JP2000049100A - Plasma treating device and method for reducing occurrence of particles therein - Google Patents
Plasma treating device and method for reducing occurrence of particles thereinInfo
- Publication number
- JP2000049100A JP2000049100A JP10215190A JP21519098A JP2000049100A JP 2000049100 A JP2000049100 A JP 2000049100A JP 10215190 A JP10215190 A JP 10215190A JP 21519098 A JP21519098 A JP 21519098A JP 2000049100 A JP2000049100 A JP 2000049100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- plasma processing
- wafer
- lower electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法に係わ
り、特に、半導体ウエーハの製造に好適なプラズマ処理
装置とこの装置内でのパーティクルの発生低減方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus and a method for reducing the generation of particles in the apparatus, and more particularly to a plasma processing apparatus suitable for manufacturing semiconductor wafers and a method for reducing the generation of particles in the apparatus. About the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２は、従来のプラズマ処理装置の要部
を示した図である。図において、１は真空容器であり、
この容器１内に上部電極２と下部電極３とが対向して設
けられ、下部電極３を囲むようにシリコンからなるリン
グ４を設け、下部電極３上のウエーハ５に均一なプラズ
マを作用させ、ウエーハ５に所定の処理を行えるように
構成していた。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a diagram showing a main part of a conventional plasma processing apparatus. In the figure, 1 is a vacuum vessel,
An upper electrode 2 and a lower electrode 3 are provided in the container 1 so as to face each other, a ring 4 made of silicon is provided so as to surround the lower electrode 3, and a uniform plasma is applied to a wafer 5 on the lower electrode 3. The wafer 5 is configured to perform a predetermined process.
【０００３】なお、６は下部電極３上に設けられた絶縁
物である。上記した従来の装置では、周辺リング４の下
部電極３への設置マージンの確保の為、１ｍｍ程度のギ
ャップＧが開けられていた。このギャップＧ内にデポジ
ションがまわり込み堆積し、剥がれて下部電極３上に付
着し、ウエーハ保持エラー及びウエーハ冷却効率低下に
よる形状異常及びパーティクルの発生の原因となってい
た。[0006] Reference numeral 6 denotes an insulator provided on the lower electrode 3. In the above-described conventional apparatus, a gap G of about 1 mm is provided in order to secure a margin for installing the peripheral ring 4 on the lower electrode 3. The deposition wraps around the gap G, accumulates, peels off, and adheres to the lower electrode 3, causing a wafer holding error, a shape abnormality due to a decrease in wafer cooling efficiency, and the generation of particles.
【０００４】周辺リング４は、Ｓｉ等の物質で作られて
おり、ギャップＧを狭くすると、設置の際に割れ・かけ
が発生するので、ギャップＧをなくすことは困難であっ
た。なお、プラズマ処理装置内でのパーティクルの発生
防止方法に関する技術としては、例えば、特開平７−５
８０２８号公報が知られている。The peripheral ring 4 is made of a material such as Si, and if the gap G is narrowed, cracks and overhangs occur during installation, so that it is difficult to eliminate the gap G. In addition, as a technique related to a method for preventing generation of particles in a plasma processing apparatus, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 8028 is known.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、プラズマの均一性
を保ちながら、パーティクルの発生を低減した新規なプ
ラズマ処理装置とその方法を提供するものである。本発
明の他の目的は、デポジションの付着をなくすことで、
ウエーハの保持エラー、ウエーハの冷却効率低下等の不
具合を改善した新規なプラズマ処理装置とその方法を提
供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the above-mentioned disadvantages of the prior art, and in particular, to provide a novel plasma processing apparatus and method which reduce the generation of particles while maintaining plasma uniformity. To provide. Another object of the present invention is to eliminate deposition adhesion.
An object of the present invention is to provide a novel plasma processing apparatus and a method therefor which have improved defects such as a wafer holding error and a reduction in wafer cooling efficiency.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマ処理装置の第１態様は、上部電極と、ウエーハを
支持する下部電極と、前記下部電極の周囲に設けたシリ
コンからなるリングとを備え、前記上部電極と下部電極
との間に発生したプラズマで前記ウエーハの処理を行う
プラズマ処理装置において、前記下部電極と前記リング
との間に絶縁材を設けたことを特徴とするものであり、
又、第２態様は、前記絶縁材はポリイミドであることを
特徴とするものであり、又、第３態様は、前記絶縁材は
ポリイミドからなるテープであることを特徴とするもの
であり、又、第４態様は、前記プラズマ処理装置は電子
サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置であ
ることを特徴とするものであり、又、第５態様は、前記
プラズマ処理装置は誘導結合（ＩＣＰ）型プラズマ処理
装置であることを特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention basically employs the following technical configuration to achieve the above object. That is, a first aspect of the plasma processing apparatus according to the present invention includes an upper electrode, a lower electrode supporting a wafer, and a ring made of silicon provided around the lower electrode, wherein the upper electrode, the lower electrode, In a plasma processing apparatus that performs processing of the wafer with plasma generated during the, characterized in that an insulating material is provided between the lower electrode and the ring,
Also, a second aspect is characterized in that the insulating material is polyimide, and a third aspect is that the insulating material is a tape made of polyimide. In a fourth aspect, the plasma processing apparatus is an electron cyclotron resonance (ECR) type plasma processing apparatus, and in a fifth aspect, the plasma processing apparatus is an inductively coupled (ICP) type. It is a plasma processing apparatus.
【０００７】又、本発明に係わるプラズマ処理装置内で
のパーティクルの発生低減方法の態様は、上部電極と、
ウエーハを支持する下部電極と、前記下部電極の周囲に
設けたシリコンからなるリングとを備え、前記上部電極
と下部電極との間に発生したプラズマで前記ウエーハの
処理を行うプラズマ処理装置のパーティクルの発生低減
方法において、前記下部電極と前記リングとの間のギャ
ップをポリイミドで埋め、前記ギャップ内へのデポジシ
ョンの付着を防止し、このデポジションによるパーティ
クルの発生を防止したことを特徴とするものである。Further, the mode of the method for reducing the generation of particles in the plasma processing apparatus according to the present invention is as follows.
A lower electrode that supports the wafer, and a ring made of silicon provided around the lower electrode; and a particle of a plasma processing apparatus that performs processing of the wafer with plasma generated between the upper electrode and the lower electrode. In the method for reducing generation, a gap between the lower electrode and the ring is filled with polyimide to prevent deposition from adhering to the gap and prevent generation of particles due to the deposition. It is.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明に係わるプラズマ処理装置
は、静電吸着を用いて、ウエーハを処理台上に保持する
プラズマ処理装置において、処理ステージ周辺をポリイ
ミドで覆うことで、プラズマのまわり込みによるデポジ
ションを抑制し、デポジション剥がれの処理台に付着す
ることによるウエーハ保持エラー及びウエーハの冷却効
率低下を防ぎ、更に、デポジション剥がれに起因するパ
ーティクルの発生を低減することを可能にしたものであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A plasma processing apparatus according to the present invention is a plasma processing apparatus for holding a wafer on a processing table by using electrostatic attraction. That prevents the wafer holding error and the wafer cooling efficiency from being attached to the processing table where the deposition is peeled off, and further reduces the generation of particles due to the deposition peeling. It is.
【０００９】[0009]
【実施例】以下に、本発明に係わるプラズマ処理装置と
この装置内でのパーティクルの発生低減方法の具体例を
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明に
係わるプラズマ処理装置の具体例の構造を示す図であっ
て、図１には、上部電極２と、ウエーハ５を支持する下
部電極３と、前記下部電極３の周囲に設けたシリコンか
らなるリング４とを備え、対向して設けられた前記上部
電極２と下部電極３との間に発生したプラズマで前記ウ
エーハ５の処理を行うプラズマ処理装置において、前記
下部電極３と前記リング４との間に絶縁材７を設けたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置が示されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific examples of a plasma processing apparatus according to the present invention and a method for reducing the generation of particles in the apparatus will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the structure of a specific example of a plasma processing apparatus according to the present invention. In FIG. 1, an upper electrode 2, a lower electrode 3 supporting a wafer 5, and a periphery of the lower electrode 3 are shown. A plasma processing apparatus for processing the wafer 5 with plasma generated between the upper electrode 2 and the lower electrode 3 provided opposite to each other. A plasma processing apparatus in which an insulating material 7 is provided between the ring and the ring 4 is shown.
【００１０】以下に、本発明を更に詳細に説明する。図
において、真空容器１内に２枚の対向する電極２、３、
ガス導入管８が設けられており、下部電極３がウエーハ
保持台になっている。上部電極２及び下部電極３には、
それぞれ高周波電源１１、１２がつながれており、プラ
ズマの生成を行う。また、下部電極３は静電吸着方法を
用いてウエーハ５を保持するため、表面が絶縁物６で覆
われており、直流電源１３につながっている。この下部
電極１３は、被処理体であるウエーハ５の径よりも小さ
く、プラズマと接しないようになっている。被処理体で
あるウエーハ５の周りには、プラズマの均一性を向上さ
せるために下部電極３よりも低く、ウエーハ５と接しな
いよう周辺リング４を設置している。本発明では、特
に、下部電極３と周辺リング４間の隙間を絶縁性物質７
で覆うことでプラズマのまわり込みで付着するデポジシ
ョンを防止している。Hereinafter, the present invention will be described in more detail. In the drawing, two opposing electrodes 2, 3,.
A gas introduction pipe 8 is provided, and the lower electrode 3 serves as a wafer holder. The upper electrode 2 and the lower electrode 3 include
The high-frequency power supplies 11 and 12 are connected to generate plasma. Further, the lower electrode 3 is covered with an insulator 6 so as to hold the wafer 5 using an electrostatic attraction method, and is connected to a DC power supply 13. The lower electrode 13 is smaller than the diameter of the wafer 5 as the object to be processed, and is not in contact with the plasma. A peripheral ring 4 is provided around the wafer 5 to be processed so as to be lower than the lower electrode 3 so as not to contact the wafer 5 in order to improve the uniformity of plasma. In the present invention, in particular, the gap between the lower electrode 3 and the peripheral ring 4 is formed by the insulating material 7.
This prevents deposition from being applied around the plasma.
【００１１】このように構成したプラズマ処理装置にお
いて、ガス導入管８より、ガスを導入し真空容器１内を
一定圧力に保った後、真空容器１内に対向する２枚の上
部電極２、下部電極３に高周波電源１１、１２からの電
圧を印加しプラズマを生成し、ウエーハ５のプラズマ処
理を行う。ウエーハ保持台である下部電極３とリング４
との隙間は、ポリイミド等の絶縁性物質７で覆われてい
る為、プラズマの陰部となるこのウエーハ周辺と保持台
とリングの隙間にまわり込んでくるプラズマ処理時に発
生するデポジションの付着を低減することが出来る。In the plasma processing apparatus configured as described above, a gas is introduced from the gas introduction pipe 8 to maintain the inside of the vacuum vessel 1 at a constant pressure. The voltage from the high frequency power supplies 11 and 12 is applied to the electrode 3 to generate plasma, and the plasma processing of the wafer 5 is performed. Lower electrode 3 and ring 4 which are wafer holders
Is covered with an insulating material 7 such as polyimide so that deposition of plasma generated around the wafer, which is a negative part of plasma, and a gap between the holder and the ring during plasma processing is reduced. You can do it.
【００１２】なお、本発明は、上記した平行平板型プラ
ズマ処理装置の他にも電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）型プラズマ処理装置、誘導結合（ＩＣＰ）型プラズ
マ処理装置など静電吸着を用いるすべての処理装置にお
いて同様の効果が得られる。It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned parallel plate type plasma processing apparatus.
Similar effects can be obtained in all processing apparatuses using electrostatic adsorption, such as an R) type plasma processing apparatus and an inductive coupling (ICP) type plasma processing apparatus.
【００１３】[0013]
【発明の効果】本発明に係わるプラズマ処理装置は上述
のように構成したので、プラズマ処理時にプラズマ陰部
となる下部電極と周辺リング間を絶縁性物質で覆うこと
でデポジションの付着を低減し、デポジション剥がれの
保持台への付着によるウエーハ保持エラー及びウエーハ
の冷却率低下を防ぎ、更にデポジションに起因するパー
ティクルの発生を低減することを可能にした。As described above, the plasma processing apparatus according to the present invention is configured as described above, so that the deposition of the deposition is reduced by covering the space between the lower electrode serving as the plasma negative electrode and the peripheral ring during plasma processing with an insulating material. This prevents a wafer holding error and a decrease in the cooling rate of the wafer due to the adhesion of the deposition peeling to the holding table, and further reduces the generation of particles due to the deposition.
【図１】本発明に係わるプラズマ処理装置の構成を示す
図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a plasma processing apparatus according to the present invention.
【図２】従来のプラズマ処理装置の構成を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a conventional plasma processing apparatus.
１ 真空容器 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ リング ５ ウエーハ ６ 絶縁物 ７ ポリイミド ８ ガス導入管 １１、１２ 高周波電源 １３ 直流電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum container 2 Upper electrode 3 Lower electrode 4 Ring 5 Wafer 6 Insulator 7 Polyimide 8 Gas introduction pipe 11, 12 High frequency power supply 13 DC power supply
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１１年８月１３日（１９９９．８．１
３）[Submission date] August 13, 1999 (1999.8.1)
3)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００６[Correction target item name] 0006
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマ処理装置の第１態様は、上部電極と、ウエーハを
支持する下部電極と、前記下部電極の端部との間に所定
のギャップをもって形成され、均一なプラズマを発生さ
せるべく設けられたシリコンリングとを備えたプラズマ
処理装置において、前記下部電極と前記シリコンリング
との間の前記ギャップを絶縁性物質で充填したことを特
徴とするものであり、又、第２態様は、前記絶縁材はポ
リイミドであることを特徴とするものであり、又、第３
態様は、前記絶縁材はポリイミドからなるテープである
ことを特徴とするものであり、又、第４態様は、前記シ
リコンリングの上面は、前記下部電極の上面より低い位
置にあるように構成したことを特徴とするものであり、
又、第５態様は、前記プラズマ処理装置は、電子サイク
ロトロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置、又は、誘
導結合（ＩＣＰ）型プラズマ処理装置であることを特徴
とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention basically employs the following technical configuration to achieve the above object. That is, the first aspect of the plasma processing apparatus according to the present invention is characterized in that a predetermined distance is provided between an upper electrode, a lower electrode supporting a wafer, and an end of the lower electrode.
Is formed with a gap and generates a uniform plasma.
A plasma processing apparatus comprising a silicon ring provided to
And a gap between the first and second insulating layers is filled with an insulating material. In a second aspect, the insulating material is polyimide.
An aspect is characterized in that the insulating material is a tape made of polyimide, and a fourth aspect is configured such that an upper surface of the silicon ring is positioned lower than an upper surface of the lower electrode. Characterized by the fact that
In a fifth aspect, the plasma processing apparatus includes an electronic cycler.
It is a rotron resonance (ECR) type plasma processing apparatus or an inductively coupled (ICP) type plasma processing apparatus.
Claims (6)
極と、前記下部電極の周囲に設けたシリコンからなるリ
ングとを備え、前記上部電極と下部電極との間に発生し
たプラズマで前記ウエーハの処理を行うプラズマ処理装
置において、 前記下部電極と前記リングとの間に絶縁材を設けたこと
を特徴とするプラズマ処理装置。An upper electrode, a lower electrode for supporting a wafer, and a ring made of silicon provided around the lower electrode, wherein a plasma generated between the upper electrode and the lower electrode is used to reduce the wafer. A plasma processing apparatus for performing a process, wherein an insulating material is provided between the lower electrode and the ring.
徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein said insulating material is polyimide.
であることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装
置。3. The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein said insulating material is a tape made of polyimide.
ロン共鳴（ＥＣＲ）型プラズマ処理装置であることを特
徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。4. The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein said plasma processing apparatus is an electron cyclotron resonance (ECR) type plasma processing apparatus.
Ｐ）型プラズマ処理装置であることを特徴とする請求項
３記載のプラズマ処理装置。5. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the inductive coupling (IC)
The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the plasma processing apparatus is a P) type plasma processing apparatus.
極と、前記下部電極の周囲に設けたシリコンからなるリ
ングとを備え、前記上部電極と下部電極との間に発生し
たプラズマで前記ウエーハの処理を行うプラズマ処理装
置のパーティクルの発生低減方法において、 前記下部電極と前記リングとの間のギャップをポリイミ
ドで埋め、前記ギャップ内へのデポジションの付着を防
止し、このデポジションによるパーティクルの発生を防
止したことを特徴とするプラズマ処理装置内でのパーテ
ィクルの発生低減方法。6. An upper electrode, a lower electrode supporting a wafer, and a ring made of silicon provided around the lower electrode, wherein the wafer generated by the plasma generated between the upper electrode and the lower electrode. In a method for reducing generation of particles in a plasma processing apparatus for performing processing, a gap between the lower electrode and the ring is filled with polyimide to prevent deposition from being attached to the gap, and to generate particles due to the deposition. A method for reducing generation of particles in a plasma processing apparatus, characterized in that generation of particles is prevented.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215190A JP2000049100A (en) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | Plasma treating device and method for reducing occurrence of particles therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10215190A JP2000049100A (en) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | Plasma treating device and method for reducing occurrence of particles therein |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049100A true JP2000049100A (en) | 2000-02-18 |
Family
ID=16668180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10215190A Pending JP2000049100A (en) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | Plasma treating device and method for reducing occurrence of particles therein |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049100A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054248A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
| US7311784B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| WO2009002415A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking |
| CN105118767A (en) * | 2015-07-27 | 2015-12-02 | 郑州大学 | Plasma etching equipment |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP10215190A patent/JP2000049100A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003054248A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
| US7311784B2 (en) * | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| WO2009002415A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking |
| US7782591B2 (en) | 2007-06-22 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking |
| CN105118767A (en) * | 2015-07-27 | 2015-12-02 | 郑州大学 | Plasma etching equipment |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11462387B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP4394073B2 (en) | Process gas introduction mechanism and plasma processing apparatus | |
| JPH029115A (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| KR20170028849A (en) | Focus ring and substrate processing apparatus | |
| JP3657942B2 (en) | Method for cleaning semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2015230988A (en) | Plasma processing device and cleaning method | |
| JPH11340149A (en) | System and method for plasma treatment | |
| JP5432629B2 (en) | Baffle plate and plasma processing apparatus | |
| JP2000124205A (en) | Plasma etching device | |
| JP2869384B2 (en) | Plasma processing method | |
| JP2011108764A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP2000049100A (en) | Plasma treating device and method for reducing occurrence of particles therein | |
| JP4193255B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPH10284475A (en) | Treating method | |
| JP4456218B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP3881290B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JPH02228035A (en) | Method and device for vacuum treatment | |
| JP2002115051A (en) | Bias sputtering device | |
| JPH10223620A (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| JP2000288857A (en) | Electrostatic chuck device and mounting block | |
| JP2002217180A (en) | Method of vacuum treatment of substrsate | |
| JP2002309370A (en) | Sputtering apparatus | |
| JPH06163484A (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| JP2000073188A (en) | Plasma treating apparatus | |
| JPH04318175A (en) | Bias ecr plasma cvd device |