JP2000101108A - 薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上の電極にレーザ加工損傷が生じず、加工
時間の短い薄膜太陽電池の製造方法を提供し、またその
ような加工に適した構造の薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】絶縁性基板Ｓの両面にそれぞれ、第１電極
１ａ、光電変換層Ｐおよび第２電極２ａが積層されてな
る単位太陽電池と、基板を貫通する集電孔Ｈ２と接続孔
Ｈ１を通じて、それぞれ第２電極に接続された第４電極
４ａと、隣接する単位太陽電池の第１電極に接続された
第３電極３ｂとからなる背面電極が複数設けられ、単位
太陽電池が直列接続されてなる薄膜太陽電池において、
第３電極は分離線Ｌ２によって分離個別化され、この分
離線の一部と、単位太陽電池を分離個別化しており少な
くとも第１電極を分離個別化する分離線の一部とは、基
板を挟んで同じ位置で対向している部分を有しており、
少なくとも第４電極は第３電極の分離線の対向している
部分の一部を被覆している。
時間の短い薄膜太陽電池の製造方法を提供し、またその
ような加工に適した構造の薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】絶縁性基板Ｓの両面にそれぞれ、第１電極
１ａ、光電変換層Ｐおよび第２電極２ａが積層されてな
る単位太陽電池と、基板を貫通する集電孔Ｈ２と接続孔
Ｈ１を通じて、それぞれ第２電極に接続された第４電極
４ａと、隣接する単位太陽電池の第１電極に接続された
第３電極３ｂとからなる背面電極が複数設けられ、単位
太陽電池が直列接続されてなる薄膜太陽電池において、
第３電極は分離線Ｌ２によって分離個別化され、この分
離線の一部と、単位太陽電池を分離個別化しており少な
くとも第１電極を分離個別化する分離線の一部とは、基
板を挟んで同じ位置で対向している部分を有しており、
少なくとも第４電極は第３電極の分離線の対向している
部分の一部を被覆している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単位太陽電池の両
極を基板を貫通する孔を利用して基板の反対面の電極に
導通して、複数の単位太陽電池の直列接続が形成されて
なる薄膜太陽電池とその製造方法に関する。
極を基板を貫通する孔を利用して基板の反対面の電極に
導通して、複数の単位太陽電池の直列接続が形成されて
なる薄膜太陽電池とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜太陽電池としては、当発明者
等による特開平６−３４２９２４号公報等に開示さたよ
うに、フィルム基板上に多数の単位太陽電池が直列接続
された薄膜太陽電池とその製造方法が知られている。フ
ィルム等の絶縁基板を用い、絶縁基板に開けた貫通孔を
利用して直列接続を行うことを特長としている。このよ
うな薄膜太陽電池はＳＣＡＦ（Series-Connection thro
ugh Apertures on Filmの略記である）型薄膜太陽電池
として知られている。
等による特開平６−３４２９２４号公報等に開示さたよ
うに、フィルム基板上に多数の単位太陽電池が直列接続
された薄膜太陽電池とその製造方法が知られている。フ
ィルム等の絶縁基板を用い、絶縁基板に開けた貫通孔を
利用して直列接続を行うことを特長としている。このよ
うな薄膜太陽電池はＳＣＡＦ（Series-Connection thro
ugh Apertures on Filmの略記である）型薄膜太陽電池
として知られている。
【０００３】図１７は従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の
１例を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＸＸ断面図である。基板Ｓの１面には基
板側から第１電極１ａ、光電変換層Ｐおよび第２電極２
ａの順に積層され、少なくとも第１電極１ａおよび第２
電極２ａは単一領域である単位太陽電池が複数形成され
ている。隣接する単位太陽電池は第１の分離線Ｌ１によ
り分離個別化されている。基板の反対面（以降裏面とす
る）には第３電極３ａおよび第３電極４ａが積層された
後、第２の分離線Ｌ２により分離個別化されて背面電極
が形成されている。基板Ｓには接続孔Ｈ１および集電孔
Ｈ２の２種の貫通孔が開けられている。接続孔Ｈ１の内
面では第１電極１ａと集電電極３ａの孔内への延長部
（接続導体の１種である）が重ねられ接続導通してお
り、集電孔Ｈ２の内面では第２電極２ａと第４電極４ａ
の孔内への延長部（接続導体の１種である）が重ねられ
接続導通している。
１例を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＸＸ断面図である。基板Ｓの１面には基
板側から第１電極１ａ、光電変換層Ｐおよび第２電極２
ａの順に積層され、少なくとも第１電極１ａおよび第２
電極２ａは単一領域である単位太陽電池が複数形成され
ている。隣接する単位太陽電池は第１の分離線Ｌ１によ
り分離個別化されている。基板の反対面（以降裏面とす
る）には第３電極３ａおよび第３電極４ａが積層された
後、第２の分離線Ｌ２により分離個別化されて背面電極
が形成されている。基板Ｓには接続孔Ｈ１および集電孔
Ｈ２の２種の貫通孔が開けられている。接続孔Ｈ１の内
面では第１電極１ａと集電電極３ａの孔内への延長部
（接続導体の１種である）が重ねられ接続導通してお
り、集電孔Ｈ２の内面では第２電極２ａと第４電極４ａ
の孔内への延長部（接続導体の１種である）が重ねられ
接続導通している。
【０００４】このようにして、任意の単位太陽電池の第
１電極１ａは接続孔Ｈ１を通じて集電電極３ａに接続さ
れ、重ねられている第４電極４ａに接続され、第２電極
２ａは集電孔Ｈ２を通して隣接する第４電極４ａに接続
されることにより、隣接する単位太陽電池は次々と直列
接続されている。
１電極１ａは接続孔Ｈ１を通じて集電電極３ａに接続さ
れ、重ねられている第４電極４ａに接続され、第２電極
２ａは集電孔Ｈ２を通して隣接する第４電極４ａに接続
されることにより、隣接する単位太陽電池は次々と直列
接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような薄膜太陽電
池の製造においては、基板の両面に形成された薄膜（第
１、２、３および４電極層）を単位太陽電池や個別の電
極に分離分割するために、片面の薄膜を除去して分離線
を形成する必要があり、薄膜の除去にはレーザ加工を利
用している。しかし、基板の両面に薄膜が成膜されてい
るため、レーザ加工の際に、レーザ光パワーが一定以上
基板を透過すると、基板の反対面に既に形成されている
他の薄膜にダメージを与えるという問題があった。その
ため、基板を透過しない波長のレーザを選ぶか、また
は、レーザの透過しない基板を選定する必要があった。
また、基板の両面を別々に加工するため、加工に時間を
要するといった問題もある。
池の製造においては、基板の両面に形成された薄膜（第
１、２、３および４電極層）を単位太陽電池や個別の電
極に分離分割するために、片面の薄膜を除去して分離線
を形成する必要があり、薄膜の除去にはレーザ加工を利
用している。しかし、基板の両面に薄膜が成膜されてい
るため、レーザ加工の際に、レーザ光パワーが一定以上
基板を透過すると、基板の反対面に既に形成されている
他の薄膜にダメージを与えるという問題があった。その
ため、基板を透過しない波長のレーザを選ぶか、また
は、レーザの透過しない基板を選定する必要があった。
また、基板の両面を別々に加工するため、加工に時間を
要するといった問題もある。
【０００６】本発明の目的は、基板上の電極にレーザ加
工損傷が生じず、加工時間の短い薄膜太陽電池の製造方
法を提供し、またそのような加工に適した構造の薄膜太
陽電池を提供することにある。
工損傷が生じず、加工時間の短い薄膜太陽電池の製造方
法を提供し、またそのような加工に適した構造の薄膜太
陽電池を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の上記の目的を達成
するため、絶縁性基板の一面上に、基板側より第１電
極、光電変換層および第２電極が積層されてなる単位太
陽電池が設けられており、また基板の他面上には、基
板、第１電極および光電変換層を貫通する集電孔を通じ
て第２電極に直接接続された第４電極と、基板を貫通す
る接続孔を通じて隣接する単位太陽電池の第１電極に直
接接続された第３電極との一部が積層されてなる背面電
極が複数設けられており、単位太陽電池と背面電極の組
が順次配列されることにより単位太陽電池が直列接続さ
れている薄膜太陽電池において、前記第３電極は分離線
によって分離個別化され、この分離線の一部と、単位太
陽電池を分離個別化しており少なくとも第１電極を分離
個別化する分離線の一部とは、基板を挟んで同じ位置で
対向している部分を有しており、少なくとも第４電極は
第３電極の分離線の対向している部分の一部を被覆して
いることとする。
するため、絶縁性基板の一面上に、基板側より第１電
極、光電変換層および第２電極が積層されてなる単位太
陽電池が設けられており、また基板の他面上には、基
板、第１電極および光電変換層を貫通する集電孔を通じ
て第２電極に直接接続された第４電極と、基板を貫通す
る接続孔を通じて隣接する単位太陽電池の第１電極に直
接接続された第３電極との一部が積層されてなる背面電
極が複数設けられており、単位太陽電池と背面電極の組
が順次配列されることにより単位太陽電池が直列接続さ
れている薄膜太陽電池において、前記第３電極は分離線
によって分離個別化され、この分離線の一部と、単位太
陽電池を分離個別化しており少なくとも第１電極を分離
個別化する分離線の一部とは、基板を挟んで同じ位置で
対向している部分を有しており、少なくとも第４電極は
第３電極の分離線の対向している部分の一部を被覆して
いることとする。
【０００８】前記絶縁性基板はポリイミド、アラミド、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
トまたはポリカーボネートからなると良い。絶縁性基板
の一面上に太陽電池を構成する第１電極層、光電変換層
および第２電極層を、他の面上に背面電極を構成する第
３電極層および第４電極層を成膜する工程、およびこれ
らの層をパターニングして電極を分離個別化するパター
ニング工程を含む上記の薄膜太陽電池の製造方法であっ
て、前記パターニング工程は基板の一面上の第１電極
層、光電変換層、第２電極層、および他の面上の第３電
極層および第４電極層のいずれかの単層または幾つかの
層の積層の一部をレーザ加工により細線状に除去した分
離線を形成して、単層または積層を分割する工程を含
み、レーザ加工を基板の両面の層を一括除去できる強度
で行い、レーザ加工を基板の片面の層のみに行う場合は
基板の他の面の加工部分には他の層はなく、またはレー
ザ加工を基板の両面の層に行う場合はその部分の全層に
同時に一括して行うこととする。
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
トまたはポリカーボネートからなると良い。絶縁性基板
の一面上に太陽電池を構成する第１電極層、光電変換層
および第２電極層を、他の面上に背面電極を構成する第
３電極層および第４電極層を成膜する工程、およびこれ
らの層をパターニングして電極を分離個別化するパター
ニング工程を含む上記の薄膜太陽電池の製造方法であっ
て、前記パターニング工程は基板の一面上の第１電極
層、光電変換層、第２電極層、および他の面上の第３電
極層および第４電極層のいずれかの単層または幾つかの
層の積層の一部をレーザ加工により細線状に除去した分
離線を形成して、単層または積層を分割する工程を含
み、レーザ加工を基板の両面の層を一括除去できる強度
で行い、レーザ加工を基板の片面の層のみに行う場合は
基板の他の面の加工部分には他の層はなく、またはレー
ザ加工を基板の両面の層に行う場合はその部分の全層に
同時に一括して行うこととする。
【０００９】絶縁性基板に第１電極と第３電極とを接続
するための接続孔を開け、次にその一面上に第３電極層
を成膜し、第３電極層を細線状に除去してなり、基板の
他面上の同様のどの分離線とも全てが重なることはない
第１の分離線を形成してから、第１電極層を成膜し、そ
の後に、第２電極と第４電極を接続するための集電孔を
基板、第１電極層および第３電極層に開け、また、第１
電極層と第３電極層を一括して細線状に除去した第２の
分離線を形成して第１電極の分離個別化の一部および第
３電極層の第３電極の分離個別化と集電孔のみを含む補
助電極部の分離を行ない、次に第１電極上に光電変換層
続いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜し、また第
４電極層を形成し、最後に第２の分離線間を結んで少な
くとも第２電極層、および光電変換層を細線状に除去し
て第３の分離線を形成して、単位太陽電池を分離個別化
すると共に単位太陽電池の直列接続を完成すると良い。
するための接続孔を開け、次にその一面上に第３電極層
を成膜し、第３電極層を細線状に除去してなり、基板の
他面上の同様のどの分離線とも全てが重なることはない
第１の分離線を形成してから、第１電極層を成膜し、そ
の後に、第２電極と第４電極を接続するための集電孔を
基板、第１電極層および第３電極層に開け、また、第１
電極層と第３電極層を一括して細線状に除去した第２の
分離線を形成して第１電極の分離個別化の一部および第
３電極層の第３電極の分離個別化と集電孔のみを含む補
助電極部の分離を行ない、次に第１電極上に光電変換層
続いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜し、また第
４電極層を形成し、最後に第２の分離線間を結んで少な
くとも第２電極層、および光電変換層を細線状に除去し
て第３の分離線を形成して、単位太陽電池を分離個別化
すると共に単位太陽電池の直列接続を完成すると良い。
【００１０】絶縁性基板に第１電極と第３電極とを接続
するための接続孔を開け、その一面上に第３電極層を成
膜した後、第３電極層を細線状に除去して、第１の分離
線を形成して第３電極の分離個別化と集電孔のみを含む
補助電極領域の分離を行い、次に、第１電極層を成膜し
た後、第２電極と第４電極を接続するための集電孔を基
板、第１電極層および第３電極層に開け、また、第１電
極層と第３電極層を一括して細線状に除去した第２の分
離線を形成して第１電極の分離個別化および補助電極の
分離個別化を行ない、次に、第１電極上に光電変換層続
いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜し、た後、第
２電極層および光電変換層を細線状に除去して第３の分
離線を形成し第２電極を分離個別化し単位太陽電池を完
成し、最後に、隣接単位太陽電池の集電孔と接続孔を覆
い、第２の分離線の一部を被覆する第４電極を形成し、
単位太陽電池の直列接続を完成すると良い。
するための接続孔を開け、その一面上に第３電極層を成
膜した後、第３電極層を細線状に除去して、第１の分離
線を形成して第３電極の分離個別化と集電孔のみを含む
補助電極領域の分離を行い、次に、第１電極層を成膜し
た後、第２電極と第４電極を接続するための集電孔を基
板、第１電極層および第３電極層に開け、また、第１電
極層と第３電極層を一括して細線状に除去した第２の分
離線を形成して第１電極の分離個別化および補助電極の
分離個別化を行ない、次に、第１電極上に光電変換層続
いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜し、た後、第
２電極層および光電変換層を細線状に除去して第３の分
離線を形成し第２電極を分離個別化し単位太陽電池を完
成し、最後に、隣接単位太陽電池の集電孔と接続孔を覆
い、第２の分離線の一部を被覆する第４電極を形成し、
単位太陽電池の直列接続を完成すると良い。
【００１１】絶縁性基板に第１電極と第３電極とを接続
するための接続孔を開け、その一面上に第３電極層を形
成し、第３電極層を細線状に除去して、同じ単位太陽電
池の接続孔を含む領域を分離個別化する第１の分離線を
形成し、次に、第１電極層を成膜し、その後に、第２電
極と第４電極とを接続するための集電孔を基板、第１電
極層および第３電極層に開け、第１電極上に光電変換層
続いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜した後、少
なくとも第１電極層と第３電極層を一括して細線状に除
去した第２の分離線を形成して第１電極の分割個別化
し、先の領域の第３電極および集電孔のみを含む補助電
極への２分割を行ない単位太陽電池を完成し、次に第４
電極を形成して単位太陽電池の直列接続を完成すると良
い。
するための接続孔を開け、その一面上に第３電極層を形
成し、第３電極層を細線状に除去して、同じ単位太陽電
池の接続孔を含む領域を分離個別化する第１の分離線を
形成し、次に、第１電極層を成膜し、その後に、第２電
極と第４電極とを接続するための集電孔を基板、第１電
極層および第３電極層に開け、第１電極上に光電変換層
続いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜した後、少
なくとも第１電極層と第３電極層を一括して細線状に除
去した第２の分離線を形成して第１電極の分割個別化
し、先の領域の第３電極および集電孔のみを含む補助電
極への２分割を行ない単位太陽電池を完成し、次に第４
電極を形成して単位太陽電池の直列接続を完成すると良
い。
【００１２】マスク成膜による蒸着またはスパッタリン
グにより前記第４電極を形成すると良い。前記第４電極
を印刷により形成すると良い。本発明によれば、薄膜太
陽電池の第１電極と第３電極の分離線を、上記のよう
に、基板を挟んで対向するように配したたため、その部
分のレーザ加工を基板の両面の層を一括除去できる強度
で行い、レーザ加工を基板の片面の層のみに行う場合は
基板の他の面の加工部分には他の層はなく、またはレー
ザ加工を基板の両面の層に行う場合はその部分の全層に
同時に一括して行うことが可能となり、従来は生じてい
たレーザ加工における反対面の薄膜に損傷は、生じなく
なった。
グにより前記第４電極を形成すると良い。前記第４電極
を印刷により形成すると良い。本発明によれば、薄膜太
陽電池の第１電極と第３電極の分離線を、上記のよう
に、基板を挟んで対向するように配したたため、その部
分のレーザ加工を基板の両面の層を一括除去できる強度
で行い、レーザ加工を基板の片面の層のみに行う場合は
基板の他の面の加工部分には他の層はなく、またはレー
ザ加工を基板の両面の層に行う場合はその部分の全層に
同時に一括して行うことが可能となり、従来は生じてい
たレーザ加工における反対面の薄膜に損傷は、生じなく
なった。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を詳細
に説明する。 実施例１ 本発明に係る薄膜太陽電池を製造工程順に説明する。図
１は本発明に係る薄膜太陽電池の第２電極の成膜後迄の
状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図である。
に説明する。 実施例１ 本発明に係る薄膜太陽電池を製造工程順に説明する。図
１は本発明に係る薄膜太陽電池の第２電極の成膜後迄の
状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【００１４】ポリイミド、アラミド、ＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレ
ート）またはポリカーボネート等の絶縁性基板Ｓ（この
実施例では厚さ50μm ）上に接続孔Ｈ１（直径約1 mm）
を開け、その後、基板Ｓの一方の面（背面）に、Agまた
はAlからなる厚さ100 〜300nm の第３電極層３をスパッ
タリングまたは蒸着等により成膜する。その後、ＹＡＧ
レーザ（波長1.06μmまたは0.53μm ）を用いたレーザ
加工により第３電極層３を細線状に除去して、Ｌ字型の
第１の分離線Ｌ１を形成する。分離線の幅は0.1 〜 0.4
mmとした。第１の分離線Ｌ１は集電孔を通して第１電極
に接続されている補助電極３ａと接続孔を有する接続電
極３ｂとを分離する分離線の一部であり、後工程で基板
の両面一括パターニングで形成される他の分離線に連な
る。そして、基板Ｓの他方の面（受光面）に、Agまたは
／およびAlからなる厚さ100 〜300nm の第１電極層１を
スパッタリングまたは蒸着等により成膜する。そして、
接続孔Ｈ１の内壁では第３電極層３と第１電極層１は重
ねられ、導通される。
レンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレ
ート）またはポリカーボネート等の絶縁性基板Ｓ（この
実施例では厚さ50μm ）上に接続孔Ｈ１（直径約1 mm）
を開け、その後、基板Ｓの一方の面（背面）に、Agまた
はAlからなる厚さ100 〜300nm の第３電極層３をスパッ
タリングまたは蒸着等により成膜する。その後、ＹＡＧ
レーザ（波長1.06μmまたは0.53μm ）を用いたレーザ
加工により第３電極層３を細線状に除去して、Ｌ字型の
第１の分離線Ｌ１を形成する。分離線の幅は0.1 〜 0.4
mmとした。第１の分離線Ｌ１は集電孔を通して第１電極
に接続されている補助電極３ａと接続孔を有する接続電
極３ｂとを分離する分離線の一部であり、後工程で基板
の両面一括パターニングで形成される他の分離線に連な
る。そして、基板Ｓの他方の面（受光面）に、Agまたは
／およびAlからなる厚さ100 〜300nm の第１電極層１を
スパッタリングまたは蒸着等により成膜する。そして、
接続孔Ｈ１の内壁では第３電極層３と第１電極層１は重
ねられ、導通される。
【００１５】図２は本発明に係る薄膜太陽電池の集電孔
開口迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。次に、第１
電極層１と第３電極層３の重なる領域内に集電孔Ｈ２
（直径約１mm）を開ける。続いて、レーザ加工により基
板の両面の第１電極層１および第３電極層３に、一括し
て、第２の分離線Ｌ２を入れ、第３電極３ｂと後工程で
補助電極に分割される仮電極３ａａとを分離する。第２
の分離線Ｌ２は、また第１電極（図４の符号１ａ）およ
び補助電極（図４の符号３ａ）の分離にも用いられる。
開口迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。次に、第１
電極層１と第３電極層３の重なる領域内に集電孔Ｈ２
（直径約１mm）を開ける。続いて、レーザ加工により基
板の両面の第１電極層１および第３電極層３に、一括し
て、第２の分離線Ｌ２を入れ、第３電極３ｂと後工程で
補助電極に分割される仮電極３ａａとを分離する。第２
の分離線Ｌ２は、また第１電極（図４の符号１ａ）およ
び補助電極（図４の符号３ａ）の分離にも用いられる。
【００１６】第２の分離線Ｌ２の形成すなわち両面の薄
膜の細線状の除去はどちらの基板面からも行うことが可
能であるが、第１電極側（受光面側）から加工を行う方
が、後で光電変換層が被覆する第１電極の加工形状が良
好であり、薄膜太陽電池の製造方法には適していること
を確認した。図３は本発明に係る薄膜太陽電池の第４電
極層の成膜迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
膜の細線状の除去はどちらの基板面からも行うことが可
能であるが、第１電極側（受光面側）から加工を行う方
が、後で光電変換層が被覆する第１電極の加工形状が良
好であり、薄膜太陽電池の製造方法には適していること
を確認した。図３は本発明に係る薄膜太陽電池の第４電
極層の成膜迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【００１７】さらに、基板Ｓの受光面全面に（第１電極
層１上も）に、非晶質シリコン系半導体等からなりp-n
接合またはp-i-n 接合を少なくとも一つ有する光電変換
層Ｐ（厚さ 400nm）をプラズマＣＶＤにより形成する。
さらに、同じ面に、マスク等により、接続孔Ｈ１を避け
てＩＴＯ等の透明導電材料からなる第２電極層２（厚さ
60nm）をスパッタにより形成する。その後で、背面に、
マスクを用いたスパッタリまたは蒸着により、補助電極
４ｂおよび後工程で分割され第４電極４ａとなる仮電極
４ａａ（全体が第４電極層）を同時に成膜形成する。補
助電極４ｂは第２の分離線Ｌ２の一部を被覆して、補助
電極３ａと接続電極３ｂとにまたがりこれらを接続して
いる。また、集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層２と仮電
極４ａａとが重なり、導通する。
層１上も）に、非晶質シリコン系半導体等からなりp-n
接合またはp-i-n 接合を少なくとも一つ有する光電変換
層Ｐ（厚さ 400nm）をプラズマＣＶＤにより形成する。
さらに、同じ面に、マスク等により、接続孔Ｈ１を避け
てＩＴＯ等の透明導電材料からなる第２電極層２（厚さ
60nm）をスパッタにより形成する。その後で、背面に、
マスクを用いたスパッタリまたは蒸着により、補助電極
４ｂおよび後工程で分割され第４電極４ａとなる仮電極
４ａａ（全体が第４電極層）を同時に成膜形成する。補
助電極４ｂは第２の分離線Ｌ２の一部を被覆して、補助
電極３ａと接続電極３ｂとにまたがりこれらを接続して
いる。また、集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層２と仮電
極４ａａとが重なり、導通する。
【００１８】第２電極層２と、第４電極層の形成順を逆
にすることも可能であるが、本形成順の方が欠陥発生部
の接触抵抗が高くなり製造歩留まりが高いことを確認し
た。図４は本発明に係る完成した薄膜太陽電池を示し、
（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
にすることも可能であるが、本形成順の方が欠陥発生部
の接触抵抗が高くなり製造歩留まりが高いことを確認し
た。図４は本発明に係る完成した薄膜太陽電池を示し、
（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
【００１９】最後に、離れている２つの第２の分離線Ｌ
２を結んで、第３の分離線Ｌ３を基板の両面にレーザ加
工により一括形成し、第１電極１ａおよび第２電極２ａ
を分離個別化し単位太陽電池を形成し、同時に仮電極３
ａａと仮電極４ａａとを分割して、それぞれ補助電極３
ａおよび第４電極４ａを形成し、背面電極とする。以上
の製造工程を経て、・・−第４電極−単位薄膜太陽電池
の集電孔−第２電極−光電変換層−第１電極−接続孔−
接続電極−補助電極−接続電極−隣接単位薄膜太陽電池
の集電孔−第２電極−・・なる単位薄膜太陽電池の直列
接続が成立する。
２を結んで、第３の分離線Ｌ３を基板の両面にレーザ加
工により一括形成し、第１電極１ａおよび第２電極２ａ
を分離個別化し単位太陽電池を形成し、同時に仮電極３
ａａと仮電極４ａａとを分割して、それぞれ補助電極３
ａおよび第４電極４ａを形成し、背面電極とする。以上
の製造工程を経て、・・−第４電極−単位薄膜太陽電池
の集電孔−第２電極−光電変換層−第１電極−接続孔−
接続電極−補助電極−接続電極−隣接単位薄膜太陽電池
の集電孔−第２電極−・・なる単位薄膜太陽電池の直列
接続が成立する。
【００２０】上記のように、本発明によれば、レーザ加
工においては、レーザ光は常に基板を透過しており、基
板両面に形成された複数の薄膜を同時に除去する状態
か、または、加工面の反対面に薄膜はない状態であるよ
うに、各薄膜の形状を定めている。従って、レーザ加工
を行っても、レーザ光による薄膜の損傷を引き起こすこ
となく直列接続構造が形成できるばかりでなく、各電極
の分離を一括して同時に行うことが可能となり、レーザ
加工の回数の低減が行える。また、レーザのパターニン
グラインが重ならないために、各薄膜へのレーザダメー
ジが少なく歩留まりが向上する。 実施例２ 図５は本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の集電孔
形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
工においては、レーザ光は常に基板を透過しており、基
板両面に形成された複数の薄膜を同時に除去する状態
か、または、加工面の反対面に薄膜はない状態であるよ
うに、各薄膜の形状を定めている。従って、レーザ加工
を行っても、レーザ光による薄膜の損傷を引き起こすこ
となく直列接続構造が形成できるばかりでなく、各電極
の分離を一括して同時に行うことが可能となり、レーザ
加工の回数の低減が行える。また、レーザのパターニン
グラインが重ならないために、各薄膜へのレーザダメー
ジが少なく歩留まりが向上する。 実施例２ 図５は本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の集電孔
形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【００２１】絶縁性基板Ｓに接続孔Ｈ１を開け、その
後、基板Ｓの一方の面（背面）に、第３電極層をスパッ
タリングまたは蒸着等により成膜する。その後、レーザ
加工により第３電極層にＬ字型を縦に連結した形状の第
１の分離線Ｌ１を形成して、後で第３電極となる仮電極
３ａａと、後で接続電極およびダミー電極となる仮電極
３ｂｃを分離する。
後、基板Ｓの一方の面（背面）に、第３電極層をスパッ
タリングまたは蒸着等により成膜する。その後、レーザ
加工により第３電極層にＬ字型を縦に連結した形状の第
１の分離線Ｌ１を形成して、後で第３電極となる仮電極
３ａａと、後で接続電極およびダミー電極となる仮電極
３ｂｃを分離する。
【００２２】そして、基板Ｓの他方の面（受光面）に、
第１電極層１をスパッタリングまたは蒸着等により成膜
する。こうして、接続孔Ｈ１の内壁では第３電極層３と
第１電極層１は重なり、導通する。そして、基板Ｓ、第
１電極層１および第３電極層３に貫通した集電孔Ｈ２を
開ける。
第１電極層１をスパッタリングまたは蒸着等により成膜
する。こうして、接続孔Ｈ１の内壁では第３電極層３と
第１電極層１は重なり、導通する。そして、基板Ｓ、第
１電極層１および第３電極層３に貫通した集電孔Ｈ２を
開ける。
【００２３】図６は本発明に係る別の実施例の薄膜太陽
電池の一括分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平
面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であ
る。次に、レーザ加工により基板の両面の第１電極層１
および第３電極層３に、一括して、第２の分離線Ｌ２を
入れ、第１電極１ａを分離個別化し、また補助電極３ａ
および、補助電極３ａ、接続電極３ｂおよびダミー電極
３ｃとを分離個別化する。
電池の一括分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平
面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であ
る。次に、レーザ加工により基板の両面の第１電極層１
および第３電極層３に、一括して、第２の分離線Ｌ２を
入れ、第１電極１ａを分離個別化し、また補助電極３ａ
および、補助電極３ａ、接続電極３ｂおよびダミー電極
３ｃとを分離個別化する。
【００２４】第２の分離線Ｌ２の形成に際しては、実施
例１と同様に、第１電極側（受光面側）からレーザ光を
照射して加工を行う方が、後で光電変換層が被覆する第
１電極の加工形状が良好であり、薄膜太陽電池には適し
ていることを確認した。図７は本発明に係る別の実施例
の薄膜太陽電池の第４電極の形成迄の状態を示し、
（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｘ
Ｘ断面図である。
例１と同様に、第１電極側（受光面側）からレーザ光を
照射して加工を行う方が、後で光電変換層が被覆する第
１電極の加工形状が良好であり、薄膜太陽電池には適し
ていることを確認した。図７は本発明に係る別の実施例
の薄膜太陽電池の第４電極の形成迄の状態を示し、
（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｘ
Ｘ断面図である。
【００２５】さらに、基板Ｓの受光面全面に光電変換層
Ｐを形成する。さらに、同じ面に、マスク等により、接
続孔Ｈ１を避けて第２電極層２を形成する。その後で、
背面に、マスクを用いたスパッタリングまたは蒸着によ
り、第４電極４ａを成膜形成する。第４電極４ａは第１
の分離線Ｌ１を被覆して、補助電極３ａと補助電極３ｃ
とを接続し、さらに第２の分離線Ｌ２を被覆して、補助
電極３ｃと隣接する単位太陽電池側の接続電極３ｂとを
接続している。また、集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層
２と第４電極層４とが重なり、導通する。
Ｐを形成する。さらに、同じ面に、マスク等により、接
続孔Ｈ１を避けて第２電極層２を形成する。その後で、
背面に、マスクを用いたスパッタリングまたは蒸着によ
り、第４電極４ａを成膜形成する。第４電極４ａは第１
の分離線Ｌ１を被覆して、補助電極３ａと補助電極３ｃ
とを接続し、さらに第２の分離線Ｌ２を被覆して、補助
電極３ｃと隣接する単位太陽電池側の接続電極３ｂとを
接続している。また、集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層
２と第４電極層４とが重なり、導通する。
【００２６】第２電極層２と、第４電極層４の形成順を
逆にすることも可能であるが、本形成順の方が欠陥発生
部の接触抵抗が高くなり製造歩留まりが高いことは実施
例例１に同じである。図８は本発明に係る別の実施例の
完成した薄膜太陽電池を示し、（ａ）は透視平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は
（ａ）におけるｙＹ断面図である。
逆にすることも可能であるが、本形成順の方が欠陥発生
部の接触抵抗が高くなり製造歩留まりが高いことは実施
例例１に同じである。図８は本発明に係る別の実施例の
完成した薄膜太陽電池を示し、（ａ）は透視平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は
（ａ）におけるｙＹ断面図である。
【００２７】最後に、第２の分離線Ｌ２に重ねて、離れ
ている２つの第１の分離線Ｌ１を結んで、第３の分離線
Ｌ３を基板の両面にレーザ加工により一括形成し、第１
電極１ａおよび第２電極２ａを分離個別化して、単位太
陽電池を形成する。以上の製造工程を経て、複数の単位
薄膜太陽電池の直列接続が成立する。実施例１と同様
に、レーザ加工の回数の低減が行える。また、レーザの
パターニングラインが重ならないために、各薄膜へのレ
ーザダメージが少なく歩留まりが向上する。 実施例３ 図９は本発明に係る他の実施例の薄膜太陽電池の第１の
分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
ている２つの第１の分離線Ｌ１を結んで、第３の分離線
Ｌ３を基板の両面にレーザ加工により一括形成し、第１
電極１ａおよび第２電極２ａを分離個別化して、単位太
陽電池を形成する。以上の製造工程を経て、複数の単位
薄膜太陽電池の直列接続が成立する。実施例１と同様
に、レーザ加工の回数の低減が行える。また、レーザの
パターニングラインが重ならないために、各薄膜へのレ
ーザダメージが少なく歩留まりが向上する。 実施例３ 図９は本発明に係る他の実施例の薄膜太陽電池の第１の
分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【００２８】接続孔Ｈ１を開けた基板Ｓの一方の面に第
３電極層を成膜し、レーザ加工により第１の分離線Ｌ１
を形成し、後工程で１つの単位太陽電池の補助電極と接
続電極に分割される仮電極３ａｂに分割する。そして、
反対面に第１電極層１を成膜する。接続孔Ｈ１の内壁で
は第１電極層と第３電極層とは重なり、導通する。図１
０は本発明に係る他の実施例の薄膜太陽電池の第２の分
離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
３電極層を成膜し、レーザ加工により第１の分離線Ｌ１
を形成し、後工程で１つの単位太陽電池の補助電極と接
続電極に分割される仮電極３ａｂに分割する。そして、
反対面に第１電極層１を成膜する。接続孔Ｈ１の内壁で
は第１電極層と第３電極層とは重なり、導通する。図１
０は本発明に係る他の実施例の薄膜太陽電池の第２の分
離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【００２９】次に、集電孔Ｈ２を開ける。そして、レー
ザ加工により基板の両面の第１電極層１および仮電極３
ａｂに一括して第２の分離線Ｌ２を形成し、第１電極１
ａの個別化、および補助電極３ａと接続電極３ｂの個別
化を行う。図１１は本発明に係る他の実施例の太陽電池
の第２電極層の成膜迄の状態を示し、（ａ）は透視平面
図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）
は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
ザ加工により基板の両面の第１電極層１および仮電極３
ａｂに一括して第２の分離線Ｌ２を形成し、第１電極１
ａの個別化、および補助電極３ａと接続電極３ｂの個別
化を行う。図１１は本発明に係る他の実施例の太陽電池
の第２電極層の成膜迄の状態を示し、（ａ）は透視平面
図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）
は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
【００３０】次に、集電孔Ｈ２を開けてから、光電変換
層Ｐを基板Ｓの全面に、次いで第２電極層２を接続孔Ｈ
１に懸からないように光電変換層Ｐ上に成膜する。図１
２は本発明に係る他の実施例の完成した太陽電池を示
し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ
断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図であ
る。
層Ｐを基板Ｓの全面に、次いで第２電極層２を接続孔Ｈ
１に懸からないように光電変換層Ｐ上に成膜する。図１
２は本発明に係る他の実施例の完成した太陽電池を示
し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ
断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図であ
る。
【００３１】次に、第２の分離線Ｌ２の一部に重ねて、
レーザ加工により第３の分離線Ｌ３を形成し、第２電極
２ａを個別化する。最後に、マスク成膜により個別化さ
れた第４電極４ａを成膜する。第４電極４ａは補助電極
３ａと隣接する単位太陽電池の第３電極３ｂとを導通さ
せる。また集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層２と第４電
極層４とは重なり、導通する。こうにして、単位太陽電
池とその直列接続が完成する。
レーザ加工により第３の分離線Ｌ３を形成し、第２電極
２ａを個別化する。最後に、マスク成膜により個別化さ
れた第４電極４ａを成膜する。第４電極４ａは補助電極
３ａと隣接する単位太陽電池の第３電極３ｂとを導通さ
せる。また集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層２と第４電
極層４とは重なり、導通する。こうにして、単位太陽電
池とその直列接続が完成する。
【００３２】第３の分離線Ｌ３の形成の際、この例で
は、第２の分離線Ｌ２を幅広く形成しておき、第２電極
層、光電変換層を除去したが、第１電極層および／また
は第３電極層を同時に除去することも可能である。いず
れにしても、レーザ光は基板を充分に透過しており、透
過レーザ光は基板に形成されている薄膜を除去すること
ができるように設定されていればよい。
は、第２の分離線Ｌ２を幅広く形成しておき、第２電極
層、光電変換層を除去したが、第１電極層および／また
は第３電極層を同時に除去することも可能である。いず
れにしても、レーザ光は基板を充分に透過しており、透
過レーザ光は基板に形成されている薄膜を除去すること
ができるように設定されていればよい。
【００３３】また、第４電極は成膜後でパターニングし
ないので、マスク等で、スパッタリングや蒸着等のマス
ク成膜により形成することも可能であるが、また印刷な
どにより形成することも可能である。実施例１と同様
に、レーザ加工の回数の低減が行える。また、レーザの
パターニングラインが重ならないために、各薄膜へのレ
ーザダメージが少なく歩留まりが向上する。 実施例４ 図１３は本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の第１
分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
ないので、マスク等で、スパッタリングや蒸着等のマス
ク成膜により形成することも可能であるが、また印刷な
どにより形成することも可能である。実施例１と同様
に、レーザ加工の回数の低減が行える。また、レーザの
パターニングラインが重ならないために、各薄膜へのレ
ーザダメージが少なく歩留まりが向上する。 実施例４ 図１３は本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の第１
分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【００３４】接続孔Ｈ１を開けた基板Ｓの一方の面に第
３電極層を成膜し、レーザ加工により第１の分離線Ｌ１
を形成し、後工程で補助電極と接続電極に分割される仮
電極３ａｂに分割する。そして、反対面に第１電極層１
を成膜する。接続孔Ｈ１の内壁では第１電極層と第３電
極層とは重なり導通する。図１４は本発明に係る別の実
施例の薄膜太陽電池の第２電極層成膜迄の状態を示し、
（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｘ
Ｘ断面図である。
３電極層を成膜し、レーザ加工により第１の分離線Ｌ１
を形成し、後工程で補助電極と接続電極に分割される仮
電極３ａｂに分割する。そして、反対面に第１電極層１
を成膜する。接続孔Ｈ１の内壁では第１電極層と第３電
極層とは重なり導通する。図１４は本発明に係る別の実
施例の薄膜太陽電池の第２電極層成膜迄の状態を示し、
（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるｘ
Ｘ断面図である。
【００３５】次に、集電孔Ｈ２を開けてから、光電変換
層Ｐを基板Ｓの全面に、次いで第２電極層２を接続孔Ｈ
１に懸からないように光電変換層Ｐ上に成膜する。図１
５は本発明に係る別の実施例の太陽電池の第２の分離線
形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）にお
けるｙＹ断面図である。
層Ｐを基板Ｓの全面に、次いで第２電極層２を接続孔Ｈ
１に懸からないように光電変換層Ｐ上に成膜する。図１
５は本発明に係る別の実施例の太陽電池の第２の分離線
形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）にお
けるｙＹ断面図である。
【００３６】そして、レーザ加工により基板の両面の第
１電極層１、光電変換層Ｐおよび第２電極層２、および
第３電極層３に一括して第２の分離線Ｌ２を形成し、第
１電極１ａおよび第２電極２ａの個別化による単位太陽
電池の形成、および補助電極３ａと接続電極３ｂの個別
化を行う。図１６は本発明に係る他の実施例の完成した
太陽電池を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）にお
けるｙＹ断面図である。
１電極層１、光電変換層Ｐおよび第２電極層２、および
第３電極層３に一括して第２の分離線Ｌ２を形成し、第
１電極１ａおよび第２電極２ａの個別化による単位太陽
電池の形成、および補助電極３ａと接続電極３ｂの個別
化を行う。図１６は本発明に係る他の実施例の完成した
太陽電池を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）にお
けるｙＹ断面図である。
【００３７】最後に、Ag、C 、 Ni などの導電性フィラ
ーを含むペーストを印刷、乾燥して、個別化された第４
電極４ａを形成する。第４電極４ａは補助電極３ａと隣
接する単位太陽電池の第３電極３ｂとを導通させる。ま
た集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層２と第４電極層４と
は重なり、導通する。こうにして、単位太陽電池とその
直列接続が完成する。マスク成膜による蒸着によって、
第４電極４ａを形成することも可能である。
ーを含むペーストを印刷、乾燥して、個別化された第４
電極４ａを形成する。第４電極４ａは補助電極３ａと隣
接する単位太陽電池の第３電極３ｂとを導通させる。ま
た集電孔Ｈ２の内壁では第２電極層２と第４電極層４と
は重なり、導通する。こうにして、単位太陽電池とその
直列接続が完成する。マスク成膜による蒸着によって、
第４電極４ａを形成することも可能である。
【００３８】実施例２と異なる点は、基板の両面の薄膜
への分離線形成は第２電極まで成膜が終了した後に１回
だけ行うことである。この一括パターニングは、第３電
極側から加工する方が好ましいことは実施例１に同じで
ある。実施例１と同様に、レーザ加工の回数の低減が行
える。また、レーザのパターニングラインが重ならない
ために、各薄膜へのレーザダメージが少なく歩留まりが
向上する。
への分離線形成は第２電極まで成膜が終了した後に１回
だけ行うことである。この一括パターニングは、第３電
極側から加工する方が好ましいことは実施例１に同じで
ある。実施例１と同様に、レーザ加工の回数の低減が行
える。また、レーザのパターニングラインが重ならない
ために、各薄膜へのレーザダメージが少なく歩留まりが
向上する。
【００３９】
【発明の効果】この発明によれば、絶縁性基板の一面上
に、基板側より第１電極、光電変換層および第２電極が
積層されてなる単位太陽電池が設けられており、また基
板の他面上には、基板、第１電極および光電変換層を貫
通する集電孔を通じて第２電極に直接接続された第４電
極と、基板を貫通する接続孔を通じて隣接する単位太陽
電池の第１電極に直接接続された第３電極との一部が積
層されてなる背面電極が複数設けられており、単位太陽
電池と背面電極の組が順次配列されることにより単位太
陽電池が直列接続されている薄膜太陽電池において、前
記第３電極は分離線によって分離個別化され、この分離
線の一部と、単位太陽電池を分離個別化しており少なく
とも第１電極を分離個別化する分離線の一部とは、基板
を挟んで同じ位置で対向している部分を有しており、少
なくとも第４電極は第３電極の分離線の対向している部
分の一部を被覆している第３電極の間の分離線の一部は
第４電極によって被覆されて、単位太陽電池の直列接続
が行われているような構造にしたため、パターニング工
程は基板の一面上の第１電極層、光電変換層、第２電極
層、および他の面上の第３電極層および第４電極層のい
ずれかの単層または幾つかの層の積層の一部をレーザ加
工により細線状に除去した分離線を形成して、単層また
は積層を分割する工程を含み、レーザ加工を基板の両面
の層を一括除去できる強度で行い、レーザ加工を基板の
片面の層のみに行う場合は基板の他の面の加工部分には
他の層はなく、またはレーザ加工を基板の両面の層に行
う場合はその部分の全層に同時に一括して行うようなパ
ターニング工程を行うことができるようになる。すなわ
ち、レーザ加工においては、レーザ光は常に基板を透過
しており、基板両面に形成された複数の薄膜を同時に除
去する状態か、または、加工面の反対面に薄膜はない状
態であるように、各薄膜の形状を定めている。従って、
レーザ加工を行っても、レーザ光による薄膜の損傷を引
き起こすことなく直列接続構造が形成できるばかりでな
く、各電極の分離を一括して同時に行うことが可能とな
り、レーザ加工の回数の低減が行える。また、レーザの
パターニングラインが重ならないために、各薄膜へのレ
ーザダメージが少なく歩留まりが向上する。
に、基板側より第１電極、光電変換層および第２電極が
積層されてなる単位太陽電池が設けられており、また基
板の他面上には、基板、第１電極および光電変換層を貫
通する集電孔を通じて第２電極に直接接続された第４電
極と、基板を貫通する接続孔を通じて隣接する単位太陽
電池の第１電極に直接接続された第３電極との一部が積
層されてなる背面電極が複数設けられており、単位太陽
電池と背面電極の組が順次配列されることにより単位太
陽電池が直列接続されている薄膜太陽電池において、前
記第３電極は分離線によって分離個別化され、この分離
線の一部と、単位太陽電池を分離個別化しており少なく
とも第１電極を分離個別化する分離線の一部とは、基板
を挟んで同じ位置で対向している部分を有しており、少
なくとも第４電極は第３電極の分離線の対向している部
分の一部を被覆している第３電極の間の分離線の一部は
第４電極によって被覆されて、単位太陽電池の直列接続
が行われているような構造にしたため、パターニング工
程は基板の一面上の第１電極層、光電変換層、第２電極
層、および他の面上の第３電極層および第４電極層のい
ずれかの単層または幾つかの層の積層の一部をレーザ加
工により細線状に除去した分離線を形成して、単層また
は積層を分割する工程を含み、レーザ加工を基板の両面
の層を一括除去できる強度で行い、レーザ加工を基板の
片面の層のみに行う場合は基板の他の面の加工部分には
他の層はなく、またはレーザ加工を基板の両面の層に行
う場合はその部分の全層に同時に一括して行うようなパ
ターニング工程を行うことができるようになる。すなわ
ち、レーザ加工においては、レーザ光は常に基板を透過
しており、基板両面に形成された複数の薄膜を同時に除
去する状態か、または、加工面の反対面に薄膜はない状
態であるように、各薄膜の形状を定めている。従って、
レーザ加工を行っても、レーザ光による薄膜の損傷を引
き起こすことなく直列接続構造が形成できるばかりでな
く、各電極の分離を一括して同時に行うことが可能とな
り、レーザ加工の回数の低減が行える。また、レーザの
パターニングラインが重ならないために、各薄膜へのレ
ーザダメージが少なく歩留まりが向上する。
【図１】本発明に係る薄膜太陽電池の第２電極の成膜後
迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図である。
迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図２】本発明に係る薄膜太陽電池の集電孔開口迄の状
態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）
におけるｘＸ断面図である。
態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）
におけるｘＸ断面図である。
【図３】本発明に係る薄膜太陽電池の第４電極層の成膜
迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）にお
けるｙＹ断面図である。
迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）にお
けるｙＹ断面図である。
【図４】本発明に係る完成した薄膜太陽電池を示し、
（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
【図５】本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の集電
孔形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
孔形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図６】本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の一括
分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図７】本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の第４
電極の形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
電極の形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図８】本発明に係る別の完成した実施例の薄膜太陽電
池を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面
図である。
池を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）におけ
るｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面
図である。
【図９】本発明に係る他の実施例の薄膜太陽電池の第１
の分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
の分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図１０】本発明に係る他の実施例の薄膜太陽電池の第
２の分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
２の分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図１１】本発明に係る他の実施例の太陽電池の第２電
極層の成膜迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は
（ａ）におけるｙＹ断面図である。
極層の成膜迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であり、（ｃ）は
（ａ）におけるｙＹ断面図である。
【図１２】本発明に係る他の実施例の完成した太陽電池
を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）における
ｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図
である。
を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）における
ｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図
である。
【図１３】本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の第
１分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
１分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図１４】本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の第
２電極の成膜後迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
２電極の成膜後迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図で
あり、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図である。
【図１５】本発明に係る別の実施例の薄膜太陽電池の第
２分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であるり、
（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
２分離線形成迄の状態を示し、（ａ）は透視平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）におけるｘＸ断面図であるり、
（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図である。
【図１６】本発明に係る別の実施例の完成した太陽電池
を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）における
ｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図
である。
を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）における
ｘＸ断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるｙＹ断面図
である。
【図１７】従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の１例を示
し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
るＸＸ断面図である。
し、（ａ）は透視平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
るＸＸ断面図である。
Ｓ 基板 １ 第１電極層 １ａ 第１電極 ２ 第２電極層 ２ａ 第２電極 ３ 第３電極層 ３ａ 補助電極 ３ｂ 接続電極 ３ｃ ダミー電極 ３ａａ仮電極 ３ａｂ仮電極 ３ｂｃ仮電極 Ｐ 光電変換層 ４ 第４電極層 ４ａ 接続電極 ４ｂ 補助電極 ４ａａ仮電極 Ｈ２ 集電孔 Ｈ１ 接続孔 Ｌ１ 第１の分離線 Ｌ２ 第２の分離線 Ｌ３ 第３の分離線
Claims (8)
- 【請求項１】絶縁性基板の一面上に、基板側より第１電
極、光電変換層および第２電極が積層されてなる単位太
陽電池が設けられており、また基板の他面上には、基
板、第１電極および光電変換層を貫通する集電孔を通じ
て第２電極に直接接続された第４電極と、基板を貫通す
る接続孔を通じて隣接する単位太陽電池の第１電極に直
接接続された第３電極との一部が積層されてなる背面電
極が複数設けられており、単位太陽電池と背面電極の組
が順次配列されることにより単位太陽電池が直列接続さ
れている薄膜太陽電池において、前記第３電極は分離線
によって分離個別化され、この分離線の一部と、単位太
陽電池を分離個別化しており少なくとも第１電極を分離
個別化する分離線の一部とは、基板を挟んで同じ位置で
対向している部分を有しており、少なくとも第４電極は
第３電極の分離線の対向している部分の一部を被覆して
いることを特徴とする薄膜太陽電池。 - 【請求項２】前記絶縁性基板はポリイミド、アラミド、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
トまたはポリカーボネートからなることを特徴とする請
求項１に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項３】絶縁性基板の一面上に太陽電池を構成する
第１電極層、光電変換層および第２電極層を、他の面上
に背面電極を構成する第３電極層および第４電極層を成
膜する工程、およびこれらの層をパターニングして電極
を分離個別化するパターニング工程を含む請求項１また
は２に記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、前記パ
ターニング工程は基板の一面上の第１電極層、光電変換
層、第２電極層、および他の面上の第３電極層および第
４電極層のいずれかの単層または幾つかの層の積層の一
部をレーザ加工により細線状に除去した分離線を形成し
て、単層または積層を分割する工程を含み、レーザ加工
を基板の両面の層を一括除去できる強度で行い、レーザ
加工を基板の片面の層のみに行う場合は基板の他の面の
加工部分には他の層はなく、またはレーザ加工を基板の
両面の層に行う場合はその部分の全層に同時に一括して
行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】絶縁性基板に第１電極と第３電極とを接続
するための接続孔を開け、次にその一面上に第３電極層
を成膜し、第３電極層を細線状に除去してなり、基板の
他面上の同様のどの分離線とも全てが重なることはない
第１の分離線を形成してから、第１電極層を成膜し、そ
の後に、第２電極と第４電極を接続するための集電孔を
基板、第１電極層および第３電極層に開け、また、第１
電極層と第３電極層を一括して細線状に除去した第２の
分離線を形成して第１電極の分離個別化の一部および第
３電極層の第３電極の分離個別化と集電孔のみを含む補
助電極部の分離を行ない、次に第１電極上に光電変換層
続いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜し、また第
４電極層を形成し、最後に第２の分離線間を結んで少な
くとも第２電極層、および光電変換層を細線状に除去し
て第３の分離線を形成して、単位太陽電池を分離個別化
すると共に単位太陽電池の直列接続を完成することを特
徴とする請求項３に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】絶縁性基板に第１電極と第３電極とを接続
するための接続孔を開け、その一面上に第３電極層を成
膜した後、第３電極層を細線状に除去して、第１の分離
線を形成して第３電極の分離個別化と集電孔のみを含む
補助電極領域の分離を行い、次に、第１電極層を成膜し
た後、第２電極と第４電極を接続するための集電孔を基
板、第１電極層および第３電極層に開け、また、第１電
極層と第３電極層を一括して細線状に除去した第２の分
離線を形成して第１電極の分離個別化および補助電極の
分離個別化を行ない、次に、第１電極上に光電変換層続
いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜した後、第２
電極層および光電変換層を細線状に除去して第３の分離
線を形成し第２電極を分離個別化し単位太陽電池を完成
し、最後に、隣接単位太陽電池の集電孔と接続孔を覆
い、第２の分離線の一部を被覆する第４電極を形成し、
単位太陽電池の直列接続を完成することを特徴とする請
求項３に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項６】絶縁性基板に第１電極と第３電極とを接続
するための接続孔を開け、その一面上に第３電極層を形
成し、第３電極層を細線状に除去して、同じ単位太陽電
池の接続孔を含む領域を分離個別化する第１の分離線を
形成し、次に、第１電極層を成膜し、その後に、第２電
極と第４電極とを接続するための集電孔を基板、第１電
極層および第３電極層に開け、第１電極上に光電変換層
続いて光電変換層の一部に第２電極層を成膜した後、少
なくとも第１電極層と第３電極層を一括して細線状に除
去した第２の分離線を形成して第１電極の分割個別化
し、先の領域の第３電極および集電孔のみを含む補助電
極への２分割を行ない単位太陽電池を完成し、次に第４
電極を形成して単位太陽電池の直列接続を完成すること
を特徴とする請求項３に記載の薄膜太陽電池の製造方
法。 - 【請求項７】マスク成膜による蒸着またはスパッタリン
グにより前記第４電極を形成することを特徴とする請求
項３ないし６に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項８】前記第４電極を印刷により形成することを
特徴とする請求項３ないし６に記載の薄膜太陽電池の製
造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP26772398A JP3584750B2 (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060219A (ja) * | 2001-06-04 | 2003-02-28 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| KR101079612B1 (ko) | 2008-03-27 | 2011-11-03 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
| WO2012014549A1 (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | 富士電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| EP2362427A3 (en) * | 2010-02-25 | 2013-02-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin-film solar cell |
| CN103427062A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 凹凸电子（武汉）有限公司 | 电池组以及用电设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342924A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JPH07307481A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPH10233517A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光電変換装置およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP26772398A patent/JP3584750B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342924A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JPH07307481A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPH10233517A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光電変換装置およびその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060219A (ja) * | 2001-06-04 | 2003-02-28 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| KR101079612B1 (ko) | 2008-03-27 | 2011-11-03 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
| EP2362427A3 (en) * | 2010-02-25 | 2013-02-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin-film solar cell |
| WO2012014549A1 (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | 富士電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| CN103427062A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 凹凸电子（武汉）有限公司 | 电池组以及用电设备 |
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