JP2004006311A5 - 発光装置の作製方法および成膜装置 - Google Patents
発光装置の作製方法および成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006311A5 JP2004006311A5 JP2003109813A JP2003109813A JP2004006311A5 JP 2004006311 A5 JP2004006311 A5 JP 2004006311A5 JP 2003109813 A JP2003109813 A JP 2003109813A JP 2003109813 A JP2003109813 A JP 2003109813A JP 2004006311 A5 JP2004006311 A5 JP 2004006311A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting device
- film forming
- manufacturing
- light emitting
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009416 shuttering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第１の電極上に、該第１の電極の端部を覆う絶縁物を形成する工程と、
開閉するシャッターが設けられ、且つ、前記基板に対向して配置された蒸着源を、前記絶縁物で区切られた領域に合わせて移動させ、該絶縁物で区切られた領域に合わせて前記シャッターを開くことにより、前記第１の電極上に前記有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に前記第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記絶縁物は、ストライプ状または格子状に形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、蒸着の際、前記蒸着源と前記基板との間隔が、３０ｃｍ以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記蒸着源は、Ｘ方向またはＹ方向に移動することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記蒸着源の移動方向と、前記絶縁物で区切られた領域の長辺方向とが一致していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１の電極は、発光素子の陰極、或いは陽極であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記有機化合物を含む層を形成する際に、金属材料からなるマスクを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記マスクと前記蒸着源との間に基板シャッターを設けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記金属材料はタングステン、タンタル、クロム、ニッケル、モリブデンまたは、これらの元素を含む合金、ステンレス、インコネル、ハステロイのいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記蒸着源はルツボを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記ルツボは仕切り部を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記蒸着源は複数の有機化合物を備えることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜装置であって、
前記基板が配置される成膜室には、蒸着源と、該蒸着源を移動する手段と、前記蒸着源に設けられたシャッターとを有し、
前記蒸着源及び前記シャッターを移動させ、且つ、前記シャッターの開閉を行うことで選択的に成膜を行うものであることを特徴とする成膜装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記蒸着源はルツボを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記ルツボは仕切り部を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１】
基板上に設けられた第１の電極上に、該第１の電極の端部を覆う絶縁物を形成する工程と、
開閉するシャッターが設けられ、且つ、前記基板に対向して配置された蒸着源を、前記絶縁物で区切られた領域に合わせて移動させ、該絶縁物で区切られた領域に合わせて前記シャッターを開くことにより、前記第１の電極上に前記有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に前記第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記絶縁物は、ストライプ状または格子状に形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、蒸着の際、前記蒸着源と前記基板との間隔が、３０ｃｍ以下であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記蒸着源は、Ｘ方向またはＹ方向に移動することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記蒸着源の移動方向と、前記絶縁物で区切られた領域の長辺方向とが一致していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１の電極は、発光素子の陰極、或いは陽極であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記有機化合物を含む層を形成する際に、金属材料からなるマスクを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記マスクと前記蒸着源との間に基板シャッターを設けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記金属材料はタングステン、タンタル、クロム、ニッケル、モリブデンまたは、これらの元素を含む合金、ステンレス、インコネル、ハステロイのいずれかであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記蒸着源はルツボを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記ルツボは仕切り部を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記蒸着源は複数の有機化合物を備えることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜装置であって、
前記基板が配置される成膜室には、蒸着源と、該蒸着源を移動する手段と、前記蒸着源に設けられたシャッターとを有し、
前記蒸着源及び前記シャッターを移動させ、且つ、前記シャッターの開閉を行うことで選択的に成膜を行うものであることを特徴とする成膜装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記蒸着源はルツボを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記ルツボは仕切り部を有することを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003109813A JP2004006311A (ja) | 2002-04-15 | 2003-04-15 | 発光装置の作製方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002112590 | 2002-04-15 | ||
| JP2003109813A JP2004006311A (ja) | 2002-04-15 | 2003-04-15 | 発光装置の作製方法および製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004006311A JP2004006311A (ja) | 2004-01-08 |
| JP2004006311A5 true JP2004006311A5 (ja) | 2006-05-25 |
Family
ID=30447035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003109813A Withdrawn JP2004006311A (ja) | 2002-04-15 | 2003-04-15 | 発光装置の作製方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004006311A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI336905B (en) | 2002-05-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
| JP4634698B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2011-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蒸着装置 |
| JP4384109B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2009-12-16 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム |
| KR100760763B1 (ko) | 2006-10-17 | 2007-10-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고전압 리튬 이차 전지용 전해액 및 이를 채용하는 고전압리튬 이차 전지 |
| CN101271869B (zh) * | 2007-03-22 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件的制造方法 |
| JP5990439B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-09-14 | 株式会社アルバック | 薄膜形成方法、薄膜形成装置 |
| JP6036270B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-11-30 | コニカミノルタ株式会社 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116169A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 多層成膜用の真空蒸着装置 |
| JP4187367B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2008-11-26 | 三洋電機株式会社 | 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 |
| TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
| JP4785269B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法 |
| JP4597421B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2010-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
| JP2003151768A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び蒸着マスク |
| JP4439827B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置および発光装置の作製方法 |
-
2003
- 2003-04-15 JP JP2003109813A patent/JP2004006311A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8701592B2 (en) | Mask frame assembly, method of manufacturing the same, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the mask frame assembly | |
| JP4505473B2 (ja) | マスク、蒸着装置、有機電界発光表示装置 | |
| JPH10298738A (ja) | シャドウマスク及び蒸着方法 | |
| JP3641963B2 (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| TWI745299B (zh) | 用於有機發光二極體製造的陰影遮罩 | |
| TW200835387A (en) | Depositing organic material onto an OLED substrate | |
| CN112011765A (zh) | 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法 | |
| KR102121087B1 (ko) | Oled 조명 장치를 제조하기 위한 장비 및 제조 방법 | |
| JP2003217850A (ja) | 有機ｅｌデバイスの薄膜蒸着用マスクフレーム組立体 | |
| US20070036887A1 (en) | Method for making a thin film layer | |
| TW200905941A (en) | Hybrid organic light-emitting transistor device and manufacturing method thereof | |
| CN108293281B (zh) | 制造光电转换元件的方法 | |
| US20050145179A1 (en) | Accessory member for dispensers of alkali metals | |
| CN108624841B (zh) | 掩膜版及其制作方法 | |
| JP2004006311A5 (ja) | 発光装置の作製方法および成膜装置 | |
| KR102067513B1 (ko) | 스퍼터링 방법으로 제조되는 저항변화층을 구비하는 저항변화 메모리 및 그의 제조 방법 | |
| KR101301080B1 (ko) | 삼극 전계방출소자의 제조방법 | |
| JP2005317536A (ja) | 有機電界発光素子およびその製造方法 | |
| CN108666448B (zh) | 掩膜版及其制作方法 | |
| JP2014110132A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR101910185B1 (ko) | 모세관-유도 전사를 위한 하이브리드 마이크로채널 형성방법, 모세관-유도 전사 기판, 모세관-유도 전사 기판을 이용한 전사방법, 및 유기물 패턴 | |
| CN111276618A (zh) | 有机功能层及制备有机功能层的方法、显示面板 | |
| JP2011146362A (ja) | パターンの形成方法及び有機発光素子の製造方法 | |
| KR101618974B1 (ko) | 반도체 발광소자의 투명전극, 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광소자 | |
| KR101921305B1 (ko) | 발광잉크 웰 패터닝 방법, 이를 통한 전사방법, 및 전사 장치 |