ｌ3 検出光束 Ｄ1〜Ｄ4 微粒子 Ｇ ガラス基板
Claims (3)
- 【請求項１】 検出光をガラス基板に照射しながら走査
し、ガラス基板の表面または裏面の異物による散乱光を
光学系により検出して前記異物の数や大きさを検出する
ガラス基板用欠陥検査装置において、 前記検出光が、ガラス基板の表面または裏面上の一点で
交叉する第１及び第２のレーザビームからなり、 前記光学系による受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ
一定の時間間隔でほぼ同一振幅の２つの受光パルスが発
生したことを検出してガラス基板の表面及び裏面に存在
する異物を各々検出することを特徴とするガラス基板用
欠陥検査装置。 - 【請求項２】 検出光をガラス基板に照射しながら走査
し、ガラス基板の表面または裏面の異物による散乱光を
光学系により検出して前記異物の数や大きさを検出する
ガラス基板用欠陥検査装置において、 前記検出光が、ガラス基板の表面または裏面上の一点に
集束するほぼ逆円錐状の検出光束からなり、 前記光学系による受光パルスの振幅の相違、及び、ほぼ
一定のパルス幅を有する受光パルスが発生したことを検
出してガラス基板の表面及び裏面に存在する異物を各々
検出することを特徴とするガラス基板用欠陥検査装置。 - 【請求項３】 検出光をガラス基板に照射しながら走査
し、ガラス基板の表面または裏面の異物による散乱光を
光学系により検出して前記異物の数や大きさを検出する
ガラス基板用欠陥検査装置において、 前記検出光が、ガラス基板の表面または裏面上の一点で
交叉する第１及び第２のレーザビームからなり、 これらのレーザビームのうち一方のみを用いて前記光学
系により得た受光パルスの数と、前記レーザビームの双
方を用いて前記光学系により得た受光パルスの数とに基
づき、ガラス基板の表面及び裏面に存在する異物を各々
検出することを特徴とするガラス基板用欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07517693A JP3280742B2 (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | ガラス基板用欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07517693A JP3280742B2 (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | ガラス基板用欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258232A true JPH06258232A (ja) | 1994-09-16 |
| JP3280742B2 JP3280742B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=13568641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07517693A Expired - Fee Related JP3280742B2 (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | ガラス基板用欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3280742B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010169453A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Yamanashi Gijutsu Kobo:Kk | 異物検査装置及び検査方法 |
| KR20110097182A (ko) | 2010-02-25 | 2011-08-31 | 가부시끼가이샤 야마나시 기쥬쯔 고오보오 | 이물질 검사 장치 및 검사 방법 |
| JP2013539026A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-10-17 | グレンツェバッハ・マシーネンバウ・ゲーエムベーハー | 切れ目なく製造されたフロートガラスの欠陥を検出するための装置およびその方法 |
| KR101408673B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2014-07-02 | 주식회사 나노프로텍 | 영상처리를 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법 및 장치 |
| TWI485392B (zh) * | 2010-02-08 | 2015-05-21 | Ygk Corp | Foreign body inspection device and inspection method |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP07517693A patent/JP3280742B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010169453A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Yamanashi Gijutsu Kobo:Kk | 異物検査装置及び検査方法 |
| TWI485392B (zh) * | 2010-02-08 | 2015-05-21 | Ygk Corp | Foreign body inspection device and inspection method |
| KR20110097182A (ko) | 2010-02-25 | 2011-08-31 | 가부시끼가이샤 야마나시 기쥬쯔 고오보오 | 이물질 검사 장치 및 검사 방법 |
| JP2013539026A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-10-17 | グレンツェバッハ・マシーネンバウ・ゲーエムベーハー | 切れ目なく製造されたフロートガラスの欠陥を検出するための装置およびその方法 |
| KR101408673B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2014-07-02 | 주식회사 나노프로텍 | 영상처리를 이용한 투명기판 상면 이물 검출 방법 및 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3280742B2 (ja) | 2002-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4423331A (en) | Method and apparatus for inspecting specimen surface | |
| US4402607A (en) | Automatic detector for microscopic dust on large-area, optically unpolished surfaces | |
| JP5268061B2 (ja) | 基板検査装置 | |
| US4099051A (en) | Inspection apparatus employing a circular scan | |
| JP3280742B2 (ja) | ガラス基板用欠陥検査装置 | |
| JPH07218419A (ja) | 光散乱式広域粒子計測装置およびそれを用いた粒子計測方法 | |
| JPH0833354B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH06317533A (ja) | 異物検査方法及び異物検査装置 | |
| US4908517A (en) | Apparatus for examining the surface of a substrate | |
| JPH0758167B2 (ja) | レ−ザによるピンの外径測定方法 | |
| JPH03115844A (ja) | 表面欠点検出方法 | |
| JPS58169008A (ja) | 光学式位置測定装置 | |
| JPH07225195A (ja) | 微細パターンの欠陥測定方法 | |
| JPH0431748A (ja) | 透明板状体の欠点検査方法 | |
| JP3336392B2 (ja) | 異物検査装置及び方法 | |
| JP2683039B2 (ja) | 光ディスク検査装置 | |
| JPH05332946A (ja) | 表面検査装置 | |
| CN106645173A (zh) | 一种检测表面缺陷的散射光高效收集装置及收集方法 | |
| JP2970235B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP2808123B2 (ja) | 異物検出装置 | |
| JPS61186806A (ja) | 透明体の欠点検出装置 | |
| JPH0427841A (ja) | 粒子測定装置 | |
| JPH03173452A (ja) | 面板の欠陥検査装置 | |
| JPH0579994A (ja) | 透明体欠陥検査装置 | |
| JPH07103904A (ja) | 透光性物体内部の欠点検出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020212 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |