JP2000113514A - 相変化型光ディスク - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐蝕性、繰り返し記録耐久性および信
号安定性を有する、二重反射層を含む書換可能な相変化
型光ディスク。 【解決手段】 透明基板（３０）上に順次形成された第
１誘電体層（３１）、記録層（３２）、第２誘電体層
（３３）、反射層、および保護層（３６）を含む相変化
型光ディスクにおいて、前記反射層が電気陰性度１．９
ないし３．０の金属または合金からなる第１反射層（３
４）と、Ｃｕ、Ａｇまたはこれらの合金からなる第２反
射層（３５）とからなり、前記第１反射層（３４）は前
記第２誘電体層（３３）と密着して位置し、前記第２反
射層（３５）は前記第１反射層（３４）および保護層
（３６）と密着して位置することを特徴とする相変化型
光ディスクを提供する。
号安定性を有する、二重反射層を含む書換可能な相変化
型光ディスク。 【解決手段】 透明基板（３０）上に順次形成された第
１誘電体層（３１）、記録層（３２）、第２誘電体層
（３３）、反射層、および保護層（３６）を含む相変化
型光ディスクにおいて、前記反射層が電気陰性度１．９
ないし３．０の金属または合金からなる第１反射層（３
４）と、Ｃｕ、Ａｇまたはこれらの合金からなる第２反
射層（３５）とからなり、前記第１反射層（３４）は前
記第２誘電体層（３３）と密着して位置し、前記第２反
射層（３５）は前記第１反射層（３４）および保護層
（３６）と密着して位置することを特徴とする相変化型
光ディスクを提供する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光ディス
クに関し、より詳細には、優れた耐蝕性、繰り返し記録
耐久性および信号安定性を有する、二重反射層を含む書
換可能な相変化型光ディスクに関する。
クに関し、より詳細には、優れた耐蝕性、繰り返し記録
耐久性および信号安定性を有する、二重反射層を含む書
換可能な相変化型光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、一般に図１に示されてい
るような構造を有し、ここで１はディスクの情報記録領
域を示す。図２に示されているように光ディスクの基板
１０のトラック上にはディジタル情報を構成するマーク
であるピット１１が形成されており、その上にレーザー
ビームを反射させる反射層１２と保護層１３が順次形成
されている。
るような構造を有し、ここで１はディスクの情報記録領
域を示す。図２に示されているように光ディスクの基板
１０のトラック上にはディジタル情報を構成するマーク
であるピット１１が形成されており、その上にレーザー
ビームを反射させる反射層１２と保護層１３が順次形成
されている。
【０００３】一方、ＣＤ−ＲＯＭなどが急速に普及した
ことによって、動映像(Video)、スチルイメージ(Still
images)、アニメーション(Animation)などのようなマル
チメディアに係わるソフトウエアを効果的に利用するた
めの書換可能な記録媒体に対する要求が増加している。
このような要求に沿って容易に記録、消去することがで
きる書換型光ディスク（例：ＣＤ−ＲＷ(Compact Disc
Rewritable)）が開発された。記録層の材料としては、
光磁気材料を用いた光磁気ディスク、レーザービームの
ような光に反応して結晶相と非晶質相に転換する相変化
材料を用いた相変化型光ディスクなどがある。そのう
ち、相変化型光ディスクは、その記録再生メカニズムが
既存のＣＤで用いられているものと互換可能である。
ことによって、動映像(Video)、スチルイメージ(Still
images)、アニメーション(Animation)などのようなマル
チメディアに係わるソフトウエアを効果的に利用するた
めの書換可能な記録媒体に対する要求が増加している。
このような要求に沿って容易に記録、消去することがで
きる書換型光ディスク（例：ＣＤ−ＲＷ(Compact Disc
Rewritable)）が開発された。記録層の材料としては、
光磁気材料を用いた光磁気ディスク、レーザービームの
ような光に反応して結晶相と非晶質相に転換する相変化
材料を用いた相変化型光ディスクなどがある。そのう
ち、相変化型光ディスクは、その記録再生メカニズムが
既存のＣＤで用いられているものと互換可能である。
【０００４】相変化型光ディスクにおいては、レーザー
ビームを照射することによって、記録ピットの相を結晶
相／非晶質相に変化するようにして情報を記録および消
去し得る。図３に示されているように、従来の相変化型
光ディスクは、一般的に透明基板２０上に第１誘電体層
２１、記録層２２、第２誘電体層２３、反射層２４、保
護層２５が順に積層されている構造を有する。ここで、
記録層のトラックには記録信号の形成または消去が行わ
れ、レーザービームを照射すると、記録層が結晶質から
非晶質に、または非晶質から結晶質に可逆変化して記録
と消去が繰り返される。
ビームを照射することによって、記録ピットの相を結晶
相／非晶質相に変化するようにして情報を記録および消
去し得る。図３に示されているように、従来の相変化型
光ディスクは、一般的に透明基板２０上に第１誘電体層
２１、記録層２２、第２誘電体層２３、反射層２４、保
護層２５が順に積層されている構造を有する。ここで、
記録層のトラックには記録信号の形成または消去が行わ
れ、レーザービームを照射すると、記録層が結晶質から
非晶質に、または非晶質から結晶質に可逆変化して記録
と消去が繰り返される。
【０００５】このような相変化型光ディスクは、短波長
レーザービームと駆動ドライブの簡単な光学系を用いる
ことができるため、ＤＶＤ−ＲＡＭ(Digital Video Dis
k Random Access Memory)のような次世代高密度書換型
光ディスクとして採用され得る。
レーザービームと駆動ドライブの簡単な光学系を用いる
ことができるため、ＤＶＤ−ＲＡＭ(Digital Video Dis
k Random Access Memory)のような次世代高密度書換型
光ディスクとして採用され得る。
【０００６】既存の相変化型光ディスクにおいては、Ａ
ｌ合金またはＡｇの比較的厚い反射層が用いられるが、
その厚さのため性能と経済性の面において問題がある。
しかし、薄いＡｌ合金膜を反射層として用いる場合は記
録特性が低下し、薄いＡｇ膜からなる反射層を用いる場
合は耐蝕性が悪くなるという他の問題が発生する。
ｌ合金またはＡｇの比較的厚い反射層が用いられるが、
その厚さのため性能と経済性の面において問題がある。
しかし、薄いＡｌ合金膜を反射層として用いる場合は記
録特性が低下し、薄いＡｇ膜からなる反射層を用いる場
合は耐蝕性が悪くなるという他の問題が発生する。
【０００７】したがって、耐蝕性および改善された記録
特性を有する薄い反射層を含む相変化型光ディスクの開
発が要求されている。
特性を有する薄い反射層を含む相変化型光ディスクの開
発が要求されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、優れた記録特性および耐蝕性を有する相変化型
光ディスクを提供することである。
目的は、優れた記録特性および耐蝕性を有する相変化型
光ディスクを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明基
板上に順次形成された第１誘電体層、記録層、第２誘電
体層、反射層、および保護層を含む相変化型光ディスク
において、前記反射層が電気陰性度１．９ないし３．０
の金属または合金からなる第１反射層と、Ｃｕ、Ａｇま
たはこれらの合金からなる第２反射層とからなり、前記
第１反射層は前記第２誘電体層と密着して位置し、前記
第２反射層は前記第１反射層および保護層と密着して位
置することを特徴とする相変化型光ディスクが提供され
る。
板上に順次形成された第１誘電体層、記録層、第２誘電
体層、反射層、および保護層を含む相変化型光ディスク
において、前記反射層が電気陰性度１．９ないし３．０
の金属または合金からなる第１反射層と、Ｃｕ、Ａｇま
たはこれらの合金からなる第２反射層とからなり、前記
第１反射層は前記第２誘電体層と密着して位置し、前記
第２反射層は前記第１反射層および保護層と密着して位
置することを特徴とする相変化型光ディスクが提供され
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００１１】本発明による相変化型光ディスクは、図４
に示されているように、透明基板３０上に第１誘電体層
３１、記録層３２、第２誘電体層３３、第１反射層３
４、第２反射層３５、保護層３６が順に積層されている
構造を有する。
に示されているように、透明基板３０上に第１誘電体層
３１、記録層３２、第２誘電体層３３、第１反射層３
４、第２反射層３５、保護層３６が順に積層されている
構造を有する。
【００１２】本発明に用いられる基板は、ポリカーボネ
ート樹脂などを用いて通常の射出成形などの方法に従っ
て製造される。基板上に形成される溝は、記録および再
生に必要なサーボ特性に合せてその幅と深さが設計さ
れ、特に高密度化のためにランドと溝のいずれをも記
録、再生に使用する場合は、互いのクロストーク(Cross
-talk)を防止するために溝の深さをλ／５ｎ〜λ／７ｎ
（λ：記録／再生光波長、ｎ：ポリカーボネート基板の
屈折率）に設定しなければならない。
ート樹脂などを用いて通常の射出成形などの方法に従っ
て製造される。基板上に形成される溝は、記録および再
生に必要なサーボ特性に合せてその幅と深さが設計さ
れ、特に高密度化のためにランドと溝のいずれをも記
録、再生に使用する場合は、互いのクロストーク(Cross
-talk)を防止するために溝の深さをλ／５ｎ〜λ／７ｎ
（λ：記録／再生光波長、ｎ：ポリカーボネート基板の
屈折率）に設定しなければならない。
【００１３】光ディスクの誘電体層は、光学的に透明で
あり、かつ耐熱性を備えていなければならない。本発明
のディスクの誘電体層に使用され得る物質は、高い熱安
定性および０に近い光吸収係数を有するものが好まし
く、例としては、金属酸化物、金属炭化物、金属窒化物
またはこれらの混合物を挙げることができる。本発明で
使用され得る誘電物質の具体例としては、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２（８：２）、ＡｌＮ、ＧｅＮなどがある。本発明の
第１および第２誘電層は、ＲＦスパッタリング(Radio-f
requency sputtering)に従って、第１誘電体層は厚さ３
００ないし３０００Å、第２誘電体層は厚さ５０ないし
５００Åに製造され得る。
あり、かつ耐熱性を備えていなければならない。本発明
のディスクの誘電体層に使用され得る物質は、高い熱安
定性および０に近い光吸収係数を有するものが好まし
く、例としては、金属酸化物、金属炭化物、金属窒化物
またはこれらの混合物を挙げることができる。本発明で
使用され得る誘電物質の具体例としては、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２（８：２）、ＡｌＮ、ＧｅＮなどがある。本発明の
第１および第２誘電層は、ＲＦスパッタリング(Radio-f
requency sputtering)に従って、第１誘電体層は厚さ３
００ないし３０００Å、第２誘電体層は厚さ５０ないし
５００Åに製造され得る。
【００１４】本発明の記録層にはレーザービームを照射
すると結晶相および非晶質相に容易に相変化可能な物質
が用いられるが、この具体的な例としては、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、
Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の
ようなカルコゲン化合物が用いられる。これらの物質
は、記録層の特性を改善するために他の添加剤とともに
使用され得る。記録層はＤＣ(direct current)スパッタ
リングのような通常の方法を用いて厚さ１００ないし１
０００Åに製造し得る。
すると結晶相および非晶質相に容易に相変化可能な物質
が用いられるが、この具体的な例としては、Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、
Ｃｒ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の
ようなカルコゲン化合物が用いられる。これらの物質
は、記録層の特性を改善するために他の添加剤とともに
使用され得る。記録層はＤＣ(direct current)スパッタ
リングのような通常の方法を用いて厚さ１００ないし１
０００Åに製造し得る。
【００１５】反射層には通常Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕな
どの金属が用いられるが、記録感度と耐酸化性などのた
めにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｇなどをこれら金属に
第二成分として少量加えてＡｌ−Ｔｉ（Ｔｉ １．５重
量％）、Ａｌ−Ｃｒ（Ｃｒ２原子％）、Ａｇ−Ａｌ、Ａ
ｇ−Ｍｇのような合金の形でも用いられ得る。
どの金属が用いられるが、記録感度と耐酸化性などのた
めにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｇなどをこれら金属に
第二成分として少量加えてＡｌ−Ｔｉ（Ｔｉ １．５重
量％）、Ａｌ−Ｃｒ（Ｃｒ２原子％）、Ａｇ−Ａｌ、Ａ
ｇ−Ｍｇのような合金の形でも用いられ得る。
【００１６】本発明の光ディスクにおいては、誘電体層
と化学反応を起こさない、電気陰性度が１．９ないし
３．０である金属またはこれらの合金を第１反射層の材
料として用いる。第２反射層の材料としては、第１反射
層より熱伝導率が高いＣｕ、Ａｇまたはこれらの合金を
用い、このＣｕまたはＡｇ合金は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃ
ｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｈｆ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｍｎおよびこれらの混
合物からなる群から選ばれる金属を第二成分として含
む。
と化学反応を起こさない、電気陰性度が１．９ないし
３．０である金属またはこれらの合金を第１反射層の材
料として用いる。第２反射層の材料としては、第１反射
層より熱伝導率が高いＣｕ、Ａｇまたはこれらの合金を
用い、このＣｕまたはＡｇ合金は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃ
ｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｈｆ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｍｎおよびこれらの混
合物からなる群から選ばれる金属を第二成分として含
む。
【００１７】第１反射層を形成するための材料の具体的
な例としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐｔ、およびこれらの合金など
があり、これら合金は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚ
ｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｓｎ、
Ｓｃ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｍｎ、およびこれらの組合を第二成
分として含む。
な例としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐｔ、およびこれらの合金など
があり、これら合金は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚ
ｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｓｎ、
Ｓｃ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｍｎ、およびこれらの組合を第二成
分として含む。
【００１８】反射層は、記録の際にはレーザービームを
照射して記録物質の融点以上の温度に溶融された記録領
域を急速に冷却して非結晶質化させる機能と、消去の際
には記録領域を特定温度以上に維持して結晶化させる機
能を有することが要求される。Ａｌ合金を反射層として
用いる場合、反射層に加えられる過度な熱的負荷のため
繰り返し記録の際に信号特性が劣化するという問題が発
生する。これを克服するために、高熱伝導率のＡｇまた
はＣｕが提案されたが、ＡｇまたはＣｕからなる反射層
は、過度に高い熱伝導率のため消去特性において劣り、
また、第２誘電体層との化学反応を起こすという問題を
有している。
照射して記録物質の融点以上の温度に溶融された記録領
域を急速に冷却して非結晶質化させる機能と、消去の際
には記録領域を特定温度以上に維持して結晶化させる機
能を有することが要求される。Ａｌ合金を反射層として
用いる場合、反射層に加えられる過度な熱的負荷のため
繰り返し記録の際に信号特性が劣化するという問題が発
生する。これを克服するために、高熱伝導率のＡｇまた
はＣｕが提案されたが、ＡｇまたはＣｕからなる反射層
は、過度に高い熱伝導率のため消去特性において劣り、
また、第２誘電体層との化学反応を起こすという問題を
有している。
【００１９】本発明において、第２誘電体層と密接して
位置する第１反射層は、非晶質化に必要な冷却特性およ
び特定温度以上に維持して結晶化し得る熱的特性をディ
スクに与えるとともに、第２反射層と誘電体層との化学
反応を抑制する障壁(barrier)の役割を有する。一方、
第１反射層と保護層の間に位置し、高熱伝導率を有する
第２反射層は第１反射層に付加された熱的負荷を緩和す
る役割を有する。
位置する第１反射層は、非晶質化に必要な冷却特性およ
び特定温度以上に維持して結晶化し得る熱的特性をディ
スクに与えるとともに、第２反射層と誘電体層との化学
反応を抑制する障壁(barrier)の役割を有する。一方、
第１反射層と保護層の間に位置し、高熱伝導率を有する
第２反射層は第１反射層に付加された熱的負荷を緩和す
る役割を有する。
【００２０】適切な反射層の厚さは、第１反射層および
第２反射層をなす材料、記録層の構成および記録線速、
誘電体層の種類、組成および厚さなどの条件によって異
なる。たとえば、第１反射層としてＷ、Ｓｉ、Ａｌ合金
が用いられ、第２反射層としてＣｕ、ＡｇまたはＡｇ合
金が用いられる場合、第１反射層の厚さは１０Å以上、
好ましくは１００Å以上であり、第２反射層の厚さは２
５０Å以上、好ましくは４５０Å以上である。
第２反射層をなす材料、記録層の構成および記録線速、
誘電体層の種類、組成および厚さなどの条件によって異
なる。たとえば、第１反射層としてＷ、Ｓｉ、Ａｌ合金
が用いられ、第２反射層としてＣｕ、ＡｇまたはＡｇ合
金が用いられる場合、第１反射層の厚さは１０Å以上、
好ましくは１００Å以上であり、第２反射層の厚さは２
５０Å以上、好ましくは４５０Å以上である。
【００２１】さらに、ＤＶＤ−ＲＡＭ用光ディスクに第
１反射層としてＡｌ合金と、第２反射層としてＣｕまた
はＡｇを用いて記録線速６ｍ／ｓ条件の下で記録して特
性を評価する場合、第１反射層および第２反射層の厚さ
の和は、２０００Å以下であることが好ましく、この場
合、第１反射層の厚さが１３００Å以下、第２反射層の
厚さが１０Å以上であると、優れた繰り返し記録耐久性
効果が得られ、第２反射層の厚さが８００Å未満である
ことがさらに好ましい。また、記録層の種類、組成、記
録線速などに応じて、反射層の厚さも適切に調節する。
１反射層としてＡｌ合金と、第２反射層としてＣｕまた
はＡｇを用いて記録線速６ｍ／ｓ条件の下で記録して特
性を評価する場合、第１反射層および第２反射層の厚さ
の和は、２０００Å以下であることが好ましく、この場
合、第１反射層の厚さが１３００Å以下、第２反射層の
厚さが１０Å以上であると、優れた繰り返し記録耐久性
効果が得られ、第２反射層の厚さが８００Å未満である
ことがさらに好ましい。また、記録層の種類、組成、記
録線速などに応じて、反射層の厚さも適切に調節する。
【００２２】本発明の相変化型光ディスクが十分な変調
信号特性を有するためには記録層の非晶質状態での反射
率と結晶状態での反射率の差が１０％以上になるように
設計することが好ましい。また、ランドと溝に同時に記
録する場合は、記録された非晶質マークと未記録部の結
晶状態マトリックスの屈折率の差によって信号位相差が
発生し、この位相差に基づく干渉によって信号振幅が減
少するという問題が発生するが、このような問題を抑制
するために、非晶質状態での反射率を０に近くするか、
ランドにおける信号振幅の差を最小化させるように各層
の厚さを設計することがさらに好ましい。
信号特性を有するためには記録層の非晶質状態での反射
率と結晶状態での反射率の差が１０％以上になるように
設計することが好ましい。また、ランドと溝に同時に記
録する場合は、記録された非晶質マークと未記録部の結
晶状態マトリックスの屈折率の差によって信号位相差が
発生し、この位相差に基づく干渉によって信号振幅が減
少するという問題が発生するが、このような問題を抑制
するために、非晶質状態での反射率を０に近くするか、
ランドにおける信号振幅の差を最小化させるように各層
の厚さを設計することがさらに好ましい。
【００２３】また、実際の量産の際には、材料費を低減
し生産時間を短縮するために各層の厚さは許される範囲
内でできる限り薄くすることが要求される。
し生産時間を短縮するために各層の厚さは許される範囲
内でできる限り薄くすることが要求される。
【００２４】本発明のディスクの保護層としては通常Ｕ
Ｖ硬化型樹脂などが用いられる。
Ｖ硬化型樹脂などが用いられる。
【００２５】本発明の相変化型光ディスクにおけるオー
バーライト過程は図５に概略的に示される。高出力のレ
ーザービームを記録層に照射してその記録層を局部的に
溶融した後、急冷すると照射された部分が非晶質化され
て記録マークが形成される。ここで記録マークは再生専
用型光ディスクのトラックに沿って形成されるピットに
相当する。このように形成された記録マークに、記録時
のパワーの１／３ないし１／２程度の出力を有するレー
ザービームを照射すると、消去領域である結晶質構造が
形成されて記録された情報が消去される。記録マークの
形状を均一にするために、記録パルスとしては種々の連
続した短いパルスからなるマルチパルスを用いることが
好ましい。
バーライト過程は図５に概略的に示される。高出力のレ
ーザービームを記録層に照射してその記録層を局部的に
溶融した後、急冷すると照射された部分が非晶質化され
て記録マークが形成される。ここで記録マークは再生専
用型光ディスクのトラックに沿って形成されるピットに
相当する。このように形成された記録マークに、記録時
のパワーの１／３ないし１／２程度の出力を有するレー
ザービームを照射すると、消去領域である結晶質構造が
形成されて記録された情報が消去される。記録マークの
形状を均一にするために、記録パルスとしては種々の連
続した短いパルスからなるマルチパルスを用いることが
好ましい。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
のみであり、本発明の範囲を制限しない。
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
のみであり、本発明の範囲を制限しない。
【００２７】ＣＤ−ＲＷ実施例１ないし１５および比較
例１ないし１４は、ＣＤ２倍線速相変化型光ディスクを
製造してその特性を評価したものである。製造された光
ディスクの各種性能評価は次の方法で実施した。
例１ないし１４は、ＣＤ２倍線速相変化型光ディスクを
製造してその特性を評価したものである。製造された光
ディスクの各種性能評価は次の方法で実施した。
【００２８】（１）耐蝕性（耐環境テスト） サンプルを２５〜５５℃の温度、５０〜９５％の相対湿
度の条件の下で１００時間放置した後、記録および再生
状態を評価した（良好：○、不良：X）。
度の条件の下で１００時間放置した後、記録および再生
状態を評価した（良好：○、不良：X）。
【００２９】（２）記録特性 光ディスクをＣＤ−ＲＷ専用動特性評価器（ＡＰＥＸ社
製造、モデル名：Modular Media Tester(MMT)）に装着
した後、２．４ｍ／ｓに回転させながら記録特性を評価
した。この際、記録のためのレーザービームのパルスの
形態は図６に示すようなマルチパルスを用い、記録パワ
ーと消去パワーは１２．５ｍＷと６．２５ｍＷに固定し
た。この際、用いられた光源の波長は７８０ｎｍ、対物
レンズのＮＡは０．５５であった。
製造、モデル名：Modular Media Tester(MMT)）に装着
した後、２．４ｍ／ｓに回転させながら記録特性を評価
した。この際、記録のためのレーザービームのパルスの
形態は図６に示すようなマルチパルスを用い、記録パワ
ーと消去パワーは１２．５ｍＷと６．２５ｍＷに固定し
た。この際、用いられた光源の波長は７８０ｎｍ、対物
レンズのＮＡは０．５５であった。
【００３０】初期記録特性は、１回記録時のジッター値
として示し、ジッター値が２０ｎｓを超過すると、記録
信号特性が不良であると判定した。
として示し、ジッター値が２０ｎｓを超過すると、記録
信号特性が不良であると判定した。
【００３１】書換記録特性は、１０回記録時のジッター
値として示し、ジッター値が２０ｎｓを超過すると、記
録信号特性が不良であると判定した。
値として示し、ジッター値が２０ｎｓを超過すると、記
録信号特性が不良であると判定した。
【００３２】繰り返し記録耐久性は、記録と消去を繰り
返しながら記録特性が低下するか否かを観察したもの
で、ジッター値が１０回記録後のオーバーライトジッタ
ー値の５０％以上に増加するまでの記録回数を示した。
返しながら記録特性が低下するか否かを観察したもの
で、ジッター値が１０回記録後のオーバーライトジッタ
ー値の５０％以上に増加するまでの記録回数を示した。
【００３３】実施例１ スタンパー(stamper)を用いた射出成形法によって深さ
５００Åの螺旋形溝が形成された厚さ１．２ｍｍのポリ
カーボネートディスク基板を製造した。
５００Åの螺旋形溝が形成された厚さ１．２ｍｍのポリ
カーボネートディスク基板を製造した。
【００３４】前記ディスク基板の溝形成面にＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ２（８：２）をＲＦスパッタリングして第１誘電体
層を厚さ９５０Åに成膜した。その後、前記第１誘電体
層の上部にＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜をＤＣス
パッタリング法によって厚さ２００Åに成膜した。次い
で、さらにＺｎＳ−ＳｉＯ２（８：２）をＲＦスパッタ
リングして第２誘電体層を厚さ２５０Åに成膜した後、
Ａｌ−Ｔｉ合金（Ａｌ９８．５重量％、Ｔｉ １．５重
量％）からなる第１反射層を５０Å厚さに形成した。前
記Ａｌ−Ｔｉ第１反射層上部にＡｇをＤＣスパッタリン
グして厚さ５００Åの第２反射層を成膜した後、保護層
としてＵＶ硬化型樹脂（商品名：ＳＤ１７：ＤＩＣ）を
スピンコーティングした。
ｉＯ２（８：２）をＲＦスパッタリングして第１誘電体
層を厚さ９５０Åに成膜した。その後、前記第１誘電体
層の上部にＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜をＤＣス
パッタリング法によって厚さ２００Åに成膜した。次い
で、さらにＺｎＳ−ＳｉＯ２（８：２）をＲＦスパッタ
リングして第２誘電体層を厚さ２５０Åに成膜した後、
Ａｌ−Ｔｉ合金（Ａｌ９８．５重量％、Ｔｉ １．５重
量％）からなる第１反射層を５０Å厚さに形成した。前
記Ａｌ−Ｔｉ第１反射層上部にＡｇをＤＣスパッタリン
グして厚さ５００Åの第２反射層を成膜した後、保護層
としてＵＶ硬化型樹脂（商品名：ＳＤ１７：ＤＩＣ）を
スピンコーティングした。
【００３５】前記相変化型光ディスクを初期化するため
に高速初期化装置（ＰＣ−１０００、ナカミチ社製造）
上でディスクを回転させながら半導体レーザービーム
（波長：８３０ｎｍ）を照射して記録層を結晶化した。
に高速初期化装置（ＰＣ−１０００、ナカミチ社製造）
上でディスクを回転させながら半導体レーザービーム
（波長：８３０ｎｍ）を照射して記録層を結晶化した。
【００３６】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表１に示す。
果を表１に示す。
【００３７】実施例２ないし５ 反射層の構成および／または厚さを表１のように変えた
ことを除いては、実施例１と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては、実施例１と同様な方法に従って実施し
た。
【００３８】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表１に示す。
果を表１に示す。
【００３９】比較例１ないし１４ 反射層の構成および／または厚さを表１のように変えた
ことを除いては、実施例１と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては、実施例１と同様な方法に従って実施し
た。
【００４０】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表１に示す。
果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】前記表１の結果から分かるように、実施例
１ないし５による本発明の相変化型光ディスクは、記録
信号特性と耐蝕性が良好であるだけでなく、初期記録ジ
ッター特性がすべて１５ｎｓ以下と非常に良好であっ
た。
１ないし５による本発明の相変化型光ディスクは、記録
信号特性と耐蝕性が良好であるだけでなく、初期記録ジ
ッター特性がすべて１５ｎｓ以下と非常に良好であっ
た。
【００４３】一方、Ａｇ単一反射層のみを形成した場
合、Ａｇ反射層の厚さが７５０Å以上である場合（比較
例１および２）には耐蝕性は良好であるが、生産性の面
で好ましくなく、Ａｇ反射層の厚さが５００Å以下であ
る場合には耐蝕性が不良であり、特にＡｇ反射層の厚さ
が２００Å以下である場合（比較例６および７）は耐蝕
性の問題の他に記録特性が不良であった。
合、Ａｇ反射層の厚さが７５０Å以上である場合（比較
例１および２）には耐蝕性は良好であるが、生産性の面
で好ましくなく、Ａｇ反射層の厚さが５００Å以下であ
る場合には耐蝕性が不良であり、特にＡｇ反射層の厚さ
が２００Å以下である場合（比較例６および７）は耐蝕
性の問題の他に記録特性が不良であった。
【００４４】図７は、比較例３によってＡｇ単一反射層
を適用した相変化型光ディスクの耐環境テストにおいて
腐蝕した反射層表面のＳＥＭ写真を示す。
を適用した相変化型光ディスクの耐環境テストにおいて
腐蝕した反射層表面のＳＥＭ写真を示す。
【００４５】単一Ａｌ−Ｔｉ反射層を含むディスクにお
いては、反射層の厚さが１０００Å以上の場合（比較例
８および９）は耐蝕性、記録信号特性は良好であるが、
初期記録ジッター値が本発明のものに比べて不良であ
り、生産性の面での問題もある。Ａｌ−Ｔｉ反射層の厚
さが７５０、５００および３００Åの場合（比較例１０
ないし１２）は記録特性がすべて不良であった。
いては、反射層の厚さが１０００Å以上の場合（比較例
８および９）は耐蝕性、記録信号特性は良好であるが、
初期記録ジッター値が本発明のものに比べて不良であ
り、生産性の面での問題もある。Ａｌ−Ｔｉ反射層の厚
さが７５０、５００および３００Åの場合（比較例１０
ないし１２）は記録特性がすべて不良であった。
【００４６】図８は、比較例１０の７５０ÅのＡｌ−Ｔ
ｉ単一反射層を有する相変化型光ディスクにおける記録
後再生信号波形を示した図面である。不完全な非晶質マ
ークのために、図９に示す理想的な波形とは異なること
が分かる。
ｉ単一反射層を有する相変化型光ディスクにおける記録
後再生信号波形を示した図面である。不完全な非晶質マ
ークのために、図９に示す理想的な波形とは異なること
が分かる。
【００４７】一方、図１０は、比較例８ないし１２のＡ
ｌ−Ｔｉ反射層を有する相変化型光ディスクにおいてＡ
ｌ−Ｔｉ反射層厚さによる加熱冷却挙動を熱特性シミュ
レーションを通して分析したグラフである。このシミュ
レーションに用いられた各層の物性は下記表２の通りで
ある。
ｌ−Ｔｉ反射層を有する相変化型光ディスクにおいてＡ
ｌ−Ｔｉ反射層厚さによる加熱冷却挙動を熱特性シミュ
レーションを通して分析したグラフである。このシミュ
レーションに用いられた各層の物性は下記表２の通りで
ある。
【００４８】
【表２】
【００４９】図１０を参照すると、Ａｌ合金反射層の厚
さが減少するにつれて、冷却速度が低くなることが分か
る。非晶質記録マークは一般的に記録層の温度を融点以
上に加熱し、溶融された層を急冷して生成されるが、こ
の際、冷却速度は非晶質化が可能な程度に十分でなけれ
ばならない。冷却速度が不十分な場合には急冷非晶質化
しないうちに結晶化する傾向がある。厚さ７５０Å未満
である単一Ａｌ合金反射層を有するディスクは冷却速度
が不十分であるという問題がある。したがって、Ａｌ−
Ｔｉ合金層のみを単一反射層として用いる場合、厚さが
１０００Å以上でなければならないため、製造工程上不
利である。５００Å以下のＡｇ単一反射層を用いた場合
は耐蝕性が不良である。これに対して、本願発明の二重
層からなる反射層は厚さが比較的薄くても全般的に優れ
た物性を有する。
さが減少するにつれて、冷却速度が低くなることが分か
る。非晶質記録マークは一般的に記録層の温度を融点以
上に加熱し、溶融された層を急冷して生成されるが、こ
の際、冷却速度は非晶質化が可能な程度に十分でなけれ
ばならない。冷却速度が不十分な場合には急冷非晶質化
しないうちに結晶化する傾向がある。厚さ７５０Å未満
である単一Ａｌ合金反射層を有するディスクは冷却速度
が不十分であるという問題がある。したがって、Ａｌ−
Ｔｉ合金層のみを単一反射層として用いる場合、厚さが
１０００Å以上でなければならないため、製造工程上不
利である。５００Å以下のＡｇ単一反射層を用いた場合
は耐蝕性が不良である。これに対して、本願発明の二重
層からなる反射層は厚さが比較的薄くても全般的に優れ
た物性を有する。
【００５０】実施例６ないし１４ 反射層の構成および／または厚さを表３のように変えた
ことを除いては、実施例１と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては、実施例１と同様な方法に従って実施し
た。
【００５１】製造された光ディスクの特性を評価してそ
の結果を表３に示した。
の結果を表３に示した。
【００５２】
【表３】
【００５３】表３から分かるように、実施例６ないし１
４に従って製造された相変化型光ディスクは、耐蝕性、
記録信号特性および繰り返し記録耐久性に優れている。
４に従って製造された相変化型光ディスクは、耐蝕性、
記録信号特性および繰り返し記録耐久性に優れている。
【００５４】図１１は、比較例３のＡｇ単一反射層を適
用したディスク（四角プロット）と実施例１０のＡｌ−
Ｔｉ第１反射層およびＡｇ第２反射層を適用したディス
ク（丸プロット）を８０℃および８５％相対湿度の条件
の下で耐環境テストした結果を示すグラフである。本発
明によるディスクは時間によってジッター値が一定であ
る。一方、Ａｇ単一層を用いたものは１０時間以降ジッ
ター値が急激に増加することが分かる。
用したディスク（四角プロット）と実施例１０のＡｌ−
Ｔｉ第１反射層およびＡｇ第２反射層を適用したディス
ク（丸プロット）を８０℃および８５％相対湿度の条件
の下で耐環境テストした結果を示すグラフである。本発
明によるディスクは時間によってジッター値が一定であ
る。一方、Ａｇ単一層を用いたものは１０時間以降ジッ
ター値が急激に増加することが分かる。
【００５５】ＤＶＤ−ＲＡＭ 実施例１５ないし２０および比較例１５ないし２３はＤ
ＶＤ−ＲＡＭ用相変化型光ディスクを製造してその特性
を評価したものであり、各種性能評価は次の方法で実施
した。
ＶＤ−ＲＡＭ用相変化型光ディスクを製造してその特性
を評価したものであり、各種性能評価は次の方法で実施
した。
【００５６】光ディスクを動的特性評価器（ナカミチ社
製造、モデル名：ＯＭＳ−２０００）に装着した後、
６．０ｍ／ｓで回転させながら記録特性を評価した。こ
の際、記録のためのレーザービームのパルスの形態はＤ
ＶＤ−ＲＡＭ規格１．０（発行先：ＤＶＤ Ｆｏｒｕ
ｍ）に基づいて決定した。この際用いられた光源の波長
は６８０ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６０であった。
製造、モデル名：ＯＭＳ−２０００）に装着した後、
６．０ｍ／ｓで回転させながら記録特性を評価した。こ
の際、記録のためのレーザービームのパルスの形態はＤ
ＶＤ−ＲＡＭ規格１．０（発行先：ＤＶＤ Ｆｏｒｕ
ｍ）に基づいて決定した。この際用いられた光源の波長
は６８０ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．６０であった。
【００５７】書換記録特性は１０回記録時のジッター値
として示し、ジッター値が４ｎｓを超過すると記録信号
特性が不良であると判定した。
として示し、ジッター値が４ｎｓを超過すると記録信号
特性が不良であると判定した。
【００５８】繰り返し記録耐久性は記録と消去を繰り返
しながら、記録特性を低下するか否かを観察したもので
あって、ジッター値が１０回記録後のオーバーライトジ
ッター値の５０％以上に増加するまでの記録回数を示し
た。
しながら、記録特性を低下するか否かを観察したもので
あって、ジッター値が１０回記録後のオーバーライトジ
ッター値の５０％以上に増加するまでの記録回数を示し
た。
【００５９】Ｐｐ（ｍＷ）は記録に必要なパワーを示
す。総合的な判定はオーバーライトジッター値が４．０
ｎｓ以下であり、繰り返し記録耐久性が１００，０００
回以上である場合を良好（○）とし、その以外の場合を
不良（Ｘ）とした。
す。総合的な判定はオーバーライトジッター値が４．０
ｎｓ以下であり、繰り返し記録耐久性が１００，０００
回以上である場合を良好（○）とし、その以外の場合を
不良（Ｘ）とした。
【００６０】実施例１５ スタンパーを用いた射出成形法に従って深さ７０ｎｍの
螺旋形溝が形成された厚さ０．６ｍｍポリカーボネート
ディスク基板を製造した。この際、基板の溝と隣接溝間
の間隔は１．４８μｍ、溝とランド間の間隔はその１／
２に相当する０．７４μｍであり、溝の中間に各セクタ
ーのアドレス検出のためのヘッダーピットを形成した。
また、各溝は同一周波数のウォブル信号を検出できるよ
うに屈曲させた。
螺旋形溝が形成された厚さ０．６ｍｍポリカーボネート
ディスク基板を製造した。この際、基板の溝と隣接溝間
の間隔は１．４８μｍ、溝とランド間の間隔はその１／
２に相当する０．７４μｍであり、溝の中間に各セクタ
ーのアドレス検出のためのヘッダーピットを形成した。
また、各溝は同一周波数のウォブル信号を検出できるよ
うに屈曲させた。
【００６１】前記ポリカーボネート基板の溝形成面にＺ
ｎＳ−ＳｉＯ２（８：２）をＲＦスパッタリングして第
１誘電体層を厚さ９５０Åに成膜した。その後、前記第
１誘電体層の上部にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜をＤＣ
スパッタリング法によって厚さ２００Åに成膜した。次
いで、さらにＺｎＳ−ＳｉＯ２（８：２）をＲＦスパッ
タリングして第２誘電体層を厚さ１４０Åに成膜した。
ｎＳ−ＳｉＯ２（８：２）をＲＦスパッタリングして第
１誘電体層を厚さ９５０Åに成膜した。その後、前記第
１誘電体層の上部にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜をＤＣ
スパッタリング法によって厚さ２００Åに成膜した。次
いで、さらにＺｎＳ−ＳｉＯ２（８：２）をＲＦスパッ
タリングして第２誘電体層を厚さ１４０Åに成膜した。
【００６２】第２誘電体上にＡｌ−Ｃｒ第１反射層をＲ
Ｆスパッタリング法で５００Å厚さに形成した。最後
に、ＤＣスパッタリング法を用いてＣｕ第２反射層を４
００Å厚さに成膜し、その上に保護層としてＵＶ樹脂を
スピンコーティングした。
Ｆスパッタリング法で５００Å厚さに形成した。最後
に、ＤＣスパッタリング法を用いてＣｕ第２反射層を４
００Å厚さに成膜し、その上に保護層としてＵＶ樹脂を
スピンコーティングした。
【００６３】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表４に示す。
果を表４に示す。
【００６４】実施例１６ないし１９ 反射層の構成および／または厚さを表４のように変えた
ことを除いては実施例１５と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては実施例１５と同様な方法に従って実施し
た。
【００６５】製造された光ディスクの特性を評価してそ
の結果を表４に示す。
の結果を表４に示す。
【００６６】比較例１５ないし２１ 反射層の構成および／または厚さを表４のように変えた
ことを除いては実施例１５と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては実施例１５と同様な方法に従って実施し
た。
【００６７】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表４に示す。
果を表４に示す。
【００６８】
【表４】
【００６９】表４から分かるように、実施例１５ないし
１９に従って製造された相変化型光ディスクは、優れた
耐蝕性、記録信号特性、初期記録特性および繰り返し記
録耐久性を示した。
１９に従って製造された相変化型光ディスクは、優れた
耐蝕性、記録信号特性、初期記録特性および繰り返し記
録耐久性を示した。
【００７０】図１２は比較例１５ないし１８に従ってＡ
ｌ−Ｃｒ合金単一反射層を採用した光ディスクの反射層
の厚さによるオーバーライトジッター値と繰り返し記録
耐久性を示したグラフである。この場合、その厚さを２
０００Å以上にしても繰り返し記録耐久性は７０，００
０回程度に過ぎない。
ｌ−Ｃｒ合金単一反射層を採用した光ディスクの反射層
の厚さによるオーバーライトジッター値と繰り返し記録
耐久性を示したグラフである。この場合、その厚さを２
０００Å以上にしても繰り返し記録耐久性は７０，００
０回程度に過ぎない。
【００７１】図１３は、比較例１５ないし１８に従って
Ａｌ−Ｃｒ合金単一反射層を採用した光ディスクの反射
層の厚さによる記録パワーを示したグラフである。厚さ
が増加するにつれて記録に必要なパワーも増加するた
め、実用化に不利であることが分かる。さらに、反射層
の厚さが過度に大きいと材料費の増加と必要成膜時間の
増加をもたらすため、生産性が減少するという問題が発
生する。
Ａｌ−Ｃｒ合金単一反射層を採用した光ディスクの反射
層の厚さによる記録パワーを示したグラフである。厚さ
が増加するにつれて記録に必要なパワーも増加するた
め、実用化に不利であることが分かる。さらに、反射層
の厚さが過度に大きいと材料費の増加と必要成膜時間の
増加をもたらすため、生産性が減少するという問題が発
生する。
【００７２】さらに、二重反射層を採用した場合でも、
比較例１９ないし２１の場合には各反射層の厚さがＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ用の好ましい範囲からはずれるため、オーバ
ーライトジッター値が高いか、繰り返し記録耐久性が不
良であるという短所がある。
比較例１９ないし２１の場合には各反射層の厚さがＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ用の好ましい範囲からはずれるため、オーバ
ーライトジッター値が高いか、繰り返し記録耐久性が不
良であるという短所がある。
【００７３】図１４は、実施例１５ないし１９および比
較例１９のディスクに用いられたＣｕ第２反射層の厚さ
によるオーバーライトジッター値および繰り返し記録耐
久性の変化を示したグラフである。
較例１９のディスクに用いられたＣｕ第２反射層の厚さ
によるオーバーライトジッター値および繰り返し記録耐
久性の変化を示したグラフである。
【００７４】実施例２０ ＧｅＳｂＴｅ記録層の組成がＧｅＳｂ２Ｔｅ４であり、
第１反射層として厚さ５００ÅのＡｌＣｒ合金（Ｃｒ
２．０ａｔ%）および第２反射層として厚さ１００Åの
Ｃｕ層を用い、基板としてヘッダーピットとウォブルが
形成されていないものを用いたことを除いては実施例１
６と同様な方法で本発明の光ディスクを製造した。
第１反射層として厚さ５００ÅのＡｌＣｒ合金（Ｃｒ
２．０ａｔ%）および第２反射層として厚さ１００Åの
Ｃｕ層を用い、基板としてヘッダーピットとウォブルが
形成されていないものを用いたことを除いては実施例１
６と同様な方法で本発明の光ディスクを製造した。
【００７５】比較例２２ 単一反射層として５００Å厚さのＡｌＣｒ合金のみを用
いたことを除いては実施例２０と同様な方法で光ディス
クを製造した。
いたことを除いては実施例２０と同様な方法で光ディス
クを製造した。
【００７６】比較例２３ 第２反射層として２００Å厚さのＣｕ層を用いたことを
除いては実施例２０と同様な方法で光ディスクを製造し
た。
除いては実施例２０と同様な方法で光ディスクを製造し
た。
【００７７】実施例２０および比較例２２および２３で
製造された光ディスクを記録線速８．２ｍ／ｓにしたこ
とを除いては実施例１２の方法と同一な条件の下で記録
した後、３Ｔｗに該当する再生信号の幅ジッター値を測
定してその結果を図１５に示した。これから分かるよう
に、記録層の組成および記録条件が変化するとＣｕ第２
反射層が１００Åである場合にも良好な効果を示し、厚
さが２００Åである場合はかえってジッター値が高くな
る。
製造された光ディスクを記録線速８．２ｍ／ｓにしたこ
とを除いては実施例１２の方法と同一な条件の下で記録
した後、３Ｔｗに該当する再生信号の幅ジッター値を測
定してその結果を図１５に示した。これから分かるよう
に、記録層の組成および記録条件が変化するとＣｕ第２
反射層が１００Åである場合にも良好な効果を示し、厚
さが２００Åである場合はかえってジッター値が高くな
る。
【００７８】
【発明の効果】本発明の相変化型光ディスクは、優れた
耐蝕性、書換記録特性および繰り返し記録耐久性を示す
ので、書換型光ディスクとして好適である。
耐蝕性、書換記録特性および繰り返し記録耐久性を示す
ので、書換型光ディスクとして好適である。
【図１】一般的な光ディスクの情報領域を示す概略図。
【図２】図１の線Ａ−Ａ’に沿った拡大断面図。
【図３】一般的な相変化型光ディスクの積層構造を示す
概略的な断面図。
概略的な断面図。
【図４】本発明の一実施態様による相変化型光ディスク
の概略的な断面図。
の概略的な断面図。
【図５】相変化型光ディスクにおけるオーバーライト過
程を示す概略的な断面図。
程を示す概略的な断面図。
【図６】本発明の実施例で用いられたレーザービームの
マルチパルスの形状を示す図。
マルチパルスの形状を示す図。
【図７】耐環境テストの際に腐蝕したＡｇ反射層表面の
ＳＥＭ写真。
ＳＥＭ写真。
【図８】比較例１０で製造されたＡｌ−Ｔｉ単一反射層
（厚さ７５０Å）を有する相変化型光ディスクに記録し
た後、再生した信号の波形を示す図。
（厚さ７５０Å）を有する相変化型光ディスクに記録し
た後、再生した信号の波形を示す図。
【図９】図８に対する好ましい波形を示す図。
【図１０】種々の厚さのＡｌ−Ｔｉ単一反射層を含む比
較例における相変化型光ディスクの加熱冷却挙動を熱特
性シミュレーションを通じて分析した結果を示す図。
較例における相変化型光ディスクの加熱冷却挙動を熱特
性シミュレーションを通じて分析した結果を示す図。
【図１１】Ａｇ単一反射層を有する相変化型光ディスク
と、実施例１０で製造されたＡｌ−Ｔｉ第１反射層およ
びＡｇ第２反射層を有するディスクの耐環境テストの結
果を示す図。
と、実施例１０で製造されたＡｌ−Ｔｉ第１反射層およ
びＡｇ第２反射層を有するディスクの耐環境テストの結
果を示す図。
【図１２】比較例１５ないし１８のディスクに用いられ
たＡｌ−Ｃｒ合金単一反射層の厚さによるオーバーライ
トジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を示す
図。
たＡｌ−Ｃｒ合金単一反射層の厚さによるオーバーライ
トジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を示す
図。
【図１３】比較例１５ないし１８のディスクに用いられ
たＡｌ−Ｃｒ合金単一反射層の厚さによる記録パワーの
変化を示す図。
たＡｌ−Ｃｒ合金単一反射層の厚さによる記録パワーの
変化を示す図。
【図１４】実施例１５ないし１９および比較例１９のデ
ィスクに用いられたＣｕ第２反射層の厚さによるオーバ
ーライトジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を
示すグラフである。
ィスクに用いられたＣｕ第２反射層の厚さによるオーバ
ーライトジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を
示すグラフである。
【図１５】実施例２０および比較例２２および２３で製
造された相変化型光ディスクの繰り返し記録時のジッタ
ー値の変化を示す図。
造された相変化型光ディスクの繰り返し記録時のジッタ
ー値の変化を示す図。
１：光ディスクの情報領域 １０：ポリカーボネート基板 １１：ピット １２：反
射層 １３：保護膜 ２０：基板 ２１：第１誘電体層 ２２：記録層 ２３：第２誘電体層 ２４：反射層 ２５：保護膜 ３０：基板 ３１：第１誘電体層 ３２：記録層 ３
３：第２誘電体層 ３４：第１反射層 ３５：第２反射層 ３６：保護層
射層 １３：保護膜 ２０：基板 ２１：第１誘電体層 ２２：記録層 ２３：第２誘電体層 ２４：反射層 ２５：保護膜 ３０：基板 ３１：第１誘電体層 ３２：記録層 ３
３：第２誘電体層 ３４：第１反射層 ３５：第２反射層 ３６：保護層
Claims (10)
- 【請求項１】 透明基板上に順次形成された第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層、反射層、および保護層を含
む相変化型光ディスクにおいて、前記反射層が電気陰性
度１．９ないし３．０の金属または合金からなる第１反
射層と、Ｃｕ、Ａｇまたはこれらの合金からなる第２反
射層とからなり、前記第１反射層は前記第２誘電体層と
密着して位置し、前記第２反射層は前記第１反射層およ
び保護層と密着して位置することを特徴とする相変化型
光ディスク。 - 【請求項２】 前記第１反射層の金属または合金が、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、
Ｒｈ、Ｐｔおよびこれらの合金からなる群から選ばれる
ことを特徴とする請求項１記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項３】 前記合金が、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚ
ｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｂ、Ｈｆ、
Ｓｎ、Ｓｃ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｍｎおよびこれらの混合物か
らなる群から選ばれる金属を第二成分として含むことを
特徴とする請求項２記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項４】 前記第２反射層を構成するＣｕまたはＡ
ｇ合金が、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、
Ｇｅ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｒｈ、
Ｐｔ、Ｍｎおよびこれらの混合物からなる群から選ばれ
る金属を第二成分として含むことを特徴とする請求項１
記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項５】 前記記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金からなり、第１反射層が厚さ１０Å以上のＷ、Ｓｉま
たはＡｌ合金層からなり、第２反射層が厚さ２５０Å以
上のＡｇまたはＡｇ合金からなることを特徴とする請求
項１記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項６】 前記第１反射層が厚さ１００Å以上のＡ
ｌ合金層からなり、第２反射層が厚さ４５０Å以上のＡ
ｇまたはＡｇ合金からなることを特徴とする請求項５記
載の相変化型光ディスク。 - 【請求項７】 前記記録層がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金から
なり、第１反射層がＡｌまたはＡｌ合金からなり、第２
反射層がＣｕまたはＡｇからなることを特徴とする請求
項１記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項８】 前記二つの反射層の総厚さが２０００Å
以下であることを特徴とする請求項７記載の相変化型光
ディスク。 - 【請求項９】 前記第１反射層の厚さが１３００Å以
下、第２反射層の厚さが１０Å以上であることを特徴と
する請求項８記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項１０】 前記第２反射層の厚さが８００Å未満
であることを特徴とする請求項９記載の相変化型光ディ
スク。
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|---|---|---|---|
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| KR19980049920 | 1998-11-20 | ||
| KR1999-20151 | 1999-06-02 | ||
| KR1998-49920 | 1999-06-02 | ||
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| KR19990020151 | 1999-06-02 |
Publications (1)
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2000113514A (ja) |
| CN (1) | CN1249506A (ja) |
| DE (1) | DE19948346A1 (ja) |
| FR (1) | FR2784491A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6806030B2 (en) * | 2000-03-30 | 2004-10-19 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing information recording medium |
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