JP2000049100A - プラズマ処理装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法 - Google Patents
プラズマ処理装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法Info
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- JP2000049100A JP2000049100A JP10215190A JP21519098A JP2000049100A JP 2000049100 A JP2000049100 A JP 2000049100A JP 10215190 A JP10215190 A JP 10215190A JP 21519098 A JP21519098 A JP 21519098A JP 2000049100 A JP2000049100 A JP 2000049100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマの均一性を保ちながら、パーティク
ルの発生を低減したプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 上部電極２と、ウエーハ５を支持する下
部電極３と、前記下部電極３の周囲に設けたシリコンか
らなるリング４とを備え、対向して設けられた前記上部
電極２と下部電極３との間に発生したプラズマで前記ウ
エーハ５の処理を行うプラズマ処理装置において、前記
下部電極３と前記リング４との間に絶縁材７を設けたこ
とを特徴とする。
ルの発生を低減したプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 上部電極２と、ウエーハ５を支持する下
部電極３と、前記下部電極３の周囲に設けたシリコンか
らなるリング４とを備え、対向して設けられた前記上部
電極２と下部電極３との間に発生したプラズマで前記ウ
エーハ５の処理を行うプラズマ処理装置において、前記
下部電極３と前記リング４との間に絶縁材７を設けたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法に係わ
り、特に、半導体ウエーハの製造に好適なプラズマ処理
装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法に関
する。
とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法に係わ
り、特に、半導体ウエーハの製造に好適なプラズマ処理
装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のプラズマ処理装置の要部
を示した図である。図において、１は真空容器であり、
この容器１内に上部電極２と下部電極３とが対向して設
けられ、下部電極３を囲むようにシリコンからなるリン
グ４を設け、下部電極３上のウエーハ５に均一なプラズ
マを作用させ、ウエーハ５に所定の処理を行えるように
構成していた。
を示した図である。図において、１は真空容器であり、
この容器１内に上部電極２と下部電極３とが対向して設
けられ、下部電極３を囲むようにシリコンからなるリン
グ４を設け、下部電極３上のウエーハ５に均一なプラズ
マを作用させ、ウエーハ５に所定の処理を行えるように
構成していた。
【０００３】なお、６は下部電極３上に設けられた絶縁
物である。上記した従来の装置では、周辺リング４の下
部電極３への設置マージンの確保の為、１ｍｍ程度のギ
ャップＧが開けられていた。このギャップＧ内にデポジ
ションがまわり込み堆積し、剥がれて下部電極３上に付
着し、ウエーハ保持エラー及びウエーハ冷却効率低下に
よる形状異常及びパーティクルの発生の原因となってい
た。
物である。上記した従来の装置では、周辺リング４の下
部電極３への設置マージンの確保の為、１ｍｍ程度のギ
ャップＧが開けられていた。このギャップＧ内にデポジ
ションがまわり込み堆積し、剥がれて下部電極３上に付
着し、ウエーハ保持エラー及びウエーハ冷却効率低下に
よる形状異常及びパーティクルの発生の原因となってい
た。
【０００４】周辺リング４は、Ｓｉ等の物質で作られて
おり、ギャップＧを狭くすると、設置の際に割れ・かけ
が発生するので、ギャップＧをなくすことは困難であっ
た。なお、プラズマ処理装置内でのパーティクルの発生
防止方法に関する技術としては、例えば、特開平７−５
８０２８号公報が知られている。
おり、ギャップＧを狭くすると、設置の際に割れ・かけ
が発生するので、ギャップＧをなくすことは困難であっ
た。なお、プラズマ処理装置内でのパーティクルの発生
防止方法に関する技術としては、例えば、特開平７−５
８０２８号公報が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、プラズマの均一性
を保ちながら、パーティクルの発生を低減した新規なプ
ラズマ処理装置とその方法を提供するものである。本発
明の他の目的は、デポジションの付着をなくすことで、
ウエーハの保持エラー、ウエーハの冷却効率低下等の不
具合を改善した新規なプラズマ処理装置とその方法を提
供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、プラズマの均一性
を保ちながら、パーティクルの発生を低減した新規なプ
ラズマ処理装置とその方法を提供するものである。本発
明の他の目的は、デポジションの付着をなくすことで、
ウエーハの保持エラー、ウエーハの冷却効率低下等の不
具合を改善した新規なプラズマ処理装置とその方法を提
供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマ処理装置の第１態様は、上部電極と、ウエーハを
支持する下部電極と、前記下部電極の周囲に設けたシリ
コンからなるリングとを備え、前記上部電極と下部電極
との間に発生したプラズマで前記ウエーハの処理を行う
プラズマ処理装置において、前記下部電極と前記リング
との間に絶縁材を設けたことを特徴とするものであり、
又、第２態様は、前記絶縁材はポリイミドであることを
特徴とするものであり、又、第３態様は、前記絶縁材は
ポリイミドからなるテープであることを特徴とするもの
であり、又、第４態様は、前記プラズマ処理装置は電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置であ
ることを特徴とするものであり、又、第５態様は、前記
プラズマ処理装置は誘導結合（ＩＣＰ）型プラズマ処理
装置であることを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマ処理装置の第１態様は、上部電極と、ウエーハを
支持する下部電極と、前記下部電極の周囲に設けたシリ
コンからなるリングとを備え、前記上部電極と下部電極
との間に発生したプラズマで前記ウエーハの処理を行う
プラズマ処理装置において、前記下部電極と前記リング
との間に絶縁材を設けたことを特徴とするものであり、
又、第２態様は、前記絶縁材はポリイミドであることを
特徴とするものであり、又、第３態様は、前記絶縁材は
ポリイミドからなるテープであることを特徴とするもの
であり、又、第４態様は、前記プラズマ処理装置は電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置であ
ることを特徴とするものであり、又、第５態様は、前記
プラズマ処理装置は誘導結合（ＩＣＰ）型プラズマ処理
装置であることを特徴とするものである。
【０００７】又、本発明に係わるプラズマ処理装置内で
のパーティクルの発生低減方法の態様は、上部電極と、
ウエーハを支持する下部電極と、前記下部電極の周囲に
設けたシリコンからなるリングとを備え、前記上部電極
と下部電極との間に発生したプラズマで前記ウエーハの
処理を行うプラズマ処理装置のパーティクルの発生低減
方法において、前記下部電極と前記リングとの間のギャ
ップをポリイミドで埋め、前記ギャップ内へのデポジシ
ョンの付着を防止し、このデポジションによるパーティ
クルの発生を防止したことを特徴とするものである。
のパーティクルの発生低減方法の態様は、上部電極と、
ウエーハを支持する下部電極と、前記下部電極の周囲に
設けたシリコンからなるリングとを備え、前記上部電極
と下部電極との間に発生したプラズマで前記ウエーハの
処理を行うプラズマ処理装置のパーティクルの発生低減
方法において、前記下部電極と前記リングとの間のギャ
ップをポリイミドで埋め、前記ギャップ内へのデポジシ
ョンの付着を防止し、このデポジションによるパーティ
クルの発生を防止したことを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係わるプラズマ処理装置
は、静電吸着を用いて、ウエーハを処理台上に保持する
プラズマ処理装置において、処理ステージ周辺をポリイ
ミドで覆うことで、プラズマのまわり込みによるデポジ
ションを抑制し、デポジション剥がれの処理台に付着す
ることによるウエーハ保持エラー及びウエーハの冷却効
率低下を防ぎ、更に、デポジション剥がれに起因するパ
ーティクルの発生を低減することを可能にしたものであ
る。
は、静電吸着を用いて、ウエーハを処理台上に保持する
プラズマ処理装置において、処理ステージ周辺をポリイ
ミドで覆うことで、プラズマのまわり込みによるデポジ
ションを抑制し、デポジション剥がれの処理台に付着す
ることによるウエーハ保持エラー及びウエーハの冷却効
率低下を防ぎ、更に、デポジション剥がれに起因するパ
ーティクルの発生を低減することを可能にしたものであ
る。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明に係わるプラズマ処理装置と
この装置内でのパーティクルの発生低減方法の具体例を
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明に
係わるプラズマ処理装置の具体例の構造を示す図であっ
て、図１には、上部電極２と、ウエーハ５を支持する下
部電極３と、前記下部電極３の周囲に設けたシリコンか
らなるリング４とを備え、対向して設けられた前記上部
電極２と下部電極３との間に発生したプラズマで前記ウ
エーハ５の処理を行うプラズマ処理装置において、前記
下部電極３と前記リング４との間に絶縁材７を設けたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置が示されている。
この装置内でのパーティクルの発生低減方法の具体例を
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明に
係わるプラズマ処理装置の具体例の構造を示す図であっ
て、図１には、上部電極２と、ウエーハ５を支持する下
部電極３と、前記下部電極３の周囲に設けたシリコンか
らなるリング４とを備え、対向して設けられた前記上部
電極２と下部電極３との間に発生したプラズマで前記ウ
エーハ５の処理を行うプラズマ処理装置において、前記
下部電極３と前記リング４との間に絶縁材７を設けたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置が示されている。
【００１０】以下に、本発明を更に詳細に説明する。図
において、真空容器１内に２枚の対向する電極２、３、
ガス導入管８が設けられており、下部電極３がウエーハ
保持台になっている。上部電極２及び下部電極３には、
それぞれ高周波電源１１、１２がつながれており、プラ
ズマの生成を行う。また、下部電極３は静電吸着方法を
用いてウエーハ５を保持するため、表面が絶縁物６で覆
われており、直流電源１３につながっている。この下部
電極１３は、被処理体であるウエーハ５の径よりも小さ
く、プラズマと接しないようになっている。被処理体で
あるウエーハ５の周りには、プラズマの均一性を向上さ
せるために下部電極３よりも低く、ウエーハ５と接しな
いよう周辺リング４を設置している。本発明では、特
に、下部電極３と周辺リング４間の隙間を絶縁性物質７
で覆うことでプラズマのまわり込みで付着するデポジシ
ョンを防止している。
において、真空容器１内に２枚の対向する電極２、３、
ガス導入管８が設けられており、下部電極３がウエーハ
保持台になっている。上部電極２及び下部電極３には、
それぞれ高周波電源１１、１２がつながれており、プラ
ズマの生成を行う。また、下部電極３は静電吸着方法を
用いてウエーハ５を保持するため、表面が絶縁物６で覆
われており、直流電源１３につながっている。この下部
電極１３は、被処理体であるウエーハ５の径よりも小さ
く、プラズマと接しないようになっている。被処理体で
あるウエーハ５の周りには、プラズマの均一性を向上さ
せるために下部電極３よりも低く、ウエーハ５と接しな
いよう周辺リング４を設置している。本発明では、特
に、下部電極３と周辺リング４間の隙間を絶縁性物質７
で覆うことでプラズマのまわり込みで付着するデポジシ
ョンを防止している。
【００１１】このように構成したプラズマ処理装置にお
いて、ガス導入管８より、ガスを導入し真空容器１内を
一定圧力に保った後、真空容器１内に対向する２枚の上
部電極２、下部電極３に高周波電源１１、１２からの電
圧を印加しプラズマを生成し、ウエーハ５のプラズマ処
理を行う。ウエーハ保持台である下部電極３とリング４
との隙間は、ポリイミド等の絶縁性物質７で覆われてい
る為、プラズマの陰部となるこのウエーハ周辺と保持台
とリングの隙間にまわり込んでくるプラズマ処理時に発
生するデポジションの付着を低減することが出来る。
いて、ガス導入管８より、ガスを導入し真空容器１内を
一定圧力に保った後、真空容器１内に対向する２枚の上
部電極２、下部電極３に高周波電源１１、１２からの電
圧を印加しプラズマを生成し、ウエーハ５のプラズマ処
理を行う。ウエーハ保持台である下部電極３とリング４
との隙間は、ポリイミド等の絶縁性物質７で覆われてい
る為、プラズマの陰部となるこのウエーハ周辺と保持台
とリングの隙間にまわり込んでくるプラズマ処理時に発
生するデポジションの付着を低減することが出来る。
【００１２】なお、本発明は、上記した平行平板型プラ
ズマ処理装置の他にも電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）型プラズマ処理装置、誘導結合（ＩＣＰ）型プラズ
マ処理装置など静電吸着を用いるすべての処理装置にお
いて同様の効果が得られる。
ズマ処理装置の他にも電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）型プラズマ処理装置、誘導結合（ＩＣＰ）型プラズ
マ処理装置など静電吸着を用いるすべての処理装置にお
いて同様の効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係わるプラズマ処理装置は上述
のように構成したので、プラズマ処理時にプラズマ陰部
となる下部電極と周辺リング間を絶縁性物質で覆うこと
でデポジションの付着を低減し、デポジション剥がれの
保持台への付着によるウエーハ保持エラー及びウエーハ
の冷却率低下を防ぎ、更にデポジションに起因するパー
ティクルの発生を低減することを可能にした。
のように構成したので、プラズマ処理時にプラズマ陰部
となる下部電極と周辺リング間を絶縁性物質で覆うこと
でデポジションの付着を低減し、デポジション剥がれの
保持台への付着によるウエーハ保持エラー及びウエーハ
の冷却率低下を防ぎ、更にデポジションに起因するパー
ティクルの発生を低減することを可能にした。
【図１】本発明に係わるプラズマ処理装置の構成を示す
図である。
図である。
【図２】従来のプラズマ処理装置の構成を示す図であ
る。
る。
１ 真空容器 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ リング ５ ウエーハ ６ 絶縁物 ７ ポリイミド ８ ガス導入管 １１、１２ 高周波電源 １３ 直流電源
【手続補正書】
【提出日】平成１１年８月１３日（１９９９．８．１
３）
３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマ処理装置の第１態様は、上部電極と、ウエーハを
支持する下部電極と、前記下部電極の端部との間に所定
のギャップをもって形成され、均一なプラズマを発生さ
せるべく設けられたシリコンリングとを備えたプラズマ
処理装置において、前記下部電極と前記シリコンリング
との間の前記ギャップを絶縁性物質で充填したことを特
徴とするものであり、又、第２態様は、前記絶縁材はポ
リイミドであることを特徴とするものであり、又、第３
態様は、前記絶縁材はポリイミドからなるテープである
ことを特徴とするものであり、又、第４態様は、前記シ
リコンリングの上面は、前記下部電極の上面より低い位
置にあるように構成したことを特徴とするものであり、
又、第５態様は、前記プラズマ処理装置は、電子サイク
ロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置、又は、誘
導結合（ＩＣＰ）型プラズマ処理装置であることを特徴
とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマ処理装置の第１態様は、上部電極と、ウエーハを
支持する下部電極と、前記下部電極の端部との間に所定
のギャップをもって形成され、均一なプラズマを発生さ
せるべく設けられたシリコンリングとを備えたプラズマ
処理装置において、前記下部電極と前記シリコンリング
との間の前記ギャップを絶縁性物質で充填したことを特
徴とするものであり、又、第２態様は、前記絶縁材はポ
リイミドであることを特徴とするものであり、又、第３
態様は、前記絶縁材はポリイミドからなるテープである
ことを特徴とするものであり、又、第４態様は、前記シ
リコンリングの上面は、前記下部電極の上面より低い位
置にあるように構成したことを特徴とするものであり、
又、第５態様は、前記プラズマ処理装置は、電子サイク
ロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置、又は、誘
導結合（ＩＣＰ）型プラズマ処理装置であることを特徴
とするものである。
Claims (6)
- 【請求項１】 上部電極と、ウエーハを支持する下部電
極と、前記下部電極の周囲に設けたシリコンからなるリ
ングとを備え、前記上部電極と下部電極との間に発生し
たプラズマで前記ウエーハの処理を行うプラズマ処理装
置において、 前記下部電極と前記リングとの間に絶縁材を設けたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記絶縁材はポリイミドであることを特
徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記絶縁材はポリイミドからなるテープ
であることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 前記プラズマ処理装置は電子サイクロト
ロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置であることを特
徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記プラズマ処理装置は誘導結合（ＩＣ
Ｐ）型プラズマ処理装置であることを特徴とする請求項
３記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 上部電極と、ウエーハを支持する下部電
極と、前記下部電極の周囲に設けたシリコンからなるリ
ングとを備え、前記上部電極と下部電極との間に発生し
たプラズマで前記ウエーハの処理を行うプラズマ処理装
置のパーティクルの発生低減方法において、 前記下部電極と前記リングとの間のギャップをポリイミ
ドで埋め、前記ギャップ内へのデポジションの付着を防
止し、このデポジションによるパーティクルの発生を防
止したことを特徴とするプラズマ処理装置内でのパーテ
ィクルの発生低減方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215190A JP2000049100A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | プラズマ処理装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215190A JP2000049100A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | プラズマ処理装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049100A true JP2000049100A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16668180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10215190A Pending JP2000049100A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | プラズマ処理装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049100A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054248A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
| US7311784B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| WO2009002415A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking |
| CN105118767A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-02 | 郑州大学 | 等离子体刻蚀设备 |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP10215190A patent/JP2000049100A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054248A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
| US7311784B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| WO2009002415A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking |
| US7782591B2 (en) | 2007-06-22 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking |
| CN105118767A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-02 | 郑州大学 | 等离子体刻蚀设备 |
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