JP2000069594A - 音響共振器とその製作方法 - Google Patents

音響共振器とその製作方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】圧電素子材料の層が二つの金属電極の間に挟み
込まれ、圧電素子材料の周囲を支持することにより中心
部が空中に吊されている構造を有する電子回路用フィル
タ用の共振器の製造において、従来方法では、歩留まり
が悪いあるいはエッチング時間が長い等の問題がある。
本願発明では改良された製造方法を開示する。 【解決手段】窪みを有する基板上にエッチングし易い犠
牲層を堆積する。その表面を研磨し、その上に一方の電
極、圧電素子および他の電極を順に堆積する。次に犠牲
層に穴を開けて犠牲層を除去する。これにより、従来の
問題を解決する製造方法を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、音響共振器に関
し、更に詳細に記せば、電子回路用フィルタとして使用
できる共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器のコストおよび大きさを減らす
必要性からフィルタ要素を小さくする必要性が絶えず続
いてきている。セル式電話およびミニチュア・ラジオの
ような民生用電子装置は、それに入っている構成要素の
大きさおよびコストの双方に厳しい制限を加えている。
このような多数の装置は、精密な周波数に同調させなけ
ればならないフィルタを利用している。したがって、廉
価でコンパクトなフィルタ装置を提供する努力が続いて
いる。
【０００３】これらの必要性を満たす可能性のある一つ
のフィルタ要素は、音響共振器から構成されている。こ
れらの装置は、薄膜圧電（ＰＺ）材料内のバルク弾性音
響波を利用している。一つの簡単な構成では、ＰＺ材料
の層が二つの金属電極の間に挟み込まれている。挟み込
み構造は、周囲を支持することにより空中に吊されてい
る。二つの電極の間に印加電圧により電界が発生する
と、ＰＺ材料は、電気エネルギの幾らかを音波の形の機
械エネルギに変換する。音波は、電界と同じ方向に伝播
し、電極/空気境界面で反射する。
【０００４】機械的に共振している時、装置は電気共振
器のように見え、したがって、装置はフィルタとして働
くことができる。装置の機械的共振は、音波が伝播する
材料の厚さが、伝播する音波の半波長と等しくなる周波
数で発生する。本願発明では音波の周波数は、電極に印
可される電気信号の周波数である。音の速度は、光の速
度より多数桁小さいから、得られる共振器を極めてコン
パクトにすることができる。ＧＨｚ範囲の用途のための
共振器を、直径100ミクロン未満、厚さ数ミクロン未満
の構造寸法で構成することができる。
【０００５】薄膜バルク音響共振器（Thin Film Bulk
Acoustic Resonators、以下ＦＢＡＲ）およびフィル
タ付き積み重ね薄膜バルク音響共振器（Stacked Thin
Film Bulk Wave Acoustic Resonators and Fil
ters、以下ＳＢＡＲ）の中心部は、厚さ約１から２ミク
ロンのスパッタ圧電薄膜である。上方および下方電極
は、電気リードとして働き圧電体を挟み込んで圧電体を
貫く電界を与える。圧電体は、次に電界エネルギーの一
部を力学エネルギーに変換する。時間変化する「応力/
歪み」エネルギーが、時間変化する印加電界エネルギー
に応答して形成される。
【０００６】共振器として動作させるには、挟み込み圧
電膜を空中に吊して音波を膜内に捕らえる空気/結晶境
界面を設けなければならない。装置は通常、下方電極、
ＰＺ層、および次に上方電極を堆積させることにより基
板表面上に作られる。したがって、空気/結晶境界面は
装置の上側に既に存在している。第２の空気/結晶境界
面を装置の下側に設けなければならない。この第２の空
気/結晶境界面を得るのに 従来技術の方法が幾つか存在
する。
【０００７】第１の方法は、基板を形成しているウェー
ハをエッチングして除去することに関係している。基板
がシリコンであれば、シリコンを加熱ＫＯＨを使用して
裏側からエッチングし去る。これにより、その縁で支持
されたウェーハの前側に構成された共振器が残る。この
ようなウェーハを貫いて開けられた孔は、ウェーハを非
常に繊細にし且つ、非常に破壊しやすくする。更に、そ
れらの54.7度のエッチング傾斜でＫＯＨのような湿式エ
ッチングを行なうと、最終製品の密度、したがってウェ
ーハ上のＦＢＡＲ/ＳＢＡＲの歩留まりが制限される。
たとえば、標準の530μｍ厚さのシリコンウェーハの上
に構成された約150μｍ×150μｍの横寸法を有する装置
は、約450μｍ×450μｍの裏側エッチング孔を必要とす
る。したがって、ウェーハの約１/９を生産に利用でき
るだけである。
【０００８】装置の下に空気/結晶境界面を設ける従来
技術の第２の方法は、空気ブリッジ式ＦＢＡＲ/ＳＢＡ
Ｒ装置を作ることである。通常、最初に犠牲層（Sacrif
iciallayer）を設置し、次に装置をこの犠牲層の上に製
作する。プロセスの終わりまたは終わり近くに、犠牲層
を除去する。処理はすべて前側で行なわれるから、この
方法は、両側の整列および大きい面積の裏側孔を必要と
しない。しかし、この方法には固有の困難が無いわけで
はない。第１に、この方法は大型装置に実施するのは困
難である。通常、犠牲層は熱的に成長させたＳiＯ2であ
り、これはＨＦを使用して除去される。エッチング割合
は、約1000から3000Å /分である。約150μｍ×150μｍ
またはそれより大きい装置の下方区域をエッチングする
には、500分を超えるエッチング時間が必要である。過
度に長いことに加えて、金属電極を30分を超える期間腐
食液に浸すと金属電極が圧電層から剥離するに至る。
【０００９】従来技術の第３の方法は、装置の下に空隙
が存在しないので、固体取付け共振器（ＳＭＲ）といわ
れる。装置の下に大きい音響インピーダンスが音響的ブ
ラッグ反射鏡を使用して作り出される。ブラッグ反射鏡
は、交互に高低の音響インピーダンス材料の層から作ら
れる。各層の厚さは共振周波数の１/４波長に固定され
る。十分な層により、圧電体/電極境界面における有効
インピーダンスは、装置の音響インピーダンスよりはる
かに高く、したがって、圧電体内の音波を有効に捕らえ
る。
【００１０】この方法は、周辺部が固定され中心部が自
由に振動できる膜を作るという前述の問題を回避してい
るが、この方法には多数の問題点がある。ブラッグ反射
鏡に使用する材料の選択は、金属層はフィルタの電気性
能を劣化させる寄生コンデンサを形成するのでこれらの
層に使用できないから、制限される。利用可能な電極材
料から作られる層の音響インピーダンスの差の程度は大
きくない。したがって、更に多数の層が必要である。こ
れは、各層にかかる応力を良く制御しなければならない
ので製作プロセスを複雑にする。多数層の後では、装置
は、他の能動要素を組込むのに導電的でなくなる。10な
いし14の層を貫くバイアを作るのは困難だからである。
更に、これまでに報告された装置は、空気ブリッジを有
する装置より有効結合係数がかなり低い。その結果、Ｓ
ＭＲに基づくフィルタは、空気ブリッジに比較して少な
い有効帯域幅を示す。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】広くいえば、本発明の
目的は、改良されたＦＢＡＲ/ＳＢＡＲ装置を提供する
ことである。
【００１２】本発明の他の目的は、基板の裏エッチング
を必要としないＦＢＡＲ/ＳＢＡＲ装置を提供すること
である。
【００１３】本発明の更に他の目的は、装置の下に空隙
を作るのに過度に長いエッチング時間を必要としないＦ
ＢＡＲ/ＳＢＡＲ装置を提供することである。
【００１４】本発明のこれらのおよび他の目的は、当業
者には、本発明の下記詳細説明および付図から明らかに
なるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、音響共振器お
よびこれを作る方法である。本発明による共振器は、第
１の電極と第２の電極との間に挟み込まれた圧電材料の
層を備えている。第１の電極は、高さ変動のＲＭＳ（２
乗平均平方根）が２μｍ未満の導電シートを備えてい
る。共振器は、その上に共振器が構成されている基板の
中の空洞を橋渡ししている。共振器は、基板内に空洞を
作り、これに共振器を構成する色々な層を堆積した後短
時間で空洞から除去し得る犠牲材料を詰めることにより
構成される。詰まった空洞の表面を磨いて高さのＲＭＳ
変動を0.5μｍ未満とする。磨いた表面に第１の 電極
を、金属層の高さのＲＭＳ変動を２μｍ未満に確保した
厚さに堆積させる。圧電層を第１の電極上に堆積させ、
次に第２の電極を圧電層上に堆積させる。次に空洞にバ
イア（穴）を開け、バイアを通して材料を除去し、犠牲
材料を空洞から除去する。好適な犠牲材料は、燐石英ガ
ラスである。
【００１６】
【発明の実施の形態】それぞれ、ＦＢＡＲおよびＳＢＡ
Ｒの断面図である図１および図２を参照して本発明を一
層容易に理解できる。図１で、ＦＢＡＲ20は、上方電極
21および下方電極23を備え、これらは圧電（ＰＺ）材料
22のシートの一部を挟み込んでいる。好適なＰＺ材料は
窒化アルミニウム（ＡlＮ）である。共振器20に使用さ
れる電極は、好適にはモリブデンから作られるが、他の
材料を使用する実施形態も構成可能である。
【００１７】これらの装置は、薄膜ＰＺ材料内のバルク
弾性音響波を使用している。印加電圧により二つの電極
の間に電界が生ずると、ＰＺ材料は電気エネルギの一部
を音波の形の機械的エネルギに変換する。音波は電界と
同じ方向に伝播し、電極/空気境界面で反射する。
【００１８】機械的に共振している時、装置は、電気共
振器のように見え、したがって、装置は、ノッチフィル
タとして動作することができる。装置の機械的共振は、
音波が伝播する材料の厚さが、伝播する音波の半波長と
等しくなる周波数で発生する。本願発明では音波の周波
数は、電極に印可される電気信号の周波数である。音の
速度は光の速度より多数桁小さいから、得られる共振器
を極めてコンパクトにすることができる。ＧＨｚ範囲の
用途に対する共振器を直径が約100μｍおよび厚さが数
μｍオーダーの物理的寸法で構成することができる。
【００１９】次にＳＢＡＲ40の断面図である図２を参照
する。ＳＢＡＲは、帯域フィルタと類似の電気的機能を
与える。ＳＢＡＲ40は基本的には機械的に結合されてい
る二つのＦＢＡＲフィルタである。ＰＺ層41の共振周波
数で電極43および44を横断する信号は、音響エネルギを
ＰＺ層42に伝える。ＰＺ層42内の機械的振動は、ＰＺ材
料により電極44および45を横断する電気信号に変換され
る。
【００２０】ＦＢＡＲおよびＳＢＡＲが本発明に従って
構成される方法は、その上にＦＢＡＲ110を本発明の方
法により構成するウェーハ101の一部の断面図である図
３−図７を参照して更に容易に理解できる。本発明は、
犠牲層に基づく従来技術の方法で利用されている熱酸化
物よりはるかに容易にエッチングされる材料から構成さ
れる犠牲層を利用している。本発明の好適実施形態で
は、犠牲層は、燐石英ガラス（ＰＳＧ）から構成されて
いる。
【００２１】図３において、窪み102が、好適には集積
回路製作に利用されているタイプの通常のシリコンウェ
ーハである基板101にエッチングされている。窪みの深
さは好適には30μｍ未満である。ＦＢＡＲの下の空洞の
深さは圧電層により生ずる変位に適応するのに十分なだ
けにする必要があることに注目すべきである。したがっ
て、数μｍの深さの窪みで十分である。
【００２２】熱酸化物103の薄層をウェーハの表面に成
長させてＰＳＧから燐が層内に拡散しないようにする。
このような拡散は、シリコンを導体に変換し、これが最
終装置の電気的動作を妨害することになる。
【００２３】図４で、ＰＳＧ層がウェーハ上に堆積され
ている。ＰＳＧは、シランおよびＰ2Ｏ5を使用して約45
0℃までの温度で堆積され、約８％燐である軟ガラス様
物質を形成する。この低温プロセスは、当業者に周知で
あり、したがってここでは詳細に説明しない。ＰＳＧ
は、比較的低温で堆積させることができ且つ、希釈Ｈ2
Ｏ：ＨＦ溶液で、非常に高いエッチング割合でエッチン
グされる非常にクリーンな不活性材料であるから、犠牲
層に対して好適な選択である。10:1の希釈割合で毎分約
３μｍのエッチング割合が得られる。
【００２４】残念なことに、本来のＰＳＧ犠牲層は、音
響共振器の構成にとって不十分な基台である。原子レベ
ルでこのような堆積膜の表面は、原子的にみると非常に
粗い。ＦＢＡＲ/ＳＢＡＲ形式の音響共振器は、結晶が
電極の平面に垂直な円柱を成して成長する圧電材料を必
要とする。ＰＳＧ層の表面に十分に平行な圧電膜を成長
させる試みが行なわれたが、最良でも、粗面上の多数の
小面が多様な方向に結晶成長を始めるので圧電効果を殆
どまたは全く示さない不十分な多結晶材料しか生じなか
った。
【００２５】本発明は、ＰＳＧの表面を磨いて自動的に
滑らかな表面を与えることによりこの困難を克服してい
る。図５を参照すると、ＰＳＧ層105の表面を最初スラ
リで磨くことにより平面化して窪み102の外側のＰＳＧ
層の部分を除去する。次に残っているＰＳＧを更に精製
されたスラリを使用して磨くことができる。代替方法と
して、磨き時間を追加するのが好ましくなければ一つの
更に精製したスラリを二つの磨きステップに使用するこ
とができる。目標は、「ミラー」状仕上げを生ずること
である。
【００２６】これらウェーハのクリーニングも重要であ
る。スラリはウェーハ上に少量のシリカ粗粉を残す。こ
の粗粉を除去せねばならない。本発明の好適実施形態で
は、これをポリテックス（PolytexTM）（コネチカット
州、Rodel社）のような堅く硬いパッドの付いた第２の
研磨輪を使用して行なっている。潤滑剤として脱イオン
水を使用している。磨いてから、最終クリーニングステ
ップの準備が完了するまでウェーハを脱イオン水中に入
れておく。ウェーハを、最後の磨きステップと最後のク
リーニングステップとの間で乾燥させるべきではない。
最後のクリーニングステップは、ウェーハを色々な化学
薬品の入っている一連のタンクに漬けることから成る。
各タンクに超音波撹拌を加える。このようなクリーニン
グ台は当業者に周知であり、したがって、ここでは詳細
に説明しない。アメリカ合衆国カリフォルニア州にある
Ａmeramadeから入手できるメガソニック（Megasoni
cTM）形式のクリーニング機が適当であることがわかっ
ている。
【００２７】本発明は、このような滑らかな表面が、圧
電層の「種」となる結晶構造を備えていないという事実
にかかわらず優れた圧電特性を実証する非常に規則正し
い構造のｃ軸圧電材料の堆積に対する基板を与えるとい
う驚異的発見に基づいている。
【００２８】粗粉は、シリカ微粒子から構成されてい
る。本発明の好適実施形態では、シリカ微粒子のアンモ
ニア主体スラリであるローデル、＃1508（Rodel、＃150
8）製のスラリを利用している。
【００２９】上の説明は特定の研磨およびクリーニング
の様式を示してきたが、必要な滑らかさの表面を与える
どんな研磨およびクリーニングの様式をも利用すること
ができる。本発明の好適実施形態では、最終表面は、原
子力顕微鏡プローブで測って0.5μｍ未満の高さのＲＭ
Ｓ変動を有する。
【００３０】表面をきれいにしてから、ＦＢＡＲ110の
下方電極111をを図６に示すように堆積する。好適な電
極材料は、モリブデンである。しかし、他の材料が当業
者には明らかであろう。たとえば、電極をＡl、Ｗ、Ａ
u、Ｐt、またはＴiから構成できる。その低い熱弾性損
失のためモリブデンが好適である。たとえば、Ｍoの熱
弾性損失は、Ａlより約56倍少ない。
【００３１】下方電極の厚さも重要である。厚い層は、
薄い層より粗い。上に記したように、圧電層の堆積のた
めの滑らかな表面を維持することは、最終共振器の性能
にとって非常に重要である。したがって、下方電極の厚
さは、好適には1000Å未満である。Ｍoは好適にはスパ
ッタリングにより堆積される。これは、２μｍ未満の高
さのＲＭＳ変動を有するＭo層を与える。
【００３２】下方電極を堆積し終わってから、電極層11
2を堆積する。圧電層用好適材料は、ＡlＮであり、これ
もスパッタリングにより堆積される。圧電層を形成する
のにＡlＮを堆積することは当業者には周知であるか
ら、この堆積プロセスをここでは詳細に説明しないこと
にする。本発明の好適実施形態では、圧電層の厚さは、
0.1から10μｍの間にある。
【００３３】最後に、上方電極113を堆積させる。上方
電極も好適にはＭoから構成される。しかし、この電極
の厚さは、圧電層の堆積に影響しないので、あまり重大
ではない。
【００３４】ＦＢＡＲ構造を堆積してから、バイアを下
の犠牲層105に開け、図７に示すように、希釈Ｈ2Ｏ：Ｈ
Ｆ溶液でエッチングすることによりＰＳＧを除去する。
これにより元の窪み102の上に橋架けされたＦＢＡＲ110
が残る。
【００３５】上の例はＦＢＡＲの構成を利用してきた。
しかし、当業者には上の説明から、ＳＢＡＲを同じプロ
セスを使用して構成できることが明らかであろう。ＳＢ
ＡＲの場合には、別の圧電層および電極を堆積しなけれ
ばならない。第２の圧電層は「ＦＢＡＲ」の上方電極の
上に構成されているから、上方電極の厚さも1000Åに維
持して第２の圧電層を堆積するための適切な表面を与え
なければならない。
【００３６】本発明の上述の実施形態は、ＰＳＧから構
成された犠牲層を利用しているが、他の材料をも使用す
ることができる。たとえば、ＢＰＳＧ（Boron-Phosphor
-Silicate-Glass：ボロン、燐、シリコン、ガラス）ま
たはスピン・ガラスのような他の形態のガラスを利用で
きる。他に、スピニングにより材料上に、または特殊チ
ャンバー内に置かれた基板上に、堆積できるポリビニー
ル、ポリプロピレン、およびポリスチレンのような、プ
ラスチックがある。これらの犠牲層は、有機除去材ある
いはＯ2プラズマエッチングによって取去ることができ
る。ＰＳＧ犠牲層の場合のように、堆積したこれら材料
の表面は原子的には滑らかでないので、これら材料での
研磨も非常に重要である。
【００３７】以上、本発明の実施例について詳述した
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
【００３８】（実施態様１） （ａ）高さのＲＭＳ変動が２μｍ未満である導電シート
を備えた第１の電極（23、45、111）と、（ｂ）導電シ
ートを備えた第２の電極（21、44、113）と、（ｃ）前
記第１および第２の電極の間に挟み込まれた圧電材料の
層（22、42、112）とを、有することを特徴とする音響
共振器（20、40、110）。
【００３９】（実施態様２）前記第１の電極（23、45、
111）はモリブデンを含むことを特徴とする実施態様１
に記載の音響共振器（20、40、110）。
【００４０】（実施態様３）前記圧電材料の層（22、4
2、112）はＡlＮを含むことを特徴とする実施態様１に
記載の音響共振器（20、40、110）。
【００４１】（実施態様４）更に、表面に空洞（102）
を有する基板（101）を備え、前記第１の電極（23、4
5、111）が前記空洞（102）に橋を架けていることを特
徴とする実施態様１に記載の音響共振器（20、40、11
0）。
【００４２】（実施態様５）前記空洞（102）の深さは3
0μｍ未満であることを特徴とする実施態様４に記載の
音響共振器（20、40、110）。
【００４３】（実施態様６）前記基板（101）の前記表
面は、電気絶縁層（103）を備えていることを特徴とす
る実施態様４に記載の音響共振器（20、40、110）。
【００４４】（実施態様７）上面を有する基板（101）
上に音響共振器（20、40、110）を製作する方法であっ
て、（ａ）前記上面に窪み（102）を作るステップ、
（ｂ）前記窪み（102）に犠牲材料（105）を詰めるステ
ップであって、前記詰めた窪み（102）の上面は、前記
基板（101）の前記上面と同レベルになり、前記上面は
0.5μｍ未満の高さのＲＭＳ変動を有するようにするス
テップ、（ｃ）第１の電極（23、45、111）を前記上面
に堆積させるステップ、（ｄ）圧電材料の層（22、42、
112）を前記第１の電極（23、45、111）の上に堆積させ
るステップ、（ｅ）第２の電極（21、44、113）を前記
圧電材料の層（22、42、112）の上に堆積させるステッ
プ、および（ｆ）前記犠牲材料（105）を前記窪み（10
2）から除去するステップ、を備えていることを特徴と
する方法。
【００４５】（実施態様８）前記犠牲材料（105）は、
ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、スピン・ガラス、ポリビニール、ポ
リプロピレン、およびポリスチレンを含む群から選択さ
れた材料を含むことを特徴とする実施態様７に記載の方
法。
【００４６】（実施態様９）前記窪み（102）に詰める
前記ステップは、（ａ）前記犠牲材料（105）の層を前
記窪み（102）の上に堆積させるステップ、（ｂ）前記
堆積した層を平面にするステップ、および（ｃ）前記平
面化した層を磨くステップ、を含むことを特徴とする実
施態様７に記載の方法。
【００４７】（実施態様１０）前記犠牲材料（105）の
層を堆積する前に、電気絶縁材料（103）の層を前記基
板（101）の表面および窪み（102）に設けるステップで
あって、前記電気絶縁材料が、前記犠牲材料（105）中
の要素が前記基板（101）の中に拡散しないようにする
ステップを含むことを特徴とする実施態様９に記載の方
法。
【００４８】（実施態様１１）前記第１の電極（23、4
5、111）はモリブデンを含むことを特徴とする実施態様
７に記載の方法。
【００４９】（実施態様１２）前記圧電材料の層（22、
42、112）はＡlＮを含むことを特徴とする実施態様７に
記載の方法。
【００５０】（実施態様１３）前記窪み（102）の深さ
は30μｍ未満であることを特徴とする実施態様７に記載
の方法。
【００５１】本発明に対する色々な修正案が当業者には
これまでの説明および付図から明らかになるであろう。
したがって、本発明を付記した特許請求の範囲によって
のみ限定するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＦＢＡＲ共振器の断面図である。
【図２】ＳＢＡＲ共振器の断面図である。
【図３】本願発明によりＦＢＡＲが構成されるウェーハ
の断面図の一部である。
【図４】本願発明によりＦＢＡＲが構成されるウェーハ
の断面図の一部である。
【図５】本願発明によりＦＢＡＲが構成されるウェーハ
の断面図の一部である。
【図６】本願発明によりＦＢＡＲが構成されるウェーハ
の断面図の一部である。
【図７】本願発明によりＦＢＡＲが構成されるウェーハ
の断面図の一部である。
【符号の説明】
20、40、110：音響共振器 21、23、44、45、111、113：電極 22、112：圧電材料層 101：基板 102：空洞 103：電気絶縁層 105：犠牲材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨゲシュ デサイ アメリカ合衆国カリフォルニア州サンノゼ ミードーゲート・ウエイ 2202 (72)発明者 ドナルド・アール・ブラドベリー アメリカ合衆国カリフォルニア州パロアル ト ルイス・ロード 2004

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）高さのＲＭＳ変動が２μｍ未満であ
    る導電シートを備えた第１の電極と、（ｂ）導電シート
    を備えた第２の電極と、（ｃ）前記第１および第２の電
    極の間に挟み込まれた圧電材料の層とを、有することを
    特徴とする音響共振器。
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DE (1) DE69933907T2 (ja)

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299979A (ja) * 2001-03-05 2002-10-11 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
WO2002093549A1 (fr) * 2001-05-11 2002-11-21 Ube Electronics, Ltd. Resonateur acoustique a film mince et son procede de fabrication
JP2002335141A (ja) * 2001-03-05 2002-11-22 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
EP1306973A2 (en) 2001-10-26 2003-05-02 Fujitsu Limited Thin-film piezoelectric resonator, band-pass filter and method of making thin-film piezoelectric resonator
JP2004048639A (ja) * 2002-05-17 2004-02-12 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子及びその製造方法等
US6732415B2 (en) 2001-07-17 2004-05-11 Fujitsu Limited Film bulk acoustic resonator and method of making the same
JP2004221622A (ja) * 2002-01-08 2004-08-05 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法
US6885262B2 (en) 2002-11-05 2005-04-26 Ube Industries, Ltd. Band-pass filter using film bulk acoustic resonator
US6906451B2 (en) 2002-01-08 2005-06-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator
WO2005060091A1 (ja) 2003-12-19 2005-06-30 Ube Industries, Ltd. 圧電薄膜デバイスの製造方法および圧電薄膜デバイス
US7002437B2 (en) 2002-06-11 2006-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter
US7109637B2 (en) 2003-07-09 2006-09-19 Tdk Corporation Thin-film bulk acoustic oscillator and method of manufacturing same
EP1732213A1 (en) 2005-05-31 2006-12-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin-film piezoelectric resonator, filter and voltage-controlled oscillator
US7187253B2 (en) 2004-04-20 2007-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic-wave resonator and method for manufacturing the same
US7221242B2 (en) 2004-12-24 2007-05-22 Hitachi Media Electronics Co., Ltd Bulk acoustic wave resonator and manufacturing method thereof, filter using the same, semiconductor integrated circuit device using the same, and high frequency module using the same
US7276994B2 (en) 2002-05-23 2007-10-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter
US7323953B2 (en) 2003-08-27 2008-01-29 Fujitsu Media Devices Limited Film bulk acoustic resonator and method of producing the same
US7323805B2 (en) 2004-01-28 2008-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Piezoelectric thin film device and method for manufacturing the same
US7345402B2 (en) 2005-01-12 2008-03-18 Fujitsu-Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same
US7368859B2 (en) 2005-04-28 2008-05-06 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter having the same
JP2008516490A (ja) * 2004-10-11 2008-05-15 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 音響波により動作する素子および該素子の製造方法
US7388318B2 (en) 2002-06-20 2008-06-17 Ube Industries, Ltd. Thin film piezoelectric resonator, thin film piezoelectric device, and manufacturing method thereof
JP2008178126A (ja) * 2008-01-21 2008-07-31 Ube Ind Ltd 薄膜音響共振器及びその製造方法
US7432631B2 (en) 2004-05-31 2008-10-07 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter and fabricating method
US7443270B2 (en) 2005-07-28 2008-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic resonator, filter circuit and method for manufacturing a film bulk acoustic resonator
US7463117B2 (en) 2004-06-30 2008-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic-wave resonator (FBAR), filter implemented by FBARs and method for manufacturing FBAR
US7482738B2 (en) 2005-10-27 2009-01-27 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter
JPWO2008016075A1 (ja) * 2006-08-03 2009-12-24 パナソニック株式会社 周波数可変音響薄膜共振器、フィルタ、及びそれを用いた通信装置
US7709999B2 (en) 2005-08-08 2010-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film piezoelectric resonator and method of manufacturing the same
US8085115B2 (en) 2008-03-06 2011-12-27 Taiyo Yuden Co., Ltd Piezoelectric thin film resonator, filter, and communication apparatus
US8222970B2 (en) 2008-07-17 2012-07-17 Taiyo Yuden Co., Ltd. Resonant device, communication module, communication device, and method for manufacturing resonant device
US8723623B2 (en) 2008-07-23 2014-05-13 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, method of manufacturing acoustic wave device and transmission apparatus
US8776334B2 (en) * 2004-12-24 2014-07-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator and manufacturing method thereof
JP2015061092A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
CN108270414A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 稳懋半导体股份有限公司 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法
JP2018110367A (ja) * 2017-01-03 2018-07-12 ウィン セミコンダクターズ コーポレーション バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法

Families Citing this family (185)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6339276B1 (en) * 1999-11-01 2002-01-15 Agere Systems Guardian Corp. Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion
US6746577B1 (en) 1999-12-16 2004-06-08 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for thickness control and reproducibility of dielectric film deposition
US6524971B1 (en) 1999-12-17 2003-02-25 Agere Systems, Inc. Method of deposition of films
US6306313B1 (en) 2000-02-04 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Selective etching of thin films
US6377136B1 (en) 2000-02-04 2002-04-23 Agere Systems Guardian Corporation Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance
US6323744B1 (en) 2000-02-04 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Grounding of TFR ladder filters
US7296329B1 (en) 2000-02-04 2007-11-20 Agere Systems Inc. Method of isolation for acoustic resonator device
US6437667B1 (en) 2000-02-04 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material
US6329305B1 (en) * 2000-02-11 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for producing devices having piezoelectric films
US6342134B1 (en) * 2000-02-11 2002-01-29 Agere Systems Guardian Corp. Method for producing piezoelectric films with rotating magnetron sputtering system
DE10007577C1 (de) * 2000-02-18 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Piezoresonator
US6448793B1 (en) 2000-04-07 2002-09-10 Rf Micro Devices, Inc. Adaptive manufacturing of semiconductor circuits
US6439693B1 (en) * 2000-05-04 2002-08-27 Silverbrook Research Pty Ltd. Thermal bend actuator
US6384697B1 (en) * 2000-05-08 2002-05-07 Agilent Technologies, Inc. Cavity spanning bottom electrode of a substrate-mounted bulk wave acoustic resonator
US6603241B1 (en) 2000-05-23 2003-08-05 Agere Systems, Inc. Acoustic mirror materials for acoustic devices
GB0012439D0 (en) * 2000-05-24 2000-07-12 Univ Cranfield Improvements to filters
DE10035421A1 (de) * 2000-07-20 2002-02-07 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Schichtenfolge zum ineinander Umwandeln von akustischen oder thermischen Signalen und elektrischen Spannungsänderungen
DE10035423C1 (de) * 2000-07-20 2001-11-22 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einer Schichtenfolge zum ineinander Umwandeln von akustischen oder thermischen Signalen und elektrischen Spannungsänderungen und Verfahren zu dessen Herstellung
US6355498B1 (en) 2000-08-11 2002-03-12 Agere Systems Guartian Corp. Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
US6420820B1 (en) * 2000-08-31 2002-07-16 Agilent Technologies, Inc. Acoustic wave resonator and method of operating the same to maintain resonance when subjected to temperature variations
US6377137B1 (en) * 2000-09-11 2002-04-23 Agilent Technologies, Inc. Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness
US6486751B1 (en) 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
US6674291B1 (en) 2000-10-30 2004-01-06 Agere Systems Guardian Corp. Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom
US6587212B1 (en) 2000-10-31 2003-07-01 Agere Systems Inc. Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device
US6515558B1 (en) 2000-11-06 2003-02-04 Nokia Mobile Phones Ltd Thin-film bulk acoustic resonator with enhanced power handling capacity
US6743731B1 (en) * 2000-11-17 2004-06-01 Agere Systems Inc. Method for making a radio frequency component and component produced thereby
US6424237B1 (en) 2000-12-21 2002-07-23 Agilent Technologies, Inc. Bulk acoustic resonator perimeter reflection system
US6496085B2 (en) 2001-01-02 2002-12-17 Nokia Mobile Phones Ltd Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror
US6407649B1 (en) 2001-01-05 2002-06-18 Nokia Corporation Monolithic FBAR duplexer and method of making the same
US6518860B2 (en) 2001-01-05 2003-02-11 Nokia Mobile Phones Ltd BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same
US6509813B2 (en) 2001-01-16 2003-01-21 Nokia Mobile Phones Ltd. Bulk acoustic wave resonator with a conductive mirror
US6521100B2 (en) 2001-02-02 2003-02-18 Nokia Mobile Phones Ltd Method of producing a piezoelectric thin film and bulk acoustic wave resonator fabricated according to the method
US7435613B2 (en) 2001-02-12 2008-10-14 Agere Systems Inc. Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity
US6714102B2 (en) * 2001-03-01 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Method of fabricating thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and FBAR structure embodying the method
US6787048B2 (en) 2001-03-05 2004-09-07 Agilent Technologies, Inc. Method for producing thin bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method
US6874211B2 (en) * 2001-03-05 2005-04-05 Agilent Technologies, Inc. Method for producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method
US6566979B2 (en) 2001-03-05 2003-05-20 Agilent Technologies, Inc. Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method
US6469597B2 (en) * 2001-03-05 2002-10-22 Agilent Technologies, Inc. Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method
US6668618B2 (en) 2001-04-23 2003-12-30 Agilent Technologies, Inc. Systems and methods of monitoring thin film deposition
US7464547B2 (en) * 2001-05-02 2008-12-16 Silverbrook Research Pty Ltd Thermal actuators
JP3903842B2 (ja) 2001-07-03 2007-04-11 株式会社村田製作所 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器
US6710681B2 (en) 2001-07-13 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and inductor on a monolithic substrate and method of fabricating the same
JP3944372B2 (ja) * 2001-09-21 2007-07-11 株式会社東芝 圧電薄膜振動子及びこれを用いた周波数可変共振器
TW520341B (en) * 2001-11-20 2003-02-11 Ind Tech Res Inst A method for manufacturing a chamber of the thin film bulk acoustic wave resonator (FBAR)
US6710508B2 (en) * 2001-11-27 2004-03-23 Agilent Technologies, Inc. Method for adjusting and stabilizing the frequency of an acoustic resonator
US20100107389A1 (en) * 2002-01-11 2010-05-06 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating an electrode for a bulk acoustic resonator
KR20020029882A (ko) * 2002-03-02 2002-04-20 주식회사 에이엔티 엘시엠피 공정법에 의한 탄성파소자의 제작방법
US7101721B2 (en) * 2002-07-22 2006-09-05 Rf Micro Devices, Inc. Adaptive manufacturing for film bulk acoustic wave resonators
US6828713B2 (en) * 2002-07-30 2004-12-07 Agilent Technologies, Inc Resonator with seed layer
US6894360B2 (en) * 2002-07-30 2005-05-17 Agilent Technologies, Inc. Electrostatic discharge protection of thin-film resonators
US20040021529A1 (en) * 2002-07-30 2004-02-05 Bradley Paul D. Resonator with protective layer
WO2004013893A2 (en) * 2002-08-01 2004-02-12 Georgia Tech Research Corporation Piezo electric on seminconductor on- insulator resonator
AU2003303133A1 (en) * 2002-08-06 2004-07-22 Piezoelectric mems resonator
US7312674B2 (en) * 2002-08-06 2007-12-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Resonator system with a plurality of individual mechanically coupled resonators and method of making same
US7023065B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-04 Georgia Tech Research Corporation Capacitive resonators and methods of fabrication
AU2003252992A1 (en) * 2002-08-13 2004-02-25 Trikon Technologies Limited Acoustic resonators
JP2004222244A (ja) * 2002-12-27 2004-08-05 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器およびその製造方法
DE10301261B4 (de) * 2003-01-15 2018-03-22 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US7275292B2 (en) * 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
KR100599083B1 (ko) * 2003-04-22 2006-07-12 삼성전자주식회사 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법
KR100555762B1 (ko) * 2003-10-07 2006-03-03 삼성전자주식회사 에어갭형 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법, 이를이용한 필터 및 듀플렉서
US7019605B2 (en) * 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
US7358831B2 (en) * 2003-10-30 2008-04-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging
US6946928B2 (en) * 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US7391285B2 (en) * 2003-10-30 2008-06-24 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Film acoustically-coupled transformer
EP1528677B1 (en) 2003-10-30 2006-05-10 Agilent Technologies, Inc. Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements
KR100645640B1 (ko) * 2003-11-03 2006-11-15 삼성전기주식회사 회절형 박막 압전 마이크로 미러 및 그 제조 방법
JP3944161B2 (ja) * 2003-12-25 2007-07-11 株式会社東芝 薄膜バルク波音響共振器及び薄膜バルク波音響共振器の製造方法
US20050148065A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Intel Corporation Biosensor utilizing a resonator having a functionalized surface
US20050181572A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Verhoeven Tracy B. Method for acoustically isolating an acoustic resonator from a substrate
US7038559B2 (en) * 2004-02-23 2006-05-02 Ruby Richard C Vertically separated acoustic filters and resonators
JP4413061B2 (ja) * 2004-04-09 2010-02-10 株式会社村上開明堂 ディスプレイ保持装置
US7161448B2 (en) * 2004-06-14 2007-01-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancements using recessed region
US7114252B2 (en) * 2004-06-17 2006-10-03 Toko, Inc. Large scale simultaneous circuit encapsulating apparatus
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
US20060017352A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-26 Aram Tanielian Thin device and method of fabrication
US20060059269A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Chien Chen Transparent recovery of switch device
US7388454B2 (en) * 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US7098758B2 (en) * 2004-11-03 2006-08-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled thin-film resonators having an electrode with a tapered edge
KR100750736B1 (ko) * 2004-11-10 2007-08-22 삼성전자주식회사 하나의 트리밍 인덕터를 사용하는 필터
US8981876B2 (en) * 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US20060125084A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Fazzio Ronald S Integration of micro-electro mechanical systems and active circuitry
US7202560B2 (en) * 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
JP2006207396A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Honda Motor Co Ltd ランキンサイクル装置
US7427819B2 (en) * 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7248131B2 (en) * 2005-03-14 2007-07-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Monolithic vertical integration of an acoustic resonator and electronic circuitry
US7369013B2 (en) * 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) * 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7358651B2 (en) * 2005-04-18 2008-04-15 Avago Technologies Wireless (Singapore) Pte. Ltd. Apparatus and method for detecting a target environmental variable that employs film-bulk acoustic wave resonator oscillators
DE102005027715B4 (de) 2005-06-15 2020-01-02 Snaptrack, Inc. Elektroakustischer Resonator, Filter, Duplexer und Verfahren zur Bestimmung von Parametern eines Resonators
EP1898525B1 (en) * 2005-06-30 2013-05-22 Panasonic Corporation Acoustic resonator and filter
WO2007026637A1 (ja) * 2005-08-30 2007-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 圧電共振器及び圧電共振器の製造方法
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) * 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7525398B2 (en) * 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7675390B2 (en) * 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7423503B2 (en) * 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7463499B2 (en) * 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US7561009B2 (en) * 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
US7528681B2 (en) * 2005-12-20 2009-05-05 Palo Alto Research Center Incorporated Acoustic devices using an AlGaN piezoelectric region
US7612636B2 (en) * 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
JP4315174B2 (ja) * 2006-02-16 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 ラム波型高周波デバイスの製造方法
JP2007221588A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及び薄膜圧電共振器の製造方法
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
US7578189B1 (en) 2006-05-10 2009-08-25 Qualtre, Inc. Three-axis accelerometers
US7629865B2 (en) 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
JP2007325013A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波装置の製造方法及び表面弾性波装置
KR100719123B1 (ko) * 2006-07-27 2007-05-18 삼성전자주식회사 멀피 밴드 필터모듈 및 그 제조방법
US7508286B2 (en) * 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
US20080202239A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Fazzio R Shane Piezoelectric acceleration sensor
US7698941B2 (en) * 2007-06-20 2010-04-20 Headway Technologies, Inc. Sensing unit and method of making same
US20090053401A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Maxim Integrated Products, Inc. Piezoelectric deposition for BAW resonators
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US8512800B2 (en) 2007-12-04 2013-08-20 Triquint Semiconductor, Inc. Optimal acoustic impedance materials for polished substrate coating to suppress passband ripple in BAW resonators and filters
US8278802B1 (en) 2008-04-24 2012-10-02 Rf Micro Devices, Inc. Planarized sacrificial layer for MEMS fabrication
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US7768364B2 (en) * 2008-06-09 2010-08-03 Maxim Integrated Products, Inc. Bulk acoustic resonators with multi-layer electrodes
US8042255B1 (en) * 2008-09-30 2011-10-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Rapid fabrication techniques for arbitrary shape piezoelectric transducer sensors
US8291559B2 (en) * 2009-02-24 2012-10-23 Epcos Ag Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US9970764B2 (en) 2009-08-31 2018-05-15 Georgia Tech Research Corporation Bulk acoustic wave gyroscope with spoked structure
US8692631B2 (en) * 2009-10-12 2014-04-08 Hao Zhang Bulk acoustic wave resonator and method of fabricating same
US9847768B2 (en) * 2009-11-23 2017-12-19 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Polarity determining seed layer and method of fabricating piezoelectric materials with specific C-axis
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8673121B2 (en) 2010-01-22 2014-03-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric materials with opposite C-axis orientations
US9243316B2 (en) * 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US9679765B2 (en) 2010-01-22 2017-06-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating rare-earth doped piezoelectric material with various amounts of dopants and a selected C-axis orientation
US8384269B2 (en) 2010-10-20 2013-02-26 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electrostatic bonding of a die substrate to a package substrate
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US9917567B2 (en) 2011-05-20 2018-03-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride
US9154111B2 (en) 2011-05-20 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride
US8330325B1 (en) 2011-06-16 2012-12-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
DE102012214323B4 (de) 2011-08-12 2023-12-28 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Gestapelter Bulk-Akustikresonator, der eine Brücke und einen akustischen Reflektor entlang eines Umfangs des Resonators aufweist
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
US8797123B2 (en) * 2011-09-14 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double film bulk acoustic resonator having electrode edge alignments providing improved quality factor or electromechanical coupling coefficient
US9525399B2 (en) 2011-10-31 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Planarized electrode for improved performance in bulk acoustic resonators
US9667220B2 (en) 2012-01-30 2017-05-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Temperature controlled acoustic resonator comprising heater and sense resistors
US9608592B2 (en) 2014-01-21 2017-03-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) having stress-relief
US9667218B2 (en) 2012-01-30 2017-05-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Temperature controlled acoustic resonator comprising feedback circuit
US9154103B2 (en) 2012-01-30 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Temperature controlled acoustic resonator
US10658998B2 (en) 2013-07-31 2020-05-19 Oepic Semiconductors, Inc. Piezoelectric film transfer for acoustic resonators and filters
US10340885B2 (en) 2014-05-08 2019-07-02 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave devices with temperature-compensating niobium alloy electrodes
DE102015107569A1 (de) 2014-05-15 2015-11-19 Avago Technologies General Ip Pte. Ltd. Verfahren zur Herstellung von mit Seltenerdelement dotiertem piezoelektrischen Material mit verschiedenen Mengen an Dotiermittel und einer ausgewählten C-Achsen Orientierung
DK3194962T3 (da) * 2014-09-15 2019-07-01 Qorvo Us Inc Massedetektering via redoxkobling
US9991870B2 (en) 2015-08-25 2018-06-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface acoustic wave (SAW) resonator
US10469056B2 (en) 2015-08-25 2019-11-05 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Acoustic filters integrated into single die
US10090822B2 (en) 2015-08-25 2018-10-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface acoustic wave (SAW) resonator
US10020796B2 (en) 2015-08-25 2018-07-10 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface acoustic wave (SAW) resonator
US10523178B2 (en) 2015-08-25 2019-12-31 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator
US10536133B2 (en) 2016-04-22 2020-01-14 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Composite surface acoustic wave (SAW) device with absorbing layer for suppression of spurious responses
US10812038B2 (en) 2015-08-25 2020-10-20 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Acoustic wave resonator
US10177734B2 (en) 2015-08-25 2019-01-08 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator
CN105181764B (zh) * 2015-09-25 2018-04-06 上海集成电路研发中心有限公司 一种湿度传感器及制造方法
KR102642898B1 (ko) * 2016-02-18 2024-03-04 삼성전기주식회사 음향 공진기 모듈 및 그 제조 방법
US10177735B2 (en) 2016-02-29 2019-01-08 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator
US11056532B2 (en) * 2016-07-01 2021-07-06 Intel Corporation Techniques for monolithic co-integration of polycrystalline thin-film bulk acoustic resonator devices and monocrystalline III-N semiconductor transistor devices
US11736088B2 (en) 2016-11-15 2023-08-22 Global Communication Semiconductors, Llc Film bulk acoustic resonator with spurious resonance suppression
US10601391B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 Global Communication Semiconductors, Llc. Film bulk acoustic resonator with spurious resonance suppression
US10439580B2 (en) * 2017-03-24 2019-10-08 Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. Method for fabricating RF resonators and filters
US10700660B2 (en) 2017-10-25 2020-06-30 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonator
US11018651B2 (en) 2018-04-19 2021-05-25 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and an adhesion and diffusion barrier layer
US11152909B2 (en) 2018-04-19 2021-10-19 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonators having low atomic weight metal electrodes
US11764750B2 (en) 2018-07-20 2023-09-19 Global Communication Semiconductors, Llc Support structure for bulk acoustic wave resonator
US11817839B2 (en) 2019-03-28 2023-11-14 Global Communication Semiconductors, Llc Single-crystal bulk acoustic wave resonator and method of making thereof
KR20200143027A (ko) * 2019-06-14 2020-12-23 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기
US11909373B2 (en) 2019-10-15 2024-02-20 Global Communication Semiconductors, Llc Bulk acoustic resonator structures with improved edge frames
CN113054093B (zh) * 2021-03-04 2024-01-30 苏州汉天下电子有限公司 填充层和包括其的谐振器以及制造方法
US20230216480A1 (en) * 2021-12-30 2023-07-06 Raytheon Company Multi-layer resonator assembly and method for fabricating same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06350371A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電デバイスの製造方法
US5587620A (en) * 1993-12-21 1996-12-24 Hewlett-Packard Company Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same
JP3371050B2 (ja) * 1995-10-27 2003-01-27 三菱電機株式会社 薄膜圧電素子
JP2002509644A (ja) * 1996-10-17 2002-03-26 ノキア モービル フォーンズ リミティド ガラス基板上に薄膜バルク音波共振器（ｆｂａｒ）を作る方法

Cited By (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002335141A (ja) * 2001-03-05 2002-11-22 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
JP2002299979A (ja) * 2001-03-05 2002-10-11 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
WO2002093549A1 (fr) * 2001-05-11 2002-11-21 Ube Electronics, Ltd. Resonateur acoustique a film mince et son procede de fabrication
KR100799391B1 (ko) * 2001-05-11 2008-01-30 우베 고산 가부시키가이샤 박막 음향공진기 및 그 제조방법
US7140084B2 (en) 2001-05-11 2006-11-28 Ube Industries, Ltd. Method of producing thin film bulk acoustic resonator
US6842088B2 (en) 2001-05-11 2005-01-11 Ube Industries, Ltd. Thin film acoustic resonator and method of producing the same
US6930437B2 (en) 2001-07-17 2005-08-16 Fujitsu Limited Film bulk acoustic resonator
KR100676151B1 (ko) * 2001-07-17 2007-01-31 후지쯔 가부시끼가이샤 압전 박막 공진 소자 및 그 제조 방법
US6732415B2 (en) 2001-07-17 2004-05-11 Fujitsu Limited Film bulk acoustic resonator and method of making the same
US6734763B2 (en) 2001-10-26 2004-05-11 Fujitsu Limited Thin-film piezoelectric resonator, band-pass filter and method of making thin-film piezoelectric resonator
EP1306973A2 (en) 2001-10-26 2003-05-02 Fujitsu Limited Thin-film piezoelectric resonator, band-pass filter and method of making thin-film piezoelectric resonator
JP2004221622A (ja) * 2002-01-08 2004-08-05 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法
US6906451B2 (en) 2002-01-08 2005-06-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator
US7240410B2 (en) 2002-01-08 2007-07-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing a piezoelectric resonator
JP2004048639A (ja) * 2002-05-17 2004-02-12 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子及びその製造方法等
US7276994B2 (en) 2002-05-23 2007-10-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter
US7002437B2 (en) 2002-06-11 2006-02-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter
US7388318B2 (en) 2002-06-20 2008-06-17 Ube Industries, Ltd. Thin film piezoelectric resonator, thin film piezoelectric device, and manufacturing method thereof
US6885262B2 (en) 2002-11-05 2005-04-26 Ube Industries, Ltd. Band-pass filter using film bulk acoustic resonator
US7109637B2 (en) 2003-07-09 2006-09-19 Tdk Corporation Thin-film bulk acoustic oscillator and method of manufacturing same
DE102004041178B8 (de) * 2003-08-27 2014-01-23 Taiyo Yuden Co., Ltd. Akustischer Filmresonator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004041178B4 (de) * 2003-08-27 2013-08-14 Taiyo Yuden Co., Ltd. Akustischer Filmresonator und Verfahren zu dessen Herstellung
US7323953B2 (en) 2003-08-27 2008-01-29 Fujitsu Media Devices Limited Film bulk acoustic resonator and method of producing the same
US7212082B2 (en) 2003-12-19 2007-05-01 Ube Industries, Ltd. Method of manufacturing piezoelectric thin film device and piezoelectric thin film device
WO2005060091A1 (ja) 2003-12-19 2005-06-30 Ube Industries, Ltd. 圧電薄膜デバイスの製造方法および圧電薄膜デバイス
US7323805B2 (en) 2004-01-28 2008-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Piezoelectric thin film device and method for manufacturing the same
US7420320B2 (en) 2004-01-28 2008-09-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Piezoelectric thin film device and method for manufacturing the same
US7770274B2 (en) 2004-01-28 2010-08-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Piezoelectric thin film device and method for manufacturing the same
US7187253B2 (en) 2004-04-20 2007-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic-wave resonator and method for manufacturing the same
US7268647B2 (en) 2004-04-20 2007-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic-wave resonator and method for manufacturing the same
US7432631B2 (en) 2004-05-31 2008-10-07 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter and fabricating method
US7463117B2 (en) 2004-06-30 2008-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic-wave resonator (FBAR), filter implemented by FBARs and method for manufacturing FBAR
JP2008516490A (ja) * 2004-10-11 2008-05-15 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 音響波により動作する素子および該素子の製造方法
US8471652B2 (en) 2004-10-11 2013-06-25 Epcos Ag Component that operates using acoustic waves and method for producing said component
US7221242B2 (en) 2004-12-24 2007-05-22 Hitachi Media Electronics Co., Ltd Bulk acoustic wave resonator and manufacturing method thereof, filter using the same, semiconductor integrated circuit device using the same, and high frequency module using the same
US8776334B2 (en) * 2004-12-24 2014-07-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator and manufacturing method thereof
US7345402B2 (en) 2005-01-12 2008-03-18 Fujitsu-Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter using the same
US7368859B2 (en) 2005-04-28 2008-05-06 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter having the same
US7525399B2 (en) 2005-05-31 2009-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin-film piezoelectric resonator, filter and voltage-controlled oscillator
EP1732213A1 (en) 2005-05-31 2006-12-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin-film piezoelectric resonator, filter and voltage-controlled oscillator
US7443270B2 (en) 2005-07-28 2008-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Film bulk acoustic resonator, filter circuit and method for manufacturing a film bulk acoustic resonator
US7709999B2 (en) 2005-08-08 2010-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film piezoelectric resonator and method of manufacturing the same
US7482738B2 (en) 2005-10-27 2009-01-27 Fujitsu Media Devices Limited Piezoelectric thin-film resonator and filter
JPWO2008016075A1 (ja) * 2006-08-03 2009-12-24 パナソニック株式会社 周波数可変音響薄膜共振器、フィルタ、及びそれを用いた通信装置
JP4691163B2 (ja) * 2006-08-03 2011-06-01 パナソニック株式会社 周波数可変音響薄膜共振器、フィルタ、及びそれを用いた通信装置
US7986198B2 (en) 2006-08-03 2011-07-26 Panasonic Corporation Frequency-variable acoustic thin film resonator, filter and communication apparatus using the same
JP4730383B2 (ja) * 2008-01-21 2011-07-20 宇部興産株式会社 薄膜音響共振器及びその製造方法
JP2008178126A (ja) * 2008-01-21 2008-07-31 Ube Ind Ltd 薄膜音響共振器及びその製造方法
US8085115B2 (en) 2008-03-06 2011-12-27 Taiyo Yuden Co., Ltd Piezoelectric thin film resonator, filter, and communication apparatus
US8222970B2 (en) 2008-07-17 2012-07-17 Taiyo Yuden Co., Ltd. Resonant device, communication module, communication device, and method for manufacturing resonant device
US8723623B2 (en) 2008-07-23 2014-05-13 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, method of manufacturing acoustic wave device and transmission apparatus
JP2015061092A (ja) * 2013-09-17 2015-03-30 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
CN108270414A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 稳懋半导体股份有限公司 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法
JP2018110367A (ja) * 2017-01-03 2018-07-12 ウィン セミコンダクターズ コーポレーション バルク音響波フィルターと、バルク音響波フィルターのバルク音響波共振装置のための周波数調整方法
CN108270414B (zh) * 2017-01-03 2021-06-22 稳懋半导体股份有限公司 具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法

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