ITMI20010995A1 - Dispensatori di cesio e processo per il loro uso - Google Patents
Dispensatori di cesio e processo per il loro uso Download PDFInfo
- Publication number
- ITMI20010995A1 ITMI20010995A1 IT2001MI000995A ITMI20010995A ITMI20010995A1 IT MI20010995 A1 ITMI20010995 A1 IT MI20010995A1 IT 2001MI000995 A IT2001MI000995 A IT 2001MI000995A IT MI20010995 A ITMI20010995 A IT MI20010995A IT MI20010995 A1 ITMI20010995 A1 IT MI20010995A1
- Authority
- IT
- Italy
- Prior art keywords
- cesium
- dispenser
- series
- electrodes
- production
- Prior art date
Links
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 85
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- -1 cesium compound Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 3
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BROHICCPQMHYFY-UHFFFAOYSA-N caesium chromate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][Cr]([O-])(=O)=O BROHICCPQMHYFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- AGNOBAWAZFBMMI-UHFFFAOYSA-N dicesium dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O AGNOBAWAZFBMMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical class [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000315 carcinogenic Toxicity 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AQWIYQPYXQGBQU-UHFFFAOYSA-N dicesium;oxido-(oxido(dioxo)chromio)oxy-dioxochromium Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O AQWIYQPYXQGBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000037406 food intake Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Description
DESCRIZIONE dell’invenzione industriale dal titolo:
DISPENSATORI DI CESIO E PROCESSO PER IL LORO USO
La presente invenzione si riferisce a dispositivi dispensatori di cesio e ad un processo in cui questi vengono impiegati.
Il cesio è impiegato da molto tempo in campo elettronico. In particolare, questo metallo è stato usato in passato per la produzione di superfici fotosensibili, per esempio di intensificatoli di immagine o tubi fotomoltiplicatori.
Un nuovo campo di applicazione del cesio è negli schermi OLED (dall’inglese “Organic Light Emitting Display”).
In sintesi, un OLED è costituito da un primo supporto trasparente planare (in vetro o plastica); un secondo supporto non necessariamente trasparente, che può essere realizzato in vetro, metallo o plastica, essenzialmente planare e parallelo al primo supporto e fissato lungo il perimetro di questo, così da formare uno spazio chiuso; ed una struttura attiva nella formazione dell’immagine in detto spazio. A sua volta, la struttura attiva è formata da una prima serie di elettrodi trasparenti lineari e paralleli tra loro, depositata sul primo supporto; un multistrato di materiali organici elettroluminescenti diversi, comprendente almeno uno strato di un materiale conduttore di elettroni ed uno strato di un materiale conduttore di vacanze elettroniche (nel settore definite anche come “buche”) depositato sulla prima serie di elettrodi; una seconda serie di elettrodi, lineari e paralleli tra loro e con orientamento ortogonale a quelli della prima serie, a contatto con il lato opposto del multistrato di materiali organici, di modo che questo sia compreso tra le due serie di elettrodi. Per una descrizione più dettagliata della struttura e del funzionamento degli schermi OLED si può fare riferimento, per esempio, alle domande di brevetto EP-A-845924, EP-A-949696, JP-A-9-078058 e al brevetto US 6.013.384. Recentemente è stato verificato che il drogaggio di uno o più strati del multistrato organico con piccole quantità di metalli elettron-donatori, in particolare cesio, consente di ridurre la differenza di potenziale da applicare alle due serie di elettrodi per il funzionamento degli schermi, e quindi il consumo energetico di questi ultimi.
Data la sua elevata reattività ai gas atmosferici e all’umidità, il cesio non viene normalmente impiegato nell’ industria come metallo puro, ma piuttosto in forma di suoi composti stabili all’ aria a temperatura ambiente.
Alcuni composti di cesio rilasciano il metallo per semplice riscaldamento. Tra questi composti si possono citare le leghe con silicio o germanio descritte per esempio nella domanda di brevetto EP-A-360317 e nel brevetto US 5.066.888, o l’intercalato di cesio in grafite, di formula CsC8, della domanda di brevetto EP-A-130803. Questi composti non hanno però applicazioni pratiche a livello industriale.
Normalmente nell industria si impiegano il dicromato di cesio, Cs2Cr207 o, più comunemente, il cromato, Cs2Cr04, in miscela con un agente riducente. Per riscaldamento di queste miscele a temperature generalmente superiori a 500 °C, e comunemente tra 550 e 650 °C, si ha una reazione in cui il cromo viene ridotto ad una valenza inferiore e che ha come conseguenza la liberazione del cesio in forma di vapore. Come agenti riducenti vengono generalmente usati alluminio, silicio, o leghe getter, cioè leghe a base di titanio o zirconio con alluminio o uno o più elementi di transizione. L’impiego di queste miscele è descritto per esempio nel brevetto US 2.117.735.
Questi composti sono generalmente inseriti all’interno di opportuni dispensatori, che sono in grado di trattenere particelle solide dei composti stessi, ma hanno almeno una parte della superficie permeabile ai vapori di cesio. Diverse forme di dispensatori sono oggetto per esempio dei brevetti US 3.578.834, US 3.579.459, US 3.598.384, US 3.636.302, US 3.663.121 e US 4.233.936. Un’altra caratteristica richiesta ai dispensatori di cesio è quella di non rilasciare gas nocivi al funzionamento dei dispositivi in cui è impiegato il cesio durante la produzione degli stessi.
Il cromato ed il dicromato di cesio hanno però lo svantaggio di contenere cromo esavalente, che può causare irritazioni per contatto, ingestione o inalazione e può risultare cancerogeno in caso di prolungate esposizioni.
Nei processi di produzione dei dispositivi tradizionali in cui viene impiegato il cesio (intensificatoli di immagine o fotomoltiplicatori) si raggiungono temperature elevate, e solo con l’impiego del cromato e del dicromato si può evitare che il cesio venga rilasciato in una fase prematura del processo. Inoltre, in questi casi si hanno produzioni limitate, e di conseguenza le quantità di cromato impiegate sono ridotte.
Le temperature dei processi di produzione degli OLED sono invece inferiori, e per questi schermi sono previste produzioni su larghissima scala, nell’ordine delle decine di milioni di pezzi all’anno. Con questi volumi, i problemi di sicurezza legati al trasporto e all’uso dei cromati diventano notevoli. Nella produzione degli OLED è quindi possibile e altamente desiderabile non ricorrere all’impiego di Cs2Cr04 o Cs2Cr207 per l’evaporazione del cesio.
Scopo della presente invenzione è quello di fornire dispensatori di cesio particolarmente adatti alla produzione di schermi OLED, in cui il cesio non sia presente sotto forma di un sale di cromo.
Un ulteriore scopo della presente invenzione è quello di fornire un processo per l’impiego dei dispensatori di cesio nella produzione di schermi OLED.
Questi scopi vengono ottenuti dalla presente invenzione, che in un suo primo aspetto riguarda dispensatori di cesio costituiti da un contenitore in grado di trattenere particelle solide ma con almeno una parte della superficie permeabile ai vapori di cesio e contenente una miscela tra almeno un composto di cesio ed almeno un agente riducente, caratterizzati dal fatto che il composto di cesio è scelto tra il molibdato, il tungstato, il niobato, il tantalato, il silicato, il titanato e lo zirconato.
L’invenzione verrà descritta nel seguito con riferimento alle Figure in cui:
- la Fig. 1 mostra, in vista prospettica, un primo possibile dispensatore di cesio secondo l’invenzione;
- la Fig. 2 mostra una vista in sezione lungo la linea ΙΙ-Π’ di Fig.l dello stesso dispensatore;
- la Fig. 3 mostra una vista prospettica, parzialmente in spaccato, di un altro possibile dispensatore dell’invenzione;
- la Fig. 4 mostra una vista dall’alto di un ulteriore possibile dispensatore dell’invenzione; e
- la Fig. 5 mostra una vista in sezione lungo la linea V-V’ del dispensatore di Fig.4.
Gli inventori hanno trovato che miscele tra uno o più agenti riducenti ed uno o più composti scelti tra il molibdato di cesio CS2M0O4, il tungstato di cesio Cs2W04, il niobato di cesio CsNb03, il tantalato CsTa03, il silicato Cs2Si03, il titanato Cs2Ti03 e lo zirconato di cesio Cs2Zr03, sono compatibili con il processo di produzione degli OLED, essendo in grado di evaporare cesio a temperature più basse dei corrispondenti cromati senza praticamente rilasciare gas potenzialmente dannosi per gli OLED, tra cui principalmente vapore d’acqua. In particolare, le temperature di evaporazione del cesio da queste miscele sono generalmente inferiori a 450 °C: queste temperature possono facilmente essere raggiunte localmente sul dispensatore di cesio nelle camere di produzione degli OLED.
Le miscele impiegate nei dispensatori dell’invenzione possono contenere più di un composto di cesio e più di un elemento o composto riducente, ma generalmente si impiega un unico componente per tipo.
Come agente riducente è possìbile impiegare uno degli stessi componenti già noti ed impiegati nei dispensatori a base di cromati, come alluminio, silicio, zirconio o titanio, o leghe contenenti zirconio o titanio come per esempio la lega di composizione percentuale in peso Zr 84% - Al 16%, prodotta e venduta dalla Richiedente con il nome St 101 , o la lega di composizione percentuale in peso Zr 76,5% - Fe 23,5%, prodotta e venduta dalla Richiedente con il nome St 198 .
Per favorire il contatto tra il composto di cesio e l’agente riducente, questi sono preferibilmente impiegati in forma di polveri. Entrambi i componenti della miscela hanno generalmente granulometria inferiore ad 1 mm e preferibilmente inferiore a 500 pm; ancora più preferibilmente la granulometria è compresa tra circa 10 e 125 pm. Polveri con grani di dimensioni inferiori a 10 pm sono generalmente difficili da trattare in produzione e da trattenere nel dispensatore; inoltre, nel caso dell’agente riducente, polveri troppo fini possono diventare piroforiche, con problemi di sicurezza nell’impianto di produzione. Viceversa, con polveri di dimensioni superiori a quelle indicate il contatto tra i due componenti della miscela peggiora, e la reazione che porta al rilascio del cesio ne risulta rallentata.
Il rapporto in peso tra il composto di cesio e l’agente riducente può variare entro ampi limiti. Preferibilmente detto rapporto è compreso tra 10:1 e 1:10. L’uso del composto di cesio in grosso eccesso rispetto all’agente riducente non offre vantaggi pratici; viceversa, soprattutto quando l’agente riducente è una lega getter come la lega St 101 ricordata, un suo eccesso nella miscela può risultare utile perchè la porzione non coinvolta nella reazione con il composto di cesio può svolgere un’azione di assorbimento dei gas che si possono liberare durante la reazione.
La miscela può essere impiegata in forma di polveri sciolte, oppure è possibile preformare pillole della stessa; l’impiego di pillole offre il vantaggio di migliorare ulteriormente il contatto tra i componenti della miscela, e di agevolare le operazioni di caricamento del contenitore.
Il contenitore può essere realizzato in qualunque materiale e forma compatibile con l’applicazione.
In particolare, per quanto riguarda il materiale, questo deve essere chimicamente inerte nei confronti dell’atmosfera di lavoro e della miscela dispensatrice di cesio in tutto il campo di temperature previsto per l’impiego, generalmente tra temperatura ambiente e circa 450 °C; nello stesso intervallo di temperature, il materiale con cui è realizzato il contenitore non deve subire alterazioni fisiche rilevanti, tali da alterarne la resistenza meccanica o la forma, e deve presentare i valori più bassi possibili di emissione di gas. Materiali che presentano queste caratteristiche sono per esempio i metalli o leghe metalliche, le ceramiche, la grafite e il nitruro di boro, NB. L’impiego dei metalli è preferito per la loro più facile lavorabilità e formabilità. Un altro vantaggio nell’uso di metalli, grafite e NB è che il dispensatore può essere riscaldato alla temperatura di evaporazione del cesio per semplice passaggio di corrente nelle pareti del contenitore. Metalli e leghe preferiti per la realizzazione del contenitore sono il molibdeno, il tantalio, il tungsteno, il nichel, l’acciaio e le leghe nichel-cromo.
La forma del contenitore può essere una qualunque di quelle note dai brevetti US 3.578.834, US 3.579.459, US 3.598.384, US 3.636.302, US 3.663.121 e US 4.233.936, citati in precedenza. Contenitori di varie forme e materiali sono anche disponibili in commercio, per esempio dalla società austriaca Plansee o dalla società USA Midwest Tungsten Service.
Nelle figure 1 e 2 è rappresentato, rispettivamente in vista prospettica ed in sezione, un possibile dispensatore che impiega le miscele dell’invenzione; in particolare, la figura 2 mostra la vista del dispensatore sezionato lungo la linea ΙΙ-ΙΓ della figura 1. Il dispensatore 10 è costituito da due fogli metallici, 11 e 12. Nella parte centrale del foglio 12 è presente una cava, 13, ottenuta per esempio per stampaggio a freddo del foglio. Il foglio 11 presenta, nella zona centrale 14 (delimitata dal tratteggio in figura 1) una serie di fori di piccole dimensioni, 15. Nel dispensatore assemblato, la zona 14 è in corrispondenza della cava 13; in quest’ultima è contenuta la miscela dell’invenzione, 16, tra almeno un composto di cesio ed almeno un agente riducente. I fogli 11 e 12 possono essere fissati tra loro, esternamente alla cava 13, in qualunque modo che garantisca la tenuta di polveri; per esempio, si può avere un fissaggio meccanico, come “lingue” di un foglio ripiegate sull’altro, oppure un fissaggio per saldatura, continua o per punti, o combinazioni di questi metodi. Il dispensatore 10 presenta infine due prolungamenti laterali, 17 e 17’, utili per la movimentazione con mezzi meccanici nella linea di produzione e per il collegamento a morsetti elettrici per il suo riscaldamento.
Nella figura 3 è rappresentato in spaccato un altro possibile dispensatore dell’invenzione, 30. In questo caso il contenitore della miscela 16 è formato da un foglio 31 (per esempio metallico) analogo al foglio 12 delle figure 1 e 2, mentre la parte di superficie del contenitore permeabile ai vapori di cesio è costituita da un corpo poroso, 32, comprendente o formato da materiale getter. Il corpo 32 può essere mantenuto in posizione in qualunque modo; solo come esempio, in figura 3 è mostrato un elemento di ritenzione, 33, fissato sul foglio 31 per mezzo di punti di saldatura, 34; il corpo 32 può però essere mantenuto nella posizione desiderata per mezzo di qualunque altro elemento di ritenzione, fissato al foglio 31 in qualunque modo adatto. Il corpo 32 può essere costituito da solo materiale getter sinterizzato; un simile corpo getter può essere ottenuto per esempio secondo il metodo descritto nel brevetto EP-B-719609 a nome della Richiedente. In alternativa, il corpo 32 può essere costituito da materiale getter depositato con vari metodi su una struttura di sostegno aperta, come per esempio una rete metallica con opportune dimensioni dei fori; simili strutture aperte sono descritte per esempio nel brevetto US 4.146.497 a nome della Richiedente, o possono essere prodotte depositando particelle getter su una rete metallica con la tecnica elettroforetica, come descritto per esempio nel brevetto US 4.628.198. Con questa costruzione, il corpo getter 32 svolge la doppia funzione di permettere il passaggio dei vapori di cesio trattenendo le particelle della miscela 16, e di evitare che gas quali acqua, ossidi di carbonio, ecc., che possono essere rilasciati dai componenti di detta miscela, vadano ad inquinare l’atmosfera della camera di processo in cui il dispensatore è impiegato.
Infine, le figure 4 e 5 rappresentano un’ulteriore possibile forma di dispensatore che impiega le miscele dell’ invenzione, adatto quando sia necessario evaporare piccole quantità di cesio; questo dispensatore ha la struttura descritta nel brevetto US 3.598.384. La figura 4 mostra il dispensatore in una vista dall’alto, e la figura 5 ne rappresenta la vista in sezione lungo la linea V-V’ della figura 4. Il dispensatore, 40, è formato da un contenitore 41 con una struttura allungata a sezione trapezoidale, con una fessura longitudinale 42 ostruita da un filo metallico 43 che consente l’evaporazione del cesio ma impedisce la fuoriuscita della miscela di polveri 44; il contenitore 41 è rastremato alle estremità intorno a due terminali 45, 45’, che hanno la doppia funzione di chiusura di dette estremità e di contatti elettrici per il riscaldamento dell insieme.
In un suo secondo aspetto, l’invenzione riguarda il processo per l’uso dei dispensatori fin qui descritti nella produzione di schermi di tipo OLED.
La struttura di un OLED (descritta per sommi capi in precedenza) viene costruita con tecniche tipiche deH’industria microelettronica, predisponendo il primo supporto trasparente e depositando su questo i vari strati componenti in successione. Gli elettrodi sono generalmente depositati con tecniche come la serigrafia; gli strati di materiali organici vengono generalmente ottenuti con tecniche di evaporazione o ricopertura tramite deposizione di una goccia di materiale in fase liquida sul supporto e veloce rotazione di quest’ultimo (in inglese, “spin coating”).
Poiché i materiali organici impiegati e, soprattutto, la seconda serie di elettrodi (realizzata generalmente con metalli quali il bario) sono estremamente sensibili agli agenti atmosferici ed in particolare al vapore d’acqua, almeno le fasi di deposizione di questi strati e le successive devono essere realizzate in camere apposite, in vuoto o sotto atmosfera inerte. I dispensatori di cesio dell’invenzione sono particolarmente adatti per introdurre l’elemento nella struttura attiva durante questi trattamenti in camera.
In particolare, il processo dell’invenzione comprende le fasi di:
- introdurre un dispensatore di cesio in una camera ad atmosfera controllata e dotata di mezzi per il riscaldamento dello stesso;
- disporre in detta camera l’intermedio di produzione dello schermo OLED ottenuto dopo aver formato il multistrato organico;
- causare l’evaporazione del cesio dal dispensatore per riscaldamento di quest’ultimo; e
- realizzare le successive fasi di produzione dello schermo OLED fino alla sua sigillatura col secondo supporto.
Per gli scopi dell’invenzione, non è necessario che queste fasi siano realizzate nell’ordine sopra riportato; inoltre, l’operazione di evaporazione del cesio può essere realizzata in momenti differenti della produzione dell’OLED. Possibili varianti del processo dell’invenzione verranno descritte più in dettaglio nel seguito.
La camera ad atmosfera controllata può essere una di quelle già previste per la realizzazione delle altre fasi del processo di produzione degli OLED, oppure può essere una camera dedicata all’operazione di evaporazione del cesio. Questa camera deve essere provvista di mezzi per il riscaldamento del dispensatore, che possono essere radiativi (lampade infrarosse) o, nel caso di dispensatore con contenitore metallico o in grafite, di tipo induttivo; in alternativa, il riscaldamento può essere realizzato per passaggio diretto di corrente, predisponendo un sostegno riscaldarle per il dispensatore, o anche, nel caso di contenitori in grafite, in nitruro di boro e in metallo (per esempio del tipo precedentemente descritto con riferimento alle figure 1 e 2), riscaldando il dispensatore per passaggio diretto di corrente nelle pareti del contenitore; in quest’ultimo caso i mezzi riscaldanti in camera saranno semplicemente passanti elettrici con opportuni morsetti per il collegamento al contenitore.
Nel caso in cui la camera di evaporazione del cesio sia ima camera in cui vengono svolte anche altre operazioni del processo, il dispensatore verrà introdotto prima della fase di evaporazione e attivato termicamente al momento opportuno. Se invece la camera è impiegata esclusivamente per l’evaporazione del cesio, nella camera in cui è già presente il dispensatore viene introdotto un intermedio di produzione dell’OLED. Il cesio viene poi fatto evaporare dal dispensatore riscaldando quest’ultimo coi mezzi precedentemente visti ad una temperatura compresa tra circa 250 e 450 °C, in dipendenza dello specifico composto di cesio impiegato.
L’ evaporazione del cesio può essere realizzata in diverse fasi intermedie della produzione dell’OLED. Per esempio, la produzione dell’OLED può comprendere le seguenti operazioni principali:
- produzione della prima serie di elettrodi sul primo supporto trasparente;
- produzione del multistrato organico sulla prima serie di elettrodi;
- evaporazione del cesio sul multistrato organico;
- produzione della seconda serie di elettrodi sul multistrato organico;
- altre operazioni eventuali e sigillatura lungo il loro perimetro del primo e del secondo supporto.
In alternativa, l’operazione di evaporazione del cesio può essere seguente alla produzione della seconda serie di elettrodi.
L’invenzione verrà ulteriormente illustrata nel seguenti esempi riguardanti alcuni dei composti di cesio dell’invenzione, ed in particolare il molibdato, il titanato ed il tungstato, oltre ad un esempio di confronto con il cromato della tecnica nota.
ESEMPIO 1
Viene prodotto un dispensatore di cesio in cui si impiega, come composto dell’elemento, il molibdato, Cs2Mo04.
Il dispensatore è del tipo descritto nel testo con riferimento alle figure 4 e 5. Contenitore, filo metallico e terminali sono realizzati in lega nichel-cromo. La parte riempita di miscela ha dimensioni della sezione di circa 1 mm x 1 ,5 mm e lunghezza pari a 25 mm. Questo contenitore viene riempito con una miscela di una parte in peso di polveri di molibdato di cesio e cinque parti in peso di lega St 101 citata; le polveri hanno granulometria compresa tra 10 e 125 pm. Il caricamento lineare del contenitore è di circa 40 mg di miscela per centimetro.
Il dispensatore così prodotto costituisce il campione 1.
ESEMPIO 2
Viene prodotto un dispensatore di cesio come descritto nell’esempio 1, impiegando però come composto di cesio il titanato, CS2TÌO3. Questo dispensatore costituisce il campione 2.
ESEMPIO 3
Viene prodotto un dispensatore di cesio come descritto nell’esempio 1, impiegando però come composto di cesio il tungstato, Cs2W04. Questo dispensatore costituisce il campione 3.
ESEMPIO 4 (COMP ARATIVO)
Viene prodotto a scopo di confronto un dispensatore di cesio come descritto nell’esempio 1, impiegando come composto di cesio il cromato, Cs2Cr04. Questo dispensatore costituisce il campione 4.
ESEMPIO 5
Questo esempio si riferisce alle prove di evaporazione di cesio dai dispensatoli prodotti negli esempi precedenti.
I campioni 1-4 vengono montati aH'intemo di una camera che viene successivamente evacuata, collegati a passanti elettrici e alimentati con un generatore di corrente. La corrente viene aumentata gradualmente, con una rampa pari a 0,1 A/min. La temperatura del campione viene misurata con una termocoppia saldata sulla parete esterna del contenitore, e si registra il valore di corrente che determina l'inizio di evaporazione del cesio, rilevato con l’ausilio di un sensore a triodo montato in vicinanza della fessura di evaporazione. I valori di temperatura di inizio evaporazione così rilevati sono riportati nella tabella seguente.
Composto di Cs Temperatura inizio evaporazione (°C)
In base ai risultati delle prove emerge che miscele che impieghino i composti oggetto dell’ invenzione sono in grado di rilasciare vapori di cesio in condizioni di corrente, e quindi di temperatura, inferiori rispetto al cromato di cesio.
Claims (4)
- RIVENDICAZIONI 1. Dispensatore di cesio costituito da un contenitore in grado di trattenere particelle solide ma con almeno una parte della superficie permeabile ai vapori di cesio e contenente una miscela (16; 44) tra almeno un composto di cesio ed almeno un agente riducente, caratterizzato dal fatto che il composto di cesio è scelto tra il molibdato, il tungstato, il niobato, il tantalato, il silicato, il titanato e lo zirconato.
- 2. Dispensatore secondo la rivendicazione 1, in cui detta miscela comprende un unico composto di cesio ed un unico agente riducente.
- 3. Dispensatore secondo la rivendicazione 1, in cui l’agente riducente è scelto tra alluminio, silicio, zirconio o titanio, o leghe contenenti zirconio o titanio. 4. Dispensatore secondo la rivendicazione 3, in cui l’agente riducente è una lega di composizione percentuale in peso Zr 84% - Al 16%.
- 4. Dispensatore secondo la rivendicazione 3, in cui l’agente riducente è una lega di composizione percentuale in peso Zr 76,5% - Fe 23,5%. 6. Dispensatore secondo la rivendicazione 1, in cui i materiali componenti detta miscela sono in forma di polveri. 7. Dispensatore secondo la rivendicazione 6, in cui dette polveri hanno granulometria inferiore ad 1 mm. 8. Dispensatore secondo la rivendicazione 7, in cui dette polveri hanno granulometria inferiore a 500 pm. 9. Dispensatore secondo la rivendicazione 8, in cui dette polveri hanno granulometria compresa tra 10 e 125 pm. 10. Dispensatore secondo la rivendicazione 1, in cui il rapporto in peso tra i materiali componenti detta miscela è compreso tra 10:1 e 1:10. 11. Dispensatore secondo la rivendicazione 1, in cui il contenitore è realizzato in un materiale a scelta tra i metalli, le leghe metalliche, la grafite, il nitruro di boro e le ceramiche. 12. Dispensatore secondo la rivendicazione 11, in cui detto materiale è scelto tra il molibdeno, il tantalio, il tungsteno, l acciaio e le leghe nichel-cromo. 13. Dispensatore di cesio (10) secondo la rivendicazione 1, costituito da un contenitore formato dall’unione di due fogli metallici (11, 12), il primo foglio (11) avente nella sua zona centrale (14) una pluralità di fori di piccole dimensioni (15) ed il secondo foglio (12) avente nella sua parte centrale corrispondente una cava (13); una miscela (16) tra almeno un composto di cesio ed almeno un agente riducente in detta cava; l’unione tra detti due fogli essendo realizzata in modo da non consentire la fuoriuscita di particelle solide; e detto dispensatore avente due prolungamenti laterali (17, 17’) per la movimentazione con mezzi meccanici e il collegamento a morsetti elettrici del dispensatore stesso. 14. Dispensatore di cesio (30) secondo la rivendicazione 1, costituito da un contenitore, formato da un foglio (31) in una cavità del quale è contenuta una miscela (16) tra almeno un composto di cesio ed almeno un agente riducente, e da un corpo poroso (32) comprendente o formato da materiale getter, mantenuto in posizione su detta cavità per mezzo di un elemento di ritenzione (33) fissato su detto foglio per mezzo di punti di saldatura (34). 15. Dispensatore di cesio (40) secondo la rivendicazione 1, costituito da un contenitore (41) avente struttura allungata a sezione trapezoidale con una fessura longitudinale (42) ostruita da un filo metallico (43) che consente l’evaporazione del cesio ma impedisce la fuoriuscita della miscela di polveri (44) presente nel contenitore, detto contenitore essendo rastremato alle estremità intorno a due terminali (45, 45’) che chiudono dette estremità e costituiscono contatti elettrici per il riscaldamento del dispensatore. 16. Processo per l’uso di dispensatori di cesio secondo una delle rivendicazioni precedenti nella produzione di schermi di tipo OLED costituiti da: un primo supporto trasparente, una prima serie di elettrodi, un multistrato organico, una seconda serie di elettrodi ed un secondo supporto, comprendente le fasi di: - introdurre un dispensatore di cesio in una camera ad atmosfera controllata e dotata di mezzi per il riscaldamento dello stesso; - disporre in detta camera un intermedio di produzione dello schermo OLED ottenuto dopo aver formato il multistrato organico; - causare l’evaporazione del cesio dal dispensatore per riscaldamento di quest’ultimo; e - realizzare le successive fasi di produzione dello schermo OLED fino alla sua sigillatura col secondo supporto. 17. Processo per l’uso di dispensatori di cesio secondo la rivendicazione 16, comprendente la seguente serie di operazioni: - produzione della prima serie di elettrodi sul primo supporto trasparente; - produzione del multistrato organico sulla prima serie di elettrodi; - evaporazione del cesio sul multistrato organico; - produzione della seconda serie di elettrodi sul multistrato organico; - altre operazioni eventuali e sigillatura lungo il loro perimetro del primo e del secondo supporto. 18. Processo per l’uso di dispensatori di cesio secondo la rivendicazione 16, comprendente la seguente serie di operazioni: - produzione della prima serie di elettrodi sul primo supporto trasparente; - produzione del multistrato organico sulla prima serie di elettrodi; - produzione della seconda serie di elettrodi sul multistrato organico; - evaporazione del cesio sulla seconda serie di elettrodi; - altre operazioni eventuali e sigillatura lungo il loro perimetro del primo e del secondo supporto.
Priority Applications (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT2001MI000995A ITMI20010995A1 (it) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | Dispensatori di cesio e processo per il loro uso |
TW091108362A TWI284001B (en) | 2001-05-15 | 2002-04-23 | Cesium dispensers and process for the use thereof |
AT02735976T ATE322744T1 (de) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | VERFAHREN ZUR SPENDUNG VON CAESIUM UND IHRE VERWENDUNG ZUR HERSTELLUNG VON BILDSCHIRMEN VON TYP ßOLEDß |
EP02735976A EP1419542B1 (en) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | Method for dispensing cesium and its use in the manufacture of oled screens |
AU2002309256A AU2002309256A1 (en) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | Cesium dispensers and process for the use thereof |
KR1020037000536A KR100742424B1 (ko) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | 세슘 디스펜서 및 세슘 디스펜서의 사용 방법 |
PCT/IT2002/000301 WO2002093664A2 (en) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | Cesium dispensers and process for the use thereof |
JP2002590432A JP4087715B2 (ja) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | セシウム供給装置及びその使用方法 |
CNB028023765A CN100459219C (zh) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | 铯释放器及其使用方法 |
DE60210478T DE60210478T2 (de) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | Verfahren zur spendung von caesium und ihre verwendung zur herstellung von bildschirmen von typ "oled" |
CA002430941A CA2430941C (en) | 2001-05-15 | 2002-05-07 | Cesium dispensers and process for the use thereof |
MYPI20021724A MY132034A (en) | 2001-05-15 | 2002-05-13 | Cesium dispensers and process for the use thereof. |
US10/465,004 US6753648B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-06-19 | Cesium dispensers and process for the use thereof |
US10/842,352 US20040206205A1 (en) | 2001-05-15 | 2004-05-10 | Cesium mixtures and use thereof |
HK05100342.0A HK1068495A1 (en) | 2001-05-15 | 2005-01-13 | Cesium dispensers and process for the use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT2001MI000995A ITMI20010995A1 (it) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | Dispensatori di cesio e processo per il loro uso |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ITMI20010995A0 ITMI20010995A0 (it) | 2001-05-15 |
ITMI20010995A1 true ITMI20010995A1 (it) | 2002-11-15 |
Family
ID=11447659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
IT2001MI000995A ITMI20010995A1 (it) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | Dispensatori di cesio e processo per il loro uso |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6753648B2 (it) |
EP (1) | EP1419542B1 (it) |
JP (1) | JP4087715B2 (it) |
KR (1) | KR100742424B1 (it) |
CN (1) | CN100459219C (it) |
AT (1) | ATE322744T1 (it) |
AU (1) | AU2002309256A1 (it) |
CA (1) | CA2430941C (it) |
DE (1) | DE60210478T2 (it) |
HK (1) | HK1068495A1 (it) |
IT (1) | ITMI20010995A1 (it) |
MY (1) | MY132034A (it) |
TW (1) | TWI284001B (it) |
WO (1) | WO2002093664A2 (it) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ITMI20010995A1 (it) * | 2001-05-15 | 2002-11-15 | Getters Spa | Dispensatori di cesio e processo per il loro uso |
TW583499B (en) | 2001-05-17 | 2004-04-11 | Daikin Ind Ltd | Nonlinear optical material comprising fluorine-containing polymer |
ITMI20021904A1 (it) * | 2002-09-06 | 2004-03-07 | Getters Spa | Elemento accessorio per dispensatori di metalli alcalini |
US7474051B2 (en) | 2003-01-17 | 2009-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Alkali metal generating agent, alkali metal generator, photoelectric surface, secondary electron emission surface, electron tube, method for manufacturing photoelectric surface, method for manufacturing secondary electron emission surface, and method for manufacturing electron tube |
EP1598844B1 (en) | 2003-01-17 | 2010-09-22 | Hamamatsu Photonics K. K. | Alkali metal generating agent and uses thereof for producing a photo-cathode and a secondary-electron emitting surface |
EP1585159A4 (en) * | 2003-01-17 | 2006-12-13 | Hamamatsu Photonics Kk | ALKALI METAL PRODUCTION AGENTS, ALKALI METAL PRODUCERS, PHOTOELECTRIC SURFACE, ELECTRON EMISSION SURFACE SECONDARY, ELECTRON TUBE, METHOD FOR PRODUCING A PHOTO ELECTRIC SURFACE, METHOD FOR PRODUCING A SECONDARY ELECTRON EMISSION SURFACE AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRON TUBE |
JP4312555B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2009-08-12 | 富士フイルム株式会社 | 真空蒸着用ルツボおよび蛍光体シート製造装置 |
ITMI20041736A1 (it) * | 2004-09-10 | 2004-12-10 | Getters Spa | Miscele per l'evaporazione del litio e dispensatori di litio |
EP1648042B1 (en) * | 2004-10-07 | 2007-05-02 | Novaled AG | A method for doping a semiconductor material with cesium |
ITMI20042279A1 (it) * | 2004-11-24 | 2005-02-24 | Getters Spa | Sistema dispensatore di metalli alcalini in grado di dispensare quantita' elevate di metalli |
US7625601B2 (en) * | 2005-02-04 | 2009-12-01 | Eastman Kodak Company | Controllably feeding organic material in making OLEDs |
US20060269656A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Eastman Kodak Company | Reducing contamination in OLED processing systems |
EP1780816B1 (en) | 2005-11-01 | 2020-07-01 | Novaled GmbH | A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device |
DE502005004425D1 (de) | 2005-12-07 | 2008-07-24 | Novaled Ag | Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials |
DE502005004675D1 (de) | 2005-12-21 | 2008-08-21 | Novaled Ag | Organisches Bauelement |
ITMI20060444A1 (it) | 2006-03-13 | 2007-09-14 | Getters Spa | Uso di composizioni magnesio-rame per l'evaporazione di magnesio e dispensatori di magnesio |
WO2007107356A1 (en) | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Novaled Ag | Method for preparing doped organic semiconductor materials and formulation utilized therein |
AT502678B1 (de) | 2006-03-24 | 2007-05-15 | Alvatec Alkali Vacuum Technolo | Alkalimetall- oder erdalkalimetall- verdampferquelle |
SI2530083T1 (sl) * | 2006-09-22 | 2016-09-30 | Pharmacyclics Llc | Inhibitorji Bruton tirozin kinaze |
ITMI20061872A1 (it) * | 2006-09-29 | 2008-03-30 | Getters Spa | SCHERMO ELETTROLUMINECìSCENTE ORGANICO E PROCESSO PER LA SUA PRODUZIONE |
ITMI20070301A1 (it) * | 2007-02-16 | 2008-08-17 | Getters Spa | Supporti comprendenti materiali getter e sorgenti di metalli alcalini o alcalino-terrosi per sistemi di termoregolazione basati su effetto tunnel |
ITMI20112051A1 (it) * | 2011-11-11 | 2013-05-12 | Getters Spa | Composizione organico-inorganica per il rilascio in fase vapore di metalli alcalini ed alcalino-terrosi |
US9491802B2 (en) * | 2012-02-17 | 2016-11-08 | Honeywell International Inc. | On-chip alkali dispenser |
ITMI20131171A1 (it) * | 2013-07-11 | 2015-01-11 | Getters Spa | Erogatore migliorato di vapori metallici |
US9876188B2 (en) | 2013-12-27 | 2018-01-23 | Pioneer Corporation | Light emitting element and method of manufacturing light emitting element |
CN105483397B (zh) * | 2015-11-26 | 2017-12-26 | 北京有色金属研究总院 | 一种低温可控放铯的铯释放剂和其所用释放器的制备方法 |
USD821224S1 (en) * | 2016-10-07 | 2018-06-26 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Cartridge |
USD814314S1 (en) * | 2016-10-07 | 2018-04-03 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Cartridge |
CN110444463B (zh) * | 2019-08-12 | 2020-11-10 | 电子科技大学 | 一种微电流铯离子源 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2117735A (en) | 1936-10-01 | 1938-05-17 | Rca Corp | Getter |
US2424512A (en) * | 1944-08-08 | 1947-07-22 | Nat Res Corp | Production of alkali metals and their oxides |
US3096211A (en) * | 1959-03-31 | 1963-07-02 | Emi Ltd | Alkali metal generators |
US3203901A (en) * | 1962-02-15 | 1965-08-31 | Porta Paolo Della | Method of manufacturing zirconiumaluminum alloy getters |
US3579459A (en) | 1966-12-13 | 1971-05-18 | Getters Spa | Metal vapor generating compositions |
NL6913693A (it) | 1968-09-13 | 1970-03-17 | ||
GB1274528A (en) | 1968-09-13 | 1972-05-17 | Getters Spa | Improvements in or relating to metal vapour generators |
US3658713A (en) * | 1968-11-12 | 1972-04-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Alkali metal generating agents |
US3663121A (en) | 1969-05-24 | 1972-05-16 | Getters Spa | Generation of metal vapors |
US4146497A (en) | 1972-12-14 | 1979-03-27 | S.A.E.S. Getters S.P.A. | Supported getter |
US4275330A (en) * | 1979-03-08 | 1981-06-23 | General Electric Company | Electric discharge lamp having a cathode with cesium metal oxide |
IT1115156B (it) * | 1979-04-06 | 1986-02-03 | Getters Spa | Leghe zr-fe per l'assorbimento di idrogeno a basse temperature |
US4233936A (en) | 1979-05-08 | 1980-11-18 | Rca Corporation | Alkali metal dispenser |
AU2993384A (en) * | 1983-06-29 | 1986-01-02 | Stauffer Chemical Company | Preparation of polyphosphides using potassium graphite intercalate |
IT1173866B (it) | 1984-03-16 | 1987-06-24 | Getters Spa | Metodo perfezionato per fabbricare dispositivi getter non evarobili porosi e dispositivi getter cosi' prodotti |
NL8802171A (nl) * | 1988-09-02 | 1990-04-02 | Philips Nv | Alkalimetaaldamp-dispenser. |
US5606219A (en) * | 1992-12-25 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Cathode for electronic flash tube |
JPH06231727A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 閃光放電管用陰極材及びその製造方法 |
EP0716609B1 (en) | 1993-08-13 | 2005-12-28 | The Uab Research Foundation | Methods and compositions for stimulating and inhibiting tgf-beta activity |
JPH0978058A (ja) | 1995-09-08 | 1997-03-25 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP1119221B1 (en) | 1996-11-29 | 2004-03-03 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
JPH10270171A (ja) | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP3266573B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2002-03-18 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH11329347A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Erebamu:Kk | 放電ランプ及びその製造方法 |
ITMI20010995A1 (it) * | 2001-05-15 | 2002-11-15 | Getters Spa | Dispensatori di cesio e processo per il loro uso |
-
2001
- 2001-05-15 IT IT2001MI000995A patent/ITMI20010995A1/it unknown
-
2002
- 2002-04-23 TW TW091108362A patent/TWI284001B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-07 CN CNB028023765A patent/CN100459219C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-07 DE DE60210478T patent/DE60210478T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-07 AU AU2002309256A patent/AU2002309256A1/en not_active Abandoned
- 2002-05-07 JP JP2002590432A patent/JP4087715B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-07 CA CA002430941A patent/CA2430941C/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-07 KR KR1020037000536A patent/KR100742424B1/ko active IP Right Grant
- 2002-05-07 WO PCT/IT2002/000301 patent/WO2002093664A2/en active IP Right Grant
- 2002-05-07 AT AT02735976T patent/ATE322744T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-05-07 EP EP02735976A patent/EP1419542B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-13 MY MYPI20021724A patent/MY132034A/en unknown
-
2003
- 2003-06-19 US US10/465,004 patent/US6753648B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-10 US US10/842,352 patent/US20040206205A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-01-13 HK HK05100342.0A patent/HK1068495A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002093664A2 (en) | 2002-11-21 |
DE60210478T2 (de) | 2006-10-05 |
DE60210478D1 (de) | 2006-05-18 |
EP1419542B1 (en) | 2006-04-05 |
CA2430941C (en) | 2009-12-29 |
HK1068495A1 (en) | 2005-04-29 |
ATE322744T1 (de) | 2006-04-15 |
ITMI20010995A0 (it) | 2001-05-15 |
CA2430941A1 (en) | 2002-11-21 |
US20040001916A1 (en) | 2004-01-01 |
JP4087715B2 (ja) | 2008-05-21 |
CN100459219C (zh) | 2009-02-04 |
TWI284001B (en) | 2007-07-11 |
CN1531839A (zh) | 2004-09-22 |
KR100742424B1 (ko) | 2007-07-24 |
KR20030038666A (ko) | 2003-05-16 |
US6753648B2 (en) | 2004-06-22 |
EP1419542A2 (en) | 2004-05-19 |
WO2002093664A3 (en) | 2003-02-06 |
US20040206205A1 (en) | 2004-10-21 |
WO2002093664A8 (en) | 2003-03-06 |
MY132034A (en) | 2007-09-28 |
JP2004532932A (ja) | 2004-10-28 |
AU2002309256A1 (en) | 2002-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ITMI20010995A1 (it) | Dispensatori di cesio e processo per il loro uso | |
EP1817787B1 (en) | Dispensing system for alkali metals capable of releasing a high quantity of metals | |
TWI388501B (zh) | 供鋰蒸發用之混合物及鋰分配器 | |
ITMI940341A1 (it) | Combinazione di materiali per dispositivi erogatori di mercurio metodo di preparazione e dispositivi cosi' ottenuti | |
ITMI941416A1 (it) | Combinazione di materiali per dispositivi erogatori di mercurio metodo di preparazione e dispositivi cosi' ottenuti | |
US20050145179A1 (en) | Accessory member for dispensers of alkali metals | |
JP5345953B2 (ja) | 空気中で安定なアルカリまたはアルカリ土類金属供給装置 | |
JPS63224127A (ja) | 含浸形陰極 | |
JP2000311781A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
ITMI20131171A1 (it) | Erogatore migliorato di vapori metallici | |
ITMI970037A1 (it) | Dispositivo getter evaporabile frittabile ad alta resa di bario | |
ITRM20080334A1 (it) | Lampada fluorescente a catodo caldo contenente un dispositivo per il rilascio di mercurio e getter | |
JP2004006311A5 (ja) | 発光装置の作製方法および成膜装置 | |
ITMI970036A1 (it) | Dispositivo getter evaporabile con ridotto tempo di attivazione | |
JP2007009292A (ja) | 真空蒸着装置及びこれに用いる坩堝 |