JPH07220303A

JPH07220303A - 相変化型光ディスク媒体

Info

Publication number: JPH07220303A
Application number: JP6011200A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Okamura; 立也岡村; Masato Terada; 正人寺田; Kazuyuki Furuya; 一之古谷
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1994-02-02
Filing date: 1994-02-02
Publication date: 1995-08-18

Abstract

(57)【要約】【構成】反射層がＴｉとＡｌを主成分とするＡｌ含有
量が原子量比１０〜８０ａｔ％の組成からなり、記録層
が特定の組成比範囲よりなるＳｂＴｅＧｅ合金からなる
相変化型光ディスク媒体。【効果】本発明の光ディスク媒体は、速い線速度にお
いても高い記録感度および良好な記録、消去特性を有
し、かつ繰り返し特性も良好である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザービーム等によ
り情報を記録、消去、再生できる光学情報記録媒体に関
するもので、特に線速度８〜２０ｍ／ｓといった速い線
速度においても高い記録感度および良好な記録、消去特
性を有し、さらに繰り返し特性も良好な相変化型光ディ
スクに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクに代表される光情報記録媒体
は、高密度で大容量であることから注目され、これまで
にも様々な用途で使用されている。例えば、再生専用の
光ディスクとしては、音楽を再生するコンパクトディス
クやデータ再生専用のＣＤ−ＲＯＭ等があり、音楽分
野、コンピュータ分野、ゲーム分野等において広く使用
されている。また、一回だけ記録可能で消去はできない
追記型光ディスクとしては、文書ファイリングシステ
ム、データファイリングシステム等に利用されている。

【０００３】さらに、記録された情報の消去と再記録が
できる書換え可能型光ディスクは、データの修復や更新
が可能であるとともに、書換えによって繰り返し使用で
きるため、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして
期待されている。このような書換え可能型光ディスクと
しては、これまでに光磁気型ディスクや相変化型ディス
クが実用化されており、データファイル等に使用されて
いる。

【０００４】光磁気型ディスクは磁気光学効果（カー回
転効果）を用いて情報を記録するのに対し、相変化型デ
ィスクは結晶とアモルファスの２状態を可逆的に相変化
させることによって情報が記録される。結晶状態をアモ
ルファス状態にするには物質を融点以上の温度に上げ溶
融させた後、一気に冷却させることにより行なわれる。
また、結晶状態にするには結晶化温度以上の温度で結晶
化に必要な時間以上保持されることにより結晶化され
る。相変化型の光ディスクでは、この２状態はレーザの
照射強度だけで可逆的に相変化可能であるため、書換時
に一度消去をしなくてもそのまま重ね書き（オーバーラ
イト）ができるという利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の相変化型光ディスクにおいては、アモルファ
ス化に必要なレーザパワーが、盤面上で１５ｍＷ以上も
必要とし、さらに線速度を速くする（回転数を上げる）
と、通常市販されているレーザでは十分な記録ができな
くなるという不具合があった。

【０００６】光ディスクシステムに対する要求は、ます
ます高速化が求められており、それに伴い、光ディスク
媒体もより高線速化、すなわち速い回転数にまで対応で
きる媒体の開発が急務となっている。光ディスク媒体と
しては、盤面上のレーザ照射強度が１５ｍＷ以下で記録
・消去できる高感度な媒体が、ドライブに用いられる半
導体レーザの観点より望ましい。

【０００７】こうした要求に対し、一般的に、反射層側
の保護層の膜厚を厚くする、あるいは反射層の膜厚を薄
くすると高感度化できることが知られているが、各層の
膜厚のみで高感度化すると、感度は良くなるものの、消
去比が低下する、また繰り返し耐久性が低下するといっ
た現象が発生し好ましくない。本発明は、反射層に用い
られる材料の物性と記録膜組成とを特定し組み合わせる
事により、従来の問題を解決するためのものであり、従
来までの線速度より速い線速度である８〜２０ｍ／ｓに
おいても良好に記録・消去でき、さらに繰り返し耐久性
にも優れた相変化型光ディスク媒体を提供することを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、反射層の
材料を特定することにより、８〜２０ｍ／ｓといった速
い線速度においても記録及び消去が良好に行えることを
見いだし、本発明を完成させた。すなわち、本発明は良
好な記録、消去、再生が可能な相変化型光ディスク媒体
に関するものであり、特に線速度が８〜２０ｍ／ｓとい
った速い線速度において、記録、消去、再生に適し、さ
らに繰り返し耐久性にも優れた媒体に関するものであ
る。

【０００９】本発明の相変化型光ディスクは基板上に少
なくとも記録層および反射層を有する構造で、該反射層
がＴｉおよびＡｌを主成分とし、かつＡｌの含有量が原
子量比で１０〜８０ａｔ％であることを特徴とするもの
である。本発明の記録層を構成する材料としては、カル
コゲン化合物が好適であり、特にＳｂＴｅＧｅ系材料
は、高速消去が可能で、かつアモルファス状態の安定性
に優れているため最適な材料である。ＳｂＴｅＧｅ系材
料において、特にＳｂとＴｅとＧｅを頂点とする三角図
において原子量比でＡ（Ｓｂ₃₂Ｔｅ₅₈Ｇｅ₁₀）、Ｂ（Ｓ
ｂ₃₄Ｔｅ₅₆Ｇｅ₁₀）、Ｃ（Ｓｂ₁₀Ｔｅ₅₀Ｇｅ₄₀）、Ｄ
（Ｓｂ₈Ｔｅ₅₂Ｇｅ₄₀）に囲まれた４角形の内側にある
組成は、結晶化スピードが速いため結晶化しやすく、特
に８〜２０ｍ／ｓといった速い線速度での消去特性の点
で優れている（図１）。

【００１０】本発明の相変化型光ディスクにおいては、
記録層の酸化等の経時変化を防ぐために記録層の上下に
保護層を設けることが望ましい。この保護層の材料とし
ては、一般にＳｉ０_X、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ₂、Ｔａ₂
Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＺｎＳまたはＳｉＣ等の金
属または半金族の酸化物、フッ化物、窒化物、硫化物、
炭化物およびホウ化物や金属等の無機物あるいは有機
物、さらにはこれらの混合物や混合材料が挙げられる。

【００１１】本発明のディスク構造においては、その層
構成を図２に示すように、記録層１の両側を保護層２、
３で挟み、光入射側（透明基板４側）の反対側に熱拡散
層をかねた反射層５を設けた４層構造にすることが好ま
しい。基板４側の保護層２の膜厚は、記録膜の保護、基
板の熱変形の防止を目的とし、さらに反射率およびコン
トラストの観点より５０〜３００ｎｍの膜厚とするのが
好ましい。記録層１はコントラストの点より膜厚１５〜
３５ｎｍが良い。反射層側の保護層３は、消去特性の観
点から１５ｎｍ以下が好ましく、記録感度および成膜さ
れた薄膜が島状でなく安定な層状に存在するために３ｎ
ｍ以上が良い。反射層５は記録感度の観点で２５０ｎｍ
以下が好ましく、繰り返し耐久性の観点から１００ｎｍ
以上が好ましい。

【００１２】以下本発明を詳細に説明する。書換可能な
相変化型光ディスクでは、結晶とアモルファス間の光学
定数の違いを利用して情報を記録再生する。アモルファ
ス状態を結晶状態にするには、ある一定温度（結晶化温
度）以上を、ある一定時間（結晶化時間）保持すること
によって行い、また、アモルファス状態にするには物質
を融点以上に熱し一度溶融させた後、一気に冷やすこと
により行なわれる。

【００１３】光ディスクシステムの高速化に伴い、記録
再生の線速度を速くすると、ディスクに対してレーザビ
ームがすぐ通過してしまい、レーザの滞留時間が短くな
るため融点以上の温度になりにくく、アモルファス化し
にくくなる（記録しにくくなる）という現象が生じる。
ドライブに使用される半導体レーザを考慮すると、高線
速でも低いレーザ照射強度で記録および消去できる媒体
が好ましく、一般的な３０ｍＷ程度のレーザを使用すれ
ば、マージンを考慮して盤面上で１２ｍＷで十分記録で
きることが条件となる。ここで、搬送波対雑音比（Ｃ／
Ｎ比）が４０ｄＢ以上となるのに最低必要な記録パワー
を記録感度と定義すると、１２ｍＷで十分記録できるよ
うにするには記録感度を８ｍＷ以下にする必要がある。

【００１４】この記録感度は、光ディスク媒体を構成し
ている各層の材料、膜厚、膜質等によって変化するが、
図２のような４層構造においては、保護層３の膜厚およ
び反射層５の膜厚を変化させるのが簡便である。反射層
材料として通常よく用いられているＡｌやＡｕといった
熱伝導率の高い材料を反射層に用いて、速い線速度にお
いて特性評価を行なった場合、レーザの滞留時間が短
く、なおかつ反射層に熱が逃げ易いため、高感度が難し
く、保護層３の膜厚を厚くしたり、反射層５の膜厚を薄
くすることにより熱を反射層に逃げにくくするなどの手
段がとられる。しかし、保護層３の膜厚を厚くするとレ
ーザの進行方向と垂直な方向へも熱がこもり易くなるた
め、記録時にアモルファスの領域が横に広がりやすく、
消去時に消せる幅よりも太いアモルファス領域になって
しまうため、アモルファス残りが生じ、消し残りが大き
くなるといった不具合が生じる（図３）。消し残りを少
なく抑えたまま高感度化をはかるために、保護層３の膜
厚を薄く、かつ反射層５の膜厚を薄くすることを試みた
が、Ａｌのように熱伝導率が高い材料を反射層５に用い
ると、２０ｎｍ程度の膜厚でも消去比が２０ｄＢ以上か
つ記録感度が８ｍＷ以下となる特性範囲は存在せず、記
録と消去の両立は困難である。

【００１５】本発明者らは、反射層５の材料として熱伝
導率の低い材料を用いることにより保護層３の膜厚が薄
くても反射層５の膜厚が厚いまま記録感度を良くでき、
記録と消去の両立が可能であると考え、本発明をなすに
至った。すなわち、反射層の材料をＡｌとＴｉの合金か
ら成り、Ａｌの原子量比が１０〜８０ａｔ％のものを用
いることにより、熱伝導率を３×１０^-2calcm ^-1s ^-1K
^-1以下とすることができた。その結果、保護層３の膜厚
が薄いまま記録感度を良くすることができ、良好な記録
・消去特性の両立を可能とした。さらに、反射層の膜厚
を１００ｎｍ以上とすることができるため、繰り返し耐
久性も強いメディアが提供できる。

【００１６】一方、反射層材料の熱伝導率が８×１０^-3
calcm ^-1s ^-1K ^-1以下では、消去率の低下および繰り返
し耐久性に劣化がみられ好ましくない。これらの現象
は、特に１０ｍ／ｓ以下の低線速側においてその低下が
顕著である。これらの結果、特に８〜２０ｍ／ｓといっ
た速い線速条件において、反射層材料の熱伝導率範囲と
して８×１０^-3〜３×１０^-2calcm ^-1s ^-1K ^-1の範囲が
好ましいといえる。

【００１７】次に、記録層の組成範囲について説明を加
える。記録再生の線速度を速くすると、結晶化温度を結
晶化時間保持できなくなることから、結晶化しにくくな
る（消去されにくくなる）という現象が起こる。速い線
速度において結晶化しやすい記録材料としてＳｂＴｅＧ
ｅがよく知られているが、このＳｂＴｅＧｅの中でも特
に結晶化しやすい組成を用いることが必要となる。

【００１８】このＳｂＴｅＧｅ系材料は、Ｓｂ₂Ｔｅ₃
とＧｅＴｅとの各性質を混合したような性質をもってお
り、図１のＳｂとＴｅとＧｅを頂点とする三角図におい
てＳｂ₂Ｔｅ₃とＧｅＴｅとを結んだ線（化合物ライ
ン）が一つの基準線となっている。例えば、この化合物
ライン上の組成をもつ化合物は結晶化速度が速く、化合
物ラインから離れるにつれて、結晶化速度が遅くなるこ
とがわかっている。速い線速度において消去を達成する
には結晶化速度の速い化合物ライン周辺が好ましい。ま
た、ＳｂＴｅＧｅ系においてＧｅは融点および結晶化温
度が高いため化合物中のＧｅの比率が多くなると融点お
よび結晶化温度が高くなり、反対にＧｅの比率が少なく
なると融点、結晶化温度は低くなることがわかってい
る。Ｇｅの比率は化合物の融点が高いと記録感度が悪く
なるため４０ａｔ％以下にする必要がある。また、結晶
化温度が１６０度以下になると高温高湿下における環境
試験において、アモルファスピットの結晶化が進行し、
記録データの信頼性が乏しくなる。Ｇｅの比率が１０ａ
ｔ％未満では結晶化温度が１６０度以下となり、データ
の信頼性に欠けるためＧｅの比率は１０〜４０ａｔ％が
好ましい。より好ましくは、Ｇｅの比率が２０ａｔ％以
上において、結晶化温度が１８０度以上となり、より高
い信頼性を確保できるため、２０〜４０ａｔ％のＧｅ量
とするのがよい。

【００１９】従って、ＳｂとＴｅとＧｅを頂点とする三
角図において原子量比でＡ（Ｓｂ₃₂Ｔｅ₅₈Ｇｅ₁₀）、Ｂ
（Ｓｂ₃₄Ｔｅ₅₆Ｇｅ₁₀）、Ｃ（Ｓｂ₁₀Ｔｅ₅₀Ｇｅ₄₀）、
Ｄ（Ｓｂ₈Ｔｅ₅₂Ｇｅ₄₀）に囲まれた４角形の内側の組
成を選ぶことが好ましく、より好ましくは、Ａ（Ｓｂ₂₄
Ｔｅ₅₆Ｇｅ₂₀）、Ｂ（Ｓｂ₂₆Ｔｅ₅₄Ｇｅ₂₀）、Ｃ（Ｓｂ
₁₀Ｔｅ₅₀Ｇｅ₄₀）、Ｄ（Ｓｂ₈Ｔｅ₅₂Ｇｅ₄₀）に囲まれ
た４角形の内側の組成とするのが信頼性の観点より望ま
しい。

【００２０】本発明では記録層、保護層、反射層の形成
方法については公知の方法、例えば真空蒸着、スパッタ
リング、イオンビームスパッタリング、イオンビーム蒸
着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、プラズマ
重合等の方法を目的、材料等に応じて適宜採用すること
ができる。本発明の光ディスク媒体において、光学情報
記録膜が設けられる基板としては、例えばガラス板やガ
ラス板上に光硬化樹脂を設けたもの、あるいはポリカー
ボネート、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレ
ンなどのプラスチック基板、アルミニウム合金などの金
属板などが用いられる。

【００２１】

【実施例】

【００２２】

【実施例１〜４比較例１〜４】次に実施例により本発
明をさらに詳細に説明する。図４に示すような１．０μ
ｍ案内溝を設けた清浄な０．６ｍｍ厚のポリカーボネー
ト基板４の上に、厚さ１８０ｎｍのＺｎＳ- ＳｉＯ₂か
らなる保護層２、厚さ２５ｎｍのＳｂ₂₁Ｔｅ₅₄Ｇｅ₂₅合
金の記録層１、厚さ１２ｎｍのＺｎＳ- ＳｉＯ₂からな
る保護層３、および厚さ１００ｎｍのＡｌＴｉ合金から
なり、組成比を任意に変えた反射層５を、順次スパッタ
リング法により成膜して積層し、さらに反射層５の表面
を紫外線硬化型樹脂で被覆することにより相変化型光デ
ィスクを作製した。このようにして作製した片面ディス
クを二枚、基板を両外側にしてホットメルト接着剤で接
着することにより、全面密着構造の相変化型光ディスク
とした。

【００２３】このようにして得られた各相変化型光ディ
スクを駆動装置（レーザ光の波長λ＝６８０ｎｍ、対物
レンズの開口数ＮＡ＝０．６）にかけ、図５に示すよう
なパワー変調されたレーザ光を照射して特性評価を実施
した。図５においてＰｐは記録（アモルファス化）に相
当するピークパワー、Ｐｂは消去（結晶化）に相当する
バイアスパワー、Ｐｒは再生レベルのリードパワーを示
す。

【００２４】記録特性は、線速度８ｍ／ｓで回転させ、
記録周波数７．６ＭＨｚ，パルス幅４０ｎｓの信号を記
録し、Ｃ／Ｎ比が４０ｄＢを超えるのに必要なピークパ
ワーを記録感度として評価した。また、消去特性は、線
速度２０ｍ／ｓで回転させ、記録周波数１８．９ＭＨｚ
の信号をＣ／Ｎ比が最大となるピークパワーで記録した
後、記録周波数７．１ＭＨｚの信号をバイアスパワーを
変化させてオーバーライトした時の消去比を評価した。
さらに、繰り返し耐久性は、熱的ダメージの大きい線速
度８ｍ／ｓにて、記録周波数７．６ＭＨｚの信号を同一
トラックに対して何回も繰り返しオーバーライトし、Ｃ
／Ｎ比が初期から３ｄＢ低下するオーバーライト回数を
繰り返し可能回数として評価した。

【００２５】表１に反射層５として用いたＡｌＴｉ合金
の組成に対する、熱伝導率、記録特性および消去特性を
示す。熱伝導率の測定に当たっては、各ＡｌＴｉ合金を
単層のまま石英ガラス上に約１０μｍの厚さでスパッタ
リング法により成膜し、光交流法により熱拡散率および
体積比熱を実測して熱伝導率を算出した。表１に示した
結果から、反射層５の熱伝導率に対する記録感度の変化
を図６に示す。比較例１、２にみられるように、反射層
５の熱伝導率が０. ０３cal/cm・s ・ k より大きい場合
は、放熱効果が大きく、繰り返し耐久性は強いものの、
線速度８ｍ／ｓにおいて記録感度が８ｍＷ以上と低感度
となってしまい好ましくない。また、比較例４に示すよ
うに、熱伝導率が０．００７cal/cm・ s ・ k のＡｌＴｉ
Ｏ_Xを反射層５に用いた場合は、ヒートフローが不十分
なため繰り返しオーバーライトにおいて記録層の熱劣化
が大きく、繰り返し耐久性が大幅に弱くなる。また、Ａ
ｌＴｉＯｘの場合は、最大消去比が２０ｄＢ以下と低下
がみられる。これは、反射層５の熱伝導率が低い場合
は、蓄熱効果が大きくレーザ走査方向に対して垂直な方
向にグルーブからはみ出したアモルファスピットが形成
され、消去後でもアモルファス残りが存在する、あるい
は低熱伝導率の場合には結晶化温度以上の保持時間が短
くなるためと考えられる。

【００２６】次に実施例１〜４として、反射層５の熱伝
導率が０．００８〜０．０３cal/cm・ s ・ k の範囲にあ
るディスク特性を示す。記録感度が８ｍＷ以下と良好で
あり、消去比も２０ｄＢ以上得られている。また、２０
万回の繰り返し耐久性があり、好感度かつ繰り返し耐久
性良好とバランスのとれた特性が得られていることがわ
かる。

【００２７】これらの結果より、反射層５に用いられる
熱伝導率の範囲は０．００８〜０．０３cal/cm・ s ・ k
の間に設定するのが好ましいことがわかった。ＡｌＴｉ
合金のＡｌ含有量に対する熱伝導率の変化を図７に示
す。反射層５に用いる材料の好ましい熱伝導率範囲０．
００８〜０．０３cal/cm・ s ・ k に対応するＡｌＴｉ合
金中のＡｌの含有量は１０〜８０ａｔ％である。

【００２８】

【比較例５】比較例５として反射層５の材料にＡｌ₉₈Ｔ
ｉ₂を用い、さらに保護層３と反射層５の膜厚を変化さ
せたときの記録特性、消去特性を調べた。なお、Ａｌ₉₈
Ｔｉ ₂の熱伝導率は０．１３４cal/cm・ s ・ K である。
図８に保護層３と反射層５の各膜厚に対する記録感度
を、また、図９に消去特性として各膜厚に対する最大消
去比を示す。これらの結果より、記録感度が８ｍＷ以下
で、かつ最大消去比が２０ｄＢ以上となる両立範囲は存
在していないことがわかった。これは、保護層３の膜厚
が厚い範囲（＞１５ｎｍ）では記録層の蓄熱効果が大き
く、記録感度は向上できるものの、消去の際にアモルフ
ァス残りが存在し消去比がとれなくなるといった現象が
発生していると考えられる。

【００２９】また、保護層３の膜厚が薄い範囲では、消
去特性は良好であるが、熱が熱伝達層を兼ねている反射
層５に一気に逃げてしまうため記録感度が悪く、ピーク
パワー８ｍＷでは十分な記録ができていない。これらの
結果より、反射層５の材料として熱伝導率の高い材料を
用いた場合には、保護層３および反射層５の膜厚でヒー
トフローを調整するだけでは、記録感度と消去特性の両
方が良好となる領域は得られず、材料の熱伝導率を所定
の範囲に設定する方が有用であることがわかる。

【００３０】

【実施例５〜７比較例６、７】１．０μｍ案内溝を設
けた清浄な０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板４の上
に、厚さ１８０ｎｍのＺｎＳ- ＳｉＯ₂からなる保護層
２、厚さ２５ｎｍのＳｂＴｅＧｅ合金薄膜から成り、そ
の組成比を所定の値に変化させた記録層１、厚さ１２ｎ
ｍのＺｎＳ- ＳｉＯ₂からなる保護層３、および厚さ１
００ｎｍのＡｌ₆₀Ｔｉ₄₀合金からなる反射層５を、順次
スパッタリング法により成膜して積層し、さらに実施例
１と同様な紫外線硬化型樹脂による被覆、および貼り合
わせを行い全面密着構造の相変化型光ディスクとした。

【００３１】このようにして得られた各相変化型光ディ
スクを実施例１の評価条件と同様な方法（記録特性は線
速度８ｍ／ｓ、消去特性は線速度２０ｍ／ｓ）で、記録
パワー１２ｍＷにおけるＣ／Ｎ比および１００回記録後
の最大消去比を評価した。その結果を表２に示す。実験
に用いた記録層の組成比において、Ｔｅ比が増加する
程、Ｓｂ₂Ｔｅ₃−ＧｅＴｅを結んだ化合物ラインに近
ずいており、それに伴って結晶化スピードも速くなって
いる。

【００３２】比較例６、７に示した組成は、線速度２０
ｍ／ｓにおける消去比が２０ｄＢ以下と十分でない。レ
ーザ光をＤＣ発光させ数回照射すると、消去比も徐々に
良くなってくるため、これは結晶化スピ−ドの不足が原
因であると考えられる。一方、実施例５〜７に示す組成
を用いた場合には、線速度２０ｍ／ｓという非常に高速
な条件下でも２０ｄＢ以上の良好な消去比が得られてお
り、十分な結晶化スピードを有していることがわかる。
また、８ｍ／ｓにおけるＣ／Ｎ比も５０ｄＢ以上得られ
ており、アモルファス化についても十分な特性であると
いえる。

【００３３】

【実施例８】１．０μｍ案内溝を設けた清浄な０．６ｍ
ｍ厚のポリカーボネート基板４の上に、厚さ１８０ｎｍ
のＺｎＳ- ＳｉＯ₂からなる保護層２、厚さ２５ｎｍの
Ｓｂ ₂₁Ｔｅ₅₄Ｇｅ₂₅合金の記録層１を設け、さらに所定
の膜厚に変化させたＺｎＳ-ＳｉＯ₂からなる保護層
３、およびＡｌ₆₀Ｔｉ₄₀合金からなる反射層５を、順次
スパッタリング法により成膜して積層し、実施例１と同
様に紫外線硬化型樹脂による保護コート、次いで貼り
合わせを施し全面密着構造の相変化型光ディスクとし
た。このようにして得られた各膜厚からなる相変化型
光ディスクを実施例１の評価条件と同様な方法（記録特
性は線速度８ｍ／ｓ、消去特性は線速度２０ｍ／ｓ）
で、記録感度および消去特性を評価した。

【００３４】図１０に記録感度の保護層３および反射層
５の膜厚依存性を示す。記録感度は、保護層３の膜厚が
厚い程、また反射層５の膜厚が薄いほど良くなってお
り、これは熱のヒートフローと大きく関係している。ま
た、図１１に最大消去比の保護層３および反射層５の膜
厚依存性を示す。消去特性は保護層３の膜厚に大きく依
存しており、保護層３の膜厚が１５ｎｍ以下で良好な特
性を示している。これは、保護層３の膜厚が薄くなると
結晶化温度以上に保持される時間が長くなること、ま
た、保護層３の膜厚が厚い領域では消去の際アモルファ
ス残りが存在しやすいことなどが考えられる。

【００３５】また、各ディスクの繰り返し耐久性を測定
した。繰り返し耐久性は線速度８ｍ／ｓにおいて記録周
波数７．６ＭＨｚの信号を繰り返しオーバーライトし、
Ｃ／Ｎ比が初期値より３ｄＢ低下するまでの回数を評価
した。結果を図１２に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、従来より速い線速度領
域においても良好な記録、消去特性を得ることができ、
さらに繰り返し耐久性にも優れたバランスのとれた相変
化型光ディスク媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における記録層の材料を構成する各元素
の組成比を示す三角グラフである。

【図２】本発明の相変化型光ディスクの一例を示す断面
図である。

【図３】保護層の膜厚が消去時に及ぼす影響を示す説明
図である。

【図４】本発明の実施例に用いた相変化型光ディスクの
基板の概略図である。

【図５】レーザ光のパワー変調波形を示すグラフであ
る。

【図６】反射層の熱伝導率に対する記録感度の関係の例
を示すグラフである。

【図７】ＡｌＴｉ合金のＡｌ含有量に対する熱伝導率の
関係の例を示すグラフである。

【図８】反射層と保護層の膜厚に対する記録感度の関係
の例を示すグラフである。

【図９】反射層と保護層の膜厚に対する最大消去比の関
係の例を示すグラフである。

【図１０】反射層と保護層の膜厚に対する記録感度の関
係の例を示すグラフである。

【図１１】反射層と保護層の膜厚に対する最大消去比の
関係の例を示すグラフである。

【図１２】反射層と保護層の膜厚に対する繰り返し可能
回数の関係の例を示すグラフである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも記録層および反射層
を有し、相変化による光学定数の変化を利用して情報を
記録する光記録媒体において、反射層がＴｉおよびＡｌ
を主成分とするＡｌ含有量が原子量比１０〜８０ａｔ％
の組成で構成され、記録層がＳｂＴｅＧｅ合金であっ
て、その元素組成比がＳｂ、Ｔｅ、Ｇｅを頂点とする三
角図において原子量比でＡ（Ｓｂ₃₂Ｔｅ₅₈Ｇｅ₁₀）、Ｂ
（Ｓｂ₃₄Ｔｅ₅₆Ｇｅ₁₀）、Ｃ（Ｓｂ₁₀Ｔｅ₅₀Ｇｅ₄₀）、
Ｄ（Ｓｂ₈Ｔｅ₅₂Ｇｅ₄₀）に囲まれた４角形の内側から
選ばれる範囲であることを特徴とする相変化型光ディス
ク媒体。
【請求項２】記録層の両側に保護層を有する光記録媒
体であって、、基板側の保護層膜厚が５０〜３００ｎ
ｍ、記録層の膜厚が１５〜３５ｎｍ、反射層側の保護層
膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層膜厚が１００〜２５０ｎｍ
である請求項１記載の相変化型光ディスク媒体。