JP2000036521A - Film carrier tape for mounting electronic part and manufacture thereof - Google Patents
Film carrier tape for mounting electronic part and manufacture thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の技術分野】本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの
電子部品を実装するフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(T
ape Automated Bonding)テープ）およびこのテープを製
造する方法に関する。さらに詳しくは本発明は、スズメ
ッキを行う際に、メッキ液によって銅箔が浸食されるこ
とがないフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ(Tape Automa
tedBonding)テープ）およびこのテープを製造する方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film carrier tape (TAB (TB) for mounting electronic parts such as ICs or LSIs.
ape Automated Bonding) tape) and a method of manufacturing this tape. More specifically, the present invention relates to a film carrier tape (TAB (Tape Automa
tedBonding) tape) and a method for producing this tape.
【０００２】[0002]
【発明の技術的背景】近年ノートパソコンなどの電子機
器がますます小型化、軽量化している。また、半導体Ｉ
Ｃの配線もさらに微細化している。BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, electronic devices such as notebook personal computers have become smaller and lighter. Semiconductor I
The wiring of C is further miniaturized.
【０００３】このような電子機器の小型化に伴いＴＡＢ
テープが使用されている。このＴＡＢテープは次のよう
にして製造されている。例えば、ポリイミドフィルムな
どの基材フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔表面にフォ
トレジストを塗布して、このフォトレジストの形成しよ
うとする配線パターン以外の部分を露光して露光された
フォトレジストを除去する。次いで、フォトレジストが
除去された部分の銅箔をエッチングにより除去し、さら
にフォトレジストを除去することにより配線パターンが
形成される。こうして配線パターンが形成されたＴＡＢ
テープに、インナーリードやハンダボール端子などの接
続部分を除いて回路の保護層となるソルダーレジストを
塗布する。このようにしてソルダーレジストを塗布した
後、露出する部分である接続部分にスズメッキ層を形成
する。With the miniaturization of such electronic devices, TAB
Tape is being used. This TAB tape is manufactured as follows. For example, a copper foil is stuck on a base film such as a polyimide film, a photoresist is applied to the surface of the copper foil, and a portion other than a wiring pattern to be formed by the photoresist is exposed and exposed. The resist is removed. Next, the copper foil at the portion where the photoresist has been removed is removed by etching, and the photoresist is removed to form a wiring pattern. TAB with wiring pattern formed in this way
The tape is coated with a solder resist that will be a protective layer of the circuit except for connection parts such as inner leads and solder ball terminals. After applying the solder resist in this manner, a tin plating layer is formed on the exposed connection portion.
【０００４】しかしながら、このようにしてソルダーレ
ジストを塗布し、乾燥硬化させた後スズメッキを行うと
ソルダーレジストの端部から配線パターンに沿ってソル
ダーレジストの下面にメッキ液が浸入し、局部電池を形
成してこの部分の銅が溶出する。すなわち、図２に示す
ように、基材１０上に接着剤層１２を介して銅箔３０を
貼着して常法に従って配線パターン３０を形成した後、
ソルダーレジスト２０を塗布し、乾燥硬化させ、これに
スズメッキ層３１を形成するする際にメッキ液がソルダ
ーレジスト２０の端部２１からソルダーレジスト２０の
下面に浸入しこの部分で局部電池が形成され、この部分
の銅箔が溝状にえぐれた孔蝕が形成されてしまう。図２
にはこのえぐれた部分（えぐれ部）は、３５で示されて
いる。こうしてえぐれ部３５が形成されたＴＡＢテープ
に曲げ応力がかかると、えぐれ部３５に応力が集中し
て、最悪の場合、リード破断に至る。However, when the solder resist is applied in this manner, dried and cured, and then tin-plated, a plating solution penetrates into the lower surface of the solder resist from the end of the solder resist along the wiring pattern to form a local battery. Then, the copper in this portion elutes. That is, as shown in FIG. 2, after the copper foil 30 is adhered on the base material 10 via the adhesive layer 12 to form the wiring pattern 30 according to a conventional method,
The solder resist 20 is applied, dried and cured, and when the tin plating layer 31 is formed thereon, the plating solution penetrates from the end 21 of the solder resist 20 to the lower surface of the solder resist 20, and a local battery is formed at this portion. The pitting of the copper foil in this portion is formed in a groove shape. FIG.
The cut portion (cut portion) is indicated by 35 in FIG. When bending stress is applied to the TAB tape on which the scoring portion 35 is formed in this manner, stress is concentrated on the scooping portion 35, and in the worst case, lead breakage occurs.
【０００５】このようなソルダーレジスト３０の端部か
らの液の浸入を防止することに関して、特開平６-３４
２９６９号公報には、「樹脂を基材とするフィルム上に
導電パターンを形成したフレキシブル回路基板におい
て、回路保護の目的で塗布されるソルダーレジストをパ
ターンにメッキした後に塗布した事を特徴とするフレキ
シブル回路基板、および、その製造方法。」が開示され
ている。Japanese Patent Laid-Open Publication No. 6-34 discloses a technique for preventing the infiltration of the liquid from the end of the solder resist 30.
Japanese Patent No. 2969 discloses a flexible circuit board in which a conductive pattern is formed on a resin-based film, and a solder resist applied for the purpose of protecting the circuit is applied after plating the pattern. Circuit board and manufacturing method thereof ".
【０００６】上記公報に記載の発明によれば、ソルダー
レジストをメッキ後に塗布し、加熱硬化させているの
で、メッキ液がソルダーレジストの下面に浸入するとい
ったことは生じ得ず、また、ソルダーレジストの硬化の
際の加熱によって、スズメッキ層も加熱処理されること
から、ウィスカーの発生を防止するための加熱工程を改
めて行う必要がなくなると記載されている。According to the invention described in the above-mentioned publication, since the solder resist is applied after plating and cured by heating, it is not possible for the plating solution to penetrate into the lower surface of the solder resist. It is described that since the tin plating layer is also heat-treated by heating at the time of curing, there is no need to perform a heating step for preventing the generation of whiskers.
【０００７】ところが、実際の工程上では、メッキ工程
とソルダーレジストの加熱硬化工程とを連続して実施す
ることは困難であり、メッキ工程を経て得られたテープ
には、相当の時間を経た後、ソルダーレジストを塗布さ
れ、さらにソルダーレジストが加熱硬化される。ウィス
カーの成長を抑制するためには、メッキした直後にこの
メッキ層を加熱処理することが必要であり、時間の経過
と共にウィスカーが成長する。また、ソルダーレジスト
の加熱硬化の際の温度条件とウィスカーの成長を抑制す
る温度条件とは必ずしも一致するものではなく、いずれ
か一方の条件に合わせて加熱を行うと、他方の作用効果
が充分に得られないという問題がある。さらに、このよ
うな加熱処理によるウィスカーの成長の制御は、短期間
であれば有用性が高いが、長期間（例えば２〜３ヶ月）
にわたる場合には、そのウィスカー防止効果が減失す
る。However, in the actual process, it is difficult to carry out the plating process and the heat curing process of the solder resist continuously, and the tape obtained through the plating process has a considerable time. Then, a solder resist is applied, and the solder resist is cured by heating. In order to suppress the growth of whiskers, it is necessary to heat-treat this plating layer immediately after plating, and the whiskers grow over time. Further, the temperature conditions during the heat curing of the solder resist and the temperature conditions for suppressing the growth of the whiskers are not necessarily the same, and when heating is performed in accordance with any one of the conditions, the effect of the other is sufficiently effected. There is a problem that it cannot be obtained. Further, the control of whisker growth by such a heat treatment is highly useful if it is for a short period of time, but is long-term (for example, 2 to 3 months).
If it does, the whisker prevention effect is diminished.
【０００８】ところで、ウィスカーの成長を抑制する方
法として、上記のように、スズメッキを行った後、スズ
メッキ層を加熱（アニール処理）してスズメッキ層中に
銅を拡散する方法は既に知られている。この方法によれ
ば、短期間であればウィスカーの発生をある程度防止す
ることができるが、この方法では、長期間（例えば２〜
３ヶ月）にわたって完全にウィスカーの成長を防止する
ことはできないという問題がある。As described above, as a method for suppressing the growth of whiskers, a method of diffusing copper into a tin plating layer by heating (annealing) the tin plating layer after tin plating as described above is already known. . According to this method, the generation of whiskers can be prevented to some extent in a short period of time.
There is a problem that whisker growth cannot be completely prevented over 3 months).
【０００９】こうしたウィスカーの成長を制御する方法
として、特開平５-３３１８７号公報には、「銅又は銅
合金の微細パターン上にスズメッキを施すに際し、まず
厚さ０.１５μｍ以上のスズメッキを施し、次いで加熱
処理して該純スズ層をすべて銅素地とのＣｕ−Ｓｎ拡散
層とし、その上にスズメッキを施し、純スズメッキ厚を
０.１５〜０.８μｍとすることを特徴とするスズメッキ
ホイスカーの抑制方法。」が開示されている。すなわ
ち、この公報に記載の発明は、スズメッキ層を形成し、
このスズメッキ層を加熱処理してこのスズメッキ層に銅
を拡散させた後、再度メッキ（フラッシュメッキ）し
て、銅が拡散されたスズメッキ層表面に純スズメッキ層
を形成してウィスカーの形成を防止するものである。As a method for controlling the growth of such whiskers, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-33187 discloses "When tin plating is performed on a fine pattern of copper or copper alloy, first, tin plating having a thickness of 0.15 μm or more is performed. Then, a heat treatment is performed to convert the pure tin layer into a Cu-Sn diffusion layer with the copper base material, and then apply tin plating thereon to make the pure tin plating thickness 0.15 to 0.8 μm. Suppression method. " That is, the invention described in this publication forms a tin plating layer,
After heat-treating the tin-plated layer to diffuse copper into the tin-plated layer, plating again (flash plating) to form a pure tin-plated layer on the surface of the tin-plated layer in which the copper is diffused, thereby preventing whisker formation. Things.
【００１０】しかしながら、この公報では、配線パター
ン上にソルダーレジストを塗布して硬化させた後にスズ
メッキを行い、さらに加熱処理してこのスズメッキ層に
銅を拡散させた後、この銅が拡散されたスズメッキ層の
表面に再度スズメッキ層を形成している。従って、この
公報に記載の発明では、ウィスカーの形成は制御される
が、ソルダーレジストを塗布して硬化させた後メッキし
ていることから、従来のメッキと同様にソルダーレジス
トの下面にメッキ液が浸入してえぐれ部３５が形成され
るという問題は依然として存在する。However, in this publication, after applying and curing a solder resist on a wiring pattern, tin plating is performed, and then a heat treatment is performed to diffuse copper into the tin plating layer. A tin plating layer is formed again on the surface of the layer. Therefore, in the invention described in this publication, the formation of whiskers is controlled, but since plating is performed after applying and curing the solder resist, the plating solution is applied to the lower surface of the solder resist in the same manner as the conventional plating. There still exists a problem that the undercut 35 is formed by intrusion.
【００１１】[0011]
【発明の目的】本発明は、無電解メッキによっても配線
パターンにえぐれ部が形成されることがなく、しかも長
期間にわたってウィスカーの成長を抑制することができ
るキャリアテープおよびこれを製造する方法を提供する
ことを目的としている。An object of the present invention is to provide a carrier tape and a method of manufacturing the same which can prevent whiskers from growing for a long period of time without forming a curled portion in a wiring pattern even by electroless plating. It is intended to be.
【００１２】[0012]
【発明の概要】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープは、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔をエ
ッチングして所望の配線パターンが形成された電子部品
実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パターン
全体にスズメッキすることにより銅が拡散したスズメッ
キ層(a)が形成されており、該配線パターンの端子部分
を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体からなる
保護層が形成されていると共に、該端子部分には銅が拡
散したスズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を含有しな
いスズメッキ層(b)が形成されていることを特徴として
いる。SUMMARY OF THE INVENTION A film carrier tape for mounting electronic parts according to the present invention is a film carrier tape for mounting electronic parts, in which a copper foil is adhered to an insulating film, and the copper foil is etched to form a desired wiring pattern. There is formed a tin plating layer (a) in which copper is diffused by tin plating over the entire wiring pattern, and a protective layer made of a cured body of a solder resist is formed at a predetermined position except for a terminal portion of the wiring pattern. In addition, a tin-plated layer (b) containing substantially no copper is formed on the surface of the tin-plated layer (a) in which copper is diffused.
【００１３】上記本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープは、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、該銅箔を
エッチングして所望の配線パターンを形成し、配線パタ
ーン全体にスズメッキを施し、その後に加熱することに
より銅が拡散するスズメッキ層(a)を形成し、次いで、
該配線パターンの端子部分を除く所定の部分にソルダー
レジストを塗布して加熱硬化させ、該ソルダーレジスト
が硬化した後、配線パターンの端子部分に再びスズメッ
キを行って実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)を
形成することにより製造することができる。In the above-mentioned film carrier tape for mounting electronic components, a copper foil is adhered to an insulating film, the copper foil is etched to form a desired wiring pattern, and the entire wiring pattern is plated with tin. To form a tin plating layer (a) in which copper diffuses by heating to
A solder resist is applied to a predetermined portion except for the terminal portion of the wiring pattern and cured by heating. After the solder resist is cured, the terminal portion of the wiring pattern is again subjected to tin plating to form a tin plating layer substantially free of copper. It can be produced by forming (b).
【００１４】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、ソルダーレジストが塗布される銅箔からなる
配線パターンの表面にスズメッキ層(a)が形成されてお
り、このスズメッキ層(a)は、加熱により、配線パター
ンからの銅が拡散し、スズ−銅拡散層となる。このよう
にしてスズメッキ層(a)を形成した後、このスズメッキ
層(a)の表面に電極の接合部を除いて所望の位置にソル
ダーレジストを塗布し、このソルダーレジストを乾燥硬
化させる。こうしてソルダーレジストを硬化させた後、
再びスズメッキにより、スズメッキ層(a)の表面に実質
的に銅を含有しないスズメッキ層(b)を形成する。In the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention, a tin plating layer (a) is formed on the surface of a wiring pattern made of copper foil to which a solder resist is applied, and this tin plating layer (a) is heated. As a result, copper from the wiring pattern diffuses to form a tin-copper diffusion layer. After forming the tin plating layer (a) in this way, a solder resist is applied to a desired position on the surface of the tin plating layer (a) except for a joint portion of an electrode, and the solder resist is dried and cured. After curing the solder resist in this way,
The tin plating layer (b) substantially containing no copper is formed on the surface of the tin plating layer (a) by tin plating again.
【００１５】このようにして形成されるキャリアテープ
は、１回目のスズメッキをする際には、ソルダーレジス
トは存在していないので、局部電池の形成によって銅に
えぐれ部が形成されることがなく、また、２回目のスズ
メッキの際には、ソルダーレジストの下面にメッキ液が
浸入したとしても、銅の表面はスズ−銅拡散層が形成さ
れ、銅箔がメッキ液と接触することはないので、銅を電
極とする局部電池が形成されることはなく、従って、図
２に示すようなえぐれ部３５が形成されることがない。In the carrier tape formed in this manner, when the first tin plating is performed, no solder resist is present, so that no curled portion is formed in the copper due to the formation of the local battery. In addition, at the time of the second tin plating, even if the plating solution infiltrates the lower surface of the solder resist, a tin-copper diffusion layer is formed on the copper surface, and the copper foil does not come into contact with the plating solution. A local battery using copper as an electrode is not formed, and therefore, the scoop 35 as shown in FIG. 2 is not formed.
【００１６】さらに、１回目のスズメッキを行った後、
ソルダーレジストの硬化物からなる保護層を形成し、次
いで、２回目のスズメッキを行うことにより、ウィスカ
ーの成長を抑えウィスカーによる短絡を防止できる。After the first tin plating,
By forming a protective layer made of a cured product of the solder resist and then performing the second tin plating, the growth of the whiskers can be suppressed, and the short circuit due to the whiskers can be prevented.
【００１７】図２に示すようなえぐれ部３５が形成され
るメカニズムについてその全容が解明されているわけで
はないが、本発明者は以下に記載するような局部電池の
形成によってこのえぐれ部３５が形成されると考えてい
る。図３は、局部電池の形成によりえぐれ部３５が生ず
るメカニズムを模式的に示す図である。Although the entire mechanism of the formation of the scoring portion 35 as shown in FIG. 2 has not been elucidated, the inventor of the present invention has made this scooping portion 35 by forming a local battery as described below. I believe it will be formed. FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a mechanism in which the scooping portion 35 is generated by forming a local battery.
【００１８】まず、メッキ液がソルダーレジスト端部か
らソルダーレジストの下面に浸入し始めると、ソルダー
レジストに残留する収縮力（内部応力）によって、レジ
ストが浮き上がり、メッキ液の液だまりが形成される。First, when the plating solution starts to enter the lower surface of the solder resist from the edge of the solder resist, the resist rises due to the contraction force (internal stress) remaining in the solder resist, and a liquid pool of the plating solution is formed.
【００１９】このメッキ液には、スズが、ホウフッ化ス
ズなどの形態で含有されており、このスズと銅金属との
間で電気化学的な置換反応が進行し始め、置換した銅イ
オンが液だまりに滞留する。The plating solution contains tin in the form of tin borofluoride or the like, and an electrochemical substitution reaction between the tin and the copper metal starts to proceed, and the substituted copper ions are converted into a solution. Stay in the pool.
【００２０】この滞留した陽性の銅イオンを電気的に中
和するためにメッキ層中の陰イオン（例えばホウフッ化
イオン）が移動する。Anions (for example, borofluoride ions) in the plating layer move to electrically neutralize the retained positive copper ions.
【００２１】ソルダーレジスト端部では陰イオンの移動
により陽性のスズイオンが残り、銅イオンが溶出部から
電子を受け取って金属スズが析出する。At the end of the solder resist, positive tin ions remain due to the movement of anions, and copper ions receive electrons from the eluted portion to deposit metal tin.
【００２２】銅イオンの溶出、陰イオンの移動、電子の
移動、スズの析出が連鎖的に起こることにより、銅溶出
部を陽極とし、スズ析出部を陰極とする局部電池が形成
される。The local battery having the copper-eluted portion as the anode and the tin-deposited portion as the cathode is formed by the chain elution of copper ion elution, anion migration, electron migration, and tin migration.
【００２３】上記のようなメカニズムによりソルダーレ
ジストの下面の銅箔からなる配線パターンが部分的に溶
出してえぐれ部を形成するものと考えられる。It is considered that the wiring pattern made of copper foil on the lower surface of the solder resist is partially eluted to form a scoured portion by the mechanism described above.
【００２４】[0024]
【発明の具体的説明】次に、本発明の電子部品実装用フ
ィルムキャリアテープについて図面を参照しながらその
製造方法に沿って具体的に説明する。なお、以下に示す
図面において共通の部材には共通の付番を付してある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Next, the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention will be described in detail with reference to the drawings along the method of manufacturing the same. In the drawings shown below, common members are assigned common numbers.
【００２５】図１は、本発明の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの断面を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a section of a film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention.
【００２６】本発明び電子部品実装用フィルムキャリア
テープ１には、絶縁フィルム１０と、この表面に、例え
ば接着剤層１２により貼着された電解銅箔からなる配線
パターン３０がこの順序で積層されてなる。そして、こ
の配線パターン３０は、その表面を保護するようにソル
ダーレジスト２０からなる層（硬化物）が塗設されてい
る。In the present invention, an insulating film 10 and a wiring pattern 30 made of electrolytic copper foil adhered to the surface thereof by, for example, an adhesive layer 12 are laminated in this order on the film carrier tape 1 for mounting electronic components. It becomes. The wiring pattern 30 is provided with a layer (hardened material) made of the solder resist 20 so as to protect the surface.
【００２７】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープを構成する絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィ
ルムからなる。また、この絶縁フィルム１０は、エッチ
ングする際に酸などと接触することからこうした薬品に
侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加
熱によっても変質しないような耐熱性を有している。こ
のような可撓性樹脂フィルムを形成する樹脂の例として
は、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリ
アミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特
に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いること
が好ましい。The insulating film 10 constituting the electronic component mounting film carrier tape of the present invention is made of a flexible resin film. In addition, the insulating film 10 has chemical resistance that is not affected by such a chemical because it comes into contact with an acid or the like at the time of etching, and has heat resistance that does not deteriorate even by heating during bonding. Examples of the resin that forms such a flexible resin film include glass epoxy, BT resin, polyester, polyamide, and polyimide. Particularly, in the present invention, it is preferable to use a film made of polyimide.
【００２８】絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリアミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリアミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリアミド（例；商品名：ユーピレッ
クス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。この
ような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５
μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。Examples of the polyimide film constituting the insulating film 10 include a wholly aromatic polyamide synthesized from pyromellitic dianhydride and an aromatic diamine, and a synthetic film formed from biphenyltetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine. And a wholly aromatic polyamide having a biphenyl skeleton. Particularly, in the present invention, a wholly aromatic polyamide having a biphenyl skeleton (eg, trade name: Upilex, manufactured by Ube Industries, Ltd.) is preferably used. The thickness of the insulating film 10 is usually 25 to 125.
μm, preferably in the range of 50 to 75 μm.
【００２９】このような絶縁フィルム１０には、デバイ
スホール、スプロケットホール、アウターリードの切断
穴などがパンチングにより形成されている。In such an insulating film 10, device holes, sprocket holes, cutting holes for outer leads and the like are formed by punching.
【００３０】配線パターン３０は、上記のような所定の
穴が形成された絶縁フィルム１０に、絶縁性の接着剤を
塗布して接着剤層１２を形成し、この接着剤層１２で銅
箔を接着し、この銅箔をエッチングすることにより形成
される。ここで銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔のい
ずれをも使用することができるが、昨今のファインピッ
チ化に対応可能な電解銅箔を使用することが好ましい。The wiring pattern 30 forms an adhesive layer 12 by applying an insulating adhesive to the insulating film 10 having the above-described predetermined holes formed therein. It is formed by bonding and etching this copper foil. Here, as the copper foil, any of an electrolytic copper foil and a rolled copper foil can be used, but it is preferable to use an electrolytic copper foil capable of coping with recent fine pitch.
【００３１】また、上記のような絶縁フィルムに銅箔を
貼着する際には、接着剤を用いることなく貼着すること
もできるが、通常は、接着剤を使用する。ここで使用さ
れる接着剤には、耐熱性、耐薬品性、接着力、可撓性等
の特性が必要になる。このような特性を有する接着剤の
例としては、エポキシ系接着剤およびフェノール系接着
剤を挙げることができる。このような接着剤は、ウレタ
ン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂など
で変性されていてもよく、またエポキシ樹脂自体がゴム
変性されていてもよい。このような接着剤は加熱硬化性
である。このような接着剤層の厚さは、通常は８〜２３
μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にある。このよ
うな接着剤からなる接着剤層１２は、絶縁フィルム１０
の表面に塗布して設けても良いし、また電解銅箔の表面
に塗布して設けても良い。ここで使用される電解銅箔と
してはＴＡＢテープに製造に通常使用されている厚さの
銅箔を使用することができるが、ファインピッチのＴＡ
Ｂテープを製造するためには、銅箔として通常は６〜２
５μmの範囲内、好ましくは９〜１８μｍの範囲内にあ
る銅箔を使用することが望ましい。このような薄い電解
銅箔を使用することにより、狭ピッチ幅のインナーリー
ドを形成することが容易になる。When the copper foil is attached to the insulating film as described above, the copper foil can be attached without using an adhesive, but usually, an adhesive is used. The adhesive used here needs properties such as heat resistance, chemical resistance, adhesive strength, and flexibility. Examples of the adhesive having such characteristics include an epoxy-based adhesive and a phenol-based adhesive. Such an adhesive may be modified with a urethane resin, a melamine resin, a polyvinyl acetal resin, or the like, or the epoxy resin itself may be modified with a rubber. Such an adhesive is heat-curable. The thickness of such an adhesive layer is usually from 8 to 23.
μm, preferably in the range of 10 to 21 μm. The adhesive layer 12 made of such an adhesive is used for the insulating film 10.
And may be provided by applying to the surface of the electrolytic copper foil. As the electrolytic copper foil used here, a copper foil having a thickness normally used for the production of a TAB tape can be used.
In order to manufacture a B tape, usually 6 to 2 copper foils are used.
It is desirable to use a copper foil in the range of 5 μm, preferably in the range of 9 to 18 μm. By using such a thin electrolytic copper foil, it becomes easy to form inner leads having a narrow pitch width.
【００３２】このように絶縁フィルムの表面に銅箔を貼
着した後、この銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、
このフォトレジストに所望の配線パターンを焼き付け硬
化させ、硬化していない部分のフォトレジストを除去す
る。また逆に、露光することにより、特定媒体に溶解可
能となるフォトレジストを使用することもできる。After the copper foil is stuck on the surface of the insulating film, a photoresist is applied to the surface of the copper foil,
A desired wiring pattern is baked and hardened on the photoresist, and the unhardened portion of the photoresist is removed. Conversely, a photoresist that can be dissolved in a specific medium by exposure to light can also be used.
【００３３】こうして硬化したフォトレジストによって
所望の配線パターンが形成された絶縁フィルムと銅箔と
の積層体をエッチングして、硬化したフォトレジストの
存在しない部分の銅箔を溶解除去して絶縁フィルムの表
面に銅箔の配線パターンを形成する。The laminate of the insulating film and the copper foil on which the desired wiring pattern is formed by the photoresist thus cured is etched to dissolve and remove the copper foil in a portion where the cured photoresist does not exist, thereby removing the insulating film. A copper foil wiring pattern is formed on the surface.
【００３４】こうしてエッチングにより配線パターンを
形成した後、硬化したフォトレジストを、例えばアルカ
リ溶液などで除去する。After the wiring pattern is formed by etching in this manner, the hardened photoresist is removed with, for example, an alkaline solution.
【００３５】本発明では上記のようにして配線パターン
を形成した後、この配線パターンの形成された絶縁フィ
ルムをメッキ槽に移して、配線パターンの表面にスズメ
ッキ層(a)３１を形成する。本発明において、スズメッ
キ層は、無電解スズメッキや電気スズメッキ等の方法に
よって形成される。こうして形成された当初のスズメッ
キ層(a)３１は、通常は実質的にスズから形成されてい
るが、このスズメッキ層(a)３１の特性を損なわない範
囲内で他の金属が含有されていても良い。In the present invention, after the wiring pattern is formed as described above, the insulating film on which the wiring pattern is formed is transferred to a plating tank, and a tin plating layer (a) 31 is formed on the surface of the wiring pattern. In the present invention, the tin plating layer is formed by a method such as electroless tin plating or electric tin plating. The initial tin plating layer (a) 31 thus formed is usually substantially formed of tin, but contains other metals within a range that does not impair the properties of the tin plating layer (a) 31. Is also good.
【００３６】スズメッキ層(a)３１の厚さは、０.０１μ
ｍ以上、好ましくは０.１μｍ以上であれば、ソルダー
レジストを塗布した後のメッキ工程において、仮にソル
ダーレジストの下面からメッキ液が浸入した場合であっ
ても、銅箔からなる配線パターンに局部電池が形成され
ることがなく、銅箔からなる配線パターンを有効に保護
することができる。The thickness of the tin plating layer (a) 31 is 0.01 μm.
m or more, preferably 0.1 μm or more, in the plating step after the solder resist is applied, even if the plating solution infiltrates from the lower surface of the solder resist, the local battery can be applied to the wiring pattern made of copper foil. Is not formed, and the wiring pattern made of copper foil can be effectively protected.
【００３７】このスズメッキ層(a)３１は、接着剤１２
に接している配線パターン面を除き、配線パターンの全
面に形成される。The tin plating layer (a) 31 is
Is formed on the entire surface of the wiring pattern except for the wiring pattern surface in contact with the wiring pattern.
【００３８】スズメッキ層(a)３１の厚さが０.５μｍよ
り厚いとスズメッキ層(b)３３と合計した厚さが０.６μ
ｍを超える厚いスズメッキ層では、インナーリードとチ
ップとを接続する際にメッキダレを生じ短絡させること
がある。このことから、スズメッキ層(a)３１の厚さ
は、通常は０.０１μｍ以上、好ましくは０.１μｍ以
上、特に好ましくは０.３〜０.５μｍの範囲内にある。If the thickness of the tin plating layer (a) 31 is larger than 0.5 μm, the total thickness of the tin plating layer (b) 33 and the thickness of the tin plating layer (b) 33 is 0.6 μm.
If the thickness of the tin plating layer exceeds m, plating sag may occur when the inner lead and the chip are connected, resulting in a short circuit. For this reason, the thickness of the tin plating layer (a) 31 is usually 0.01 μm or more, preferably 0.1 μm or more, and particularly preferably in the range of 0.3 to 0.5 μm.
【００３９】このスズメッキ層(a)３１は、接着剤１２
に接している配線パターンを除き配線パターンの全面に
形成される。The tin plating layer (a) 31 is
Is formed on the entire surface of the wiring pattern except for the wiring pattern in contact with the wiring pattern.
【００４０】このようにして形成されたスズメッキ層
(a)３１に銅を拡散させることにより、ウィスカーの形
成を防止できる。スズメッキ層(a)３１に銅を拡散させ
る方法としては、このスズメッキ(a)３１を配線パター
ンと共に加熱する方法を挙げることができる。この際、
加熱温度は、通常は７０〜２００℃、好ましくは１００
〜１５０℃であり、加熱時間はスズメッキの厚さにもよ
るが、通常は３０秒〜１２０分、好ましくは３０分〜６
０分である。このように加熱することにより、形成当初
はスズからなり実質的に他の金属を含有していなかった
スズメッキ層(a)３１に銅が拡散して、この層(a)が、ス
ズ−銅拡散層となる。The tin plating layer thus formed
(a) By diffusing copper into 31, whisker formation can be prevented. As a method of diffusing copper into the tin plating layer (a) 31, a method of heating the tin plating (a) 31 together with the wiring pattern can be mentioned. On this occasion,
The heating temperature is usually 70 to 200 ° C, preferably 100 ° C.
To 150 ° C., and the heating time depends on the thickness of the tin plating, but is usually 30 seconds to 120 minutes, preferably 30 minutes to 6 minutes.
0 minutes. By heating in this way, copper diffuses into the tin plating layer (a) 31 which was initially formed of tin and substantially did not contain any other metal, and this layer (a) diffused tin-copper. Layer.
【００４１】なお、このスズ−銅拡散層を形成するため
の加熱は、必ずしもここで行うことは必要ではなく、次
のソルダーレジストを塗布した後、ソルダーレジスト２
０の硬化のための加熱までの時間が短い場合には、ソル
ダーレジスト２０を硬化させる際に加熱してもよい。こ
の場合におけるスズメッキ層(a)３１は、銅が拡散し得
るスズメッキ層(a)３１である。The heating for forming the tin-copper diffusion layer is not necessarily performed here. After the next solder resist is applied, the solder resist 2 is formed.
In the case where the time until the heating for curing 0 is short, heating may be performed when the solder resist 20 is cured. In this case, the tin plating layer (a) 31 is a tin plating layer (a) 31 through which copper can diffuse.
【００４２】このように銅が拡散したスズメッキ層(a)
３１あるいは銅が拡散し得るスズメッキ層(a)３１の上
にソルダーレジスト２０を塗布する。このソルダーレジ
スト２０としては、高い耐熱性を有する熱硬化性樹脂を
使用することが好ましく、通常はエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂が使用さ
れるが、紫外線感光型のソルダーレジストを使用するこ
ともできる。このようなソルダーレジストは、上記形成
した銅が拡散した（あるいは拡散し得る）スズメッキ層
(a)３１および絶縁フィルム１０に対して良好な接着性
を示す。このようなソルダーレジストは、例えばスクリ
ーン印刷技術を利用して、スズメッキ層(a)の表面に塗
布される。ただし、配線パターン３０の電気的接合部お
よびその近傍は、このようなソルダーレジスト２０は塗
布されない。このソルダーレジスト２０の塗布厚さは、
通常は５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍの範
囲内にある。このような厚さにソルダーレジストを塗布
することにより、物理的に配線パターンを保護すると共
に、配線パターン間の電気的な絶縁性をより確実なもの
とすることができる。The tin plating layer (a) in which copper is diffused as described above
The solder resist 20 is applied on the tin plating layer (a) 31 in which 31 or copper can diffuse. As the solder resist 20, it is preferable to use a thermosetting resin having high heat resistance. Usually, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, and a urethane resin is used. Solder resist can also be used. Such a solder resist has a tin plating layer in which the formed copper is diffused (or can be diffused).
(a) It shows good adhesiveness to 31 and the insulating film 10. Such a solder resist is applied to the surface of the tin plating layer (a) by using, for example, a screen printing technique. However, the solder resist 20 is not applied to the electrical joints of the wiring pattern 30 and the vicinity thereof. The coating thickness of the solder resist 20 is
Usually, it is in the range of 5 to 50 μm, preferably 10 to 40 μm. By applying the solder resist to such a thickness, the wiring patterns can be physically protected and the electrical insulation between the wiring patterns can be further ensured.
【００４３】こうしてソルダーレジストを塗布した後、
加熱硬化性樹脂の場合、このソルダーレジストを加熱し
て硬化させる。このソルダーレジストの硬化のための加
熱温度は、用いるソルダーレジストの種類によっても異
なるが、通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜
１６０℃であり、また、加熱時間は通常は４０分〜１８
０分、好ましくは６０分〜１２０分である。また、ソル
ダーレジスト中のボイド防止等のために、加熱温度を段
階的に上昇させる加熱工程（ステップキュア）によって
加熱してもよい。また、こうした乾燥の際には、真空乾
燥法、赤外線乾燥法等を採用することができる。上記の
ように乾燥の際の加熱により、ソルダーレジスト２０が
充分に硬化すると同時に、スズメッキ層(a)３１もまた
加熱され、銅の拡散がさらに進行する。After applying the solder resist in this manner,
In the case of a thermosetting resin, this solder resist is cured by heating. The heating temperature for curing the solder resist varies depending on the type of the solder resist used, but is usually 100 to 180 ° C., preferably 130 to 180 ° C.
160 ° C., and the heating time is usually 40 minutes to 18 minutes.
0 minutes, preferably 60 minutes to 120 minutes. Further, in order to prevent voids in the solder resist and the like, heating may be performed by a heating step (step cure) in which the heating temperature is increased stepwise. In such drying, a vacuum drying method, an infrared drying method, or the like can be employed. As described above, by heating during drying, the solder resist 20 is sufficiently cured, and at the same time, the tin plating layer (a) 31 is also heated, and the diffusion of copper further proceeds.
【００４４】そして、上記ソルダーレジストを塗布する
前に加熱処理を行わなかった場合には、このソルダーレ
ジストを硬化させる際の加熱条件を、ソルダーレジスト
を硬化させるのに好適な条件にしてソルダーレジストを
硬化させた後、さらに、銅の拡散を促進させるための加
熱処理も連続して行うこともできる。If the heat treatment was not performed before the solder resist was applied, the solder resist was cured by setting the heating conditions for curing the solder resist to conditions suitable for curing the solder resist. After the curing, a heat treatment for promoting the diffusion of copper can be continuously performed.
【００４５】上記のようにしてソルダーレジスト２０を
塗布して硬化させた後、本発明ではソルダーレジスト２
０が塗布されていない部分の配線パターン表面に再びス
ズメッキを施す。After the solder resist 20 is applied and cured as described above, in the present invention, the solder resist 2
Tin plating is applied again to the surface of the wiring pattern where 0 is not applied.
【００４６】このスズメッキ層(b)３３は実質的にスズ
以外の金属成分を含有しておらず、この点において上記
のスズメッキ層(a)３１とは異なる。The tin plating layer (b) 33 does not substantially contain a metal component other than tin, and is different from the tin plating layer (a) 31 in this point.
【００４７】こうして形成されるスズメッキ層(b)３３
の厚さは、通常は０.１〜０.５μｍ、好ましくは０.１
〜０.３μｍの範囲内にある。無電解メッキ法によりこ
うした薄層のスズメッキ層(b)３３を形成することを本
発明では特にフラッシュメッキと記載することがある。
このスズメッキ層(b)３３の厚さを上記範囲内にするこ
とにより、確実なボンディングが可能となると共に、メ
ッキダレを生ずることがなく、短絡が生じにくい。The tin plating layer (b) 33 thus formed
Usually has a thickness of 0.1 to 0.5 μm, preferably 0.1.
0.3 μm. In the present invention, the formation of such a thin tin plating layer (b) 33 by the electroless plating method may be particularly described as flash plating.
By setting the thickness of the tin plating layer (b) 33 within the above range, reliable bonding can be performed, plating sag does not occur, and a short circuit hardly occurs.
【００４８】なお、ソルダーレジストが、紫外線感光型
のフォトソルダーレジストである場合には、スクリーン
印刷技術を利用してスズメッキ層(a)の表面にソルダー
レジストを塗布した後、仮乾燥を行い、被覆する部分と
メッキする部分のパターンに露光して現像を行い、さら
にスズメッキ層(a)とフォトソルダーレジストとの密着
性を向上させるために加熱する。この際、加熱温度は、
通常は１００〜１８０℃、好ましくは１３０〜１６０℃
であり、加熱時間は通常４０分〜１２０分、好ましくは
６０〜９０分である。In the case where the solder resist is an ultraviolet-sensitive photo solder resist, the solder resist is applied to the surface of the tin plating layer (a) by using a screen printing technique, and then temporarily dried to perform coating. Exposure is performed by exposing the pattern of the portion to be plated and the pattern of the portion to be plated, and further heating is performed to improve the adhesion between the tin plating layer (a) and the photo solder resist. At this time, the heating temperature is
Usually 100 to 180 ° C, preferably 130 to 160 ° C
The heating time is usually 40 minutes to 120 minutes, preferably 60 minutes to 90 minutes.
【００４９】スズメッキ層(b)３３は、上記銅が拡散し
たスズメッキ層(a)の表面であって、ソルダーレジスト
２０によって被覆されていない表面に形成される。すな
わち、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ
における配線パターンのソルダーレジストが塗布されて
いない部分、殊にリード部分には、銅箔からなる配線パ
ターン３０の表面に、銅が拡散したスズメッキ層(a)３
１が形成され、さらにこの銅が拡散したスズメッキ層
(a)３１の表面には、実質的に銅を含有しないスズメッ
キ層(b)３３が形成されている。The tin plating layer (b) 33 is formed on the surface of the tin plating layer (a) in which the copper is diffused, and is not covered with the solder resist 20. That is, in the portion of the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention where the solder resist of the wiring pattern is not applied, in particular, in the lead portion, the surface of the wiring pattern 30 made of copper foil has a tin plating layer in which copper is diffused. a) 3
1 is formed, and furthermore, a tin plating layer in which this copper is diffused.
On the surface of (a) 31, a tin plating layer (b) 33 substantially containing no copper is formed.
【００５０】上記銅からなる配線パターンの一表面に形
成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と実質的に銅を
含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さ[(a)+(b)]
は、通常は、０.０２〜０.６μｍの範囲、好ましくは
０.２〜０.６μｍの範囲内、特に好ましくは０.４〜０.
５μｍの範囲内にある。The total thickness [(a) + (+) of the tin-plated layer (a) in which copper is diffused and which is formed on one surface of the wiring pattern made of copper and the tin-plated layer (b) substantially containing no copper is formed. b)]
Is usually in the range of 0.02 to 0.6 μm, preferably in the range of 0.2 to 0.6 μm, particularly preferably 0.4 to 0.6 μm.
It is in the range of 5 μm.
【００５１】上記のようにフラッシュメッキにより薄層
のスズメッキ層(b)３３を形成することにより、配線パ
ターンからのウィスカーの成長をほぼ完全に防止するこ
とができる。また、このスズメッキ層(b)３３は、実質
的にスズからなり、例えば金バンプ電極を有するデバイ
スを実装する際には、このスズと金とが共晶化合物を形
成してバンプ電極と配線パターン３０（リード）とが、
強固に、かつ確実に接合される。By forming the thin tin plating layer (b) 33 by flash plating as described above, the growth of whiskers from the wiring pattern can be almost completely prevented. The tin plating layer (b) 33 is substantially made of tin. For example, when mounting a device having a gold bump electrode, the tin and gold form a eutectic compound to form a bump electrode and a wiring pattern. 30 (lead)
It is firmly and securely joined.
【００５２】しかも、このフラッシュメッキによりスズ
メッキ層(b)を形成する際に、ソルダーレジストは、銅
が拡散したスズメッキ層(a)と強固に接合しており、ス
ズメッキ層(a)３１とソルダーレジスト２０とが強固に
接着しているので、ソルダーレジスト２０の下面と、ス
ズメッキ層(a)の上面との間にメッキ液等が浸入するこ
とがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液が浸入し
たとしても、配線パターン３０の表面は、スズメッキ層
(a)３１で被覆されており銅は露出していないので、浸
入したメッキ液による局部電池が形成されることはな
く、従って、本発明によれば、従来のＴＡＢテープにお
けるスズメッキの際のえぐれ部（孔蝕）３５などが生ず
ることがなく、リード破断などが生じにくい。Further, when the tin plating layer (b) is formed by the flash plating, the solder resist is firmly bonded to the tin plating layer (a) in which copper is diffused, and the tin plating layer (a) 31 is connected to the solder resist. 20 is firmly adhered to the lower surface of the solder resist 20 and the upper surface of the tin plating layer (a). The surface of the wiring pattern 30 has a tin plating layer
(a) Since the copper is covered with 31 and the copper is not exposed, a local battery is not formed by the infiltrated plating solution, and therefore, according to the present invention, scouring during tin plating on a conventional TAB tape is performed. No portion (pitting) 35 or the like occurs, and breakage of the lead and the like hardly occur.
【００５３】また、このようにフラッシュメッキによっ
てスズメッキ層(b)３３を形成することにより、スズの
ウィスカーの生成をほぼ恒久的に防止することが可能に
なる。Further, by forming the tin plating layer (b) 33 by flash plating, it is possible to almost permanently prevent the formation of tin whiskers.
【００５４】なお、このスズメッキ層(b)３３には、ス
ズメッキ層(a)３１とは異なり、加熱処理する必要はな
い。また、配線パターンの上には、スズメッキ層(a)３
１が形成され、このスズメッキ層(a)３１には銅が拡散
しているので、短期間であれば、このスズメッキ層(a)
３１によりウィスカーの成長は制御され、その後のソル
ダーレジストの塗布およびフラッシュメッキによるスズ
メッキ層(b)３３の形成までにある程度の時間があって
もＴＡＢテープの性能が低下することがない。従って、
本発明によれば、製造工程の管理が容易になる。The tin plating layer (b) 33 does not need to be heat-treated, unlike the tin plating layer (a) 31. In addition, on the wiring pattern, a tin plating layer (a) 3
1 is formed, and copper is diffused in the tin plating layer (a) 31.
The growth of whiskers is controlled by 31, and the performance of the TAB tape does not deteriorate even if there is some time until the application of the solder resist and the formation of the tin plating layer (b) 33 by flash plating. Therefore,
According to the present invention, management of the manufacturing process is facilitated.
【００５５】こうして形成された銅が拡散したスズメッ
キ層(a)と実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b)とか
らなる本発明におけるメッキ層と、従来のスズメッキ層
とは、Ｘ線回折法、ＡＥＳ分析法等を利用することによ
り区別することができる。例えば、Ｘ線回折により、層
中におけるＣｕ3ＳｎとＣｕ6Ｓｎ5とのＸ線回折強度を
測定すると、本発明のメッキ層では通常は１：０.３〜
０.５であるのに対して、従来のメッキ層では１：１〜
１.５の範囲内にある。また、ＡＥＳ分析によれば、本
発明におけるメッキ層の表面近傍では、純スズ層である
のに対して、従来のメッキ層では、銅が表面付近まで拡
散していることが確認することができる。The plating layer of the present invention composed of the tin plating layer (a) in which copper thus diffused and the tin plating layer (b) containing substantially no copper, and the conventional tin plating layer are different from each other by the X-ray diffraction method. , AES analysis and the like. For example, when the X-ray diffraction intensities of Cu 3 Sn and Cu 6 Sn 5 in the layer are measured by X-ray diffraction, the plating layer of the present invention usually shows 1: 0.3 to
In contrast to 0.5, the conventional plating layer has a ratio of 1: 1 to 1
It is in the range of 1.5. Further, according to the AES analysis, it can be confirmed that copper is diffused to the vicinity of the surface in the conventional plating layer, while the pure tin layer is in the vicinity of the surface of the plating layer in the present invention. .
【００５６】本発明の電子部品実装用フィルムキャリア
テープは、好適には上記の方法により形成されるもので
あり、絶縁フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔をエッチ
ングして所望の配線パターンが形成された電子部品実装
用フィルムキャリアテープであり、この配線パターンの
ほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散したスズ
メッキ層(a)が形成されており、この配線パターンの端
子部分を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体か
らなる保護層が形成されていると共に、この端子部分に
は銅が拡散したスズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を
含有しないスズメッキ層(b)が形成されているが、さら
に、その特性を損なわない範囲内で種々改変することが
できる。The film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention is preferably formed by the above-described method. A copper foil is attached to an insulating film, and the copper foil is etched to obtain a desired wiring pattern. Is a film carrier tape for mounting electronic components, and a tin-plated layer (a) in which copper is diffused by tin-plating almost all of the wiring pattern is formed, and a predetermined portion excluding a terminal portion of the wiring pattern is formed. A protective layer made of a cured body of the solder resist is formed at the position, and a tin-plated layer (b) substantially containing no copper is formed on the surface of the tin-plated layer (a) in which copper is diffused at the terminal portion. However, various modifications can be made without impairing the characteristics.
【００５７】例えば、銅箔としては、銅箔だけでなく、
銅合金箔を用いることができるし、また、スズメッキ
は、純スズメッキであることが好ましいが、これらのス
ズメッキ層には、その特性を損なわない範囲内で他の金
属が含有されていてもよい。For example, copper foil is not limited to copper foil.
A copper alloy foil can be used, and the tin plating is preferably pure tin plating. However, these tin plating layers may contain other metals as long as their properties are not impaired.
【００５８】[0058]
【発明の効果】本発明の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープによれば、配線パターンからのウィスカーの成
長をほぼ完全に防止することができると共に、バンプ電
極と配線パターンとが、強固に、かつ確実に接合され
る。さらに、本発明によれば、ソルダーレジストの下面
と、スズメッキ層(a)のとの間にメッキ液等が浸入する
ことがほとんどなく、また仮にこの間にメッキ液が浸入
したとしても、配線パターンの表面は、スズメッキ層
(a)で被覆されており銅は露出していないので、従来の
ＴＡＢテープにおけるスズメッキの際のえぐれ部（孔
蝕）３５などが生ずることがなく、本発明の電子部品実
装用フィルムキャリアテープリードは破断などが生じに
くい。According to the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention, the growth of whiskers from the wiring pattern can be almost completely prevented, and the bump electrode and the wiring pattern can be firmly and reliably formed. Joined to. Furthermore, according to the present invention, the plating solution or the like hardly infiltrates between the lower surface of the solder resist and the tin plating layer (a), and even if the plating solution infiltrates during this time, the wiring pattern The surface is a tin plating layer
Since the copper is covered with (a) and the copper is not exposed, there is no occurrence of a scorched portion (pitting corrosion) 35 at the time of tin plating in the conventional TAB tape, and the film carrier tape lead for mounting electronic components of the present invention. Is less likely to break.
【００５９】また、本発明の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープでは、ウィスカーが成長しにくい。In the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention, whiskers are unlikely to grow.
【００６０】そして、本発明の製造方法によれば、製造
中にウィスカーが成長することがないので、製造工程の
管理が容易になる。According to the manufacturing method of the present invention, whiskers do not grow during the manufacturing, so that the manufacturing process can be easily managed.
【００６１】[0061]
【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明をさらに
詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定される
ものではないEXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples of the present invention, but the present invention is not limited to these examples.
【００６２】[0062]
【実施例１】ポリイミドフィルム上に厚さ１８μｍの銅
箔からなる配線パターンを形成した。このキャリアテー
プの配線パターンの全面に厚さ０.４μｍのスズメッキ
層を形成し、１２５℃で６０分間加熱処理した。次い
で、この配線パターンのリード部分を残してソルダーレ
ジストを塗布し、８０℃で４５分間加熱し、さらに８秒
間露光し、４０秒間現像した後、１５０℃で６０分間加
熱してソルダーレジストを完全に硬化させた。EXAMPLE 1 A wiring pattern made of a copper foil having a thickness of 18 μm was formed on a polyimide film. A tin plating layer having a thickness of 0.4 μm was formed on the entire surface of the wiring pattern of the carrier tape, and was heated at 125 ° C. for 60 minutes. Next, a solder resist is applied while leaving the lead portion of the wiring pattern, heated at 80 ° C. for 45 minutes, exposed for 8 seconds, developed for 40 seconds, and then heated at 150 ° C. for 60 minutes to completely remove the solder resist. Cured.
【００６３】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.２μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキし、１２０℃で６０分間加熱処理した。After the solder resist was cured in this manner, the exposed lead portions were plated with tin at a thickness of 0.2 μm and heat-treated at 120 ° C. for 60 minutes.
【００６４】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。また、ソルダーレジ
ストの下面へのメッキの潜り込み現象も見られなかっ
た。When the obtained film carrier tape for mounting electronic components was observed with an electron microscope, no scintillation was formed in the lead portion. Also, no phenomenon of plating sneaking into the lower surface of the solder resist was observed.
【００６５】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は見られなかった。Further, no whisker grew from the lead portion thus formed.
【００６６】[0066]
【実施例２】実施例１と同様にして形成したキャリアテ
ープの配線パターンの全面に厚さ０.４μｍのスズメッ
キ層を形成し、１２５℃で６０分間加熱処理した。次い
で、この配線パターンのリード部分を残してソルダーレ
ジストを塗布し、８０℃で４５分間加熱し、さらに８秒
間露光し、４０秒間現像した後、１５０℃で６０分間加
熱してソルダーレジストを完全に硬化させた。Example 2 A tin plating layer having a thickness of 0.4 μm was formed on the entire surface of a wiring pattern of a carrier tape formed in the same manner as in Example 1, and heat-treated at 125 ° C. for 60 minutes. Next, a solder resist is applied while leaving the lead portion of the wiring pattern, heated at 80 ° C. for 45 minutes, exposed for 8 seconds, developed for 40 seconds, and then heated at 150 ° C. for 60 minutes to completely remove the solder resist. Cured.
【００６７】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.２μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキ層を形成した。After the solder resist was cured in this way, a tin plating layer was formed on the exposed lead portions with a thickness of 0.2 μm.
【００６８】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。また、ソルダーレジ
ストの下面へのメッキの潜り込み現象も見られなかっ
た。When the obtained film carrier tape for mounting electronic components was observed using an electron microscope, no curled portion was formed in the lead portion. Also, no phenomenon of plating sneaking into the lower surface of the solder resist was observed.
【００６９】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は長期間に亘り見られなかった。Further, whisker growth from the thus formed lead portion was not observed for a long period of time.
【００７０】[0070]
【実施例３】実施例１と同様にして形成したキャリアテ
ープの配線パターンに厚さ０.２μｍのスズメッキ層を
形成し、１２５℃で６０分間加熱処理した。次いで、こ
の配線パターンのリード部分を残してソルダーレジスト
を塗布し、８０℃で４５分間加熱し、さらに８秒間露光
し、４０秒間現像した後、１５０℃で６０分間加熱して
ソルダーレジストを完全に硬化させた。Example 3 A tin plating layer having a thickness of 0.2 μm was formed on a wiring pattern of a carrier tape formed in the same manner as in Example 1, and heat-treated at 125 ° C. for 60 minutes. Next, a solder resist is applied while leaving the lead portion of the wiring pattern, heated at 80 ° C. for 45 minutes, exposed for 8 seconds, developed for 40 seconds, and then heated at 150 ° C. for 60 minutes to completely remove the solder resist. Cured.
【００７１】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.４μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキした後、１２５℃で６０秒間加熱処理した。After the solder resist was cured as described above, the exposed lead portions were plated with tin at a thickness of 0.4 μm, and then heat-treated at 125 ° C. for 60 seconds.
【００７２】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。When the obtained film carrier tape for mounting electronic parts was observed with an electron microscope, no scintillation was formed in the lead portion.
【００７３】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は長期間に亘り見られなかった。Further, whisker growth from the thus formed lead portion was not observed for a long period of time.
【００７４】[0074]
【実施例４】実施例１と同様にして形成したキャリアテ
ープの配線パターンに厚さ０.２μｍのスズメッキ層を
形成した。次いで、この配線パターンのリード部分を残
してソルダーレジストを塗布し、８０℃で４５分間加熱
し、さらに８秒間露光し、４０秒間現像した後、１５０
℃で６０分間加熱してソルダーレジストを完全に硬化さ
せた。Example 4 A tin plating layer having a thickness of 0.2 μm was formed on a wiring pattern of a carrier tape formed in the same manner as in Example 1. Next, a solder resist is applied leaving the lead portion of the wiring pattern, heated at 80 ° C. for 45 minutes, exposed for 8 seconds, developed for 40 seconds, and then developed for 150 seconds.
Heating at 60 ° C. for 60 minutes completely cured the solder resist.
【００７５】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、０.４μｍの厚さで露出しているリード部分にスズ
メッキした後、１２５℃で６０秒間加熱処理した。After the solder resist was cured as described above, the exposed lead portions having a thickness of 0.4 μm were tin-plated, and then heat-treated at 125 ° C. for 60 seconds.
【００７６】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したが、リード部分に
えぐれ部は形成されていなかった。When the obtained film carrier tape for mounting electronic parts was observed with an electron microscope, no curled portion was formed in the lead portion.
【００７７】さらに、こうして形成されたリード部から
のウィスカーの成長は長期間に亘り見られなかった。Further, whisker growth from the thus formed lead portion was not observed for a long period of time.
【００７８】[0078]
【実施例５〜１０】実施例１と同様にして形成したキャ
リアテープの配線パターンに下記表１に記載の条件で表
１記載の厚さのスズメッキ層(a)を形成し、１２５℃で
６０分間加熱処理した。次いで、実施例１と同様にし
て、配線パターンのリード部分を残してソルダーレジス
トを塗布し硬化させた。Examples 5 to 10 A tin plating layer (a) having a thickness shown in Table 1 was formed on a wiring pattern of a carrier tape formed in the same manner as in Example 1 under the conditions shown in Table 1 below. Heated for minutes. Next, in the same manner as in Example 1, a solder resist was applied and cured except for the lead portion of the wiring pattern.
【００７９】こうしてソルダーレジストを硬化させた
後、露出しているリード部分にスズメッキ層(b)を形成
した。こうしてスズメッキ層(b)を形成した後、ケイ光
Ｘ線を用いて、スズメッキ層(a)とスズメッキ層(b)との
合計の厚さを測定し、結果を表１に示す。After the solder resist was cured in this way, a tin plating layer (b) was formed on the exposed lead portions. After forming the tin plating layer (b) in this way, the total thickness of the tin plating layer (a) and the tin plating layer (b) was measured using fluorescent X-rays, and the results are shown in Table 1.
【００８０】得られた電子部品実装用フィルムキャリア
テープを電子顕微鏡を用いて観察したがウィスカーの成
長は見られなかった。また、リード部分にえぐれ部は形
成されていなかった。さらに、ソルダーレジストの下面
へのメッキの潜り込み現象も見られなかった。When the obtained film carrier tape for mounting electronic parts was observed with an electron microscope, no growth of whiskers was observed. In addition, no curving portion was formed in the lead portion. Furthermore, the phenomenon of plating sneaking into the lower surface of the solder resist was not observed.
【００８１】[0081]
【表１】 [Table 1]
【図１】図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープにおけるリード部分の断面の例を示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of a lead portion in a film carrier tape for mounting electronic components of the present invention.
【図２】図２は、従来のＴＡＢテープにおける電子部品
実装用電子部品実装用フィルムキャリアテープにおける
リード部分の断面の例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a cross-section of a lead portion in a film carrier tape for mounting electronic components on a conventional TAB tape.
【図３】図３は、えぐれ部が形成されるメカニズムを説
明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a mechanism by which a scooping portion is formed;
１０・・・絶縁フィルム １２・・・接着剤層 ２０・・・ソルダーレジスト ３０・・・配線パターン（銅箔） ３１・・・銅が拡散したスズメッキ層(a) ３３・・・実質的に銅を含有しないスズメッキ層(b) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Insulating film 12 ... Adhesive layer 20 ... Solder resist 30 ... Wiring pattern (copper foil) 31 ... Tin plating layer (a) in which copper was diffused 33 ... Substantially copper -Free tin plating layer (b)
Claims (13)
エッチングして所望の配線パターンが形成された電子部
品実装用フィルムキャリアテープであり、該配線パター
ンのほぼ全体にスズメッキすることにより銅が拡散した
スズメッキ層(a)が形成されており、該配線パターンの
端子部分を除く所定の位置にソルダーレジストの硬化体
からなる保護層が形成されていると共に、該端子部分に
は銅が拡散したスズメッキ層(a)の表面に実質的に銅を
含有しないスズメッキ層(b)が形成されていることを特
徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。1. A film carrier tape for mounting electronic components on which a desired wiring pattern is formed by attaching a copper foil to an insulating film and etching the copper foil, and tin-plating almost the entire wiring pattern. A tin plating layer (a) in which copper is diffused is formed, a protective layer made of a cured body of a solder resist is formed at a predetermined position except for the terminal portion of the wiring pattern, and copper is formed on the terminal portion. A film carrier tape for mounting electronic components, characterized in that a tin-plated layer (b) containing substantially no copper is formed on the surface of the tin-plated layer (a) into which the copper has diffused.
均厚さが、０.０１〜０.５μｍの範囲内にあることを特
徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキ
ャリアテープ。2. The electronic component mounting film according to claim 1, wherein the average thickness of the tin-plated layer (a) in which the copper is diffused is in a range of 0.01 to 0.5 μm. Carrier tape.
均厚さが、０.１〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴
とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ。3. The electronic component mounting film according to claim 1, wherein the average thickness of the tin-plated layer (a) in which the copper is diffused is in a range of 0.1 to 0.5 μm. Carrier tape.
層(b)平均厚さが、０.１〜０.５μｍの範囲内にあるこ
とを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープ。4. The electronic component mounting according to claim 1, wherein said tin-plated layer (b) having substantially no copper content has an average thickness in a range of 0.1 to 0.5 μm. Film carrier tape.
形成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と実質的に銅
を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.０
２〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第１項または第２項記載の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ。5. A total thickness of a tin plating layer (a) in which copper is diffused and which is formed on one surface of the wiring pattern made of copper and a tin plating layer (b) substantially containing no copper is set to be equal to or less than 0.1. 0
3. The film carrier tape for mounting electronic parts according to claim 1, wherein the thickness is in the range of 2 to 0.6 [mu] m.
形成された銅が拡散したスズメッキ層(a)と実質的に銅
を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.２
〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項第
１項または第３項記載の電子部品実装用フィルムキャリ
アテープ。6. A total thickness of a tin plating layer (a) in which copper is diffused and which is formed on one surface of the wiring pattern made of copper and a tin plating layer (b) substantially containing no copper is set to be 0.3. 2
4. The film carrier tape for mounting electronic parts according to claim 1, wherein the thickness is in the range of 0.6 to 0.6 [mu] m.
エッチングして所望の配線パターンを形成し、配線パタ
ーン全体に銅が拡散するスズメッキ層(a)を形成した
後、次いで、該配線パターンの端子部分を除く所定の部
分にソルダーレジストを塗布して硬化させ、該ソルダー
レジストが硬化した後、配線パターンの端子部分に再び
スズメッキを行って実質的に銅を含有しないスズメッキ
層(b)を形成することを特徴とする電子部品実装用フィ
ルムキャリアテープの製造方法。7. A copper foil is stuck on an insulating film, the copper foil is etched to form a desired wiring pattern, and after forming a tin plating layer (a) in which copper diffuses throughout the wiring pattern, A solder resist is applied to a predetermined portion except for the terminal portion of the wiring pattern and cured, and after the solder resist is cured, the terminal portion of the wiring pattern is subjected to tin plating again and a tin plating layer substantially containing no copper ( A method for producing a film carrier tape for mounting electronic components, wherein b) is formed.
ズメッキ層(a)を、無電解スズメッキにより形成した
後、ソルダーレジストを塗布する前に、８０〜１５０℃
に配線パターンを加熱することを特徴とする請求項第７
項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造
方法。8. After forming a tin plating layer (a) in which copper diffuses in the entire wiring pattern by electroless tin plating, before applying a solder resist, the tin plating layer (a) is heated to 80 to 150 ° C.
8. The method according to claim 7, wherein the wiring pattern is heated.
The method for producing a film carrier tape for mounting electronic components according to the above item.
１〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第７項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
製造方法。9. An average thickness of the tin plating layer (a) is 0.0.
8. The method according to claim 7, wherein the thickness is in the range of 1 to 0.5 [mu] m.
１〜０.５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第７項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの
製造方法。10. The tin-plated layer (a) having an average thickness of 0.5.
8. The method according to claim 7, wherein the thickness is in the range of 1 to 0.5 [mu] m.
キ層(b)の平均厚さが、０．１〜０．５μｍの範囲内に
あることを特徴とする請求項第７項記載の電子部品実装
用フィルムキャリアテープの製造方法。11. The electronic component according to claim 7, wherein the average thickness of the tin-plated layer (b) containing substantially no copper is in a range of 0.1 to 0.5 μm. Manufacturing method of film carrier tape for mounting.
に形成された銅が拡散するスズメッキ層(a)と実質的に
銅を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.
０２〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求
項第７項または第９項に記載の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの製造方法。12. The total thickness of a tin-plated layer (a) formed on one surface of the wiring pattern made of copper and in which copper diffuses and a tin-plated layer (b) substantially containing no copper is set to be 0.1.
The method for producing a film carrier tape for mounting electronic parts according to claim 7, wherein the thickness is in a range of from 02 to 0.6 μm.
に形成された銅が拡散するスズメッキ層(a)と実質的に
銅を含有しないスズメッキ層(b)との合計の厚さが、０.
２〜０.６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項
第７項または第１０項に記載の電子部品実装用フィルム
キャリアテープの製造方法。13. The total thickness of a tin-plated layer (a) formed on one surface of the wiring pattern made of copper and in which copper diffuses and a tin-plated layer (b) substantially containing no copper is set to be 0.1.
The method for producing a film carrier tape for mounting electronic components according to claim 7, wherein the thickness is in a range of 2 to 0.6 μm.
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