JP2000199958A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ現像可能で高感度な感光性樹脂組成物
を提供する。 【解決手段】（ａ）構造単位間の結合が一般式（１）で
表されるような構造単位を主成分とするポリマーと
（ｂ）光酸発生剤を含有しており、光照射及びそれにつ
づく現像によってパターン形成可能であり、上記ポリマ
ー１ｇ中に含まれる全カルボキシル基が、０．０２ｍｍ
ｏｌ以上２．０ｍｍｏｌ以下であることを特徴とするポ
ジ型感光性樹脂組成物。 【化１】 （Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を有する３価か
ら８価の有機基、Ｒ２は、少なくとも２個以上の炭素原
子を有する２価から６価の有機基、Ｒ３は水素、または
炭素数１から２０までの有機基を示し、すべて水素であ
ることはない。ｎは３から１０００００までの整数、ｍ
は１または２、ｐ、ｑは０から４までの整数を示し、か
つｐ＋ｑ＞０である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の層
間絶縁膜、バッファーコート膜、α線遮蔽膜などに利用
でき、化学線で露光することにより露光した部分がアル
カリ水溶液に溶解してパターンを形成できる感光性樹脂
組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜としてポリイミドをはじめとする耐熱性樹脂が広く
利用されている。ポリイミドを表面保護膜、層間絶縁膜
などとして使用する場合には、スルーホールの形成など
の目的でポリイミド膜をパターン加工する必要がある。
たとえば、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液
を基板に塗布し、熱処理によってポリイミドに変換した
後、そのポリイミド膜上にポジ型のフォトレジストのレ
リーフパターンを形成し、これをマスクにしてヒドラジ
ン系エッチング剤によってポリイミド膜を選択的にエッ
チングすることによって、パターン加工される。しか
し、上記のポリイミドのパターン化では、フォトレジス
トの塗布や剥離などの工程が含まれるためにプロセスが
複雑である。さらに、サイドエッチのために寸法精度が
低下するという問題があった。これらの理由から、耐熱
性樹脂、または熱処理などによって耐熱樹脂に変換可能
な前駆体であって、さらに、それ自身がパターン加工可
能な感光性樹脂組成物が検討されてきた。

【０００３】感光性樹脂組成物はパッシベーション膜の
パターン形成に適応可能なパターン精度を有するため、
まずパターン形成前のパッシベーション膜上に感光性樹
脂組成物のパターン加工、キュアを実施し、つぎにこの
パターンをマスクにして下地のパッシベーション膜のド
ライエッチを行う方法が検討されている（一括開孔
法）。この方法によればパッシベーション膜のパターン
形成に要していたプロセスを省略することができ、コス
トダウンにつながる。

【０００４】感光性樹脂組成物の使用に際しては、通
常、溶液状態で基板に塗布乾燥し、マスクを介して活性
光線を照射する。露光した部分が現像によって残るネガ
型の感光性樹脂組成物としては、ポリアミド酸に化学線
により２量化又は重合可能な炭素−炭素二重結合および
アミノ基又はその四級化塩を添加したもの（特公昭５９
−５２８２２号公報）、ポリアミド酸にアクリルアミド
類を添加したもの（特開平３−１７０５５５号公報）、
炭素−炭素二重結合基を有するポリイミド前駆体と、特
定のオキシム化合物と、増感剤を含有したもの（特開昭
６１−１１８４２３号公報）などが知られている。しか
し、従来のポジ型フォトレジストを使用した非感光性樹
脂組成物のパターン加工プロセスから、ネガ型感光性樹
脂組成物を使用するプロセスに切り替える場合には、露
光装置のマスクの変更や現像設備の変更などが必要とな
る問題があった。また、これらのネガ型感光性樹脂組成
物は現像に有機溶媒が使用されるが、環境汚染防止や作
業環境改善の観点から、有機系現像液に代わり、水系現
像液で現像できる感光材料が望まれていた。これらの理
由からアルカリ現像可能なポジ型感光性樹脂組成物が検
討されている。

【０００５】露光した部分がアルカリ水溶液による現像
により溶解するポジ型の感光性樹脂組成物としては、ｏ
−ニトロベンジル基をエステル結合によって導入したポ
リイミド前駆体（特開昭６０−３７５５０号公報）、ポ
リアミド酸エステルにｏ−キノンジアジド化合物を混合
したもの（特開平２−１８１１４９号公報）、フェノー
ル性水酸基を有するポリアミド酸あるいはポリアミド酸
エステルにｏ−キノンジアジド化合物を混合したもの
（特開平３−１１５４６１号公報）、フェノール性水酸
基を有するポリイミドにｏ−キノンジアジド化合物を混
合したもの（特開平３−１７７４５５号公報）、ポリヒ
ドロキシアミドにｏ−キノンジアジド化合物を混合した
もの（特公平１−４６８６２号公報）などが知られてい
る。

【０００６】しかし、ｏ−ニトロベンジル基をエステル
結合によって導入したポリイミド前駆体は、感光する波
長が主に３００ｎｍ以下であること、感度が低い点に問
題があった。ポリアミド酸エステルにｏ−キノンジアジ
ド化合物を混合したものは、アルカリ現像液に対する溶
解速度が小さいために、感度が低い点、現像時間が長い
点に問題があった。フェノール性水酸基を有するポリア
ミド酸にｏ−キノンジアジド化合物を混合したものは、
アルカリ現像液に対する溶解性が大きすぎるために、希
薄な現像液にしか適用できない点、未露光部が現像液に
よって膨潤するために、微細なパターン加工が困難であ
る点に問題があった。フェノール性水酸基を有するポリ
アミド酸あるいはポリイミドにｏ−キノンジアジド化合
物を混合したものは、アルカリ現像液に対する溶解速度
は改良されたが、さらに溶解速度を調節することが困難
である点に問題があった。ポリヒドロキシアミドにｏ−
キノンジアジド化合物を混合したものも、アルカリ現像
液に対する溶解速度は改良されたが、さらに溶解速度を
調節するためにはポリマー組成の変更が必要である点に
問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、アル
カリ水溶液による短時間での現像が可能であり、かつ透
明性が高く、高感度の感光性樹脂組成物を提供すること
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は（ａ）構造単位
間の結合が一般式（１）で表されるような構造単位を主
成分とするポリマーと（ｂ）光酸発生剤を含有してお
り、光照射及びそれにつづく現像によってパターン形成
可能であり、上記ポリマー１ｇ中に含まれる全カルボキ
シル基が、０．０２ｍｍｏｌ以上２．０ｍｍｏｌ以下で
あることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物である。

【０００９】

【化６】

【００１０】（Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を
有する３価から８価の有機基、Ｒ２は、少なくとも２個
以上の炭素原子を有する２価から６価の有機基、Ｒ３は
水素、または炭素数１から２０までの有機基を示し、す
べて水素であることはない。ｎは３から１０００００ま
での整数、ｍは１または２、ｐ、ｑは０から４までの整
数を示し、かつｐ＋ｑ＞０である。）

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明において、一般式（１）で
表されるポリマーは、加熱あるいは適当な触媒により、
イミド環、オキサゾール環、その他の環状構造を有する
ポリマーとなり得るものである。環構造となることで、
耐熱性、耐溶剤性が飛躍的に向上する。上記一般式
（１）で表される構造単位を主成分とするポリマーは、
水酸基を有することが好ましい。この場合、この水酸基の
存在のために、アルカリ水溶液に対する溶解性が水酸基
を有さないポリアミド酸よりも良好になる。特に、水酸
基の中でもフェノール性の水酸基がアルカリ水溶液に対
する溶解性の観点より好ましい。

【００１２】一般式（１）中、Ｒ１を構成する残基は酸
の構造成分を表しており、この酸成分は芳香族環を含有
し、かつ、水酸基を１個から４個有した、炭素数２〜６
０の３価から８価の基が好ましい。Ｒ１が水酸基を含ま
ない場合、Ｒ２成分が水酸基を１個から４個含むことが
望ましい。さらに、水酸基はアミド結合と隣り合った位
置にあることが好ましい。このような例として、下記に
示すような構造のものがあげられるが、本発明はこれに
限定されない。

【００１３】

【化７】

【００１４】また、Ｒ１を含む残基として、水酸基を有
していないテトラカルボン酸、トリカルボン酸、ジカル
ボン酸を使用することもできる。これらの例としては、
ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビ
フェニルテトラカルボン酸、ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸など
の芳香族テトラカルボン酸やそのカルボキシル基２個を
メチル基やエチル基にしたジエステル化合物、ブタンテ
トラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸など
の脂肪族のテトラカルボン酸やそのカルボキシル基２個
をメチル基やエチル基にしたジエステル化合物、トリメ
リット酸、トリメシン酸、ナフタレントリカルボン酸な
どの芳香族トリカルボン酸などを挙げることができる。

【００１５】一般式（１）中、Ｒ２を構成する残基はジ
アミンの構造成分を表している。この中で、Ｒ２の好ま
しい例としては、得られるポリマーの耐熱性より芳香族
を有し、かつ、水酸基を１個から４個有するものが好ま
しい。Ｒ２が水酸基を含まない場合、Ｒ１成分が水酸基
を１個から４個含むことが望ましい。さらに、水酸基は
アミド結合と隣り合った位置にあることが好ましい。

【００１６】具体的な例としてはビス（アミノヒドロキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ジアミノジヒド
ロキシピリミジン、ジアミノジヒドロキシピリジン、ヒ
ドロキシジアミノピリミジン、ジアミノフェノール、ジ
ヒドロキシベンゼンなどの化合物や下記に示すような構
造のものがあげられる。

【００１７】

【化８】

【００１８】また、一般式（１）のＲ２を含む残基とし
て水酸基を含まないジアミンを使用することもできる。
このような例として、フェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミ
ノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンチジン、ビス（アミノフ
ェノキシフェニル）プロパン、ビス（アミノフェノキシ
フェニル）スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキ
ル基やハロゲン原子で置換した化合物など、脂肪族のシ
クロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルア
ミンなどが挙げられる。これらのジアミン化合物は、単
独又は２種以上を組み合わせて使用される。これらは、
ジアミン成分の４０モル％以下の使用が好ましい。４０
モル％以上共重合すると得られるポリマーの耐熱性が低
下する。

【００１９】基板との接着性を向上させる目的で、耐熱
性を低下させない範囲でシロキサン構造を有するジアミ
ン化合物を使用することもできる。シロキサン構造を有
するジアミン化合物としては、例えば、ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラフェニルジシロキサン、ビス（４
−アミノフェニル）テトラメチルジシロキサン等が使用
される。

【００２０】一般式（１）のＲ３は水素、あるいは炭素
数１〜２０の有機基を表している。Ｒ３の炭素数が２０
を越えるとアルカリ水溶液に溶解しなくなる。得られる
感光性樹脂溶液の安定性からはＲ３は有機基が好ましい
が、アルカリ水溶液の溶解性より見ると水素が好まし
い。つまり、Ｒ３はすべて水素であることやすべて有機
基であることは好ましくない。このＲ３の水素と有機基
の量を制御することで、アルカリ水溶液に対する溶解速
度が変化するので、この調整により適度な溶解速度を有
した感光性樹脂組成物を得ることが出来る。このことか
らポリマー中のカルボキシル基はポリマー１ｇ中に０．
０２ｍｍｏｌ以上２．０ｍｍｏｌ以下含まれることが好
ましい。より好ましくは０．０５ｍｍｏｌ以上１．５ｍ
ｍｏｌ以下である。０．０２ｍｍｏｌより小さいと現像
液に対する溶解性が小さくなりすぎ、２．０ｍｍｏｌよ
り大きいと露光部及び未露光部の溶解速度の差がつきに
くくなる。ｍは１または２をあらわしており、ｐ、ｑは
０から４までの整数でかつｐ＋ｑ＞０である。ｐが５以
上になると、得られる耐熱性樹脂膜の特性が低下する。

【００２１】また、カルボキシル基の一部をイミド化す
ることによって残存カルボキシル基の量を調節すること
も可能である。イミド化の方法としては、イミド化でき
れば公知の方法を用いても特に構わない。このときのイ
ミド化の割合は１％以上５０％以下が好ましい。イミド
化率が５０％を超えると露光に使用する化学線でのポリ
マーの吸収が大きくなり、感度が低下する。

【００２２】一般式（１）で表されるポリマーは露光す
る化学線に対してできるだけ透明であることが望まし
い。そのため、３６５ｎｍにおけるポリマーの吸光度は
１μｍあたり０．１以下であることが好ましい。より好
ましくは０．０８以下である。０．１を超えると３６５
ｎｍの化学線での露光に対する感度が低下する。

【００２３】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、一般
式（１）で表される構造単位のみからなるものであって
も良いし、他の構造単位との共重合体あるいはブレンド
体であっても良い。その際、一般式（１）で表される構
造単位を９０モル％以上含有していることが好ましい。
共重合あるいはブレンドに用いられる構造単位の種類お
よび量は最終加熱処理膜によって得られるポリイミド系
ポリマーの耐熱性を損なわない範囲で選択することが好
ましい。

【００２４】本発明の一般式（２）で表される構造単位
を主成分とするポリマーは公知の方法により合成され
る。例えば、低温中でテトラカルボン酸２無水物とジア
ミン化合物を反応させる方法（Ｃ．Ｅ．Ｓｒｏｏｇら、
Ｊｏｕｒｎａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ誌、
ＰａｒｔＡ−３、１３７３（１９６５））などで合成す
ることができる。

【００２５】一般式（１）で表されるポリマーは一般式
（２）で表されるポリマー中のカルボキシル基を一般式
（３）や一般式（４）で表されるアセタールまたはケタ
ール化合物によってエステル化処理することで得ること
ができる。

【００２６】また、一般式（１）で表されるポリマーは
一般式（２）で表されるポリマー中のカルボキシル基を
一般式（５）で表されるビニルエーテル化合物、または
ビニルエーテル化合物と酸触媒によってエステル化処理
することで得ることができる。

【００２７】一般式（３）のＲ４は水素原子または炭素
数１以上の１価の有機基を示し、Ｒ５は水素原子または
炭素数１以上の１価の有機基、含窒素有機基、含酸素有
機基のいずれかを示し、一般式（３）や一般式（４）の
Ｒ６は炭素数１以上の１価の有機基を示し、Ｒ７は炭素
数１以上の２価の有機基、含窒素有機基、含酸素有機基
のいずれかを示す。具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミドジメチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミドジエチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドジプロピルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドジブチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドジベンジルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドビス［２−（トリメチルシリル）エチル］アセター
ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドジエチルアセター
ル、オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル、オ
ルト酢酸トリメチル、オルト酢酸トリエチル、オルト酪
酸トリメチル、オルト酪酸トリエチル、オルト安息香酸
トリメチル、オルト安息香酸トリエチル、１，３−ジメ
チルイミドゾリジノンジアルキルアセタール、炭酸エチ
レンジアルキルアセタール、炭酸プロピレンジアルキル
アセタール、γ−ブチロラクトンジアルキルアセタール
等が挙げられ、好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドジメチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
ジエチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ
プロピルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ
ブチルアセタール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジベ
ンジルアセタール、Ｎ−メチル−２−ピロリドンジメチ
ルアセタール、Ｎ−メチル−２−ピロリドンジエチルア
セタール、γ−ブチロラクトンジメチルアセタール、γ
−ブチロラクトンジエチルアセタールである。

【００２８】一般式（５）のＲ８は炭素数１以上の１価
の有機基を示す。具体的には、メチルビニルエーテル、
エチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、
イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテ
ル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエ
ーテル、シクロヘキシルビニルエーテルなどが挙げられ
るが、これらに限定されない。好ましくは、tert−ブチ
ルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、イ
ソプロピルビニルエーテルが用いられる。

【００２９】一般式（２）で表されるポリマーの一般式
（３）または一般式（４）で表される化合物によるエス
テル化処理、または一般式（５）で表される化合物によ
るエステル化処理の際、副反応としてイミド化反応も進
行するが、エステル化反応に対するイミド化反応の割合
は、反応条件の選択、すなわち、反応溶媒や反応温度等
を選択することによって抑えることが可能である。

【００３０】一般式（２）で表されるポリマーの一般式
（３）または一般式（４）で表される化合物によるエス
テル化処理に対する反応溶媒としては、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、１，３−ジメチルイミドゾリジノン、ヘキサメチ
ルホスホロアミド、γ−ブチロラクトン等の非プロトン
性極性溶媒が好ましく、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミドがより好ましい。エステル化反応温度は、０℃
から１５０℃の範囲であり、好ましくは２０℃から１０
０℃であり、より好ましくは３０℃から８０℃である。
反応温度が０℃よりも低いと、反応が完結するまでの時
間が長くなり実用的でなくなる。また、反応温度が１５
０℃を超えるとイミド化反応の割合が高くなり、ポリマ
ーの透明性が低下したり、ゲル成分が発生するなど問題
が生じやすい。一般式（３）または一般式（４）で表さ
れる化合物によるエステル化処理では、反応を促進する
目的で、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、
メタンスルホン酸などの酸、トリエチルアミン、ピリジ
ンなどの塩基を０．０１から１０モル％の範囲で使用す
ることもできる。

【００３１】一般式（２）で表されるポリマーの一般式
（３）や一般式（４）で表される化合物によるエステル
化処理は、一般式（２）を有機溶剤に溶解した溶液に一
般式（３）や一般式（４）で表される化合物を混合攪拌
することによって実施される。一般式（２）のポリマー
の合成時に使用する溶剤と該ポリマーを、一般式（３）
や一般式（４）で表される化合物でエステル化処理する
ときの溶剤が共通の場合には、重合後の溶液に一般式
（３）や一般式（４）で表される化合物を混合攪拌する
ことによって処理が実施できる。

【００３２】一般式（２）で表されるポリマーを、一般
式（５）で表される化合物、または一般式（５）で表さ
れる化合物と酸触媒によるエステル化処理の際、副反応
としてビニルエーテルのカチオン重合も進行するが、エ
ステル化反応に対するカチオン重合反応の割合は、ビニ
ルエーテルや酸触媒の選択、反応条件の選択、すなわ
ち、反応溶媒や反応温度等を選択することによって抑制
することができる。

【００３３】一般式（２）で表されるポリマーを、一般
式（５）で表される化合物、または一般式（５）で表さ
れる化合物と酸触媒によるエステル化処理の反応を選択
的に促進することを目的として、カルボキシル基に対し
て０．０１〜１０モル％の範囲で酸触媒を使用すること
ができる。酸触媒の具体例としては、塩酸、硫酸、硝
酸、リン酸、シュウ酸などが挙げられるが、これらに限
定されない。好ましくは、ｐＫａ値が大きいリン酸、シ
ュウ酸が用いられる。これはｐＫａ値が高い酸触媒ほど
求核性の高いカウンターアニオンを生成し、カチオン重
合反応を抑制するためと考えられる。また、これら以外
にトリエチルアミン、ピリジンなどのアミン類を反応促
進触媒として使用することも出来る。

【００３４】一般式（２）で表されるポリマーを、一般
式（５）で表される化合物、または一般式（５）で表さ
れる化合物と酸触媒によるエステル化処理の反応溶媒と
しては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチルイミド
ゾリジノン、ヘキサメチルホスホロアミド、γ−ブチロ
ラクトン等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドがより好ましい。反
応温度は、−１０℃から８０℃の範囲であり、好ましく
は０℃から４０℃であり、より好ましくは１０℃から３
０℃である。反応温度が−１０℃よりも低いと、反応が
完結するまでの時間が長くなり実用的でなくなる。ま
た、反応温度が８０℃を超えるとビニルエーテルのカチ
オン重合化反応の割合が高くなり、ポリマーの透明性の
低下、ゲル成分の発生、キュア膜物性の低下するなどの
問題が生じやすい。

【００３５】一般式（２）で表されるポリマーの一般式
（５）で表される化合物、または一般式（５）で表され
る化合物と酸触媒によるエステル化処理は、一般式
（２）を有機溶剤に溶解した溶液に一般式（５）で表さ
れる化合物や、酸触媒を混合攪拌することによって実施
される。一般式（２）で表されるポリマーの合成時に使
用する溶剤と、該ポリマーをエステル化処理するときの
溶剤が共通の場合には、重合後の溶液に一般式（５）で
表される化合物や、酸触媒を混合攪拌することによって
処理が実施できる。

【００３６】本発明で用いる光酸発生剤としては、ジア
ゾニウム塩、ジアゾキノンスルホン酸アミド、ジアゾキ
ノンスルホン酸エステル、ジアゾキノンスルホン酸塩、
ニトロベンジルエステル、オニウム塩、ハロゲン化物、
ハロゲン化イソシアネート、ハロゲン化トリアジン、ビ
スアリールスルホニルジアゾメタン、ジスルホン等の光
照射により分解し酸を発生する化合物があげられる。特
にｏ−キノンジアジド化合物は未露光部の水溶性を抑制
する効果を有するために望ましい。このような化合物と
しては、１，２−ベンゾキノン−２−アジド−４−スル
ホン酸エステル又はスルホン酸アミド、１，２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホン酸エステル又はス
ルホン酸アミド、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド
−４−スルホン酸エステル又はスルホン酸アミド等があ
る。これらは、例えば、１，２−ベンゾキノン−２−ア
ジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド、１，２−ナ
フトキノン−２−ジアジド−４−スルホニルクロリド等
のｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド類とポリヒド
ロキシ化合物又はポリアミン化合物を脱塩酸触媒の存在
下で縮合反応することによって得ることができる。

【００３７】ポリヒドロキシ化合物としては、ヒドロキ
ノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノール
Ａ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、ト
リス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−
トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１−［１−
（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−
［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベ
ンゼン、没食子酸メチル、没食子酸エチル等が挙げられ
る。

【００３８】ポリアミン化合物としては、１，４−フェ
ニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミン、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミ
ノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルス
ルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド等が
挙げられる。

【００３９】また、ポリヒドロキシポリアミン化合物と
しては、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジヒドロ
キシベンジジン等が挙げられる。

【００４０】ｏ−キノンジアジド化合物は、一般式
（１）で表されるポリマー１００重量部に対して好まし
くは５から１００重量部、より好ましくは１０から４０
重量部の範囲で配合される。配合量が５重量部未満では
十分な感度が得られず、また、１００重量部を超えると
樹脂組成物の耐熱性が低下する可能性がある。

【００４１】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、一般
式（２）で表されるポリマーを一般式（３）および一般
式（４）で、または一般式（５）および酸触媒で表され
る化合物でエステル化処理することで得られる一般式
（１）で表されるポリマーと、光酸発生剤を溶剤に溶解
して、溶液状態で使用することが好ましい。溶剤として
は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、１，３−ジメチルイミドゾリジノン、ヘ
キサメチルホスホロアミド、γ−ブチロラクトン等の非
プロトン性極性溶剤が単独又は２種以上併用して使用さ
れる。

【００４２】また、必要に応じて上記、感光性前駆体組
成物と基板との塗布性を向上させる目的で界面活性剤、
乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートなどのエステル類、エタノールなどのアルコ
ール類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンな
どのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの
エーテル類を混合しても良い。また、２酸化ケイ素、２
酸化チタンなどの無機粒子、あるいはポリイミドの粉末
などを添加することもできる。

【００４３】さらにシリコンウェハーなどの下地基板と
の接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタ
ンキレート剤などを感光性樹脂組成物のワニスに０．５
から１０重量部添加したり、下地基板をこのような薬液
で前処理したりすることもできる。

【００４４】ワニスに添加する場合、メチルメタクリロ
キシジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキ
シシランなどのシランカップリング剤、チタンキレート
剤、アルミキレート剤をワニス中のポリマーに対して
０．５から１０重量部添加する。

【００４５】基板を処理する場合、上記で述べたカップ
リング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノー
ル、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルな
どの溶媒に０．５から２０重量部溶解させた溶液をスピ
ンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処
理をする。場合によっては、その後５０℃から３００℃
までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤
との反応を進行させる。

【００４６】次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いて
耐熱性樹脂パターンを形成する方法について説明する。

【００４７】本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布
する。基板としてはシリコンウェハー、セラミックス
類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定さ
れない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、
スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法がある。
また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘
度などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、０．１
から１５０μｍになるように塗布される。

【００４８】次に感光性樹脂組成物を塗布した基板を乾
燥して、感光性樹脂組成物皮膜を得る。乾燥はオーブ
ン、ホットプレート、赤外線などを使用し、５０℃から
１５０℃の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。

【００４９】次に、この皮膜上に所望のパターンを有す
るマスクを通して化学線を照射し、露光する。露光に用
いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、Ｘ
線などがあるが、本発明では水銀灯のｉ線（３６５ｎ
ｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）を用い
るのが好ましい。

【００５０】耐熱性樹脂のパターンを形成するには、露
光後、現像液を用いて露光部を除去することによって達
成される。現像液としては、テトラメチルアンモニウム
の水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノ
ール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミ
ン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミ
ノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性
を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によって
は、これらのアルカリ水溶液にＮ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコー
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を
組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリ
ンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステ
ル類、炭酸ガス、塩酸、酢酸などの酸などを水に加えて
リンス処理をしても良い。

【００５１】現像後、２００℃から５００℃の温度を加
えて耐熱性樹脂皮膜に変換する。この加熱処理は温度を
選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的
に昇温しながら５分から５時間実施する。一例として
は、１３０℃、２００℃、３５０℃で各３０分づつ熱処
理する。あるいは室温より４００℃まで２時間かけて直
線的に昇温するなどの方法が挙げられる。

【００５２】本発明による感光性樹脂組成物により形成
した耐熱性樹脂皮膜は、半導体のパッシベーション膜、
半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の層間絶縁
膜などの用途に用いられる。

【００５３】

【実施例】以下発明をより詳細に説明するために、実施
例で説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されな
い。 特性の測定方法 膜厚の測定 大日本スクリーン製造社製ラムダエースＳＴＭ−６０２
を使用し、屈折率１．６４で測定を行った。

【００５４】吸光度の測定 ポリマー溶液を５ｃｍ×５ｃｍ、厚み１．２ｍｍのガラ
ス基板（松浪ガラス製）にプリベーク後の膜厚がおよそ
１０μｍとなるように塗布、１２０℃で３分間ホットプ
レート（大日本スクリーン製ＳＣＷ−６３６）でプリベ
ークした。島津製作所製ＵＶ−２４０を使用してこの膜
の３６５ｎｍの吸光度を測定し、実際の膜厚で除するこ
とで膜厚１μｍあたりの吸光度を求めた。

【００５５】イミド化率の測定 ポリマー溶液を４インチシリコンウェハーにプリベーク
後の膜厚がおよそ７μｍとなるように塗布、１２０℃で
３分間ホットプレート（大日本スクリーン製ＳＣＷ−６
３６）でプリベークした。まず、ポリマー溶液を塗布し
ていない４インチシリコンウェハーをリファレンスとし
てバックグランド測定を行った。続いて、この膜の熱硬
化前後の赤外線吸収スペクトルを堀場製作所製ＦＴ−７
２０を用いて測定した。その後、光洋リンドバーグ社製
イナートオーブンＩＮＨ−２１ＣＤを用いて、２００℃
で３０分の熱処理後、３５０℃に１時間かけて昇温し、
３５０℃で１時間熱処理を行い、完全にイミド化を行っ
た。この試料の赤外吸収スペクトルを測定し、キュアイ
ミド化処理前後におけるイミド結合由来のＣ−Ｎ伸縮振
動のピーク（１３８０ｃｍ^-1）の比よりイミド化率を求
めた。 すなわち、３５０℃処理前の１３８０ｃｍ^-1の
ピーク値をＡ、３５０℃処理後試料の１３８０ｃｍ^-1の
ピークの値をＢとすると、イミド化率Ｉは、Ｉ＝Ａ／Ｂ
×１００と表される。

【００５６】残存カルボキシル基濃度の測定（ポリマー
中カルボキシル基の定量） ポリマー溶液を純水に滴下してポリマーを沈殿させ、８
０℃で４８時間減圧乾燥させた。乾燥ポリマー０．５ｇ
を４０ｍｌのＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、
１０ｍｌのメタノールに溶解し、柴田科学器械工学製Ｆ
７０２型を使用して１／１０規定のテトラブチルアンモ
ニウムヒドロキシドメタノール溶液でポリマー中の遊離
カルボキシル基を滴定して含有量を求めた。ポリマー１
ｇあたりのカルボキシル基は、この滴定で中和点にまで
要する１／１０規定のテトラブチルアンモニウムヒドロ
キシドメタノール溶液をｘｍｌとすると、この中和で必
要なテトラブチルアンモニウムヒドロキシドのモル量を
求めると、ｘ／１０ｍｍｏｌとなる。このモル量は、ポ
リマー０．５ｇあたりのカルボキシル基量に等しいの
で、ポリマー１ｇあたりのカルボキシル基は０．５で除
することで得られるので、ｘ／１０／０．５、すなわ
ち、ｘ／５（ｍｍｏｌ）となる。

【００５７】残存ナトリウム、カリウム、鉄イオン量の
測定 乾燥させた試料２ｇを計り、ＮＭＰ２５ｍｌ希釈した溶
液を日立製作所製Ｚ８０００ Ｚｅｅｒｍａｎ原子吸光
光度計を用いて測定した。濃度の校正は、各イオンの標
準濃度液を用いた。これらの金属イオンが１０ｐｐｍ以
上になると、コーティング剤として使用した際、腐食の
恐れがあり問題になる。

【００５８】残存塩素イオン濃度の測定 乾燥させた試料１００ｍｇを計り、水２０ｍｌに分散さ
せ、超音波洗浄機（ＢＲＡＮＡＯＮ社製Ｂ２０Ｈ）を用
いて２時間超音波を加え、塩素イオンを抽出した。これ
を堀場製作所製イオンメーターＮ−８Ｍを用い、塩素イ
オン電極（堀場製作所製８００２）にて測定した。塩素
イオンの濃度の校正は、濃度既知の塩化カリウム水溶液
を用いた。塩素イオンが３０ｐｐｍ以上となるとコーテ
ィング剤などとして使用すると、腐食の恐れがあり問題
になる。

【００５９】解像度 シリコンウェハー上に形成したプリベーク膜を様々な幅
を持つマスクを通して露光し、現像したときに、現像後
の露光部分のパターンが完全に溶解している最小幅をも
って解像度とした。従って、その幅が小さくなるほど、
より緻密なパターンを得ることができ、解像度は良好で
あるという判断ができる。

【００６０】合成例１ ヒドロキシル基含有酸無水物の
合成 乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨＦ）
１８．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）とアリルグリシジルエー
テル３４．２ｇ（０．３ｍｏｌ）をガンマブチロラクト
ン（ＧＢＬ）１００ｇに溶解させ、−１５℃に冷却し
た。ここにＧＢＬ５０ｇに溶解させた無水トリメリット
酸クロリド２２．１ｇ（０．１１ｍｏｌ）を反応液の温
度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、０℃
で４時間反応させた。

【００６１】この溶液をロータリーエバポレーターで濃
縮して、トルエン１ｌに投入して酸無水物を得た。これ
を下記に示す。得られた物質は３５０℃までに明確な融
点が見られなかった。

【００６２】

【化９】

【００６３】合成例２ ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物（１）の合成 ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）をアセトン１０
０ｍｌ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３ｍｏ
ｌ）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに３−ニト
ロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１ｍｏｌ）を
アセトン１００ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。滴下
終了後、−１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻し
た。溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られ
た固体をテトラヒドロフランとエタノールの溶液で再結
晶した。

【００６４】再結晶して集めた固体をエタノール１００
ｍｌとテトラヒドロフラン３００ｍｌに溶解させて、５
％パラジウム−炭素を２ｇ加えて、激しく攪拌させた。
ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行っ
た。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認
して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であ
るパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーター
で濃縮し、ジアミン化合物を得た。これを下記に示す。
得られた固体をそのまま反応に使用した。

【００６５】

【化１０】

【００６６】合成例３ ヒドロキシル基含有ジアミン
（２）の合成 ２−アミノ−４−ニトロフェノール３０．８ｇ（０．２
ｍｏｌ）をアセトン２００ｍｌ、プロピレンオキシド６
０ｇ（０．６８ｍｏｌ）に溶解させ、−１５℃に冷却し
た。ここにイソフタル酸クロリド２２．４ｇ（０．１１
ｍｏｌ）をアセトン２００ｍｌに溶解させた溶液を徐々
に滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させ
た。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集
めた。

【００６７】乾燥させた沈殿３０ｇと５％パラジウム−
炭素３ｇを５００ｍｌのオートクレーブにメチルセロソ
ルブ４００ｍｌとともに加えた。ここに水素にて内圧が
８ｋｇｆ／ｃｍ２となるように加圧し、８０℃で２時間
攪拌した。その後、溶液の温度が５０℃以下になったと
ころで、放圧し、ろ過して沈殿物を除いた。ろ液をロー
タリーエバポレーターで濃縮し、生成する固体を集め
た。これを５０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥させた。
下記にその構造を示した。

【００６８】

【化１１】

【００６９】合成例４ ヒドロキシル基含有ジアミン
（３）の合成 ２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１
ｍｏｌ）をアセトン８０ｍｌ、プロピレンオキシド３０
ｇ（０．３４ｍｏｌ）に溶解させ、−１５℃に冷却し
た。ここに３−ニトロベンゾイルクロリド１９．５ｇ
（０．１０５ｍｏｌ）をアセトン８０ｍｌに溶解させた
溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間
反応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿を
ろ過で集めた。

【００７０】乾燥させた固体を２５ｇと５％パラジウム
−炭素２ｇを５００ｍｌのオートクレーブにメチルセロ
ソルブ３００ｍｌとともに加えた。以下、合成例２３と
同様にして目的物の沈殿を得た。これを５０℃の真空乾
燥機で２０時間乾燥させた。下記にその構造を示した。

【００７１】

【化１２】

【００７２】合成例５ ナフトキノンジアジド化合物の
合成 乾燥窒素気流下、１，１，２−トリ（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン２０．２ｇ（０．
０５ｍｏｌ）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸
クロリド４０．３ｇ（０．１５ｍｏｌ）を１，４−ジオ
キサン４００ｇに溶解させ、４０℃に加熱した。ここ
に、１，４−ジオキサン４０ｇと混合させたトリエチル
アミン１５．２ｇ（０．１５ｍｏｌ）を系内の温度が４
５℃以上にならないように滴下した。滴下後４０℃で２
時間攪拌した。副生したトリエチルアミンの塩酸塩を濾
過し、ろ液を１％塩酸３ｌに投入した。その後、析出し
た沈殿をろ過で集めた。水１０ｌでこの沈殿を２回洗浄
を繰り返し、５０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥させ、
ナフトキノンジアジド化合物を得た。得られた化合物の
構造を下記に示す。

【００７３】

【化１３】

【００７４】実施例１ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（１００ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ３５０ｇに溶解させた。ここに合成例１で
合成した酸無水物７１．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）をＧＢ
Ｌ４０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次
いで５０℃で４時間反応させた。さらにＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドジメチルアセタール２３．８ｇ（２００
ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で５時間撹拌し、部分エステ
ル化したポリマー溶液を得た。このポリマー１ｇ中のカ
ルボキシル基は０．０７ｍｍｏｌ、イミド化率は１０％
であり、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０８３
であった。

【００７５】得られた溶液１００ｇにキノンジアジド化
合物４ＮＴ−３００（２，３，４，４’−テトラヒドロ
キシビンゾフェノン１ｍｏｌに対して１，２−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−５−フルホニルクロリド３ｍｏｌ
を反応させて得られたエステル：東洋合成工業株式会社
製）５．５ｇを加えて感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００７６】６インチシリコンウェハー上に、上記溶液
をプリベーク後の膜厚が７μｍとなるように塗布し、つ
いでホットプレート（大日本スクリーン社製ＳＫＷ−６
３６）を用いて、１２０℃で３分プリベークすることに
より、感光性樹脂前駆体膜を得た。ついで、露光機（ニ
コン社製ｉ線ステッパーＮＳＲ−１７５５−ｉ７Ａ）
に、パターンの切られたレチクルをセットし、露光量を
１００ｍＪ／ｃｍ²から８００ｍＪ／ｃｍ²まで５０ｍＪ
／ｃｍ²きざみでｉ線露光を行った。その後、ＮＭＤ−
３（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８％
水溶液：東京応化工業株式会社製）に１００秒間浸漬
し、さらに２０秒間水洗することによってパターンを形
成した。

【００７７】表１に示したように、現像後の未露光部の
膜厚は５．６μｍであり（残膜率８０％）、現像による
膜減りは１．４μｍであった。また、パターン形成に際
しての最低光照射量は、３００ｍＪ／ｃｍ²と小さく感
度がよかった。さらに、電子顕微鏡によってパターン断
面を観察したところ、５μｍのラインとスペースが良好
に解像されていた。

【００７８】実施例２ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに合成例２で合
成したジアミン化合物２４．２ｇ（４０ｍｍｏｌ）をＮ
ＭＰ１００ｇに溶解させ、３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物１１．８ｇ（４０ｍｍｏ
ｌ）を加えて８０℃で３時間撹拌した。さらにＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミドジエチルアセタール８．８ｇ（６
０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２時間撹拌し、部分エス
テル化したポリマー溶液を得た。このポリマー１ｇ中の
カルボキシル基は０．５５ｍｍｏｌ、イミド化率は３５
％であり、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０６
６であった。

【００７９】このポリマー溶液１００ｇと実施例１で用
いたキノンジアジド化合物４ＮＴ−３００を３．５ｇを
混合して感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００８０】評価は現像時間を５０秒間とした他は実施
例１と同様に行った。結果を表１に示した。その結果、
現像後の未露光部の膜厚は５．８μｍであり（残膜率８
３％）、現像による膜べりは１．２μｍであった。ま
た、パターン形成に際しての光照射量は、２５０ｍＪ／
ｃｍ²と高感度であった。さらに、電子顕微鏡によって
パターン断面を観察したところ、１０μｍのラインが良
好に解像されていた。

【００８１】実施例３ 実施例１においてジアミンの組成を２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン（ＢＡＨＦ）、１８．３ｇ（５０ｍｍｏｌ）４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル８．０ｇ（４０ｍｍ
ｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン２．５ｇ（１０ｍｍｏｌ）にした他は
同様にしてポリマーを重合した。このポリマー１ｇ中の
カルボキシル基は０．３５ｍｍｏｌ、イミド化率は１４
％であり、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０４
５であった。このポリマー３０ｇをＧＢＬ７０ｇに溶解
し、実施例１で用いたキノンジアジド化合物４ＮＴ−３
００を６ｇ溶解させて感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００８２】評価は実施例１と同様に行った。結果を表
１に示した。その結果、現像後の未露光部の膜厚は６．
０μｍであり（残膜率８６％）、現像による膜べりは
１．０μｍであった。また、パターン形成に際しての光
照射量は、２５０ｍＪ／ｃｍ²と高感度であった。さら
に、電子顕微鏡によってパターン断面を観察したとこ
ろ、１０μｍのラインとスペースが良好に解像されてい
た。

【００８３】実施例４ 実施例１と同様の組成でポリマーを重合した。その後、
カリウム−ｔ−ブトキシド２２．４ｇ（２００ｍｍｏ
ｌ）を加えて２時間撹拌した後、ヨウ化エチル３４．３
ｇ（２２０ｍｍｏｌ）を滴下した。２時間後、ポリマー
溶液を純水に投入しポリマーを析出、乾燥させた。この
ポリマー１ｇ中のカルボキシル基は１．２ｍｍｏｌ、イ
ミド化率は２０％であり、３６５ｎｍの吸光度は１μｍ
あたり０．０８８であった。このポリマー３０ｇをＧＢ
Ｌ７０ｇに溶解し、実施例１で用いたキノンジアジド化
合物４ＮＴ−３００を６ｇ溶解させて感光性樹脂組成物
の溶液を得た。

【００８４】評価は実施例１と同様に行った。結果を表
１に示した。その結果、現像後の未露光部の膜厚は５．
５μｍであり（残膜率７９％）、現像による膜べりは
１．５μｍであった。また、パターン形成に際しての光
照射量は、３００ｍＪ／ｃｍ²であった。さらに、電子
顕微鏡によってパターン断面を観察したところ、１０μ
ｍのラインとスペースが良好に解像されていた。

【００８５】実施例５ Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタールのか
わりにＮメチル−２−ピロリドンジエチルアセタール２
９．４５ｇ（２００ｍｍｏｌ）を用いた他は、実施例１
と同様の組成で５０℃で５時間撹拌し、部分エステル化
したポリマー溶液を得た。このポリマー１ｇ中のカルボ
キシル基は０．２８ｍｍｏｌ、イミド化率は８％であ
り、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０８２であ
った。このポリマーを用いて実施例１と同様の感光性溶
液を調整した。

【００８６】評価は実施例１と同様に行った。結果を表
１に示した。その結果、現像後の未露光部の膜厚は５．
５μｍであり（残膜率７９％）、現像による膜べりは
１．５μｍであった。また、パターン形成に際しての光
照射量は、３００ｍＪ／ｃｍ²であった。さらに、電子
顕微鏡によってパターン断面を観察したところ、５μｍ
のラインとスペースが良好に解像されていた。

【００８７】実施例６ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに合成例３で合
成したヒドロキシル基含有ジアミン化合物（２）１３．
６ｇ（３６ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン０．９９ｇ（４ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ１００ｇに溶解させ、３，３’，４，４’
−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物１２．
４ｇ（４０ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で３時間撹拌し
た。さらにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセ
タール９．５ｇ（８０ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で２時
間撹拌し、その後酢酸５ｇを加えて残余したアセタール
化合物を分解し、部分エステル化したポリマー溶液を得
た。このポリマー溶液を水５ｌに投入して、ポリマーの
沈殿をろ過で集めた。このポリマーを８０℃の真空乾燥
機で２０時間乾燥させた。このポリマー１ｇ中のカルボ
キシル基は０．１２ｍｍｏｌ、イミド化率は１２％であ
り、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０６６であ
った。

【００８８】このポリマー溶液１００ｇと合成例５で合
成したナフトキノンジアジド化合物を２ｇを混合して感
光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００８９】評価は現像時間を７０秒間とした他は実施
例１と同様に行った。結果を表１に示した。その結果、
現像後の未露光部の膜厚は５．５μｍであり（残膜率７
９％）、現像による膜べりは１．５μｍであった。ま
た、パターン形成に際しての光照射量は、２５０ｍＪ／
ｃｍ²であった。さらに、電子顕微鏡によってパターン
断面を観察したところ、１０μｍのラインが良好に解像
されていた。

【００９０】実施例７ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに合成例４で合
成したヒドロキシル基含有ジアミン化合物（３）８．７
５ｇ（３６ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン０．９９ｇ（４ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ１００ｇに溶解させ、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１２．９ｇ
（４０ｍｍｏｌ）を加えて５０℃で３時間撹拌した。さ
らにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール
１０．７ｇ（９０ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で２時間撹
拌し、部分エステル化したポリマー溶液を得た。このポ
リマー１ｇ中のカルボキシル基は０．０８ｍｍｏｌ、イ
ミド化率は１１％であり、３６５ｎｍの吸光度は１μｍ
あたり０．０６６であった。

【００９１】このポリマー溶液１００ｇと実施例１で用
いたキノンジアジド化合物４ＮＴ−３００を３．５ｇ混
合して感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【００９２】評価は現像時間を９０秒間とした他は実施
例１と同様に行った。結果を表１に示した。その結果、
現像後の未露光部の膜厚は５．８μｍであり（残膜率８
３％）、現像による膜べりは１．２μｍであった。ま
た、パターン形成に際しての光照射量は、４５０ｍＪ／
ｃｍ²であった。さらに、電子顕微鏡によってパターン
断面を観察したところ、１０μｍのラインが良好に解像
されていた。

【００９３】比較例１ Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタールを添
加しないこと以外は実施例１と同様にして感光性樹脂前
駆体の溶液を得た。このポリマー１ｇののカルボキシル
基は２．３ｍｍｏｌ、イミド化率は７％であり、３６５
ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０８３であった。評価
は実施例１と同様に行ったが、膜はすべて溶解してしま
った。

【００９４】比較例２ ピロメリット酸二無水物５０ｇとエタノール３００ｍｌ
を５００ｍｌのフラスコに入れ、ピリジン０．２ｍｌを
加えて窒素雰囲気下３０℃で１０時間攪拌した。過剰の
エタノールを減圧下で留去し、残留物を真空乾燥するこ
とによってピロメリット酸ジエチルエステルを得た。

【００９５】得られたピロメリット酸ジエチルエステル
３１．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）、塩化チオニル１００ｍ
ｌをフラスコに入れ室温で１時間攪拌した後、３時間還
流した。アスピレーターによって過剰の塩化チオニルを
除去し、塩化物を得た。

【００９６】得られた塩化物をガンマブチロラクトン６
０ｇに溶解し、０℃に保持したＢＡＨＦ３６．６２ｇ
（１００ｍｍｏｌ）とピリジン５０ｍｌをＮＭＰ２００
ｍｌに溶解した溶液に滴下した。０℃で３時間攪拌を続
けた後、さらに３０℃で３時間攪拌した。不溶物を濾過
した後、濾液を５リットルの水に投入し、ポリマーを析
出させた。このポリマー１ｇのカルボキシル基は０ｍｍ
ｏｌ、イミド化率は４％であり、３６５ｎｍの吸光度は
１μｍあたり０．０７２であった。

【００９７】また、このポリマーの残存塩素イオン濃度
は１００ｐｐｍと大きかった。残存ナトリウム、カリウ
ム、鉄イオンについては全て１０ｐｐｍ以下であった。

【００９８】得られたポリアミド酸ジエチルエステル２
０ｇをＮＭＰ６０ｇに溶解し、実施例１で用いたキノン
ジアジド化合物４ＮＴ−３００を５ｇ溶解して感光性樹
脂組成物の溶液を得た。

【００９９】評価は実施例１と同様に行ったが、５分以
上現像液に浸積しても露光部が完全に溶解せず、１００
０ｍＪ／ｃｍ²露光した部分の膜厚は５．１μｍであ
り、未露光部の膜厚は７μｍのままであった。

【０１００】比較例３ 重合およびエステル化反応を１８０℃でおこなったこと
以外は実施例１と同様にして感光性樹脂前駆体の溶液を
得た。このポリマー１ｇのカルボキシル基は０．０１ｍ
ｍｏｌ、イミド化率は６５％であり、３６５ｎｍの吸光
度は１μｍあたり０．１５３であった。評価は実施例１
と同様に行った。その結果、現像後の未露光部の膜厚は
５．５μｍであり、現像による膜べりは１．５μｍであ
ったが、パターン形成に際しての光照射量が、７５０ｍ
Ｊ／ｃｍ²以上必要であった。

【０１０１】実施例８ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（１００ｍｍｏ
ｌ）をＧＢＬ３５０ｇに溶解させた。ここに合成例１で
合成した酸無水物７１．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）をＧＢ
Ｌ４０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次
いで５０℃で４時間反応させた。さらに、２０℃まで冷
却した後、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテル２４．０ｇ
（２４０ｍｍｏｌ）を加え、２０℃で２４時間撹拌し、
部分エステル化したポリマー溶液を得た。このポリマー
１ｇ中のカルボキシル基は０．１８ｍｍｏｌ、イミド化
率は２０％であり、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり
０．０８４であった。

【０１０２】得られた溶液１００ｇに実施例１で用いた
キノンジアジド化合物４ＮＴ−３００を５．５ｇ加えて
感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【０１０３】評価は実施例１と同様に行ったところ、表
１に示したように、現像後の未露光部の膜厚は５．６μ
ｍであり（残膜率８０％）、現像による膜減りは１．４
μｍであった。また、パターン形成に際しての最低光照
射量は、３５０ｍＪ／ｃｍ²と小さく感度がよかった。
さらに、電子顕微鏡によってパターン断面を観察したと
ころ、１０μｍのラインとスペースが良好に解像されて
いた。

【０１０４】実施例９ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに合成例２で合
成したジアミン化合物（１）２４．２ｇ（４０ｍｍｏ
ｌ）をＮＭＰ１００ｇに溶解させ、３，３’，４，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１１．８ｇ（４
０ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で３時間撹拌した。さらに
シクロヘキシルビニルエーテル９．２ｇ（７２ｍｍｏ
ｌ）を加え、２０℃で２４時間撹拌し、部分エステル化
したポリマー溶液を得た。このポリマー１ｇのカルボキ
シル基は０．４ｍｍｏｌ、イミド化率は３６％であり、
３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０６５であっ
た。さらにこのポリマーの残存ナトリウム、カリウム、
鉄イオン濃度は１０ｐｐｍ以下と良好な値であった。ま
た、残存塩素濃度も１０ｐｐｍ以下と良好な値であっ
た。

【０１０５】このポリマー溶液１００ｇと実施例１で用
いたキノンジアジド化合物４ＮＴ−３００を３．５ｇを
混合して感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【０１０６】評価は現像時間を５０秒間とした他は実施
例１と同様に行った。その結果、現像後の未露光部の膜
厚は５．７μｍであり（残膜率８１％）、現像による膜
べりは１．３μｍであった。また、パターン形成に際し
ての光照射量は、４００ｍＪ／ｃｍ²であった。さら
に、電子顕微鏡によってパターン断面を観察したとこ
ろ、１０μｍのラインが良好に解像されていた。

【０１０７】実施例１０ 実施例８においてジアミンの組成をＢＡＨＦ１８．３ｇ
（５０ｍｍｏｌ）、４，４’−ジアミノジフェニルエー
テル８．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン２．５ｇ（１
０ｍｍｏｌ）にした他は同様にしてポリマーを重合し
た。このポリマー１ｇのカルボキシル基は０．２１ｍｍ
ｏｌ、イミド化率は２０％であり、３６５ｎｍの吸光度
は１μｍあたり０．０５６であった。このポリマー３０
ｇをＧＢＬ７０ｇに溶解し、実施例１で用いたキノンジ
アジド化合物４ＮＴ−３００を６ｇ溶解させて感光性樹
脂組成物の溶液を得た。

【０１０８】評価は実施例１と同様に行った。その結
果、現像後の未露光部の膜厚は６．０μｍであり（残膜
率８６％）、現像による膜べりは１．０μｍであった。
また、パターン形成に際しての光照射量は、３５０ｍＪ
／ｃｍ²であった。さらに、電子顕微鏡によってパター
ン断面を観察したところ、１０μｍのラインとスペース
が良好に解像されていた。

【０１０９】実施例１１ 実施例８と同様の組成でポリマーを重合した。その後、
２０℃まで冷却した後、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテ
ル２４．０ｇ（２４０ｍｍｏｌ）を加え、リン酸０．７
２ｇ（５．５２ｍｍｏｌ）を滴下した。２０℃で２４時
間撹拌した後、ポリマー溶液を純水に投入しポリマーを
析出、乾燥させた。このポリマー１ｇのカルボキシル基
は０．０８ｍｍｏｌ、イミド化率は１０％であり、３６
５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０４２であった。こ
のポリマー３０ｇをＧＢＬ７０ｇに溶解し、実施例１で
用いたキノンジアジド化合物４ＮＴ−３００を６ｇ溶解
させて感光性樹脂組成物の溶液を得た。

【０１１０】評価は実施例１と同様に行った。その結
果、現像後の未露光部の膜厚は６．４μｍであり（残膜
率９１％）、現像による膜べりは０．６μｍであった。
また、パターン形成に際しての光照射量は、２５０ｍＪ
／ｃｍ²と高感度であった。さらに、電子顕微鏡によっ
てパターン断面を観察したところ、５μｍのラインとス
ペースが良好に解像されていた。

【０１１１】実施例１２ 実施例８と同様の組成でポリマーを重合した。その後、
イソプロピルビニルエーテル２０．９ｇ（２４０ｍｍ
ｏｌ）を加え、リン酸０．７２ｇ（５．５２ｍｍｏｌ）
を滴下した。２５℃で２０時間撹拌して、部分エステル
化したポリマー溶液を得た。このポリマー１ｇのカルボ
キシル基は０．１２ｍｍｏｌ、イミド化率は１２％であ
り、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０８３であ
った。このポリマー３０ｇをＧＢこのポリマー３０ｇを
ＧＢＬ７０ｇに溶解し、実施例１で用いたキノンジアジ
ド化合物４ＮＴ−３００を６ｇ溶解させて感光性樹脂組
成物の溶液を得た。

【０１１２】評価は実施例１と同様に行った。その結
果、現像後の未露光部の膜厚は５．７μｍであり（残膜
率８１％）、現像による膜べりは１．３μｍであった。
また、パターン形成に際しての光照射量は、３００ｍＪ
／ｃｍ²であった。さらに、電子顕微鏡によってパター
ン断面を観察したところ、５μｍのラインとスペースが
良好に解像されていた。

【０１１３】実施例１３ 合成例３で合成したヒドロキシル基含有ジアミン（２）
１８．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）、ＢＡＨＦ１６．５ｇ
（０．０４５ｍｏｌ）、１、３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００
５ｍｏｌ）をＮＭＰ２５０ｇに溶解させ、３０℃にし
た。ここに３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物３１．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を
ＮＭＰ５０ｇとともに加え、３０℃で１時間、その後５
０℃で２時間攪拌した。この後溶液温度を５０℃に保ち
Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール２
３．８ｇ（０．２ｍｏｌ）をＮＭＰ８０ｇで希釈した溶
液を加え、５０℃で２時間攪拌を続けた。その後、溶液
の温度を３０℃にして酢酸６０ｇ（１ｍｏｌ）をＮＭＰ
８０ｇとともに加え、３０℃で１時間攪拌し、過剰のア
セタール化合物を分解させた。反応終了後、ポリマー溶
液を水１０ｌに投入し、ポリマーの沈殿を得た。これを
ろ過で集め、８０℃の通風オーブンで２４時間乾燥し
た。このポリマーの残存ナトリウム、カリウム、鉄イオ
ン濃度は１０ｐｐｍ以下と良好な値であった。また、残
存塩素濃度も１０ｐｐｍ以下と良好な値であった。

【０１１４】このポリマー１ｇ中のカルボキシル基は
０．４３ｍｍｏｌ、イミド化率は１１％であり、３６５
ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０７５であった。この
ポリマー１０ｇをＮＭＰ７０ｇに溶解し、没食子酸メチ
ル１ｍｏｌに５−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロ
リド３ｍｏｌを反応させた感光剤（ＭＧ−３００ 東洋
合成製）２ｇを溶解させて感光性樹脂組成物の溶液を得
た。

【０１１５】評価は現像時間を７０秒とした以外は実施
例１と同様に行った。結果を表１に示した。その結果、
現像後の未露光部の膜厚は５．８μｍであり（残膜率８
３％）、現像による膜べりは１．２μｍであった。ま
た、パターン形成に際しての光照射量は、３５０ｍＪ／
ｃｍ²であった。さらに、電子顕微鏡によってパターン
断面を観察したところ、１０μｍのラインとスペースが
良好に解像されていた。

【０１１６】実施例１４ 合成例４で合成したヒドロキシル基含有ジアミン（３）
１２．２ｇ（０．０５ｍｏｌ）、ＢＡＨＦ１６．５ｇ
（０．０４５ｍｏｌ）、１、３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００
５ｍｏｌ）をＮＭＰ１８０ｇに溶解させ、３０℃にし
た。ここに３、３’、４、４’−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物３１．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を
ＮＭＰ５０ｇとともに加え、３０℃で１時間、その後５
０℃で２時間攪拌した。この後溶液温度を５０℃に保ち
ジメチルホルムアミドジメチルアセタール２３．８ｇ
（０．２ｍｏｌ）をＮＭＰ８０ｇで希釈した溶液を加
え、５０℃で２時間攪拌を続けた。その後、溶液の温度
を３０℃に低下させ、酢酸２４ｇ（０．４ｍｏｌ）をＮ
ＭＰ３０ｇとともに加え、３０℃で１時間攪拌し、過剰
のアセタール化合物を分解させた。反応終了後、ポリマ
ー溶液を水１０ｌに投入し、ポリマーの沈殿を得た。こ
れをろ過で集め、８０℃の通風オーブンで２４時間乾燥
した。このポリマーの残存ナトリウム、カリウム、鉄イ
オン濃度は１０ｐｐｍ以下と良好な値であった。また、
残存塩素濃度も１０ｐｐｍ以下と良好な値であった。

【０１１７】このポリマー１ｇ中のカルボキシル基は
０．４４ｍｍｏｌ、イミド化率は１１％であり、３６５
ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０５５であった。この
ポリマー３０ｇをＮＭＰ７０ｇに溶解し、実施例１３で
用いたＭＧ−３００の６ｇを溶解させて感光性樹脂組成
物の溶液を得た。

【０１１８】評価は現像時間を６０秒とした以外は実施
例１と同様に行った。結果を表１に示した。その結果、
現像後の未露光部の膜厚は６．０μｍであり（残膜率８
６％）、現像による膜べりは１．０μｍであった。ま
た、パターン形成に際しての光照射量は、３５０ｍＪ／
ｃｍ²であった。さらに、電子顕微鏡によってパターン
断面を観察したところ、１０μｍのラインとスペースが
良好に解像されていた。

【０１１９】実施例１５〜１７ 合成例２で合成したヒドロキシル基含有ジアミン（１）
５７．４ｇ（０．０９５ｍｏｌ）、１、３−ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ
（０．０５ｍｏｌ）をＮＭＰ１８０ｇに溶解させ、３０
℃にした。ここに３，３’，４，４’−ジフェニルエー
テルテトラカルボン酸二無水物３１．０ｇ（０．１ｍｏ
ｌ）をＮＭＰ３０ｇとともに加え、３０℃で１時間、そ
の後５０℃で２時間攪拌した。この後溶液温度を５０℃
に保ちＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドジメチルアセタ
ールを、実施例１５：２０．２ｇ（０．１７ｍｏｌ）、
実施例１６：２２．６ｇ（０．１９ｍｏｌ）、実施例１
７：２５．０ｇ（０．２１ｍｏｌ）の所定の量をＮＭＰ
１００ｇとともに加えた。この後、５０℃で２時間攪拌
を続けた。この後溶液の温度を３０℃とし、酢酸２４ｇ
（０．４ｍｏｌ）を加え、３０℃で１時間攪拌して過剰
のアセタール化合物を分解した。反応終了後、ポリマー
溶液を水１０ｌに投入し、ポリマーの沈殿を得た。これ
をろ過で集め、８０℃の通風オーブンで２４時間乾燥し
た。いずれのポリマーの残存ナトリウム、カリウム、鉄
イオン濃度は１０ｐｐｍ以下と良好な値であった。ま
た、残存塩素濃度も１０ｐｐｍ以下と良好な値であっ
た。

【０１２０】実施例１５ではポリマー１ｇ中のカルボキ
シル基は０．６ｍｍｏｌ、イミド化率は９％、３６５ｎ
ｍの吸光度は１μｍあたり０．０４４、実施例１６では
ポリマー１ｇ中のカルボキシル基は０．４７ｍｍｏｌ、
イミド化率は９％、３６５ｎｍの吸光度は１μｍあたり
０．０４４、実施例１７ではポリマー１ｇ中のカルボキ
シル基は０．４１ｍｍｏｌ、イミド化率は１１％、３６
５ｎｍの吸光度は１μｍあたり０．０４５であった。こ
れらのポリマー３０ｇをそれぞれＧＢＬ３５ｇ、ＮＭＰ
３５ｇに溶解し、合成例５で合成したナフトキノンジア
ジド化合物６ｇを溶解させてそれぞれ感光性樹脂組成物
の溶液を得た。

【０１２１】評価は現像時間を５０秒（実施例１５）、
７０秒（実施例１６）、９０秒（実施例１７）とした以
外は実施例１と同様に行った。結果を表１に示した。さ
らに、電子顕微鏡によってパターン断面を観察したとこ
ろ、いずれも５μｍのラインとスペースが良好に解像さ
れていた。

【０１２２】

【表１】

【０１２３】

【表２】

【０１２４】

【発明の効果】本発明によれば、短時間でのアルカリ現
像が可能であり、かつ透明性が高く、高感度の感光性樹
脂組成物を得ることができるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） (72)発明者 奥田 良治 滋賀県大津市園山１丁目１番１号 東レ株 式会社滋賀事業場内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）構造単位間の結合が一般式（１）で
   表されるような構造単位を主成分とするポリマーと
   （ｂ）光酸発生剤を含有しており、光照射及びそれにつ
   づく現像によってパターン形成可能であり、上記ポリマ
   ー１ｇ中に含まれる全カルボキシル基が、０．０２ｍｍ
   ｏｌ以上２．０ｍｍｏｌ以下であることを特徴とするポ
   ジ型感光性樹脂組成物。 【化１】 （Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を有する３価か
   ら８価の有機基、Ｒ２は、少なくとも２個以上の炭素原
   子を有する２価から６価の有機基、Ｒ３は水素、または
   炭素数１から２０までの有機基を示し、すべて水素であ
   ることはない。ｎは３から１０００００までの整数、ｍ
   は１または２、ｐ、ｑは０から４までの整数を示し、か
   つｐ＋ｑ＞０である。）
2. 【請求項２】上記光酸発生剤がキノンジアジド化合物で
   あることを特徴とする請求項１記載のポジ型感光性樹脂
   組成物。
3. 【請求項３】上記一般式（１）で表されるポリマーのカ
   ルボキシル基の一部がイミド化しており、そのイミド化
   の割合（イミド化率）が１％以上５０％以下であること
   を特徴とする請求項１または２記載のポジ型感光性樹脂
   組成物。
4. 【請求項４】上記一般式（１）で表されるポリマーの３
   ６５ｎｍにおける吸光度が膜厚１μｍあたり０．１以下
   であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の
   ポジ型感光性樹脂組成物。
5. 【請求項５】一般式（２）で表される構造単位を主成分
   とするポリマーを一般式（３）および／または一般式
   （４）で表される化合物でエステル化処理することを特
   徴とする請求項１〜４のいずれか記載のポジ型感光性樹
   脂組成物。 【化２】 （Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を有する３価か
   ら８価の有機基、Ｒ２は、少なくとも２個以上の炭素原
   子を有する２価から６価の有機基である。ｎは３から１
   ０００００までの整数であり、ｍは１または２、ｐ、ｑ
   は０から４までの整数、かつｐ＋ｑ＞０である。） 【化３】 【化４】 （Ｒ４は水素原子または炭素数１以上の１価の有機基を
   示し、Ｒ５は水素原子または炭素数１以上の１価の有機
   基、含窒素有機基、含酸素有機基のいずれかを示し、Ｒ
   ６は炭素数１以上の１価の有機基を示し、Ｒ７は炭素数
   １以上の２価の環状有機基、含窒素有機基、含酸素有機
   基のいずれかを示す。）
6. 【請求項６】一般式（３）および／または一般式（４）
   で表される化合物が、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ
   アルキルアセタールであることを特徴とする請求項５記
   載のポジ型感光性樹脂組成物。
7. 【請求項７】一般式（２）で表される構造単位を主成分
   とするポリマーを一般式（５）で表される化合物でエス
   テル化処理することを特徴とする請求項１記載のポジ型
   感光性樹脂組成物。 【化５】 （Ｒ８は炭素数１以上の１価の有機基を示す。）
8. 【請求項８】一般式（５）で表される化合物が、シクロ
   ヘキシルビニルエーテルであることを特徴とする請求項
   ５記載のポジ型感光性樹脂組成物。
9. 【請求項９】一般式（２）で表される構造単位を主成分
   とするポリマーを、一般式（３）、（４）および（５）
   で表される化合物および酸触媒でエステル化処理するこ
   とを特徴とする請求項７記載のポジ型感光性樹脂組成
   物。