JPH0370184A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH0370184A JPH0370184A JP1206440A JP20644089A JPH0370184A JP H0370184 A JPH0370184 A JP H0370184A JP 1206440 A JP1206440 A JP 1206440A JP 20644089 A JP20644089 A JP 20644089A JP H0370184 A JPH0370184 A JP H0370184A
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- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、非晶質シリコン等を用いた太陽電池等の光起
電力装置に関する。
電力装置に関する。
(ロ)従来の技術
非晶質シリコン光起電力素子を用いた太陽電池あるいは
光センサなどの光起電力装置が多く用いられている。
光センサなどの光起電力装置が多く用いられている。
ところで、非晶質シリコン光起電力素子は単素子当りの
出力電圧が0.6〜0.8Vと低いため、民生機器など
に用いるためには、複数個の素子を直列接続する必要が
ある。そのため、絶縁材であるガラス基板上に複数のバ
ターニングされた透明電極を設け、その基板上に、非晶
質シリコン層を堆積させ、その上面に裏面電極としてバ
ターニングされた金属電極を配設して、同一基板上に複
数の素子が直列接続された光起電力装置が用いられてい
る。
出力電圧が0.6〜0.8Vと低いため、民生機器など
に用いるためには、複数個の素子を直列接続する必要が
ある。そのため、絶縁材であるガラス基板上に複数のバ
ターニングされた透明電極を設け、その基板上に、非晶
質シリコン層を堆積させ、その上面に裏面電極としてバ
ターニングされた金属電極を配設して、同一基板上に複
数の素子が直列接続された光起電力装置が用いられてい
る。
しかし、ガラス基板式のものは、衝撃に弱くて破損しや
すく、可撓性に乏しいことから、可搬型、薄型の機器に
用いるには不十分であった。そこで、ステンレス鋼板の
裏面にポリイミド、酸化アルミニウムなどの絶縁膜を施
した可撓性基板を用いた光起電力装置が提案されている
。例えば、特開昭62−89369号公報等に詳しい。
すく、可撓性に乏しいことから、可搬型、薄型の機器に
用いるには不十分であった。そこで、ステンレス鋼板の
裏面にポリイミド、酸化アルミニウムなどの絶縁膜を施
した可撓性基板を用いた光起電力装置が提案されている
。例えば、特開昭62−89369号公報等に詳しい。
従来の可撓性基板を用いた光電変Fv!8装置の製造方
法の一例を第3図に従い説明する。
法の一例を第3図に従い説明する。
まず、第3図(イ)に示すように、ステンレス等からな
る可撓性導電性基板(1)上の全面に、ポリイミドAl
20i 、 SiOx等の絶縁膜(2)を形成し、更に
、その上にA1. Ag、 Ti、 Cr等の裏面電極
(3)を全面に形成する。そして、ホトレジ法を用いて
、所定のパターンになるように、エツチングにより裏面
電極(3)のパターニングを行う。
る可撓性導電性基板(1)上の全面に、ポリイミドAl
20i 、 SiOx等の絶縁膜(2)を形成し、更に
、その上にA1. Ag、 Ti、 Cr等の裏面電極
(3)を全面に形成する。そして、ホトレジ法を用いて
、所定のパターンになるように、エツチングにより裏面
電極(3)のパターニングを行う。
次に、第3図(ロ)に示すように、光電変換領域として
の非晶質シリコン(4)をnipまたはpinの順に積
層形成した後、ホトレジ法を用いてケミカルエツチング
またはドライエツチングにより非晶質シリコン(4)を
所定のパターンに形成する6 続いて、第31図(ハ)に示すように、ITO等からな
る透明電極(5)を非晶質シリコン(4)上に形成した
後、ホトレジ法を用いて、所定のパターンになるように
透明電極(5)のケミカルエツチングを行って、光起電
力装置が形成される。
の非晶質シリコン(4)をnipまたはpinの順に積
層形成した後、ホトレジ法を用いてケミカルエツチング
またはドライエツチングにより非晶質シリコン(4)を
所定のパターンに形成する6 続いて、第31図(ハ)に示すように、ITO等からな
る透明電極(5)を非晶質シリコン(4)上に形成した
後、ホトレジ法を用いて、所定のパターンになるように
透明電極(5)のケミカルエツチングを行って、光起電
力装置が形成される。
(ハ)発明が解決しようとする課題
ITO等からなる透明電極(5)は、膜厚が厚くなると
、ケミカルエツチングができないため、従来は透明電極
(5)の膜厚を薄くせざるを得ない。例えば、ITOの
場合、膜厚は1000Å以下である。
、ケミカルエツチングができないため、従来は透明電極
(5)の膜厚を薄くせざるを得ない。例えば、ITOの
場合、膜厚は1000Å以下である。
しかし、ITOのシート抵抗は膜厚が薄い程大きくなり
、ITOによる抵抗損失が大きくなり、光起電力装置の
出力特性の向上を図る上での問題となっていた。
、ITOによる抵抗損失が大きくなり、光起電力装置の
出力特性の向上を図る上での問題となっていた。
本発明は、上述した難点に鑑みなされたものにして、透
明電極の膜厚を厚くして、シート抵抗を小さくすること
が、可能な光起電力装置を提供することをその課題とす
る。
明電極の膜厚を厚くして、シート抵抗を小さくすること
が、可能な光起電力装置を提供することをその課題とす
る。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は、可撓性導電性基板上に、絶縁膜、裏面電極、
光電変換領域、透明電極を順次積層し、基板上に複数の
光電変換素子を形成すると共に、複数の光電変換素子を
接続してなる光起電力装置であって、前記裏面電極の各
光電変換素子を分難する領域に突出部を形成したことを
特徴とする。
光電変換領域、透明電極を順次積層し、基板上に複数の
光電変換素子を形成すると共に、複数の光電変換素子を
接続してなる光起電力装置であって、前記裏面電極の各
光電変換素子を分難する領域に突出部を形成したことを
特徴とする。
(ホ)作用
裏面電極の突出部上の透明電極の膜厚は、この部分以外
の透明電極の膜厚に比べ、非常に薄くなる。そのため、
透明電極の膜厚を大幅に厚くしても、透明電極のエツチ
ングにより、各光電変換素子の分難が可能となる。従っ
て、透明電極のシート抵抗を大幅に低減でき、光起電力
装置の出力特性が向上する。
の透明電極の膜厚に比べ、非常に薄くなる。そのため、
透明電極の膜厚を大幅に厚くしても、透明電極のエツチ
ングにより、各光電変換素子の分難が可能となる。従っ
て、透明電極のシート抵抗を大幅に低減でき、光起電力
装置の出力特性が向上する。
(へ)実施例
以下、本発明の一実施例を第1図および第2図に従い説
明する。
明する。
第1図は、本発明による光起電力装置の断面図である。
尚、従来例と同一部分には同一符合を付し、説明を略す
。
。
第1図に示すように、ステンレス等からなる可撓性導電
性基板(1)上にポリイミド、A1.O,等の絶縁膜(
2)が形成される。この絶縁膜(2)上に、所定の形状
にバターニングされたA1. Ag。
性基板(1)上にポリイミド、A1.O,等の絶縁膜(
2)が形成される。この絶縁膜(2)上に、所定の形状
にバターニングされたA1. Ag。
Ti、 Cr等の裏面電極(3)が配設される。
そして、この裏面電極(3)の各光電変換素子を分難す
る分難領域(6)に突出部(7)が形成されている。こ
の突出部(7)は裏面電極(3)がエツチング除去され
た部分より若干能れた位置にレーザ光を照射し、裏面量
1f!(3)を溶融させて形成する。
る分難領域(6)に突出部(7)が形成されている。こ
の突出部(7)は裏面電極(3)がエツチング除去され
た部分より若干能れた位置にレーザ光を照射し、裏面量
1f!(3)を溶融させて形成する。
この裏面電極(3)上に、光電変換領域として、nip
またはpinに順次積層された非晶質シリコン(4)が
設けられる。この非晶質シリコン(4)上に、膜厚25
00^程度のITOからなる透明電極(5)が形成され
る。
またはpinに順次積層された非晶質シリコン(4)が
設けられる。この非晶質シリコン(4)上に、膜厚25
00^程度のITOからなる透明電極(5)が形成され
る。
而して、前記裏面電極(3)の突出部(7)に位置する
箇所の透明電ti(5)は、他の位置の透明電極(5)
に比して大幅に薄くなる1例えば、前述のように、IT
Oを2500人形成した場合、突出部(7)上の透明電
極(5)の膜厚は1000 A以下であった。
箇所の透明電ti(5)は、他の位置の透明電極(5)
に比して大幅に薄くなる1例えば、前述のように、IT
Oを2500人形成した場合、突出部(7)上の透明電
極(5)の膜厚は1000 A以下であった。
従って、光起電力装置の出力特性の向上のために、透明
電極(5)を従来より大幅に厚くしてち、各光電変換素
子を分難するために、エツチングを施す部分の膜厚は薄
く、各光電変換素子は容易に分難できる。
電極(5)を従来より大幅に厚くしてち、各光電変換素
子を分難するために、エツチングを施す部分の膜厚は薄
く、各光電変換素子は容易に分難できる。
第1表は、上述した本発明による膜厚2500 AのI
TOからなる透明電極を用いた光起電力装置と、膜厚1
000^のITOからなる透明導電膜を用いた従来の光
起電力装置装置の出力特性を本発明の特性を1として示
したものである。
TOからなる透明電極を用いた光起電力装置と、膜厚1
000^のITOからなる透明導電膜を用いた従来の光
起電力装置装置の出力特性を本発明の特性を1として示
したものである。
尚、透明電極(5)シート抵抗は、膜厚2500人の場
合20Ω/口以下、膜厚1000 Aでは50Ω/口程
度である。
合20Ω/口以下、膜厚1000 Aでは50Ω/口程
度である。
表1
第1表から明らかなように、本発明によれば。
出力特性が向上していることが判かる。
次に、本発明の光起電力装置の製造方法の一例につき、
第2図面の簡単な説明する。
第2図面の簡単な説明する。
まず、第2図(イ)に示すように、可撓性導電性基板(
1)の全面に絶縁膜(2)を形成し、更に、その上に裏
面TL極(3)を全面に形成する。
1)の全面に絶縁膜(2)を形成し、更に、その上に裏
面TL極(3)を全面に形成する。
そして、ホトレジ法を用いて、所定のパターンになるよ
うに、エツチングにより裏面電極(3)のパターニング
を行なう。
うに、エツチングにより裏面電極(3)のパターニング
を行なう。
続いて、第2図(ロ)に示すように、各光電変換素子を
分難する分難領域(6) すなわち、後工程で透明電極
を除去する領域に伝導する箇所をレーザ光(8)で照射
し、裏面電極(3)を溶融させて、突出部(7)を形成
する。ここで、レーザ光の条件としては、裏面電極(3
)を除去せずに、溶融する条件に設定する。
分難する分難領域(6) すなわち、後工程で透明電極
を除去する領域に伝導する箇所をレーザ光(8)で照射
し、裏面電極(3)を溶融させて、突出部(7)を形成
する。ここで、レーザ光の条件としては、裏面電極(3
)を除去せずに、溶融する条件に設定する。
次に第2図(ハ)に示すように、光電変換領域としての
非晶質シリコン(4)をnipまたはpinの順に積層
形成し、ホトレジ法を用いてケミカルエツチングまたは
ドライエツチングにより非晶質シリコン(4)を所定の
パターンに形成する。
非晶質シリコン(4)をnipまたはpinの順に積層
形成し、ホトレジ法を用いてケミカルエツチングまたは
ドライエツチングにより非晶質シリコン(4)を所定の
パターンに形成する。
その後、第2図(ニ)に示すように、透明電極(5)と
して、膜厚、2500^のITOを非晶質シリコン(4
)上に形成すると、突出部(7)上の膜厚は他の領域の
膜厚に比して大幅に薄くなる。突出部(7)上の透明導
電膜(5)の膜厚は1000Å以下である。
して、膜厚、2500^のITOを非晶質シリコン(4
)上に形成すると、突出部(7)上の膜厚は他の領域の
膜厚に比して大幅に薄くなる。突出部(7)上の透明導
電膜(5)の膜厚は1000Å以下である。
然る後、第2図(ホ)に示すように、各光電変換素子を
分難すべく透明電極(5)をケミカルエツチングする。
分難すべく透明電極(5)をケミカルエツチングする。
すなわち、突出部(7)上の薄い透明電極(5)をケミ
カルエツチングにより除去する。 従って、光起電力装
置の出力特性の向上のため、透明電極(5)の膜厚を大
幅に厚くしても、エツチング除去する領域は突出部(7
)上の薄い透明電極(5)だけであるので、容易にエツ
チング除去でき、光電変換素子が分難できる。
カルエツチングにより除去する。 従って、光起電力装
置の出力特性の向上のため、透明電極(5)の膜厚を大
幅に厚くしても、エツチング除去する領域は突出部(7
)上の薄い透明電極(5)だけであるので、容易にエツ
チング除去でき、光電変換素子が分難できる。
(ト)発明の詳細
な説明したように、裏面電極の突出部上の透明電極の膜
厚は、この部分以外の透明電極の膜厚に比べ非常に薄く
なる。従って、透明電極のシート抵抗を小さくし、抵抗
損失を少なくするべく透明電極の膜厚を厚(設定しても
、容易に各光電変換素子が分難でき、光起電力装置の出
力特性の向上が図れる。
厚は、この部分以外の透明電極の膜厚に比べ非常に薄く
なる。従って、透明電極のシート抵抗を小さくし、抵抗
損失を少なくするべく透明電極の膜厚を厚(設定しても
、容易に各光電変換素子が分難でき、光起電力装置の出
力特性の向上が図れる。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は本発
明の光起電力装置の製造方法の各工程における断面図、
第3図は従来装置の製造方法の各工程における断面図で
ある。
明の光起電力装置の製造方法の各工程における断面図、
第3図は従来装置の製造方法の各工程における断面図で
ある。
Claims (1)
- (1)可撓性導電性基板上に、絶縁膜、裏面電極、光電
変換領域、透明電極を順次積層し、基板上に複数の光電
変換素子を形成すると共に、前記複数の光電変換素子を
接続してなる光起電力装置であって、前記裏面電極の各
光電変換素子を分難する領域に突出部を形成したことを
特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206440A JP2755707B2 (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1206440A JP2755707B2 (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0370184A true JPH0370184A (ja) | 1991-03-26 |
JP2755707B2 JP2755707B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=16523414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1206440A Expired - Fee Related JP2755707B2 (ja) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2755707B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0534425A3 (en) * | 1991-09-25 | 1993-12-29 | Canon Kk | Photovoltaic device |
KR100739839B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2007-07-13 | (주)아이디암 | 프라이버시 보호가 강화된 원격 감시장치 및 원격 감시방법 |
KR101672909B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2016-11-04 | 보성흑진주 영어조합법인 | 키조개가 함유된 기능성 소시지 및 그 제조방법 |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1206440A patent/JP2755707B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0534425A3 (en) * | 1991-09-25 | 1993-12-29 | Canon Kk | Photovoltaic device |
KR100739839B1 (ko) * | 2006-09-21 | 2007-07-13 | (주)아이디암 | 프라이버시 보호가 강화된 원격 감시장치 및 원격 감시방법 |
KR101672909B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2016-11-04 | 보성흑진주 영어조합법인 | 키조개가 함유된 기능성 소시지 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2755707B2 (ja) | 1998-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |