JP2000113514A - 相変化型光ディスク - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた耐蝕性、繰り返し記録耐久性および信
号安定性を有する、二重反射層を含む書換可能な相変化
型光ディスク。 【解決手段】 透明基板(30)上に順次形成された第
1誘電体層(31)、記録層(32)、第2誘電体層
(33)、反射層、および保護層(36)を含む相変化
型光ディスクにおいて、前記反射層が電気陰性度1.9
ないし3.0の金属または合金からなる第1反射層(3
4)と、Cu、Agまたはこれらの合金からなる第2反
射層(35)とからなり、前記第1反射層(34)は前
記第2誘電体層(33)と密着して位置し、前記第2反
射層(35)は前記第1反射層(34)および保護層
(36)と密着して位置することを特徴とする相変化型
光ディスクを提供する。
号安定性を有する、二重反射層を含む書換可能な相変化
型光ディスク。 【解決手段】 透明基板(30)上に順次形成された第
1誘電体層(31)、記録層(32)、第2誘電体層
(33)、反射層、および保護層(36)を含む相変化
型光ディスクにおいて、前記反射層が電気陰性度1.9
ないし3.0の金属または合金からなる第1反射層(3
4)と、Cu、Agまたはこれらの合金からなる第2反
射層(35)とからなり、前記第1反射層(34)は前
記第2誘電体層(33)と密着して位置し、前記第2反
射層(35)は前記第1反射層(34)および保護層
(36)と密着して位置することを特徴とする相変化型
光ディスクを提供する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光ディス
クに関し、より詳細には、優れた耐蝕性、繰り返し記録
耐久性および信号安定性を有する、二重反射層を含む書
換可能な相変化型光ディスクに関する。
クに関し、より詳細には、優れた耐蝕性、繰り返し記録
耐久性および信号安定性を有する、二重反射層を含む書
換可能な相変化型光ディスクに関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクは、一般に図1に示されてい
るような構造を有し、ここで1はディスクの情報記録領
域を示す。図2に示されているように光ディスクの基板
10のトラック上にはディジタル情報を構成するマーク
であるピット11が形成されており、その上にレーザー
ビームを反射させる反射層12と保護層13が順次形成
されている。
るような構造を有し、ここで1はディスクの情報記録領
域を示す。図2に示されているように光ディスクの基板
10のトラック上にはディジタル情報を構成するマーク
であるピット11が形成されており、その上にレーザー
ビームを反射させる反射層12と保護層13が順次形成
されている。
【0003】一方、CD−ROMなどが急速に普及した
ことによって、動映像(Video)、スチルイメージ(Still
images)、アニメーション(Animation)などのようなマル
チメディアに係わるソフトウエアを効果的に利用するた
めの書換可能な記録媒体に対する要求が増加している。
このような要求に沿って容易に記録、消去することがで
きる書換型光ディスク(例:CD−RW(Compact Disc
Rewritable))が開発された。記録層の材料としては、
光磁気材料を用いた光磁気ディスク、レーザービームの
ような光に反応して結晶相と非晶質相に転換する相変化
材料を用いた相変化型光ディスクなどがある。そのう
ち、相変化型光ディスクは、その記録再生メカニズムが
既存のCDで用いられているものと互換可能である。
ことによって、動映像(Video)、スチルイメージ(Still
images)、アニメーション(Animation)などのようなマル
チメディアに係わるソフトウエアを効果的に利用するた
めの書換可能な記録媒体に対する要求が増加している。
このような要求に沿って容易に記録、消去することがで
きる書換型光ディスク(例:CD−RW(Compact Disc
Rewritable))が開発された。記録層の材料としては、
光磁気材料を用いた光磁気ディスク、レーザービームの
ような光に反応して結晶相と非晶質相に転換する相変化
材料を用いた相変化型光ディスクなどがある。そのう
ち、相変化型光ディスクは、その記録再生メカニズムが
既存のCDで用いられているものと互換可能である。
【0004】相変化型光ディスクにおいては、レーザー
ビームを照射することによって、記録ピットの相を結晶
相/非晶質相に変化するようにして情報を記録および消
去し得る。図3に示されているように、従来の相変化型
光ディスクは、一般的に透明基板20上に第1誘電体層
21、記録層22、第2誘電体層23、反射層24、保
護層25が順に積層されている構造を有する。ここで、
記録層のトラックには記録信号の形成または消去が行わ
れ、レーザービームを照射すると、記録層が結晶質から
非晶質に、または非晶質から結晶質に可逆変化して記録
と消去が繰り返される。
ビームを照射することによって、記録ピットの相を結晶
相/非晶質相に変化するようにして情報を記録および消
去し得る。図3に示されているように、従来の相変化型
光ディスクは、一般的に透明基板20上に第1誘電体層
21、記録層22、第2誘電体層23、反射層24、保
護層25が順に積層されている構造を有する。ここで、
記録層のトラックには記録信号の形成または消去が行わ
れ、レーザービームを照射すると、記録層が結晶質から
非晶質に、または非晶質から結晶質に可逆変化して記録
と消去が繰り返される。
【0005】このような相変化型光ディスクは、短波長
レーザービームと駆動ドライブの簡単な光学系を用いる
ことができるため、DVD−RAM(Digital Video Dis
k Random Access Memory)のような次世代高密度書換型
光ディスクとして採用され得る。
レーザービームと駆動ドライブの簡単な光学系を用いる
ことができるため、DVD−RAM(Digital Video Dis
k Random Access Memory)のような次世代高密度書換型
光ディスクとして採用され得る。
【0006】既存の相変化型光ディスクにおいては、A
l合金またはAgの比較的厚い反射層が用いられるが、
その厚さのため性能と経済性の面において問題がある。
しかし、薄いAl合金膜を反射層として用いる場合は記
録特性が低下し、薄いAg膜からなる反射層を用いる場
合は耐蝕性が悪くなるという他の問題が発生する。
l合金またはAgの比較的厚い反射層が用いられるが、
その厚さのため性能と経済性の面において問題がある。
しかし、薄いAl合金膜を反射層として用いる場合は記
録特性が低下し、薄いAg膜からなる反射層を用いる場
合は耐蝕性が悪くなるという他の問題が発生する。
【0007】したがって、耐蝕性および改善された記録
特性を有する薄い反射層を含む相変化型光ディスクの開
発が要求されている。
特性を有する薄い反射層を含む相変化型光ディスクの開
発が要求されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、優れた記録特性および耐蝕性を有する相変化型
光ディスクを提供することである。
目的は、優れた記録特性および耐蝕性を有する相変化型
光ディスクを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明基
板上に順次形成された第1誘電体層、記録層、第2誘電
体層、反射層、および保護層を含む相変化型光ディスク
において、前記反射層が電気陰性度1.9ないし3.0
の金属または合金からなる第1反射層と、Cu、Agま
たはこれらの合金からなる第2反射層とからなり、前記
第1反射層は前記第2誘電体層と密着して位置し、前記
第2反射層は前記第1反射層および保護層と密着して位
置することを特徴とする相変化型光ディスクが提供され
る。
板上に順次形成された第1誘電体層、記録層、第2誘電
体層、反射層、および保護層を含む相変化型光ディスク
において、前記反射層が電気陰性度1.9ないし3.0
の金属または合金からなる第1反射層と、Cu、Agま
たはこれらの合金からなる第2反射層とからなり、前記
第1反射層は前記第2誘電体層と密着して位置し、前記
第2反射層は前記第1反射層および保護層と密着して位
置することを特徴とする相変化型光ディスクが提供され
る。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【0011】本発明による相変化型光ディスクは、図4
に示されているように、透明基板30上に第1誘電体層
31、記録層32、第2誘電体層33、第1反射層3
4、第2反射層35、保護層36が順に積層されている
構造を有する。
に示されているように、透明基板30上に第1誘電体層
31、記録層32、第2誘電体層33、第1反射層3
4、第2反射層35、保護層36が順に積層されている
構造を有する。
【0012】本発明に用いられる基板は、ポリカーボネ
ート樹脂などを用いて通常の射出成形などの方法に従っ
て製造される。基板上に形成される溝は、記録および再
生に必要なサーボ特性に合せてその幅と深さが設計さ
れ、特に高密度化のためにランドと溝のいずれをも記
録、再生に使用する場合は、互いのクロストーク(Cross
-talk)を防止するために溝の深さをλ/5n〜λ/7n
(λ:記録/再生光波長、n:ポリカーボネート基板の
屈折率)に設定しなければならない。
ート樹脂などを用いて通常の射出成形などの方法に従っ
て製造される。基板上に形成される溝は、記録および再
生に必要なサーボ特性に合せてその幅と深さが設計さ
れ、特に高密度化のためにランドと溝のいずれをも記
録、再生に使用する場合は、互いのクロストーク(Cross
-talk)を防止するために溝の深さをλ/5n〜λ/7n
(λ:記録/再生光波長、n:ポリカーボネート基板の
屈折率)に設定しなければならない。
【0013】光ディスクの誘電体層は、光学的に透明で
あり、かつ耐熱性を備えていなければならない。本発明
のディスクの誘電体層に使用され得る物質は、高い熱安
定性および0に近い光吸収係数を有するものが好まし
く、例としては、金属酸化物、金属炭化物、金属窒化物
またはこれらの混合物を挙げることができる。本発明で
使用され得る誘電物質の具体例としては、ZnS−Si
O2(8:2)、AlN、GeNなどがある。本発明の
第1および第2誘電層は、RFスパッタリング(Radio-f
requency sputtering)に従って、第1誘電体層は厚さ3
00ないし3000Å、第2誘電体層は厚さ50ないし
500Åに製造され得る。
あり、かつ耐熱性を備えていなければならない。本発明
のディスクの誘電体層に使用され得る物質は、高い熱安
定性および0に近い光吸収係数を有するものが好まし
く、例としては、金属酸化物、金属炭化物、金属窒化物
またはこれらの混合物を挙げることができる。本発明で
使用され得る誘電物質の具体例としては、ZnS−Si
O2(8:2)、AlN、GeNなどがある。本発明の
第1および第2誘電層は、RFスパッタリング(Radio-f
requency sputtering)に従って、第1誘電体層は厚さ3
00ないし3000Å、第2誘電体層は厚さ50ないし
500Åに製造され得る。
【0014】本発明の記録層にはレーザービームを照射
すると結晶相および非晶質相に容易に相変化可能な物質
が用いられるが、この具体的な例としては、Ge−Sb
−Te、In−Sb−Te、Ag−In−Sb−Te、
Cr−Ge−Sb−Te、N−Ge−Sb−Te合金の
ようなカルコゲン化合物が用いられる。これらの物質
は、記録層の特性を改善するために他の添加剤とともに
使用され得る。記録層はDC(direct current)スパッタ
リングのような通常の方法を用いて厚さ100ないし1
000Åに製造し得る。
すると結晶相および非晶質相に容易に相変化可能な物質
が用いられるが、この具体的な例としては、Ge−Sb
−Te、In−Sb−Te、Ag−In−Sb−Te、
Cr−Ge−Sb−Te、N−Ge−Sb−Te合金の
ようなカルコゲン化合物が用いられる。これらの物質
は、記録層の特性を改善するために他の添加剤とともに
使用され得る。記録層はDC(direct current)スパッタ
リングのような通常の方法を用いて厚さ100ないし1
000Åに製造し得る。
【0015】反射層には通常Al、Ag、Au、Cuな
どの金属が用いられるが、記録感度と耐酸化性などのた
めにCr、Ni、Ti、Si、Mgなどをこれら金属に
第二成分として少量加えてAl−Ti(Ti 1.5重
量%)、Al−Cr(Cr2原子%)、Ag−Al、A
g−Mgのような合金の形でも用いられ得る。
どの金属が用いられるが、記録感度と耐酸化性などのた
めにCr、Ni、Ti、Si、Mgなどをこれら金属に
第二成分として少量加えてAl−Ti(Ti 1.5重
量%)、Al−Cr(Cr2原子%)、Ag−Al、A
g−Mgのような合金の形でも用いられ得る。
【0016】本発明の光ディスクにおいては、誘電体層
と化学反応を起こさない、電気陰性度が1.9ないし
3.0である金属またはこれらの合金を第1反射層の材
料として用いる。第2反射層の材料としては、第1反射
層より熱伝導率が高いCu、Agまたはこれらの合金を
用い、このCuまたはAg合金は、Al、Au、Cu、
Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、C
o、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、
Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mnおよびこれらの混
合物からなる群から選ばれる金属を第二成分として含
む。
と化学反応を起こさない、電気陰性度が1.9ないし
3.0である金属またはこれらの合金を第1反射層の材
料として用いる。第2反射層の材料としては、第1反射
層より熱伝導率が高いCu、Agまたはこれらの合金を
用い、このCuまたはAg合金は、Al、Au、Cu、
Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、C
o、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、
Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mnおよびこれらの混
合物からなる群から選ばれる金属を第二成分として含
む。
【0017】第1反射層を形成するための材料の具体的
な例としては、Al、Au、W、Mo、Ni、Ge、S
i、Pd、Sn、Rh、Pt、およびこれらの合金など
があり、これら合金は、Al、Au、Cu、Ag、W、
Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Z
n、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、
Sc、Rh、Pt、Mn、およびこれらの組合を第二成
分として含む。
な例としては、Al、Au、W、Mo、Ni、Ge、S
i、Pd、Sn、Rh、Pt、およびこれらの合金など
があり、これら合金は、Al、Au、Cu、Ag、W、
Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Z
n、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、
Sc、Rh、Pt、Mn、およびこれらの組合を第二成
分として含む。
【0018】反射層は、記録の際にはレーザービームを
照射して記録物質の融点以上の温度に溶融された記録領
域を急速に冷却して非結晶質化させる機能と、消去の際
には記録領域を特定温度以上に維持して結晶化させる機
能を有することが要求される。Al合金を反射層として
用いる場合、反射層に加えられる過度な熱的負荷のため
繰り返し記録の際に信号特性が劣化するという問題が発
生する。これを克服するために、高熱伝導率のAgまた
はCuが提案されたが、AgまたはCuからなる反射層
は、過度に高い熱伝導率のため消去特性において劣り、
また、第2誘電体層との化学反応を起こすという問題を
有している。
照射して記録物質の融点以上の温度に溶融された記録領
域を急速に冷却して非結晶質化させる機能と、消去の際
には記録領域を特定温度以上に維持して結晶化させる機
能を有することが要求される。Al合金を反射層として
用いる場合、反射層に加えられる過度な熱的負荷のため
繰り返し記録の際に信号特性が劣化するという問題が発
生する。これを克服するために、高熱伝導率のAgまた
はCuが提案されたが、AgまたはCuからなる反射層
は、過度に高い熱伝導率のため消去特性において劣り、
また、第2誘電体層との化学反応を起こすという問題を
有している。
【0019】本発明において、第2誘電体層と密接して
位置する第1反射層は、非晶質化に必要な冷却特性およ
び特定温度以上に維持して結晶化し得る熱的特性をディ
スクに与えるとともに、第2反射層と誘電体層との化学
反応を抑制する障壁(barrier)の役割を有する。一方、
第1反射層と保護層の間に位置し、高熱伝導率を有する
第2反射層は第1反射層に付加された熱的負荷を緩和す
る役割を有する。
位置する第1反射層は、非晶質化に必要な冷却特性およ
び特定温度以上に維持して結晶化し得る熱的特性をディ
スクに与えるとともに、第2反射層と誘電体層との化学
反応を抑制する障壁(barrier)の役割を有する。一方、
第1反射層と保護層の間に位置し、高熱伝導率を有する
第2反射層は第1反射層に付加された熱的負荷を緩和す
る役割を有する。
【0020】適切な反射層の厚さは、第1反射層および
第2反射層をなす材料、記録層の構成および記録線速、
誘電体層の種類、組成および厚さなどの条件によって異
なる。たとえば、第1反射層としてW、Si、Al合金
が用いられ、第2反射層としてCu、AgまたはAg合
金が用いられる場合、第1反射層の厚さは10Å以上、
好ましくは100Å以上であり、第2反射層の厚さは2
50Å以上、好ましくは450Å以上である。
第2反射層をなす材料、記録層の構成および記録線速、
誘電体層の種類、組成および厚さなどの条件によって異
なる。たとえば、第1反射層としてW、Si、Al合金
が用いられ、第2反射層としてCu、AgまたはAg合
金が用いられる場合、第1反射層の厚さは10Å以上、
好ましくは100Å以上であり、第2反射層の厚さは2
50Å以上、好ましくは450Å以上である。
【0021】さらに、DVD−RAM用光ディスクに第
1反射層としてAl合金と、第2反射層としてCuまた
はAgを用いて記録線速6m/s条件の下で記録して特
性を評価する場合、第1反射層および第2反射層の厚さ
の和は、2000Å以下であることが好ましく、この場
合、第1反射層の厚さが1300Å以下、第2反射層の
厚さが10Å以上であると、優れた繰り返し記録耐久性
効果が得られ、第2反射層の厚さが800Å未満である
ことがさらに好ましい。また、記録層の種類、組成、記
録線速などに応じて、反射層の厚さも適切に調節する。
1反射層としてAl合金と、第2反射層としてCuまた
はAgを用いて記録線速6m/s条件の下で記録して特
性を評価する場合、第1反射層および第2反射層の厚さ
の和は、2000Å以下であることが好ましく、この場
合、第1反射層の厚さが1300Å以下、第2反射層の
厚さが10Å以上であると、優れた繰り返し記録耐久性
効果が得られ、第2反射層の厚さが800Å未満である
ことがさらに好ましい。また、記録層の種類、組成、記
録線速などに応じて、反射層の厚さも適切に調節する。
【0022】本発明の相変化型光ディスクが十分な変調
信号特性を有するためには記録層の非晶質状態での反射
率と結晶状態での反射率の差が10%以上になるように
設計することが好ましい。また、ランドと溝に同時に記
録する場合は、記録された非晶質マークと未記録部の結
晶状態マトリックスの屈折率の差によって信号位相差が
発生し、この位相差に基づく干渉によって信号振幅が減
少するという問題が発生するが、このような問題を抑制
するために、非晶質状態での反射率を0に近くするか、
ランドにおける信号振幅の差を最小化させるように各層
の厚さを設計することがさらに好ましい。
信号特性を有するためには記録層の非晶質状態での反射
率と結晶状態での反射率の差が10%以上になるように
設計することが好ましい。また、ランドと溝に同時に記
録する場合は、記録された非晶質マークと未記録部の結
晶状態マトリックスの屈折率の差によって信号位相差が
発生し、この位相差に基づく干渉によって信号振幅が減
少するという問題が発生するが、このような問題を抑制
するために、非晶質状態での反射率を0に近くするか、
ランドにおける信号振幅の差を最小化させるように各層
の厚さを設計することがさらに好ましい。
【0023】また、実際の量産の際には、材料費を低減
し生産時間を短縮するために各層の厚さは許される範囲
内でできる限り薄くすることが要求される。
し生産時間を短縮するために各層の厚さは許される範囲
内でできる限り薄くすることが要求される。
【0024】本発明のディスクの保護層としては通常U
V硬化型樹脂などが用いられる。
V硬化型樹脂などが用いられる。
【0025】本発明の相変化型光ディスクにおけるオー
バーライト過程は図5に概略的に示される。高出力のレ
ーザービームを記録層に照射してその記録層を局部的に
溶融した後、急冷すると照射された部分が非晶質化され
て記録マークが形成される。ここで記録マークは再生専
用型光ディスクのトラックに沿って形成されるピットに
相当する。このように形成された記録マークに、記録時
のパワーの1/3ないし1/2程度の出力を有するレー
ザービームを照射すると、消去領域である結晶質構造が
形成されて記録された情報が消去される。記録マークの
形状を均一にするために、記録パルスとしては種々の連
続した短いパルスからなるマルチパルスを用いることが
好ましい。
バーライト過程は図5に概略的に示される。高出力のレ
ーザービームを記録層に照射してその記録層を局部的に
溶融した後、急冷すると照射された部分が非晶質化され
て記録マークが形成される。ここで記録マークは再生専
用型光ディスクのトラックに沿って形成されるピットに
相当する。このように形成された記録マークに、記録時
のパワーの1/3ないし1/2程度の出力を有するレー
ザービームを照射すると、消去領域である結晶質構造が
形成されて記録された情報が消去される。記録マークの
形状を均一にするために、記録パルスとしては種々の連
続した短いパルスからなるマルチパルスを用いることが
好ましい。
【0026】
【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
のみであり、本発明の範囲を制限しない。
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
のみであり、本発明の範囲を制限しない。
【0027】CD−RW実施例1ないし15および比較
例1ないし14は、CD2倍線速相変化型光ディスクを
製造してその特性を評価したものである。製造された光
ディスクの各種性能評価は次の方法で実施した。
例1ないし14は、CD2倍線速相変化型光ディスクを
製造してその特性を評価したものである。製造された光
ディスクの各種性能評価は次の方法で実施した。
【0028】(1)耐蝕性(耐環境テスト) サンプルを25〜55℃の温度、50〜95%の相対湿
度の条件の下で100時間放置した後、記録および再生
状態を評価した(良好:○、不良:X)。
度の条件の下で100時間放置した後、記録および再生
状態を評価した(良好:○、不良:X)。
【0029】(2)記録特性 光ディスクをCD−RW専用動特性評価器(APEX社
製造、モデル名:Modular Media Tester(MMT))に装着
した後、2.4m/sに回転させながら記録特性を評価
した。この際、記録のためのレーザービームのパルスの
形態は図6に示すようなマルチパルスを用い、記録パワ
ーと消去パワーは12.5mWと6.25mWに固定し
た。この際、用いられた光源の波長は780nm、対物
レンズのNAは0.55であった。
製造、モデル名:Modular Media Tester(MMT))に装着
した後、2.4m/sに回転させながら記録特性を評価
した。この際、記録のためのレーザービームのパルスの
形態は図6に示すようなマルチパルスを用い、記録パワ
ーと消去パワーは12.5mWと6.25mWに固定し
た。この際、用いられた光源の波長は780nm、対物
レンズのNAは0.55であった。
【0030】初期記録特性は、1回記録時のジッター値
として示し、ジッター値が20nsを超過すると、記録
信号特性が不良であると判定した。
として示し、ジッター値が20nsを超過すると、記録
信号特性が不良であると判定した。
【0031】書換記録特性は、10回記録時のジッター
値として示し、ジッター値が20nsを超過すると、記
録信号特性が不良であると判定した。
値として示し、ジッター値が20nsを超過すると、記
録信号特性が不良であると判定した。
【0032】繰り返し記録耐久性は、記録と消去を繰り
返しながら記録特性が低下するか否かを観察したもの
で、ジッター値が10回記録後のオーバーライトジッタ
ー値の50%以上に増加するまでの記録回数を示した。
返しながら記録特性が低下するか否かを観察したもの
で、ジッター値が10回記録後のオーバーライトジッタ
ー値の50%以上に増加するまでの記録回数を示した。
【0033】実施例1 スタンパー(stamper)を用いた射出成形法によって深さ
500Åの螺旋形溝が形成された厚さ1.2mmのポリ
カーボネートディスク基板を製造した。
500Åの螺旋形溝が形成された厚さ1.2mmのポリ
カーボネートディスク基板を製造した。
【0034】前記ディスク基板の溝形成面にZnS−S
iO2(8:2)をRFスパッタリングして第1誘電体
層を厚さ950Åに成膜した。その後、前記第1誘電体
層の上部にAg−In−Sb−Te系合金薄膜をDCス
パッタリング法によって厚さ200Åに成膜した。次い
で、さらにZnS−SiO2(8:2)をRFスパッタ
リングして第2誘電体層を厚さ250Åに成膜した後、
Al−Ti合金(Al98.5重量%、Ti 1.5重
量%)からなる第1反射層を50Å厚さに形成した。前
記Al−Ti第1反射層上部にAgをDCスパッタリン
グして厚さ500Åの第2反射層を成膜した後、保護層
としてUV硬化型樹脂(商品名:SD17:DIC)を
スピンコーティングした。
iO2(8:2)をRFスパッタリングして第1誘電体
層を厚さ950Åに成膜した。その後、前記第1誘電体
層の上部にAg−In−Sb−Te系合金薄膜をDCス
パッタリング法によって厚さ200Åに成膜した。次い
で、さらにZnS−SiO2(8:2)をRFスパッタ
リングして第2誘電体層を厚さ250Åに成膜した後、
Al−Ti合金(Al98.5重量%、Ti 1.5重
量%)からなる第1反射層を50Å厚さに形成した。前
記Al−Ti第1反射層上部にAgをDCスパッタリン
グして厚さ500Åの第2反射層を成膜した後、保護層
としてUV硬化型樹脂(商品名:SD17:DIC)を
スピンコーティングした。
【0035】前記相変化型光ディスクを初期化するため
に高速初期化装置(PC−1000、ナカミチ社製造)
上でディスクを回転させながら半導体レーザービーム
(波長:830nm)を照射して記録層を結晶化した。
に高速初期化装置(PC−1000、ナカミチ社製造)
上でディスクを回転させながら半導体レーザービーム
(波長:830nm)を照射して記録層を結晶化した。
【0036】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表1に示す。
果を表1に示す。
【0037】実施例2ないし5 反射層の構成および/または厚さを表1のように変えた
ことを除いては、実施例1と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては、実施例1と同様な方法に従って実施し
た。
【0038】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表1に示す。
果を表1に示す。
【0039】比較例1ないし14 反射層の構成および/または厚さを表1のように変えた
ことを除いては、実施例1と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては、実施例1と同様な方法に従って実施し
た。
【0040】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表1に示す。
果を表1に示す。
【0041】
【表1】
【0042】前記表1の結果から分かるように、実施例
1ないし5による本発明の相変化型光ディスクは、記録
信号特性と耐蝕性が良好であるだけでなく、初期記録ジ
ッター特性がすべて15ns以下と非常に良好であっ
た。
1ないし5による本発明の相変化型光ディスクは、記録
信号特性と耐蝕性が良好であるだけでなく、初期記録ジ
ッター特性がすべて15ns以下と非常に良好であっ
た。
【0043】一方、Ag単一反射層のみを形成した場
合、Ag反射層の厚さが750Å以上である場合(比較
例1および2)には耐蝕性は良好であるが、生産性の面
で好ましくなく、Ag反射層の厚さが500Å以下であ
る場合には耐蝕性が不良であり、特にAg反射層の厚さ
が200Å以下である場合(比較例6および7)は耐蝕
性の問題の他に記録特性が不良であった。
合、Ag反射層の厚さが750Å以上である場合(比較
例1および2)には耐蝕性は良好であるが、生産性の面
で好ましくなく、Ag反射層の厚さが500Å以下であ
る場合には耐蝕性が不良であり、特にAg反射層の厚さ
が200Å以下である場合(比較例6および7)は耐蝕
性の問題の他に記録特性が不良であった。
【0044】図7は、比較例3によってAg単一反射層
を適用した相変化型光ディスクの耐環境テストにおいて
腐蝕した反射層表面のSEM写真を示す。
を適用した相変化型光ディスクの耐環境テストにおいて
腐蝕した反射層表面のSEM写真を示す。
【0045】単一Al−Ti反射層を含むディスクにお
いては、反射層の厚さが1000Å以上の場合(比較例
8および9)は耐蝕性、記録信号特性は良好であるが、
初期記録ジッター値が本発明のものに比べて不良であ
り、生産性の面での問題もある。Al−Ti反射層の厚
さが750、500および300Åの場合(比較例10
ないし12)は記録特性がすべて不良であった。
いては、反射層の厚さが1000Å以上の場合(比較例
8および9)は耐蝕性、記録信号特性は良好であるが、
初期記録ジッター値が本発明のものに比べて不良であ
り、生産性の面での問題もある。Al−Ti反射層の厚
さが750、500および300Åの場合(比較例10
ないし12)は記録特性がすべて不良であった。
【0046】図8は、比較例10の750ÅのAl−T
i単一反射層を有する相変化型光ディスクにおける記録
後再生信号波形を示した図面である。不完全な非晶質マ
ークのために、図9に示す理想的な波形とは異なること
が分かる。
i単一反射層を有する相変化型光ディスクにおける記録
後再生信号波形を示した図面である。不完全な非晶質マ
ークのために、図9に示す理想的な波形とは異なること
が分かる。
【0047】一方、図10は、比較例8ないし12のA
l−Ti反射層を有する相変化型光ディスクにおいてA
l−Ti反射層厚さによる加熱冷却挙動を熱特性シミュ
レーションを通して分析したグラフである。このシミュ
レーションに用いられた各層の物性は下記表2の通りで
ある。
l−Ti反射層を有する相変化型光ディスクにおいてA
l−Ti反射層厚さによる加熱冷却挙動を熱特性シミュ
レーションを通して分析したグラフである。このシミュ
レーションに用いられた各層の物性は下記表2の通りで
ある。
【0048】
【表2】
【0049】図10を参照すると、Al合金反射層の厚
さが減少するにつれて、冷却速度が低くなることが分か
る。非晶質記録マークは一般的に記録層の温度を融点以
上に加熱し、溶融された層を急冷して生成されるが、こ
の際、冷却速度は非晶質化が可能な程度に十分でなけれ
ばならない。冷却速度が不十分な場合には急冷非晶質化
しないうちに結晶化する傾向がある。厚さ750Å未満
である単一Al合金反射層を有するディスクは冷却速度
が不十分であるという問題がある。したがって、Al−
Ti合金層のみを単一反射層として用いる場合、厚さが
1000Å以上でなければならないため、製造工程上不
利である。500Å以下のAg単一反射層を用いた場合
は耐蝕性が不良である。これに対して、本願発明の二重
層からなる反射層は厚さが比較的薄くても全般的に優れ
た物性を有する。
さが減少するにつれて、冷却速度が低くなることが分か
る。非晶質記録マークは一般的に記録層の温度を融点以
上に加熱し、溶融された層を急冷して生成されるが、こ
の際、冷却速度は非晶質化が可能な程度に十分でなけれ
ばならない。冷却速度が不十分な場合には急冷非晶質化
しないうちに結晶化する傾向がある。厚さ750Å未満
である単一Al合金反射層を有するディスクは冷却速度
が不十分であるという問題がある。したがって、Al−
Ti合金層のみを単一反射層として用いる場合、厚さが
1000Å以上でなければならないため、製造工程上不
利である。500Å以下のAg単一反射層を用いた場合
は耐蝕性が不良である。これに対して、本願発明の二重
層からなる反射層は厚さが比較的薄くても全般的に優れ
た物性を有する。
【0050】実施例6ないし14 反射層の構成および/または厚さを表3のように変えた
ことを除いては、実施例1と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては、実施例1と同様な方法に従って実施し
た。
【0051】製造された光ディスクの特性を評価してそ
の結果を表3に示した。
の結果を表3に示した。
【0052】
【表3】
【0053】表3から分かるように、実施例6ないし1
4に従って製造された相変化型光ディスクは、耐蝕性、
記録信号特性および繰り返し記録耐久性に優れている。
4に従って製造された相変化型光ディスクは、耐蝕性、
記録信号特性および繰り返し記録耐久性に優れている。
【0054】図11は、比較例3のAg単一反射層を適
用したディスク(四角プロット)と実施例10のAl−
Ti第1反射層およびAg第2反射層を適用したディス
ク(丸プロット)を80℃および85%相対湿度の条件
の下で耐環境テストした結果を示すグラフである。本発
明によるディスクは時間によってジッター値が一定であ
る。一方、Ag単一層を用いたものは10時間以降ジッ
ター値が急激に増加することが分かる。
用したディスク(四角プロット)と実施例10のAl−
Ti第1反射層およびAg第2反射層を適用したディス
ク(丸プロット)を80℃および85%相対湿度の条件
の下で耐環境テストした結果を示すグラフである。本発
明によるディスクは時間によってジッター値が一定であ
る。一方、Ag単一層を用いたものは10時間以降ジッ
ター値が急激に増加することが分かる。
【0055】DVD−RAM 実施例15ないし20および比較例15ないし23はD
VD−RAM用相変化型光ディスクを製造してその特性
を評価したものであり、各種性能評価は次の方法で実施
した。
VD−RAM用相変化型光ディスクを製造してその特性
を評価したものであり、各種性能評価は次の方法で実施
した。
【0056】光ディスクを動的特性評価器(ナカミチ社
製造、モデル名:OMS−2000)に装着した後、
6.0m/sで回転させながら記録特性を評価した。こ
の際、記録のためのレーザービームのパルスの形態はD
VD−RAM規格1.0(発行先:DVD Foru
m)に基づいて決定した。この際用いられた光源の波長
は680nm、対物レンズのNAは0.60であった。
製造、モデル名:OMS−2000)に装着した後、
6.0m/sで回転させながら記録特性を評価した。こ
の際、記録のためのレーザービームのパルスの形態はD
VD−RAM規格1.0(発行先:DVD Foru
m)に基づいて決定した。この際用いられた光源の波長
は680nm、対物レンズのNAは0.60であった。
【0057】書換記録特性は10回記録時のジッター値
として示し、ジッター値が4nsを超過すると記録信号
特性が不良であると判定した。
として示し、ジッター値が4nsを超過すると記録信号
特性が不良であると判定した。
【0058】繰り返し記録耐久性は記録と消去を繰り返
しながら、記録特性を低下するか否かを観察したもので
あって、ジッター値が10回記録後のオーバーライトジ
ッター値の50%以上に増加するまでの記録回数を示し
た。
しながら、記録特性を低下するか否かを観察したもので
あって、ジッター値が10回記録後のオーバーライトジ
ッター値の50%以上に増加するまでの記録回数を示し
た。
【0059】Pp(mW)は記録に必要なパワーを示
す。総合的な判定はオーバーライトジッター値が4.0
ns以下であり、繰り返し記録耐久性が100,000
回以上である場合を良好(○)とし、その以外の場合を
不良(X)とした。
す。総合的な判定はオーバーライトジッター値が4.0
ns以下であり、繰り返し記録耐久性が100,000
回以上である場合を良好(○)とし、その以外の場合を
不良(X)とした。
【0060】実施例15 スタンパーを用いた射出成形法に従って深さ70nmの
螺旋形溝が形成された厚さ0.6mmポリカーボネート
ディスク基板を製造した。この際、基板の溝と隣接溝間
の間隔は1.48μm、溝とランド間の間隔はその1/
2に相当する0.74μmであり、溝の中間に各セクタ
ーのアドレス検出のためのヘッダーピットを形成した。
また、各溝は同一周波数のウォブル信号を検出できるよ
うに屈曲させた。
螺旋形溝が形成された厚さ0.6mmポリカーボネート
ディスク基板を製造した。この際、基板の溝と隣接溝間
の間隔は1.48μm、溝とランド間の間隔はその1/
2に相当する0.74μmであり、溝の中間に各セクタ
ーのアドレス検出のためのヘッダーピットを形成した。
また、各溝は同一周波数のウォブル信号を検出できるよ
うに屈曲させた。
【0061】前記ポリカーボネート基板の溝形成面にZ
nS−SiO2(8:2)をRFスパッタリングして第
1誘電体層を厚さ950Åに成膜した。その後、前記第
1誘電体層の上部にGe−Sb−Te系合金薄膜をDC
スパッタリング法によって厚さ200Åに成膜した。次
いで、さらにZnS−SiO2(8:2)をRFスパッ
タリングして第2誘電体層を厚さ140Åに成膜した。
nS−SiO2(8:2)をRFスパッタリングして第
1誘電体層を厚さ950Åに成膜した。その後、前記第
1誘電体層の上部にGe−Sb−Te系合金薄膜をDC
スパッタリング法によって厚さ200Åに成膜した。次
いで、さらにZnS−SiO2(8:2)をRFスパッ
タリングして第2誘電体層を厚さ140Åに成膜した。
【0062】第2誘電体上にAl−Cr第1反射層をR
Fスパッタリング法で500Å厚さに形成した。最後
に、DCスパッタリング法を用いてCu第2反射層を4
00Å厚さに成膜し、その上に保護層としてUV樹脂を
スピンコーティングした。
Fスパッタリング法で500Å厚さに形成した。最後
に、DCスパッタリング法を用いてCu第2反射層を4
00Å厚さに成膜し、その上に保護層としてUV樹脂を
スピンコーティングした。
【0063】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表4に示す。
果を表4に示す。
【0064】実施例16ないし19 反射層の構成および/または厚さを表4のように変えた
ことを除いては実施例15と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては実施例15と同様な方法に従って実施し
た。
【0065】製造された光ディスクの特性を評価してそ
の結果を表4に示す。
の結果を表4に示す。
【0066】比較例15ないし21 反射層の構成および/または厚さを表4のように変えた
ことを除いては実施例15と同様な方法に従って実施し
た。
ことを除いては実施例15と同様な方法に従って実施し
た。
【0067】製造された光ディスクの特性を評価した結
果を表4に示す。
果を表4に示す。
【0068】
【表4】
【0069】表4から分かるように、実施例15ないし
19に従って製造された相変化型光ディスクは、優れた
耐蝕性、記録信号特性、初期記録特性および繰り返し記
録耐久性を示した。
19に従って製造された相変化型光ディスクは、優れた
耐蝕性、記録信号特性、初期記録特性および繰り返し記
録耐久性を示した。
【0070】図12は比較例15ないし18に従ってA
l−Cr合金単一反射層を採用した光ディスクの反射層
の厚さによるオーバーライトジッター値と繰り返し記録
耐久性を示したグラフである。この場合、その厚さを2
000Å以上にしても繰り返し記録耐久性は70,00
0回程度に過ぎない。
l−Cr合金単一反射層を採用した光ディスクの反射層
の厚さによるオーバーライトジッター値と繰り返し記録
耐久性を示したグラフである。この場合、その厚さを2
000Å以上にしても繰り返し記録耐久性は70,00
0回程度に過ぎない。
【0071】図13は、比較例15ないし18に従って
Al−Cr合金単一反射層を採用した光ディスクの反射
層の厚さによる記録パワーを示したグラフである。厚さ
が増加するにつれて記録に必要なパワーも増加するた
め、実用化に不利であることが分かる。さらに、反射層
の厚さが過度に大きいと材料費の増加と必要成膜時間の
増加をもたらすため、生産性が減少するという問題が発
生する。
Al−Cr合金単一反射層を採用した光ディスクの反射
層の厚さによる記録パワーを示したグラフである。厚さ
が増加するにつれて記録に必要なパワーも増加するた
め、実用化に不利であることが分かる。さらに、反射層
の厚さが過度に大きいと材料費の増加と必要成膜時間の
増加をもたらすため、生産性が減少するという問題が発
生する。
【0072】さらに、二重反射層を採用した場合でも、
比較例19ないし21の場合には各反射層の厚さがDV
D−RAM用の好ましい範囲からはずれるため、オーバ
ーライトジッター値が高いか、繰り返し記録耐久性が不
良であるという短所がある。
比較例19ないし21の場合には各反射層の厚さがDV
D−RAM用の好ましい範囲からはずれるため、オーバ
ーライトジッター値が高いか、繰り返し記録耐久性が不
良であるという短所がある。
【0073】図14は、実施例15ないし19および比
較例19のディスクに用いられたCu第2反射層の厚さ
によるオーバーライトジッター値および繰り返し記録耐
久性の変化を示したグラフである。
較例19のディスクに用いられたCu第2反射層の厚さ
によるオーバーライトジッター値および繰り返し記録耐
久性の変化を示したグラフである。
【0074】実施例20 GeSbTe記録層の組成がGeSb2Te4であり、
第1反射層として厚さ500ÅのAlCr合金(Cr
2.0at%)および第2反射層として厚さ100Åの
Cu層を用い、基板としてヘッダーピットとウォブルが
形成されていないものを用いたことを除いては実施例1
6と同様な方法で本発明の光ディスクを製造した。
第1反射層として厚さ500ÅのAlCr合金(Cr
2.0at%)および第2反射層として厚さ100Åの
Cu層を用い、基板としてヘッダーピットとウォブルが
形成されていないものを用いたことを除いては実施例1
6と同様な方法で本発明の光ディスクを製造した。
【0075】比較例22 単一反射層として500Å厚さのAlCr合金のみを用
いたことを除いては実施例20と同様な方法で光ディス
クを製造した。
いたことを除いては実施例20と同様な方法で光ディス
クを製造した。
【0076】比較例23 第2反射層として200Å厚さのCu層を用いたことを
除いては実施例20と同様な方法で光ディスクを製造し
た。
除いては実施例20と同様な方法で光ディスクを製造し
た。
【0077】実施例20および比較例22および23で
製造された光ディスクを記録線速8.2m/sにしたこ
とを除いては実施例12の方法と同一な条件の下で記録
した後、3Twに該当する再生信号の幅ジッター値を測
定してその結果を図15に示した。これから分かるよう
に、記録層の組成および記録条件が変化するとCu第2
反射層が100Åである場合にも良好な効果を示し、厚
さが200Åである場合はかえってジッター値が高くな
る。
製造された光ディスクを記録線速8.2m/sにしたこ
とを除いては実施例12の方法と同一な条件の下で記録
した後、3Twに該当する再生信号の幅ジッター値を測
定してその結果を図15に示した。これから分かるよう
に、記録層の組成および記録条件が変化するとCu第2
反射層が100Åである場合にも良好な効果を示し、厚
さが200Åである場合はかえってジッター値が高くな
る。
【0078】
【発明の効果】本発明の相変化型光ディスクは、優れた
耐蝕性、書換記録特性および繰り返し記録耐久性を示す
ので、書換型光ディスクとして好適である。
耐蝕性、書換記録特性および繰り返し記録耐久性を示す
ので、書換型光ディスクとして好適である。
【図1】一般的な光ディスクの情報領域を示す概略図。
【図2】図1の線A−A’に沿った拡大断面図。
【図3】一般的な相変化型光ディスクの積層構造を示す
概略的な断面図。
概略的な断面図。
【図4】本発明の一実施態様による相変化型光ディスク
の概略的な断面図。
の概略的な断面図。
【図5】相変化型光ディスクにおけるオーバーライト過
程を示す概略的な断面図。
程を示す概略的な断面図。
【図6】本発明の実施例で用いられたレーザービームの
マルチパルスの形状を示す図。
マルチパルスの形状を示す図。
【図7】耐環境テストの際に腐蝕したAg反射層表面の
SEM写真。
SEM写真。
【図8】比較例10で製造されたAl−Ti単一反射層
(厚さ750Å)を有する相変化型光ディスクに記録し
た後、再生した信号の波形を示す図。
(厚さ750Å)を有する相変化型光ディスクに記録し
た後、再生した信号の波形を示す図。
【図9】図8に対する好ましい波形を示す図。
【図10】種々の厚さのAl−Ti単一反射層を含む比
較例における相変化型光ディスクの加熱冷却挙動を熱特
性シミュレーションを通じて分析した結果を示す図。
較例における相変化型光ディスクの加熱冷却挙動を熱特
性シミュレーションを通じて分析した結果を示す図。
【図11】Ag単一反射層を有する相変化型光ディスク
と、実施例10で製造されたAl−Ti第1反射層およ
びAg第2反射層を有するディスクの耐環境テストの結
果を示す図。
と、実施例10で製造されたAl−Ti第1反射層およ
びAg第2反射層を有するディスクの耐環境テストの結
果を示す図。
【図12】比較例15ないし18のディスクに用いられ
たAl−Cr合金単一反射層の厚さによるオーバーライ
トジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を示す
図。
たAl−Cr合金単一反射層の厚さによるオーバーライ
トジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を示す
図。
【図13】比較例15ないし18のディスクに用いられ
たAl−Cr合金単一反射層の厚さによる記録パワーの
変化を示す図。
たAl−Cr合金単一反射層の厚さによる記録パワーの
変化を示す図。
【図14】実施例15ないし19および比較例19のデ
ィスクに用いられたCu第2反射層の厚さによるオーバ
ーライトジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を
示すグラフである。
ィスクに用いられたCu第2反射層の厚さによるオーバ
ーライトジッター値および繰り返し記録耐久性の変化を
示すグラフである。
【図15】実施例20および比較例22および23で製
造された相変化型光ディスクの繰り返し記録時のジッタ
ー値の変化を示す図。
造された相変化型光ディスクの繰り返し記録時のジッタ
ー値の変化を示す図。
1:光ディスクの情報領域 10:ポリカーボネート基板 11:ピット 12:反
射層 13:保護膜 20:基板 21:第1誘電体層 22:記録層 23:第2誘電体層 24:反射層 25:保護膜 30:基板 31:第1誘電体層 32:記録層 3
3:第2誘電体層 34:第1反射層 35:第2反射層 36:保護層
射層 13:保護膜 20:基板 21:第1誘電体層 22:記録層 23:第2誘電体層 24:反射層 25:保護膜 30:基板 31:第1誘電体層 32:記録層 3
3:第2誘電体層 34:第1反射層 35:第2反射層 36:保護層
Claims (10)
- 【請求項1】 透明基板上に順次形成された第1誘電体
層、記録層、第2誘電体層、反射層、および保護層を含
む相変化型光ディスクにおいて、前記反射層が電気陰性
度1.9ないし3.0の金属または合金からなる第1反
射層と、Cu、Agまたはこれらの合金からなる第2反
射層とからなり、前記第1反射層は前記第2誘電体層と
密着して位置し、前記第2反射層は前記第1反射層およ
び保護層と密着して位置することを特徴とする相変化型
光ディスク。 - 【請求項2】 前記第1反射層の金属または合金が、A
l、Au、W、Mo、Ni、Ge、Si、Pd、Sn、
Rh、Ptおよびこれらの合金からなる群から選ばれる
ことを特徴とする請求項1記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項3】 前記合金が、Al、Au、Cu、Ag、
W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Z
r、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、
Sn、Sc、Rh、Pt、Mnおよびこれらの混合物か
らなる群から選ばれる金属を第二成分として含むことを
特徴とする請求項2記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項4】 前記第2反射層を構成するCuまたはA
g合金が、Al、Au、Cu、Ag、W、Mo、Ni、
Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Zn、Ti、T
a、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、Sc、Rh、
Pt、Mnおよびこれらの混合物からなる群から選ばれ
る金属を第二成分として含むことを特徴とする請求項1
記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項5】 前記記録層がAg−In−Sb−Te合
金からなり、第1反射層が厚さ10Å以上のW、Siま
たはAl合金層からなり、第2反射層が厚さ250Å以
上のAgまたはAg合金からなることを特徴とする請求
項1記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項6】 前記第1反射層が厚さ100Å以上のA
l合金層からなり、第2反射層が厚さ450Å以上のA
gまたはAg合金からなることを特徴とする請求項5記
載の相変化型光ディスク。 - 【請求項7】 前記記録層がGe−Sb−Te合金から
なり、第1反射層がAlまたはAl合金からなり、第2
反射層がCuまたはAgからなることを特徴とする請求
項1記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項8】 前記二つの反射層の総厚さが2000Å
以下であることを特徴とする請求項7記載の相変化型光
ディスク。 - 【請求項9】 前記第1反射層の厚さが1300Å以
下、第2反射層の厚さが10Å以上であることを特徴と
する請求項8記載の相変化型光ディスク。 - 【請求項10】 前記第2反射層の厚さが800Å未満
であることを特徴とする請求項9記載の相変化型光ディ
スク。
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KR1998-49920 | 1999-06-02 | ||
KR1998-41082 | 1999-06-02 | ||
KR19990020151 | 1999-06-02 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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AU2003221091A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium, and method and device for optical information recording/reproduction using same |
JP2003317237A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Tdk Corp | 光記録媒体判別装置及び光記録媒体判別方法 |
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