FR2901371A1 - Substrat de reseau pour un dispositif d'affichage a cristaux liquides son procede de fabrication - Google Patents

Substrat de reseau pour un dispositif d'affichage a cristaux liquides son procede de fabrication Download PDF

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Abstract

Un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides comporte : une ligne (202) de grille et une ligne (220) de données sur un substrat (200), la ligne de données croisant la ligne de grille afin de définir une région (P) de pixels; une couche d'isolation entre la ligne de grille et la ligne (220) de données ; un élément de commutation (S) adjacent à un croisement de la ligne (202) de grille et de la ligne (220) de donnéesSelon l'invention, un premier motif tampon (206) au niveau d'un premier côté d'une ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données et en chevauchement avec l'autre ligne, et facultativement, un deuxième motif tampon (308) permettent de diminuer une différence d'échelon, empêchant la possibilité d'une déconnexion de la ligne métallique supérieure en raison d'une différence d'échelon dans la ligne métallique inférieure.

Description

2 grille, une couche semiûconductrice 32 et des électrodes source 34 et
drain 36. En outre, une électrode 17 de pixel est raccordée au transistor en couche mince "T" dans la région "P" de pixels. Précisément, la couche 14 de cristaux liquides est intercalée entre l'électrode 5 commune 18 et l'électrode 17 de pixel. Ici, la couche 14 de cristaux liquides est pré alignée par des couches d'alignement (non représentées) entre l'électrode commune 18 et la couche 14 de cristaux liquides et entre l'électrode 17 Je pixel et la couche 14 de cristaux liquides. En plus, les couches d'alignement sont polies afin d'aider au préûalignement de la couche 14 de cristaux liquides. to Entre temps, lorsque des tensions sont appliquées à l'électrode 17 de pixel et à l'électrode commune 18, un champ électrique vertical entre l'électrode 17 de pixel et l'électrode commune 18 est généré. Donc, une image peut être affichée en faisant varier la transmittance de lumière conformément au champ électrique vertical. Au cours du processus de fabrication, les défauts sont plus nombreux dans le 15 processus de formation du substrat de réseau qui comporte le substrat inférieur 22, la ligne 12 de grille, la ligne 24 de données, le transistor en couche mince "T", et l'électrode 17 de pixel que dans le processus de formation du substrat de filtre chromatique qui comporte le substrat supérieur 5, la couche 7 de filtre chromatique, la matrice noire 6 et l'électrode commune 18. 20 Ceci est dû au fait qu'un plus grand nombre de processus photolithographiques sont effectués afin de former le substrat de réseau. Par conséquent, le nombre de défauts du substrat de réseau est bien plus élevé que cehi du substrat de filtre chromatique. En particulier, une ligne métallique supérieure, telle que la ligne 24 de données, peut être aisément déconnectée au niveau du croisement d'une ligne métal- 25 ligue inférieure, telle que la ligne 12 de grille, et de la ligne métallique supérieure en raison d'une différence d'échelon dans la ligne métallique inférieure. La figure 2 est une vue en plan simplifiée d'un substrat de réseau en rapport avec une région de pixels selon la technique apparentée. Sur la figure 2, un substrat de réseau "AS" comporte une ligne 52 de grille et 30 une ligne 62 de données se croisant entre elles pour définir une région "P" de pixels, un transistor en couche mince "T" adjacent au croisement des lignes de grille 52 et de données 62, et une électrode 64 de pixel raccordée au transistor en couche mince "T" dans la région "P" de pixels. Ici, la ligne 52 de grille et la ligne 62 de données ont une partie au niveau de 35 leur croisement "III". Dans cette partie au niveau de leur croisement "III", la ligne 62 de données auûdessus de la ligne 52 de grille est fréquemment déconnectée en raison de la différence d'échelon dans la ligne 52 de grille. R 13revets\25900\25976-061 116-tradTXT. doc - 23 novembre 2006 - 2'I8 3 Ciùaprès, le défaut de déconnexion au niveau de la partie de croisement "III" des lignes de grille 52 et de données 62 sera expliqué de la manière suivante : la figure 3 est une vue en plan agrandie de la partie "III" de la figure 2. La figure 4 est une vue en coupe transversale schématique réalisée le long d'une ligne "IVùIV" de la figure 3. Sur les figures 3 et 4, la ligne 52 de grille et la ligne 62 de données se croisent entre elles avec une couche d'isolation de grille (non représentée) entre elles. Généralement, dans la mesure où la ligne 52 de grille a une épaisseur d'environ 2 000 ù 3 000 angstroms (À), la ligne 62 de données disposée auùdessus de la ligne 52 de grille a une différence d'échelon latérale dans la ligne 52 de grille ayant l'épaisseur indiquée ciùdessus. Plus particulièrement, étant donné que la couche d'isolation de grille (non représentée) est généralement faite à partir d'un nitrure de silicium (SiNx) ou d'un oxyde de silicium (SiOx) et a une épaisseur d'environ 3 000 -4 000 angstroms (À), la couche d'isolation de grille ne peut compenser la différence d'échelon dans la ligne 52 de grille. Donc, au niveau de la partie de croisement "III" de la ligne 52 de grille et de la ligne 62 de données, la ligne 62 de données est formée le long de la différence d'échelon dans la ligne 52 de grille. En conséquence, dans la mesure où la ligne 62 de données est formée le long de la partie de différence d'échelon latérale "SP" dans la ligne 52 de grille, la ligne 62 de données est aisément déconnectée au niveau de la partie de différence d'échelon latérale "SP" en raison du défaut de dépôt ou analogues. En outre, un agent d'attaque chimique destiné à attaquer chimiquement la ligne 62 de données peut se concentrer dans une partie concave au niveau de la partie de différence d'échelon latérale "SP". Donc, dans la partie concave, la ligne 62 de données peut être attaquée chimiquement de manière excessive. Par conséquent, la ligne 62 de données peut être déconnectée. Le défaut de déconnexion réduit la productivité et augmente le coût de fabrication. Par conséquent, la présente invention est dirigée vers un substrat de réseau pour un dispositif LCD et son procédé de fabrication qui parent sensiblement à un ou des problèmes dus aux limitations et inconvénients de la technique apparentée. Un but de la présente invention est de mettre disposition un substrat de réseau pour un dispositif LCD et son procédé de fabrication qui peuvent empêcher le défaut de déconnexion de lignes métalliques se croisant entre elles. Un autre but de la présente invention est de mettre à disposition un substrat de 35 réseau pour un dispositif LCD et son procédé de fabrication qui peuvent améliorer une productivité et réduire le coût de fabrication. Pour parvenir à ces avantages et d'autres et conformément au but de la présente invention, un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides R\Brevets\25900'2 5976-061 1 1 6-tradTXT doc - 23 novembre 2006 - 3/18 4 comprend : une ligne de grille et une ligne de données sur un substrat, la ligne de données croisant la ligne de grille afin de définir une région de pixels ; une couche d'isolation entre la ligne de grille et la ligne de données ; un élément de commutation adjacent à un croisement de la ligne de grille et de la ligne de données ; une électrode de pixel raccordée à l'élément de commutation, l'électrode de pixel disposée dans la région de pixel ; et un premier motif tampon au niveau d'un premier côté d'une parmi la ligne de grille et la ligne de données et chevauché par l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, le premier motif tampon étant disposé au niveau de la même couche que la ligne de grille et la ligne de données. l0 De préférence, le substrat de réseau comprend un second motif tampon au niveau d'un second côté de la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données opposé au premier côté et en chevauchement avec l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, les premier et second motifs tampons étant disposés au niveau de la même couche que la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données. 15 Selon un mode de réalisation, le premier motif tampon a une forme de barre parallèle à l'une parmi la ligne de grille et la ligne de données, et espacée à distance de celle-ci, et le second motif tampon s'étend depuis une parmi la ligne de grille et la ligne de données Selon un autre mode de réalisation, le second motif tampon est plus près que le 20 premier motif tampon de l'élément de commutation. Selon un autre mode de réalisation, le second motif tampon a une parmi une forme tétragonale et une forme triangulaire. Selon un autre mode de réalisation, les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données sont sensiblement coplanaires. 25 Selon un autre mode de réalisation, les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données sont faits à partir de sensiblement le même matériau. Selon un autre mode de réalisation, le premier motif tampon s'étend depuis le premier côté de la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, et le second 30 motif tampon s'étend depuis le second côté de la ligne de grille. Selon un autre mode de réalisation, les premier et second motifs tampons sont disposés symétriquement en rapport avec une partie centrale de l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données. L'invention propose un procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un 35 dispositif d'affichage à cristaux liquides, comportant les étapes consistant à : former une parmi une ligne de grille et une ligne de données, et un premier motif tampon sur un substrat, le premier motif tampon étant formé au niveau d'un premier côté de la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données ; former une couche d'isolation R ABrevets\ 25900\25976-061 1 1 6-I radTXT doc - 23 novembre 2006 - 4/ 18 sur la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données et le premier motif tampon ; former l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données sur la couche d'isolation, l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, croisant la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données afin de définir une région de pixels, 5 l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données étant chevauchée par le premier motif tampon ; former un élément de commutation raccordé à la ligne de grille et à la ligne de données adjacente à un croisement de la ligne de grille et de la ligne de données ; et former une électrode de pixel raccordée à l'élément de commutation, l'électrode de pixel étant disposée dans la région de pixels.
De préférence, le procédé comprend en outre l'étape consistant à former un second motif tampon au niveau d'un second côté de la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données opposé au premier côté, l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données étant en chevauchement avec le second motif tampon, dans lequel l'étape consistant à former la couche d'isolation comporte l'étape consis- tant à former la couche d'isolation sur le second motif tampon. Selon un mode de réalisation, les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, le premier motif tampon et le second motif tampon, comportent l'étape consistant à former le premier motif tampon afin d'avoir une forme de barre parallèle à la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données et espacée à distance de celle-ci, et former le second motif tampon afin qu'il s'étende depuis la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données. Selon un autre mode de réalisation, les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former le second motif tampon afin d'avoir une parmi une forme tétragonale et une forme triangulaire. Selon un autre mode de réalisation, les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données afin qu'ils soient sensiblement coplanaires. Selon un autre mode de réalisation, les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données à partir de sensi- blement le même matériau. Selon un autre mode de réalisation, les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent des étapes consistant à : R-ABrevets\25900A25976-061 1 1 6-tradTRT. doc - 23 novembre 2006 - 5/18 6 former le premier motif tampon afin qu'il s'étende depuis le premier côté de la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données ; et former le second motif tampon afin qu'il s'étende depuis le second côté de la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données.
Selon un autre mode de réalisation, les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former les premier et second motifs tampons afin qu'ils soient symétriques à une partie centrale de l'autre ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données. l o Dans un autre aspect, l'invention propose une structure de lignes au niveau de leur croisement de ce dispositif d'affichage, comprenant : une première ligne sur un substrat ; une couche d'isolation sur la première ligne ; une seconde ligne sur la couche d'isolation, la seconde ligne croisant la première ligne ; et un premier motif tampon au niveau d'un premier côté de la première ligne et en chevauchement avec la 15 seconde ligne. De préférence, ce structure de lignes comprend en outre un second motif tampon au niveau d'un second côté de la première ligne opposée au premier côté et en chevauchement avec la seconde ligne. Selon un mode de réalisation, les premier et second motifs tampons sont dispo20 sés au niveau de la même couche que la première ligne. Selon un autre mode de réalisation, les premier et second motifs tampons et la première ligne sont sensiblement coplanaires. De préférence, les premier et second motifs tampons et la première ligne sont faits à partir de sensiblement le même matériau. 25 De préférence, le premier motif tampon a une forme de barre parallèle à et espacée à distance de la première ligne et le second motif tampon s'étend depuis la première ligne. De préférence, le second motif tampon a une parmi une forme tétragonale et une forme triangulaire. 30 De préférence, le premier motif tampon s'étend depuis le premier côté de la première ligne et le second motif tampon s'étend depuis le second côté de la première ligne. Les premier et second motifs tampons peuvent être disposés de manière symétrique en rapport avec une partie centrale de la seconde ligne. On comprendra qu'à la fois la description générale précédente et la description 35 détaillée suivante sont exemplaires et explicatives de l'invention. Les dessins annexés illustrent des modes de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs, et conjointement avec la description servent à expliquer les principes de l'invention. R'Brevets 25900 25976-061 116-tradTXT doc - 27 novembre 2006 - 6 18 7 Sur les dessins : la figure 1 est une vue en coupe transversale simplifiée d'un dispositif LCD selon la technique apparentée ; la figure 2 est une vue en plan simplifiée d'un substrat de réseau en rapport avec une région de pixels selon la technique apparentée ; la figure 3 est une vue en plan agrandie de la partie "III" de la figure 2 ; la figure 4 est une vue en coupe transversale simplifiée réalisée le long d'une ligne "IVûIV" sur la figure 3 ; la figure 5 est une vue en plan simplifiée d'une partie de croisement de deux lignes métalliques d'un substrat de réseau comportant des motifs tampons selon un premier mode de réalisation de la présente invention ; la figure 6 est une vue en plan simplifiée d'une partie de croisement de deux lignes métalliques d'un substrat de réseau comportant des motifs tampons selon un second mode de réalisation de la présente invention ; la figure 7 est une vue en plan simplifiée d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD comportant des premier et second motifs tampons en rapport avec une région de pixels selon un premier mode de réalisation de la présente invention ; la figure 8 est une vue en plan simplifiée d'un substrat de réseau pour un dispo- sitif LCD comportant des premier et second motifs tampons en rapport avec une région de pixels selon un second mode de réalisation de la présente invention ; les figures 9A, 9B, 9C et 9D sont des vues en coupe transversale simplifiées d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD réalisé le long d'une ligne "IXûIX" sur la figure 7, conformément à des étapes de fabrication selon un mode de réalisation de la présente invention ; et les figures 10A, 10B, 10C et 10D sont des vues en coupe transversale simplifiées d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD réalisé le long d'une ligne "XûX" sur la figure 7, conformément à des étapes de fabrication selon un rnode de réalisation de la présente invention. 11 va maintenant être fait référence en détail aux modes de réalisation de la présente invention, dont un exemple est illustré sur les dessins joints. Aux endroits où cela est possible, des numéros de référence similaires seront utilisés tout au long des dessins pour faire référence aux mêmes parties ou parties identiques.
Ciûaprès, des modes de réalisation exemplaires selon la présente invention seront expliqués comme suit. La figure 5 est une vue en plan simplifiée d'une partie de croisement de deux lignes métalliques d'un substrat de réseau comportant des motifs tampons selon un R:'Brevets 25900 25976-061116-tradTXTdoc - 27 novembre 2006 - 7.18 8 premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 6 est une vue en plan simplifiée d'une partie de croisement de deux lignes métalliques d'un substrat de réseau comportant des motifs tampons selon un second mode de réalisation de la présente invention.
Sur la figure 5, une première ligne métallique 102 est formée le long d'une première direction et une seconde ligne métallique 110 est formée le long d'une seconde direction, croisant la première direction. Bien que non représentée, une couche d'isolation est disposée entre la première ligne métallique 102 et la seconde ligne métallique 110. En outre, des premier 106 et second 108 motifs tampons sont formés au niveau de la même couche que la première ligne métallique 102. Ici, le premier motif tampon 106 a une forme de barre espacée à distance de la première ligne métallique 102 et le long de la première direction. Le second motif tampon 108 s'étend depuis la première ligne métallique 102. Par exemple, le second motif tampon 108 a un motif carré comme représenté sur la figure 5. Précisément, la taille du second motif tampon 108 est sélectionnée d'une étendue telle que la partie principale du second motif tampon 108 pourrait être couverte par la seconde ligne métallique 110. En variante, sur la figure 6, des premier 152 et second 154 motifs tampons s'étendent depuis une première ligne métallique 150 le long de la seconde direction afin d'être chevauchés par la seconde ligne métallique 160. Par exemple, le premier motif tampon 152 peut avoir une forme triangulaire et le second motif tampon 154 peut avoir une forme carrée. En variante, bien que ceci ne soit pas illustré, le second motif tampon peut avoir une parmi une forme tétragonale et une forme triangulaire. Sur la figure 6, les premier 152 et second 154 motifs tampons sont disposés de manière symétrique en rapport avec une partie centrale de la seconde ligne métallique 160. Cependant, afin de réduire la différence d'échelon de la première ligne métallique 150, les première 150 et seconde 160 lignes métalliques peuvent être disposées au niveau des autres positions à l'intérieur de l'étendue, de sorte que la seconde ligne métallique 160 pourrait couvrir les premier 152 et second 154 motifs tampons. C'estùàùdire, chacun des premier 152 et second 160 motifs tampons peut être sélectionné parmi diverses formes afin de réduire la différence d'échelon dans la première ligne métallique 150. De plus, bien que deux motifs tampons soient utilisés dans les modes de réalisation illustrés, un nombre quelconque de motifs tampons peut être utilisé afin de réduire la différence d'échelon. Par exemple, un seul motif tampon peut être utilisé au niveau d'un côté de la seconde ligne métallique 160, ou plus de deux motifs tampons peuvent être utilisés au niveau d'un côté ou de deux côtés de la seconde ligne métallique 160. R \Brevets\25900\25976-061 116-tradTXT doc - 23 novembre 2006 - 8/18 9 Quoi qu'il en soit, des motifs tampons quelconques selon la présente invention disposés au niveau des deux côtés d'une ligne métallique supérieure en chevauche-ment avec une ligne métallique inférieure peuvent être appropriés afin d'obtenir des effets selon la présente invention.
En outre, pour ce qui est de l'agent d'attaque chimique qui se concentre au niveau du croisement des première 150 et seconde 160 lignes métalliques, les premier 152 et second 154 motifs tampons empêchent de manière efficace cette concentration. La figure 7 est en vue en plan simplifiée d'un substrat de réseau pour un dispo- sitif LCD comportant des premier et second motifs tampons en rapport avec une région de pixels selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 8 est une vue en plan simplifiée d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD comportant des premier et second motifs tampons en rapport avec une région de pixels selon un second mode de réalisation de la présente invention.
Sur les figures 7 et 8, une ligne 202 de grille est formée le long d'une première direction sur un substrat 200. Une ligne 220 de données est formée le long d'une seconde direction croisant la première direction afin de définir une région "P" de pixels. Bien que non représentée, une couche d'isolation de grille est intercalée entre les lignes de grille 202 et de données 220. Un transistor en couches minces "T", qui comporte une électrode 204 de grille, une couche semiûconductrice 214, une électrode source 216 et une électrode drain 218, est adjacent au croisement des lignes de grille 202 et de données 220. Une électrode de pixel 226 est raccordée au transistor en couche mince "T" dans la région "P" de pixels. En outre, les premier 206 et second 208 motifs tampons (de la figure 7) ou 306 et 308 (de la figure 8) sont formés au niveau de la même couche que la ligne 202 de grille. Sur la figure 7, le premier motif tampon 206 a une forme de barre espacée à distance de la ligne 202 de grille et le long d'une direction parallèle à la première direction. Le second motif tampon 208 s'étend depuis la ligne 202 de grille le long de la seconde direction de sorte que la partie principale du second motif tampon 208 est en chevauchement avec la ligne 220 de données. En variante, sur la figure 8, les premier 306 et second 308 motifs tampons s'étendent depuis la ligne de grille 202. Ici, chacun des premier 306 et second 308 motifs tampons s'étend dans une direction en opposition mutuelle. Précisément, le premier motif tampon 306 a une forme triangulaire et le second motif tampon 308 a une forme carrée. Cependant, les formes des premier 306 et second 308 motifs tampons peuvent être changés en des types différents. Ciûaprès, un processus de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD selon un mode de réalisation de la présente invention sera expliqué comme suit. RABrevets\2590625976-061116-tradTXT doc - 23 novembre 2006 - 9/18 10 Les figures 9A, 9B, 9C et 9D sont des vues en coupe transversale simplifiées d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD réalisées le long d'une ligne "IXùIX" sur la figure 7, conformément aux étapes de fabrication selon des modes de réalisation de la présente invention. Les figures 10A, IOB, 10C et IOD sont des vues en coupe transversale simplifiées d'un substrat de réseau pour un dispositif LCD réalisées le long d'une ligne "XùX" sur la figure 7, conformément aux étapes de fabrication selon des modes de réalisation de la présente invention. Sur les figures 9A et 10A, un substrat 200 comporte une région "P" de pixels et une région de commutation "S". Un matériau métallique conducteur est déposé sur le substrat 200 et est disposé selon un motif destiné à former une ligne 202 de grille et une électrode 204 de grille. Bien que non représenté, la ligne 202 de grille est formée le long d'une première direction et l'électrode 204 de grille est disposée dans la région de commutation "S". En outre, un premier motif tampon 206 est formé afin d'être espacé de la ligne 202 de grille, et un second motif tampon 208 s'étend depuis la ligne 202 de grille. Bien que non représenté, le premier motif 206 a une forme de barre parallèle à la première direction, et le second motif tampon 208 a une forme carrée dans une vue en plan. Précisément, les premier 206 et second 208 motifs tampons sont disposés dans une partie de croisement de la ligne 202 de grille et d'une ligne de données qui sera formée par la suite. Cependant, les premier 206 et second 208 motifs tampons peuvent être changés en des formes diverses. Le matériau métallique conducteur est sélectionné parmi l'aluminium (AI), un alliage d'aluminium tel que du néodymeùaluminium (AINd), du chrome (Cr), du tungstène (W), du molybdène (Mo) et du titane (Ti) et analogues. Ensuite, une couche d'isolation de grille est formée par dépôt d'une couche d'isolation inorganique telle que du nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde de silicium (SiOx) sur la ligne 202 de grille, l'électrode 204 de grille, et les premier 206 et second 208 motifs tampons.
Sur les figures 9B et IOB, une couche semiùconductrice 214 est formée par dépôt de manière séquentielle d'un silicium amorphe intrinsèque (aùSi : H) et un silicium amorphe dopé (n+ aùSi : H) sur la couche d'isolation de grille. Précisément, le silicium amorphe intrinsèque (aùSi : H) et le silicium amorphe dopé (n+ aùSi : H) sont disposés selon un motif dans une couche act:ve 214a et une couche de contact ohmique 214b, respectivement. C'estùàùdire, la couche semiùconductrice 214 comporte la couche active 214a et la couche de contact ohmique 214b. R`,Brevets\25900\2 5976-061 1 1 6-tradTXTdoc - 23 novembre 2006 - 10,'18 11 Ensuite, une ligne 220 de données, une électrode source 216 et une électrode drain 218 sont formées par dépôt et disposition selon un motif d'un matériau métallique conducteur tel que le matériau métallique cristal liquide mentionné, sur la couche semiûconductrice 214. Précisément, la ligne 220 de données est forrnée le long d'une seconde direction croisant la première direction, l'électrode source 216 s'étend depuis la ligne 220 de données, et l'électrode drain 218 est espacée à distance de l'électrode source 216. Une partie de la couche active 214a est exposée entre l'électrode source 216 et l'électrode drain 218. L'électrode 204 de grille, la couche semiûconductrice 214, l'électrode source 216 et l'électrode drain 218 constituent un transistor en couche mince "T". On remarque que la ligne 220 de données croise la ligne 202 de grille et couvre les premier 206 et second 208 motifs tampons. Donc, la différence d'échelon dans la ligne 202 de grille peut être réduite par les premier 206 et second 208 motifs tampons. Par conséquent, le défaut de déconnexion à partir de la ligne 220 de données peut être empêché. Sur les figures 9C et 10C, une couche de passivation 222 est formée par dépôt (ou revêtement) et disposition d'un motif d'un matériau d'isolation inorganique tel que du nitrure de silicium (SiNx) ou un oxyde de silicium (SiOx) ou d'un matériau d'isolation organique tel que du benzocyclobutène (BCB) ou une résine acrylique sur le transistor en couche mince "T". Ici, la couche de passivation 222 comporte un trou de contact drain 224 qui expose une partie de l'électrode drain 218 au travers du processus de disposition d'un motif. Sur la figure 9D et 1OD, une électrode 226 de pixel est formée par dépôt et disposition selon un modèle d'un matériau conducteur transparent tel que de l'oxyde d'indiumûétain (ITO), de l'oxyde d'iridiumûzinc (IZO) sur la couche depassivation 222 dans la région "P" de pixels. Ici, l'électrode 226 de pixel est raccordée à l'électrode drain 218 par le biais du trou de contact drain 224. Les premier 206 et second 208 motifs tampons selon un mode de réalisation de la présente invention peuvent empêcher un défaut de déconnexion au niveau du croisement de deux lignes métalliques telles que des lignes de grille 202 et de données 220, améliorant de ce fait une productivité et réduisant le coût de fabrication. Bien que les modes de réalisation ciûdessus utilisent une stnicture de TFT à grille auûdessous en tant qu'un exemple, et appliquent la présente invention afin d'empêcher le défaut de déconnexion de la Iigne de données en raison de la différence d'échelon de la ligne de grille, on notera que la présente invention peut égale-ment être appliquée à une quelconque structure de lignes de croisement. Par exemple, la présente invention peut également être appliquée à une structure de TFT à R'Bresets\25900\25976-061 116-tradTXT.doc - 23 novembre 2006 - 11/18 12 grille auùdessus afin d'empêcher le défaut de déconnexion de la ligne de grille en raison de la différence d'échelon de la ligne de grille, ou d'une quelconque autre structure de lignes de croisement afin d'empêcher le défaut de déconnexion de la ligne supérieure en raison de la différence d'échelon de la ligne inférieure.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ciùdessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. Ainsi, diverses modifications et variations peuvent apparaître à l'homme du métier qui restent comprises dans la portée des revendications.
R'Brevets 25900 ':25976-061116-tr dTXT. doc - 27 novembre 2006 - 12/18 35

Claims (18)

REVENDICATIONS
1. Substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant : - une ligne (202) de grille et une ligne (220) de données sur urt substrat (20), la ligne (220) de données croisant la ligne (202) de grille afin de définir une région (P) de pixels ; - une couche d'isolation entre la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données; - un élément de commutation (S) adjacent à un croisement de la ligne (202) de grille et de la ligne (220) de données ; - une électrode (226) de pixel raccordée à l'élément de commutation (S), l'électrode (226) de pixel disposée dans la région (P) de pixels ; et - un premier motif tampon (106 ; 152 ; 206 ; 306) au niveau d'un premier côté d'une ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données et en chevauchement avec l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, le premier motif tampon étant disposé au niveau de la même couche que la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données.
2. Substrat de réseau selon la revendication 1, caractérisé par un second motif tampon (108 ; 154 ; 208 ; 308) au niveau d'un second côté de la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données opposé au premier côté et en chevauchement avec l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, les premier et second motifs tampons étant disposés au niveau de la même couche que la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données.
3. Substrat de réseau selon la revendication 2, dans lequel le premier motif tampon a une forme de barre parallèle à l'une parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, et espacée à distance de celle-ci, et le second motif tampon s'étend depuis une parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données.
4. Substrat de réseau selon la revendication 3, dans lequel le second motif tampon est plus près que le premier motif tampon de l'élément de commutation (S).
5. Substrat de réseau selon la revendication 2, dans lequel le second motif tampon a une parmi une forme tétragonale et une forme triangulaire. R `Bre, ets,25900'"25976-061 1 16-tradTXT-doc - 23 novembre 2006 - 13,18 14
6. Substrat de réseau selon la revendication 2, dans lequel les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données sont sensiblement coplanaires.
7. Substrat de réseau selon la revendication 2, dans lequel les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne de grille et la ligne de données sont faits à partir de sensiblement le même matériau.
8. Substrat de réseau selon la revendication 2, dans lequel le premier motif tampon (106 ; 152 ; 206 ; 306) s'étend depuis le premier côté de la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, et le second motif tampon (108 ; 154 ; 208 ; 308) s'étend depuis le second côté de la ligne (202) de grille.
9. Substrat de réseau selon la revendication 8, dans lequel les premier et second motifs tampons sont disposés symétriquement en rapport avec une partie centrale de l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données.
10. Procédé de fabrication d'un substrat de réseau pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant les étapes consistant à : -former une ligne parmi une ligne (202) de grille et une ligne (220) de données, et un premier motif tampon sur un substrat (200), le premier motif tampon étant formé au niveau d'un premier côté de la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données ; - former une couche d'isolation sur la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, et le premier motif tampon ; - former l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données sur la couche d'isolation, l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données croisant la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données afin de définir une région (P) de pixels, l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de Étonnées étant en chevauchement avec le premier motif tampon ; - former un élément de commutation (S) raccordé à la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données adjacent à un croisement de la ligne (202) de grille et de la ligne (220) de données ; et - former une électrode (226) de pixel raccordée à l'élément de commutation (S), l'électrode (226) de pixel étant disposée dans la région (P) de pixels. R.'.Brevets \25900\25976-06 1 1 16-tradTXT doc - 23 novembre 2006 - 14/18 15
11. Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre l'étape consistant à former un second motif tampon au niveau d'un second côté de la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données opposé au premier côté, l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données étant en chevauchement avec le second motif tampon (108, 154, 208, 308), dans lequel l'étape consistant à former la couche d'isolation comporte l'étape consistant à former la couche d'isolation sur le second motif tampon (108, 154, 208, 308).
12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, le premier motif tampon et le second motif tampon (108, 154, 208, 308), comportent l'étape consistant à former le premier motif tampon afin d'avoir une forme de barre parallèle à la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données et espacée à distance de celle-ci, et former le second motif tampon afin qu'il s'étende depuis la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données.
13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former le second motif tampon afin d'avoir une parmi une forme tétragonae et une forme triangulaire.
14. Procédé selon la revendication II, dans lequel les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données afin qu'ils soient sensiblement coplanaires.
15. Procédé selon la revendication 11, dans lequel les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former les premier et second motifs tampons et la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données à partir de sensiblement le même matériau.
16. Procédé selon la revendication 11, dans lequel les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent des étapes consistant à : R:\Brevets\25900\25976-06I I16-tradTXT doc - 23 novembre 2006 - 155//18 16 - former le premier motif tampon afin qu'il s'étende depuis le premier côté de la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données ; et - former le second motif tampon afin qu'il s'étende depuis le second côté de la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données.
17. Procédé selon la revendication 16, dans lequel les étapes consistant à former la ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données, le premier motif tampon et le second motif tampon comportent l'étape consistant à former les premier et second motifs tampons afin qu'ils soient symétriques à une partie centrale de l'autre ligne parmi la ligne (202) de grille et la ligne (220) de données. 25 20. Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 19, dans laquelle les premier et second motifs tampons sont disposés au niveau de la même couche que la première ligne. 30 21. Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 20, dans laquelle les premier et second motifs tampons et la première ligne (102 ; 150) sont sensiblement coplanaires. 22. Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 35 20, dans laquelle les premier et second motifs tampons et la première ligne (100 ; 250) sont faits à partir de sensiblement le même matériau. R ''Brevets\25900\2 5976-06 1 1 16dradTXT doc - 23 novembre 2006- 16/18 - - - 19.
18. Structure de lignes au niveau de leur croisement dans un dispositif d'affichage, comprenant : une première ligne (102 ; 150) sur un substrat (200) ; une couche d'isolation sur la première ligne (102 ; 150) ; une seconde ligne (110 ; 160) sur la couche d'isolation, la seconde ligne (110 ; 160) croisant la première ligne (100 ; 250) ; et un premier motif tampon (106 ; 152 ; 206 ; 306) au niveau d'un premier côté de la première ligne (102 ; 150) et en chevauchement avec la seconde ligne (110 ; 160). Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 18, comprenant en outre un second motif tampon (108 ; 154 ; 208 ; 308) au niveau d'un second côté de la première ligne (102 ; 150) opposée au premier côté et en chevauchement avec la seconde ligne (110 ; 160).23. Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 19, dans laquelle le premier motif tampon a une forme de barre parallèle à et espacée à distance de la première ligne (100 ; 250) et le second motif tampon s'étend depuis la première ligne (102 ; 150). 24. Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 23, dans laquelle le second motif tampon a une parmi une forme tétragonale et une forme triangulaire. 10 25. Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 19, dans laquelle le premier motif tampon s'étend depuis le premier côté de la première ligne (100 ; 250), et le second motif tampon s'étend depuis le second côté de la première ligne (100 ; 250). 15 26. Structure de lignes au niveau de leur croisement selon la revendication 25, dans laquelle les premier et second motifs tampons sont disposés de manière symétrique en rapport avec une partie centrale de la seconde ligne (110 ; 160). R \Brevets\25900A2 5976-061 1 16-tradTXT doc 23 novembre 2006 - 17/18
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